JP6609283B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
17(cm-3)より大きいことを特徴とする。
本発明にかかる半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体を用いて構成される。実施の形態においては、ワイドバンドギャップ半導体として例えば炭化珪素(SiC)を用いて作製された炭化珪素半導体装置について、接合障壁ショットキー(JBS:Junction Barrier Schottky)構造のダイオードを例に説明する。図1は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置は、n+型炭化珪素基板(ワイドバンドギャップ半導体基板)1の主面上にn型炭化珪素エピタキシャル層(ワイドバンドギャップ半導体堆積層)2が堆積されている。
この場合、正バイアスVFの増加により、順方向電流IFも増加し、発熱する。最終的には、自己発熱により、ショットキー接合での反応、例えば、Ti+SiC→TiC+Siなどで合金化してショットキー障壁高さ(φB)が低くなる。これにより、順方向電流IFが増加し、自己発熱し、順方向電流IFが増加する正のフィードバックが生じ破壊に至る。この際の特性は、図2中、0→Q→R→Aの軌跡で表される。
ある逆バイアス電圧VKにて、ショットキー電極7とp+型領域5との逆バイアスに印加されているショットキー界面において、アバランシェ降伏により正孔がp+型領域5に流れる。この正孔がp+型領域5からn型炭化珪素エピタキシャル層2に注入され、伝導度変調により、正バイアスVFが低減する。このため、以降は、順方向電流IFの増加により図中RからSに至るように正バイアスVFが低減し、R−S−Bの軌跡となる。このときの発熱量は、P=V1I1=V2I2により、一定となる。そして、I2=(V1/V2)I1>I1となるため、順方向(サージ)電流IF,SMは向上する。
図3は、p+型領域のアクセプタ濃度と逆バイアス電圧との関係を示す図表である。上記2.において、逆バイアス電圧VK<V1となることが重要である。p+型領域5のアクセプタ濃度(NA)に依存する。NAが大であるほど、逆バイアス電圧VKは減少する。逆バイアス電圧VK=V1=5Vとしたとき、図3に基づき、逆バイアス電圧VKとアクセプタ濃度NAの関係を導出する。図5において、逆バイアス電圧VKを5V以下とするために、NA>8×1017(cm-3)すればよい。ここで、エッジのp型領域3は、p-型の領域であってもよい。
図4は、活性領域周辺部(エッジ部)に設けられる活性領域を囲む耐圧構造部のp+型領域43を示す断面図である。図4に示すように、エッジにp+型領域43、p型領域44、p-型領域45を設けることにより、逆バイアス電圧VK<V1で正孔がp+型領域43に流入する。エッジ部にp+型領域43を設けない場合、活性領域に正孔が注入されるが、ショットキー電極7の終端にp+型領域43を設けると、隣接するエッジ部のp型領域44、p-型領域45に正孔が流れて、n型炭化珪素エピタキシャル層2への正孔注入領域が活性部とエッジ部の両方となる。これにより、伝導度変調効果がより大きな面積で得られるようになり、より低抵抗化できるようになる。この構成によれば、図2に示す0→Q→R−S−Cの軌跡の特性が得られる。そして、I3=(V2/V3)I2>I2となり、さらに順方向サージ電流IF,SMを増加できる。
2 n型炭化珪素エピタキシャル層
3 p型領域
4 p-型領域
5 p+型領域
6 層間絶縁膜
7 ショットキー電極
8 電極パッド
9 保護膜
10 裏面電極
Claims (3)
- 耐圧が600Vまたは1200Vの炭化珪素半導体装置において、
第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板の表面に堆積された、前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板よりも不純物濃度の低い第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層と、
前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の、前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられた第1の第2導電型半導体領域と、
前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層とショットキー接合を形成する金属膜と、前記金属膜上に形成された電極用金属膜と、前記第1の第2導電型半導体領域とで構成され、前記金属膜が前記電極用金属膜より薄く形成された素子構造と、
前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の、前記第1導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられ、前記素子構造の周辺部を囲む第2の第2導電型半導体領域と、
前記第2の第2導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する、第3の第2導電型半導体領域と、
前記第3の第2導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する、第4の第2導電型半導体領域と、
前記第2の第2導電型半導体領域上に位置する端部から前記周辺部を覆う絶縁膜と、
を備え、
前記金属膜は、前記第2の第2導電型半導体領域の一部に接し、前記第2の第2導電型半導体領域上に位置する端部から前記絶縁膜上に這い上がって延在し、前記金属膜の外端部および前記電極用金属膜の外端部は、前記第2の第2導電型半導体領域上にのみ位置し、前記第1および第2の第2導電型半導体領域は、前記第3の第2導電型半導体領域よりもアクセプタ濃度が高く、前記第1および第2の第2導電型半導体領域は同一のアクセプタ濃度であり、
ショットキー接合を形成する前記金属膜の端部が接する前記第2の第2導電型半導体領域よりも外側の前記第3の第2導電型半導体領域より前記第4の第2導電型半導体領域が低濃度のアクセプタ濃度であり、かつ前記第2の第2導電型半導体領域、前記第3の第2導電型半導体領域および前記第4の第2導電型半導体領域が接していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記第1または第2の第2導電型半導体領域の前記アクセプタ濃度は、8×1017(cm-3)より大きいことを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記電極用金属膜の外端部から前記金属膜の外端部が突出していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。
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