JP6580997B2 - 小型化された部品および製造方法 - Google Patents
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Description
−支持基板を準備するステップ、
−支持基板上で機能構造物および導線を構造化するステップ、
−機能構造物を覆って犠牲層を被着するステップ、
−犠牲層を覆って開口部を備えた薄膜カバーを被着するステップ、
−薄膜カバーの開口部を通じて犠牲層を除去するステップ、
−薄膜カバーを覆って補強膜を被着するステップ、
−補強膜を覆ってモールド材を被着するステップ
を含んでおり、薄膜カバーと補強膜は協働してモールド圧力に持ちこたえ、薄膜カバーを被着するステップ及び補強膜を被着するステップでは、導線を介して機能構造物と接続され、はんだボールにより外部の周辺回路と接続可能な接続パッドを生成するための覆われていない領域が残される。
− ガラスペーストを被着するステップ、
− 薄膜カバーの開口部を閉ざすステップ、
− ガラスペーストを加熱するステップ
を含んでいる。
BU バンプ接合のためのはんだボール
DSA 薄膜カバー
FS 機能構造物
H 空洞
L 導線
MM モールド材
O 薄膜カバーの開口部
OB 後の接触のための覆われていない領域
OS 犠牲層
SAWS SAW構造物
SU 基板
VB カプセル化された部品
VS 補強膜
Claims (9)
- 支持基板(SU)、
前記支持基板(SU)上の機能構造物(FS)、
前記機能構造物(FS)を覆うと共に接続パッドを生成するための覆われていない領域(OB)を備える薄膜カバー(DSA)、
前記薄膜カバー(DSA)を覆うガラス含有補強膜(VS)、
前記補強膜(VS)を覆うモールド材(MM)
を含んでいるカプセル化された部品(VB)であって、
前記支持基板(SU)、前記薄膜カバー(DSA)、および前記補強膜(VS)が協働して空洞(H)を取り囲んでおり、
前記薄膜カバー(DSA)と前記補強膜(VS)は協働してモールド圧力に持ちこたえ、
前記機能構造物(FS)の少なくとも一部が前記空洞(H)内に配置されており、
前記機能構造物(FS)が前記支持基板(SU)上に配置された導線(L)を介して前記支持基板(SU)上に配置された前記接続パッドと接続されており、前記接続パッドは、前記薄膜カバー(DSA)の前記覆われていない領域(OB)内に配置されていると共に前記薄膜カバー(DSA)によっても前記補強膜(VS)によっても覆われておらず、かつ
前記接続パッドは、はんだボール(BU)により外部の周辺回路と接続可能である、カプセル化された部品(VB)。 - 前記機能構造物(FS)がMEMS構造物および/またはマイクロ音響構造物である、請求項1に記載の部品(VB)。
- 前記薄膜カバー(DSA)に開口部(O)が構造化されており、かつ
前記薄膜カバー(DSA)の前記開口部(O)が前記補強膜(VS)によって閉ざされている、請求項1または2に記載の部品(VB)。 - 前記薄膜カバー(DSA)が、SiO2、SixNy、Al2O3から選択される材料を含有しており、かつ
前記支持基板(SU)が、ガラス、Siから選択される材料を含有している、請求項1から3のいずれか一項に記載の部品(VB)。 - 前記空洞(H)が少なくとも10μmの幅および100μm未満の高さを有し、
前記薄膜カバー(DSA)が5μm未満の厚さを有し、かつ
前記補強膜(VS)が50μm未満の厚さを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の部品(VB)。 - カプセル化された部品(VB)の製造方法であって、
支持基板(SU)を準備するステップ、
前記支持基板(SU)上で機能構造物(FS)および導線(L)を構造化するステップ、
前記機能構造物(FS)を覆って犠牲層(OS)を被着するステップ、
前記犠牲層(OS)を覆って開口部(O)を備えた薄膜カバー(DSA)を被着するステップ、
前記薄膜カバー(DSA)の前記開口部(O)を通じて前記犠牲層(OS)を除去するステップ、
前記薄膜カバー(DSA)を覆って補強膜(VS)を被着するステップ、
前記補強膜(VS)を覆ってモールド材(MM)を被着するステップ
を含み、
前記薄膜カバー(DSA)と前記補強膜(VS)は協働してモールド圧力に持ちこたえ、
前記薄膜カバー(DSA)を被着するステップ及び前記補強膜(VS)を被着するステップでは、前記導線(L)を介して前記機能構造物(FS)と接続され、はんだボール(BU)により外部の周辺回路と接続可能な接続パッドを生成するための覆われていない領域(OB)が残される、カプセル化された部品(VB)の製造方法。 - 前記犠牲層(OS)が、有機材料を含有しており、かつ乾式灰化による除去に適している、請求項6に記載の方法。
- 前記補強膜(VS)の被着が、
ガラスペーストを被着するステップ、
前記薄膜カバー(DSA)の前記開口部(O)を閉ざすステップ、
前記ガラスペーストを加熱するステップを含んでいる、請求項7に記載の方法。 - 前記ガラスペーストが、バインダマトリクス中のガラス微粒子の懸濁液から成るガラスフリットを含有しており、
前記ガラスペーストが、ドクターブレードコーティングにより前記薄膜カバー上に被着され、かつ
前記バインダが、前記ガラスペーストを加熱した際に完全に分解する、請求項8に記載の方法。
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|---|---|---|---|---|
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| FR2864341B1 (fr) * | 2003-12-19 | 2006-03-24 | Commissariat Energie Atomique | Microcomposant a cavite hermetique comportant un bouchon et procede de fabrication d'un tel microcomposant |
| JP2005295363A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波体 |
| US7503511B2 (en) * | 2004-09-08 | 2009-03-17 | Space Exploration Technologies | Pintle injector tip with active cooling |
| JP4544965B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびにその弾性表面波装置を備えた通信装置 |
| US7344907B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-03-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for encapsulating microelectromechanical (MEM) devices on a wafer scale |
| JP2006238014A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子実装基板及びそれを用いた高周波モジュール、通信機器 |
| US7404892B2 (en) * | 2005-07-18 | 2008-07-29 | Ultra Tech International, Inc. | Storm water catch basin filter comprising an anti-microbial agent |
| DE102005060870A1 (de) | 2005-12-20 | 2007-06-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Verschließen einer Öffnung |
| WO2007102272A1 (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation | 熱可塑性樹脂組成物および樹脂成形体 |
| US20100000378A1 (en) * | 2006-05-02 | 2010-01-07 | Hart Herbert G | Dual Wrench |
| US7635606B2 (en) * | 2006-08-02 | 2009-12-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Wafer level package with cavities for active devices |
| US8212351B1 (en) * | 2006-10-02 | 2012-07-03 | Newport Fab, Llc | Structure for encapsulating microelectronic devices |
| JP2008146997A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Pioneer Electronic Corp | ディスプレイパネルの製造方法 |
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| US20080290435A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Micron Technology, Inc. | Wafer level lens arrays for image sensor packages and the like, image sensor packages, and related methods |
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| FR2933390B1 (fr) * | 2008-07-01 | 2010-09-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique par un materiau getter |
| JP2010068503A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-03-25 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
| JP2010280035A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | Memsデバイスとその製造方法 |
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