JP6617248B2 - 赤外線透過部材用Cz−Siの加工方法および赤外線透過部材の製造方法 - Google Patents
赤外線透過部材用Cz−Siの加工方法および赤外線透過部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6617248B2 JP6617248B2 JP2017511032A JP2017511032A JP6617248B2 JP 6617248 B2 JP6617248 B2 JP 6617248B2 JP 2017511032 A JP2017511032 A JP 2017511032A JP 2017511032 A JP2017511032 A JP 2017511032A JP 6617248 B2 JP6617248 B2 JP 6617248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- processing
- infrared
- transmitting member
- infrared transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/22—Absorbing filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Description
本実施形態においては、チョクラルスキー法により作製されたCz-Siを加工して、レンズ(たとえば凸レンズ)、窓部材、フィルタなどの赤外線透過部材を製造する。
2.3cm-1以下に改善することができる。
第2実施形態においては、偏光素子用の赤外線透過部材を製造した。
2、3・・・パンチ(パンチ2とパンチ3とで加圧治具を構成している)
4・・・ダイ
5・・・温度検知素子
Claims (7)
- チョクラルスキー法により作製されたCz-Siを用意する工程と、
前記Cz-Siを、導電性材料を主体とした材料からなる加圧冶具に当接させる工程と、
前記加圧冶具に電流を印加することにより、前記Cz-Siを、自己発熱により、波長9μm付近において所望の赤外線透過率を得うる目標温度に昇温させるとともに、前記加圧冶具に圧力を加え、前記Cz-Siを塑性変形により成型する工程と、を備えた赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法。 - 前記加圧治具が1対のパンチである、請求項1に記載された赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法。
- 前記電流がパルス電流である、請求項1または2に記載された赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法。
- 前記目標温度が650℃以上、1050℃以下である、請求項1ないし3のいずれか1項に記載された赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法。
- 前記加圧冶具に加えられる圧力が35.4MPa以上、283MPa以下である、請求項1ないし4のいずれか1項に記載された赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法。
- 前記圧力の加圧軸方向に対して垂直な前記Cz-Siの結晶面が(110)面である、請求項1ないし5のいずれか1項に記載された赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載された赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法を使用した、赤外線透過部材の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015079583 | 2015-04-08 | ||
JP2015079583 | 2015-04-08 | ||
PCT/JP2016/061300 WO2016163419A1 (ja) | 2015-04-08 | 2016-04-06 | 赤外線透過部材用Cz-Siの加工方法、赤外線透過部材の製造方法および赤外線透過部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016163419A1 JPWO2016163419A1 (ja) | 2018-01-25 |
JP6617248B2 true JP6617248B2 (ja) | 2019-12-11 |
Family
ID=57073105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017511032A Active JP6617248B2 (ja) | 2015-04-08 | 2016-04-06 | 赤外線透過部材用Cz−Siの加工方法および赤外線透過部材の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6617248B2 (ja) |
WO (1) | WO2016163419A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7128393B2 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-08-31 | 株式会社プラウド | 半導体結晶体の加工方法および半導体結晶体の加工装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0560901A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線光学素子およびその製造方法 |
JP5257642B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2013-08-07 | 住友電気工業株式会社 | セラミックス光学部品及びその製造方法 |
JP2004221464A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sony Corp | 熱電半導体の製造方法、熱電変換素子又は熱電変換装置の製造方法、並びにこれらの実施に用いる装置 |
JP4331572B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2009-09-16 | 国立大学法人東北大学 | Si単結晶体の加工方法、光・電子デバイスの製造方法、及び太陽電池の製造方法 |
JP2010060779A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Tohoku Univ | 赤外光用の光学結晶レンズの製造方法 |
DE112009004379T5 (de) * | 2008-12-24 | 2012-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrarotstrahldurchlässiges optisches Element und Herstellungsverfahren dafür, optischeVorrichtung und optisches Gerät |
WO2011089971A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 株式会社村田製作所 | 半導体結晶体の加工方法、および半導体結晶体の加工装置 |
JP2013026400A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体結晶体の加工方法 |
JP5824930B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2015-12-02 | 株式会社村田製作所 | 半導体結晶体の加工方法 |
-
2016
- 2016-04-06 JP JP2017511032A patent/JP6617248B2/ja active Active
- 2016-04-06 WO PCT/JP2016/061300 patent/WO2016163419A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016163419A1 (ja) | 2018-01-25 |
WO2016163419A1 (ja) | 2016-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6770721B2 (ja) | シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 | |
JP5167651B2 (ja) | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、及びその距離の制御方法 | |
WO2006030699A1 (ja) | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ | |
WO2002001170A1 (fr) | Procede et appareil de mesure de la temperature | |
JP6617248B2 (ja) | 赤外線透過部材用Cz−Siの加工方法および赤外線透過部材の製造方法 | |
TWI677602B (zh) | β-GaO系單晶基板 | |
JP2013004825A5 (ja) | ||
JP2004256388A (ja) | 六方晶系単結晶の成長方法及び同単結晶の半導体素子用基板としての利用 | |
US20110204532A1 (en) | Fabrication process for single-crystal optical devices | |
EP1959486B1 (en) | Method of manufacturing a silicon wafer | |
KR20110040814A (ko) | AlxGa(1-x)N 단결정의 제조 방법, AlxGa(1-x)N 단결정 및 광학 부품 | |
JP6591182B2 (ja) | フッ化物結晶及び光学部品 | |
JP2010060779A (ja) | 赤外光用の光学結晶レンズの製造方法 | |
KR102397734B1 (ko) | 투명한 용융 석영에 불투명한 용융 석영을 합치기 위한 프로세스 | |
Morishita et al. | Near-net shaping of single-crystal silicon for optical lens by one-shot pressing at temperature just below silicon melting point and its demonstration of optical properties | |
JP7279722B2 (ja) | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | |
Locher et al. | Large diameter sapphire dome: fabrication and characterization | |
Batalov et al. | Nanosecond-pulse annealing of heavily doped Ge: Sb layers on Ge substrates | |
TWI557775B (zh) | 用於在半導體材料中製造一層之方法及裝置 | |
JP6682515B2 (ja) | シリコン材料からなる光学部材及びそれを有する光学機器 | |
JP2008174415A (ja) | 半絶縁性GaAsウエハ及びその製造方法 | |
US20150158255A1 (en) | Method for obtaining laminas made of a material having monocrystalline structure | |
JP4826994B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
RU2497643C2 (ru) | Способ разделения кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений | |
JP5480568B2 (ja) | ガラス製品の製造方法及びガラス製品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190903 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6617248 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |