JP6561625B2 - 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ - Google Patents

Description

本発明は、画像形成装置、及びプロセスカートリッジに関する。

従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体（以下、「感光体」という場合がある。）を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。

電子写真感光体としては、アルミニウム等の導電性を有する基体上に、電荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層を積層する機能分離型の感光体、又は、電荷を発生する機能と電荷を輸送する機能を同一の層が果たす単層型感光体が知られている。

例えば、特許文献１には、例えば、特許文献１には、電荷輸送層に、ブタジエン一量体系電荷輸送材料とヒンダードフェノール系酸化防止剤とヒンダードアミン系酸化防止剤とを含有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献２には、感光層に、ブタジエン三量体系電荷輸送材料とフェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤とを含有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献３には、最表面層に、ブタジエン系電荷輸送材料とヒンダードフェノール系酸化防止剤とを含有することを特徴とする感光体が開示されている。

特開平７-２６１４１４号公報 特開２０１０-２１１０５７号公報 特開２０１２-０４７９５９号公報

本発明の課題は、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体と、帯電手段と、光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段と、現像手段と、転写手段とを備える画像形成装置に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。

＜１＞に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生材料、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂、並びに、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種を含む感光層と、を有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
光源として発光ダイオードを有し、前記発光ダイオードによる露光により、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

（一般式（ＣＴ１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）

（一般式（ＣＴ２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）

＜２＞に係る発明は、
前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表す＜１＞に記載の画像形成装置。

＜３＞に係る発明は、
前記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料において、Ｒ^Ｃ２１、及びＲ^Ｃ２３が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成装置。

＜４＞に係る発明は、
前記ヒンダードフェノール系酸化防止剤が、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤である＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。

（一般式（ＨＰ）中、Ｒ^Ｈ１、及びＲ^Ｈ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。Ｒ^Ｈ３、及びＲ^Ｈ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。Ｒ^Ｈ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。）

＜５＞に係る発明は、
前記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤において、Ｒ^Ｈ１、及びＲ^Ｈ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表す＜４＞に記載の画像形成装置。

＜６＞に係る発明は、
前記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤である＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。

（一般式（ＢＰ）中、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。ただし、Ｒ^Ｂ３は水酸基を表してもよい。）

＜７＞に係る発明は、
前記一般式（ＢＰ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤において、Ｒ^Ｂ１、及びＲ^Ｂ２が水素原子を表し、Ｒ^Ｂ３が炭素数１以上４以下のアルコキシ基を表す＜６＞に記載の画像形成装置。

＜８＞に係る発明は、
前記電荷発生材料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料である＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。

＜９＞に係る発明は、
前記ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂が、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂である＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。

（一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘ^Ｐ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。）

＜１０＞に係る発明は、
前記感光層が、フッ素含有樹脂粒子と、フッ素含有分散剤と、を更に含む＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。

＜１１＞に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生材料、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂、並びに、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種を含む感光層と、を有する電子写真感光体と、
光源として発光ダイオードを有し、前記発光ダイオードによる露光により、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
を備え、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

（一般式（ＣＴ１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）

（一般式（ＣＴ２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）

＜１＞に係る発明によれば、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体と、帯電手段と、光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段と、現像手段と、転写手段とを備える画像形成装置に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。

＜２＞に係る発明によれば、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料が、例示化合物（ＣＴ１−１）である電子写真感光体を備える画像形成装置に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。
＜３＞に係る発明によれば、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料が、例示化合物（ＣＴ２−１）である電子写真感光体を備える画像形成装置に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。

＜４＞、又は＜５＞に係る発明によれば、酸化防止剤が、構造式（ＣＡＯ−１）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤である電子写真感光体を備える画像形成装置に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。

＜６＞、又は＜７＞に係る発明によれば、紫外線吸収剤が、構造式（ＣＵＡ−１）で示されるベンゾエート系紫外線吸収剤である電子写真感光体を備える画像形成装置に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。

＜８＞に係る発明によれば、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体と、帯電手段と、光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段と、現像手段と、転写手段とを備える画像形成装置に比べ、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を感光層に含むときでも、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。

＜９＞に係る発明によれば、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体と、帯電手段と、光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段と、現像手段と、転写手段とを備える画像形成装置に比べ、ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂として、一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂を感光層に含むときでも、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。

＜１０＞に係る発明によれば、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体を備える画像形成装置に比べ、フッ素含有樹脂粒子と、フッ素含有分散剤とを感光層に含むときでも、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。

＜１１＞に係る発明によれば、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体と、光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段とを備えるプロセスカートリッジに比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制したプロセスカートリッジが提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の一例である実施形態について説明する。なお、図面中、同様の機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

＜画像形成装置／プロセスカートリッジ＞
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、光源として発光ダイオードを有し、発光ダイオードによる露光により、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。
一方、電子写真感光体（以下「感光体」、又は「本実施形態に係る電子写真感光体」とも称する）は、導電性基体と、導電性基体上に配置された感光層と、を有する。そして、感光層は、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料（以下「ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）」とも称する）と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料（以下「ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）」とも称する）と、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂（以下「ＢＰポリカーボネート樹脂」とも称する）と、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤（以下単に「ヒンダードフェノール系酸化防止剤」とも称する）およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含む。

なお、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型の感光層であってもよいし、単層型の感光層であってもよい。機能分離型の感光層の場合、電荷発生層に電荷発生剤を含み、電荷輸送層に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）と、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）と、ＢＰポリカーボネート樹脂と、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含む。

本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成により、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制する。その理由は、以下に示すように推察される。

まず、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、電荷移動度が高く、電荷輸送能の高い感光層（又は電荷輸送層）を得る上で適している。一方で、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、溶剤に対する溶解性が低い性質がある。このため、高い電荷輸送能を有する感光層を得るためには、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）と共に、電荷移動度が比較的高く、溶剤に対する溶解性が高いベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を併用することがよい。

しかし、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を共に含む感光層を有する感光体を使用し、同一画像を連続出力（例えば３０００枚連続出力）した後に、例えば、全面ハーフトーン画像を出力すると、同一画像出力により連続露光された部分の感光体の表面電位が低下し、濃度が濃くなる「焼付きゴースト」と称する画像欠陥（ポジゴースト）が発生してしまうことがある。
また、感光体を交換するとき等に、感光体が室内光又は太陽光等に光暴露されると、光暴露された部分の感光体の帯電性が低下し、その後、全面ハーフトーン画像を出力すると、光暴露された部分の画像濃度が濃く浮き出る「光疲労」と称する画像欠陥が生じてしまう。

「焼付きゴースト」及び「光疲労」と称される画像欠陥が生じる原因は、同一画像の連続出力および光暴露により、感光層中の電荷発生材料から電荷輸送材料への電荷の注入、および電荷輸送材料間の電荷の移動に預かる電子の非局在化領域において、電子が励起されやすい状態が生じることにより発生するためと考えられる。つまり、この画像欠陥は、電荷発生および電荷注入が活性化されることにより、同一画像の連続出力により連続して露光された領域、および光暴露された領域の帯電電位が低下し、画像の濃度上昇が生じることにより発生すると考えられる。
そして、この帯電電位の低下による画像の濃度上昇は、感光層がブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を共に含有する場合に、特に顕著となる。これは、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）が構造上高い電荷輸送能力を有するが故に、分子内の電子の非局在化領域が大きく、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）及び電荷発生材料との間で相互作用を生じ、同一画像の連続出力および光暴露によって、帯電電位の低下が顕著に生じるためと考えられる。

更に、結着樹脂として、ＢＰポリカーボネート樹脂を含む感光層は、耐摩耗性が向上し、感光体の長寿命化が図れる。しかし、結着樹脂として、ＢＰポリカーボネート樹脂を含む感光層を有する感光体でも、特に、「焼付きゴースト」及び「光疲労」が顕著に生じる。ＢＰポリカーボネート樹脂のビフェニル骨格のベンゼン環は、電荷輸送材料と相互作用することにより、電荷のトラップサイト（電荷が蓄積され易い領域）として働き易くなると考えられる。この電荷のトラップサイトにより、感光層中で電荷が過剰に蓄積されると、帯電後、感光体の表面に蓄積された電荷と相殺されるため、「焼付きゴースト」及び「光疲労」が顕著に生じると考えられる。

加えて、感光体に静電潜像を形成させる静電潜像形成手段の光源として、発光ダイオードを用いた場合、光源としてレーザーを用いる場合に比べ、装置の小型化及び低価格化が図れる。しかし、レーザーに比べて、発光ダイオードは発生する光量が小さいため、発光ダイオードを有する静電潜像形成手段を感光体の表面近くに配置する。これに伴い、発光ダイオードの感光体表面の露光位置から離れて、現像手段が配置され、露光による静電潜像を形成してから現像するまでの時間（つまり、露光から現像までの時間［感光体の表面が、露光光が照射された位置から現像領域に至るまでの間の時間］）が長くなる傾向がある。具体的には、露光から現像までの時間が０．１秒以上０．５秒以下の範囲と長くなる傾向がある。その結果、感光体の感光層の暗減衰により、同一画像の連続出力により連続して露光された領域、および光暴露された領域の帯電電位の低下が更に生じ易くなり、「焼付きゴースト」及び「光疲労」が顕著に生じると考えられる。

これに対して、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）と、ＢＰポリカーボネート樹脂とを共に含む感光層に、更に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤を含有させると、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が抑制される。これは、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が、電子の非局在化領域との間で電荷の授受等の相互作用を生じさせ、同一画像の連続出力および光暴露による電子の非局在化領域において、電子のエネルギー状態の変化を抑制すると考えられるためである。そして、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量を３００以上とすると、感光層を形成するときの乾燥工程において、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が揮発することが抑制される。つまり、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量を３００以上とすると、感光層中に上記機能を発現する量でヒンダードフェノール系酸化防止剤が残留すると考えられる。

一方、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）と、ＢＰポリカーボネート樹脂とを共に含む感光層に、更に、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤を含有させても、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が抑制される。これは、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、同一画像の連続出力および光暴露によって、感光層に受ける光エネルギーを吸収し、電子の非局在化領域において、電子のエネルギー状態の変化を抑制するためと考えられる。

更に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、ＢＰポリカーボネート樹脂のビフェニル骨格のベンゼン環と電荷輸送材料とに作用し、ビフェニル骨格のベンゼン環と電荷輸送材料との相互作用による電荷のトラップサイトの形成が抑制されると考えられる。このため、ビフェニル骨格のベンゼン環と電荷輸送材料との相互作用による電荷のトラップサイトに起因して生じる感光層中の電荷の過剰な蓄積が抑制されると考えられる。

加えて、感光体を上記構成とすることにより、光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段を備えることにより、露光から現像までの時間が長くなっても、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が生じ難くなる。

以上から、本実施形態に係る画像形成装置は、光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段を備え、露光から現像までの時間が例えば０．１秒以上０．５秒以下と長くなっても、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制すると推測される。

そして、本実施形態に係る電子写真感光体では、結着樹脂として、ＢＰポリカーボネート樹脂を感光層に含むため、感光層の耐摩耗性が向上し、長寿命化が実現される。

また、電荷発生材料として、電荷発生効率の高いヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を感光層に含む場合、発生する電荷量が多いため、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が顕著になり、焼付きゴースト及び光疲労が発生し易くなる。しかし、本実施形態に係る電子写真感光体では、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを感光層に含む場合でも、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制する。

更に、フッ素含有樹脂粒子と、フッ素含有分散剤とを感光層に含む場合、感光層の耐摩耗性が向上し、感光体の長寿命化が図れる。一方で、フッ素含有分散剤を感光層に含むと、フッ素含有分散剤が電荷のトラップサイト（電荷が蓄積され易い領域）として働き易くなると考えられる。この電荷のトラップサイトにより、感光層中で電荷が過剰に蓄積されると、帯電後、感光体の表面に蓄積された電荷と相殺されるため、「焼付きゴースト」及び「光疲労」が顕著に生じると考えられる。しかし、本実施形態に係る電子写真感光体では、フッ素含有樹脂粒子と、フッ素含有分散剤とを感光層に含む場合でも、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制する。

ここで、本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体と光源として発光ダイオードを有する静電潜像形成手段とを備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体及び静電潜像形成手段以外に、例えば、帯電手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

＜電子写真感光体＞
以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体７Ａの層構成の一例を示す概略部分断面図である。図１に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。

なお、電子写真感光体７Ａは、下引層１が設けられていない層構成であってもよい。また、電子写真感光体７Ａは、電荷輸送層３上に、更に保護層が設けられた層構成であってもよい。また、各電子写真感光体７Ａは、電荷発生層２と電荷輸送層３との機能が一体化した単層型感光層であってもよい。

以下、電子写真感光体の各要素について説明する。なお、電子写真感光体の各要素の符号は、符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。粗面化のための層としては、後述の下引層を用いることも可能である。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ωｃｍ以上１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）から１／２λまでに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは１８μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。

これらの中でも、電荷発生材料としては、電荷発生効率の点で、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料であることが好ましく、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより好ましい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から好ましい。

また、上記の８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましい。一方、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ^２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ^２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ^２／ｇ以上１２０ｍ^２／ｇ以下であることが特に好ましい。平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒子径の最大値）は、１．２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましく、更に好ましくは０．３μｍ以下である。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が０．２μｍ以下、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、比表面積値が４５ｍ^２／ｇ以上であることが好ましい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。

電荷発生材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。
電荷輸送材料としては、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）が適用される。そして、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を含む電荷輸送層には、更に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種を含む。更に、電荷輸送層には、フッ素含有樹脂粒子、およびフッ素含有分散剤を含んでもよい。

−電荷輸送材料−
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）について説明する。
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料である。

一般式（ＣＴ１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。

なお、一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＣＴ１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲ^Ｃ１１及びＲ^Ｃ１２同士、Ｒ^Ｃ１３及びＲ^Ｃ１４同士、Ｒ^Ｃ１５及びＲ^Ｃ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。

一般式（ＣＴ１）において、ｎ及びｍは、１であることが好ましい。

一般式（ＣＴ１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１又は２を表することが好ましく、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−３））であることがより好ましい。

以下に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−ＯＣＨ_３：メトキシ基

ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）について説明する。
ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料である。

一般式（ＣＴ２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。

なお、一般式（ＣＴ２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＣＴ２）において、特に、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒ^Ｃ２１、及びＲ^Ｃ２３が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−２））であることが特に好ましい。

以下に、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−Ｃ_２Ｈ_５：エチル基
・−ＯＣＨ_３：メトキシ基
・−ＯＣ_２Ｈ_５：エトキシ基

ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤について説明する。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環を有し、且つ分子量が３００以上の化合物である。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環は、例えば、炭素数４以上８以下のアルキル基（例えば炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基）が少なくとも一つ置換されたフェノール環である。より具体的には、ヒンダードフェノール環は、例えば、フェノール性水酸基に対してオルトの位置が三級アルキル基（例えばｔｅｒｔ−ブチル基）で置換されたフェノール環である。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、
１）ヒンダードフェノール環を１つ有する酸化防止剤、
２）ヒンダードフェノール環を２つ以上４つ以下有し、且つ直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、又は２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素−炭素の結合間に、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）及びエーテル結合（−Ｏ−）の少なくとも一方が介在した連結基で、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が連結された酸化防止剤
３）２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環と、一つのベンゼン環（未置換、又はアルキル基等で置換された置換ベンゼン環）又はイソシアヌレート環とを有し、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が、各々、ベンゼン環又はイソシアヌレート環とアルキレン基を介して連結された酸化防止剤
等が挙げられる。

具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤が好ましい。

一般式（ＨＰ）中、Ｒ^Ｈ１、及びＲ^Ｈ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。
Ｒ^Ｈ３、及びＲ^Ｈ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。
Ｒ^Ｈ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。

一般式（ＨＰ）中、Ｒ^Ｈ１、及びＲ^Ｈ２が表すアルキル基としては、炭素数４以上８以下（好ましくは炭素数４以上６以下）の分岐状のアルキル基が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。

一般式（ＨＰ）中、Ｒ^Ｈ３、及びＲ^Ｈ４としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは炭素数１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＨＰ）中、Ｒ^Ｈ５は、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状アルキレン基を表す。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキレン基が好ましい。

なお、一般式（ＨＰ）中、Ｒ^Ｈ１、Ｒ^Ｈ２、Ｒ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ４、及びＲ^Ｈ５が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基等）等が挙げられる。

一般式（ＨＰ）において、特に、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、Ｒ^Ｈ１、及びＲ^Ｈ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表すことが好ましく、Ｒ^Ｈ１、及びＲ^Ｈ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表し、Ｒ^Ｈ３、及びＲ^Ｈ４が炭素数１以上３以下のアルキル基（特にメチル基）を示し、Ｒ^Ｈ５が炭素数１以上４以下のアルキレン基（特にメチレン基）を表すことが好ましい。
具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、例示化合物（ＨＰ−３）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤が特に好ましい。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量は、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、３００以上１０００以下が好ましく、３００以上９００以下がより好ましく、３００以上８００以下が更に好ましい。

以下に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

次に、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤について説明する。
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、ベンゾフェノン骨格を有する化合物である。

ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、１）２つのベンゼン環が無置換の化合物、２）２つのベンゼン環に、各々に独立に、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、及びアリール基よりなる群から選択される少なくとも一つの置換基で置換された化合物が挙げられる。特に、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、２つのベンゼン環の一方に、少なくとも水酸基が置換（特に、−Ｃ（＝Ｏ）−基に対してオルトの位置に置換）されている化合物がよい。

具体的には、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤が好ましい。

一般式（ＢＰ）中、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。ただし、Ｒ^Ｂ３は水酸基を表してもよい。

一般式（ＢＰ）において、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＢＰ）において、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＢＰ）において、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＢＰ）において、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。

なお、一般式（ＢＰ）において、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＢＰ）において、特に、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、Ｒ^Ｂ１、及びＲ^Ｂ２が水素原子を表し、Ｒ^Ｂ３が炭素数１以上３以下のアルコキシ基を表すことが好ましい。
具体的には、紫外線吸収剤は、下記構造式（ＢＰＡ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＢＰ−３））であることが特に好ましい。

以下に、一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−Ｃ_２Ｈ_５：エチル基
・−（ＣＨ_２）_７−ＣＨ_３：オクチル基
・−ＯＣＨ_３：メトキシ基
・−ＯＨ：ヒドロキシ基

ベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

次に、電荷輸送材料、酸化防止剤および紫外線吸収剤の含有量について説明する。
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量は、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＣＴ１と結着樹脂との配合比（質量比 ＣＴ１：結着樹脂）で０．１：９．９から４．０：６．０までの範囲内であることが好ましく、０．４：９．６から３．５：６．５までの範囲内であることがより好ましく、０．６：９．４から３．０：７．０の範囲内であることが更に好ましい。

ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量は、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＣＴ２と結着樹脂との配合比（質量比 ＣＴ２：結着樹脂）で、：９から７：３までの範囲内であることが好ましく、２：８から６：４までの範囲内であることがより好ましく、２：８から４：６の範囲内であることが更に好ましい。

ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量とベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量との質量比（ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量／ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量）は、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、１／９以上５／５以下が好ましく、１／９以上４／６以下がより好ましく、１／９以上３／７以下が更に好ましい。
特に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量とベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量との質量比が上記範囲であると、焼付きゴースト及び光疲労が生じ易いが、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種により、焼付きゴースト及び光疲労の発生が抑制される。

なお、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）およびベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）以外の他の電荷輸送材料を併用してもよい。但し、その場合、全電荷輸送材料に占める他の電荷輸送材料の含有量は、１０質量％以下（好ましくは５質量％以下）であることがよい。

ヒンダーフェノール系酸化防止剤の含有量は、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、全電荷輸送材料量１００質量％に対して、０．５質量％以上３０．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上９．０質量％以下が更に好ましい。なお、このヒンダーフェノール系酸化防止剤の含有量は、全電荷輸送材料の含有量を１００質量部としたときの部数（質量部）を示している。

ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の含有量は、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、全電荷輸送材料量１００質量％に対して、０．５質量％以上３０．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上９．０質量％以下が更に好ましい。なお、このベンゾフェノン系紫外線吸収剤の含有量は、全電荷輸送材料の含有量を１００質量部としたときの部数（質量部）を示している。

なお、ヒンダーフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤の含有量は、共に、３０．０質量％以下とすることで、酸化防止剤および紫外線吸収剤による電荷輸送材料の電荷輸送能力の阻害が抑制される。つまり、光照射による感光体表面への静電潜像形成の阻害が抑制され、目的とする濃度の画像が得られ易くなる。

次に結着樹脂について説明する。
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ＢＰポリカーボネート樹脂が適用される。ＢＰポリカーボネート樹脂は、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂である。

ＢＰポリカーボネート樹脂としては、例えば、ビフェニル骨格を有する構造単位として、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、他の構造単位とを有するビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂が挙げられる。
他の構造単位としては、ビスフェノール骨格（例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＢＰ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＺ等）を有する構造単位等が挙げられる。

ＢＰポリカーボネート樹脂として具体的には、例えば、ジヒドロキシビフェニル化合物と、ジヒドロキシビスフェノール化合物との共重合体が挙げられる。なお、この共重合体は、例えば、ジヒドロキシビフェニル化合物およびジヒドロキシビスフェノール化合物を原料として用い、ホスゲン等の炭酸エステル形成性化合物との重縮合又はビスアリールカーボネートとのエステル交換反応等の方法によって得られる。

ジヒドロキシビフェニル化合物は、ビフェニル骨格を有し、ビフェニル骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビフェニル化合物である。ジヒドロキシビフェニル化合物としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジシクロヘキシルビフェニル、３，３’−ジフルオロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジフェニルビフェニル等が挙げられる。
これらジヒドロキシビフェニル化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。

ジヒドロキシビスフェノール化合物は、ビスフェノール骨格を有し、ビスフェノール骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビスフェノール化合物である。ジヒドロキシビスフェノール化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等が挙げられる。
これらビスフェノール化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。

これらの中でも、ＢＰポリカーボネート樹脂は、感光層（電荷輸送層）の耐摩耗性の点から、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂であることが好ましい。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘ^Ｐ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すアルキル基としては、炭素数１以上６以下（好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルが挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｘ^Ｐ１が表すアルキレン基としては、炭素数１以上１２以下（好ましくは炭素数１以上６以下、より好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が挙げられる。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基、ｎ−ウンデシレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基、イソウンデシレン基、ｓｅｃ−ウンデシレン基、ｔｅｒｔ−ウンデシレン基、ネオウンデシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ−ドデシレン基、ｔｅｒｔ−ドデシレン基、ネオドデシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｘ^Ｐ１が表すシクロアルキレン基としては、炭素数３以上１２以下（好ましくは炭素数３以上１０以下、より好ましくは炭素数５以上８以下）のシクロアルキレン基が挙げられる。
シクロアルキル基として具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデカニル基等が挙げられる。
これらの中でも、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が好ましい。

なお、一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、及びＸ^Ｐ１が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルキル基（例えば炭素数１以上６以下のアルキル基）、シクロアルキル基（例えば炭素数５以上７以下のシクロアルキル基）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等）等が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）において、Ｒ^Ｐ１、及びＲ^Ｐ２は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒ^Ｐ１、及びＲ^Ｐ２は、水素原子を表すことがより好ましい。
一般式（ＰＣＢ）において、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘ^Ｐ１がアルキレン基、又はシクロアルキレン基を表すことが好ましい。

ＢＰポリカーボネート樹脂の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、例示化合物中、ｐｍ、ｐｎは共重合比を示す。

ここで、ＢＰポリカーボネート樹脂において、一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位の含有率（共重合比）は、ＢＰポリカーボネート樹脂を構成する全構造単位に対して５モル％以上９５モル％以下の範囲がよく、感光層（電荷輸送層）の耐磨耗性を高める観点から、好ましくは５モル％以上５０モル％以下の範囲、さらに好ましくは１５モル％以上３０モル％以下の範囲である。
具体的には、ＢＰポリカーボネート樹脂の上記例示化合物中、ｐｍ、ｐｎは共重合比（モル比）を示すが、ｐｍ：ｐｎ＝９５：５から５：９５の範囲、５０：５０から５：９５の範囲、更に好ましくは、１５：８５から３０：７０の範囲が挙げられる。

ＢＰポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量としては、例えば２０，０００以上８０，０００以下が好ましい。
なお、ＢＰポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量の測定方法としては、次の方法により測定される値である。樹脂１ｇをメチレンクロライド１００ｃｍ^３に均一溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、その比粘度ηｓｐを測定し、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕２ｃの関係式（ただしｃは濃度（ｇ／ｃｍ^３）より極限粘度〔η〕（ｃｍ３／ｇ）をもとめ、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている式、〔η〕＝１．２３×１０−４Ｍｖ０．８３の関係式より粘度平均分子量Ｍｖを求める。

ＢＰポリカーボネート樹脂は、他の結着樹脂と併用してもよい。ただし、他の結着樹脂は、全結着樹脂に対して１０質量％（好ましくは５質量％以下）で併用することがよい。

ここで、ＢＰポリカーボネート樹脂の含有量は、例えば、感光層（電荷輸送層）の全固形分に対して、１０質量％以上９０質量％以下が好ましく、３０質量％以上９０質量％以下がより好ましく、５０質量％以上９０質量％以下が更に好ましい。
なお、全結着樹脂と電荷輸送材料との配合比（質量比＝結着樹脂：電荷輸送材料）は１０：１から１：５までが望ましい。

次に、フッ素含有樹脂粒子について説明する。
フッ素含有樹脂粒子としては、例えば、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体の粒子の中から１種又は２種以上を選択するのが望ましい。これらの中でも、フッ素含有樹脂粒子としては、特に、４フッ化エチレン樹脂粒子、フッ化ビニリデン樹脂粒子が望ましい。

フッ素含有樹脂粒子の一次粒径は、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることがよく、望ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
なお、この一次粒子は、感光層（電荷輸送層）から試料片を得て、これをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により例えば倍率５０００倍以上で観察し、一次粒子状態のフッ素樹脂粒子の最大径を測定し、これを５０個の粒子について行った平均値とする。なお、ＳＥＭとして日本電子製ＪＳＭ−６７００Ｆを使用し、加速電圧５ｋＶの二次電子画像を観察する。

フッ素樹脂粒子の市販品としては、例えば、ルブロン（登録商標）シリーズ（ダイキン工業株式会社製）、テフロン（登録商標）シリーズ（デュポン製）、ダイニオン（登録商標）シリーズ（住友３Ｍ製）等が挙げられる。

フッ素含有樹脂粒子の含有量は、感光層（電荷輸送層）の全固形分に対して、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上２０質量％以下がより好ましく、５質量％以上１５質量％以下が更に好ましい。

次に、フッ素含有分散剤について説明する。
フッ素含有分散剤としては、フッ化アルキル基を有する重合性化合物を単独重合又は共重合した重合体（以下「フッ化アルキル基含有重合体」とも称する）が挙げられる。

フッ素含有分散剤として具体的には、フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートの単独重合体、フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートとフッ素原子を有さないモノマーとのランダム又はブロック共重合体等が挙げられる。なお、（メタ）アクリレートとは、アクリレートおよびメタクリレートの双方を意味する。
フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル（メタ）アククリレートが挙げられる。
フッ素原子を有さないモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アククリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチルｏ−フェニルフェノール（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテル（メタ）アクリレートが挙げられる。

その他、フッ素含有分散剤として具体的には、米国特許５６３７１４２号明細書、特許第４２５１６６２号公報などに開示されたブロック又はブランチポリマーも挙げられる。更に、フッ素含有分散剤として具体的には、フッ素系界面活性剤も挙げられる。

これらの中でも、フッ素含有分散剤としては、下記一般式（ＦＡ）で示される構造単位を有するフッ化アルキル基含有重合体が好ましく、下記一般式（ＦＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＦＢ）で示される構造単位とを有するフッ化アルキル基含有重合体がより好ましい。

以下、下記一般式（ＦＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＦＢ）で示される構造単位とを有するフッ化アルキル基含有重合体について説明する。

一般式（ＦＡ）及び（ＦＢ）中、Ｒ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２、Ｒ^Ｆ３及びＲ^Ｆ４は、各々独立に、水素原子、又はアルキル基を表す。
Ｘ^Ｆ１は、アルキレン鎖、ハロゲン置換アルキレン鎖、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、又は単結合を表す。
Ｙ^Ｆ１は、アルキレン鎖、ハロゲン置換アルキレン鎖、−（Ｃ_ｆｘＨ_{２ｆｘ−１}（ＯＨ））−又は単結合を表す。
Ｑ^Ｆ１は、−Ｏ−、又は−ＮＨ−を表す。
ｆｌ、ｆｍ及びｆｎは、各々独立に、１以上の整数を表す。
ｆｐ、ｆｑ、ｆｒ及びｆｓは、各々独立に、０または１以上の整数を表す。
ｆｔは、１以上７以下の整数を表す。
ｆｘは１以上の整数を表す。

一般式（ＦＡ）及び（ＦＢ）中、Ｒ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２、Ｒ^Ｆ３及びＲ^Ｆ４を表す基としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基等が好ましく、水素原子、メチル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。

一般式（ＦＡ）及び（ＦＢ）中、Ｘ^Ｆ１及びＹ^Ｆ１を表すアルキレン鎖（未置換アルキレン鎖、ハロゲン置換アルキレン鎖）としては、炭素数１以上１０以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン鎖が好ましい。
Ｙ^Ｆ１を表す−（Ｃ_ｆｘＨ_{２ｆｘ−１}（ＯＨ））−中のｆｘは、１以上１０以下の整数を表すことが好ましい。
ｆｐ、ｆｑ、ｆｒ及びｆｓは、それぞれ独立に０または１以上１０以下の整数を表すことが好ましい。
ｆｎは、例えば、１以上６０以下が好ましい。

ここで、フッ素含有分散剤において、一般式（ＦＡ）で示される構造単位と一般式（ＦＢ）で示される構造単位との比、つまり、ｆｌ：ｆｍは、１：９から９：１までの範囲が好ましく、３：７から７：３までの範囲がより好ましい。

また、フッ素含有分散剤、一般式（ＦＡ）で示される構造単位と一般式（ＦＢ）で示される構造単位とに加え、一般式（ＦＣ）で示される構造単位を更に有していてもよい。一般式（ＦＣ）で示される構造単位の含有比は、一般式（ＦＡ）及び（ＦＢ）で示される構造単位の合計、即ちｆｌ＋ｆｍとの比（ｆｌ＋ｆｍ：ｆｚ）で、１０：０から７：３までの範囲が好ましく、９：１から７：３までの範囲がより好ましい。

一般式（ＦＣ）中、Ｒ^Ｆ５、及びＲ^Ｆ６は、各々独立に、水素原子、又はアルキル基を表す。ｆｚは、１以上の整数を表す。

一般式（ＦＣ）中、Ｒ^Ｆ５、及びＲ^Ｆ６を表す基としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基等が好ましく、水素原子、メチル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。

フッ素含有分散剤の市販品としては、例えば、ＧＦ３００、ＧＦ４００（東亞合成社製）、サーフロンシリーズ（ＡＧＣセイミケキカル社製）、フタージェントシリーズ（ネオス社製）、ＰＦシリーズ（北村化学社製）、メガファックシリーズ（ＤＩＣ製）、ＦＣシリーズ（３Ｍ製）等が挙げられる。

フッ素含有分散剤の重量平均分子量は、例えば、２０００以上２５００００以下が好ましく、３０００以上１５００００以下がより好ましく、５００００以上１０００００以下が更に好ましい。
フッ素含有分散剤の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定される値である。ＧＰＣによる分子量測定は、例えば、測定装置として東ソー製ＧＰＣ・ＨＬＣ−８１２０を用い、東ソー製カラム・ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨＨＲ−Ｍ＋ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨＨＲ−Ｍ（７．８ｍｍＩ．Ｄ．３０ｃｍ）を使用し、クロロホルム溶媒で行い、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作製した分子量校正曲線を使用して算出する。

フッ化アルキル基含有共重合体の含有量は、例えば、フッ素含有樹脂粒子の質量に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましく、１質量％以上７質量％以下がより好ましい。
なお、フッ化アルキル基含有共重合体は、１種を単独でまたは２種以上を併用してもよい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。

（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。

１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）

反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ_２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲ^Ｑ１ _３−Ｑｎ（ＯＲ^Ｑ２）_Ｑｎ［但し、Ｒ^Ｑ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^Ｑ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。

連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。

反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。

保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と結着樹脂と、必要に応じて、その他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。
一方、単層型感光層中、電荷輸送材料、結着樹脂（ＢＰポリカーボネート樹脂）、酸化防止剤および紫外線吸収剤の含有量は電荷輸送層中での含有量と同様である。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

＜帯電装置＞
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

＜露光装置＞
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、発光ダイオードの光を、定められた像様に露光する光学系機器等が適用される。つまり、露光装置９は、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：ライト・エミッティング・ダイオード）を有する露光装置が適用される。
具体的には、光源としてＬＥＤを有する露光装置９としては、例えば、長尺状の基板上に多数のＬＥＤが配列されたＬＥＤアレイと、多数の屈折率分布型のロッドレンズが配列されたレンズアレイと、を備えたＬＥＤプリントヘッドが挙げられる。なお、ここでアレイとは、複数のＬＥＤや複数のレンズ等の素子が、一次元状又は二次元状に配列された素子列を意味している。ＬＥＤアレイには、例えば、１インチ当り１２００画素（即ち、１２００ｄｐｉ（dot per inch））と、主走査方向の画素数に対応して多数のＬＥＤが配列されている。屈折率分布型のロッドレンズとしては、円柱状のロッドレンズが用いられる。
なお、ＬＥＤは、照射する光の波長が電子写真感光体７の分光感度領域内にあるものが適用されることがよい。

＜現像装置＞
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

＜クリーニング装置＞
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

＜転写装置＞
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

＜中間転写体＞
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜感光体の作製＞
［感光体１］
酸化亜鉛（商品名：ＭＺ ３００、テイカ株式会社製）１００質量部、シランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％のトルエン溶液を１０質量部、トルエン２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付けて、シランカップリング剤による酸化亜鉛の表面処理を行った。
表面処理した酸化亜鉛：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、下記構造式（ＡＫ−１）で示される化合物：１質量部、メチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合し、その後ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて３時間の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。
さらに、浸漬塗布法にて、下引層形成用塗布液を、直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚０．７ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８５℃、３０分の乾燥硬化を行い、膜厚３０μｍの下引層を得た。

次に、電荷発生材料としてのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料「Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するＶ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長＝８２０ｎｍ、平均粒径＝０．１２μｍ、最大粒径＝０．２μｍ、比表面積値＝６０ｍ^２／ｇ）」、結着樹脂としての塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）、およびｎ−酢酸ブチルからなる混合物を、容量１００ｍＬガラス瓶中に、充填率５０％で１．０ｍｍφガラスビーズと共に入れて、ペイントシェーカーを用いて２．５時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の混合物に対して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の含有率を５５．０体積％とし、分散液の固形分は６．０質量％とした。含有率は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の比重を１．６０６ｇ／ｃｍ^３、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の比重１．３５ｇ／ｃｍ^３をとして計算した。
得られた電荷発生層形成用塗布液を、下引層上に浸漬塗布し、１００℃で５分間乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

次に、電荷輸送材料として、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）「例示化合物（ＣＴ１−１）」８．０質量部およびベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）「例示化合物（ＣＴ２−１）」３２．０質量部と、結着樹脂として、ＢＰポリカーボネート樹脂「例示化合物（ＰＣ−１）、ｐｍ：ｐｎ＝２５：７５、粘度平均分子量＝５万」６０．０質量部と、フッ素含有樹脂粒子として、４フッ化エチレン樹脂粒子（体積平均粒子径２００ｎｍ）：８質量部と、フッ素含有分散剤として、ＧＦ４００（東亜合成社製：フッ化アルキル基を持つメタクリレートを少なくとも重合成分とした界面活性剤）：０．３質量部と、酸化防止剤として、ヒンダードフェノール系酸化防止剤「例示化合物（ＨＰ−１）、分子量７７５」３．２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して８．０質量％）とを、テトラヒドロフラン３４０．０質量部に加えて溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
得られた電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、１４０℃、２５分の乾燥を行うことにより、膜厚２５μｍの電荷輸送層を形成した。

以上の工程を経て、感光体１を得た。

［感光体２〜４］
表１に従って、電荷輸送材料の種類と、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の種類とを変更した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体５］
酸化防止剤としてのヒンダードフェノール系酸化防止剤に代えて、紫外線吸収剤として、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤「例示化合物（ＢＰ−１）」３．２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して８．０質量％）を使用した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体６〜８］
表１に従って、電荷輸送材料の種類と、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の種類とを変更した以外は、感光体５と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体９］
酸化防止剤として、ヒンダードフェノール系酸化防止剤「例示化合物（ＨＰ−１）、分子量７７５」３．２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して８．０質量％）と共に、更に、紫外線吸収剤として、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤「例示化合物（ＢＰ−１）」３．２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して８．０質量％）を使用した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体１０］
表１に従って、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の種類と、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の種類とを変更した以外は、感光体９と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体１１〜２０］
表１に従って、電荷輸送材料の種類と、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の種類と、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の種類とを変更した以外は、感光体９と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体２１〜２５］
表１に従って、酸化防止剤としてのヒンダードフェノール系酸化防止剤の量と、紫外線吸収剤としてのベンゾフェノン系紫外線吸収剤の量とを変更した以外は、感光体２０と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体２６〜３７］
表２に従って、電荷輸送材料の種類及び量と、酸化防止剤の種類及び量と、紫外線吸収剤の種類及び量とを変更した以外は、感光体９と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［感光体３８］
ＢＰポリカーボネート樹脂に代えて、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂ＰＣＺ４００（ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量３．９万）」６０．０質量部を使用した以外は、感光体３２と同様して、電子写真感光体を作製した。

＜実施例１＞
得られた電子写真感光体（感光体１）を電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ ＳＣ２０２１改造機）に搭載し、この改造機を実施例１の画像形成装置とした。なお、改造機に搭載した静電潜像形成装置は、発光ダイオードを光源とした静電潜像形成装置である。

＜実施例２〜３１および比較例１〜７＞
感光体の種類を表３、４に従って変更した以外は実施例１と同様の画像形成装置（実施例２〜２５および比較例１〜７）とした。

＜評価＞
各例の画像形成装置を用い、下記要領で、「焼付きゴースト」、「光疲労」、「ハーフトーン画像濃度」の評価を行った。

（焼付きゴーストの評価）
各例の画像形成装置を用い、Ａ３サイズの用紙に格子模様チャートを３０００枚連続出力した後、Ａ３サイズの用紙に、画像濃度２０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ色の全面ハーフトーン画像）を１枚出力した。
そして、出力した全面ハーフトーン画像を観察し、格子模様の連続画像出力部と非連続画像出力部との濃度差について、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定は０Ｇ〜５Ｇまで０．５Ｇ刻みで行い、Ｇの数字が小さい程、濃度差が小さく、焼付きゴーストが発生していないことを示す。焼付きゴーストの許容グレードは３．５Ｇ以下である。なお、画像出力は全て２８℃、８５％ＲＨの環境下で実施した。結果を表３〜表５に示す。

（光疲労の評価）
先ず、電子写真感光体（感光体１〜３８）を各例の画像形成装置に搭載する前に、２ｃｍ四方の窓を開けた黒紙に巻き、窓開け部のみが光暴露されるようにして、白色蛍光灯（１０００Ｌｕｘ）下で１０分間放置し、電子写真感光体を光暴露させた。
次に、光暴露させた電子写真感光体を、各例の画像形成装置に搭載し、Ａ３サイズの用紙に、画像濃度５０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ）を１枚出力した。
そして、出力した全面ハーフトーン画像を観察し、光暴露部と非光暴露部との濃度差について、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定は０Ｇ〜５Ｇまで０．５Ｇ刻みで行い、Ｇの数字が小さい程、濃度差が小さく、光疲労が発生していないことを示す。光疲労の許容グレードは３．５Ｇ以下である。なお、画像出力は全て２８℃、８５％ＲＨの環境下で実施した。結果を表３〜表４に示す。

（ハーフトーン画像濃度の評価）
各例の画像形成装置を用い、Ａ３サイズの用紙に、画像濃度５０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ）を１枚出力した。
そして、出力した全面ハーフトーン画像を観察し、目的とする画像濃度が出力されているかを調べた。なお、画像出力は全て２８℃、８５％ＲＨの環境下で実施した。結果を表３〜表４に示す。

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、「焼付きゴースト」および「光疲労」が抑制されていることがわかる。
また、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤の配合量が適切な実施例１〜２０は、実施例２１〜２５に比べ、目的とするハーフトーン画像濃度が得られていることがわかる。

ここで、感光体に静電潜像を書き込む露光装置として、レーザ光源から射出された光をポリゴンミラーで走査するレーザＲＯＳ（Raster Output Scanner）方式の露光装置を備える画像形成装置（露光から現像までの時間０．０７秒）に、感光体１（実施例対応の感光体）を搭載し、「焼付きゴースト」および「光疲労」を評価したところ、「焼付きゴースト」は１．５Ｇ、「光疲労」２．０Ｇであった。このことから、光源として発光ダイオードを有する露光装置を備える画像形成装置では、「焼付きゴースト」および「光疲労」が生じ易く、本実施例ではこれらが改善されていることがわかる。

なお、表１〜表２の略称等の詳細は以下の通りである。
・ＣＴ１−１：ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の例示化合物（ＣＴ１−１）
・ＣＴ１−２：ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の例示化合物（ＣＴ１−２）
・ＣＴ１−３：ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の例示化合物（ＣＴ１−３）
・ＣＴ２−１：ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の例示化合物（ＣＴ２−１）
・ＣＴ２−２：ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の例示化合物（ＣＴ２−２）
・ＰＣ−１：ＢＰポリカーボネート樹脂の例示化合物（ＰＣ−１）
・ＰＣＺ４００：ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量３．９万）
・ＨＰ−１：ヒンダードフェノール系酸化防止剤の例示化合物（ＨＰ−１）
・ＨＰ−２：ヒンダードフェノール系酸化防止剤の例示化合物（ＨＰ−２）
・ＨＰ−３：ヒンダードフェノール系酸化防止剤の例示化合物（ＨＰ−３）
・ＣＡＯ−１：酸化防止剤の比較化合物（下記構造式（ＣＡＯ−１）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤参照）
・ＣＡＯ−２：酸化防止剤の比較化合物（下記構造式（ＣＡＯ−２）で示されるヒンダードアミン系酸化防止剤参照）

・ＢＰ−１：ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例示化合物（ＢＰ−１）
・ＢＰ−２：ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例示化合物（ＢＰ−２）
・ＢＰ−３：ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例示化合物（ＢＰ−３）
・ＣＵＡ−１：紫外線吸収剤の比較化合物（下記構造式（ＣＵＡ−１）で示されるベンゾエート系紫外線吸収剤参照）

１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、４ 導電性基体、７Ａ，７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑剤、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ

Claims (10)

1. 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生材料、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂、並びに、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤としての下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種を含む感光層と、を有する電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
   光源として発光ダイオードを有し、前記発光ダイオードによる露光により、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
   トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
   前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
   を備える画像形成装置。
   
   
   （一般式（ＣＴ１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
   
   
   （一般式（ＣＴ２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
   
   （一般式（ＨＰ）中、Ｒ ^Ｈ１ 、及びＲ ^Ｈ２ は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。Ｒ ^Ｈ３ 、及びＲ ^Ｈ４ は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。Ｒ ^Ｈ５ は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。）
2. 前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表す請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料において、Ｒ^Ｃ２１、及びＲ^Ｃ２３が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
4. 前記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤において、Ｒ^Ｈ１、及びＲ^Ｈ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表す請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
5. 前記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
   
   
   （一般式（ＢＰ）中、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、及びＲ^Ｂ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。ただし、Ｒ^Ｂ３は水酸基を表してもよい。）
6. 前記一般式（ＢＰ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤において、Ｒ^Ｂ１、及びＲ^Ｂ２が水素原子を表し、Ｒ^Ｂ３が炭素数１以上４以下のアルコキシ基を表す請求項５に記載の画像形成装置。
7. 前記電荷発生材料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
8. 前記ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂が、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
   
   
   （一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘ^Ｐ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。）
9. 前記感光層が、フッ素含有樹脂粒子と、フッ素含有分散剤と、を更に含む請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
10. 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生材料、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂、並びに、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤としての下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種を含む感光層と、を有する電子写真感光体と、
    光源として発光ダイオードを有し、前記発光ダイオードによる露光により、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    を備え、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
    
    
    （一般式（ＣＴ１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
    
    
    （一般式（ＣＴ２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
    
    （一般式（ＨＰ）中、Ｒ ^Ｈ１ 、及びＲ ^Ｈ２ は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。Ｒ ^Ｈ３ 、及びＲ ^Ｈ４ は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。Ｒ ^Ｈ５ は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。）