WO2015174239A1 - 光電モジュールおよび光素子 - Google Patents

光電モジュールおよび光素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2015174239A1
WO2015174239A1 PCT/JP2015/062355 JP2015062355W WO2015174239A1 WO 2015174239 A1 WO2015174239 A1 WO 2015174239A1 JP 2015062355 W JP2015062355 W JP 2015062355W WO 2015174239 A1 WO2015174239 A1 WO 2015174239A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
optical
transmission
lens
light
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/062355
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大鳥居　英
鬼木　一直
浩基 内野
鈴木　秀幸
尾崎　裕司
和樹 佐野
栄二 大谷
眞二 六波羅
研 足立
修一 岡
周作 柳川
寛 森田
剛 小椋
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to JP2016519189A priority Critical patent/JP6610540B2/ja
Priority to CN201580023164.9A priority patent/CN106256055A/zh
Priority to US15/303,111 priority patent/US10483413B2/en
Publication of WO2015174239A1 publication Critical patent/WO2015174239A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
    • H04B10/2589—Bidirectional transmission
    • H04B10/25891—Transmission components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/4232—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using the surface tension of fluid solder to align the elements, e.g. solder bump techniques
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering

Definitions

  • the present disclosure relates to a photoelectric module and an optical element used for optical communication (optical transmission).
  • Optical communication technology that optically modulates electrical signals and transmits data using light is known.
  • an optical module for optical transmission a structure is known in which an optical element in which an optical functional element such as a lens and a light emitting / receiving element (light receiving element or light emitting element) are combined is optically coupled by an optical connector (for example, a patent). References 1 to 4).
  • the number of channels of optical elements to be mounted increases as the capacity increases.
  • optical elements are arranged two-dimensionally, it is necessary to provide an optical functional element such as a lens for each channel to increase the coupling efficiency with the optical connector.
  • the yield of the optical element itself is low, it is necessary to take countermeasures.
  • a photoelectric module includes an optical functional element array configured with a first base material, and a plurality of light emitting and receiving elements configured with a second base material different from the first base material
  • the optical functional element array is integrated with the optical substrate including the first surface and the second surface, and is one-dimensionally or two-dimensionally integrated on the first surface.
  • a plurality of optical functional elements arranged, and each of the plurality of light emitting / receiving elements and each of the plurality of optical functional elements are mutually connected via the optical substrate so as to be coaxial with each other in a direction perpendicular to the optical substrate.
  • a plurality of light emitting / receiving elements are arranged opposite to each other and spaced apart from the second surface in a state in which the light receiving / emitting elements are separated into units smaller than the number of arrays of the optical functional element array. .
  • An optical element includes an optical functional element array configured with a first base material, and a plurality of light emitting and receiving elements configured with a second base material different from the first base material
  • the optical functional element array includes an optical substrate including a first surface and a second surface, and a plurality of one-dimensionally or two-dimensionally arrayed on the first surface.
  • Each of the plurality of light receiving and emitting elements and each of the plurality of optical functional elements are arranged to face each other through the optical substrate so as to be positioned coaxially with respect to the optical substrate,
  • the plurality of light emitting / receiving elements are arranged with an interval with respect to the second surface in a state where the light receiving / emitting elements are separated into the number of units smaller than the number of arrays of the optical functional element array.
  • a plurality of optical function elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally in the optical function element array.
  • the plurality of light emitting / receiving elements are arranged with an interval with respect to the second surface in a state where the light receiving / emitting elements are separated into the number of units smaller than the number of the optical functional element arrays.
  • the photoelectric module or the optical element since the structure of the optical element is optimized, it is possible to cope with an increase in the number of optical transmission channels. Note that the effects described here are not necessarily limited, and may be any of the effects described in the present disclosure.
  • Photoelectric module in which optical elements are two-dimensionally arranged > [0.1 Issues] The following is a description of problems with a photoelectric module in which optical elements with an optical function such as a lens are two-dimensionally arranged for each channel.
  • a structure known as a two-dimensionally arranged photoelectric module a plurality of optical function elements such as lenses are two-dimensionally arranged in correspondence with the optical function elements in an optical function element array in which the optical function elements are two-dimensionally arranged.
  • a plurality of light emitting / receiving element (light receiving element or light emitting element) arrays are integrated. At this time, a structure is known in which the number of light emitting / receiving element arrays is the same as the number of optical functional element arrays.
  • the transmitting side element (Tx) and the receiving side element (Rx) are mixedly mounted at high density.
  • Tx, Rx, Tx, and Rx may be alternately arranged, or Tx, Tx, Tx, Tx, RxRxRxRx, and the like may be arranged alternately. That is, the conventional configuration in which the transmitting side element (Tx) and the receiving side element (Rx) are arrayed as described above is also unrealistic here.
  • the conventional photoelectric module has the following problems.
  • the optical element and the optical connector have a misalignment margin of several tens of ⁇ m due to the collimated coupling optical system.
  • the number of channels is an enormous number of around 100 channels. Therefore, the stated area to be collimated is also increased. In the current positioning on the organic substrate base, accuracy and stability are insufficient.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional configuration example of the optical element 1 according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 shows a configuration example in another cross section of the optical element 1 shown in FIG. 3 and 4 show other configuration examples of the optical element 1.
  • 5 and 6 show an example of a planar configuration of the optical element 1.
  • a direction perpendicular to the lens substrate 11 of the optical element 1 is a Z-axis direction, and directions orthogonal to each other in a plane parallel to the substrate surface of the lens substrate 11 are an X-axis direction and a Y-axis direction. The same applies to other figures thereafter.
  • the optical element 1 includes an optical functional element array (lens array) 10 composed of a first base material and a plurality of light emitting / receiving elements (light emitting elements) composed of a second base material different from the first base material. Or a light receiving element) 20.
  • the optical functional element array 10 is integrated with the optical substrate (lens substrate 11) including the first surface and the second surface, and the lens substrate 11, and is arranged one-dimensionally or two-dimensionally on the first surface. And a plurality of optical function elements (lenses 12).
  • the first surface is, for example, the upper surface of the lens substrate 11 in the example of FIG. 1
  • the second surface is, for example, the lower surface of the lens substrate 11 in the example of FIG.
  • a wiring layer 13 (FIGS. 1 and 2) or a wiring layer 14 (FIGS. 3 and 4) is formed on the second surface side of the lens substrate 11.
  • the optical element 1 is disposed so as to face each other through the lens substrate 11 so that each of the plurality of light emitting / receiving elements 20 and each of the plurality of lenses 12 are positioned coaxially in the vertical direction with respect to the lens substrate 11. .
  • the plurality of light emitting / receiving elements 20 are arranged with a space from the second surface in a state where the light receiving / emitting elements 20 are separated into the number of units smaller than the number of arrays of the optical functional element array 10.
  • the optical element 1 has a 4-channel configuration
  • four lenses 12 for four channels are arranged in a row and are integrally formed on the lens substrate 11. That is, the number of the lenses 12 in the optical functional element array 10 is four.
  • four light emitting / receiving elements 20 are arranged as a whole, but are structurally separated into individual light emitting / receiving elements 20. That is, they are separated into one unit.
  • the optical element 1 is also in contact with the second surface of the lens substrate 11 and is electrically connected to the solder bump 31 (first solder bump) electrically connected to the lens substrate 11 and each of the plurality of light receiving and emitting elements 20.
  • solder bump 31 first solder bump
  • solder bump 32 second solder bump
  • the solder bumps 31 are electrically connected to the lens substrate 11 via the wiring layer 13 (FIGS. 1 and 2) or the wiring layer 14 (FIGS. 3 and 4).
  • the lens substrate 11 is mounted on the base substrate 30 via the solder bumps 31.
  • the base substrate 30 may be a substrate such as an IP substrate (interposer substrate), or may be an FEIC including an FE (front end) circuit that drives the light emitting / receiving element 20.
  • FIGS. 1 and 2 show a configuration example in which the light emitting / receiving element 20 is attached to the second surface of the lens substrate 11 by solder bumps 32.
  • 3 and 4 show a configuration example in which the light emitting / receiving element 20 is attached to the base substrate 30 by the solder bumps 32.
  • FIG. 7 shows an example in which a plurality of optical elements 1 are arranged on the base substrate 30.
  • a bypass capacitor 22 may be disposed between the plurality of optical elements 1 for each channel.
  • the bypass capacitor 22 since the array of one optical element 1 has two or fewer columns, the bypass capacitor 22 can be arranged for each channel.
  • the bypass capacitor 22 is not limited to the illustrated surface mount type, but may be an embedded type in a substrate or another type.
  • the optical functional element array 10 and the light emitting / receiving element 20 are composed of different base materials.
  • a transmission light wavelength for example, light in the vicinity of about 1000 nm (for example, 985 nm) is employed. This is adopted because light in the band passes through a compound substrate such as a GaAs substrate. That is, if the optical element has a backside light emission and backside light receiving structure and the backside of the substrate is processed into a lens shape by dry etching or the like, light input / output from the backside can be condensed and low loss can be achieved.
  • the light receiving / emitting element and the optical function element have the same material, in other words, the substrate of the light receiving / emitting element also serves as the optical function element as it is.
  • this structure has disadvantages.
  • the 985 nm light source is expensive because of its small mass production quantity. Therefore, in the present embodiment, for example, an inexpensive 850 nm wavelength is employed with a large mass production quantity.
  • the light in the 850 nm band does not pass through a compound substrate such as GaAs, but passes through glass, quartz, sapphire, transparent resin, and the like. Therefore, it is preferable to employ a material such as glass, quartz, sapphire, and transparent resin as the optical functional element array 10.
  • each of the plurality of light emitting / receiving elements 20 and each of the plurality of lenses 12 are disposed to face each other via the lens substrate 11 so as to be positioned coaxially in the vertical direction with respect to the lens substrate 11. Yes.
  • the merit of the structure in which the light emitting / receiving element 20 is attached to the lens substrate 11 by the solder bump 32 as shown in FIGS. 1 and 2 is that the optical element 1 is directly mounted on the optical functional element array 10.
  • the positions of the light emitting / receiving element 20 and the lens 12 can be adjusted with high accuracy on the basis of both electrode pads.
  • both positions can be suppressed to variations of ⁇ 10 ⁇ m or less.
  • the self-alignment effect of the solder bump 32 is obtained by aligning the pad of the light emitting / receiving element 20 and the pad of the optical functional element array 10 by using the surface tension of the melted solder.
  • the material of the solder bumps 32 here is Sn, Sn—Ag series, Sn—Ag—Cu series, Sn—Bi series, etc. It is preferable to employ a material that can perform self-alignment positioning using a high surface tension. It does not include materials that are joined by ultrasonic vibration such as Au-Au bumps.
  • the wiring length from the light emitting / receiving element 20 to the base substrate 30 becomes long. Since the large-diameter solder bumps 31 exist in the wiring path between the light emitting / receiving element 20 and the base substrate 30, the wiring capacity is large and high-speed signals are difficult to send. For example, when the transmission rate (bandwidth) exceeds 10 Gbps, there is a drawback that the waveform tends to deteriorate. As a countermeasure, the light emitting / receiving element 20 and the lens substrate 11 may be separately mounted on the base substrate 30 as in the configuration examples shown in FIGS. 3 and 4.
  • the wiring length between the light emitting / receiving element 20 and the base substrate 30 is shortened, and the large-diameter solder bumps 31 are omitted from the path, so that there is an advantage that high-speed transmission characteristics are improved. If the transmission rate exceeds, for example, 16 Gbps, it may be necessary to change to this structure.
  • the optical functional element array 10 and the light emitting / receiving element 20 are positioned by self-alignment with respect to the base substrate 30 by solder bumps 31 and 32, respectively. That is, there is a possibility that the position variation between the two will deteriorate to, for example, ⁇ 20 ⁇ m, which is twice that of the configuration example shown in FIGS.
  • the photoelectric module includes an IP substrate 200 and an FE circuit 301, and the light emitting / receiving element 20 and the FE circuit 301 are connected via the IP substrate 200. Can be connected.
  • the FE circuit 301 includes, for example, a TIA (transimpedance amplifier) when the light emitting / receiving element 20 is a light receiving element (PD (photodiode)), and an LDD (laser diode driver) when the light emitting / receiving element 20 is a light emitting element (VCSEL). It is.
  • the IP substrate 200 and the FE circuit 301 are electrically connected via bumps 211.
  • a plurality of wirings 201 and 202 having different wiring lengths are used as the respective wirings for connecting the plurality of light emitting / receiving elements 20 to the FE circuit 301.
  • a wiring 203 having substantially the same wiring length is used as each wiring for connecting the plurality of light emitting / receiving elements 20 to the FE circuit 301.
  • the wiring length between the light emitting / receiving element 20 and the FE circuit 301 is preferably substantially the same for each of the plurality of light receiving / emitting elements 20 as in the configuration examples of FIGS.
  • the channel of the FE circuit 301 and the channel of the light emitting / receiving element 20 through the IP substrate 200, for example, through the vias, as in the configuration examples of FIGS. Therefore, it is preferable to arrange the channels of the FE circuit 301 and the channels of the light emitting / receiving elements 20 at equal pitches in the vertical and horizontal directions. That is, for each of the plurality of light receiving / emitting elements 20, it is preferable that the light receiving / emitting element 20 and the FE circuit 301 have the same positional relationship in the direction perpendicular to the substrate. The same applies to the case where the IP substrate 200 is not provided as a configuration or the light emitting / receiving element 20 is connected to the FE circuit 301 without the IP substrate 200 interposed therebetween.
  • the configuration in which the lenses 12 are arranged in one row in the optical functional element array 10 is illustrated.
  • the lenses 12 and the light emitting and receiving elements 20 are arranged in two rows.
  • it may be a two-dimensional arrangement as a whole.
  • a configuration in which the light emitting / receiving elements 20 are separated into units is illustrated.
  • a plurality of light emitting / receiving elements 20 are provided. May be an integrated array structure.
  • an array structure in which two light emitting / receiving elements 20 are integrated may be used.
  • the number of optical functional element arrays 10 is 4, and the number of light receiving and emitting elements 20 is 2.
  • Second Embodiment> (First Example of Photoelectric Module) Next, a photoelectric module according to the second embodiment of the present disclosure will be described. In the following description, substantially the same components as those in the optical element according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate.
  • FIG. 15 illustrates a configuration example of the photoelectric module 40 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 shows a first process example of the manufacturing process of the photoelectric module 40.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a second process example of the manufacturing process of the photoelectric module 40.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view and a plan view showing a third process example of the manufacturing process of the photoelectric module 40.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view and a plan view showing a fourth process example of the manufacturing process of the photoelectric module 40.
  • FIG. 20 shows a process of mounting the photoelectric module 40 on the mother board 4.
  • FIG. 21 shows a state where the photoelectric module is mounted on the mother board 4.
  • FIG. 22 shows a state in which the cooling module 56 is mounted on the photoelectric module 40 and shows an example of the optical connector module 100 that is optically coupled to the photoelectric module 40.
  • the photoelectric module 40 includes an FEIC 2 in which the optical element 1 is mounted on one surface, and an IP substrate in which the FEIC 2 and the optical element 1 are mounted and electrically connects the FEIC 2 to the motherboard 4. Yes.
  • the IP substrate includes a first substrate 41, a second substrate 42, and a third substrate 43.
  • the photoelectric module 40 further includes a positioning member (positioning pin 51) for mounting the optical connector module 100 (FIG. 22).
  • the optical element 1 may have the same configuration as that of the first embodiment.
  • a plurality of optical elements 1 may be arranged two-dimensionally.
  • the FEIC 2 may include a drive circuit that drives the light emitting / receiving element 20 of the optical element 1.
  • a drive circuit that drives the light emitting / receiving element 20 of the optical element 1.
  • PD light receiving element
  • TIA transimpedance amplifier
  • LDD laser diode driver
  • the first substrate 41 is bonded to the other surface of the FEIC 2 by a bonding material 45 such as silver paste.
  • the second substrate 42 has a role as a first bonding substrate and is bonded to the first substrate 41 via the bonding portion 44.
  • the second substrate 42 has an opening (IC mounting opening) 46 for mounting the FEIC 2 on the first substrate 41.
  • the third substrate 43 has a role as a second bonding substrate, and is disposed between the FEIC 2 and the motherboard 4 without contacting the motherboard 4.
  • the third substrate 43 has an opening (light input / output opening) 52 through which the optical element 1 performs optical transmission.
  • the first substrate 41 has a role as a reinforcing substrate and a heat dissipation substrate, and has higher heat dissipation and higher rigidity than the second substrate 42.
  • the first substrate 41 may be, for example, an LID (lid) substrate.
  • the first substrate 41 may be temperature controlled by an external cooling medium.
  • a cooling module 56 as a cooling medium may be disposed on the substrate surface of the first substrate 41 opposite to the mounting side of the FEIC 2 via a bonding material 57.
  • One substrate surface of the first substrate 41, one end surface of the positioning pin 51, the other surface of the FEIC 2, and one substrate surface of the second substrate 42 are bonded together without any gap. preferable.
  • the second substrate 42 is electrically connected to the FEIC 2 via the third substrate 43 and has a connection structure for electrically connecting the third substrate 43 and the mother board 4.
  • the third substrate 43 has a connection structure that electrically connects the FEIC 2 and the second substrate 42.
  • the FEIC 2 and the third substrate 43 are connected via the solder bumps 33.
  • the second substrate 42 and the third substrate 43 are connected via the solder bumps 33.
  • the second substrate 42 is provided with a wiring layer 53 for electrical connection.
  • the wiring layer 53 is provided in the vicinity of the substrate surface so as not to penetrate the second substrate 42.
  • the optical element 1 and passive (passive element 3) are mounted on the FEIC 2 at the wafer level. Thereafter, dicing is performed to form a chip.
  • the optical element 1 may be mounted on the FEIC 2 via the holding substrate 80 as in the structure shown in FIG.
  • the second substrate 42 is positioned and adhered to the first substrate 41, and the FEIC 2 is attached to the first substrate 41 through the opening 54 provided in the second substrate 42. Position and bond.
  • the positioning pins 51 are fitted into the positioning holes 55 of the first substrate 41 and bonded. Note that the positioning pin 51 may be bonded first. Further, the positioning pin 51 may be bonded and fixed without providing the positioning hole 55. Further, the positioning pins 51 may be bonded onto the second substrate 42.
  • the third substrate 43 and the passive element 58 are mounted.
  • the motherboard 4 is provided with a mounting portion 61 and an opening 62. It mounts so that the edge part of the 2nd board
  • the third substrate 43 is positioned in the opening 62 of the mother board 4 so that it does not touch the mother board 4 directly. Further, the second substrate 42 may be directly mounted on the mother board 4.
  • the cooling module 56 is mounted on the first substrate 41 of the photoelectric module 40 via the bonding material 57. Further, the optical connector module 100 is connected to the photoelectric module 40 via the positioning pins 51.
  • the FEIC 2 and the second substrate 42 are surface-bonded to the first substrate 41, the rigidity of the FEIC 2 and the IP substrate is apparently increased. Thereby, even if it mounts on the motherboard 4, the 2nd board
  • the FEIC 2 and the second substrate 42 are connected by an independent third substrate 43.
  • the third substrate 43 is configured to connect only the FEIC 2 firmly fixed to the first substrate 41 and the second substrate 42 and does not touch any other members such as the mother board 4 at all. As a result, even if the opening 52 is provided in the third substrate 43 for extracting an optical signal, the solder bump 33 of the FEIC 2 is hardly subjected to a bias stress.
  • Positioning pins 51 for the optical connector module 100 are arranged on the first substrate 41.
  • a metal for the first substrate 41 By using, for example, a metal for the first substrate 41, pin placement with high positional accuracy is possible.
  • the positioning pins 51 By disposing the positioning pins 51 on the first substrate 41 having high rigidity, the positioning pins 51 are increased in rigidity and are not easily deformed. Even if a biasing stress is applied to the positioning pin 51 due to the mounting of the optical connector module 100, the second substrate 42 and the third substrate 43 on which the solder bumps 33 and the like that are sensitive to external force are formed are biased. The adverse effect of stress becomes difficult.
  • the temperature of the positioning pins 51 is also efficiently adjusted. Therefore, it becomes difficult for the heat of the FEIC 2 to be transmitted to the optical connector module 100 through the member between the FEIC 2 and the optical connector module 100. Further, the heat of the FEIC 2 may be transmitted to the optical connector module 100 through the space, but air has an extremely low thermal conductivity, and the third substrate 43 existing therebetween has an effect of blocking the radiant heat. . Therefore, the temperature deformation of the optical connector module 100 is significantly suppressed by the structure of the present embodiment.
  • the structure of the present embodiment it is not necessary to pass an electrical signal from the front surface to the back surface of the IP substrate.
  • a signal can be guided from the FEIC 2 to the mother board 4 only by wiring on the surface layer portion of the second substrate 42 and the third substrate 43. Therefore, the signal quality can be kept high.
  • the third substrate 43 can also have a capacitor function for stabilizing the power supply.
  • FIG. 23 shows a configuration example of the photoelectric module according to this embodiment.
  • the photoelectric module according to the present embodiment includes an IP substrate 72 (multilayer substrate) having a multilayer structure that electrically connects the optical element 1 and the FEIC 2.
  • the IP substrate 72 has a recessed portion 76 formed by reducing the number of substrate layers compared to other portions.
  • the optical element 1 is mounted on the IP substrate 72 so as to fit in the recessed portion 76.
  • the optical element 1 may have the same configuration as that of the first embodiment.
  • a plurality of optical elements 1 may be arranged two-dimensionally.
  • the FEIC 2 may include a drive circuit that drives the light emitting / receiving element 20 of the optical element 1.
  • FEIC 2 is arranged in the processor 71. Note that the FEIC 2 may be mounted in the processor 71 as illustrated, or may be independent as a single chip separately from the processor.
  • the IP substrate 72 has a wiring layer 82 having a multilayer structure.
  • the IP board 72 is electrically connected to the FEIC 2 and the processor 71 through solder bumps 81.
  • a through-via 83 for electrically connecting the optical element 1 and the FEIC 2 is provided in the recessed portion 76 of the IP substrate 72.
  • the IP board 72 is connected to the optical connector 73 via the positioning pins 75.
  • the optical connector 73 is provided with a lens portion 74 that optically couples with the lens 12 of the optical element 1.
  • the through hole (opening) for mounting the optical element 1 on the IP substrate 72 is not provided, the problem of stress concentration can be avoided. Since the IP substrate 72 has no through hole, the shape accuracy of the IP substrate 72 is unlikely to deteriorate. As a result, the positioning accuracy of the optical connector 73 is improved. Further, since the through via 83 for the optical element 1 can be shortened, the high-speed electrical signal for the optical element 1 is hardly deteriorated.
  • FIG. 24 shows a configuration example of the photoelectric module according to this embodiment.
  • the photoelectric module shown in FIG. 24 has an opening 77 penetrating the IP substrate 72 instead of the recessed portion 76 of the IP substrate 72, compared to the photoelectric module (FIG. 23) according to the third embodiment. is doing.
  • a holding substrate 80 on which the optical element 1 is mounted is provided.
  • the optical element 1 is mounted on the FEIC 2 via the solder bumps 81 so as to be accommodated in the opening 77 while being mounted on the holding substrate 80.
  • the optical element 1 and the FEIC 2 are electrically connected via the holding substrate 80 without using the IP substrate 72.
  • the holding substrate 80 is provided with a through via 83 for electrically connecting the optical element 1 and the FEIC 2.
  • FIG. 25 shows another configuration example of the photoelectric module according to the present embodiment.
  • the optical element 1 and the FEIC 2 are electrically connected via the holding substrate 80 and the IP substrate 72 without providing the opening 77 that penetrates the IP substrate 72.
  • a recessed portion 76 is provided in the IP substrate 72, and the holding substrate 80 on which the optical element 1 is mounted is accommodated in the recessed portion 76.
  • the holding substrate 80 on which the optical element 1 is mounted may be mounted on the substrate surface of the IP substrate 72 without providing the recessed portion 76.
  • the optical element 1 can be inspected while being mounted on the holding substrate 80 before being mounted on the IP substrate 72 or the FEIC 2, only the optical element 1 of KGD (Known Good Die) can be mounted on the photoelectric package. Thereby, it becomes easy to ensure the yield as a photoelectric package.
  • KGD known Good Die
  • This embodiment relates to the structure of an optical connector optically coupled to a photoelectric module.
  • the structure of the optical connector will be described based on the case where the optical element 1 and the photoelectric module 40 according to the first and second embodiments are used, but the third and fourth embodiments are described. The same applies to the case where the photoelectric module according to the embodiment is used.
  • FIGS. 26 and 27 show an example of the optical connector module 100 of the vertical take-out type.
  • the photoelectric module 40 is connected to the optical connector module 100 via the positioning pins 51.
  • the optical connector module 100 includes a lens substrate 110 and a ferrule 102.
  • a lens unit 111 is provided on the lens substrate 110 at a position corresponding to the optical element 1 mounted on the photoelectric module 40.
  • An optical fiber 101 as an optical transmission medium is attached to the ferrule 102.
  • the optical fiber 101 is arranged in a direction perpendicular to the substrate surface of the lens substrate 110. Light enters the optical fiber 101 from the vertical direction via the lens unit 111. Alternatively, the light transmitted from the outside is emitted toward the lens unit 111.
  • FIG. 28 shows an example of a horizontal connector type optical connector module 100A using a mirror.
  • the photoelectric module 40 is connected to the optical connector module 100 ⁇ / b> A via the positioning pins 51.
  • the optical connector module 100A includes a lens substrate 110 and a reflection mirror 120 having a reflection film 121 provided on the back surface.
  • the reflection mirror 120 is disposed at a position corresponding to the optical element 1 mounted on the photoelectric module 40.
  • An optical fiber 101 as an optical transmission medium is attached to the lens substrate 110.
  • the optical fiber 101 is arranged in a lateral direction (parallel direction) to the substrate surface of the lens substrate 110.
  • the optical fiber 101 is disposed so that one end surface thereof faces the reflection mirror 120.
  • FIG. 29 shows an example of a lateral connector type optical connector module 100B using a total reflection mirror.
  • the optical connector module 100B includes a total reflection mirror 122 instead of the reflection mirror 120 in the optical connector module 100A shown in FIG.
  • FIG. 30 shows an example of an optical connector module 100C of a lateral direction extraction type using a waveguide using a total reflection mirror.
  • the optical connector module 100C includes a total reflection mirror 131 instead of the reflection mirror 120 in the optical connector module 100A shown in FIG. Further, a waveguide 130 is provided instead of the optical fiber 10.
  • the total reflection mirror 131 is formed by making a cut 132 in a part of the waveguide 130.
  • the lateral extraction type optical connector module (FIGS. 29 and 30) using a total reflection mirror preferably has a structure as shown in FIG. 31 or FIG.
  • the case where an optical fiber is used as the optical transmission medium (FIG. 29) is taken as an example, but the optical waveguide type (FIG. 30) can be optimized with the same structure.
  • the optical element 1 includes the receiving optical element 1R and the transmitting optical element 1T
  • the receiving optical element 1 ⁇ / b> R includes a light receiving element 20 ⁇ / b> R as the light receiving / emitting element 20.
  • the transmitting optical element 1 ⁇ / b> T includes a light emitting element 20 ⁇ / b> T as the light receiving / emitting element 20.
  • the optical connector module shown in FIG. 31 or 32 includes a transmission optical system 5T corresponding to the transmission optical element 1T and a reception optical system 5R corresponding to the reception optical element 1R.
  • the transmission optical system 5T includes a transmission lens 111T in which transmission light emitted from the light emitting element 20T is incident as a parallel light flux, and a transmission total reflection mirror 122T that reflects the transmission light incident on the transmission lens 111T. ing. In addition, it has a transmission optical fiber 101T as a transmission optical transmission medium for transmitting the transmission light reflected by the transmission total reflection mirror 122T.
  • the receiving optical system 5R includes a receiving optical fiber 101R as a receiving optical transmission medium, and a receiving total reflection mirror 122R that reflects the received light transmitted by the receiving optical fiber 101R. Further, the receiving lens 111R that emits the received light reflected by the receiving total reflection mirror 122R toward the light receiving element 20R as a parallel light flux is provided.
  • the optical connector module shown in FIG. 31 has a structure in which the distance D2t between the transmission lens 111T and the transmission total reflection mirror 122T is different from the distance D2r between the reception lens 111R and the reception total reflection mirror 122R.
  • the optical path length of the incident parallel light beam incident on the transmitting lens 111T is different from the optical path length of the outgoing parallel light beam emitted from the receiving lens 111R.
  • the distance between the light receiving element 20R and the reception total reflection mirror 122R and the distance between the light emitting element 20T and the transmission total reflection mirror 122T are substantially the same.
  • the distance between the light receiving element 20R and the receiving optical fiber 101R and the distance between the light emitting element 20T and the transmitting optical fiber 101T are substantially the same.
  • the transmission optical fiber 101T and the reception optical fiber 101R are inclined with respect to the substrate surface of the lens substrate 110 on which the transmission lens 111T and the reception lens 111R are formed. Structure.
  • the optical connector module shown in FIG. 32 has a structure in which the transmission total reflection mirror 122T is disposed at a position offset in the direction of reflecting the transmission light with respect to the optical axis C1 of the transmission lens 111T. .
  • the first surface of the optical substrate 11 in the optical functional element array 10 and the substrate surface on the lens substrate 110 on which the transmission lens 111T is formed are substantially parallel to each other.
  • the optical connector module shown in FIG. 32 also has a structure in which the receiving total reflection mirror 122R is disposed at a position offset in the direction in which the received light is transmitted with respect to the optical axis C2 of the receiving lens 111R. ing.
  • the first surface of the optical substrate 11 in the optical functional element array 10 and the substrate surface on the lens substrate 110 on which the receiving lens 111R is formed are substantially parallel to each other.
  • optical element 1 (receiving optical element 1R, transmitting optical element) in the case of using an optical connector module corresponding to vertical extraction type optical connector module 100 shown in FIGS. 1T) and an optical design procedure between the optical connector module.
  • the parallel beam diameter D1 between the optical element 1 and the optical connector module is determined.
  • the light beam diameter D1 is increased, it is more resistant to misalignment, inclination, and dust adhesion. If the beam diameter D1 is reduced, optical crosstalk becomes difficult.
  • the distance D2 between the end face of the optical fiber 101 (receiving optical fiber 101R, transmitting optical fiber 101T) and the lens 111 (receiving lens 111R, transmitting lens 111T) is determined.
  • the output side and the incident side may have a common design.
  • the same design method may be used in the case of the optical connector module 100A of the lateral direction extraction type using the reflection mirror 120 shown in FIG.
  • FIG. 34 when an optical connector module corresponding to the lateral connector type optical connector module 100A shown in FIG. 28 is used, between the optical element 1 (receiving optical element 1R, transmitting optical element 1T) and the optical connector module.
  • An example of the optical design is shown.
  • the reflection mirror 120 includes a reception reflection mirror 120R and a transmission reflection mirror 120T provided with a reflection film 121 on the back surface.
  • optical element 1 receiving optical element 1R, transmitting optical element 1T
  • optical connector module when using a lateral extraction type optical connector module with a total reflection mirror
  • the transmission total reflection mirror 122T has a transmission lens 111T.
  • the light component La that is, for example, 3.2 ° or more away in the reflection direction with respect to the optical axis C1 is not totally reflected and is all lost.
  • the distance D2t between the transmission lens 111T on the incident side and the transmission total reflection mirror 122T is increased to reduce the NA.
  • the optical design is made such that the component La, for example, 3.2 ° or more away from the optical axis C1 in the reflection direction is suppressed.
  • the distance D2r between the emission-side reception lens 111R and the reception total reflection mirror 122R is increased, the parallel light diameter is increased and the optical crosstalk resistance is deteriorated. Therefore, it is preferable not to change the optical design on the emission side.
  • the vertical positions of the reception optical fiber 101R and the transmission optical fiber 101T are the same. Therefore, as shown in FIG. 31, the distance between the parallel light beams is changed so that the distance between the light receiving element 20R and the receiving optical fiber 101R and the distance between the light emitting element 20T and the transmitting optical fiber 101T are substantially the same. Alternatively, the distance between the light receiving element 20R and the reception total reflection mirror 122R and the distance between the light emitting element 20T and the transmission total reflection mirror 122T are made substantially the same.
  • the position of the total reflection mirror 122 may be offset at least with respect to the incident side. That is, the position of the transmission total reflection mirror 122T may be arranged at a position offset in the direction in which the transmission light is reflected with respect to the optical axis C1 of the transmission lens 111T. Thereby, the structure which suppresses the loss component La of light may be sufficient.
  • the transmission lens 111T and the reception lens 111R are offset, and the transmission optical fiber 101T and the reception optical fiber 101R are
  • the lens substrate 110 may be inclined with respect to the substrate surface. Thereby, the loss of light can be further suppressed.
  • the present technology can take the following configurations.
  • An optical functional element array composed of a first base material, and an optical element having a plurality of light emitting and receiving elements composed of a second base material different from the first base material
  • the optical functional element array includes an optical substrate including a first surface and a second surface, and a plurality of one-dimensionally or two-dimensionally arrayed on the first surface.
  • Each of the plurality of light emitting / receiving elements and each of the plurality of optical functional elements are disposed to face each other via the optical substrate so as to be positioned coaxially in the vertical direction with respect to the optical substrate, and Photoelectric module (2), wherein light receiving and emitting elements are separated from the second surface in a state where the light receiving and emitting elements are separated into a smaller number of units than the number of the optical functional element arrays
  • a front end circuit for driving each of the plurality of light emitting / receiving elements The photoelectric module according to (1), wherein a wiring length between the light emitting / receiving element and the front end circuit is substantially the same for each of the plurality of light receiving / emitting elements.
  • a front-end IC having the optical element mounted on one surface;
  • An interposer substrate on which the front end IC and the optical element are mounted and electrically connect the front end IC to a motherboard;
  • the interposer substrate is A first substrate to which the other surface of the front end IC is bonded;
  • a second substrate bonded to the first substrate and having an IC mounting opening for mounting the front-end IC on the first substrate;
  • or the photoelectric module as described in any one of (3).
  • the first substrate has higher heat dissipation and higher rigidity than the second substrate
  • the second substrate is electrically connected to the front end IC via the third substrate, and has a connection structure for electrically connecting the third substrate and the motherboard.
  • a positioning member for mounting the optical connector The first substrate has higher heat dissipation and higher rigidity than the second substrate, and the temperature is controlled by an external cooling medium, The one end surface of the positioning member, the other surface of the front end IC, and the one substrate surface of the second substrate are entirely bonded to one substrate surface of the first substrate without a gap.
  • the photoelectric module according to (4) or (5) The electrical connection between the front-end IC and the mother board through the surface layer of the second substrate and the third substrate without penetrating the second substrate and the third substrate.
  • the interposer substrate has a recessed portion formed by reducing the number of substrate layers compared to other portions,
  • the optical element is mounted on the interposer substrate in a state of being mounted on the holding substrate, The photoelectric module according to (9), wherein the optical element and the front end IC are electrically connected via the holding substrate and the interposer substrate.
  • An optical connector including an optical system for transmission and an optical system for reception, and optically coupled to the optical element;
  • the transmission optical system includes a transmission lens in which transmission light emitted from the light emitting element is incident as a parallel light beam, a transmission total reflection mirror that reflects the transmission light incident on the transmission lens, and the transmission An optical transmission medium for transmission that transmits the transmission light reflected by the total reflection mirror;
  • the reception optical system includes a reception optical transmission medium, a reception total reflection mirror that reflects the reception light transmitted by the reception optical transmission medium, and the reception light reflected by the reception total reflection mirror.
  • the photoelectric module according to (12) wherein the distance between the trusted light transmission media is substantially the same.
  • the transmission optical system further includes a lens substrate on which the transmission lens is formed, The transmission total reflection mirror is disposed at a position offset in a direction in which the transmission light is reflected with respect to the optical axis of the transmission lens, and the first of the optical substrate in the optical functional element array
  • the photoelectric module according to (12) wherein the surface and the substrate surface of the lens substrate on which the transmission lens is formed are substantially parallel.
  • the optical connector further includes a lens substrate on which the transmission lens and the reception lens are formed, The transmission optical transmission medium and the reception optical transmission medium are arranged to be inclined with respect to the substrate surface of the lens substrate on which the transmission lens and the reception lens are formed. (12) or (14) The photoelectric module described in 1.
  • An optical functional element array composed of a first substrate; A plurality of light emitting and receiving elements composed of a second base material different from the first base material,
  • the optical functional element array includes an optical substrate including a first surface and a second surface, and a plurality of one-dimensionally or two-dimensionally arrayed on the first surface.
  • Each of the plurality of light emitting / receiving elements and each of the plurality of optical functional elements are disposed to face each other via the optical substrate so as to be positioned coaxially in the vertical direction with respect to the optical substrate, and An optical element in which light emitting and receiving elements are arranged with a space from the second surface in a state where the light receiving and emitting elements are separated into a unit number smaller than the number of arrays of the optical functional element array.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

　本開示の光電モジュールは、第１の基材で構成された光学機能素子アレイと、前記第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子とを有する光素子を備え、前記光学機能素子アレイは、第１の面および第２の面を含む光学基板と、前記光学基板に一体化され、前記第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第２の面に対して間隔を空けて配置されている。

Description

光電モジュールおよび光素子
　本開示は、光通信（光伝送）に用いられる光電モジュールおよび光素子に関する。
　電気信号を光変調し、光によってデータの伝送を行う光通信技術が知られている。このような光伝送用の光電モジュールとして、レンズなどの光学機能素子と受発光素子（受光素子または発光素子）とを組み合わせた光素子を光コネクタによって光結合させる構造が知られている（例えば特許文献１ないし４参照）。
特開２００１－１８５７５２号公報 特開２００１－３６１９７号公報 特開２０１２－１３７７６５号公報 特開２０１３－１４２７３２号公報
Yehoshua Benjamin, Kobi Hasharoni, and Michael Mesh ,"Assembly Development of 1.3 Tb/s Full Duplex Optical Module", Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2013 , pp. 292 - 296
　上記のような光電モジュールでは、大容量化に伴い、搭載する光素子のチャンネル数が増加する。このチャンネル数の増加に対応するため、例えば非特許文献１に記載の技術のように、光素子を２次元レイアウトにて配置することが提案されている。光素子を２次元配置するのに伴い、各々のチャンネルごとに、レンズなどの光学機能素子を設け、光コネクタとのカップリング効率を高める必要がある。さらに、光素子自体の歩留まりが低いため、その対策も必要となる。
　従って、光伝送のチャンネル数の増加に対応可能な光電モジュールおよび光素子を提供することが望ましい。
　本開示の一実施の形態に係る光電モジュールは、第１の基材で構成された光学機能素子アレイと、第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子とを有する光素子を備え、光学機能素子アレイは、第１の面および第２の面を含む光学基板と、光学基板に一体化され、第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、複数の受発光素子のそれぞれと複数の光学機能素子のそれぞれとが光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、複数の受発光素子が、光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、第２の面に対して間隔を空けて配置されているものである。
　本開示の一実施の形態に係る光素子は、第１の基材で構成された光学機能素子アレイと、第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子とを備え、光学機能素子アレイは、第１の面および第２の面を含む光学基板と、光学基板に一体化され、第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、複数の受発光素子のそれぞれと複数の光学機能素子のそれぞれとが光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、複数の受発光素子が、光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、第２の面に対して間隔を空けて配置されているものである。
　本開示の一実施の形態に係る光電モジュールまたは光素子では、光学機能素子アレイにおいて、複数の光学機能素子が１次元的もしくは２次元的に配列される。かつ、複数の受発光素子が、光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、第２の面に対して間隔を空けて配置される。
　本開示の一実施の形態に係る光電モジュールまたは光素子によれば、光素子の構造を最適化するようにしたので、光伝送のチャンネル数の増加に対応可能となる。
　なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本開示の第１の実施の形態に係る光素子の一構成例を示す断面図である。 光素子の一構成例を示す他の断面図である。 光素子の他の構成例を示す断面図である。 光素子の他の構成例を示す他の断面図である。 光素子の第１の面側の構成例を示す平面図である。 光素子の第２の面側の構成例を示す平面図である。 複数の光素子を配置した一例を示す平面図である。 ＦＥ回路と光素子との配置例を示す断面図である。 ＦＥ回路と光素子との配置例を示す斜視図である。 ＦＥ回路と光素子との配置を最適化した例を示す断面図である。 ＦＥ回路と光素子との配置を最適化した例を示す斜視図である。 第１の実施の形態の第１の変形例に係る光素子の第１の面側の構成例を示す平面図である。 第１の実施の形態の第１の変形例に係る光素子の第２の面側の構成例を示す平面図である。 第１の実施の形態の第２の変形例に係る光素子の第２の面側の構成例を示す平面図である。 第２の実施の形態に係る光電モジュールの一構成例を示す断面図である。 光電モジュールの製造工程の第１工程例を示す断面図である。 光電モジュールの製造工程の第２工程例を示す断面図および平面図である。 光電モジュールの製造工程の第３工程例を示す断面図および平面図である。 光電モジュールの製造工程の第４工程例を示す断面図および平面図である。 光電モジュールをマザーボードに搭載する過程を示す断面図である。 光電モジュールをマザーボードに搭載した状態を示す断面図である。 光電モジュールに冷却モジュールを搭載した状態を示す共に、光電モジュールに光結合される光コネクタモジュールの一例を示す断面図である。 第３の実施の形態に係る光電モジュールの一構成例を示す断面図である。 第４の実施の形態に係る光電モジュールの一構成例を示す断面図である。 第４の実施の形態に係る光電モジュールの他の構成例を示す断面図である。 光電モジュールに第１の構成例の光コネクタモジュールを光結合する過程を示す断面図である。 光電モジュールに光結合される光コネクタモジュールの第１の構成例を示す断面図である。 光電モジュールに光結合される光コネクタモジュールの第２の構成例を示す断面図である。 光電モジュールに光結合される光コネクタモジュールの第３の構成例を示す断面図である。 光電モジュールに光結合される光コネクタモジュールの第４の構成例を示す断面図である。 光コネクタモジュールの最適化の第１の例を示す断面図である。 光コネクタモジュールの最適化の第２の例を示す断面図である。 垂直取り出し型の光コネクタモジュールの構成例を示す断面図である。 反射ミラーを用いた横取り出し型の光コネクタモジュールの構成例を示す断面図である。 全反射ミラーを用いた横取り出し型の光コネクタモジュールの構成例を示す断面図である。 全反射ミラーを用いた横取り出し型の光コネクタモジュールの他の構成例を示す断面図である。 全反射ミラーを用いた横取り出し型の光コネクタモジュールを最適化した構成例を示す断面図である。
　以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
＜０．光素子が２次元配置された光電モジュール＞
　［０．１　課題］
＜１．第１の実施の形態＞（光素子の構成例）（図１～図１４）
　［１．１　光素子の構成例］
　［１．２　作用および効果］
　［１．３　変形例］
＜２．第２の実施の形態＞（光電モジュールの第１の例）（図１５～図２２）
　［２．１　構成例］
　［２．２　製造工程］
　［２．３　作用および効果］
＜３．第３の実施の形態＞（光電モジュールの第２の例）（図２３）
　［３．１　構成例］
　［３．２　作用および効果］
＜４．第４の実施の形態＞（光電モジュールの第３の例）（図２４～図２５）
　［４．１　構成例］
　［４．２　作用および効果］
＜５．第５の実施の形態＞（光コネクタの最適化）（図２６～図３７）
　［５．１　光コネクタモジュールの構成例］
　［５．２　光コネクタモジュールの最適化］
　　（最適化された光コネクタモジュールの構成例）
　　（全反射ミラーを用いない場合の光学設計例）
　　（全反射ミラーを用いる場合の光学設計例）
　［５．３　作用および効果］
＜６．その他の実施の形態＞
＜０．光素子が２次元配置された光電モジュール＞
　［０．１　課題］
　チャンネルごとに、レンズなどの光学機能が付加された光素子が２次元配置された光電モジュールにおける課題を以下に記す。なお、２次元配置された光電モジュールとして知られている構造には、レンズなどの複数の光学機能素子が２次元配置された光学機能素子アレイに、光学機能素子に対応して２次元配置された複数の受発光素子（受光素子または発光素子）アレイを一体化した構造がある。この際、受発光素子アレイのアレイ数と光学機能素子アレイのアレイ数とが同一となっている構造が知られている。
（課題１）
・高伝送レート化に伴い、より光結合損失を低減させる必要がある。
　光電モジュールの高速化に向けた取り組みとして、チャンネル数増加と併せ、４値化伝送（４ＰＡＭ）と伝送レート向上とがある。送信側、受信側、各々の回路の要求仕様から、双方をつなぐ光コネクタに必要とされる損失をシミュレーションしたところ、４値化伝送では例えばロス量３．７ｄＢ以下が必要であり、また、伝送レートを２５Ｇｂｐｓにすると例えばロス量６．０ｄＢ以下が必要であることが分かった。
（課題２）
・光コネクタとのカップリング効率を高めるために、チャンネルごとに、できるだけ大面積の光学機能素子を設ける必要がある。
　光素子と光コネクタとの間に位置ずれが生じると、光結合損失が増す。その影響をできるだけ抑えるため、レンズなど、できるだけ大口径の集光機能素子を設ける必要がある。一例として、ファイバー規格に則り、光素子のピッチを縦横：２５０μｍピッチとした場合、例えばレンズ径：Φ２４０μｍと、できるだけ大口径にすることが求められる。
（課題３）
・２次元配置された光素子と光コネクタ間の、全体としての光結合効率のばらつきを抑制するため、トータルの結合面積を小さくする必要がある。
　また、上記課題２と同様に、すべてのチャンネルの光結合効率を高めるためには、光素子と光コネクタ間における、光結合領域を小面積化することが有効である。そこで、例えば、光素子として１２×１４チャンネルの一体型のものを適用した構造が提案されている。光素子を分割すると、各々の素子の実装のために、ある程度のクリアランスを設ける必要がある。それは例えば、２００μｍであり、素子１チャンネル分の幅に近いものとなってしまう。故に、従来では、全体の結合面積を小さくするために、発光素子および受光素子の素子数を増やしにくいという課題があった。
（課題４）
・歩留まりの低い発光受光素子の（低歩留まりの）影響を受けにくい構造にする必要がある。
　１０Ｇｂｐｓを超える伝送レートに対応する光素子、特にＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）の歩留まりは低い。概ね９０％以下であり、これらを、例えば１００チャンネルアレイ化すると、一体構造の光素子アレイにおいては、良品がほとんど得られなくなる（例えば０．１％以下）。さらに、伝送レートが２５Ｇｂｐｓなどになると、それに対応するＶＣＳＥＬの歩留まりは、例えば６０％以下などの、非常に低いものになる。故に、今後は光素子を一体アレイ化した状態で適用する構成は、非現実的なものとなる。
（課題５）
・さらなる高レート化、および高集積化に伴い、素子ピッチを維持しつつ、送信側（発光側）素子と受信側（受光側）素子とを混載配置にする必要がある。
　次世代の高機能Ｉ／Ｆ（インタフェース）では、送信側素子（Ｔｘ）と受信側素子（Ｒｘ）とが、高密度で混載されている。例えば、Ｔｘ・Ｒｘ・Ｔｘ・Ｒｘと交互配置であったり、ＴｘＴｘＴｘＴｘ・ＲｘＲｘＲｘＲｘなどといった、４ヶずつの交互配置であったりもする。すなわち、前述のような送信側素子（Ｔｘ）と受信側素子（Ｒｘ）とをそれぞれアレイ化した従来構成は、ここでも非現実的なものとなる。
（その他の課題）
　また、その他にも従来の光電モジュールには以下の課題がある。
１．超大容量光電伝送基板においては、放熱性を高めるため、ＩＣ（Integrated Circuit）とＬＩＤ（リッド）基板とを接着する必要がある。しかし、ＬＩＤは同時にＩＰ（インターポーザ）基板にも接着されるため、ＩＣとＩＰ基板間に発生する偏応力により、一番脆弱なＩＰ基板の穴周りが、応力集中により破壊されてしまう。
２．光コネクタの位置決め精度を上げる必要がある。
　光素子と光コネクタは、コリメート結合光学系により、数十μｍの位置ずれマージンを持っている。しかし、テラオーダーの伝送容量を持たせた場合、そのチャンネル数は１００チャンネル前後の膨大な数となる。故に、コリメート結合させる述べ面積も増大する。現状の有機基板上ベースでの位置決めでは、精度、安定性が不足してくる。
３．構造上、光素子とマザーボードとの間で電気信号を伝送するため、ＩＰ基板の表面から裏面に高速電気信号を通す必要がある。その際、インピータンス整合の取りにくい、貫通ビアを通す必要があるが、層ごとに存在するスタブにより、信号が劣化してしまう。
４．歩留まりの低い光素子を多数配置する必要があるため、光電パッケージとしての歩留まりを確保することが困難である（他のシリコンＩＣなどと比して、光素子の歩留まりが低い）。
　以下、上記した課題を解決するための光素子および光電モジュールの実施形態を説明する。
＜１．第１の実施の形態＞
　［１．１　光素子の構成例］
　図１は、本開示の第１の実施の形態に係る光素子１の一断面構成例を示している。図２は、図１に示した光素子１の他の断面における構成例を示している。また、図３および図４は、光素子１の他の構成例を示している。図５および図６は、光素子１の平面構成例を示している。
　なお、図１では、光素子１のレンズ基板１１に垂直な方向をＺ軸方向、レンズ基板１１の基板面に平行な面内において互いに直交する方向をＸ軸方向およびＹ軸方向としている。以降の他の図についても同様である。
　光素子１は、第１の基材で構成された光学機能素子アレイ（レンズアレイ）１０と、第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子（発光素子または受光素子）２０とを備えている。光学機能素子アレイ１０は、第１の面および第２の面を含む光学基板（レンズ基板１１）と、レンズ基板１１に一体化され、第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子（レンズ１２）とを有している。ここで、第１の面とは例えば図１の例ではレンズ基板１１の上側の面、第２の面とは例えば図１の例ではレンズ基板１１の下側の面である。レンズ基板１１の第２の面側には、配線層１３（図１、図２）または配線層１４（図３、図４）が形成されている。
　光素子１は、複数の受発光素子２０のそれぞれと複数のレンズ１２のそれぞれとがレンズ基板１１に対して垂直方向の同軸に位置するように、レンズ基板１１を介して互いに対向配置されている。また、複数の受発光素子２０が、光学機能素子アレイ１０のアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、第２の面に対して間隔を空けて配置されている。
　ここで、図２、図４、図５および図６に示した各構成例では、光素子１が４チャンネルの構成である場合を示している。各構成例では、４チャンネル分の４つのレンズ１２が１列に配置され、レンズ基板１１に一体成型されている。すなわち、光学機能素子アレイ１０のレンズ１２のアレイ数は４つである。一方、受発光素子２０は、全体としては４つ配置されているが、構造的に個々の受発光素子２０に分離されている。すなわち１つずつの単位に分離されている。
　光素子１は、また、レンズ基板１１の第２の面に当接し、レンズ基板１１に電気的に接続されるはんだバンプ３１（第１のはんだバンプ）と、複数の受発光素子２０のそれぞれに対して設けられ、複数の受発光素子２０のそれぞれに電気的に接続されるはんだバンプ３２（第２のはんだバンプ）とを備えている。
　はんだバンプ３１は、配線層１３（図１、図２）または配線層１４（図３、図４）を介してレンズ基板１１に電気的に接続される。レンズ基板１１は、はんだバンプ３１を介して下地基板３０に実装される。下地基板３０は、例えばＩＰ基板（インターポーザ基板）などの基板であってもよいし、受発光素子２０を駆動するＦＥ（フロンドエンド）回路を含むＦＥＩＣであってもよい。
　ここで、図１および図２は、受発光素子２０が、はんだバンプ３２によってレンズ基板１１の第２の面に取り付けられた構成例を示している。図３および図４は、受発光素子２０が、はんだバンプ３２によって下地基板３０に取り付けられた構成例を示している。
　［１．２　作用および効果］
　本実施の形態によれば、光素子１の構造を最適化するようにしたので、光伝送のチャンネル数の増加に対応可能となる。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。以降の他の実施の形態についても同様である。
　図７は、複数の光素子１を下地基板３０に配置した例を示している。複数の光素子１の間には、チャンネルごとにバイパスコンデンサ２２が配置されていてもよい。本実施の形態では、１つの光素子１のアレイが２列以下となっているので、チャンネルごとにバイパスコンデンサ２２を配置することができる。このとき、バイパスコンデンサ２２は、図示の表面実装型に限らず、基板内埋め込み型や、他の形態のものでも良い。
（光素子１の基材について）
　本実施の形態では、光学機能素子アレイ１０と受発光素子２０とが異なる基材で構成されている。従来では、伝送光波長として、例えば約１０００ｎｍ付近の光（例えば９８５ｎｍ）を採用している。これは、その帯域の光が、ＧａＡｓ基板など、化合物の基板を透過することから採用されている。すなわち、光素子を裏面発光、裏面受光構造とし、さらに、基板裏面をドライエッチングなどでレンズ形状に加工すれば、裏面から入出力する光を集光し、低損失化することが可能となる。このメリットがあるため、従来では、受発光素子と光学機能素子（レンズ）とが同一素材、言い換えれば、受発光素子の基板がそのまま光学機能素子を兼ねている構造を取っている。ただし、この構造の場合、デメリットがある。９８５ｎｍ光源は、量産数量が少ないため高価である。そのため、本実施の形態では、例えば量産数量が多く安価な８５０ｎｍ波長を採用する。８５０ｎｍ帯の光は、ＧａＡｓなどの化合物基板を透過せず、ガラス、石英、サファイア、および透明樹脂などは透過する。そこで、光学機能素子アレイ１０として、ガラス、石英、サファイア、および透明樹脂などの材料を採用することが好ましい。
（受発光素子２０とレンズ１２との位置関係について）
　本実施の形態では、複数の受発光素子２０のそれぞれと複数のレンズ１２のそれぞれとがレンズ基板１１に対して垂直方向の同軸に位置するように、レンズ基板１１を介して互いに対向配置されている。
　ここで、図１および図２に示したような、受発光素子２０をはんだバンプ３２によってレンズ基板１１に取り付ける構造のメリットは、光素子１が直接、光学機能素子アレイ１０に実装されるため、受発光素子２０とレンズ１２との位置を、双方の電極パッド基準で高精度に合わせられるということである。すなわち、はんだバンプ３２のセルフアライメント効果を利用し、例えば、双方の位置を±１０μｍ以下のばらつきまで抑制することが可能である。はんだバンプ３２のセルフアライメント効果は、溶解したはんだの表面張力を利用し、受発光素子２０のパッドと光学機能素子アレイ１０のバッドとの位置合わせを行うことによって得られる。ここでのはんだバンプ３２の材料は、Ｓｎ、もしくはＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｂｉ系など、一般的なリフロー装置で溶解し、かつ、はんだの溶解に伴い発生するはんだの高い表面張力を利用し、セルフアライメントの位置決めが行えるものを採用することが好ましい。Ａｕ－Ａｕバンプなど超音波加振で接合させるものなどは含まない。
　しかし一方で、図１および図２に示した構造の場合、受発光素子２０から下地基板３０までの配線長が長くなる。受発光素子２０と下地基板３０との間の配線経路に大径のはんだバンプ３１が存在するため、配線容量が大きく、高速信号が送りにくい。例えば、１０Ｇｂｐｓを超える伝送レート（帯域）になると、波形が悪化しやすいという欠点がある。その対策として、図３および図４に示した構成例のように、受発光素子２０とレンズ基板１１とをそれぞれ別個に、下地基板３０に実装する構造にしてもよい。この構造を取ると、受発光素子２０と下地基板３０との間の配線長が短くなり、大径のはんだバンプ３１が経路から省かれるため、高速伝送特性は向上するというメリットがある。伝送レートが、例えば、１６Ｇｂｐｓを超えてくると、この構造への変更が必要となってくる可能性がある。この構造のデメリットとしては、光学機能素子アレイ１０と受発光素子２０とが、下地基板３０に対しそれぞれはんだバンプ３１、３２でセルフアライメントの位置決めすることになる。すなわち、双方間の位置のばらつきが、例えば、図１および図２に示した構成例の２倍となる±２０μｍまで悪化する可能性が出てくる。
（光素子１とフロントエンド回路との位置関係について）
　ここで、本実施の形態に係る光素子１を光電モジュールとして、受発光素子２０を駆動するＦＥ回路と組み合わせる場合の位置関係について説明する。
　例えば、図８および図９、または図１０および図１１に示したように、光電モジュールとして、ＩＰ基板２００とＦＥ回路３０１とを備え、ＩＰ基板２００を介して受発光素子２０とＦＥ回路３０１とを接続することができる。ＦＥ回路３０１は例えば、受発光素子２０が受光素子（ＰＤ（フォトダイオード））の場合はＴＩＡ（トランスインピータンスアンプ）、受発光素子２０が発光素子（ＶＣＳＥＬ）の場合はＬＤＤ（レーザダイオードドライバ）である。
　ＩＰ基板２００とＦＥ回路３０１は、バンプ２１１を介して電気的に接続されている。図８および図９の構成例では、複数の受発光素子２０をＦＥ回路３０１に接続するための各々の配線として、配線長の異なる複数の配線２０１，２０２が用いられている。図１０および図１１の構成例では、複数の受発光素子２０をＦＥ回路３０１に接続するための各々の配線として、略同一の配線長の配線２０３が用いられている。
　受発光素子２０とＦＥ回路３０１との配線長は、図１０および図１１の構成例のように、複数の受発光素子２０のそれぞれについて略同一であることが好ましい。
　ＦＥ回路３０１と受発光素子２０との間は、電気伝送のスキュー（伝送時差）を防ぐため、同等の長さの配線で接続する必要がある。伝送レートが、例えば１０Ｇｂｐｓといった高速になると、その配線長の僅かな違いも光電パッケージの特性に悪影響を及ぼすようになる。このため、例えば、図８および図９の構成例のような接続は好ましくない。
　そこで、図１０および図１１の構成例のように、ＩＰ基板２００を介してＦＥ回路３０１のチャンネルと受発光素子２０のチャンネルとを例えば貫通ビアによって等長接続することが好ましい。そのために、ＦＥ回路３０１のチャンネルと受発光素子２０のチャンネルは縦横等ピッチで配置することが好ましい。すなわち、複数の受発光素子２０のそれぞれについて、基板垂直方向に受発光素子２０とＦＥ回路３０１とが同位置関係にあることが好ましい。なお、構成としてＩＰ基板２００が無く、または、ＩＰ基板２００を介さずに受発光素子２０をＦＥ回路３０１に接続する場合についても同様である。
　［１．４　変形例］
　以上の説明では、光学機能素子アレイ１０において、レンズ１２が１列に配置された構成を図示したが、例えば、図１２および図１３に示したように、レンズ１２および受発光素子２０が２列、もしくはそれ以上に、全体として２次元的に配置された構成であってもよい。
　また、以上の説明では、受発光素子２０が１つずつの単位に分離された構成を図示したが、光学機能素子アレイ１０のアレイ数よりも少ない単位数であれば、複数の受発光素子２０が一体化されたアレイ構造であってもよい。例えば、図１４に示したように、２つの受発光素子２０を一体化したアレイ構造であってもよい。図１４の構成の場合、光学機能素子アレイ１０のアレイ数は４、受発光素子２０のアレイ数は２となる。
＜２．第２の実施の形態＞（光電モジュールの第１の例）
　次に、本開示の第２の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第１の実施の形態に係る光素子における構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
　［２．１　構成例］
　図１５は、本開示の第２の実施の形態に係る光電モジュール４０の一構成例を示している。図１６は、光電モジュール４０の製造工程の第１工程例を示している。図１７は、光電モジュール４０の製造工程の第２工程例を示す断面図および平面図である。図１８は、光電モジュール４０の製造工程の第３工程例を示す断面図および平面図である。図１９は、光電モジュール４０の製造工程の第４工程例を示す断面図および平面図である。図２０は、光電モジュール４０をマザーボード４に搭載する過程を示している。図２１は、光電モジュールをマザーボード４に搭載した状態を示している。図２２は、光電モジュール４０に冷却モジュール５６を搭載した状態を示す共に、光電モジュール４０に光結合される光コネクタモジュール１００の一例を示している。
　本実施の形態に係る光電モジュール４０は、一方の面に光素子１が搭載されたＦＥＩＣ２と、ＦＥＩＣ２および光素子１が搭載され、ＦＥＩＣ２をマザーボード４に電気的に接続するＩＰ基板とを備えている。ＩＰ基板は、第１の基板４１と、第２の基板４２と、第３の基板４３とを含んでいる。光電モジュール４０はさらに、光コネクタモジュール１００（図２２）を装着するための位置決め部材（位置決めピン５１）を備えている。
　光素子１は、上記第１の実施の形態と同様の構成であってもよい。光素子１は複数、２次元的に配置されていてもよい。ＦＥＩＣ２は、光素子１の受発光素子２０を駆動する駆動回路を含んでいてもよい。例えば、光素子１の受発光素子２０が受光素子（ＰＤ）の場合はＴＩＡ（トランスインピータンスアンプ）、受発光素子２０が発光素子（ＶＣＳＥＬ）の場合はＬＤＤ（レーザダイオードドライバ）を含んでいてもよい。
　第１の基板４１は、銀ペーストなどの接合材４５によってＦＥＩＣ２の他方の面に接合されている。第２の基板４２は、第１の接合基板としての役割を有し、接着部４４を介して第１の基板４１に接合されている。第２の基板４２は、ＦＥＩＣ２を第１の基板４１に搭載するための開口（ＩＣ搭載用開口）４６を有している。第３の基板４３は、第２の接合基板としての役割を有し、マザーボード４に当接することなく、ＦＥＩＣ２とマザーボード４との間に配置されている。第３の基板４３は、光素子１が光伝送を行うための開口（光入出力用開口）５２を有している。
　第１の基板４１は、補強基板および放熱基板としての役割を有し、第２の基板４２よりも高い放熱性および高い剛性を有している。第１の基板４１は例えばＬＩＤ（リッド）基板であってもよい。第１の基板４１は、外部の冷却媒体によって温度管理がなされていてもよい。例えば、図２２に示したように、第１の基板４１における、ＦＥＩＣ２の搭載側とは反対側の基板面に接合材５７を介して、冷却媒体としての冷却モジュール５６を配置してもよい。第１の基板４１の１つの基板面に、位置決めピン５１の一端面と、ＦＥＩＣ２の他方の面と、第２の基板４２の１つの基板面とが空隙なく全面的に接合されていることが好ましい。
　第２の基板４２は、第３の基板４３を介してＦＥＩＣ２に電気的に接続されると共に、第３の基板４３とマザーボード４との間を電気的に接続する接続構造を有している。第３の基板４３は、ＦＥＩＣ２と第２の基板４２との間を電気的に接続する接続構造を有している。これら電気的な接続のために、はんだバンプ３３を介してＦＥＩＣ２と第３の基板４３とが接続されている。また、はんだバンプ３３を介して第２の基板４２と第３の基板４３とが接続されている。また、第２の基板４２には電気的な接続のための配線層５３が設けられている。配線層５３は、第２の基板４２を貫通しないように基板表面付近に設けられている。これにより、第２の基板４２、および第３の基板４３を貫通することなく、第２の基板４２、および第３の基板４３の表層部を介してＦＥＩＣ２とマザーボード４との間の電気的な接続が行われる。
　［２．２　製造工程］
　図１６ないし図２２を参照して、光電モジュール４０の製造工程を説明する。
　まず、図１６に示したように、ウエハーレベルで、ＦＥＩＣ２に光素子１およびパッシブ（受動素子３）を実装する。その後、ダイシングでチップ化する。なお、光素子１は、後述の実施の形態における図２４の構造のように保持基板８０を介してＦＥＩＣ２に実装する形にしても良い。
　次に、図１７に示したように、第２の基板４２を第１の基板４１に位置決め接着すると共に、第２の基板４２に設けられた開口５４を介してＦＥＩＣ２を第１の基板４１に位置決め接着する。次に、図１８に示したように、第１の基板４１の位置決め孔５５に、位置決めピン５１を嵌め込み接着する。なお、最初に位置決めピン５１を接着してもよい。また、位置決め孔５５を設けずに、位置決めピン５１を接着固定しても良い。また、第２の基板４２上に位置決めピン５１を接着してもよい。
　次に、図１９に示したように、第３の基板４３と受動素子５８とを実装する。
　次に、以上のように製造された光電モジュール２０を、図２０および図２１に示したように、マザーボード４に搭載する。マザーボード４には、取り付け部６１と、開口６２とが設けられている。マザーボード４の取り付け部６１に、第２の基板４２の端部が当接するように搭載する。第３の基板４３は、マザーボード４の開口６２に位置するようにし、マザーボード４には直接触れない構造とする。また、第２の基板４２が、マザーボード４に直接実装される形態を取っても良い。
　次に、図２２に示したように、光電モジュール４０の第１の基板４１に接合材５７を介して冷却モジュール５６を搭載する。また、位置決めピン５１を介して光電モジュール４０に光コネクタモジュール１００を接続する。
　［２．３　作用および効果］
　本実施の形態の光電モジュール４０によれば、以下の作用および効果が得られる。
（高速光伝送関連）
　第１の基板４１に、ＦＥＩＣ２と第２の基板４２とを面接着したことで、見かけ上、ＦＥＩＣ２とＩＰ基板の剛性が増す。これにより、マザーボード４に実装しても第２の基板４２が変形し難い。変形が発生したとしても、歪みの応力は第２の基板４２のみで吸収することができる。また、第１の基板４１に接着することで、ＦＥＩＣ２と第２の基板４２とを一体化させる。これにより、ＦＥＩＣ２と第２の基板４２とのバッド間の位置関係の変化を抑制することができる。
　ＦＥＩＣ２と第２の基板４２とを、独立した第３の基板４３で接続する。第３の基板４３は、第１の基板４１に強固に固定されたＦＥＩＣ２と第２の基板４２のみを接続し、マザーボード４など、その他の部材には、一切触れない構成を取る。それにより、光信号取り出しのために第３の基板４３に開口５２を設けても、ＦＥＩＣ２のはんだバンプ３３には、ほとんど偏応力が掛からない。
（光結合のための位置決め関連）
　第１の基板４１に、光コネクタモジュール１００のための位置決めピン５１を配置する。第１の基板４１を例えば金属にすることで、高い位置精度でのピン配置が可能となる。高剛性な第１の基板４１に、位置決めピン５１を配置することにより、位置決めピン５１の剛性が上がり、変形し難くなる。また、光コネクタモジュール１００の装着により、位置決めピン５１に偏応力が掛かったとしても、外力に対しデリケートな、はんだバンプ３３などが形成された第２の基板４２および第３の基板４３に、偏応力の悪影響が及び難くなる。
　また、放熱性の高い第１の基板４１に、直接、位置決めピン５１が配置された構造を取った場合、位置決めピン５１も効率よく温度調整される。故に、ＦＥＩＣ２の熱が、ＦＥＩＣ２と光コネクタモジュール１００との間の部材を通じ光コネクタモジュール１００に伝わり難くなる。また、ＦＥＩＣ２の熱は、空間を通じ光コネクタモジュール１００に伝わる可能性があるが、空気は熱伝導性が極めて低く、かつ、間に存在する第３の基板４３が放射熱を遮断する効果を持つ。そのため、本実施の形態の構造により、光コネクタモジュール１００の温度変形は、大幅に抑制される。
（高速電気伝送関連）
　従来構造においては、ＩＰ基板の表面から裏面に電気信号を通す必要がある。一方で、ＩＰ基板は、ＦＥＩＣ２に大電力を供給する必要があるため、何重もの電源層が存在するようになる。そこに貫通ビアを設け、電気高速信号を通さなくてはならなくなるが、ただでさえインピータンス整合の取りにくい貫通ビアが、層ごとに存在する何重ものスタブなどにより、高速信号を通すには困難な状態になる。
　これに対して、本実施の形態の構造では、ＩＰ基板の表面から裏面に電気信号を通す必要が無くなる。第２の基板４２、および第３の基板４３の表層部の配線のみで、ＦＥＩＣ２からマザーボード４まで信号を導くことが可能となる。故に、信号品位を高く保つことができる。また、高速電気伝送路のビア数が少なくなるため、インピータンスマッチングが取りやすくなり、ひいては配線設計が容易になる。また、第３の基板４３に電源安定化のためのキャパシタ機能を持たせることもできる。
＜３．第３の実施の形態＞（光電モジュールの第２の例）
　次に、本開示の第３の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第１および第２の実施の形態に係る光素子または光電モジュールにおける構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
　［３．１　構成例］
　図２３は、本実施の形態に係る光電モジュールの一構成例を示している。本実施の形態に係る光電モジュールは、光素子１とＦＥＩＣ２とを電気的に接続する多層構造のＩＰ基板７２（多層基板）を備えている。ＩＰ基板７２は、他の部分に比べて基板層数を少なくすることによって形成された窪み部分７６を有している。光素子１が窪み部分７６に収まるようにしてＩＰ基板７２に搭載されている。
　光素子１は、上記第１の実施の形態と同様の構成であってもよい。光素子１は複数、２次元的に配置されていてもよい。ＦＥＩＣ２は、光素子１の受発光素子２０を駆動する駆動回路を含んでいてもよい。
　ＦＥＩＣ２はプロセッサ７１内に配置されている。なお、ＦＥＩＣ２は、図示したようにプロセッサ７１内に搭載されたものであってもよいし、プロセッサとは別にひとつのチップとして独立していてもよい。
　ＩＰ基板７２は、多層構造の配線層８２を有している。ＩＰ基板７２とＦＥＩＣ２およびプロセッサ７１との間は、はんだバンプ８１を介して電気的に接続される。ＩＰ基板７２の窪み部分７６には、光素子１とＦＥＩＣ２とを電気的に接続するための貫通ビア８３が設けられている。ＩＰ基板７２は、位置決めピン７５を介して光コネクタ７３に接続される。光コネクタ７３には、光素子１のレンズ１２と光結合するレンズ部７４が設けられている。
　［３．２　作用および効果］
　本実施の形態の光電モジュールによれば、以下の作用および効果が得られる。
　ＩＰ基板７２に光素子１を搭載するための貫通穴（開口）を設けていないので、応力集中の問題を回避することができる。ＩＰ基板７２に貫通穴が無いため、ＩＰ基板７２の形状精度が悪化し難くなる。ひいては、光コネクタ７３の位置決め精度が向上する。また、対光素子１向けの貫通ビア８３を短くすることができるため、光素子１向けの高速電気信号が劣化し難くなる。
＜４．第４の実施の形態＞（光電モジュールの第３の例）
　次に、本開示の第４の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第１ないし第３の実施の形態に係る光素子または光電モジュールにおける構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
　［４．１　構成例］
　図２４は、本実施の形態に係る光電モジュールの一構成例を示している。図２４に示した光電モジュールは、上記第３の実施の形態に係る光電モジュール（図２３）に対して、ＩＰ基板７２の窪み部分７６に代えて、ＩＰ基板７２を貫通する開口部７７を有している。また、光素子１を搭載する保持基板８０を備えている。光素子１が、保持基板８０に搭載された状態で開口部７７に収まるようにして、はんだバンプ８１を介してＦＥＩＣ２に実装されている。ＩＰ基板７２を介さずに、光素子１とＦＥＩＣ２とが保持基板８０を介して電気的に接続されている。保持基板８０には、光素子１とＦＥＩＣ２とを電気的に接続するための貫通ビア８３が設けられている。
　図２５は、本実施の形態に係る光電モジュールの他の構成例を示している。図２５の構成例では、ＩＰ基板７２を貫通する開口部７７を設けずに、保持基板８０およびＩＰ基板７２を介して、光素子１とＦＥＩＣ２とを電気的に接続している。図２５の構成例では、上記第３の実施の形態と同様に、ＩＰ基板７２に窪み部分７６を設け、窪み部分７６に光素子１が搭載された保持基板８０を収容するようにしている。ただし、窪み部分７６を設けずに、ＩＰ基板７２の基板面上に、光素子１が搭載された保持基板８０を実装するようにしてもよい。
　［４．２　作用および効果］
　本実施の形態の光電モジュールによれば、以下の作用および効果が得られる。
　ＩＰ基板７２またはＦＥＩＣ２に実装する前に、保持基板８０に搭載した状態で光素子１の検査が可能になるため、ＫＧＤ（Known Good Die）の光素子１のみ光電パッケージに搭載することができる。これにより、光電パッケージとしての歩留まりを確保することが容易となる。
＜５．第５の実施の形態＞（光コネクタの最適化）
　次に、本開示の第５の実施の形態に係る光電モジュールについて説明する。なお、以下では上記第１ないし第４の実施の形態に係る光素子または光電モジュールにおける構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
　本実施の形態は、光電モジュールに光結合される光コネクタの構造に関する。なお、以下では、上記第１および第２の実施の形態に係る光素子１および光電モジュール４０を用いた場合を基本にして、光コネクタの構造を説明するが、上記第３および第４の実施の形態に係る光電モジュールを用いる場合についても同様である。
　［５．１　光コネクタモジュールの構成例］
　図２６および図２７は、垂直取り出し型の光コネクタモジュール１００の一例を示している。光電モジュール４０は、位置決めピン５１を介して光コネクタモジュール１００に接続される。光コネクタモジュール１００は、レンズ基板１１０とフェルール１０２とを有している。レンズ基板１１０には、光電モジュール４０に搭載された光素子１に対応する位置にレンズ部１１１が設けられている。フェルール１０２には、光伝送媒体としての光ファイバ１０１が取り付けられている。光ファイバ１０１は、レンズ基板１１０の基板面に対して垂直方向に配置されている。光ファイバ１０１には、レンズ部１１１を介して、垂直方向から光が入射される。または、外部から伝送されてきた光をレンズ部１１１に向けて出射する。
　図２８は、ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュール１００Ａの一例を示している。光電モジュール４０は、位置決めピン５１を介して光コネクタモジュール１００Ａに接続される。光コネクタモジュール１００Ａは、レンズ基板１１０と、裏面に反射膜１２１が設けられた反射ミラー１２０とを有している。反射ミラー１２０は、光電モジュール４０に搭載された光素子１に対応する位置に配置されている。レンズ基板１１０には、光伝送媒体としての光ファイバ１０１が取り付けられている。光ファイバ１０１は、レンズ基板１１０の基板面に対して横方向（平行な方向）に配置されている。光ファイバ１０１は、その一端面が反射ミラー１２０に対向するように配置されている。
　図２９に、全反射ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュール１００Ｂの一例を示している。光コネクタモジュール１００Ｂは、図２８に示した光コネクタモジュール１００Ａにおける反射ミラー１２０に代えて、全反射ミラー１２２を備えている。
　図３０は、全反射ミラーを用いた導波路による横方向取り出し型の光コネクタモジュール１００Ｃの一例を示している。光コネクタモジュール１００Ｃは、図２８に示した光コネクタモジュール１００Ａにおける反射ミラー１２０に代えて、全反射ミラー１３１を備えている。また、光ファイバ１０に代えて導波路１３０を有している。全反射ミラー１３１は、導波路１３０の一部に切り込み１３２を入れることによって形成されている。
　［５．２　光コネクタモジュールの最適化］
（最適化された光コネクタモジュールの構成例）
　上記した光コネクタモジュールの構成例のうち、全反射ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュール（図２９、図３０）は、図３１または図３２のような構造であることが好ましい。なお、ここでは、光伝送媒体として光ファイバを用いる場合（図２９）を例にするが、光導波路型（図３０）についても同様の構造で最適化することができる。
　以下では、光素子１として、受信用光素子１Ｒと、送信用光素子１Ｔとを有する場合を例に説明する。受信用光素子１Ｒは、受発光素子２０として受光素子２０Ｒを有している。送信用光素子１Ｔは、受発光素子２０として発光素子２０Ｔを有している。
　図３１または図３２に示した光コネクタモジュールは、送信用光素子１Ｔに対応する送信用光学系５Ｔと、受信用光素子１Ｒに対応する受信用光学系５Ｒとを含んでいる。
　送信用光学系５Ｔは、発光素子２０Ｔから出射された送信光が平行光束で入射する送信用レンズ１１１Ｔと、送信用レンズ１１１Ｔに入射した送信光を反射する送信用全反射ミラー１２２Ｔとを有している。また、送信用全反射ミラー１２２Ｔで反射された送信光を伝送する送信用光伝送媒体としての送信用光ファイバ１０１Ｔを有している。
　受信用光学系５Ｒは、受信用光伝送媒体としての受信用光ファイバ１０１Ｒと、受信用光ファイバ１０１Ｒによって伝送された受信光を反射する受信用全反射ミラー１２２Ｒとを有している。また、受信用全反射ミラー１２２Ｒで反射された受信光を平行光束で受光素子２０Ｒに向けて出射する受信用レンズ１１１Ｒを有している。
　ここで、図３１に示した光コネクタモジュールは、送信用レンズ１１１Ｔおよび送信用全反射ミラー１２２Ｔ間の距離Ｄ２ｔと、受信用レンズ１１１Ｒおよび受信用全反射ミラー１２２Ｒ間の距離Ｄ２ｒとが異なる構造とされている。かつ、送信用レンズ１１１Ｔに入射する入射平行光束の光路長と、受信用レンズ１１１Ｒが出射する出射平行光束の光路長とが異なる構造とされている。また、受光素子２０Ｒおよび受信用全反射ミラー１２２Ｒ間の距離と、発光素子２０Ｔおよび送信用全反射ミラー１２２Ｔ間の距離とが略同一である構造とされている。または、受光素子２０Ｒおよび受信用光ファイバ１０１Ｒ間の距離と、発光素子２０Ｔおよび送信用光ファイバ１０１Ｔ間の距離とが略同一である構造とされている。
　また、図３２に示した光コネクタモジュールは、送信用光ファイバ１０１Ｔおよび受信用光ファイバ１０１Ｒが、レンズ基板１１０における送信用レンズ１１１Ｔおよび受信用レンズ１１１Ｒが形成された基板面に対して傾斜配置された構造とされている。
　図３２に示した光コネクタモジュールはまた、送信用全反射ミラー１２２Ｔが、送信用レンズ１１１Ｔの光軸Ｃ１に対して送信光を反射する方向にオフセットされた位置に配置された構造とされている。かつ、光学機能素子アレイ１０における光学基板１１の第１の面と、レンズ基板１１０における送信用レンズ１１１Ｔが形成された基板面とが略平行である構造とされている。
　図３２に示した光コネクタモジュールはまた、受信用全反射ミラー１２２Ｒが、受信用レンズ１１１Ｒの光軸Ｃ２に対して受信光が伝送されてくる方向にオフセットされた位置に配置された構造とされている。かつ、光学機能素子アレイ１０における光学基板１１の第１の面と、レンズ基板１１０における受信用レンズ１１１Ｒが形成された基板面とが略平行である構造とされている。
（全反射ミラーを用いない場合の光学設計例）
　まず、図３３を参照して、図２６および図２７に示した垂直取り出し型の光コネクタモジュール１００に対応する光コネクタモジュールを用いる場合の、光素子１（受信用光素子１Ｒ、送信用光素子１Ｔ）と光コネクタモジュール間の光学設計の手順を示す。
　まず、光素子１と光コネクタモジュール間の平行光束径Ｄ１を決定する。光束径Ｄ１を大きくすると、位置ずれ、傾き、およびゴミ付着に強くなる。光束径Ｄ１を小さくすると、光クロストークし難くなる。
　次に、光ファイバ１０１（受信用光ファイバ１０１Ｒ、送信用光ファイバ１０１Ｔ）の端面とレンズ１１１（受信用レンズ１１１Ｒ、送信用レンズ１１１Ｔ）との間隔Ｄ２を決定する。この際、垂直取り出し型の光コネクタモジュール１００では、出射側、および入射側共に共通の設計で構わない。
　また、図２８に示した反射ミラー１２０による横方向取り出し型の光コネクタモジュール１００Ａの場合も同様の設計手法で構わない。図３４に、図２８に示した横方向取り出し型の光コネクタモジュール１００Ａに対応する光コネクタモジュールを用いる場合の、光素子１（受信用光素子１Ｒ、送信用光素子１Ｔ）と光コネクタモジュール間の光学設計の一例を示す。なお、図３４の構成例では、反射ミラー１２０として、裏面に反射膜１２１が設けられた受信用反射ミラー１２０Ｒおよび送信用反射ミラー１２０Ｔを有している。
（全反射ミラーを用いる場合の光学設計例）
　次に、図３５～図３７を参照して、全反射ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュールを用いる場合の、光素子１（受信用光素子１Ｒ、送信用光素子１Ｔ）と光コネクタモジュール間の光学設計例について述べる。
　図３５に示したように、全反射ミラー１２２（受信用全反射ミラー１２２Ｒ、送信用全反射ミラー１２２Ｔ）を用いた横出し構造を適用した場合、送信用全反射ミラー１２２Ｔでは、送信用レンズ１１１Ｔの光軸Ｃ１に対して反射方向に例えば３．２°以遠の光成分Ｌａは全反射せず、すべて損失となる。
　そこで、図３５に示したように、入射側の送信用レンズ１１１Ｔおよび送信用全反射ミラー１２２Ｔ間の距離Ｄ２ｔを長くとりＮＡを小さくする。これにより、光軸Ｃ１より反射方向に例えば３．２°以遠の成分Ｌａを抑制した光学設計にする。この際、出射側の受信用レンズ１１１Ｒおよび受信用全反射ミラー１２２Ｒ間の距離Ｄ２ｒを長くしてしまうと、平行光径が大きくなり、光クロストーク耐性が悪化してしまう。よって、出射側の光学設計は変更させないことが好ましい。
　また、コストアップを避けるため、受信用光ファイバ１０１Ｒと送信用光ファイバ１０１Ｔとの垂直方向の位置は、同一であることが望ましい。 そこで、図３１に示したように、平行光束の距離を変え、受光素子２０Ｒおよび受信用光ファイバ１０１Ｒ間の距離と、発光素子２０Ｔおよび送信用光ファイバ１０１Ｔ間の距離とを略同一にする。または、受光素子２０Ｒおよび受信用全反射ミラー１２２Ｒ間の距離と、発光素子２０Ｔおよび送信用全反射ミラー１２２Ｔ間の距離とを略同一にする。
　もしくは、図３７に示したように、少なくとも入射側に関して全反射ミラー１２２の位置をオフセットさせてもよい。すなわち、送信用全反射ミラー１２２Ｔの位置を、送信用レンズ１１１Ｔの光軸Ｃ１に対して送信光を反射する方向にオフセットした位置に配置してもよい。これにより、光のロス成分Ｌａを抑制させる構造でもよい。
　さらに、ファイバ側にも同様のロス領域が存在するため、図３２に示したように、送信用レンズ１１１Ｔおよび受信用レンズ１１１Ｒをオフセットさせると共に、送信用光ファイバ１０１Ｔおよび受信用光ファイバ１０１Ｒを、レンズ基板１１０の基板面に対して傾斜配置させてもよい。これにより、光の損失をさらに抑制することができる。
　［５．３　作用および効果］
　本実施の形態によれば、全反射ミラーによる横方向取り出し型の光コネクタモジュールの構成を最適化したことで、チャンネル間の光クロストークを抑制しつつ、全反射ロスを低減させることが可能となる。ひいては、システム全体の伝送損失が低減する。
＜６．その他の実施の形態＞
　本開示による技術は、上記各実施の形態の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
　例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
　第１の基材で構成された光学機能素子アレイと、前記第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子とを有する光素子を備え、
　前記光学機能素子アレイは、第１の面および第２の面を含む光学基板と、前記光学基板に一体化され、前記第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、
　前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第２の面に対して間隔を空けて配置されている
　光電モジュール
（２）
　前記複数の受発光素子のそれぞれを駆動するフロントエンド回路をさらに備え、
　前記受発光素子と前記フロントエンド回路との配線長が、前記複数の受発光素子のそれぞれについて略同一である
　上記（１）に記載の光電モジュール。
（３）
　前記光学基板の前記第２の面に当接し、前記光学基板に電気的に接続される第１のはんだバンプと、
　前記複数の受発光素子のそれぞれに対して設けられ、前記複数の受発光素子のそれぞれに電気的に接続される第２のはんだバンプと
をさらに備える
　上記（１）または（２）に記載の光電モジュール。
（４）
　一方の面に前記光素子が搭載されたフロントエンドＩＣと、
　前記フロントエンドＩＣおよび前記光素子が搭載され、前記フロントエンドＩＣをマザーボードに電気的に接続するインターポーザ基板と
　をさらに備え、
　前記インターポーザ基板は、
　前記フロントエンドＩＣの他方の面が接合された第１の基板と、
　前記第１の基板に接合され、前記フロントエンドＩＣを前記第１の基板に搭載するためのＩＣ搭載用開口を有する第２の基板と、
　前記マザーボードに当接することなく、前記フロントエンドＩＣと前記マザーボードとの間に配置され、前記光素子が光伝送を行うための光入出力用開口を有する第３の基板と
　を含む
　上記（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の光電モジュール。
（５）
　前記第１の基板は、前記第２の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有し、
　前記第２の基板は、前記第３の基板を介して前記フロントエンドＩＣに電気的に接続されると共に、前記第３の基板と前記マザーボードとの間を電気的に接続する接続構造を有し、
　前記第３の基板は、前記フロントエンドＩＣと前記第２の基板との間を電気的に接続する接続構造を有する
　上記（４）に記載の光電モジュール。
（６）
　光コネクタを装着するための位置決め部材をさらに備え、
　前記第１の基板が、前記第２の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有すると共に、外部の冷却媒体によって温度管理がなされており、
　前記第１の基板の１つの基板面に、前記位置決め部材の一端面と、前記フロントエンドＩＣの前記他方の面と、前記第２の基板の１つの基板面とが空隙なく全面的に接合されている
　上記（４）または（５）に記載の光電モジュール。
（７）
　前記第２の基板、および前記第３の基板を貫通することなく、前記第２の基板、および前記第３の基板の表層部を介して前記フロントエンドＩＣと前記マザーボードとの間の電気的な接続が行われる
　上記（４）ないし（６）のいずれか１つに記載の光電モジュール。
（８）
　前記光素子とフロントエンドＩＣとを電気的に接続する多層構造のインターポーザ基板をさらに備え、
　前記インターポーザ基板が、他の部分に比べて基板層数を少なくすることによって形成された窪み部分を有し、
　前記光素子が前記窪み部分に収まるようにして前記インターポーザ基板に搭載されている
　上記（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の光電モジュール。
（９）
　インターポーザ基板と、
　前記光素子に電気的に接続されたフロントエンドＩＣと、
　前記光素子を搭載する保持基板と
　をさらに備え、
　前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記フロントエンドＩＣ、または前記インターポーザ基板に実装されている
　上記（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の光電モジュール。
（１０）
　前記インターポーザ基板を貫通する開口部を有し、
　前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記開口部に収まるようにして前記フロントエンドＩＣに実装され、
　前記インターポーザ基板を介さずに、前記光素子と前記フロントエンドＩＣとが前記保持基板を介して電気的に接続されている
　上記（９）に記載の光電モジュール。
（１１）
　前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記インターポーザ基板に実装され、
　前記保持基板および前記インターポーザ基板を介して、前記光素子と前記フロントエンドＩＣとが電気的に接続されている
　上記（９）に記載の光電モジュール。
（１２）
　送信用光学系および受信用光学系を含み、前記光素子に光結合される光コネクタをさらに備え、
　前記複数の受発光素子として、受光素子と発光素子とを含み、
　前記送信用光学系は、前記発光素子から出射された送信光が平行光束で入射する送信用レンズと、前記送信用レンズに入射した前記送信光を反射する送信用全反射ミラーと、前記送信用全反射ミラーで反射された前記送信光を伝送する送信用光伝送媒体とを有し、
　前記受信用光学系は、受信用光伝送媒体と、前記受信用光伝送媒体によって伝送された受信光を反射する受信用全反射ミラーと、前記受信用全反射ミラーで反射された前記受信光を平行光束で前記受光素子に向けて出射する受信用レンズとを有する
　上記（１）ないし（１１）のいずれか１つに記載の光電モジュール。
（１３）
　前記送信用レンズおよび前記送信用全反射ミラー間の距離と、前記受信用レンズおよび前記受信用全反射ミラー間の距離とが異なり、かつ、前記送信用レンズに入射する入射平行光束の光路長と、前記受信用レンズが出射する出射平行光束の光路長とが異なり、
　前記受光素子および前記受信用全反射ミラー間の距離と前記発光素子および前記送信用全反射ミラー間の距離、もしくは、前記受光素子および前記受信用光伝送媒体間の距離と前記発光素子および前記送信用光伝送媒体間の距離とが略同一である
　上記（１２）に記載の光電モジュール。
（１４）
　前記送信用光学系は、前記送信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
　前記送信用全反射ミラーが、前記送信用レンズの光軸に対して前記送信光を反射する方向にオフセットされた位置に配置され、かつ、前記光学機能素子アレイにおける前記光学基板の前記第１の面と、前記レンズ基板における前記送信用レンズが形成された基板面とが略平行である
　上記（１２）に記載の光電モジュール。
（１５）
　前記光コネクタは、前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
　前記送信用光伝送媒体および前記受信用光伝送媒体が、前記レンズ基板における前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成された基板面に対して傾斜配置されている
　上記（１２）または（１４）に記載の光電モジュール。
（１６）
　第１の基材で構成された光学機能素子アレイと、
　前記第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子と
　を備え、
　前記光学機能素子アレイは、第１の面および第２の面を含む光学基板と、前記光学基板に一体化され、前記第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、
　前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第２の面に対して間隔を空けて配置されている
　光素子。
（１７）
　前記複数の受発光素子が、はんだバンプによって前記光学基板の前記第２の面に取り付けられている
　上記（１６）に記載の光素子。
　本出願は、日本国特許庁において２０１４年５月１３日に出願された日本特許出願番号第２０１４－９９６９５号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (17)

  1. 　第１の基材で構成された光学機能素子アレイと、前記第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子とを有する光素子を備え、
    　前記光学機能素子アレイは、第１の面および第２の面を含む光学基板と、前記光学基板に一体化され、前記第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、
    　前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第２の面に対して間隔を空けて配置されている
    　光電モジュール。
  2. 　前記複数の受発光素子のそれぞれを駆動するフロントエンド回路をさらに備え、
    　前記受発光素子と前記フロントエンド回路との配線長が、前記複数の受発光素子のそれぞれについて略同一である
    　請求項１に記載の光電モジュール。
  3. 　前記光学基板の前記第２の面に当接し、前記光学基板に電気的に接続される第１のはんだバンプと、
    　前記複数の受発光素子のそれぞれに対して設けられ、前記複数の受発光素子のそれぞれに電気的に接続される第２のはんだバンプと
    をさらに備える
    　請求項１に記載の光電モジュール。
  4. 　一方の面に前記光素子が搭載されたフロントエンドＩＣと、
    　前記フロントエンドＩＣおよび前記光素子が搭載され、前記フロントエンドＩＣをマザーボードに電気的に接続するインターポーザ基板と
    　をさらに備え、
    　前記インターポーザ基板は、
    　前記フロントエンドＩＣの他方の面が接合された第１の基板と、
    　前記第１の基板に接合され、前記フロントエンドＩＣを前記第１の基板に搭載するためのＩＣ搭載用開口を有する第２の基板と、
    　前記マザーボードに当接することなく、前記フロントエンドＩＣと前記マザーボードとの間に配置され、前記光素子が光伝送を行うための光入出力用開口を有する第３の基板と
    　を含む
    　請求項１に記載の光電モジュール。
  5. 　前記第１の基板は、前記第２の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有し、
    　前記第２の基板は、前記第３の基板を介して前記フロントエンドＩＣに電気的に接続されると共に、前記第３の基板と前記マザーボードとの間を電気的に接続する接続構造を有し、
    　前記第３の基板は、前記フロントエンドＩＣと前記第２の基板との間を電気的に接続する接続構造を有する
    　請求項４に記載の光電モジュール。
  6. 　光コネクタを装着するための位置決め部材をさらに備え、
    　前記第１の基板が、前記第２の基板よりも高い放熱性および高い剛性を有すると共に、外部の冷却媒体によって温度管理がなされており、
    　前記第１の基板の１つの基板面に、前記位置決め部材の一端面と、前記フロントエンドＩＣの前記他方の面と、前記第２の基板の１つの基板面とが空隙なく全面的に接合されている
    　請求項４に記載の光電モジュール。
  7. 　前記第２の基板、および前記第３の基板を貫通することなく、前記第２の基板、および前記第３の基板の表層部を介して前記フロントエンドＩＣと前記マザーボードとの間の電気的な接続が行われる
    　請求項４に記載の光電モジュール。
  8. 　前記光素子とフロントエンドＩＣとを電気的に接続する多層構造のインターポーザ基板をさらに備え、
    　前記インターポーザ基板が、他の部分に比べて基板層数を少なくすることによって形成された窪み部分を有し、
    　前記光素子が前記窪み部分に収まるようにして前記インターポーザ基板に搭載されている
    　請求項１に記載の光電モジュール。
  9. 　インターポーザ基板と、
    　前記光素子に電気的に接続されたフロントエンドＩＣと、
    　前記光素子を搭載する保持基板と
    　をさらに備え、
    　前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記フロントエンドＩＣ、または前記インターポーザ基板に実装されている
    　請求項１に記載の光電モジュール。
  10. 　前記インターポーザ基板を貫通する開口部を有し、
    　前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記開口部に収まるようにして前記フロントエンドＩＣに実装され、
    　前記インターポーザ基板を介さずに、前記光素子と前記フロントエンドＩＣとが前記保持基板を介して電気的に接続されている
    　請求項９に記載の光電モジュール。
  11. 　前記光素子が、前記保持基板に搭載された状態で前記インターポーザ基板に実装され、
    　前記保持基板および前記インターポーザ基板を介して、前記光素子と前記フロントエンドＩＣとが電気的に接続されている
    　請求項９に記載の光電モジュール。
  12. 　送信用光学系および受信用光学系を含み、前記光素子に光結合される光コネクタをさらに備え、
    　前記複数の受発光素子として、受光素子と発光素子とを含み、
    　前記送信用光学系は、前記発光素子から出射された送信光が平行光束で入射する送信用レンズと、前記送信用レンズに入射した前記送信光を反射する送信用全反射ミラーと、前記送信用全反射ミラーで反射された前記送信光を伝送する送信用光伝送媒体とを有し、
    　前記受信用光学系は、受信用光伝送媒体と、前記受信用光伝送媒体によって伝送された受信光を反射する受信用全反射ミラーと、前記受信用全反射ミラーで反射された前記受信光を平行光束で前記受光素子に向けて出射する受信用レンズとを有する
    　請求項１に記載の光電モジュール。
  13. 　前記送信用レンズおよび前記送信用全反射ミラー間の距離と、前記受信用レンズおよび前記受信用全反射ミラー間の距離とが異なり、かつ、前記送信用レンズに入射する入射平行光束の光路長と、前記受信用レンズが出射する出射平行光束の光路長とが異なり、
    　前記受光素子および前記受信用全反射ミラー間の距離と前記発光素子および前記送信用全反射ミラー間の距離、もしくは、前記受光素子および前記受信用光伝送媒体間の距離と前記発光素子および前記送信用光伝送媒体間の距離とが略同一である
    　請求項１２に記載の光電モジュール。
  14. 　前記送信用光学系は、前記送信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
    　前記送信用全反射ミラーが、前記送信用レンズの光軸に対して前記送信光を反射する方向にオフセットされた位置に配置され、かつ、前記光学機能素子アレイにおける前記光学基板の前記第１の面と、前記レンズ基板における前記送信用レンズが形成された基板面とが略平行である
    　請求項１２に記載の光電モジュール。
  15. 　前記光コネクタは、前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成されたレンズ基板をさらに有し、
    　前記送信用光伝送媒体および前記受信用光伝送媒体が、前記レンズ基板における前記送信用レンズおよび前記受信用レンズが形成された基板面に対して傾斜配置されている
    　請求項１２に記載の光電モジュール。
  16. 　第１の基材で構成された光学機能素子アレイと、
    　前記第１の基材とは異なる第２の基材で構成された複数の受発光素子と
    　を備え、
    　前記光学機能素子アレイは、第１の面および第２の面を含む光学基板と、前記光学基板に一体化され、前記第１の面上において１次元的もしくは２次元的に配列された複数の光学機能素子とを有し、
    　前記複数の受発光素子のそれぞれと前記複数の光学機能素子のそれぞれとが前記光学基板に対して垂直方向の同軸に位置するように前記光学基板を介して互いに対向配置され、かつ、前記複数の受発光素子が、前記光学機能素子アレイのアレイ数よりも少ない単位数に分離された状態で、前記第２の面に対して間隔を空けて配置されている
    　光素子。
  17. 　前記複数の受発光素子が、はんだバンプによって前記光学基板の前記第２の面に取り付けられている
    　請求項１６に記載の光素子。
PCT/JP2015/062355 2014-05-13 2015-04-23 光電モジュールおよび光素子 WO2015174239A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016519189A JP6610540B2 (ja) 2014-05-13 2015-04-23 光電モジュール
CN201580023164.9A CN106256055A (zh) 2014-05-13 2015-04-23 光电模块和光学元件
US15/303,111 US10483413B2 (en) 2014-05-13 2015-04-23 Photoelectric module and optical device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014099695 2014-05-13
JP2014-099695 2014-05-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015174239A1 true WO2015174239A1 (ja) 2015-11-19

Family

ID=54479783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/062355 WO2015174239A1 (ja) 2014-05-13 2015-04-23 光電モジュールおよび光素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10483413B2 (ja)
JP (1) JP6610540B2 (ja)
CN (1) CN106256055A (ja)
WO (1) WO2015174239A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017135194A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 住友電気工業株式会社 光受信モジュール
KR101841393B1 (ko) 2017-08-01 2018-03-22 유웅식 광전식 연기 감지기
WO2019207953A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 ソニー株式会社 測距装置及び測距モジュール
WO2021079929A1 (ja) * 2019-10-23 2021-04-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置
DE112019005742T5 (de) 2018-11-16 2021-07-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Detektionsschaltung, ansteuerschaltung und lichtemittierende vorrichtung
JP2023522559A (ja) * 2019-03-01 2023-05-31 ヴィクサー， インコーポレイテッド ３Ｄ及びＬｉＤＡＲセンシングモジュール
US11996673B2 (en) 2018-11-27 2024-05-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Drive device and light emitting device
JP7501165B2 (ja) 2020-07-03 2024-06-18 日本電気株式会社 光学モジュール実装基板、光学モジュール、光学モジュール実装基板の製造方法、および光学モジュールの製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10422514B2 (en) * 2017-12-19 2019-09-24 Sharp Kabushiki Kaisha Light source module
CN111106524A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 深圳市中光工业技术研究院 一种半导体激光器
US11731605B2 (en) 2018-12-17 2023-08-22 Westinghouse Air Brake Technologies Corporation Bracket for a distributor valve
DE102019121384A1 (de) * 2019-08-07 2021-02-11 Forschungsverbund Berlin E.V. Optischer Pulsgenerator und Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators hoher Leistung und kurzen Pulsen
CN113933812A (zh) * 2020-07-14 2022-01-14 上海禾赛科技有限公司 激光雷达的光源模组、激光雷达及制造光源模组的方法
CN111934192A (zh) * 2020-09-29 2020-11-13 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种光发射模组及其封装方法
CN111934189A (zh) * 2020-09-29 2020-11-13 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种光发射模组及其封装方法
CN113572024A (zh) * 2021-07-13 2021-10-29 Oppo广东移动通信有限公司 光发射器、深度模组和终端
US20230317694A1 (en) * 2022-04-04 2023-10-05 International Business Machines Corporation Architecture and device using optical element and computer chip for optical signal transmission

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006235115A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Sony Corp 光信号入力装置およびそれを用いた電子機器
JP2009252777A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体素子の実装構造
JP2009265676A (ja) * 2008-04-26 2009-11-12 Gwangju Inst Of Science & Technology 光配線構造物およびその製造方法
WO2013100995A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Intel Corporation Photonic package architecture
WO2013115780A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid electro-optical package for an opto-electronic engine

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3728147B2 (ja) 1999-07-16 2005-12-21 キヤノン株式会社 光電気混載配線基板
JP2001185752A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置とそれを用いた光信号入出力装置
US7657836B2 (en) * 2002-07-25 2010-02-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Summarization of soccer video content
JP2004356618A (ja) * 2003-03-19 2004-12-16 Ngk Spark Plug Co Ltd 中継基板、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体、中継基板の製造方法
US7539366B1 (en) * 2008-01-04 2009-05-26 International Business Machines Corporation Optical transceiver module
US8265432B2 (en) * 2008-03-10 2012-09-11 International Business Machines Corporation Optical transceiver module with optical windows
JP2010211179A (ja) * 2009-02-13 2010-09-24 Hitachi Ltd 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法
TWI522668B (zh) * 2009-02-25 2016-02-21 Hitachi Chemical Co Ltd Optical waveguide and optical waveguide module
JP5439080B2 (ja) * 2009-07-28 2014-03-12 株式会社日立製作所 光ｉ／ｏアレイモジュール
JP2012019979A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Yokogawa Electric Corp 共焦点光学系を用いた生体成分測定装置
US8404501B2 (en) * 2010-12-07 2013-03-26 Faraday Technology Corp. Semiconductor package structure and manufacturing method thereof
JP5726210B2 (ja) * 2010-12-24 2015-05-27 京セラ株式会社 熱電発電モジュール
CN102904291B (zh) * 2011-07-26 2016-08-17 富泰华工业（深圳）有限公司 充电装置及控制方法
JP2013142732A (ja) 2012-01-07 2013-07-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール、回路基板、光モジュールの実装方法、および実装方法
JP5318978B2 (ja) 2012-01-23 2013-10-16 日本特殊陶業株式会社 光電気混載パッケージ及びその製造方法、光素子付き光電気混載パッケージ、光電気混載モジュール

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006235115A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Sony Corp 光信号入力装置およびそれを用いた電子機器
JP2009252777A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体素子の実装構造
JP2009265676A (ja) * 2008-04-26 2009-11-12 Gwangju Inst Of Science & Technology 光配線構造物およびその製造方法
WO2013100995A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Intel Corporation Photonic package architecture
WO2013115780A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid electro-optical package for an opto-electronic engine

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017135194A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 住友電気工業株式会社 光受信モジュール
KR101841393B1 (ko) 2017-08-01 2018-03-22 유웅식 광전식 연기 감지기
US12025738B2 (en) 2018-04-26 2024-07-02 Sony Corporation Ranging device and ranging module
WO2019207953A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 ソニー株式会社 測距装置及び測距モジュール
DE112019005742T5 (de) 2018-11-16 2021-07-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Detektionsschaltung, ansteuerschaltung und lichtemittierende vorrichtung
US11962124B2 (en) 2018-11-16 2024-04-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Detection circuit, driving circuit, and light emitting device
US11996673B2 (en) 2018-11-27 2024-05-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Drive device and light emitting device
JP2023522559A (ja) * 2019-03-01 2023-05-31 ヴィクサー， インコーポレイテッド ３Ｄ及びＬｉＤＡＲセンシングモジュール
US12007504B2 (en) 2019-03-01 2024-06-11 Vixar, Inc. 3D and LiDAR sensing modules
JP7522209B2 (ja) 2019-03-01 2024-07-24 ヴィクサー， インコーポレイテッド ３Ｄ及びＬｉＤＡＲセンシングモジュール
WO2021079929A1 (ja) * 2019-10-23 2021-04-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置
US12119371B2 (en) 2019-10-23 2024-10-15 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light source apparatus
JP7501165B2 (ja) 2020-07-03 2024-06-18 日本電気株式会社 光学モジュール実装基板、光学モジュール、光学モジュール実装基板の製造方法、および光学モジュールの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6610540B2 (ja) 2019-11-27
CN106256055A (zh) 2016-12-21
US10483413B2 (en) 2019-11-19
US20170170339A1 (en) 2017-06-15
JPWO2015174239A1 (ja) 2017-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6610540B2 (ja) 光電モジュール
US8559474B2 (en) Silicon carrier optoelectronic packaging
US8483253B2 (en) 3D optoelectronic packaging
US20170108655A1 (en) Photonic package architecture
US8265432B2 (en) Optical transceiver module with optical windows
US9647762B2 (en) Integrated parallel optical transceiver
JP5439080B2 (ja) 光ｉ／ｏアレイモジュール
US9217835B2 (en) Photoelectric conversion module and transmission apparatus using the same
US9645316B1 (en) Parallel optical interconnect
US20160349470A1 (en) Hybrid integrated optical sub-assembly
US11764878B2 (en) LED chip-to-chip vertically launched optical communications with optical fiber
JP6227782B2 (ja) 光電子パッケージアセンブリ
US8938136B2 (en) Opto-electronic system having flip-chip substrate mounting
US11886023B2 (en) Photonic optoelectronic module packaging
US20210141171A1 (en) Wavelength division multiplexing optical module
WO2021211618A1 (en) Optically-enhanced multichip packaging
US20140133797A1 (en) Flip-chip optical interface with micro-lens array
US6786651B2 (en) Optical interconnect structure, system and transceiver including the structure, and method of forming the same
KR101071550B1 (ko) 광전변환모듈

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15792734

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016519189

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15303111

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15792734

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1