JP6609041B2 - 放射性同位元素製造用の支持基板、放射性同位元素製造用ターゲット板、及び支持基板の製造方法 - Google Patents
放射性同位元素製造用の支持基板、放射性同位元素製造用ターゲット板、及び支持基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6609041B2 JP6609041B2 JP2018513215A JP2018513215A JP6609041B2 JP 6609041 B2 JP6609041 B2 JP 6609041B2 JP 2018513215 A JP2018513215 A JP 2018513215A JP 2018513215 A JP2018513215 A JP 2018513215A JP 6609041 B2 JP6609041 B2 JP 6609041B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support substrate
- film
- target
- graphite film
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
- G21K5/08—Holders for targets or for other objects to be irradiated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
- B32B9/007—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile comprising carbon, e.g. graphite, composite carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
- C01B32/205—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
- C01B32/21—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21G—CONVERSION OF CHEMICAL ELEMENTS; RADIOACTIVE SOURCES
- G21G1/00—Arrangements for converting chemical elements by electromagnetic radiation, corpuscular radiation or particle bombardment, e.g. producing radioactive isotopes
- G21G1/04—Arrangements for converting chemical elements by electromagnetic radiation, corpuscular radiation or particle bombardment, e.g. producing radioactive isotopes outside nuclear reactors or particle accelerators
- G21G1/10—Arrangements for converting chemical elements by electromagnetic radiation, corpuscular radiation or particle bombardment, e.g. producing radioactive isotopes outside nuclear reactors or particle accelerators by bombardment with electrically charged particles
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21G—CONVERSION OF CHEMICAL ELEMENTS; RADIOACTIVE SOURCES
- G21G4/00—Radioactive sources
- G21G4/04—Radioactive sources other than neutron sources
- G21G4/06—Radioactive sources other than neutron sources characterised by constructional features
- G21G4/08—Radioactive sources other than neutron sources characterised by constructional features specially adapted for medical application
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H6/00—Targets for producing nuclear reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/10—Solid density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/32—Thermal properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2277/00—Applications of particle accelerators
- H05H2277/10—Medical devices
- H05H2277/11—Radiotherapy
- H05H2277/116—Isotope production
Description
以下、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る放射性同位元素製造用ターゲット板の構成を示す断面図である。
ターゲット1を構成する物質は、荷電粒子線Xの照射により目的とする放射性同位元素を得ることができる元素から選択される。荷電粒子が陽子である場合、235U,68Zn,203Tl,201Pb,79Br,112Cd,74Se,50Cr,58Fe,などの多様なターゲット物質が用いられ、61Cu,63Cu,67Ga,82Sr/82mRb,89Zr,124I,67Cu,125I,211At,225Ac/213Bi、99Mo/99mTc、99mTc,123I,111In,201Tl,67Gaなどの多様な放射性同位元素が製造される。これらの放射性同位元素は病気の診断、治療に広く使用されている。例えば、67Ga製造の際の核反応は68Zn(p,2n)と表現され、201Tl製造の場合の核反応は203Tl(p、3n)201Pb→201Tlと表現される。
支持基板2は、膜面が荷電粒子線Xと交差するように配されたグラファイト膜である。支持基板2を構成するグラファイト膜は、膜面方向の熱伝導度は、1200W/(m・K)以上であり、厚さが、0.05μm以上、100μm以下であれば、その他の構成は特に限定されない。かかるグラファイト膜は、0.05μm以上、100μm以下という薄い膜厚であっても、荷電粒子線Xの照射に対し十分な耐久性・耐熱性を有し、かつ、高い熱伝導性を有しているので、好ましい。なお、ここでいう厚さとは、支持基板2の荷電粒子線Xの透過方向における長さをいう。
本実施形態におけるグラファイト膜の製造方法は、特に限定されないが、例えば、高分子膜を焼成等の熱処理することによって、グラファイト膜を作製する方法が挙げられる。具体的には、本実施形態の一例のグラファイト膜の製造方法は、芳香族ポリイミドフィルムを炭化する炭化工程と、炭化した芳香族ポリイミドフィルムを黒鉛化する黒鉛化工程と、を含む。
炭化工程は、出発物質である芳香族ポリイミドフィルムを減圧下もしくは窒素ガス中で予備加熱処理して炭化を行う。炭化の熱処理温度としては、最低500℃以上である事が好ましく、より好ましくは600℃以上、700℃以上で熱処理することが最も好ましい。炭素化処理の過程で、出発高分子フィルムにシワが発生しないように、フィルムの破損が起きない程度にフィルムの厚み方向に圧力、またはフィルム面と並行方向に引張り張力を加えてもよい。
黒鉛化工程では、炭化したポリイミドフィルムを一度取り出した後、黒鉛化用の炉に移し変えてから黒鉛化を行ってもよいし、炭化から黒鉛化を連続的に行ってもよい。黒鉛化は、減圧下もしくは不活性ガス中で行われるが、不活性ガスとしてはアルゴン、ヘリウムが適当である。熱処理温度(焼成温度)としては2400℃以上、好ましくは2600℃以上、更に好ましくは2800℃以上まで処理するとよい。なお、黒鉛化工程において、フィルムの厚み方向に圧力を加えてもよいし、フィルム面と並行方向に引っ張り張力を加えてもよい。
本実施形態におけるグラファイト膜の膜面方向の熱伝導度は、1200W/(m・K)以上であり、1400W/(m・K)以上であることが好ましく、1600W/(m・K)以上であることがより好ましく、1800W/(m・K)以上であることがさらに好ましい。
ここで、Aは、グラファイト膜の膜面方向の熱伝導度、αは、グラファイト膜の膜面方向の熱拡散率、dは、グラファイト膜の密度、Cpは、グラファイト膜の比熱容量をそれぞれ表わしている。なお、グラファイト膜の膜面方向の密度、熱拡散率、および比熱容量は、以下に述べる方法で求める。
本実施形態におけるグラファイト膜の厚さは、0.05μm以上、100μm以下であり、より好ましくは0.1μm以上、50μm以下であり、特に好ましくは0.5μm以上、25μm以下である。この様な厚さの場合、ビーム照射した場合でも、支持基板2が放射化し難いため好ましい。
本実施形態におけるグラファイト膜の膜面方向の電気伝導度は、特に限定されないが、12000S/cm以上であることが好ましく、14000S/cm以上であることが好ましく、16000S/cm以上であることがより好ましく、18000S/cm以上であることがより好ましく、20000S/cm以上であることが最も好ましい。
本実施形態におけるグラファイト膜の密度は、特に限定されないが、1.40g/cm3以上が好ましく、1.60g/cm3以上が好ましく、1.80g/cm3以上がより好ましく、2.00g/cm3以上がより好ましく、2.10g/cm3以上がより好ましい。グラファイト膜の密度が1.40g/cm3以上であれば、グラファイト膜自体の自己支持性、機械的強度特性に優れるので好ましい。
グラファイト膜のMIT耐屈曲試験における屈曲回数は、500回以上が好ましく、より好ましくは1000回以上、更に好ましくは5000回以上、特に好ましくは10000回以上であるとよい。
ターゲット板10においては、荷電粒子線Xは、グラファイト膜からなる支持基板2を通過する。支持基板2を通過する荷電粒子線のエネルギーは、比較的低い。標的物質(ここでは支持基板2)の荷電粒子に対する衝突阻止能(エネルギー損失)は、下記のBetheの式(3)によって表される。
グラファイト膜からなる支持基板2上にターゲット1を形成する方法は、特に限定されず、ターゲット1の特性に応じて適宜選択され得る。例えば、物理的気相成長法により、ターゲット1を支持基板2上に形成することができる。また、物理的気相成長法は、ターゲット1の構成原子を含む固体の物質を物理的作用により原子、分子またはクラスタ状にし、支持基板2が設けられた空間に供給して支持基板2上にターゲット1の薄膜を形成する技術である。本実施形態に適用可能な物理的気相成長法は、公知の方法であればよく、例えば真空蒸着、イオンプレーティング、イオン化クラスタビーム蒸着、スパッタ蒸着、イオン化クラスタ蒸着、マグネトロンスパッタ方法等が挙げられる。
本発明の他の実施形態について、図3に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明のさらに他の実施形態について、図4に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明のさらに他の実施形態について、図5に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明の一態様に係る支持基板は、荷電粒子線を照射するターゲットを支持する放射性同位元素製造用の支持基板であって、膜面が荷電粒子線と交差するように配された1または複数のグラファイト膜を有し、各グラファイト膜の膜面方向の熱伝導度は、1200W/(m・K)以上であり、各グラファイト膜の厚さは、0.05μm以上、100μm以下であることを特徴としている。
高分子焼成法により、グラファイト膜で構成された支持基板を作製した。
〔実施例1〕
ターゲットを支持する支持基板としての厚さ1.6μmのグラファイト膜を所定の寸法に切り出し、切り出したグラファイト膜を専用のフレームにセットした。そして、グラファイト膜をセットしたフレームを30Mevサイクロトロン装置(ACSI TR−30)に取り付けた。そして、マグネトロンスパッタリング装置内にて、真空スパッタ法により、グラファイト膜上にターゲット材料としての68Zn膜を形成した。
ターゲットを支持する支持基板としての厚さ2μmのチタン膜を所定の大きさに切断し、切り出したグラファイト膜を専用のフレームにセットした。そして、チタン膜をセットしたフレームを30Mevサイクロトロン装置(ACSI TR−30)に取り付けた。そして、マグネトロンスパッタリング装置内にて、真空スパッタ法により、チタン膜上にターゲットとしての68Zn膜を形成した。
2、2A、2B、2C 支持基板(放射性同位元素製造用の支持基板)
3 金属板
3a 冷媒流路(冷却機構)
10、10A、10B、10C ターゲット板(放射性同位元素製造用ターゲット板)
Claims (13)
- 荷電粒子線を照射するターゲットを支持する放射性同位元素製造用の支持基板であって、
膜面が荷電粒子線と交差するように配された1または複数のグラファイト膜を有し、
各グラファイト膜の膜面方向の熱伝導度は、1200W/(m・K)以上であり、
各グラファイト膜の厚さは、0.05μm以上、50μm以下であり、
前記グラファイト膜は、膜面方向の熱伝導度が膜厚方向の熱伝導度の50倍以上であることを特徴とする支持基板。 - 前記グラファイト膜の膜面方向の電気伝導度は、12000S/cm以上であることを特徴とする請求項1に記載の支持基板。
- 前記グラファイト膜は、膜面方向の電気伝導度が膜厚方向の電気伝導度の100倍以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の支持基板。
- 前記グラファイト膜が複数積層された積層体を有し、前記支持基板全体の厚さが0.1μm以上、1mm以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の支持基板。
- 前記グラファイト膜の密度は、1.40g/cm3以上、2.26g/cm3以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の支持基板。
- 前記グラファイト膜に積層された、金属からなる金属板を含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の支持基板。
- 前記金属板は、冷却機構を有することを特徴とする請求項6に記載の支持基板。
- 前記グラファイト膜は、MIT耐屈曲試験における屈曲回数が500回以上のものであることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の支持基板。
- 荷電粒子線を照射するターゲットと、
前記ターゲットを支持する、請求項1〜8の何れか1項に記載の支持基板と、を備えた、放射性同位元素製造用ターゲット板。 - 請求項1〜8の何れか1項に記載の荷電粒子線を照射するターゲットを支持する放射性同位元素製造用の支持基板の製造方法であって、
前記支持基板の少なくとも一部を構成するグラファイト膜を、高分子膜を焼成することにより作製することを特徴とする支持基板の製造方法。 - 前記高分子膜の材料は、耐熱性芳香族高分子であることを特徴とする請求項10に記載の支持基板の製造方法。
- 前記耐熱性芳香族高分子は、芳香族ポリイミドであることを特徴とする請求項11に記載の支持基板の製造方法。
- 前記高分子膜を不活性ガス中にて2400℃以上の温度で焼成し、黒鉛化することを特徴とする請求項10〜12の何れか1項に記載の支持基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016085301 | 2016-04-21 | ||
JP2016085301 | 2016-04-21 | ||
PCT/JP2017/015932 WO2017183697A1 (ja) | 2016-04-21 | 2017-04-20 | 放射性同位元素製造用の支持基板、放射性同位元素製造用ターゲット板、及び支持基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017183697A1 JPWO2017183697A1 (ja) | 2019-01-10 |
JP6609041B2 true JP6609041B2 (ja) | 2019-11-20 |
Family
ID=60116851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018513215A Active JP6609041B2 (ja) | 2016-04-21 | 2017-04-20 | 放射性同位元素製造用の支持基板、放射性同位元素製造用ターゲット板、及び支持基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11239003B2 (ja) |
EP (1) | EP3447774B1 (ja) |
JP (1) | JP6609041B2 (ja) |
CN (1) | CN108780672B (ja) |
WO (1) | WO2017183697A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020202726A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 | 放射性標識化合物の製造方法、製造装置、放射性標識化合物及び放射性同位体製造装置 |
US11315700B2 (en) * | 2019-05-09 | 2022-04-26 | Strangis Radiopharmacy Consulting and Technology | Method and apparatus for production of radiometals and other radioisotopes using a particle accelerator |
AU2022309543A1 (en) * | 2021-07-16 | 2024-02-15 | Neuboron Therapy System Ltd. | Target material for particle beam generation apparatus |
CN218652758U (zh) * | 2022-01-13 | 2023-03-21 | 新华锦集团有限公司 | Bnct用锂靶 |
CN114531768B (zh) * | 2022-03-07 | 2023-03-10 | 中国原子能科学研究院 | 一种医用核素生产的高功率固体靶 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2976486B2 (ja) | 1990-05-16 | 1999-11-10 | 松下電器産業株式会社 | グラファイトフィルムの製造方法 |
JP2999381B2 (ja) | 1994-10-17 | 2000-01-17 | 日本メジフィジックス株式会社 | 放射性同位元素生成用ターゲット板、その製造方法及び製造装置 |
JPH08222239A (ja) | 1995-02-10 | 1996-08-30 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 燃料電池用カーボンプレート及びその製造方法 |
JPH09142820A (ja) | 1995-11-21 | 1997-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 異方性黒鉛薄膜基板、並びにそれを用いた応用装置及び応用素子 |
US5920601A (en) | 1996-10-25 | 1999-07-06 | Lockheed Martin Idaho Technologies Company | System and method for delivery of neutron beams for medical therapy |
FR2792079B1 (fr) | 1999-04-08 | 2001-05-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif d'analyse d'objets radioactifs |
KR100858265B1 (ko) | 2001-06-05 | 2008-09-11 | 니혼 메디피직스 가부시키가이샤 | 피조사 표적으로부터의 방사성 동위원소 회수 방법 |
JP3950389B2 (ja) | 2002-08-14 | 2007-08-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線管 |
AU2003261889A1 (en) | 2003-09-02 | 2005-03-29 | Kaneka Corporation | Filmy graphite and process for producing the same |
JP2005326299A (ja) | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Institute Of Physical & Chemical Research | 低速陽電子生成のための減速材およびその製造方法 |
WO2005122654A1 (en) | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Truimf, Operating As A Joint Venture By The Governors Of The University Of Alberta, The University Of British Columbia, Carleton | Method of forming composite ceramic targets |
US20070297554A1 (en) * | 2004-09-28 | 2007-12-27 | Efraim Lavie | Method And System For Production Of Radioisotopes, And Radioisotopes Produced Thereby |
JP2006196353A (ja) | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Hitachi Ltd | 加速器中性子源及びこれを用いたホウ素中性子捕捉療法システム |
JP4783938B2 (ja) | 2005-10-04 | 2011-09-28 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 量子ビームモニタ用電極及び量子ビームモニタ装置 |
AU2007227489A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Triumf | Self-supporting multilayer films having a diamond-like carbon layer |
US8092908B2 (en) | 2007-05-17 | 2012-01-10 | Kaneka Corporation | Graphite film and graphite composite film |
JP5647273B2 (ja) | 2010-03-10 | 2014-12-24 | ザ サウス アフリカン ニュークリア エナジー コーポレイション リミティド | 放射性核種の生成方法 |
JP3186199U (ja) | 2010-09-21 | 2013-09-26 | グラフテック インターナショナル ホールディングス インコーポレーテッド | 複合ヒートスプレッダ |
JP5700536B2 (ja) | 2011-03-04 | 2015-04-15 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 複合型ターゲット |
JP5697021B2 (ja) | 2010-11-29 | 2015-04-08 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
US20130279638A1 (en) | 2010-11-29 | 2013-10-24 | Inter-University Research Insitute Corporation High Energy Accelerator Research | Composite type target, neutron generating method in use thereof and neutron generating apparatus in use thereof |
JP2012243640A (ja) | 2011-05-20 | 2012-12-10 | High Energy Accelerator Research Organization | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
JP5751673B2 (ja) | 2011-09-02 | 2015-07-22 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
JP5361852B2 (ja) | 2010-12-17 | 2013-12-04 | 株式会社カネカ | フィルム状グラファイトとその製造方法 |
KR20140050597A (ko) | 2011-04-10 | 2014-04-29 | 더 거버너스 오브 더 유니버시티 오브 앨버타 | 몰리브덴 금속 타켓으로부터 테크네튬의 제조 |
JP5648588B2 (ja) | 2011-06-03 | 2015-01-07 | 住友電気工業株式会社 | アルミニウム構造体の製造方法およびアルミニウム構造体 |
JP5726644B2 (ja) | 2011-06-06 | 2015-06-03 | 住友重機械工業株式会社 | エネルギーデグレーダ、及びそれを備えた荷電粒子線照射システム |
JP2013206726A (ja) | 2012-03-28 | 2013-10-07 | High Energy Accelerator Research Organization | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 |
US20130280470A1 (en) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Julian Norly | Thermal Management For Aircraft Composites |
JP6099184B2 (ja) | 2012-05-16 | 2017-03-22 | 住友重機械工業株式会社 | 放射性同位元素製造装置 |
EP3014628B8 (en) * | 2013-06-27 | 2018-06-06 | Mallinckrodt Nuclear Medicine LLC | Process of generating germanium-68 |
JP5830500B2 (ja) * | 2013-07-25 | 2015-12-09 | 株式会社カネカ | グラファイトフィルムの製造方法 |
JP6406760B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2018-10-17 | 株式会社カネカ | グラファイトシート、その製造方法、配線用積層板、グラファイト配線材料、および配線板の製造方法 |
US10292309B2 (en) | 2013-11-12 | 2019-05-14 | Jnc Corporation | Heat sink |
EP2881970A1 (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-10 | Fei Company | Method of producing a freestanding thin film of nano-crystalline carbon |
CA2938158C (en) * | 2014-01-31 | 2021-10-26 | Istituto Nazionale Di Fisica Nucleare | Method for producing beta emitting radiopharmaceuticals, and beta emitting radiopharmaceuticals thus obtained |
AU2015261131B2 (en) | 2014-05-13 | 2018-02-22 | Paul Scherrer Institut | Production of 43Sc radionuclide and radiopharmaceuticals thereof for use in Positron Emission Tomography |
WO2016167311A1 (ja) | 2015-04-15 | 2016-10-20 | 株式会社カネカ | イオンビーム用の荷電変換膜 |
US10005099B2 (en) * | 2015-07-20 | 2018-06-26 | Nanotek Instruments, Inc. | Production of highly oriented graphene oxide films and graphitic films derived therefrom |
JP6748110B2 (ja) | 2015-11-30 | 2020-08-26 | 株式会社カネカ | エネルギーデグレーダ、及びそれを備えた荷電粒子線照射システム |
US20190122780A1 (en) | 2016-04-21 | 2019-04-25 | Kaneka Corporation | Target, target production method, and neutron generation device |
-
2017
- 2017-04-20 JP JP2018513215A patent/JP6609041B2/ja active Active
- 2017-04-20 US US16/077,377 patent/US11239003B2/en active Active
- 2017-04-20 WO PCT/JP2017/015932 patent/WO2017183697A1/ja active Application Filing
- 2017-04-20 CN CN201780013388.0A patent/CN108780672B/zh active Active
- 2017-04-20 EP EP17786034.3A patent/EP3447774B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11239003B2 (en) | 2022-02-01 |
EP3447774A1 (en) | 2019-02-27 |
US20190051426A1 (en) | 2019-02-14 |
CN108780672A (zh) | 2018-11-09 |
WO2017183697A1 (ja) | 2017-10-26 |
JPWO2017183697A1 (ja) | 2019-01-10 |
CN108780672B (zh) | 2022-03-01 |
EP3447774B1 (en) | 2020-05-27 |
EP3447774A4 (en) | 2019-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6609041B2 (ja) | 放射性同位元素製造用の支持基板、放射性同位元素製造用ターゲット板、及び支持基板の製造方法 | |
CN109074890B (zh) | 靶、靶的制造方法、及中子发生装置 | |
JP6683687B2 (ja) | イオンビームの荷電変換方法 | |
JP6635941B2 (ja) | 高真空用層間熱接合性グラファイトシート | |
US10332648B2 (en) | Charge stripping film for charge stripping device of ion beam | |
JP6218174B2 (ja) | 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置 | |
JP6748110B2 (ja) | エネルギーデグレーダ、及びそれを備えた荷電粒子線照射システム | |
JP5700536B2 (ja) | 複合型ターゲット | |
Singh et al. | Effect of graphene on thermal conductivity of laser cladded copper | |
WO2017188117A1 (ja) | ビーム強度変換膜、及びビーム強度変換膜の製造方法 | |
JP4783938B2 (ja) | 量子ビームモニタ用電極及び量子ビームモニタ装置 | |
JP7165656B2 (ja) | プロトンビーム又は中性子ビーム照射用ターゲット及びそれを用いた放射性物質の発生方法 | |
CN109564789B (zh) | 离子束电荷转换方法 | |
WO2023136238A1 (ja) | Bnct用リチウムターゲット及びbnct用リチウムターゲットを用いた中性子発生方法 | |
Butenko et al. | TiO₂-2 radiating damages as a result of the irradiation helium ions with energies of 0.12 and 4 MeV on the linear accelerator | |
Aitkaliyeva | Irradiation stability of carbon nanotubes and related materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191024 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6609041 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |