JP6562436B1 - ワイヤボンディング方法、及び半導体チップ配線構造 - Google Patents
ワイヤボンディング方法、及び半導体チップ配線構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6562436B1 JP6562436B1 JP2019079850A JP2019079850A JP6562436B1 JP 6562436 B1 JP6562436 B1 JP 6562436B1 JP 2019079850 A JP2019079850 A JP 2019079850A JP 2019079850 A JP2019079850 A JP 2019079850A JP 6562436 B1 JP6562436 B1 JP 6562436B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- metal
- electrode
- metal piece
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7801—Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
Abstract
Description
図1は、本発明の第1実施形態である半導体チップ配線構造を示す図であり、(b)はその写真である。また、図2は、半導体チップの一例を示す構造図である。
半導体チップ配線構造100は、第1電極15が形成された半導体チップ10と、半導体チップ10を搭載する基板11と、導電性接着剤30と、金属片40と、金属線50と、第2電極16とを備える。導電性接着剤30は、第1電極15の上に積層され、金属片40は、導電性接着剤30の上に搭載されている。つまり、第1電極15と導電性接着剤30と金属片40とは、電気的に接続されている。金属線50の一端は、金属片40に超音波接合(金属接合)される。第2電極16は、基板11に設けられており、金属線50の他端に接続される。
まず、作業者は、基板11に搭載された半導体チップ10を用意する(SP1)。SP1の後、作業者は、導電性接着剤30を、塗布針(不図示)を用いて第1電極15に塗布する(SP2)。導電性接着剤30を塗布した状態を示す写真を図6に示す。なお、図6の写真は、塗布量を3段階に変えたものであり、サイズを比較するために、φ30μm、アルミニウムの金属線50も示している。
金属片40が小片であるので、本実施形態では、半導体チップ10やワイヤフレーム等の電子部品を真空吸着するフラットフェースツールよりも先端が細いボトルネック型の吸着ノズル20を使用する。吸着ノズル20は、円柱状の軸部21と、円錐台部22と、首部23と、先端部24とを備える。吸着ノズル20は、孔径φ1(例えば、φ1=0.038mm)の空気吸入孔25が形成されている。なお、空気吸入孔25は、段差25aを有している。
前記実施形態の層状物質劈開方法は、XYZステージ(不図示)が吸着ノズル20を移動させたが、XYZθステージの代わりに3軸マニュピレータを用いて、吸着ノズル20を移動させることもできる。
ダイボンダ90は、実体顕微鏡70と、ステージ72と、ワークホルダ73と、3軸マニュピレータ80とを備える。3軸マニュピレータ80は、ヘッド部81と操作部82とを備える。ヘッド部81には、吸着ノズル20が取り付けられ、ワークホルダ73には、半導体チップ10が固定される。3軸マニュピレータ80は、操作部82をXYZ方向に動かすことにより、ヘッド部81をXYZ方向に1/N(例えば、N=8)の変位量で移動させるものである(米国特許第5871136号明細書、米国特許第5931372号明細書参照)。回転ノブ86は、吸着ノズル20を1対1の回転量で回転させるノブである。
図9は、本発明の比較例であるワイヤボンディング方法を説明する説明図である。
図9(a)は、半導体チップ10の電極15と金属線50の一端とを超音波接合する図である。つまり、作業者は、導電性接着剤30の塗布(SP2(図3))や金属片40の載置(SP3)を行うことなく、金属線50の一端と電極15とを直接、ワイヤボンディングする。
11 基板
13 ゲート電極
14 有機半導体
15,15a,15b,16 電極
20 吸着ノズル
25 空気吸入孔
30 導電性接着剤
40 金属片
50 金属線
60 超音波発生器
80 3軸マニュピレータ
90 ダイボンダ
100 半導体チップ配線構造
Claims (4)
- 軟質素材を有した半導体チップに形成された電極に導電性接着剤を塗布する塗布ステップと、
前記導電性接着剤の表面に金属片を載置する載置ステップと、
前記金属片と金属線とを超音波接合する接合ステップと
を備えることを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項1に記載のワイヤボンディング方法であって、
前記軟質素材は、カドミウムテルル又は有機半導体であり、
前記電極は、前記軟質素材に形成されている
ことを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のワイヤボンディング方法であって、
前記接合ステップの前に、前記金属線を吸着しつつ前記金属片まで搬送する搬送ステップをさらに備え、
前記搬送ステップで使用される吸着ノズルと前記載置ステップで使用される吸着ノズルとは、同一である
ことを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 電極が形成された有機半導体チップ又はカドミウムテルル化合物半導体チップと、
前記電極の上に積層された導電性接着剤と、
前記導電性接着剤に接合する金属片と、
前記金属片に金属接合された金属線と、
を備えたことを特徴とする半導体チップ配線構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019079850A JP6562436B1 (ja) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | ワイヤボンディング方法、及び半導体チップ配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019079850A JP6562436B1 (ja) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | ワイヤボンディング方法、及び半導体チップ配線構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6562436B1 true JP6562436B1 (ja) | 2019-08-21 |
JP2020178059A JP2020178059A (ja) | 2020-10-29 |
Family
ID=67695603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019079850A Active JP6562436B1 (ja) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | ワイヤボンディング方法、及び半導体チップ配線構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6562436B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022069089A (ja) | 2020-10-23 | 2022-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | インク補給容器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5694693A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Nippon Electric Co | Printed circuit board |
JPH01132172A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
JPH06326146A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Japan Energy Corp | ワイヤボンディング方法 |
JPH0737920A (ja) * | 1993-07-24 | 1995-02-07 | Nippon Mektron Ltd | 可撓性回路基板の実装構造 |
KR101018218B1 (ko) * | 2008-07-03 | 2011-03-02 | 삼성전기주식회사 | 와이어 본딩 구조체 및 그 제조방법 |
JP2010205891A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP5542567B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-07-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2015142059A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
DE102016101801B4 (de) * | 2016-02-02 | 2021-01-14 | Infineon Technologies Ag | Lastanschluss eines leistungshalbleiterbauelements, leistungshalbleitermodul damit und herstellungsverfahren dafür |
-
2019
- 2019-04-19 JP JP2019079850A patent/JP6562436B1/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020178059A (ja) | 2020-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU729849B2 (en) | Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier | |
JP4769429B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20050110163A1 (en) | Flip chip bonding method for enhancing adhesion force in flip chip packaging process and metal layer-built structure of substrate for the same | |
JPH0997805A (ja) | 回転運動をするピックアップツールを備えたダイボンディング装置およびダイボンディング方法 | |
KR20070098623A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP6562436B1 (ja) | ワイヤボンディング方法、及び半導体チップ配線構造 | |
US20180026006A1 (en) | Systems and methods for bonding semiconductor elements | |
JPH10189690A (ja) | 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置 | |
JP2001110946A (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
JP4589265B2 (ja) | 半導体接合方法 | |
JP4057875B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9779965B2 (en) | Systems and methods for bonding semiconductor elements | |
JPH0555635A (ja) | 電子部品のフリツプチツプ接続構造 | |
JP2006054212A (ja) | 基板および電子部品組立体ならびに電子部品組立体の製造方法 | |
JP3690147B2 (ja) | 半導体発光素子の実装方法 | |
JPS5940537A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62136835A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3357848B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW200836315A (en) | Electronic package structure and method thereof | |
JP3800929B2 (ja) | 半導体パッケージとその製造法及び半導体パッケージ用絶縁テープ基板 | |
Li et al. | Power and interface features of thermosonic flip-chip bonding | |
JP4589266B2 (ja) | 半導体超音波接合方法 | |
JP3538705B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH0817873A (ja) | ワイヤボンディング装置並びに該装置に装備されるべきボンディングツール及びボンディングアーム | |
JPS6250057B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190419 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190419 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190614 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190717 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6562436 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |