JP6601449B2 - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents

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Description

本発明は内燃機関の排気浄化装置に関する。
従来、内燃機関の排気通路に触媒及び排気センサ(空燃比センサ、NOxセンサ等)を配置し、排気エミッションの悪化を抑制すべく、排気センサの出力に基づいて、触媒に流入する排気ガスの空燃比を制御することが知られている。例えば、特許文献1に記載の内燃機関では、空燃比が理論空燃比又はリッチである非リーン運転が実施され、触媒において生成されるアンモニアの排出量を抑制すべく、NOxセンサの出力値が所定値以上に達したときに空燃比のリッチ度合が小さくされる。
特開2008−175173号公報
しかしながら、空燃比がリッチにされた場合、内燃機関の燃焼室から排気通路に排出される未燃ガス(HC、CO等)の量が増加する。このため、空燃比がリッチにされた状態が長時間維持されると、触媒から未燃ガスが流出し、排気エミッションが悪化する。
これに対して、特許文献1は、空燃比がリッチにされたときに未燃ガスの排出量が増加すること及び触媒から流出する未燃ガスの量を抑制するための制御について何ら言及していない。実際、特許文献1に記載の内燃機関では、非リーン運転においてNOxセンサの出力値が所定値以上に達したときにアンモニアの排出量を抑制すべく空燃比のリッチ度合が小さくされるが、非リーン運転が継続される。このため、触媒から未燃ガスが流出し、排気エミッションが悪化する。
そこで、本発明の目的は、空燃比がリッチにされた場合に触媒から流出する未燃ガスの量を抑制することができる、内燃機関の排気浄化装置を提供することにある。
本開示の要旨は以下のとおりである。
(1)内燃機関の排気通路に配置されると共に酸素を吸蔵可能な触媒と、前記排気通路において前記触媒の排気流れ方向下流側に配置されたアンモニア検出装置と、前記触媒に流入する流入排気ガスの空燃比を目標空燃比に制御する空燃比制御部とを備え、前記空燃比制御部は、前記目標空燃比を理論空燃比よりもリッチにするリッチ制御を実行し、該リッチ制御において、前記アンモニア検出装置の出力値が基準値まで上昇したときに前記目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする、内燃機関の排気浄化装置。
(2)前記排気通路において前記触媒の排気流れ方向下流側に配置された空燃比検出装置を更に備え、前記空燃比制御部は、前記リッチ制御において、前記アンモニア検出装置の出力値が前記基準値まで上昇する前に前記空燃比検出装置によって検出された空燃比が理論空燃比よりもリッチなリッチ判定空燃比まで低下した場合には、該空燃比検出装置によって検出された空燃比が該リッチ判定空燃比まで低下したときに前記目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする、上記(1)に記載の内燃機関の排気浄化装置。
(3)前記空燃比制御部は、前記目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにするリーン制御と、前記リッチ制御とを交互に実行する、上記(1)又は(2)に記載の内燃機関の排気浄化装置。
(4)前記触媒の温度又は該触媒から流出する排気ガスの温度を検出又は推定する温度検出部を更に備え、前記空燃比制御部は、前記温度検出部によって検出又は推定された温度が高いほど、前記基準値を小さくする、上記(1)から(3)のいずれか1つに記載の内燃機関の排気浄化装置。
(5)前記触媒の温度又は該触媒から流出する排気ガスの温度を検出又は推定する温度検出部を更に備え、前記空燃比制御部は、前記温度検出部によって検出又は推定された温度が高いほど、前記リッチ制御における前記目標空燃比のリッチ度合を小さくする、上記(1)から(3)のいずれか1つに記載の内燃機関の排気浄化装置。
(6)前記アンモニア検出装置はNOxセンサのセンサセルである、上記(1)から(5)のいずれか1つに記載の内燃機関の排気浄化装置。
本発明によれば、空燃比がリッチにされた場合に触媒から流出する未燃ガスの量を抑制することができる、内燃機関の排気浄化装置が提供される。
図1は、本発明の第一実施形態に係る内燃機関の排気浄化装置が設けられた内燃機関を概略的に示す図である。 図2は、触媒の酸素吸蔵量と触媒から流出する排気ガス中のNOx濃度又はHC、CO濃度との関係を示す図である。 図3は、各排気空燃比におけるセンサ印加電圧と出力電流との関係を示す図である。 図4は、センサ印加電圧を一定にしたときの排気空燃比と出力電流との関係を示す図である。 図5は、酸素吸蔵量が少ない状態の上流側触媒を概略的に示す図である。 図6は、酸素吸蔵量がほぼゼロの状態の上流側触媒を概略的に示す図である。 図7は、酸素が吸蔵された上流側触媒にリッチ空燃比の排気ガスが流入し続けたときの流出排気ガス中の各成分濃度のタイムチャートである。 図8は、リッチ制御が実行されるときの流入排気ガスの目標空燃比等のタイムチャートである。 図9は、本発明の第一実施形態における目標空燃比設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。 図10は、本発明の第二実施形態に係る内燃機関の排気浄化装置が設けられた内燃機関の排気通路の一部を概略的に示す図である。 図11は、第二実施形態における空燃比制御が実行されるときの流入排気ガスの目標空燃比等のタイムチャートである。 図12は、本発明の第三実施形態に係る内燃機関の排気浄化装置が設けられた内燃機関の排気通路の一部を概略的に示す図である。 図13は、流出排気ガスの温度と基準値との関係を示すマップである。 図14は、本発明の第三実施形態における基準値設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。 図15は、流出排気ガスの温度とリッチ設定空燃比との関係を示すマップである。 図16は、本発明の第四実施形態におけるリッチ設定空燃比設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。 図17は、本発明の第四実施形態における目標空燃比設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。 図18は、本発明の第五実施形態に係る内燃機関の排気浄化装置が設けられた内燃機関を概略的に示す図である。 図19は、NOxセンサのセンサ素子の断面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同様な構成要素には同一の参照番号を付す。
<第一実施形態>
最初に図1〜図9を参照して、本発明の第一実施形態について説明する。
<内燃機関全体の説明>
図1は、本発明の第一実施形態に係る内燃機関の排気浄化装置が設けられた内燃機関100を概略的に示す図である。図1に示される内燃機関100は火花点火式内燃機関(ガソリンエンジン)である。内燃機関100は車両に搭載される。
図1を参照すると、2はシリンダブロック、3はシリンダブロック2内で往復動するピストン、4はシリンダブロック2上に固定されたシリンダヘッド、5はピストン3とシリンダヘッド4との間に形成された燃焼室、6は吸気弁、7は吸気ポート、8は排気弁、9は排気ポートをそれぞれ示す。吸気弁6は吸気ポート7を開閉し、排気弁8は排気ポート9を開閉する。シリンダブロック2は気筒28を画定する。
図1に示したように、シリンダヘッド4の内壁面の中央部には点火プラグ10が配置され、シリンダヘッド4の内壁面周辺部には燃料噴射弁11が配置される。点火プラグ10は、点火信号に応じて火花を発生させるように構成される。また、燃料噴射弁11は、噴射信号に応じて、所定量の燃料を燃焼室5内に噴射する。本実施形態では、燃料として理論空燃比が14.6であるガソリンが用いられる。
各気筒の吸気ポート7はそれぞれ対応する吸気枝管13を介してサージタンク14に連結され、サージタンク14は吸気管15を介してエアクリーナ16に連結される。吸気ポート7、吸気枝管13、サージタンク14、吸気管15等は、空気を燃焼室5に導く吸気通路を形成する。また、吸気管15内には、スロットル弁駆動アクチュエータ17によって駆動されるスロットル弁18が配置される。スロットル弁18は、スロットル弁駆動アクチュエータ17によって回動せしめられることで、吸気通路の開口面積を変更することができる。
一方、各気筒の排気ポート9は排気マニホルド19に連結される。排気マニホルド19は、各排気ポート9に連結される複数の枝部と、これら枝部が集合した集合部とを有する。排気マニホルド19の集合部は、上流側触媒20を内蔵した上流側ケーシング21に連結される。上流側ケーシング21は、排気管22を介して、下流側触媒24を内蔵した下流側ケーシング23に連結される。排気ポート9、排気マニホルド19、上流側ケーシング21、排気管22、下流側ケーシング23等は、燃焼室5における混合気の燃焼によって生じた排気ガスを排出する排気通路を形成する。
内燃機関100の各種制御は電子制御ユニット(ECU)31によって実行される。電子制御ユニット(ECU)31はデジタルコンピュータからなり、双方向性バス32を介して相互に接続されたRAM(ランダムアクセスメモリ)33、ROM(リードオンリメモリ)34、CPU(マイクロプロセッサ)35、入力ポート36および出力ポート37を具備する。吸気管15には、吸気管15内を流れる空気の流量を検出するエアフロメータ39が配置され、エアフロメータ39の出力は対応するAD変換器38を介して入力ポート36に入力される。
また、排気マニホルド19の集合部、すなわち上流側触媒20の排気流れ方向上流側には、排気マニホルド19内を流れる排気ガス(すなわち、上流側触媒20に流入する排気ガス)の空燃比を検出する上流側空燃比センサ40が配置される。上流側空燃比センサ40の出力は対応するAD変換器38を介して入力ポート36に入力される。
また、排気管22内、すなわち上流側触媒20の排気流れ方向下流側には、排気管22内を流れる排気ガス(すなわち、上流側触媒20から流出する排気ガス)中のアンモニア濃度(NH3濃度)を検出するアンモニアセンサ(NH3センサ)46が配置される。アンモニアセンサ46は排気流れ方向において上流側触媒20と下流側触媒24との間に配置される。アンモニアセンサ46の出力は対応するAD変換器38を介して入力ポート36に入力される。
また、アクセルペダル42にはアクセルペダル42の踏込み量に比例した出力電圧を発生する負荷センサ43が接続され、負荷センサ43の出力電圧は対応するAD変換器38を介して入力ポート36に入力される。クランク角センサ44は例えばクランクシャフトが15度回転する毎に出力パルスを発生し、この出力パルスが入力ポート36に入力される。CPU35ではクランク角センサ44の出力パルスから機関回転数が計算される。一方、出力ポート37は対応する駆動回路45を介して点火プラグ10、燃料噴射弁11及びスロットル弁駆動アクチュエータ17に接続される。
なお、上述した内燃機関100は、ガソリンを燃料とする無過給内燃機関であるが、内燃機関100の構成は、上記構成に限定されるものではない。したがって、気筒配列、燃料の噴射態様、吸排気系の構成、動弁機構の構成、過給器の有無のような内燃機関100の具体的な構成は、図1に示した構成と異なっていてもよい。例えば、燃料噴射弁11は、吸気ポート7内に燃料を噴射するように配置されてもよい。また、内燃機関100は、圧縮自着火式内燃機関(ディーゼルエンジン)であってもよい。
<触媒の説明>
排気通路に配置された上流側触媒20及び下流側触媒24は同様な構成を有する。触媒20、24は酸素吸蔵能力を有する。触媒20、24は例えば三元触媒である。具体的には、触媒20、24は、セラミックから成る基材に、触媒作用を有する貴金属(例えば、白金(Pt))及び酸素吸蔵能力を有する物質(例えば、セリア(CeO2))を担持させたものである。触媒20、24は、所定の活性温度に達すると、未燃ガス(HC、CO等)と窒素酸化物(NOx)とを同時に浄化することができる。
触媒20、24は、触媒20、24に流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比よりもリーンな空燃比(以下、「リーン空燃比」という)であるときには排気ガス中の酸素を吸蔵する。一方、触媒20、24は、流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比よりもリッチな空燃比(以下、「リッチ空燃比」という)であるときには、触媒20、24に吸蔵されている酸素を放出する。
触媒20、24は、触媒作用及び酸素吸蔵能力を有することにより、酸素吸蔵量に応じてNOx及び未燃ガスの浄化作用を有する。触媒20、24に流入する排気ガスの空燃比がリーン空燃比である場合、図2(A)に示したように、酸素吸蔵量が少ないときには、排気ガス中の酸素が触媒20、24に吸蔵され、排気ガス中のNOxが還元浄化される。また、酸素吸蔵量が多くなると、最大吸蔵可能酸素量Cmax近傍の或る吸蔵量(図中のCuplim)を境に、触媒20、24から流出する排気ガス中の酸素及びNOxの濃度が急激に上昇する。
一方、触媒20、24に流入する排気ガスの空燃比がリッチ空燃比である場合、図2(B)に示したように、酸素吸蔵量が多いときには、触媒20、24に吸蔵されている酸素が放出され、排気ガス中の未燃ガスが酸化浄化される。また、酸素吸蔵量が少なくなると、ゼロ近傍の或る吸蔵量(図中のClowlim)を境に、触媒20、24から流出する排気ガス中の未燃ガスの濃度が急激に上昇する。したがって、触媒20、24に流入する排気ガスの空燃比及び触媒20、24の酸素吸蔵量に応じて、排気ガス中のNOx及び未燃ガスの浄化特性が変化する。
なお、触媒20、24は、触媒作用及び酸素吸蔵能力を有していれば、三元触媒とは異なる触媒であってもよい。また、下流側触媒24は省略されてもよい。
<空燃比センサの出力特性>
次に、図3及び図4を参照して、上流側空燃比センサ40の出力特性について説明する。図3は、上流側空燃比センサ40の電圧−電流(V−I)特性を示す図である。図4は、印加電圧を一定に維持したときの、上流側空燃比センサ40に供給される排気ガスの空燃比(以下、「排気空燃比」という)と、上流側空燃比センサ40の出力電流Iとの関係を示すグラフである。
図3からわかるように、上流側空燃比センサ40の出力電流Iは、排気空燃比が高くなるほど(リーンになるほど)、大きくなる。また、各排気空燃比におけるV−I線には、V軸にほぼ平行な領域、すなわち印加電圧が変化しても出力電流がほとんど変化しない領域が存在する。この電圧領域は限界電流領域と称され、このときの電流は限界電流と称される。図3では、排気空燃比が18であるときの限界電流領域及び限界電流をそれぞれW18、I18で示している。したがって、上流側空燃比センサ40は限界電流式の空燃比センサである。
図4は、印加電圧を0.45V程度で一定にしたときの、排気空燃比と出力電流Iとの関係を示す図である。図4からわかるように、上流側空燃比センサ40では、排気空燃比が高くなるほど(すなわち、リーンになるほど)、上流側空燃比センサ40の出力電流Iが大きくなる。すなわち、排気空燃比に対して出力電流Iがリニアに(比例するように)変化する。加えて、上流側空燃比センサ40は、排気空燃比が理論空燃比であるときに出力電流Iがゼロになるように構成される。
したがって、上流側空燃比センサ40に所定電圧を印加した状態で上流側空燃比センサ40の出力を検出することによって、上流側空燃比センサ40に供給される排気ガスの空燃比を検出することができる。本実施形態では、上流側空燃比センサ40を用いて、上流側触媒20に流入する排気ガスの空燃比(以下、「流入排気ガス」という)を検出することができる。
<触媒の排気浄化メカニズム>
以下、リッチ空燃比の排気ガスが上流側触媒20に流入したときに上流側触媒20において排気ガスが浄化されるメカニズムについて詳細に説明する。図5は、酸素吸蔵量が少ない状態の上流側触媒20を概略的に示す図である。図5には、排気流れ方向が矢印で示されている。この例では、リッチ空燃比の排気ガスが上流側触媒20に流入し続けている。リッチ空燃比の排気ガスが上流側触媒20に流入すると、未燃ガスを浄化するために、上流側触媒20に吸蔵された酸素が放出される。上流側触媒20に吸蔵された酸素は上流側触媒20の排気流れ方向上流側から順に放出される。このため、図5の例では、上流側触媒20の下流側にのみ、酸素が吸蔵された酸素吸蔵領域20cが残されている。
リッチ空燃比の排気ガスには、主に、一酸化炭素(CO)、炭化水素(HC)、窒素酸化物(NOx)、酸素(O2)、二酸化炭素(CO2)、水(H2O)、水素(H2)及び窒素(N2)が含まれる。空燃比のリッチ度合が大きいほど、排気ガス中の炭化水素及び一酸化炭素の濃度が高くなり、排気ガス中のNOxの濃度が低くなる。図5に示した状態において排気ガスが上流側触媒20に流入すると、最初に、上流側触媒20の上流側領域20aにおいて、燃焼室5において燃焼されなかった未燃酸素が下記の酸素消費反応(1)によって消費される。
2+HC+CO+H2→H2O+CO2…(1)
上流側領域20aと酸素吸蔵領域20cとの間の領域は、吸蔵された酸素のほとんどが放出されたリッチ領域20bである。リッチ領域20bは図5において斜線で示されている。リッチ領域20bでは、下記の水性ガスシフト反応(2)及び水蒸気改質反応(3)が生じる。
CO+H2O→H2+CO2…(2)
HC+H2O→CO+H2…(3)
また、リッチ領域20bでは、下記のNO浄化反応(4)によってアンモニア(NH3)が生成される。
NO+CO+H2→N2+H2O+CO2+NH3…(4)
また、リッチ領域20bにも、酸素が僅かに残されている。また、水素はアンモニアよりも酸素との反応性が高い。このため、リッチ領域20bにおいて、下記の水素酸化反応(5)が生じて、上記の水性ガスシフト反応(2)及び水蒸気改質反応(3)によって生成された水素の一部が酸化される。
2+O→H2O…(5)
一方、酸素吸蔵領域20cには、十分な量の酸素が吸蔵されている。このため、リッチ領域20bにおいて酸化されなかった水素は酸素吸蔵領域20cにおいて上記の水素酸化反応(5)によって水に変化する。また、リッチ領域20bにおいて上記のNO浄化反応(4)によって生成されたアンモニアは酸素吸蔵領域20cにおいて下記のアンモニア酸化反応(6)によって水及び窒素に浄化される。
NH3+O→H2O+N2…(6)
上述した化学反応によって上流側触媒20において排気ガス中の有害物質が浄化される。このため、上流側触媒20に酸素が吸蔵されている状態では、上流側触媒20から流出する排気ガス(以下、「流出排気ガス」という)には主に二酸化炭素、水及び窒素が含まれる。
一方、図6は、酸素吸蔵量がほぼゼロの状態の上流側触媒20を概略的に示す図である。図5の状態においてリッチ空燃比の排気ガスが上流側触媒20に更に流入すると、酸素吸蔵領域20cの酸素が放出され、図6に示されるように酸素吸蔵領域20cがリッチ領域20bに変化する。リッチ領域20bは図6において斜線で示されている。
図6の例においても、リッチ空燃比の排気ガスが上流側触媒20に流入している。リッチ空燃比の排気ガスが上流側触媒20に流入すると、図5の例と同様に、最初に、上流側領域20aにおいて、燃焼室5において燃焼されなかった未燃酸素が上記の酸素消費反応(1)によって消費される。次いで、リッチ領域20bにおいて、上記の水性ガスシフト反応(2)、水蒸気改質反応(3)、NO浄化反応(4)及び水素酸化反応(5)が生じる。
図6に示した上流側触媒20には、酸素吸蔵領域20cが存在しない。このため、リッチ領域20bにおいて上記のNO浄化反応(4)によって生成されたアンモニアは、酸化されることなく、上流側触媒20から流出する。一方、リッチ領域20bにおいて上記の水性ガスシフト反応(2)及び水蒸気改質反応(3)によって生成された水素の一部は、リッチ領域20bの酸素が枯渇するまで、上記の水素酸化反応(5)によって酸化される。このため、流出排気ガス中の水素濃度の上昇速度は、流出排気ガス中のアンモニア濃度の上昇速度よりも遅くなる。
図7は、酸素が吸蔵された上流側触媒20にリッチ空燃比の排気ガスが流入し続けたときの流出排気ガス中の各成分濃度のタイムチャートである。この例では、時刻t1において、リッチ空燃比の排気ガスによって上流側触媒20の酸素吸蔵領域20cがなくなり、上流側触媒20は図6の状態になっている。図6の状態では、アンモニアが酸化されないため、時刻t1以降、排気ガス中のアンモニア濃度が急激に上昇する。一方、上述したように、水素はアンモニアよりも酸素との反応性が高い。このため、水素は、上流側触媒20のリッチ領域20bにおける酸素が枯渇するまで酸化される。この結果、時刻t1以降、排気ガス中の水素濃度はアンモニア濃度よりもゆっくりと上昇する。
また、時刻t1以降、上流側触媒20のリッチ被毒が生じ、排気ガス中のリッチ成分(HC、CO等)によって上流側触媒20の貴金属が覆われるため、水性ガスシフト反応の反応性が低下する。この結果、時刻t1以降、上流側触媒20から一酸化炭素が流出し、排気ガス中の一酸化炭素濃度が徐々に上昇する。このとき、排気ガス中の一酸化炭素濃度はアンモニア濃度よりもゆっくりと上昇する。その後、上流側触媒20のリッチ被毒が進行し、水性ガスシフト反応の反応性が更に低下すると、排気ガス中の水素濃度は徐々に低下する。
また、上流側触媒20のリッチ被毒が進行すると、水蒸気改質反応の反応性も低下する。このため、時刻t1の後の時刻t2以降、上流側触媒20から炭化水素が流出し、排気ガス中の炭化水素濃度が徐々に上昇する。
アンモニアセンサ46は、流出排気ガス中のアンモニアを分解することで、流出排気ガス中のアンモニア濃度を検出する。このため、流出排気ガス中のアンモニア濃度が高いほど、アンモニアセンサ46の出力値は大きくなる。上述したように、上流側触媒20の酸素吸蔵量がゼロに近付くと、流出排気ガスにおいて、アンモニアの濃度が未燃ガス(炭化水素、一酸化炭素等)の濃度よりも早く上昇する。このため、アンモニアセンサ46の出力変化が検出されるときには、上流側触媒20から流出する未燃ガスの量は未だ少ない。
<内燃機関の排気浄化装置>
以下、本発明の第一実施形態に係る内燃機関100の排気浄化装置(以下、単に「排気浄化装置」という)について説明する。排気浄化装置は、上流側触媒20と、下流側触媒24と、排気通路において上流側触媒20の排気流れ方向下流側に配置されたアンモニア検出装置と、流入排気ガスの空燃比を目標空燃比に制御する空燃比制御部とを備える。本実施形態では、排気ガス中の有害物質は基本的に上流側触媒20において浄化され、下流側触媒24は補助的に用いられる。したがって、排気浄化装置は下流側触媒24を備えていなくてもよい。
アンモニア検出装置は流出排気ガス中のアンモニア濃度を検出する。本実施形態では、アンモニアセンサ46がアンモニア検出装置として機能する。また、ECU31が空燃比制御部として機能する。
空燃比制御部は、流入排気ガスの空燃比を目標空燃比に制御するとき、流入排気ガスの目標空燃比を設定し、流入排気ガスの空燃比が目標空燃比に一致するように、燃焼室5に供給される燃料量を制御する。空燃比制御部51は、燃料噴射弁11等を制御することによって、燃焼室5に供給される燃料量を制御することができる。
例えば、空燃比制御部は、上流側空燃比センサ40によって検出された空燃比が目標空燃比に一致するように、燃焼室5に供給される燃料量をフィードバック制御する。この場合、上流側空燃比センサ40は排気浄化装置の構成要素として機能する。なお、空燃比制御部51は、上流側空燃比センサ40を用いることなく、燃焼室5に供給される燃料量を制御してもよい。この場合、空燃比制御部51は、燃焼室5に供給される燃料と空気との比率が目標空燃比に一致するように、エアフロメータ39等によって検出された吸入空気量と、目標空燃比とから算出された量の燃料を燃焼室5に供給する。したがって、上流側空燃比センサ40は内燃機関100から省略されてもよい。
内燃機関100の排気エミッションを良好な状態に維持するためには、上流側触媒20の酸素吸蔵能力を維持して上流側触媒20排気浄化性能の低下を抑制する必要がある。上流側触媒20の酸素吸蔵能力を維持するためには、上流側触媒20の酸素吸蔵量が一定に維持されないように、上流側触媒20の酸素吸蔵量を定期的に変動させることが好ましい。このため、空燃比制御部は、上流側触媒20の酸素吸蔵量が減少するように目標空燃比を理論空燃比よりもリッチにするリッチ制御を実行する。空燃比制御部はリッチ制御における目標空燃比を理論空燃比よりもリッチなリッチ設定空燃比に設定する。リッチ設定空燃比は、予め定められ、例えば12.5〜14.5の範囲内に設定される。
しかしながら、リッチ制御が実行されると、燃焼室5から排気通路に排出される未燃ガスの量が増加する。このため、上流側触媒20の酸素が枯渇した後もリッチ制御が継続されると、上流側触媒20から多量の未燃ガスが流出し、排気エミッションが悪化する。
本実施形態では、上流側触媒20から多量の未燃ガスが流出することを抑制すべく、空燃比制御部は、リッチ制御においてアンモニアセンサ46の出力値が基準値まで上昇したときに目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする。すなわち、空燃比制御部は、リッチ制御においてアンモニアセンサ46の出力値が基準値まで上昇したときに、リッチ制御を終了し、上流側触媒20の酸素吸蔵量が増加するように目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにするリーン制御を実行する。基準値は、予め定められ、排気ガス中のアンモニアの所定濃度(例えば10ppm)に相当する値である。なお、基準値は、アンモニアが上流側触媒20から流出し始めたときにアンモニアセンサ46によって検出される値である。また、空燃比制御部はリーン制御における目標空燃比を理論空燃比よりもリーンなリーン設定空燃比に設定する。リーン設定空燃比は、予め定められ、例えば14.7〜15.5の範囲内に設定される。
上述した制御によって、上流側触媒20の酸素が枯渇して上流側触媒20から多量の未燃ガスが流出する前に、燃焼室5から排気通路に排出される未燃ガスの量を減少させると共に、上流側触媒20の酸素吸蔵量を回復させることができる。したがって、本実施形態では、空燃比がリッチにされた場合に上流側触媒20から流出する未燃ガスの量を抑制することができる。
<タイムチャートを用いた空燃比制御の説明>
以下、図8のタイムチャートを参照して、本実施形態における空燃比制御について具体的に説明する。図8は、リッチ制御が実行されるときの流入排気ガスの目標空燃比、上流側触媒20の酸素吸蔵量及びアンモニアセンサ46の出力値のタイムチャートである。
図示した例では、時刻t0において、流入排気ガスの目標空燃比は理論空燃比(14.6)に設定されている。また、時刻t0において、上流側触媒20には最大吸蔵可能酸素量Cmax未満の十分な量の酸素が吸蔵されている。このため、アンモニアセンサ46の出力値はゼロである。
その後、時刻t1において、リッチ制御が開始され、流入排気ガスの目標空燃比が理論空燃比からリッチ設定空燃比TAFrichに切り替えられる。この結果、時刻t1以降、上流側触媒20の酸素吸蔵量が徐々に低下する。
上流側触媒20の酸素吸蔵量がゼロに近付くと、上流側触媒20におけるアンモニアの酸化反応が抑制され、アンモニアが上流側触媒20から流出し始める。この結果、アンモニアセンサ46の出力値が、ゼロから上昇し、時刻t2において基準値Irefに達する。
このため、時刻t2において目標空燃比がリーン設定空燃比TAFleanに設定されて、リーン制御が開始される。すなわち、目標空燃比がリッチ設定空燃比TAFrichからリーン設定空燃比TAFleanに切り替えられる。このとき、上流側触媒20の酸素吸蔵量がゼロよりも多いため、未燃ガスは上流側触媒20からほとんど流出しない。その後、目標空燃比がリーン設定空燃比TAFleanに所定時間維持された後、時刻t3において目標空燃比が再び理論空燃比に設定される。
<目標空燃比設定処理>
以下、図9のフローチャートを参照して、本実施形態においてリッチ制御が実行されるときの空燃比制御について説明する。図9は、本発明の第一実施形態における目標空燃比設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。本制御ルーチンは、内燃機関100の始動後、ECU31によって所定の時間間隔で繰り返し実行される。
最初に、ステップS101において、空燃比制御部は実行条件が成立しているか否かを判定する。例えば、空燃比制御部は、アンモニアセンサ46が活性化している場合に実行条件が成立していると判定し、アンモニアセンサ46が活性化していない場合に実行条件が成立していないと判定する。空燃比制御部は、アンモニアセンサ46のセンサ素子の温度が所定温度以上である場合に、アンモニアセンサ46が活性化していると判定する。センサ素子の温度はセンサ素子のインピーダンス等に基づいて算出される。
ステップS101において実行条件が成立していないと判定された場合、本制御ルーチンは終了する。一方、ステップS101において実行条件が成立していると判定された場合、本制御ルーチンはステップS102に進む。
ステップS102では、空燃比制御部はリッチ制御が実行されているか否かを判定する。例えば、リッチ制御は、上流側触媒20の酸素吸蔵量を定期的に変動させるべく所定の実行間隔で実行される。また、内燃機関100の燃焼室5への燃料供給が停止される燃料カット制御が実行された場合、上流側触媒20に多量の酸素が流入し、上流側触媒20の酸素吸蔵量が最大吸蔵可能酸素量に達する。このため、上流側触媒20の酸素吸蔵量を減少させるべく、燃料カット制御が終了したときにもリッチ制御が開始される。空燃比制御部は、リッチ制御を開始するとき、流入排気ガスの目標空燃比TAFをリッチ設定空燃比TAFrichに設定する。
ステップS102においてリッチ制御が実行されていないと判定された場合、本制御ルーチンは終了する。一方、ステップS102においてリッチ制御が実行されていると判定された場合、本制御ルーチンはステップS103に進む。
ステップS103では、空燃比制御部はアンモニアセンサ46の出力値Iが基準値Iref以上であるか否かを判定する。アンモニアセンサ46の出力値Iが基準値Iref未満であると判定された場合、本制御ルーチンは終了する。この場合、目標空燃比TAFはリッチ設定空燃比TAFrichに維持される。一方、アンモニアセンサ46の出力値Iが基準値Iref以上であると判定された場合、本制御ルーチンはステップS104に進む。
ステップS104では、空燃比制御部は目標空燃比TAFをリーン設定空燃比TAFleanに設定する。したがって、空燃比制御部は目標空燃比をリッチ設定空燃比TAFrichからリーン設定空燃比TAFleanに切り替える。すなわち、空燃比制御部はリッチ制御を終了してリーン制御を開始する。ステップS104の後、本制御ルーチンは終了する。
<第二実施形態>
第二実施形態に係る排気浄化装置は、以下に説明する点を除いて、基本的に第一実施形態に係る排気浄化装置の構成及び制御と同様である。このため、以下、本発明の第二実施形態について、第一実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第二実施形態に係る排気浄化装置は、排気通路において上流側触媒20の排気流れ方向下流側に配置された空燃比検出装置を更に備える。空燃比検出装置は流出排気ガスの空燃比を検出する。
図10は、本発明の第二実施形態に係る内燃機関100aの排気浄化装置が設けられた内燃機関100aの排気通路の一部を概略的に示す図である。第二実施形態では、排気管22内、すなわち上流側触媒20の排気流れ方向下流側には、排気管22内を流れる排気ガス(すなわち、流出排気ガス)の空燃比を検出する下流側空燃比センサ41が配置される。下流側空燃比センサ41の出力は上流側空燃比センサ40と同様にECU31に送信される。第二実施形態では、下流側空燃比センサ41は、上流側空燃比センサ40と同一の構成を有する。また、下流側空燃比センサ41は排気浄化装置の空燃比検出装置として機能する。
第二実施形態では、空燃比制御部は、目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにするリーン制御と、目標空燃比を理論空燃比よりもリッチにするリッチ制御とを交互に実行する。空燃比制御部は、リッチ制御においてアンモニアセンサ46の出力値が基準値まで上昇したときに目標空燃比をリッチ設定空燃比からリーン設定空燃比に切り替え、リーン制御において下流側空燃比センサ41によって検出された空燃比がリーン判定空燃比まで上昇したときに目標空燃比をリーン設定空燃比からリッチ設定空燃比に切り替える。
リーン判定空燃比は、予め定められ、理論空燃比よりもリーンな値に設定される。下流側空燃比センサ41によって検出される空燃比は、上流側触媒20の酸素量が最大吸蔵可能酸素量未満であっても、理論空燃比から僅かにずれる場合がある。このため、リッチ判定空燃比は、理論空燃比に近いが、上流側触媒20の酸素量が最大吸蔵可能酸素量未満であるときには下流側空燃比センサ41によって検出されないような値に設定される。リーン判定空燃比は例えば14.65である。なお、リーン制御におけるリーン設定空燃比はリーン判定空燃比よりもリーンな値に設定される。
<タイムチャートを用いた空燃比制御の説明>
以下、図11のタイムチャートを参照して、第二実施形態における空燃比制御について具体的に説明する。図11は、第二実施形態における空燃比制御が実行されるときの流入排気ガスの目標空燃比、上流側触媒20の酸素吸蔵量、下流側空燃比センサ41によって検出された空燃比(下流側空燃比センサ41の出力空燃比)及びアンモニアセンサ46の出力値のタイムチャートである。
図示した例では、時刻t0において、流入排気ガスの目標空燃比はリーン設定空燃比TAFleanに設定されている。すなわち、時刻t0において、リーン制御が実行されている。このため、時刻t0において上流側触媒20の酸素吸蔵量は増加している。
時刻t0の後、上流側触媒20の酸素吸蔵量が最大吸蔵可能酸素量Cmaxに近付き、酸素及びNOxが上流側触媒20から流出し始める。この結果、時刻t1において、下流側空燃比センサ41の出力空燃比がリーン判定空燃比AFleanまで上昇する。このとき、上流側触媒20の酸素吸蔵量は最大吸蔵可能酸素量Cmaxである。
時刻t1において、目標空燃比がリーン設定空燃比TAFleanからリッチ設定空燃比TAFrichに切り替えられ、リッチ制御が開始される。このため、時刻t1の後、上流側触媒20の酸素吸蔵量が徐々に減少し、下流側空燃比センサ41の出力空燃比が理論空燃比まで低下する。
上流側触媒20の酸素吸蔵量がゼロに近付くと、上流側触媒20におけるアンモニアの酸化反応が抑制され、アンモニアが上流側触媒20から流出し始める。この結果、アンモニアセンサ46の出力値が、ゼロから上昇し、時刻t2において基準値Irefに達する。このため、時刻t2において、目標空燃比がリッチ設定空燃比TAFrichからリーン設定空燃比TAFleanに切り替えられ、リーン制御が開始される。
時刻t2の後、上流側触媒20の酸素吸蔵量が最大吸蔵可能酸素量Cmaxに近付くと、酸素及びNOxが上流側触媒20から流出し始める。この結果、時刻t3において、下流側空燃比センサ41の出力空燃比がリーン判定空燃比AFleanまで上昇する。このため、時刻t3において、目標空燃比がリーン設定空燃比TAFleanからリッチ設定空燃比TAFrichに切り替えられ、リッチ制御が再び開始される。その後、上述した時刻t1〜時刻t3までの制御が繰り返される。
上述したように、上流側触媒20の酸素吸蔵量が一定に維持されると、上流側触媒20の酸素吸蔵能力が低下する。第二実施形態では、図11に示されるように、リーン制御とリッチ制御とを繰り返すことによって、上流側触媒20の酸素吸蔵量が常に変動する。したがって、上流側触媒20の排気浄化性能の低下をより一層抑制することができる。
また、第二実施形態においても、図9に示した目標空燃比設定処理の制御ルーチンが実行される。なお、空燃比制御部は、リーン制御を所定時間だけ実行してもよい。すなわち、空燃比制御部は、リーン制御が開始されてから所定時間が経過したときに目標空燃比をリーン設定空燃比からリッチ設定空燃比に切り替えてもよい。所定時間は、予め定められ、リーン制御において上流側触媒20の酸素吸蔵量が最大吸蔵可能酸素量に達しないような値に設定される。
また、空燃比制御部は、リーン制御において上流側触媒20の酸素吸蔵量の推定値が基準量まで上昇したときに目標空燃比をリーン設定空燃比からリッチ設定空燃比に切り替えてもよい。基準量は、予め定められ、上流側触媒20の最大吸蔵可能酸素量よりも少ない値に設定される。上流側触媒20の酸素吸蔵量の推定値は、上流側空燃比センサ40によって検出された空燃比又は流入排気ガスの目標空燃比、燃料噴射弁11の燃料噴射量等に基づいて算出される。
これら代替的な制御が実行される場合、リーン制御の終了時、すなわちリッチ制御の開始時に上流側触媒20からNOxが流出することを抑制することができる。また、下流側空燃比センサ41の出力が空燃比制御に用いられないため、排気浄化装置は下流側空燃比センサ41を備えていなくてもよい。
<第三実施形態>
第三実施形態に係る排気浄化装置は、以下に説明する点を除いて、基本的に第一実施形態に係る排気浄化装置の構成及び制御と同様である。このため、以下、本発明の第三実施形態について、第一実施形態と異なる部分を中心に説明する。
流出排気ガスの温度が高い場合、上流側触媒20から流出するアンモニアは排気ガスの熱によって分解される。このため、流出排気ガスの温度が高いほど、上流側触媒20から流出するアンモニアの量が少なくなり、流出排気ガス中のアンモニア濃度の変化量が小さくなる。この結果、アンモニア濃度の変化を検出できず、上流側触媒20から多量の未燃ガスが流出する前に流入排気ガスの目標空燃比をリーン設定空燃比に切り替えることができないおそれがある。
このため、第三実施形態では、流出排気ガスの温度に応じて、目標空燃比をリーン設定空燃比に切り替えるときのアンモニア濃度の閾値を変化させる。第三実施形態に係る排気浄化装置は、流出排気ガスの温度を検出する温度検出部を更に備える。第三実施形態では、ECU31が空燃比制御部及び温度検出部として機能する。
図12は、本発明の第三実施形態に係る内燃機関100bの排気浄化装置が設けられた内燃機関100bの排気通路の一部を概略的に示す図である。例えば、温度検出部は、温度センサ47を用いて流出排気ガスの温度を検出する。この場合、温度センサ47は排気浄化装置の構成要素として機能する。図12に示されるように、温度センサ47は、上流側触媒20よりも排気流れ方向下流側、具体的には上流側触媒20と下流側触媒24との間の排気管22内に配置される。温度センサ47の出力はECU31に送信される。
なお、温度検出部は上流側触媒20の温度を検出してもよい。この場合、温度センサ47は、上流側触媒20を内蔵した上流側ケーシング21に配置される。また、温度検出部は内燃機関100bの運転状態に基づいて上流側触媒20又は流出排気ガスの温度を推定してもよい。この場合、排気浄化装置は温度センサ47を備えていなくてもよい。
例えば、温度検出部は吸入空気量に基づいて上流側触媒20又は流出排気ガスの温度を推定する。吸入空気量は例えばエアフロメータ39によって検出される。温度検出部53は、吸入空気量が多いほど上流側触媒20又は流出排気ガスの温度を高く推定する。
第一実施形態と同様に、空燃比制御部は、リッチ制御においてアンモニアセンサ46の出力値が基準値まで上昇したときに目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする。また、第三実施形態では、空燃比制御部は、温度検出部によって検出又は推定された温度が高いほど、基準値を小さくする。第三実施形態では、この制御によって、アンモニア濃度の変化を検出できずに多量の未燃ガスが上流側触媒20から流出することを抑制することができる。なお、上述したように吸入空気量が多いほど上流側触媒20又は流出排気ガスの温度が高く推定されるため、空燃比制御部は、吸入空気量が多いほど、基準値を小さくしてもよい。
例えば、空燃比制御部は、図13に示したようなマップを用いて基準値比を設定する。このマップでは、基準値が流出排気ガスの温度の関数として示される。図13に実線で示したように、基準値は流出排気ガスの温度が高くなるにつれて線形的に小さくされる。なお、基準値は、図13に破線で示したように、流出排気ガスの温度が高くなるにつれて段階的(ステップ状)に小さくされてもよい。
<基準値設定処理>
図14は、本発明の第三実施形態における基準値設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。本制御ルーチンは、内燃機関100bの始動後、ECU31によって所定の時間間隔で繰り返し実行される。
最初に、ステップS201において、空燃比制御部は流出排気ガスの温度を取得する。流出排気ガスの温度は温度検出部によって検出又は推定される。次いで、ステップS202において、空燃比制御部は流出排気ガスの温度に基づいて基準値Irefを設定する。例えば、空燃比制御部は、図13に示したようなマップを用いて基準値Irefを設定する。ステップS202の後、本制御ルーチンは終了する。なお、ステップS201において、空燃比制御部は上流側触媒20の温度を取得してもよい。上流側触媒20の温度は温度検出部によって検出又は推定される。
また、第三実施形態においても、図9に示した目標空燃比設定処理の制御ルーチンが実行される。第三実施形態では、図9のステップS103において、図14のステップS202において設定された基準値Irefが用いられる。
<第四実施形態>
第四実施形態に係る排気浄化装置は、以下に説明する点を除いて、基本的に第一実施形態に係る排気浄化装置の構成及び制御と同様である。このため、以下、本発明の第四実施形態について、第一実施形態と異なる部分を中心に説明する。
上述したように、流出排気ガスの温度が高い場合、上流側触媒20から流出するアンモニアは排気ガスの熱によって分解される。このため、流出排気ガスの温度が高いほど、上流側触媒20から流出するアンモニアの量が少なくなり、流出排気ガス中のアンモニア濃度の変化が検出されるタイミングが遅くなる。この結果、アンモニア濃度の変化が検出されたときに流入排気ガスの目標空燃比をリーン設定空燃比にしたとしても、上流側触媒20から流出する未燃ガスの量を効果的に抑制できないおそれがある。
このため、第四実施形態では、流出排気ガスの温度に応じてリッチ制御におけるリッチ設定空燃比の値を変化させる。第四実施形態に係る排気浄化装置は、第三実施形態と同様に、流出排気ガスの温度を検出又は推定する温度検出部を更に備える。第四実施形態では、ECU31が空燃比制御部及び温度検出部として機能する。
第四実施形態では、空燃比制御部は、温度検出部によって検出又は推定された温度が高いほど、リッチ制御における目標空燃比のリッチ度合を小さくする。言い換えれば、空燃比制御部は、温度検出部によって検出又は推定された温度が高いほど、リッチ設定空燃比をリーン側にする(理論空燃比に近付ける)。第四実施形態では、この制御によって、流入排気ガスの目標空燃比をリーン設定空燃比にするタイミングが遅れたときに多量の未燃ガスが上流側触媒20から流出することを抑制することができる。なお、第三実施形態に関して上述したように吸入空気量が多いほど上流側触媒20又は流出排気ガスの温度が高く推定される。このため、空燃比制御部は、吸入空気量が多いほど、リッチ制御における目標空燃比のリッチ度合を小さくしてもよい。なお、リッチ度合とは、理論空燃比よりもリッチな値に設定された目標空燃比と理論空燃比との差を意味する。
例えば、空燃比制御部は、図15に示したようなマップを用いてリッチ設定空燃比を設定する。このマップでは、リッチ設定空燃比が流出排気ガスの温度の関数として示される。図15に実線で示したように、リッチ設定空燃比は流出排気ガスの温度が高くなるにつれて線形的にリーンにされる(高くされる)。なお、リッチ設定空燃比は、図15に破線で示したように、流出排気ガスの温度が高くなるにつれて段階的(ステップ状)にリーンにされてもよい。
<リッチ設定空燃比設定処理>
図16は、本発明の第四実施形態におけるリッチ設定空燃比設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。本制御ルーチンは、内燃機関100bの始動後、ECU31によって所定の時間間隔で繰り返し実行される。
最初に、ステップS401において、空燃比制御部は流出排気ガスの温度を取得する。流出排気ガスの温度は温度検出部によって検出又は推定される。次いで、ステップS402において、空燃比制御部は流出排気ガスの温度に基づいてリッチ設定空燃比TAFrichを設定する。例えば、空燃比制御部は、図15に示したようなマップを用いてリッチ設定空燃比TAFrichを設定する。ステップS402の後、本制御ルーチンは終了する。なお、ステップS401において、空燃比制御部は上流側触媒20の温度を取得してもよい。上流側触媒20の温度は温度検出部によって検出又は推定される。
また、第四実施形態においても、図9に示した目標空燃比設定処理の制御ルーチンが実行される。第四実施形態では、リッチ制御において、流入排気ガスの目標空燃比が、図16のステップS402において設定されたリッチ設定空燃比TAFrichに設定される。
<第五実施形態>
第五実施形態に係る排気浄化装置は、以下に説明する点を除いて、基本的に第一実施形態に係る排気浄化装置の構成及び制御と同様である。このため、以下、本発明の第五実施形態について、第一実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第五実施形態に係る排気浄化装置は、第二実施形態と同様に、排気通路において上流側触媒20の排気流れ方向下流側に配置された空燃比検出装置を更に備える。第二実施形態と同様に、図10に示された下流側空燃比センサ41が空燃比検出装置として機能する。
上述したように、流出排気ガスにおいてアンモニア濃度が未燃ガスの濃度よりも速く上昇する。このため、通常、流出排気ガスの空燃比変化よりも先に流出排気ガス中のアンモニア濃度の変化が検出される。
しかしながら、上述したように、流出排気ガスの温度が高い場合、上流側触媒20から流出するアンモニアは排気ガスの熱によって分解される。このため、流出排気ガスの温度が非常に高い場合には、流出排気ガス中のアンモニア濃度の変化が検出されない場合がある。
また、アンモニアセンサ46は使用に伴って徐々に劣化する。劣化等によってアンモニアセンサ46の出力特性に異常が生じた場合、流出排気ガス中のアンモニア濃度の変化がアンモニアセンサ46によって検出されるタイミングが、多量の未燃ガスが上流側触媒20から流出し始めるタイミングよりも遅れることがある。
このため、第五実施形態では、空燃比制御部は、リッチ制御において、アンモニアセンサ46の出力値が基準値まで上昇する前に、下流側空燃比センサ41によって検出された空燃比がリッチ判定空燃比まで低下した場合には、下流側空燃比センサ41によって検出された空燃比がリッチ判定空燃比まで低下したときに目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする。一方、空燃比制御部は、リッチ制御において、下流側空燃比センサ41によって検出された空燃比がリッチ判定空燃比まで低下する前に、アンモニアセンサ46の出力値が基準値まで上昇した場合には、アンモニアセンサ46の出力値が基準値まで上昇したときに目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする。
リッチ判定空燃比は、予め定められ、理論空燃比よりもリッチな値に設定される。下流側空燃比センサ41によって検出される空燃比は、上流側触媒20に酸素が吸蔵されていても、理論空燃比から僅かにずれる場合がある。このため、リッチ判定空燃比は、理論空燃比に近いが、上流側触媒20に酸素が残されているときには下流側空燃比センサ41によって検出されないような値に設定される。リッチ判定空燃比は例えば14.55である。なお、リッチ制御におけるリッチ設定空燃比はリッチ判定空燃比よりもリッチな値に設定される。
上述した制御によって、アンモニアセンサ46の出力が変化しない場合又はアンモニアセンサ46の出力変化が遅れた場合であっても、下流側空燃比センサ41によって検出された空燃比がリッチ判定空燃比まで低下したときにリッチ制御を終了することができる。このため、多量の未燃ガスが上流側触媒20から流出し始めた後もリッチ制御が継続されて多量の未燃ガスが上流側触媒20から流出することを抑制できる。
<目標空燃比設定処理>
図17は、本発明の第五実施形態における目標空燃比設定処理の制御ルーチンを示すフローチャートである。本制御ルーチンは、内燃機関100の始動後、ECU31によって所定の時間間隔で繰り返し実行される。
最初に、ステップS301において、空燃比制御部は実行条件が成立しているか否かを判定する。例えば、空燃比制御部は、下流側空燃比センサ41及びアンモニアセンサ46が活性化している場合に実行条件が成立していると判定し、下流側空燃比センサ41及びアンモニアセンサ46の少なくとも一方が活性化していない場合に実行条件が成立していないと判定する。空燃比制御部は、下流側空燃比センサ41及びアンモニアセンサ46のセンサ素子の温度が所定温度以上である場合に、下流側空燃比センサ41及びアンモニアセンサ46が活性化していると判定する。センサ素子の温度はセンサ素子のインピーダンス等に基づいて算出される。
ステップS301において実行条件が成立していないと判定された場合、本制御ルーチンは終了する。一方、ステップS301において実行条件が成立していると判定された場合、本制御ルーチンはステップS302に進む。
ステップS302では、図9のステップS102と同様に、空燃比制御部はリッチ制御が実行されているか否かを判定する。リッチ制御が実行されていないと判定された場合、本制御ルーチンは終了する。一方、リッチ制御が実行されていると判定された場合、本制御ルーチンはステップS303に進む。
ステップS303では、空燃比制御部はアンモニアセンサ46の出力値Iが基準値Iref以上であるか否かを判定する。アンモニアセンサ46の出力値Iが基準値Iref未満であると判定された場合、本制御ルーチンはステップS304に進む。
ステップS304では、空燃比制御部は、下流側空燃比センサ41によって検出された空燃比AFdwnがリッチ判定空燃比AFrich以下であるか否かを判定する。空燃比AFdwnがリッチ判定空燃比AFrichよりも高い(リーンである)と判定された場合、本制御ルーチンは終了する。この場合、目標空燃比TAFはリッチ設定空燃比TAFrichに維持される。一方、空燃比AFdwnがリッチ判定空燃比AFrich以下であると判定された場合、本制御ルーチンはステップS305に進む。
また、ステップS303においてアンモニアセンサ46の出力値Iが基準値Iref以上であると判定された場合、本制御ルーチンはステップS304をスキップしてステップS305に進む。
ステップS305では、空燃比制御部は目標空燃比TAFをリーン設定空燃比TAFleanに設定する。したがって、空燃比制御部は目標空燃比をリッチ設定空燃比TAFrichからリーン設定空燃比TAFleanに切り替える。すなわち、空燃比制御部はリッチ制御を終了してリーン制御を開始する。ステップS305の後、本制御ルーチンは終了する。
<第六実施形態>
第六実施形態に係る排気浄化装置は、以下に説明する点を除いて、基本的に第一実施形態に係る排気浄化装置の構成及び制御と同様である。このため、以下、本発明の第六実施形態について、第一実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図18は、本発明の第六実施形態に係る内燃機関100cの排気浄化装置が設けられた内燃機関100cを概略的に示す図である。第六実施形態では、排気管22内、すなわち上流側触媒20の排気流れ方向下流側には、排気管22内を流れる排気ガス(すなわち、上流側触媒20から流出する排気ガス)中の窒素酸化物濃度(NOx濃度)を検出する窒素酸化物センサ(NOxセンサ)48が配置される。NOxセンサ48は排気流れ方向において上流側触媒20と下流側触媒24との間に配置される。NOxセンサ48の出力は対応するAD変換器38を介して入力ポート36に入力される。
本実施形態では、NOxセンサ48は、所定の電圧を印加したときにセンサ内に流れる限界電流を検出することによって排気ガス中のNOx濃度を算出する限界電流式NOxセンサである。NOxセンサ48自体は公知であるため、以下、NOxセンサ48の構成及びNOxの検出原理について簡単に説明する。
図19は、NOxセンサ48のセンサ素子48aの断面図である。図19に示されるように、NOxセンサ48のセンサ素子48aは、被測ガス室60、第一基準ガス室61、第二基準ガス室62、センサセル71、ポンプセル72、モニタセル73及びヒータ75を備える。被測ガス室60には、拡散律速層63を介して、流出排気ガスが被測ガスとして導入される。第一基準ガス室61及び第二基準ガス室62には基準ガスが導入される。基準ガスは例えば大気である。この場合、第一基準ガス室61及び第二基準ガス室62は大気に開放されている。
センサセル71は、センサ用固体電解質層、第一電極81及び第二電極82を有する電気化学セルである。本実施形態では、第一固体電解質層88がセンサ用固体電解質層として機能する。第一電極81は、被測ガス室60内の被測ガスに曝されるように第一固体電解質層88の被測ガス室60側の表面上に配置されている。一方、第二電極82は、第一基準ガス室61内の基準ガスに曝されるように第一固体電解質層88の第一基準ガス室61側の表面上に配置されている。第一電極81と第二電極82とは、第一固体電解質層88を挟んで互いに対向するように配置されている。第一電極81は、NOx分解機能を有する材料から構成される。
ポンプセル72は、ポンプ用固体電解質層、第三電極83及び第四電極84を有する電気化学セルである。本実施形態では、第二固体電解質層89がポンプ用固体電解質層として機能する。第三電極83は、被測ガス室60内の被測ガスに曝されるように第二固体電解質層89の被測ガス室60側の表面上に配置されている。一方、第四電極84は、第二基準ガス室62内の基準ガスに曝されるように第二固体電解質層89の第二基準ガス室62側の表面上に配置されている。第三電極83と第四電極84とは、第二固体電解質層89を挟んで互いに対向するように配置されている。第三電極83は、NOx分解機能を有しない材料から構成される。
モニタセル73は、モニタ用固体電解質層、第五電極85及び第六電極86を有する電気化学セルである。本実施形態では、第一固体電解質層88がモニタ用固体電解質層として機能する。したがって、本実施形態では、センサ用固体電解質層及びモニタ用固体電解質層は共通の固体電解質層である。第五電極85は、被測ガス室60内の被測ガスに曝されるように第一固体電解質層88の被測ガス室60側の表面上に配置されている。一方、第六電極86は、第一基準ガス室61内の基準ガスに曝されるように第一固体電解質層88の第一基準ガス室61側の表面上に配置されている。第五電極85と第六電極86とは、第一固体電解質層88を挟んで互いに対向するように配置されている。第五電極85は、NOx分解機能を有しない材料から構成される。
図19に示されるように、ポンプセル72は、被測ガスの流れ方向において、センサセル71よりも上流側に配置されている。モニタセル73は、被測ガスの流れ方向において、ポンプセル72とセンサセル71との間に配置されている。ヒータ75は、センサ素子48a、特にセンサセル71、ポンプセル72及びモニタセル73を加熱する。
なお、センサ素子48aの具体的な構成は、図19に示した構成とは異なっていてもよい。例えば、センサ用固体電解質層、ポンプ用固体電解質層及びモニタ用固体電解質層はそれぞれ共通の固体電解質層であっても別個の固体電解質層であってもよい。
被測ガス中のNOx濃度は、NOxセンサ48を用いて以下のように検出される。流出排気ガスは拡散律速層63を通って被測ガス室60内に被測ガスとして導入される。被測ガス室60内に導入された被測ガスは最初にポンプセル72に到達する。
被測ガス(排気ガス)はNOx(NO及びNO2)だけでなく酸素も含んでいる。センサセル71に到達する被測ガスが酸素を含んでいる場合、酸素ポンピング作用によりセンサセル71に電流が流れる。このため、被測ガス中の酸素濃度が変動すると、センサセル71の出力も変動し、NOx濃度の検出精度が低下する。このため、センサセル71に到達する被測ガス中の酸素濃度を一定にすべく、ポンプセル72によって被測ガス中の酸素を第二基準ガス室62に排出する。
ポンプセル72には、所定の電圧が印加される。この結果、被測ガス中の酸素は第三電極83において酸化物イオンとなる。この酸化物イオンは、ポンプ用固体電解質層(本実施形態では第二固体電解質層89)を介して第三電極(陰極)83から第四電極(陽極)84に移動し、第二基準ガス室62に排出される(酸素ポンピング作用)。したがって、ポンプセル72は被測ガス中の酸素を第二基準ガス室62に排出することができる。また、ポンプセル72には、被測ガス中の酸素濃度に応じた電流が流れる。このため、ポンプセル72の出力を検出することによって被測ガス中の酸素濃度、ひいては被測ガスの空燃比を検出することもできる。したがって、ポンプセル72は流出排気ガスの空燃比を検出することができる。
また、ポンプセル72によって被測ガス中の酸素濃度が十分に低減されると、2NO2→2NO+O2という反応が生じ、被測ガス中のNO2がNOに還元される。したがって、被側ガスがセンサセル71に到達する前に被測ガス中のNOxがNOに単ガス化される。
ポンプセル72を通過した被測ガスは次にモニタセル73に到達する。モニタセル73は、被測ガス中の残留酸素濃度を検出する。モニタセル73には、所定の電圧が印加される。この結果、モニタセル73には、酸素ポンピング作用によって被測ガス中の酸素濃度に応じた電流が流れる。このため、モニタセル73の出力を検出することによって、被測ガス中の残留酸素濃度を検出することができる。残留酸素濃度が所定の低濃度になるように、モニタセル73の出力に基づいてポンプセル72への印加電圧がフィードバック制御される。この結果、センサセル71に到達する被測ガス中の酸素濃度が一定の値に制御される。
モニタセル73を通過した被測ガスは次にセンサセル71に到達する。センサセル71は、被測ガス中のNOを分解することで、被測ガス中のNOx濃度を検出する。センサセル71には、所定の電圧が印加される。この結果、被測ガス中のNOは第一電極81において還元分解されて酸化物イオンが発生する。この酸化物イオンは、センサ用固体電解質層(本実施形態では第一固体電解質層88)を介して第一電極(陰極)81から第二電極(陽極)82に移動し、第一基準ガス室61に排出される。センサセル71に被測ガスが到達する前に被測ガス中のNO2がNOに単ガス化されているため、センサセル71には、NOの分解によって被測ガス中のNOx(NO及びNO2)濃度に応じた電流が流れる。このため、センサセル71の出力を検出することによって被測ガス中のNOx濃度を検出することができる。したがって、センサセル71は流出排気ガス中のNOx濃度を検出することができる。
なお、ポンプセル72によって被測ガス中のほとんどの酸素を除去できる場合又はポンプセル72によって被測ガス中の酸素濃度をほぼ一定の低濃度にできる場合には、モニタセル73によって被測ガス中の残留酸素濃度を検出しなくてもよい。このため、NOxセンサ48は、モニタセル73を備えることなく、ポンプセル72及びセンサセル71によって被測ガス中のNOx濃度を検出してもよい。
<内燃機関の排気浄化装置>
本発明の第六実施形態に係る内燃機関100cの排気浄化装置は、第一実施形態と同様に、上流側触媒20と、下流側触媒24と、排気通路において上流側触媒20の排気流れ方向下流側に配置されたアンモニア検出装置と、流入排気ガスの空燃比を目標空燃比に制御する空燃比制御部とを備える。なお、排気浄化装置は下流側触媒24を備えていなくてもよい。
NOxセンサ48のセンサセル71は、第一電極81を構成する材料がアンモニア分解機能も有するため、被測ガス中のNOxに加えて、被測ガス中のアンモニアも分解する。このため、流出排気ガスがアンモニアを含み且つNOxをほとんど含んでいないときには、センサセル71には、アンモニアの分解によって流出排気ガス中のアンモニア濃度に応じた電流のみが流れる。したがって、センサセル71は流出排気ガス中のアンモニア濃度を検出することができる。
このため、第六実施形態では、NOxセンサ48のセンサセル71がアンモニア検出装置として機能する。また、第六実施形態においても、図9に示した目標空燃比設定処理の制御ルーチンが実行される。
<その他の実施形態>
以上、本発明に係る好適な実施形態を説明したが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載内で様々な修正及び変更を施すことができる。例えば、上流側空燃比センサ40は、上流側触媒20の排気流れ方向上流側に配置されると共に流入排気ガスの空燃比がリッチ又はリーンであることを検出する酸素センサであってもよい。同様に、下流側空燃比センサ41(空燃比検出装置)は、上流側触媒20の排気流れ方向下流側に配置されると共に流出排気ガスの空燃比がリッチ又はリーンであることを検出する酸素センサであってもよい。
また、上述した実施形態は、任意に組み合わせて実施可能である。例えば、第六実施形態は第二実施形態〜第五実施形態と組合せ可能である。この場合、アンモニア検出装置としてNOxセンサ48のセンサセル71が用いられる。また、上述したように、NOxセンサ48のポンプセル72は流出排気ガスの空燃比を検出することができる。このため、第六実施形態と第二実施形態又は第五実施形態が組み合わされる場合、アンモニア検出装置及び空燃比検出装置としてNOxセンサ48のセンサセル71及びポンプセル72又はNOxセンサ48のセンサセル71及び下流側空燃比センサ41が用いられる。
また、第三実施形態〜第五実施形態において第二実施形態のようにリーン制御とリッチ制御とが交互に実行されてもよい。また、第二実施形態又は第五実施形態において、第三実施形態のように、図14に示した基準値設定処理の制御ルーチンが実行されてもよい。また、第二実施形態又は第五実施形態において、第四実施形態のように、図16に示したリッチ設定空燃比設定処理の制御ルーチンが実行されてもよい。
20 上流側触媒
22 排気管
31 電子制御ユニット(ECU)
41 下流側空燃比センサ
46 アンモニアセンサ
48 NOxセンサ
71 センサセル
72 ポンプセル
100、100a、100b、100c 内燃機関

Claims (6)

  1. 内燃機関の排気通路に配置されると共に酸素を吸蔵可能な触媒と、
    前記排気通路において前記触媒の排気流れ方向下流側に配置されたアンモニア検出装置と、
    前記触媒に流入する流入排気ガスの空燃比を目標空燃比に制御する空燃比制御部と
    を備え、
    前記空燃比制御部は、前記目標空燃比を理論空燃比よりもリッチにするリッチ制御を実行し、該リッチ制御において、前記アンモニア検出装置の出力値が基準値まで上昇したときに前記目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする、内燃機関の排気浄化装置。
  2. 前記排気通路において前記触媒の排気流れ方向下流側に配置された空燃比検出装置を更に備え、
    前記空燃比制御部は、前記リッチ制御において、前記アンモニア検出装置の出力値が前記基準値まで上昇する前に前記空燃比検出装置によって検出された空燃比が理論空燃比よりもリッチなリッチ判定空燃比まで低下した場合には、該空燃比検出装置によって検出された空燃比が該リッチ判定空燃比まで低下したときに前記目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにする、請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  3. 前記空燃比制御部は、前記目標空燃比を理論空燃比よりもリーンにするリーン制御と、前記リッチ制御とを交互に実行する、請求項1又は2に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  4. 前記触媒の温度又は該触媒から流出する排気ガスの温度を検出又は推定する温度検出部を更に備え、
    前記空燃比制御部は、前記温度検出部によって検出又は推定された温度が高いほど、前記基準値を小さくする、請求項1から3のいずれか1項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  5. 前記触媒の温度又は該触媒から流出する排気ガスの温度を検出又は推定する温度検出部を更に備え、
    前記空燃比制御部は、前記温度検出部によって検出又は推定された温度が高いほど、前記リッチ制御における前記目標空燃比のリッチ度合を小さくする、請求項1から3のいずれか1項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  6. 前記アンモニア検出装置はNOxセンサのセンサセルである、請求項1から5のいずれか1項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
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