JP2023130296A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体を提供する。【解決手段】電子写真感光体は、導電性基体と、下引層と、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型感光層と、を備え、電荷輸送層が電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有し、電荷輸送層の平均厚をＡｓ（μｍ）とし、下引層の平均厚をＢｓ（μｍ）としたとき、２７≦Ａｓ≦５０、１０≦Ｂｓ≦４０且つ０．７０≦Ａｓ／Ｂｓ≦４．８０を満たす。【選択図】なし

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。

特許文献１には、導電性支持体上に電荷輸送層と電荷発生層とが積層されてなる積層型正帯電の電子写真用感光体において、電荷発生層及び電荷輸送層に含まれる残留溶媒の合計量が５０μｇ／ｃｍ^２以下であり、電荷発生層における電子輸送材料と正孔輸送材料との質量比が５：１～４：２の範囲であり、電荷輸送層の膜厚が３μｍ～４０μｍの範囲であり、電荷発生層の膜厚が３μｍ～４０μｍの範囲であり、電荷発生層及び電荷輸送層全体の水分含有率が０．０５質量％～１．５質量％の範囲である電子写真用感光体が開示されている。

特許文献２には、導電性基体上に下引き層、電荷発生層及び電荷輸送層を積層してなる電子写真感光体において、下引き層の膜厚が４μｍ以上、電荷輸送層の膜厚が２０μｍ以下であり、電荷輸送層の膜厚ｄ（μｍ）と帯電された電子写真感光体の表面電位の絶対値Ｖ（Ｖｏｌｔ）との間にＶ／ｄ≦４０の関係が成立する電子写真感光体が開示されている。

特許文献３には、下引き層が金属酸化物粒子を含有し、２３±２℃において強度５×１０^４（Ｖ／ｃｍ）の電界を与えたときの体積抵抗率ρが１×１０^７（Ω・ｃｍ）以上２×１０^８（Ω・ｃｍ）未満の範囲内であり、下引き層の層厚が１０～４０μｍの範囲内であり、かつ、感光層の層厚が３０～５０μｍの範囲内である電子写真感光体が開示されている。

特開２０１５－２１２８３７号公報 特開２０００－３１４９７６号公報 特開２０２０－１１５１９５号公報

本開示は、積層型感光層を備え電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．７０未満又は４．８０超である電子写真感光体、又は、単層型感光層を備え単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満又は４．８０超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体を提供することを課題とする。

前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。

＜１＞ 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型感光層と、を備え、
前記電荷輸送層が電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有し、
前記電荷輸送層の平均厚をＡｓ（μｍ）とし、前記下引層の平均厚をＢｓ（μｍ）としたとき、２７≦Ａｓ≦５０、１０≦Ｂｓ≦４０且つ０．７０≦Ａｓ／Ｂｓ≦４．８０を満たす、
電子写真感光体。
＜２＞ ０．８７≦Ａｓ／Ｂｓ≦３．４２を満たす、＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞ 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された単層型感光層と、を備え、
前記単層型感光層が電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有し、
前記単層型感光層の平均厚をＡｔ（μｍ）とし、前記下引層の平均厚をＢｔ（μｍ）としたとき、２７≦Ａｔ≦５０、１０≦Ｂｔ≦４０且つ０．７０≦Ａｔ／Ｂｔ≦４．８０を満たす、
電子写真感光体。
＜４＞ ０．８７≦Ａｔ／Ｂｔ≦３．４２を満たす、＜３＞に記載の電子写真感光体。
＜５＞ 前記ポリエステル樹脂が、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含む、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜６＞ 前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜５＞に記載の電子写真感光体。
＜７＞ 前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜５＞又は＜６＞に記載の電子写真感光体。
＜８＞ ＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜９＞ ＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える、
画像形成装置。

＜１＞、＜５＞、＜６＞又は＜７＞に係る発明によれば、積層型感光層を備え電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．７０未満又は４．８０超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜２＞に係る発明によれば、積層型感光層を備え電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．８７未満又は３．４２超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜３＞、＜５＞、＜６＞又は＜７＞に係る発明によれば、単層型感光層を備え単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満又は４．８０超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、単層型感光層を備え単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．８７未満又は３．４２超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜８＞に係る発明によれば、電子写真感光体において電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．７０未満又は４．８０超である又は単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満又は４．８０超である場合に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくいプロセスカートリッジが提供される。
＜９＞に係る発明によれば、電子写真感光体において電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．７０未満又は４．８０超である又は単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満又は４．８０超である場合に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい画像形成装置が提供される。

第一の実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。 第二の実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。 実施例において画質を評価するために形成した画像の概略図である。

以下に、本開示の実施形態について説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、実施形態の範囲を制限するものではない。

本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

本開示において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。

本開示において実施形態を、図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。

本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。

本開示においてアルキル基は、特に断らない限り、直鎖状、分岐状及び環状のいずれも含む。

本開示において有機基、芳香環、連結基、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基は、基中の水素原子がハロゲン原子によって置換されていてもよい。

＜電子写真感光体＞
本開示は、電子写真感光体（以下「感光体」ともいう。）として、第一の実施形態と第二の実施形態とを提供する。

第一の実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された下引層と、下引層上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型感光層と、を備える。第一の実施形態に係る感光体の電荷輸送層は、電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有する。
第一の実施形態に係る感光体は、他の層（例えば中間層）をさらに備えていてもよい。第一の実施形態に係る感光体において、電荷輸送層が表面層であることが好ましい。

第二の実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された下引層と、下引層上に配置された単層型感光層と、を備える。第二の実施形態に係る感光体の単層型感光層は、電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有する。
第二の実施形態に係る感光体は、他の層（例えば中間層）をさらに備えていてもよい。第二の実施形態に係る感光体において、単層型感光層が表面層であることが好ましい。

図１は、第一の実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図１に示す感光体１０Ａは、積層型感光層を有する。感光体１０Ａは、導電性基体１上に下引層２、電荷発生層３及び電荷輸送層４がこの順に積層された構造を有し、電荷発生層３及び電荷輸送層４が感光層５（いわゆる、機能分離型感光層）を構成している。感光体１０Ａは、下引層２と電荷発生層３との間に中間層（図示せず）を有してもよい。

図２は、第二の実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図２に示す感光体１０Ｂは、単層型感光層を有する。感光体１０Ｂは、導電性基体１上に下引層２及び感光層５がこの順に積層された構造を有する。感光体１０Ｂは、下引層２と感光層５との間に中間層（図示せず）を有してもよい。

以下、第一の実施形態と第二の実施形態とに共通する事柄を説明する場合、両形態を本実施形態と総称する。電荷輸送層と単層型感光層とに共通する事柄を説明する場合、両層を感光層と総称する。

本実施形態に係る感光体は、下記の構成を備えることによって、画像にゴースト及び色点が発生しにくい。

第一の実施形態における電荷輸送層の平均厚Ａｓ、及び、第二の実施形態における単層型感光層の平均厚Ａｔは、２７μｍ以上５０μｍ以下である。
電荷輸送層又は単層型感光層はポリエステル樹脂を含有するところ、平均厚Ａｓ又は平均厚Ａｔが２７μｍ未満であると、色点が出やすい（絶縁破壊しやすい）。この観点から、平均厚Ａｓ又は平均厚Ａｔは、２７μｍ以上であり、３１μｍ以上が好ましく、３５μｍ以上がより好ましく、３７μｍ以上が更に好ましい。
電荷輸送層又は単層型感光層はポリエステル樹脂を含有するところ、平均厚Ａｓ又は平均厚Ａｔが５０μｍ超であると、ゴーストが出やすい。この観点から、平均厚Ａｓ又は平均厚Ａｔは、５０μｍ以下であり、４８μｍ以下が好ましく、４６μｍ以下がより好ましく、４５μｍ以下が更に好ましい。

第一の実施形態における下引層の平均厚Ｂｓ、及び、第二の実施形態における下引層の平均厚Ｂｔは、１０μｍ以上４０μｍ以下である。
平均厚Ｂｓ又は平均厚Ｂｔが１０μｍ未満であると、画像形成装置内に発生する微細な異物が感光体に突き刺さって電流がリークし色点が発生することがある。この観点から、平均厚Ｂｓ又は平均厚Ｂｔは、１０μｍ以上であり、１４μｍ以上が好ましく、１８μｍ以上がより好ましく、２０μｍ以上が更に好ましい。
平均厚Ｂｓ又は平均厚Ｂｔが４０μｍ超であると、ゴーストが出やすい（電荷がたまりやすい）。この観点から、平均厚Ｂｓ又は平均厚Ｂｔは、４０μｍ以下であり、３６μｍ以下が好ましく、３２μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下が更に好ましい。

第一の実施形態における電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓ、及び、第二の実施形態における単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔは、０．７０以上４．８０以下である。
電荷輸送層又は単層型感光層はポリエステル樹脂を含有するところ、比Ａｓ／Ｂｓ又は比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満であると、残留電位の安定性が悪くなりやすい。この観点から、比Ａｓ／Ｂｓ又は比Ａｔ／Ｂｔは、０．７０以上であり、０．８７以上が好ましく、１．１０以上がより好ましく、１．２４以上が更に好ましい。
電荷輸送層又は単層型感光層はポリエステル樹脂を含有するところ、比Ａｓ／Ｂｓ又は比Ａｔ／Ｂｔが４．８０超であると、残留電位の安定性が悪くなりやすい。この観点から、比Ａｓ／Ｂｓ又は比Ａｔ／Ｂｔは、４．８０以下であり、３．４２以下が好ましく、２．５０以下がより好ましく、２．２０以下が更に好ましい。

第一の実施形態において電荷輸送層の平均厚Ａｓ及び下引層の平均厚をＢｓは、感光体の軸方向に均等に１０か所および周方向に４等分（９０°刻み）の合計４０か所において、渦電流膜厚計で層厚を測定し算術平均した値である。
第二の実施形態において単層型感光層の平均厚Ａｔ及び下引層の平均厚をＢｔは、上記の「電荷輸送層」を「単層型感光層」に置き換えて同様に求める。

以下、感光層に含まれるポリエステル樹脂及び感光体の各層について詳細に説明する。

［ポリエステル樹脂（１）］
感光層の結着樹脂であるポリエステル樹脂としては、少なくともジカルボン酸単位（Ａ）及びジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）が好ましい。ポリエステル樹脂（１）は、ジカルボン酸単位（Ａ）以外のその他のジカルボン酸単位を含んでいてもよい。ポリエステル樹脂（１）は、ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位を含んでいてもよい。

ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ）で表される構成単位である。

式（Ａ）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。

Ａｒ^Ａ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ａ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ａ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ａｒ^Ａ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ａ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ａ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ｌ^Ａが２価の連結基のとき、２価の連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、－Ｃ(Ｒａ^１)(Ｒａ^２)－が挙げられる。ここで、Ｒａ^１及びＲａ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒａ^１とＲａ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。ジカルボン酸単位（Ａ）は、ジカルボン酸単位（Ａ２）、ジカルボン酸単位（Ａ３）及びジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより好ましく、ジカルボン酸単位（Ａ２）を含むことが更に好ましい。

式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^１０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^２０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ^２０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^３０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ^３０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^４０１は０以上４以下の整数であることが好ましく、０、１又は２であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ１）のＲａ^１０１、式（Ａ２）のＲａ^２０１及びＲａ^２０２、式（Ａ３）のＲａ^３０１及びＲａ^３０２並びに式（Ａ４）のＲａ^４０１の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒａ^１０１、Ｒａ^２０１、Ｒａ^２０２、Ｒａ^３０１、Ｒａ^３０２及びＲａ^４０１を「Ｒａ」と総称して説明する。

Ｒａに係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上１０以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基等が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、及びこれら単環のアルキル基が連結した多環（例えば、二環、三環、スピロ環）のアルキル基が挙げられる。

Ｒａに係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
炭素数６以上１２以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。

Ｒａに係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ１）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ１－１）～（Ａ１－９）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ１）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ２）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ２－１）～（Ａ２－３）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ２）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ３）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ３－１）～（Ａ３－２）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ３）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ４）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ４－１）～（Ａ４－３）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ４）は、これに限定されるわけではない。

ジカルボン酸単位（Ａ）としては、上記具体例の（Ａ１－１）、（Ａ１－７）、（Ａ２－３）、（Ａ３－２）及び（Ａ４－３）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、（Ａ２－３）、（Ａ３－２）及び（Ａ４－３）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより好ましく、少なくとも（Ａ２－３）を含むことが更に好ましい。

ポリエステル樹脂（１）に占めるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、１５質量％以上６０質量％以下が好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合が１５質量％以上であると、感光層の耐摩耗性が良好である。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上が更に好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合が６０質量％以下であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂（１）に含まれるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）以外のその他のジカルボン酸単位（Ａ）としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸（例えば、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、グルタコン酸、コハク酸、アルケニルコハク酸、アジピン酸、セバシン酸）単位、脂環式ジカルボン酸（例えば、シクロヘキサンジカルボン酸）単位、及びこれらの低級（例えば炭素数１以上５以下）アルキルエステル単位が挙げられる。ポリエステル樹脂（１）に含まれるこれらジカルボン酸単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂（１）に含まれるジカルボン酸単位（Ａ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ）で表される構成単位である。

式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

Ａｒ^Ｂ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ｂ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ｂ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ａｒ^Ｂ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ｂ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ｂ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数１以上２０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上１８以下が好ましく、１以上１４以下がより好ましく、１以上１０以下が更に好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）及び式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）及び式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）及び式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）及び式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが最も好ましい。

式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０１に係る炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ^１０１の具体例として、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－テトラデシル基、ｔｅｒｔ－ペンタデシル基等が挙げられる。

式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０２に係る炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ^１０２の具体例として、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられる。

式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０４に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。Ｒｂ^１０４の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。

式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ａｒ^１０５に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
Ａｒ^１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。Ａｒ^１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、４－フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラチルメチル基、フェニル－シクロペンチルメチル基等が挙げられる。

式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

式（Ｂ１）のＲｂ^２０１、式（Ｂ２）のＲｂ^２０２、式（Ｂ４）のＲｂ^２０４及び式（Ｂ５）のＲｂ^２０５の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^２０１、Ｒｂ^２０２、Ｒｂ^２０４及びＲｂ^２０５を「Ｒｂ^２００」と総称して説明する。

Ｒｂ^２００に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
炭素数１以上３以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^４０１、式（Ｂ２）のＲｂ^４０２、式（Ｂ３）のＲｂ^４０３、式（Ｂ４）のＲｂ^４０４、式（Ｂ５）のＲｂ^４０５、式（Ｂ６）のＲｂ^４０６、式（Ｂ７）のＲｂ^４０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^４０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^４０７及びＲｂ^４０８を「Ｒｂ^４００」と総称して説明する。

Ｒｂ^４００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^４００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^４００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^５０１、式（Ｂ２）のＲｂ^５０２、式（Ｂ３）のＲｂ^５０３、式（Ｂ４）のＲｂ^５０４、式（Ｂ５）のＲｂ^５０５、式（Ｂ６）のＲｂ^５０６、式（Ｂ７）のＲｂ^５０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^５０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^５０７及びＲｂ^５０８を「Ｒｂ^５００」と総称して説明する。

Ｒｂ^５００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^５００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^５００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^８０１、式（Ｂ２）のＲｂ^８０２、式（Ｂ３）のＲｂ^８０３、式（Ｂ４）のＲｂ^８０４、式（Ｂ５）のＲｂ^８０５、式（Ｂ６）のＲｂ^８０６、式（Ｂ７）のＲｂ^８０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^８０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^８０１、Ｒｂ^８０２、Ｒｂ^８０３、Ｒｂ^８０４、Ｒｂ^８０５、Ｒｂ^８０６、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^８０８を「Ｒｂ^８００」と総称して説明する。

Ｒｂ^８００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^８００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^８００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^９０１、式（Ｂ２）のＲｂ^９０２、式（Ｂ３）のＲｂ^９０３、式（Ｂ４）のＲｂ^９０４、式（Ｂ５）のＲｂ^９０５、式（Ｂ６）のＲｂ^９０６、式（Ｂ７）のＲｂ^９０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^９０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^９０１、Ｒｂ^９０２、Ｒｂ^９０３、Ｒｂ^９０４、Ｒｂ^９０５、Ｒｂ^９０６、Ｒｂ^９０７及びＲｂ^９０８を「Ｒｂ^９００」と総称して説明する。

Ｒｂ^９００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^９００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^９００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

以下に、ジオール単位（Ｂ１）の具体例としてジオール単位（Ｂ１－１）～（Ｂ１－６）を示す。ジオール単位（Ｂ１）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ２）の具体例としてジオール単位（Ｂ２－１）～（Ｂ２－１１）を示す。ジオール単位（Ｂ２）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ３）の具体例としてジオール単位（Ｂ３－１）～（Ｂ３－４）を示す。ジオール単位（Ｂ３）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ４）の具体例としてジオール単位（Ｂ４－１）～（Ｂ４－７）を示す。ジオール単位（Ｂ４）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ５）の具体例としてジオール単位（Ｂ５－１）～（Ｂ５－６）を示す。ジオール単位（Ｂ５）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ６）の具体例としてジオール単位（Ｂ６－１）～（Ｂ６－４）を示す。ジオール単位（Ｂ６）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ７）の具体例としてジオール単位（Ｂ７－１）～（Ｂ７－３）を示す。ジオール単位（Ｂ７）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ８）の具体例としてジオール単位（Ｂ８－１）～（Ｂ８－３）を示す。ジオール単位（Ｂ８）は、これに限定されるわけではない。

ポリエステル樹脂（１）に含まれるジオール単位（Ｂ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂（１）に占めるジオール単位（Ｂ）の質量割合は、２５質量％以上８０質量％以下が好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が２５質量％以上であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上が更に好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が８０質量％以下であると、感光層を形成するための塗布液に対する溶解性を維持して耐摩耗性の向上が可能となる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、７５質量％以下がより好ましく、７０質量％以下が更に好ましい。

ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位としては、例えば、脂肪族ジオール（例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール）単位、脂環式ジオール（例えば、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、水添ビスフェノールＡ）単位が挙げられる。ポリエステル樹脂（１）に含まれるこれらジオール単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂（１）の末端は、製造の際に使用する末端封止剤又は分子量調節剤などで封止又は修飾されていてもよい。末端封止剤又は分子量調節剤としては、例えば、一価フェノール、一価酸クロライド、一価アルコール、一価カルボン酸が挙げられる。
一価フェノールとしては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－プロピルフェノール、ｍ－プロピルフェノール、ｐ－プロピルフェノール、ｏ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｍ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ペンチルフェノール、ヘキシルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，６－ジメチルフェノール誘導体、２－メチルフェノール誘導体、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｏ－メトキシフェノール、ｍ－メトキシフェノール、ｐ－メトキシフェノール、２，３，５－トリメチルフェノール、２，３，６－トリメチルフェノール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、２－フェニル－２－（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（２－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（３－ヒドロキシフェニル）プロパンが挙げられる。
一価酸クロライドとしては、例えば、ベンゾイルクロライド、安息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライド、フェニルクロロホルメート、酢酸クロリド、酪酸クロリド、オクチル酸クロリド、塩化ベンゾイル、ベンゼンスルフォニルクロリド、ベンゼンスルフィニルクロリド、スルフィニルクロリド、ベンゼンホスホニルクロリド、これらの置換体等の一官能性酸ハロゲン化物が挙げられる。
一価アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、２－ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ドデシルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールが挙げられる。
一価カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、トルイル酸、フェニル酢酸、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、ｐ－メトキシフェニル酢酸が挙げられる。

ポリエステル樹脂（１）の重量平均分子量は、３万以上３０万以下が好ましく、４万以上２５万以下がより好ましく、５万以上２０万以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂（１）の分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）によって測定したポリスチレン換算の分子量である。ＧＰＣは溶離液としてテトラヒドロフランを使用する。

ポリエステル樹脂（１）は、ジカルボン酸単位（Ａ）を与えるモノマー及びジオール単位（Ｂ）を与えるモノマーと、必要に応じて他のモノマーとを、常法により重縮合させるなどして得ることができる。モノマーの重縮合の方法としては、界面重合法、溶液重合法、溶融重合法などが挙げられる。界面重合法とは、水と相溶しない有機溶剤に溶解させた二価カルボン酸ハライドと、アルカリ水溶液に溶解させた二価アルコールとを混合することによってポリエステルを得る重合方法である。界面重合法に関する文献として、Ｗ．Ｍ．ＥＡＲＥＣＫＳＯＮ，Ｊ．Ｐｏｌｙ．Ｓｃｉ．，ＸＬ３９９，１９５９年、特公昭４０－１９５９号公報などが挙げられる。界面重合法は溶液重合法と比較して反応が速いゆえ、二価カルボン酸ハライドの加水分解を抑えることができ、結果として高分子量のポリエステル樹脂を得ることができる。

［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１×１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

［下引層］
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１×１０^２Ωｃｍ以上１×１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；ベンゾフェノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の平均厚は、１０μｍ以上４０μｍ以下であり、１４μｍ以上３６μｍ以下が好ましく、１８μｍ以上３２μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上３０μｍ以下が更に好ましい。

［中間層］
下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の厚さは、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。中間層を下引層として使用してもよい。

［電荷発生層］
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１×１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の厚さは、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

［電荷輸送層］
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知の化学物質が挙げられる。例えば、ポリエステル系の高分子電荷輸送材が好ましい。高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよく、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送材料又は高分子電荷輸送材料としては、多環芳香族化合物、芳香族ニトロ化合物、芳香族アミン化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物（特にはトリフェニルアミン化合物）、ジアミン化合物、オキサジアゾール化合物、カルバゾール化合物、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン化合物、インドール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、チアゾール化合物、チアジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、トリアゾール化合物、シアノ化合物、ベンゾフラン化合物、アニリン化合物、ブタジエン化合物及びこれらの物質から誘導される基を有する樹脂も挙げられる。具体的には、特開２０２１－１１７３７７号公報の段落００７８～００８０、特開２０１９－０３５９００号公報の段落００４６～００４８、特開２０１９－０１２１４１号公報の段落００５２～００５３、特開２０２１－０７１５６５号公報の段落０１２２～０１３４、特開２０２１－０１５２２３号公報の段落０１０１～０１１０、特開２０１３－０９７３００号公報の段落０１１６、国際公開第２０１９／０７０００３号の段落０３０９～０３１６、特開２０１８－１５９０８７号公報の段落０１０３～０１０７及び特開２０２１－１４８８１８号公報の段落０１０２～０１１３それぞれに記載の化合物が挙げられる。

電荷輸送材料は、電荷移動度の観点から、下記の式（Ｃ１）で表される化学物質（Ｃ１）、式（Ｃ２）で表される化学物質（Ｃ２）、式（Ｃ３）で表される化学物質（Ｃ３）及び式（Ｃ４）で表される化学物質（Ｃ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

式（Ｃ１）において、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２及びＡｒ^Ｔ３はそれぞれ独立にアリール基、－Ｃ_６Ｈ_４－Ｃ(Ｒ^Ｔ４)＝Ｃ(Ｒ^Ｔ５)(Ｒ^Ｔ６)又は－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(Ｒ^Ｔ７)(Ｒ^Ｔ８)である。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７及びＲ^Ｔ８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。Ｒ^Ｔ５及びＲ^Ｔ６がアリール基のとき、アリール基どうしが－Ｃ(Ｒ^５１)(Ｒ^５２)－及び／又は－Ｃ(Ｒ^６１)＝Ｃ(Ｒ^６２)－の２価基で連結されていてもよい。Ｒ^５１、Ｒ^５２、Ｒ^６１及びＲ^６２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基である。

式（Ｃ１）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。

化学物質（Ｃ１）としては、電荷移動度の観点から、アリール基又は－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(Ｒ^Ｔ７)(Ｒ^Ｔ８)を少なくとも１個有する化学物質が好ましく、下記の式（Ｃ’１）で表される化学物質（Ｃ’１）がより好ましい。

式（Ｃ’１）において、Ｒ^Ｔ１１１、Ｒ^Ｔ１１２、Ｒ^Ｔ１２１、Ｒ^Ｔ１２２、Ｒ^Ｔ１３１及びＲ^Ｔ１３２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基（好ましくは炭素数１以上３以下のアルキル基）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１以上３以下のアルコキシ基）、フェニル基又はフェノキシ基である。Ｔｊ１、Ｔｊ２、Ｔｊ３、Ｔｋ１、Ｔｋ２及びＴｋ３はそれぞれ独立に０、１又は２である。

式（Ｃ２）において、Ｒ^Ｔ２０１、Ｒ^Ｔ２０２、Ｒ^Ｔ２１１及びＲ^Ｔ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(Ｒ^Ｔ２１)＝Ｃ(Ｒ^Ｔ２２)(Ｒ^Ｔ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(Ｒ^Ｔ２４)(Ｒ^Ｔ２５)である。Ｒ^Ｔ２１、Ｒ^Ｔ２２、Ｒ^Ｔ２３、Ｒ^Ｔ２４及びＲ^Ｔ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。Ｒ^Ｔ２２１及びＲ^Ｔ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。

式（Ｃ２）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。

化学物質（Ｃ２）としては、電荷移動度の観点から、アルキル基、アリール基、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(Ｒ^Ｔ２４)(Ｒ^Ｔ２５)を少なくとも１個有する化学物質が好ましく、アルキル基、アリール基、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(Ｒ^Ｔ２４)(Ｒ^Ｔ２５)を２個有する化学物質がより好ましい。

式（Ｃ３）において、Ｒ^Ｔ３０１、Ｒ^Ｔ３０２、Ｒ^Ｔ３１１及びＲ^Ｔ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(Ｒ^Ｔ３１)＝Ｃ(Ｒ^Ｔ３２)(Ｒ^Ｔ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(Ｒ^Ｔ３４)(Ｒ^Ｔ３５)である。Ｒ^Ｔ３１、Ｒ^Ｔ３２、Ｒ^Ｔ３３、Ｒ^Ｔ３４及びＲ^Ｔ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。Ｒ^Ｔ３２１、Ｒ^Ｔ３２２及びＲ^Ｔ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。

式（Ｃ３）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。

式（Ｃ４）において、Ｒ^Ｔ４０１、Ｒ^Ｔ４０２、Ｒ^Ｔ４１１及びＲ^Ｔ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(Ｒ^Ｔ４１)＝Ｃ(Ｒ^Ｔ４２)(Ｒ^Ｔ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(Ｒ^Ｔ４４)(Ｒ^Ｔ４５)である。Ｒ^Ｔ４１、Ｒ^Ｔ４２、Ｒ^Ｔ４３、Ｒ^Ｔ４４及びＲ^Ｔ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。Ｒ^Ｔ４２１、Ｒ^Ｔ４２２及びＲ^Ｔ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。

式（Ｃ４）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。

電荷輸送層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２０質量％以上７０質量％以下が好ましい。

電荷輸送層は結着樹脂として少なくともポリエステル樹脂（１）を含むことが好ましい。電荷輸送層に含まれる結着樹脂の全量に占めるポリエステル樹脂（１）の割合は、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましく、９０質量％以上が特に好ましい。ポリエステル樹脂（１）と他の樹脂とを併用する場合、併用する他の樹脂としてはポリカーボネート樹脂が好ましい。

電荷輸送層は、ポリエステル樹脂（１）以外のその他の結着樹脂を含んでいてもよい。その他の結着樹脂としては、ポリエステル樹脂（１）以外のポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。

電荷輸送層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、酸化防止剤、レベリング剤、消泡剤、フィラー、粘度調整剤などが挙げられる。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の平均厚は、２７μｍ以上５０μｍ以下であり、３１μｍ以上４８μｍ以下が好ましく、３５μｍ以上４６μｍ以下がより好ましく、３７μｍ以上４５μｍ以下が更に好ましい。

［単層型感光層］
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、電荷発生材料と、電荷輸送材料と、結着樹脂と、必要に応じてその他の添加剤と、を含む層である。これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。

単層型感光層は結着樹脂として少なくともポリエステル樹脂（１）を含むことが好ましい。単層型感光層に含まれる結着樹脂の全量に占めるポリエステル樹脂（１）の割合は、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましく、９０質量％以上が特に好ましい。ポリエステル樹脂（１）と他の樹脂とを併用する場合、併用する他の樹脂としてはポリカーボネート樹脂が好ましい。

単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。

単層型感光層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して４０質量％以上６０質量％以下がよい。

単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。

単層型感光層の平均厚は、２７μｍ以上５０μｍ以下であり、３１μｍ以上４８μｍ以下が好ましく、３５μｍ以上４６μｍ以下がより好ましく、３７μｍ以上４５μｍ以下が更に好ましい。

［保護層］
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。

１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）

反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、－ＯＨ、－ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、－ＮＨ_２、－ＳＨ、－ＣＯＯＨ、－ＳｉＲ^Ｑ１ _３－Ｑｎ（ＯＲ^Ｑ２）_Ｑｎ［但し、Ｒ^Ｑ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^Ｑ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１～３の整数を表す］等の公知の反応性基が挙げられる。

連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、フェニルビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、フェニルビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。

反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、公知の材料から選択すればよい。

保護層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の厚さは、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

＜画像形成装置、プロセスカートリッジ＞
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の公知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図３は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図３に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図３におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

図３には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、公知のものが適用される。

－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図４は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図４に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下、実施例により発明の実施形態を詳細に説明するが、発明の実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。
以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。
以下の説明において、合成、処理、製造などは、特に断りのない限り、室温（２５℃±３℃）で行った。

＜感光層の結着樹脂の用意＞
［ポリエステル樹脂（１）］
ポリステル樹脂（１－１）～（１－９）を用意した。表１及び表２にポリエステル樹脂を構成する単位及び組成を示す。
表１及び表２には「構成単位：組成比」（例えば、Ａ２－３：５０）を記した。組成比は、ジカルボン酸単位とジオール単位それぞれのｍｏｌ％である。
表１及び表２に記したＡ２－３等は、既述のジカルボン酸単位（Ａ）の具体例である。
表１及び表２に記したＢ１－４等は、既述のジオール単位（Ｂ）の具体例である。

＜積層型感光層を備えた感光体の製造＞
［実施例Ｓ１］
－下引層の形成－
導電性基体として、外径３０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム製円筒管を用意した。

酸化亜鉛（平均粒径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ^２／ｇ、テイカ社製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学工業社製、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）１．３部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤によって表面処理した酸化亜鉛を得た。

表面処理した酸化亜鉛１１０部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、アリザリン０．６部をテトラヒドロフラン５０部に溶解した溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧濾過にて固形分を濾別し、６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。

アリザリン付与酸化亜鉛６０部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５部とをメチルエチルケトン６８部に溶解した溶液１００部と、メチルエチルケトン５部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。下引層形成用塗布液を浸漬塗布法にて導電性基体の外周面に塗布し、１７０℃で４０分間の乾燥硬化を行い、下引層を形成した。下引層の平均厚Ｂｓは表１に記載のとおりである。

－電荷発生層の形成－
電荷発生物質としてヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．５°，９．９°，１２．５°，１６．３°，１８．６°，２５．１°及び２８．３°の位置に回折ピークを有する。）１５部、結着樹脂として塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０部、及びｎ－酢酸ブチル２００部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。分散液にｎ－酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、室温（２５℃±３℃）で乾燥して、平均厚０．１８μｍの電荷発生層を形成した。

－電荷輸送層の形成－
結着樹脂としてポリエステル樹脂（１－１）６０部と、電荷輸送材料としてＣＴＭ－１を４０部とを、テトラヒドロフラン２７０部及びトルエン３０部に溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１４５℃で３０分間の乾燥を行い、電荷輸送層を形成した。電荷輸送層の平均厚Ａｓは表１に記載のとおりである。

［実施例Ｓ２～Ｓ２０、比較例ＳＣ１～ＳＣ１１］
実施例Ｓ１と同様にして、ただし、下引層の平均厚Ｂｓと、電荷輸送層の結着樹脂の種類と、電荷輸送層の電荷輸送材料の種類と、電荷輸送層の平均厚Ａｓとを表１に記載の仕様に変更して、それぞれの感光体を作製した。電荷輸送材料ＣＴＭ－２～ＣＴＭ－５は下記の化合物である。ポリカーボネート樹脂ＰＣ－１は下記の繰り返し単位からなる樹脂である。

［実施例Ｓ２１］
実施例Ｓ４の下引層の形成において、アリザリンを２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノンに変更した以外は実施例Ｓ４と同様にして感光体を作製した。

［実施例Ｓ２２］
実施例Ｓ４の下引層の形成において、酸化亜鉛（平均粒径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ^２／ｇ、テイカ社製）を酸化チタン（ＭＴ－５００Ｂ、平均粒径３５ｎｍ、テイカ社製）に変更した以外は実施例Ｓ４と同様にして感光体を作製した。

＜単層型感光層を備えた感光体の製造＞
［感光体Ｔ１］
－下引層の形成－
導電性基体として、外径３０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム製円筒管を用意した。

酸化亜鉛（平均粒径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ^２／ｇ、テイカ社製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学工業社製、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）１．３部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤によって表面処理した酸化亜鉛を得た。

表面処理した酸化亜鉛１１０部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、アリザリン０．６部をテトラヒドロフラン５０部に溶解した溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧濾過にて固形分を濾別し、６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。

アリザリン付与酸化亜鉛６０部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５部とをメチルエチルケトン６８部に溶解した溶液１００部と、メチルエチルケトン５部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。下引層形成用塗布液を浸漬塗布法にて導電性基体の外周面に塗布し、１７０℃で４０分間の乾燥硬化を行い、下引層を形成した。下引層の平均厚Ｂｔは表２に記載のとおりである。

－単層型感光層の形成－
結着樹脂としてポリエステル樹脂（１－１）５２．７５部と、電荷発生材料としてＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有する。）１．２５部と、電子輸送材料であるＥＴＭ－１を７．８部と、電荷輸送材料であるＣＴＭ－１を３８．２部（ＥＴＭ－１とＣＴＭ－１の質量比１７：８３）と、溶剤としてテトラヒドロフラン１７５部及びトルエン７５部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理を行い、感光層形成用塗布液を得た。感光層形成用塗布液を、下引層上に浸漬塗布し、温度１１０℃且つ４０分間の乾燥硬化を行い、単層型感光層を形成した。単層型感光層の平均厚Ａｔは表２に記載のとおりである。

［感光体Ｔ２～Ｔ８、感光体ＴＣ１～ＴＣ７］
感光体Ｔ１と同様にして、ただし、下引層の平均厚Ｂｔと、単層型感光層の結着樹脂の種類と、単層型感光層の平均厚Ａｔとを表２に記載の仕様に変更して、それぞれの感光体を作製した。

＜感光体及び画像形成装置の性能評価＞
各実施例又は各比較例の感光体を、富士フイルムビジネスイノベーション社製の画像形成装置ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅＣｏｌｏｒ５００に搭載し、温度２４℃且つ相対湿度５５％の環境下、図５に示す画像（画像濃度１００％の黒色画像中に白抜き文字「Ｇ」を５個有する領域と画像濃度４０％の黒色ハーフトーン画像の領域とを有する画像）をＡ４紙で３０万枚連続出力した。最後の１０枚を目視で比較し、ゴースト及び色点（黒点）を下記のとおり分類した。表１～表２に結果を示す。

－ゴースト－
Ａ：文字「Ｇ」に濃度変化がない。
Ｂ：文字「Ｇ」に濃度変化が感じられるが、実使用上許容できる。
Ｃ：文字「Ｇ」に濃度変化があり、実使用上許容できない。

－色点（黒点）－
Ａ：色点発生なし
Ｂ：１枚又は２枚に色点発生
Ｃ：３枚以上に色点発生

［残留電位の安定性］
各実施例又は各比較例の感光体を上記の画像形成装置に搭載し、Ａ４紙に、画像密度（エリアカバレッジ）１００％のベタ画像を６０万枚連続出力した。ただし、１枚目～３０万枚目は温度２８℃且つ相対湿度８５％の環境下で、３０万１枚目～６０万枚目までは温度１０℃且つ相対湿度１５％の環境下で連続出力した。
上記画像形成において１枚目を出力した後及び６０万枚出力した後の感光体表面の残留電位をそれぞれ測定し、その絶対値の差（６０万枚出力後の残留電位の絶対値－１枚出力後の残留電位の絶対値）を求め、残留電位の絶対値の上昇値とした。これを下記のとおり分類した。表１及び表２に結果を示す。

Ａ：残留電位の絶対値の上昇値が２０Ｖ未満
Ｂ：残留電位の絶対値の上昇値が２０Ｖ以上、３０Ｖ未満
Ｃ：残留電位の絶対値の上昇値が３０Ｖ以上、４０Ｖ未満
Ｄ：残留電位の絶対値の上昇値が４０Ｖ以上、５０Ｖ未満
Ｅ：残留電位の絶対値の上昇値が５０Ｖ以上

本開示には下記の態様が含まれる。
（（（１）））
導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型感光層と、を備え、
前記電荷輸送層が電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有し、
前記電荷輸送層の平均厚をＡｓ（μｍ）とし、前記下引層の平均厚をＢｓ（μｍ）としたとき、２７≦Ａｓ≦５０、１０≦Ｂｓ≦４０且つ０．７０≦Ａｓ／Ｂｓ≦４．８０を満たす、
電子写真感光体。
（（（２）））
０．８７≦Ａｓ／Ｂｓ≦３．４２を満たす、（（（１）））に記載の電子写真感光体。
（（（３）））
前記ポリエステル樹脂が、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含む、（（（１）））又は（（（２）））に記載の電子写真感光体。
（（（４）））
前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（３）））に記載の電子写真感光体。
（（（５）））
前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（３）））又は（（（４）））に記載の電子写真感光体。
（（（６）））
導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された単層型感光層と、を備え、
前記単層型感光層が電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有し、
前記単層型感光層の平均厚をＡｔ（μｍ）とし、前記下引層の平均厚をＢｔ（μｍ）としたとき、２７≦Ａｔ≦５０、１０≦Ｂｔ≦４０且つ０．７０≦Ａｔ／Ｂｔ≦４．８０を満たす、
電子写真感光体。
（（（７）））
０．８７≦Ａｔ／Ｂｔ≦３．４２を満たす、（（（６）））に記載の電子写真感光体。
（（（８）））
前記ポリエステル樹脂が、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含む、（（（６）））又は（（（７）））に記載の電子写真感光体。
（（（９）））
前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（８）））に記載の電子写真感光体。
（（（１０）））
前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（８）））又は（（（９）））に記載の電子写真感光体。
（（（１１）））
（（（１）））～（（（１０）））のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
（（（１２）））
（（（１）））～（（（１０）））のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える、
画像形成装置。

（（（１）））、（（（３）））、（（（４）））又は（（（５）））に係る発明によれば、積層型感光層を備え電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．７０未満又は４．８０超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（２）））に係る発明によれば、積層型感光層を備え電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．８７未満又は３．４２超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（６）））、（（（８）））、（（（９）））又は（（（１０）））に係る発明によれば、単層型感光層を備え単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満又は４．８０超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（７）））に係る発明によれば、単層型感光層を備え単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．８７未満又は３．４２超である電子写真感光体に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（１１）））に係る発明によれば、電子写真感光体において電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．７０未満又は４．８０超である又は単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満又は４．８０超である場合に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくいプロセスカートリッジが提供される。
（（（１２）））に係る発明によれば、電子写真感光体において電荷輸送層の平均厚Ａｓと下引層の平均厚Ｂｓとの比Ａｓ／Ｂｓが０．７０未満又は４．８０超である又は単層型感光層の平均厚Ａｔと下引層の平均厚Ｂｔとの比Ａｔ／Ｂｔが０．７０未満又は４．８０超である場合に比べて、画像にゴースト及び色点が発生しにくい画像形成装置が提供される。

１ 導電性基体、２ 下引層、３ 電荷発生層、４ 電荷輸送層、５ 感光層、１０Ａ 感光体、１０Ｂ 感光体

７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑剤、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ

Claims (12)

1. 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型感光層と、を備え、
   前記電荷輸送層が電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有し、
   前記電荷輸送層の平均厚をＡｓ（μｍ）とし、前記下引層の平均厚をＢｓ（μｍ）としたとき、２７≦Ａｓ≦５０、１０≦Ｂｓ≦４０且つ０．７０≦Ａｓ／Ｂｓ≦４．８０を満たす、
   電子写真感光体。
2. ０．８７≦Ａｓ／Ｂｓ≦３．４２を満たす、請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記ポリエステル樹脂が、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含む、請求項１に記載の電子写真感光体。
   
   式（Ａ）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。
   式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
4. 前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項３に記載の電子写真感光体。
   
   式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
5. 前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項３に記載の電子写真感光体。
   
   
   式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
6. 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された単層型感光層と、を備え、
   前記単層型感光層が電荷輸送材料及びポリエステル樹脂を含有し、
   前記単層型感光層の平均厚をＡｔ（μｍ）とし、前記下引層の平均厚をＢｔ（μｍ）としたとき、２７≦Ａｔ≦５０、１０≦Ｂｔ≦４０且つ０．７０≦Ａｔ／Ｂｔ≦４．８０を満たす、
   電子写真感光体。
7. ０．８７≦Ａｔ／Ｂｔ≦３．４２を満たす、請求項６に記載の電子写真感光体。
8. 前記ポリエステル樹脂が、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含む、請求項６に記載の電子写真感光体。
   
   式（Ａ）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。
   式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
9. 前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項８に記載の電子写真感光体。
   
   式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
10. 前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項８に記載の電子写真感光体。
    
    
    式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
    式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
    式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
    式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
    式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
    式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
    式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
    式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
11. 請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
    画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
12. 請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
    前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
    帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
    前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える、
    画像形成装置。