JP6610540B2 - 光電モジュール - Google Patents
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Description
また、インターポーザ基板が、フロントエンドICの他方の面が接合された第1の基板と、第1の基板に接合され、フロントエンドICを第1の基板に搭載するためのIC搭載用開口を有する第2の基板と、マザーボードに当接することなく、フロントエンドICとマザーボードとの間に配置され、光素子が光伝送を行うための光入出力用開口を有する第3の基板とを含み、第1の基板が、第2の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有するものである。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
<0.光素子が2次元配置された光電モジュール>
[0.1 課題]
<1.第1の実施の形態>(光素子の構成例)(図1〜図14)
[1.1 光素子の構成例]
[1.2 作用および効果]
[1.3 変形例]
<2.第2の実施の形態>(光電モジュールの第1の例)(図15〜図22)
[2.1 構成例]
[2.2 製造工程]
[2.3 作用および効果]
<3.第3の実施の形態>(光電モジュールの第2の例)(図23)
[3.1 構成例]
[3.2 作用および効果]
<4.第4の実施の形態>(光電モジュールの第3の例)(図24〜図25)
[4.1 構成例]
[4.2 作用および効果]
<5.第5の実施の形態>(光コネクタの最適化)(図26〜図37)
[5.1 光コネクタモジュールの構成例]
[5.2 光コネクタモジュールの最適化]
(最適化された光コネクタモジュールの構成例)
(全反射ミラーを用いない場合の光学設計例)
(全反射ミラーを用いる場合の光学設計例)
[5.3 作用および効果]
<6.その他の実施の形態>
[0.1 課題]
チャンネルごとに、レンズなどの光学機能が付加された光素子が2次元配置された光電モジュールにおける課題を以下に記す。なお、2次元配置された光電モジュールとして知られている構造には、レンズなどの複数の光学機能素子が2次元配置された光学機能素子アレイに、光学機能素子に対応して2次元配置された複数の受発光素子(受光素子または発光素子)アレイを一体化した構造がある。この際、受発光素子アレイのアレイ数と光学機能素子アレイのアレイ数とが同一となっている構造が知られている。
・高伝送レート化に伴い、より光結合損失を低減させる必要がある。
光電モジュールの高速化に向けた取り組みとして、チャンネル数増加と併せ、4値化伝送(4PAM)と伝送レート向上とがある。送信側、受信側、各々の回路の要求仕様から、双方をつなぐ光コネクタに必要とされる損失をシミュレーションしたところ、4値化伝送では例えばロス量3.7dB以下が必要であり、また、伝送レートを25Gbpsにすると例えばロス量6.0dB以下が必要であることが分かった。
・光コネクタとのカップリング効率を高めるために、チャンネルごとに、できるだけ大面積の光学機能素子を設ける必要がある。
光素子と光コネクタとの間に位置ずれが生じると、光結合損失が増す。その影響をできるだけ抑えるため、レンズなど、できるだけ大口径の集光機能素子を設ける必要がある。一例として、ファイバー規格に則り、光素子のピッチを縦横:250μmピッチとした場合、例えばレンズ径:Φ240μmと、できるだけ大口径にすることが求められる。
・2次元配置された光素子と光コネクタ間の、全体としての光結合効率のばらつきを抑制するため、トータルの結合面積を小さくする必要がある。
また、上記課題2と同様に、すべてのチャンネルの光結合効率を高めるためには、光素子と光コネクタ間における、光結合領域を小面積化することが有効である。そこで、例えば、光素子として12×14チャンネルの一体型のものを適用した構造が提案されている。光素子を分割すると、各々の素子の実装のために、ある程度のクリアランスを設ける必要がある。それは例えば、200μmであり、素子1チャンネル分の幅に近いものとなってしまう。故に、従来では、全体の結合面積を小さくするために、発光素子および受光素子の素子数を増やしにくいという課題があった。
・歩留まりの低い発光受光素子の(低歩留まりの)影響を受けにくい構造にする必要がある。
10Gbpsを超える伝送レートに対応する光素子、特にVCSEL(面発光レーザー)の歩留まりは低い。概ね90%以下であり、これらを、例えば100チャンネルアレイ化すると、一体構造の光素子アレイにおいては、良品がほとんど得られなくなる(例えば0.1%以下)。さらに、伝送レートが25Gbpsなどになると、それに対応するVCSELの歩留まりは、例えば60%以下などの、非常に低いものになる。故に、今後は光素子を一体アレイ化した状態で適用する構成は、非現実的なものとなる。
・さらなる高レート化、および高集積化に伴い、素子ピッチを維持しつつ、送信側(発光側)素子と受信側(受光側)素子とを混載配置にする必要がある。
次世代の高機能I/F(インタフェース)では、送信側素子(Tx)と受信側素子(Rx)とが、高密度で混載されている。例えば、Tx・Rx・Tx・Rxと交互配置であったり、TxTxTxTx・RxRxRxRxなどといった、4ヶずつの交互配置であったりもする。すなわち、前述のような送信側素子(Tx)と受信側素子(Rx)とをそれぞれアレイ化した従来構成は、ここでも非現実的なものとなる。
また、その他にも従来の光電モジュールには以下の課題がある。
光素子と光コネクタは、コリメート結合光学系により、数十μmの位置ずれマージンを持っている。しかし、テラオーダーの伝送容量を持たせた場合、そのチャンネル数は100チャンネル前後の膨大な数となる。故に、コリメート結合させる述べ面積も増大する。現状の有機基板上ベースでの位置決めでは、精度、安定性が不足してくる。
[1.1 光素子の構成例]
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る光素子1の一断面構成例を示している。図2は、図1に示した光素子1の他の断面における構成例を示している。また、図3および図4は、光素子1の他の構成例を示している。図5および図6は、光素子1の平面構成例を示している。
なお、図1では、光素子1のレンズ基板11に垂直な方向をZ軸方向、レンズ基板11の基板面に平行な面内において互いに直交する方向をX軸方向およびY軸方向としている。以降の他の図についても同様である。
本実施の形態によれば、光素子1の構造を最適化するようにしたので、光伝送のチャンネル数の増加に対応可能となる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。以降の他の実施の形態についても同様である。
本実施の形態では、光学機能素子アレイ10と受発光素子20とが異なる基材で構成されている。従来では、伝送光波長として、例えば約1000nm付近の光(例えば985nm)を採用している。これは、その帯域の光が、GaAs基板など、化合物の基板を透過することから採用されている。すなわち、光素子を裏面発光、裏面受光構造とし、さらに、基板裏面をドライエッチングなどでレンズ形状に加工すれば、裏面から入出力する光を集光し、低損失化することが可能となる。このメリットがあるため、従来では、受発光素子と光学機能素子(レンズ)とが同一素材、言い換えれば、受発光素子の基板がそのまま光学機能素子を兼ねている構造を取っている。ただし、この構造の場合、デメリットがある。985nm光源は、量産数量が少ないため高価である。そのため、本実施の形態では、例えば量産数量が多く安価な850nm波長を採用する。850nm帯の光は、GaAsなどの化合物基板を透過せず、ガラス、石英、サファイア、および透明樹脂などは透過する。そこで、光学機能素子アレイ10として、ガラス、石英、サファイア、および透明樹脂などの材料を採用することが好ましい。
本実施の形態では、複数の受発光素子20のそれぞれと複数のレンズ12のそれぞれとがレンズ基板11に対して垂直方向の同軸に位置するように、レンズ基板11を介して互いに対向配置されている。
ここで、本実施の形態に係る光素子1を光電モジュールとして、受発光素子20を駆動するFE回路と組み合わせる場合の位置関係について説明する。
以上の説明では、光学機能素子アレイ10において、レンズ12が1列に配置された構成を図示したが、例えば、図12および図13に示したように、レンズ12および受発光素子20が2列、もしくはそれ以上に、全体として2次元的に配置された構成であってもよい。
次に、本開示の第2の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第1の実施の形態に係る光素子における構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
図15は、本開示の第2の実施の形態に係る光電モジュール40の一構成例を示している。図16は、光電モジュール40の製造工程の第1工程例を示している。図17は、光電モジュール40の製造工程の第2工程例を示す断面図および平面図である。図18は、光電モジュール40の製造工程の第3工程例を示す断面図および平面図である。図19は、光電モジュール40の製造工程の第4工程例を示す断面図および平面図である。図20は、光電モジュール40をマザーボード4に搭載する過程を示している。図21は、光電モジュールをマザーボード4に搭載した状態を示している。図22は、光電モジュール40に冷却モジュール56を搭載した状態を示す共に、光電モジュール40に光結合される光コネクタモジュール100の一例を示している。
図16ないし図22を参照して、光電モジュール40の製造工程を説明する。
本実施の形態の光電モジュール40によれば、以下の作用および効果が得られる。
第1の基板41に、FEIC2と第2の基板42とを面接着したことで、見かけ上、FEIC2とIP基板の剛性が増す。これにより、マザーボード4に実装しても第2の基板42が変形し難い。変形が発生したとしても、歪みの応力は第2の基板42のみで吸収することができる。また、第1の基板41に接着することで、FEIC2と第2の基板42とを一体化させる。これにより、FEIC2と第2の基板42とのバッド間の位置関係の変化を抑制することができる。
第1の基板41に、光コネクタモジュール100のための位置決めピン51を配置する。第1の基板41を例えば金属にすることで、高い位置精度でのピン配置が可能となる。高剛性な第1の基板41に、位置決めピン51を配置することにより、位置決めピン51の剛性が上がり、変形し難くなる。また、光コネクタモジュール100の装着により、位置決めピン51に偏応力が掛かったとしても、外力に対しデリケートな、はんだバンプ33などが形成された第2の基板42および第3の基板43に、偏応力の悪影響が及び難くなる。
従来構造においては、IP基板の表面から裏面に電気信号を通す必要がある。一方で、IP基板は、FEIC2に大電力を供給する必要があるため、何重もの電源層が存在するようになる。そこに貫通ビアを設け、電気高速信号を通さなくてはならなくなるが、ただでさえインピータンス整合の取りにくい貫通ビアが、層ごとに存在する何重ものスタブなどにより、高速信号を通すには困難な状態になる。
次に、本開示の第3の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第1および第2の実施の形態に係る光素子または光電モジュールにおける構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
図23は、本実施の形態に係る光電モジュールの一構成例を示している。本実施の形態に係る光電モジュールは、光素子1とFEIC2とを電気的に接続する多層構造のIP基板72(多層基板)を備えている。IP基板72は、他の部分に比べて基板層数を少なくすることによって形成された窪み部分76を有している。光素子1が窪み部分76に収まるようにしてIP基板72に搭載されている。
本実施の形態の光電モジュールによれば、以下の作用および効果が得られる。
次に、本開示の第4の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第1ないし第3の実施の形態に係る光素子または光電モジュールにおける構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
図24は、本実施の形態に係る光電モジュールの一構成例を示している。図24に示した光電モジュールは、上記第3の実施の形態に係る光電モジュール(図23)に対して、IP基板72の窪み部分76に代えて、IP基板72を貫通する開口部77を有している。また、光素子1を搭載する保持基板80を備えている。光素子1が、保持基板80に搭載された状態で開口部77に収まるようにして、はんだバンプ81を介してFEIC2に実装されている。IP基板72を介さずに、光素子1とFEIC2とが保持基板80を介して電気的に接続されている。保持基板80には、光素子1とFEIC2とを電気的に接続するための貫通ビア83が設けられている。
本実施の形態の光電モジュールによれば、以下の作用および効果が得られる。
次に、本開示の第5の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第1ないし第4の実施の形態に係る光素子または光電モジュールにおける構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
図26および図27は、垂直取り出し型の光コネクタモジュール100の一例を示している。光電モジュール40は、位置決めピン51を介して光コネクタモジュール100に接続される。光コネクタモジュール100は、レンズ基板110とフェルール102とを有している。レンズ基板110には、光電モジュール40に搭載された光素子1に対応する位置にレンズ部111が設けられている。フェルール102には、光伝送媒体としての光ファイバ101が取り付けられている。光ファイバ101は、レンズ基板110の基板面に対して垂直方向に配置されている。光ファイバ101には、レンズ部111を介して、垂直方向から光が入射される。または、外部から伝送されてきた光をレンズ部111に向けて出射する。
(最適化された光コネクタモジュールの構成例)
上記した光コネクタモジュールの構成例のうち、全反射ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュール(図29、図30)は、図31または図32のような構造であることが好ましい。なお、ここでは、光伝送媒体として光ファイバを用いる場合(図29)を例にするが、光導波路型(図30)についても同様の構造で最適化することができる。
まず、図33を参照して、図26および図27に示した垂直取り出し型の光コネクタモジュール100に対応する光コネクタモジュールを用いる場合の、光素子1(受信用光素子1R、送信用光素子1T)と光コネクタモジュール間の光学設計の手順を示す。
次に、図35〜図37を参照して、全反射ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュールを用いる場合の、光素子1(受信用光素子1R、送信用光素子1T)と光コネクタモジュール間の光学設計例について述べる。
本実施の形態によれば、全反射ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュールの構成を最適化したことで、チャンネル間の光クロストークを抑制しつつ、全反射ロスを低減させることが可能となる。ひいては、システム全体の伝送損失が低減する。
本開示による技術は、上記各実施の形態の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
(1)
第1の基材で構成された光学機能素子アレイと、前記第1の基材とは異なる第2の基材で構成された複数の受発光素子とを有する光素子を備え、
前記光学機能素子アレイは、第1の面および第2の面を含む光学基板と、前記光学基板に一体化され、前記第1の面上において1次元的もしくは2次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、
前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第2の面に対して間隔を空けて配置されている
光電モジュール
(2)
前記複数の受発光素子のそれぞれを駆動するフロントエンド回路をさらに備え、
前記受発光素子と前記フロントエンド回路との配線長が、前記複数の受発光素子のそれぞれについて略同一である
上記(1)に記載の光電モジュール。
(3)
前記光学基板の前記第2の面に当接し、前記光学基板に電気的に接続される第1のはんだバンプと、
前記複数の受発光素子のそれぞれに対して設けられ、前記複数の受発光素子のそれぞれに電気的に接続される第2のはんだバンプと
をさらに備える
上記(1)または(2)に記載の光電モジュール。
(4)
一方の面に前記光素子が搭載されたフロントエンドICと、
前記フロントエンドICおよび前記光素子が搭載され、前記フロントエンドICをマザーボードに電気的に接続するインターポーザ基板と
をさらに備え、
前記インターポーザ基板は、
前記フロントエンドICの他方の面が接合された第1の基板と、
前記第1の基板に接合され、前記フロントエンドICを前記第1の基板に搭載するためのIC搭載用開口を有する第2の基板と、
前記マザーボードに当接することなく、前記フロントエンドICと前記マザーボードとの間に配置され、前記光素子が光伝送を行うための光入出力用開口を有する第3の基板と
を含む
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の光電モジュール。
(5)
前記第1の基板は、前記第2の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有し、
前記第2の基板は、前記第3の基板を介して前記フロントエンドICに電気的に接続されると共に、前記第3の基板と前記マザーボードとの間を電気的に接続する接続構造を有し、
前記第3の基板は、前記フロントエンドICと前記第2の基板との間を電気的に接続する接続構造を有する
上記(4)に記載の光電モジュール。
(6)
光コネクタを装着するための位置決め部材をさらに備え、
前記第1の基板が、前記第2の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有すると共に、外部の冷却媒体によって温度管理がなされており、
前記第1の基板の1つの基板面に、前記位置決め部材の一端面と、前記フロントエンドICの前記他方の面と、前記第2の基板の1つの基板面とが空隙なく全面的に接合されている
上記(4)または(5)に記載の光電モジュール。
(7)
前記第2の基板、および前記第3の基板を貫通することなく、前記第2の基板、および前記第3の基板の表層部を介して前記フロントエンドICと前記マザーボードとの間の電気的な接続が行われる
上記(4)ないし(6)のいずれか1つに記載の光電モジュール。
(8)
前記光素子とフロントエンドICとを電気的に接続する多層構造のインターポーザ基板をさらに備え、
前記インターポーザ基板が、他の部分に比べて基板層数を少なくすることによって形成された窪み部分を有し、
前記光素子が前記窪み部分に収まるようにして前記インターポーザ基板に搭載されている
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の光電モジュール。
(9)
インターポーザ基板と、
前記光素子に電気的に接続されたフロントエンドICと、
前記光素子を搭載する保持基板と
をさらに備え、
前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記フロントエンドIC、または前記インターポーザ基板に実装されている
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の光電モジュール。
(10)
前記インターポーザ基板を貫通する開口部を有し、
前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記開口部に収まるようにして前記フロントエンドICに実装され、
前記インターポーザ基板を介さずに、前記光素子と前記フロントエンドICとが前記保持基板を介して電気的に接続されている
上記(9)に記載の光電モジュール。
(11)
前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記インターポーザ基板に実装され、
前記保持基板および前記インターポーザ基板を介して、前記光素子と前記フロントエンドICとが電気的に接続されている
上記(9)に記載の光電モジュール。
(12)
送信用光学系および受信用光学系を含み、前記光素子に光結合される光コネクタをさらに備え、
前記複数の受発光素子として、受光素子と発光素子とを含み、
前記送信用光学系は、前記発光素子から出射された送信光が平行光束で入射する送信用レンズと、前記送信用レンズに入射した前記送信光を反射する送信用全反射ミラーと、前記送信用全反射ミラーで反射された前記送信光を伝送する送信用光伝送媒体とを有し、
前記受信用光学系は、受信用光伝送媒体と、前記受信用光伝送媒体によって伝送された受信光を反射する受信用全反射ミラーと、前記受信用全反射ミラーで反射された前記受信光を平行光束で前記受光素子に向けて出射する受信用レンズとを有する
上記(1)ないし(11)のいずれか1つに記載の光電モジュール。
(13)
前記送信用レンズおよび前記送信用全反射ミラー間の距離と、前記受信用レンズおよび前記受信用全反射ミラー間の距離とが異なり、かつ、前記送信用レンズに入射する入射平行光束の光路長と、前記受信用レンズが出射する出射平行光束の光路長とが異なり、
前記受光素子および前記受信用全反射ミラー間の距離と前記発光素子および前記送信用全反射ミラー間の距離、もしくは、前記受光素子および前記受信用光伝送媒体間の距離と前記発光素子および前記送信用光伝送媒体間の距離とが略同一である
上記(12)に記載の光電モジュール。
(14)
前記送信用光学系は、前記送信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
前記送信用全反射ミラーが、前記送信用レンズの光軸に対して前記送信光を反射する方向にオフセットされた位置に配置され、かつ、前記光学機能素子アレイにおける前記光学基板の前記第1の面と、前記レンズ基板における前記送信用レンズが形成された基板面とが略平行である
上記(12)に記載の光電モジュール。
(15)
前記光コネクタは、前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
前記送信用光伝送媒体および前記受信用光伝送媒体が、前記レンズ基板における前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成された基板面に対して傾斜配置されている
上記(12)または(14)に記載の光電モジュール。
(16)
第1の基材で構成された光学機能素子アレイと、
前記第1の基材とは異なる第2の基材で構成された複数の受発光素子と
を備え、
前記光学機能素子アレイは、第1の面および第2の面を含む光学基板と、前記光学基板に一体化され、前記第1の面上において1次元的もしくは2次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、
前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第2の面に対して間隔を空けて配置されている
光素子。
(17)
前記複数の受発光素子が、はんだバンプによって前記光学基板の前記第2の面に取り付けられている
上記(16)に記載の光素子。
Claims (10)
- 第1の基材で構成された光学機能素子アレイと、配線層と、前記第1の基材とは異なる第2の基材で構成された複数の受発光素子とを有する光素子と、
一方の面に前記光素子が搭載されたフロントエンドICと、
前記フロントエンドICおよび前記光素子が搭載され、前記フロントエンドICをマザーボードに電気的に接続するインターポーザ基板と
を備え、
前記光学機能素子アレイは、第1の面および第2の面を含む前記第1の基材で構成された光学基板と、前記第1の基材で構成されると共に前記第1の面上において前記第1の基材によって前記光学基板に一体成型され、前記第1の面上において1次元的もしくは2次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、
前記配線層は、前記光学基板の前記第2の面に形成され、
前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第2の面に対して間隔を空けて配置されており、
前記インターポーザ基板は、
前記フロントエンドICの他方の面が接合された第1の基板と、
前記第1の基板に接合され、前記フロントエンドICを前記第1の基板に搭載するためのIC搭載用開口を有する第2の基板と、
前記マザーボードに当接することなく、前記フロントエンドICと前記マザーボードとの間に配置され、前記光素子が光伝送を行うための光入出力用開口を有する第3の基板と
を含み、
前記第1の基板は、前記第2の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有する
光電モジュール。 - 前記複数の受発光素子のそれぞれを駆動するフロントエンド回路をさらに備え、
前記受発光素子と前記フロントエンド回路との配線長が、前記複数の受発光素子のそれぞれについて略同一である
請求項1に記載の光電モジュール。 - 前記光学基板の前記第2の面に形成された前記配線層に当接し、前記配線層を介して前記光学基板に電気的に接続される第1のはんだバンプと、
前記複数の受発光素子のそれぞれに対して設けられ、前記複数の受発光素子のそれぞれに電気的に接続される第2のはんだバンプと
をさらに備える
請求項1または2に記載の光電モジュール。 - 前記第2の基板は、前記第3の基板を介して前記フロントエンドICに電気的に接続されると共に、前記第3の基板と前記マザーボードとの間を電気的に接続する接続構造を有し、
前記第3の基板は、前記フロントエンドICと前記第2の基板との間を電気的に接続する接続構造を有する
請求項1ないし3のいずれか1つに記載の光電モジュール。 - 光コネクタを装着するための位置決め部材をさらに備え、
前記第1の基板が、前記第2の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有すると共に、外部の冷却媒体によって温度管理がなされており、
前記第1の基板の1つの基板面に、前記位置決め部材の一端面と、前記フロントエンドICの前記他方の面と、前記第2の基板の1つの基板面とが空隙なく全面的に接合されている
請求項1ないし4のいずれか1つに記載の光電モジュール。 - 前記第2の基板、および前記第3の基板を貫通することなく、前記第2の基板、および前記第3の基板の表層部を介して前記フロントエンドICと前記マザーボードとの間の電気的な接続が行われる
請求項1ないし5のいずれか1つに記載の光電モジュール。 - 送信用光学系および受信用光学系を含み、前記光素子に光結合される光コネクタをさらに備え、
前記複数の受発光素子として、受光素子と発光素子とを含み、
前記送信用光学系は、前記発光素子から出射された送信光が平行光束で入射する送信用レンズと、前記送信用レンズに入射した前記送信光を反射する送信用全反射ミラーと、前記送信用全反射ミラーで反射された前記送信光を伝送する送信用光伝送媒体とを有し、
前記受信用光学系は、受信用光伝送媒体と、前記受信用光伝送媒体によって伝送された受信光を反射する受信用全反射ミラーと、前記受信用全反射ミラーで反射された前記受信光を平行光束で前記受光素子に向けて出射する受信用レンズとを有する
請求項1ないし6のいずれか1つに記載の光電モジュール。 - 前記送信用レンズおよび前記送信用全反射ミラー間の距離と、前記受信用レンズおよび前記受信用全反射ミラー間の距離とが異なり、かつ、前記送信用レンズに入射する入射平行光束の光路長と、前記受信用レンズが出射する出射平行光束の光路長とが異なり、
前記受光素子および前記受信用全反射ミラー間の距離と前記発光素子および前記送信用全反射ミラー間の距離、もしくは、前記受光素子および前記受信用光伝送媒体間の距離と前記発光素子および前記送信用光伝送媒体間の距離とが略同一である
請求項7に記載の光電モジュール。 - 前記送信用光学系は、前記送信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
前記送信用全反射ミラーが、前記送信用レンズの光軸に対して前記送信光を反射する方向にオフセットされた位置に配置され、かつ、前記光学機能素子アレイにおける前記光学基板の前記第1の面と、前記レンズ基板における前記送信用レンズが形成された基板面とが略平行である
請求項7に記載の光電モジュール。 - 前記光コネクタは、前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
前記送信用光伝送媒体および前記受信用光伝送媒体が、前記レンズ基板における前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成された基板面に対して傾斜配置されている
請求項7または9に記載の光電モジュール。
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