JP2023133275A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】低摩耗性を維持し、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性支持体と電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する積層型感光層とを備え、前記電荷輸送層で使用される樹脂がポリエステルまたはポリカーボネートであり、前記電荷輸送層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）前期電荷輸送層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である、電子写真感光体。【選択図】なし

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。

特許文献１には、電子写真感光体の表面層を、２５℃で湿度５０％の環境下で表面皮膜硬度試験を行い、それにより得られたユニバーサル硬さ値（Ｈｕ）が、２３０Ｎ／ｍｍ^２≦Ｈｕ≦７００Ｎ／ｍｍ^２であり、かつ表面皮膜硬度試験に用いた圧子による表面層の塑性変形率が特定の式を満足する電子写真感光体が開示されている。

特許文献２には、最表層が、マルテンス硬さ値が１７５～１９６Ｎ／ｍｍ^２であり、弾性変形率が３５～４８％であり、静止摩擦係数が０．５３５以下である感光体を備える画像形成ユニットが開示されている。

特許文献３には、電子写真感光体の最上層が、少なくとも熱可塑性樹脂と体積平均粒径０．０１～２．０μｍの無機微粒子を含有し、かつ該最上層の表面皮膜硬度試験から求められるユニバーサル硬さ（Ｈｕ）が２５℃で湿度５０％の環境下で２２０Ｎ／ｍｍ^２≦Ｈｕ≦４００Ｎ／ｍｍ^２であり、更に表面皮膜硬度試験に用いた圧子による該最上層の塑性変形率が特定の式を満足する電子写真感光体が開示されている。

特開２０００－０１０３２０号公報 特開２０１０－２１７５９８号公報 特開２００４－２１２５６２号公報

本開示の実施形態の課題は、積層型感光層又は単層型感光層を備え、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である場合に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体を提供することである。

前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。

＜１＞ 導電性支持体と、前記導電性支持体上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する積層型感光層と、を備え、
前記電荷輸送層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
前記電荷輸送層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ、弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
前記電荷輸送層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である、電子写真感光体。
＜２＞ 導電性支持体と、前記導電性支持体上に配置された単層型感光層と、を備え、
前記単層型感光層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
前記単層型感光層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ、弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
前記単層型感光層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である、電子写真感光体。

＜３＞ 前記電荷輸送層は、前記樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、前記電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記電荷輸送層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｓとし、前記電荷輸送層の平均厚をＤｓ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、＜１＞に記載の電子写真感光体。
（１）５≦Ａ≦４０
（２）０．２８≦Ｃｓ≦０．５５
（３）２７≦Ｄｓ≦５０
（４）２．５≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦７０．０
＜４＞ 前記単層型感光層は、前記樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、前記電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記単層型感光層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｔとし、前記単層型感光層の平均厚をＤｔ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、＜２＞に記載の電子写真感光体。
（１）５≦Ａ≦４０
（２）０．４０≦Ｃｔ≦０．６０
（３）２７≦Ｄｔ≦５０
（４）２．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４８．０

＜５＞ 前記ポリエステル樹脂が下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。

式（Ａ）において、Ｘは有機基である。
式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

＜６＞ 前記ジカルボン酸単位（Ａ）が下記の式（Ａ’）で表されるジカルボン酸単位（Ａ’）である、＜５＞に記載の電子写真感光体。

式（Ａ’）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。

＜７＞ 前記ジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜５＞又は＜６＞に記載の電子写真感光体。

式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。

＜８＞ 前記ジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜５＞～＜７＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。

式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水
素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

＜９＞ ３．６≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦４６．０を満たす、＜３＞に記載の電子写真感光体。
＜１０＞ ３．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４０．０を満たす、＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜１１＞ ３０≦Ｄｓ≦４８を満たす、＜３＞又は＜９＞に記載の電子写真感光体。
＜１２＞ ３０≦Ｄｔ≦４８を満たす、＜４＞又は＜１０＞に記載の電子写真感光体。
＜１３＞ ６≦Ａ≦３０を満たす、＜３＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。

＜１４＞ ＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜１５＞ ＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

＜１＞、＜２＞、＜５＞、＜６＞、＜７＞、＜８＞、＜９＞、＜１１＞、又は＜１３＞に係る発明によれば、積層型感光層を備える電子写真感光体であって、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である電子写真感光体に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体が提供される。
＜３＞、＜４＞、＜５＞、＜６＞、＜７＞、＜８＞、＜１０＞、＜１２＞、又は＜１３＞に係る発明によれば、単層型感光層を備える電子写真感光体であって、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である電子写真感光体に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体が提供される。

＜１４＞に係る発明によれば、積層型感光層又は単層型感光層を備え、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である場合に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
＜１５＞に係る発明によれば、積層型感光層又は単層型感光層を備え、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である場合に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。

第一の実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。 第二の実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。

以下に、本開示の実施形態について説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、実施形態の範囲を制限するものではない。

本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。

本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

本開示において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。

本開示において実施形態を、図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。

本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。

本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。

本開示において「（メタ）アクリル」との表記は「アクリル」及び「メタクリル」のいずれでもよいことを意味する。

本開示においてアルキル基は、特に断らない限り、直鎖状、分岐状及び環状のいずれも含む。

＜電子写真感光体＞
本開示は、電子写真感光体（以下「感光体」ともいう。）として、第一の実施形態と第二の実施形態とを提供する。

第一の実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する積層型感光層と、を備える。第一の実施形態に係る感光体は、他の層（例えば、下引層、中間層）を更に備えていてもよい。

第二の実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された単層型感光層と、を備える。第二の実施形態に係る感光体は、他の層（例えば、下引層、中間層）を更に備えていてもよい。

図１は、第一の実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図１に示す感光体１０Ａは、積層型感光層を有する。感光体１０Ａは、導電性基体１上に、下引層２、電荷発生層３、及び電荷輸送層４がこの順に積層された構造を有し、電荷発生層３及び電荷輸送層４が感光層５（いわゆる、機能分離型感光層）を構成している。感光体１０Ａは、下引層１を省略してもよいし、下引層１と電荷発生層３との間に更に中間層（図示せず）を有してもよい。

図２は、第二の実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図２に示す感光体１０Ｂは、単層型感光層を有する。感光体１０Ｂは、導電性基体１上に、下引層２及び感光層５がこの順に積層された構造を有する。感光体１０Ｂは、下引層１を省略してもよいし、下引層１と感光層５との間に更に中間層（図示せず）を有してもよい。

第一の実施形態に係る感光体において、
電荷輸送層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
電荷輸送層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である。

第二の実施形態に係る感光体において、
単層型感光層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
単層型感光層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である。

第一の実施形態に係る感光体及び第二の実施形態に係る感光体は、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる。
ここで、「フィルミング」とは、感光体の表面にトナーが局所的に堆積することで生じるスジ状の皮膜をいう。

以下、第一の実施形態と第二の実施形態とに共通する事柄を説明する場合、両形態を本実施形態と総称する。また、以下、単に「感光層」と表記した場合、第一の実施形態にお
ける積層型感光層と第二の実施形態における単層型感光層と総称したものとする。

［（０）の関係式及び弾性変形率］
本実施形態に係る感光体は、電荷輸送層又は単層型感光層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％以上７０％以下である。
（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
つまり、上述の押し込み試験をした際に求められるマルテンス硬さＨＭと、インデンテーション硬さｎＩＴと、が上記の（０）の関係式を満たし、且つ、そのときの弾性変形率が４５％以上７０％以下であることで、これを満たさない場合の感光体に比べて、フィルミングを抑制しうる。その理由として下記のことが推測される。

感光体におけるフィルミングは、例えば、トナーの外添剤（例えば、シリカ粒子）の感光体表面への埋まり込みに起因する。具体的には、感光体の表面に１個又は複数個の外添剤が埋まり込むと、感光体の周方向に沿って続くわずかに凹んだ溝が形成される。形成された溝の凹みには外添剤が溜まりやすくなり、感光体の周方向に沿って外添剤溜まりが複数個所で作られることなる。特に、シリカ粒子などの外添剤は硬い成分であることから、外添剤溜まりの硬度は高く、外添剤溜まりが形成された領域の凹みは大きくなってしまい、窪み状の外添剤溜まりが形成される。窪み状の外添剤溜まりが形成されると、局所的な凹凸に追従できなくなったトナーが層状に堆積し始め、フィルミングが発生する。
このようなフィルミングの発生の起因とするトナーの外添剤の埋まり込んだ感光体の表面について、確認を行ったところ、感光体の表面にて、塑性変形と局所的な表面形状の劣化とが起きていることが判明した。
そこで、この外添剤の埋まり込みについて検討を行い、電荷輸送層又は単層型感光層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験を行ったときに求められる物性値であるマルテンス硬さＨＭとインデンテーション硬さｎＩＴとを用いた上記の（０）の関係式を見出し、更に（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％以上７０％以下とすることを見出した。
即ち、上記の（０）の関係式を満たし、且つ、の（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％以上７０％以下であることで、外添剤による感光体の表面の塑性変形及び局所的な表面形状の劣化が抑えられ、外添剤の埋まり込みが抑制されて、その結果、フィルミングを抑制しうるものと推測される。
なお、マルテンス硬さＨＭとしては、耐摩耗性とフィルミング抑制の両立の観点から、１００Ｎ／ｍｍ^２以上３００Ｎ／ｍｍ^２以下が好ましく、１２０Ｎ／ｍｍ^２以上２４０Ｎ／ｍｍ^２以下がより好ましい。インデンテーション硬さｎＩＴとしては、上記の（０）の関係式を満たせばよいが、１５０Ｎ／ｍｍ^２以上６００Ｎ／ｍｍ^２以下が好ましく、２００Ｎ／ｍｍ^２以上４００Ｎ／ｍｍ^２以下がより好ましい。

［引張弾性率］
本実施形態に係る感光体は、電荷輸送層又は単層型感光層における引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満である感光体に比べて低摩耗性であり、電荷輸送層又は単層型感光層における引張弾性率が５，０００ＭＰａ超である感光体に比べて、フィルミングを抑制しうる。
つまり、本実施形態に係る感光体は、電荷輸送層又は単層型感光層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下であることで、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる。

［好ましい実施形態］
第一の実施形態に係る感光体における電荷輸送層は、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂と電荷輸送材料とを含み、樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記電荷輸送層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｓとし、電荷輸送層の平均厚をＤｓ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、ことが好ましい。
（１）５≦Ａ≦４０
（２）０．２８≦Ｃｓ≦０．５５
（３）２７≦Ｄｓ≦５０
（４）２．５≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦７０．０

第二の実施形態に係る感光体における単層型感光層は、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂と電荷輸送材料とを含み、樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記単層型感光層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｔとし、単層型感光層の平均厚をＤｔ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、ことが好ましい。
（１）５≦Ａ≦４０
（２）０．４０≦Ｃｔ≦０．６０
（３）２７≦Ｄｔ≦５０
（４）２．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４８．０

第一の実施形態に係る感光体における電荷輸送層は、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、電荷輸送材料の質量Ｍ１と電荷輸送層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｓとし、電荷輸送層の平均厚をＤｓ（μｍ）としたとき、（４）２．５≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦７０．０を満たすのが望ましい。
第二の実施形態に係る感光体における単層型感光層は、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、電荷輸送材料の質量Ｍ１と単層型感光層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｔとし、単層型感光層の平均厚をＤｔ（μｍ）としたとき、（４）２．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４８．０を満たすのが望ましい。
これらが望ましい理由として下記のことが推測される。また、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を、以下、適宜、「特定樹脂」ともいう。

（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）又は（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）の値が２．５未満であると、特定樹脂の重量平均分子量Ｍｗ又は電荷輸送層の平均厚Ｄｓ若しくは単層型感光層の平均厚Ｄｔの値が小さすぎるか、電荷輸送材料の含有比率Ｃｓ又はＣｔの値が大きすぎて（つまり、特定樹脂の含有比率が小さすぎて）、感光層の耐摩耗性が不十分となる。この観点から、（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）及び（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）の値は、２．５以上であり、３．６以上が好ましく、７．２以上がより好ましく、７．７以上が更に好ましい。

（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）の値が７０．０超又は（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）の値が４８．０超であると、特定樹脂の重量平均分子量Ｍｗ又は電荷輸送層の平均厚Ｄｓ若しくは単層型感光層の平均厚Ｄｔの値が大きすぎるか、電荷輸送材料の含有比率Ｃｓ又はＣｔの値が小さすぎて（つまり、特定樹脂の含有比率が大きすぎて）、フィルミングが発生することがある。この観点から、（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）の値は、７０．０以下であり、４６．０以下が好ましく、３３．０以下がより好ましく、２５．０以下が更に好ましい。この観点から、（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）の値は、４８．０以下であり、４０．０以下が好ましく、２７．０以下がより好ましく、２０．０以下が更に好ましい。

［（１）について］
本実施形態に係る感光体において、電荷輸送層に含まれる特定樹脂、及び、単層型感光層に含まれる特定樹脂は、重量平均分子量ＭｗをＡ（万）としたとき、（１）５≦Ａ≦４０を満たす。つまり、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂の重量平均分子量Ｍｗが５万以上４０万以下である。
Ａの値が５未満であると、電荷輸送層又は単層型感光層の強度が低下し、耐摩耗性が低下する。この観点から、Ａの値は、５以上であり、６以上が好ましく、７以上がより好ましく、８以上が更に好ましい。
Ａの値が４０超であると、電荷輸送層又は単層型感光層を形成するための塗布液の粘度が高くなり、安定な塗布が困難となる。また、電荷輸送層又は単層型感光層の他層に対する密着性が低下し、フィルミングが生じたり、電荷輸送層又は単層型感光層が剥離しやすくなる。この観点から、Ａの値は、４０以下であり、３０以下が好ましく、２５以下がより好ましく、２０以下が更に好ましい。

［（２）について］
第一の本実施形態に係る感光体における電荷輸送層は、電荷輸送材料の質量Ｍ１と電荷輸送層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｓとしたとき、（２）０．２８≦Ｃｓ≦０．５５を満たす。
また、第二の実施形態に係る感光体における単層型感光層は、電荷輸送材料の質量Ｍ１と単層型感光層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｔとしたとき、（２）０．４０≦Ｃｔ≦０．６０を満たす。
Ｃｓの値が０．２８未満又はＣｔの値が０．４０未満であると、電荷輸送層又は単層型感光層に含まれる電荷輸送材料の含有比率が小さいため、電気特性に劣る。この観点から、Ｃｓの値は、０．２８以上であり、０．３１以上が好ましく、０．３３以上がより好ましく、０．３４以上が更に好ましい。この観点から、Ｃｔの値は、０．４０以上であり、０．４３以上が好ましく、０．４４以上がより好ましく、０．４５以上が更に好ましい。
Ｃｓの値が０．５５超又はＣｔの値が０．６０超であると、電荷輸送層又は単層型感光層に含まれる電荷輸送材料の含有比率が大きすぎる（つまり、特定樹脂の含有比率が小さすぎる）ことにより、電荷輸送層又は単層型感光層の強度が低下し、耐摩耗性に劣る。この観点から、Ｃｓの値は、０．５５以下であり、０．５０以下が好ましく、０．４８以下がより好ましく、０．４６以下が更に好ましい。この観点から、Ｃｔの値は、０．６０以下であり、０．５８以下が好ましく、０．５６以下がより好ましく、０．５５以下が更に好ましい。

［（３）について］
第一の実施形態に係る感光体において、電荷輸送層の平均厚をＤｓ（μｍ）としたとき、（３）２７≦Ｄｓ≦５０を満たす。つまり、電荷輸送層の平均厚Ｄｓは、２７μｍ以上５０μｍ以下である。
また、第二の実施形態に係る感光体において、単層型感光層の平均厚をＤｔ（μｍ）としたとき、（３）２７≦Ｄｔ≦５０を満たす。つまり、単層型感光層の平均厚Ｄｔは、２７μｍ以上５０μｍ以下である。
平均厚Ｄｓ及び平均厚Ｄｔが２７μｍ以上であると、感光体の摩耗しろを確保でき、感光体の寿命を長くすることができる。この観点から、平均厚Ｄｓ及び平均厚Ｄｔは、２７μｍ以上であり、３１μｍ以上が好ましく、３５μｍ以上がより好ましく、３７μｍ以上が更に好ましい。
平均厚Ｄｓ及び平均厚Ｄｔが５０μｍ以下であると、初期及び摩耗後の双方で電気特性を維持することができる。この観点から、平均厚Ｄｓ及び平均厚Ｄｔは、５０μｍ以下であり、４８μｍ以下が好ましく、４６μｍ以下がより好ましく、４５μｍ以下が更に好ましい。

［各種の測定］
第一の実施形態における電荷輸送層のマルテンス硬さＨＭ、及び、インデンテーション硬さｎＩＴの測定方法は以下のとおりである。
まず、測定対象となる電荷輸送層を有する感光体を、温度２３℃、３０％ＲＨの環境下にて、フィッシャー・インストルメンツ社製の測定装置（ＰＩＣＯＤＥＮＴＯＲ ＨＭ５００）にセットする。そして、電荷輸送層の表面に対してベルコビッチ圧子を用いて、押し込み速度２５μｍ／ｓで、深さ０．５μｍまで押し込む試験を行い、マルテンス硬さ、及び、インデンテーション硬さを求める。なお、この試験により、押し込み深さ（μｍ）と押し込み力（試験荷重）（ｍＮ）とによる押し込み曲線（荷重曲線）が得られる。
マルテンス硬さは、その押し込み深さから以下の式により定義される値である。
マルテンス硬さ（Ｎ／ｍｍ^２）＝試験荷重（Ｎ）／試験荷重下での圧子の表面積（ｍｍ^２）
インデンテーション硬さは、押し込みによる荷重を除荷直後の電荷輸送層の変形量（深さ）－荷重曲線の接線から導出される接触深さから定義される値である。
測定位置は感光体の周方向における頂点であり、測定箇所は周方向を４等分した際の１軸において中央と両端部の３か所であり、この１２箇所における測定値の平均値をそれぞれの物性値とする。
第二の実施形態においては、上記の「電荷輸送層」を「単層型感光層」に置き換えて同様に測定する。

第一の実施形態における電荷輸送層の弾性変形率は、以下の式から求められる。
弾性変形率（％）＝（１－ひずみ深さ／最大押込み深さ）×１００
ここで、ひずみ深さは負荷により回復しなかった変形量を表し、塑性変形を表す指標として使われる。
弾性変形率が大きいほど、負荷に対する変形が残留しにくいことを表し、弾性変形率１００％とは変形が一切残らないことを意味する。
弾性変形率は、マルテンス硬さＨＭ、及び、インデンテーション硬さｎＩＴと、同様の装置、同条の条件下での試験にて測定する。この測定にて、ひずみ深さは、負荷により回復しなかった変形量として、測定終了時点での電荷輸送層の変形量（深さ）を求め、最大押し込み深さは、ベルコビッチ圧子を押し込み深さである０．５μｍとする。
第二の実施形態においては、上記の「電荷輸送層」を「単層型感光層」に置き換えて同様に測定する。

第一の実施形態における電荷輸送層の引張弾性率の測定方法は以下のとおりである。
測定対象となる感光体から、電荷輸送層を切り出し、ダンベル３号の打ち抜き試験片（幅５ｍｍ）を得る。ダンベル３号の打ち抜き試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２７：１９９９年に準じ、周方向のみ５回測定した平均値を引張弾性率とする。なお、測定装置は、アイコーエンジンニアリング社製ＭＯＤＥＬ－１６０５Ｎとし、引張速度は２０ｍｍ／ｍｉｎとする。
第二の実施形態においては、上記の「電荷輸送層」を「単層型感光層」に置き換えて同様に測定する。

第一の実施形態において、電荷輸送層に含まれる特定樹脂の重量平均分子量Ｍｗ及び数平均分子量Ｍｎの測定方法は下記のとおりである。
感光体を各種の溶媒（混合溶媒であってもよい。）に浸漬し、電荷輸送層が溶解する溶媒を把握する。電荷輸送層が溶解する溶媒に感光体を浸漬し、電荷輸送層を抽出する。電荷輸送層を抽出した溶液を、ポリエステル樹脂又はポリカーボネート樹脂の貧溶媒（例えば、ヘキサン、トルエン等の非極性溶媒、メタノール、イソプロパノール等の低級アルコール。貧溶媒は混合溶媒であってもよい。）に滴下して樹脂を再沈殿させる。必要に応じて再沈殿処理を２回繰り返し、再沈殿物である樹脂を真空乾燥し、ポリエステル樹脂を得る。ポリエステル樹脂に対し後述するＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）による分子量測定を行い、Ｍｗ及びＭｎを特定する。
第二の実施形態においては、上記の「電荷輸送層」を「単層型感光層」に置き換えて同様に測定する。

第一の実施形態において、電荷輸送層に含まれる電荷輸送材料の質量Ｍ１と電荷輸送層の質量Ｍ２の測定方法は下記のとおりである。
先述の電荷輸送層を抽出した溶液を濃縮し、真空乾燥した後、秤量して電荷輸送層の質量Ｍ２を得る。
先述の再沈殿処理した後の残りの溶液を濃縮し、分取用薄層クロマトグラフィーによって各材料を単離し収量を定量する。ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定によって単離した各材料から電荷輸送材料を特定し、電荷輸送材料の収量を合計してＭ１を得る。
第二の実施形態においては、上記の「電荷輸送層」を「単層型感光層」に置き換えて同様に測定する。

第一の実施形態において電荷輸送層の平均厚Ｄｓは、感光体の軸方向に均等に１０か所及び周方向に４等分（９０°刻み）の合計４０か所において、渦電流膜厚計で層厚を測定し算術平均した値である。
第二の実施形態において単層型感光層の平均厚Ｄｔは、上記の「電荷輸送層」を「単層型感光層」に置き換えて同様に求める。

［樹脂］
以下、本実施形態に係る感光体に用いられる樹脂について詳細に説明する。
本実施形態に係る感光体は、電荷輸送層又は単層型感光層中に、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含む。
電荷輸送層又は単層型感光層中に、ポリエステル樹脂又はポリカーボネート樹脂を含むことが好ましく、ポリエステル樹脂を含むことがより好ましい。

（ポリエステル樹脂）
ポリエステル樹脂は、少なくとも、ジカルボン酸単位（Ａ）及びジオール単位（Ｂ）を有する。ポリエステル樹脂は、ジカルボン酸単位（Ａ）以外のその他のジカルボン酸単位を含んでいてもよい。ポリエステル樹脂は、ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位を含んでいてもよい。

ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ）で表される構成単位である。

式（Ａ）において、Ｘは有機基である。

Ｘに係る有機基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、エーテル基、チオエーテル基、これらを組み合わせた基などが挙げられる。

ジカルボン酸単位（Ａ）の実施形態例として、下記の式（Ａ’）で表されるジカルボン酸単位（Ａ’）が挙げられる。

式（Ａ’）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。

Ａｒ^Ａ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ａ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ａ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ａｒ^Ａ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ａ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ａ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ｌ^Ａが２価の連結基のとき、２価の連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、－Ｃ(Ｒａ^１)(Ｒａ^２)－が挙げられる。ここで、Ｒａ^１及びＲａ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒａ^１とＲａ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^１０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^２０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ^２０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のア
ルコキシ基である。
ｎ^３０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ^３０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^４０１は０以上４以下の整数であることが好ましく、０、１又は２であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ１）のＲａ^１０１、式（Ａ２）のＲａ^２０１及びＲａ^２０２、式（Ａ３）のＲａ^３０１及びＲａ^３０２並びに式（Ａ４）のＲａ^４０１の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒａ^１０１、Ｒａ^２０１、Ｒａ^２０２、Ｒａ^３０１、Ｒａ^３０２及びＲａ^４０１を「Ｒａ」と総称して説明する。

Ｒａに係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上１０以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基等が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、及びこれら単環のアルキル基が連結した多環（例えば、二環、三環、スピロ環）のアルキル基が挙げられる。

Ｒａに係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
炭素数６以上１２以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。

Ｒａに係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ１）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ１－１）～（Ａ１－９）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ１）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ２）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ２－１）～（Ａ２－３）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ２）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ３）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ３－１）～（Ａ３－２）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ３）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ４）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ４－１）～（Ａ４－３）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ４）は、これに限定されるわけではない。

ジカルボン酸単位（Ａ）としては、上記具体例の（Ａ１－１）、（Ａ１－７）、（Ａ２－３）、（Ａ３－２）及び（Ａ４－３）が好ましく、（Ａ２－３）が最も好ましい。

ポリエステル樹脂に占めるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合
は、１５質量％以上６０質量％以下が好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合が１５質量％以上であると、感光層の耐摩耗性が良好である。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上が更に好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合が６０質量％以下であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂に含まれるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）以外のその他のジカルボン酸単位（Ａ）としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸（例えば、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、グルタコン酸、コハク酸、アルケニルコハク酸、アジピン酸、セバシン酸）単位、脂環式ジカルボン酸（例えば、シクロヘキサンジカルボン酸）単位、及びこれらの低級（例えば炭素数１以上５以下）アルキルエステル単位が挙げられる。ポリエステル樹脂に含まれるこれらジカルボン酸単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂に含まれるジカルボン酸単位（Ａ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ）で表される構成単位である。

式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

Ａｒ^Ｂ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ｂ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ｂ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ａｒ^Ｂ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ｂ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ｂ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数１以上２０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上１８以下が好ましく、１以上１４以下がより好ましく、１以上１０以下が更に好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０１に係る炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ^１０１の具体例として、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－テトラデシル基、ｔｅｒｔ－ペンタデシル基等が挙げられる。

式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０２に係る炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ^１０２の具体例として、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられる。

式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０４に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。Ｒｂ^１０４の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。

式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ａｒ^１０５に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
Ａｒ^１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。Ａｒ^１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、４－フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラチルメチル基、フェニル－シクロペンチルメチル基等が挙げられる。

式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

式（Ｂ１）のＲｂ^２０１、式（Ｂ２）のＲｂ^２０２、式（Ｂ４）のＲｂ^２０４及び式（Ｂ５）のＲｂ^２０５の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^２０１、Ｒｂ^２０２、Ｒｂ^２０４及びＲｂ^２０５を「Ｒｂ^２００」と総称して説明する。

Ｒｂ^２００に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
炭素数１以上３以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^４０１、式（Ｂ２）のＲｂ^４０２、式（Ｂ３）のＲｂ^４０３、式（Ｂ４）のＲｂ^４０４、式（Ｂ５）のＲｂ^４０５、式（Ｂ６）のＲｂ^４０６、式（Ｂ７）のＲｂ^４０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^４０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^４０７及びＲｂ^４０８を「Ｒｂ^４００」と総称して説明する。

Ｒｂ^４００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^４００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^４００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^５０１、式（Ｂ２）のＲｂ^５０２、式（Ｂ３）のＲｂ^５０３、式（Ｂ４）のＲｂ^５０４、式（Ｂ５）のＲｂ^５０５、式（Ｂ６）のＲｂ^５０６、式（Ｂ７）のＲｂ^５０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^５０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^５０７及びＲｂ^５０８を「Ｒｂ^５００」と総称して説明する。

Ｒｂ^５００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^５００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^５００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^８０１、式（Ｂ２）のＲｂ^８０２、式（Ｂ３）のＲｂ^８０３、式（Ｂ４）のＲｂ^８０４、式（Ｂ５）のＲｂ^８０５、式（Ｂ６）のＲｂ^８０６、式（Ｂ７）のＲｂ^８０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^８０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^８０１、Ｒｂ^８０２、Ｒｂ^８０３、Ｒｂ^８０４、Ｒｂ^８０５、Ｒｂ^８０６、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^８０８を「Ｒｂ^８００」と総称して説明する。

Ｒｂ^８００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^８００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^８００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^９０１、式（Ｂ２）のＲｂ^９０２、式（Ｂ３）のＲｂ^９０３、式（Ｂ４）のＲｂ^９０４、式（Ｂ５）のＲｂ^９０５、式（Ｂ６）のＲｂ^９０６、式（Ｂ７）のＲｂ^９０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^９０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^９０１、Ｒｂ^９０２、Ｒｂ^９０３、Ｒｂ^９０４、Ｒｂ^９０５、Ｒｂ^９０６、Ｒｂ^９０７及びＲｂ^９０８を「Ｒｂ^９００」と総称して説明する。

Ｒｂ^９００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^９００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^９００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

以下に、ジオール単位（Ｂ１）の具体例としてジオール単位（Ｂ１－１）～（Ｂ１－６）を示す。ジオール単位（Ｂ１）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ２）の具体例としてジオール単位（Ｂ２－１）～（Ｂ２－１１）を示す。ジオール単位（Ｂ２）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ３）の具体例としてジオール単位（Ｂ３－１）～（Ｂ３－４）を示す。ジオール単位（Ｂ３）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ４）の具体例としてジオール単位（Ｂ４－１）～（Ｂ４－７）を示す。ジオール単位（Ｂ４）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ５）の具体例としてジオール単位（Ｂ５－１）～（Ｂ５－６）を示す。ジオール単位（Ｂ５）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ６）の具体例としてジオール単位（Ｂ６－１）～（Ｂ６－４）を示す。ジオール単位（Ｂ６）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ７）の具体例としてジオール単位（Ｂ７－１）～（Ｂ７－３）を示す。ジオール単位（Ｂ７）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ８）の具体例としてジオール単位（Ｂ８－１）～（Ｂ８－３）を示す。ジオール単位（Ｂ８）は、これに限定されるわけではない。

ポリエステル樹脂に含まれるジオール単位（Ｂ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂に占めるジオール単位（Ｂ）の質量割合は、２５質量％以上８０質量％以下が好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が２５質量％以上であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上が更に好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が８０質量％以下であると、感光層を形成するための塗布液に対する溶解性を維持して耐摩耗性の向上が可能となる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、７５質量％以下がより好ましく、７０質量％以下が更に好ましい。

ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位としては、例えば、脂肪族ジオール（例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール）単位、脂環式ジオール（例えば、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、水添ビスフェノールＡ）単位が挙げられる。ポリエステル樹脂に含まれるこれらジオール単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂の末端は、製造の際に使用する末端封止剤又は分子量調節剤などで封止又は修飾されていてもよい。末端封止剤又は分子量調節剤としては、例えば、一価フェノール、一価酸クロライド、一価アルコール、一価カルボン酸が挙げられる。
一価フェノールとしては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－プロピルフェノール、ｍ－プロピルフェノール、ｐ－プロピルフェノール、ｏ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｍ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ペンチルフェノール、ヘキシルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，６－ジメチルフェノール誘導体、２－メチルフェノール誘導体、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｏ－メトキシフェノール、ｍ－メトキシフェノール、ｐ－メトキシフェノール、２，３，６－トリメチルフェノール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、２－フェニル－２－（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（２－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（３－ヒドロキシフェニル）プロパンが挙げられる。
一価酸クロライドとしては、例えば、ベンゾイルクロライド、安息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライド、フェニルクロロホルメート、酢酸クロリド、酪酸クロリド、オクチル酸クロリド、塩化ベンゾイル、ベンゼンスルフォニルクロリド、ベンゼンスルフィニルクロリド、スルフィニルクロリド、ベンゼンホスホニルクロリド、これらの置換体等の一官能性酸ハロゲン化物が挙げられる。
一価アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、２－ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ドデシルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールが挙げられる。
一価カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、トルイル酸、フェニル酢酸、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、ｐ－メトキシフェニル酢酸が挙げられる。

ポリエステル樹脂の重量平均分子量は、３万以上３０万以下が好ましく、４万以上２５万以下がより好ましく、５万以上２０万以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂の分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）によって測定したポリスチレン換算の分子量である。ＧＰＣは溶離液としてテトラヒドロフランを使用する。

ポリエステル樹脂の製造方法としては、界面重合法、溶液重合法、溶融重合法などが挙げられる。

（ポリカーボネート樹脂）
ポリカーボネート樹脂としては、公知のポリカーボネート樹脂が用いられるが、例えば、ビフェニル骨格及びビスフェノール骨格の少なくとも一方を有する構造単位を含むポリカーボネート樹脂（以下「ＢＰポリカーボネート樹脂」ともいう）が好適なものとして挙げられる。
ＢＰポリカーボネート樹脂としては、例えば、ビフェニル骨格を有する構造単位で構成された単独重合体、ビスフェノール骨格を有する構造単位で構成された単独重合体のほか、ビフェニル骨格を有する構造単位及びビスフェノール骨格を有する構造単位の少なくとも一種を含んで構成された共重合体が挙げられる。ＢＰポリカーボネート樹脂は、その中でも耐摩耗性の観点からビスフェノール骨格を有する構造単位で構成された単独重合体が好ましい。
なお、ビスフェノール骨格としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＢ骨格、ビスフェノールＢＰ骨格、ビスフェノールＣ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＺ骨格等が挙げられる。

ＢＰポリカーボネート樹脂として、具体的には、例えば、ジヒドロキシビフェニル化合物の単独重合体、ジヒドロキシビスフェノール化合物の単独重合体、及びこれらの共重合体が挙げられる。これらの重合体は、例えば、上記化合物を原料として用い、ホスゲン等の炭酸エステル形成性化合物との重縮合又はビスアリールカーボネートとのエステル交換反応等の方法によって得られる。

ジヒドロキシビフェニル化合物は、ビフェニル骨格を有し、ビフェニル骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビフェニル化合物である。ジヒドロキシビフェニル化合物としては、例えば、４，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジヒドロキシ－３，３’－ジメチルビフェニル、４，４’－ジヒドロキシ－２，２’－ジメチルビフェニル、４，４’－ジヒドロキシ－３，３’－ジシクロヘキシルビフェニル、３，３’－ジフルオロ－４，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジヒドロキシ－３，３’－ジフェニルビフェニル等が挙げられる。
これらジヒドロキシビフェニル化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。

ジヒドロキシビスフェノール化合物は、ビスフェノール骨格を有し、ビスフェノール骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビスフェノール化合物である。ジヒドロキシビスフェノール化合物としては、例えば、ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、１，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１，１－ジフェニルメタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－フェニルエタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－フェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２－ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）－２－（４－ヒドロキシフェニル）－１－フェニルエタン、ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１－ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２－ビス（２－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（２－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ブタン、１，１－ビス（２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）エタン、１，１－ビス（２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロパン、１，１－ビス（２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ブタン、１，１－ビス（２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）イソブタン、１，１－ビス（２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ヘプタン、１，１－ビス（２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）－１－フェニルメタン、１，１－ビス（２－ｔｅｒｔ－アミル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ブタン、ビス（３－クロロ－４－ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５－ジブロモ－４－ヒドロキシフェニル）メタン、２，２－ビス（３－クロロ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－フルオロ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－ブロモ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３，５－ジフルオロ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３，５－ジクロロ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３，５－ジブロモ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－ブロモ－４－ヒドロキシ－５－クロロフェニル）プロパン、２，２－ビス（３，５－ジクロロ－４－ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２－ビス（３，５－ジブロモ－４－ヒドロキシフェニル）ブタン、１－フェニル－１，１－ビス（３－フルオロ－４－ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（３－フルオロ－４－ヒドロキシフェニル）エーテル、１，１－ビス（３－シクロヘキシル－４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等が挙げられる。
これらビスフェノール化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。

これらの中でも、ＢＰポリカーボネート樹脂は、電荷輸送層又は単層型感光層の耐摩耗性の点から、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位及び下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位の少なくとも１つを含むポリカーボネート樹脂であることが好ましい。つまり、好ましいＢＰポリカーボネート樹脂として、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位で構成された単独重合体、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位で構成された単独重合体、及びこれらの共重合体が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘ^Ｐ１は、フェニレン基、ビフェニリレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又はシクロアルキレン基を表す。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すアルキル基としては、炭素数１以上６以下（好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルが挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｘ^Ｐ１が表すアルキレン基としては、炭素数１以上１２以下（好ましくは炭素数１以上６以下、より好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が挙げられる。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、ｎ－ペンチレン基、ｎ－ヘキシレン基、ｎ－ヘプチレン基、ｎ－オクチレン基、ｎ－ノニレン基、ｎ－デシレン基、ｎ－ウンデシレン基、ｎ－ドデシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ－ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ－ヘキシレン基、ｔｅｒｔ－ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ－ヘプチレン基、ｔｅｒｔ－ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ－オクチレン基、ｔｅｒｔ－オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ－ノニレン基、ｔｅｒｔ－ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ－デシレン基、ｔｅｒｔ－デシレン基、イソウンデシレン基、ｓｅｃ－ウンデシレン基、ｔｅｒｔ－ウンデシレン基、ネオウンデシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ－ドデシレン基、ｔｅｒｔ－ドデシレン基、ネオドデシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｘ^Ｐ１が表すシクロアルキレン基としては、炭素数３以上１２以下（好ましくは炭素数３以上１０以下、より好ましくは炭素数５以上８以下）のシクロアルキレン基が挙げられる。
シクロアルキレン基として具体的には、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロドデカニレン基等が挙げられる。
これらの中でも、シクロアルキレン基としては、シクロヘキシレン基が好ましい。

なお、一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、及びＸ^Ｐ１が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルキル基（例えば炭素数１以上６以下のアルキル基）、シクロアルキル基（例えば炭素数５以上７以下のシクロアルキル基）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等）等が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）において、Ｒ^Ｐ１、及びＲ^Ｐ２は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒ^Ｐ１、及びＲ^Ｐ２は、水素原子を表すことがより好ましい。
一般式（ＰＣＢ）において、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘ^Ｐ１がアルキレン基、又はシクロアルキレン基を表すことが好ましい。

ＢＰポリカーボネート樹脂の具体例としては、例えば以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１×１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これを更にアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

［下引層］
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１×１０^２Ωｃｍ以上１×１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の厚さは、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

［中間層］
下引層と感光層との間に中間層を更に設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の厚さは、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。中間層を下引層として使用してもよい。

［電荷発生層］
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。
ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１×１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の厚さは、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

［電荷輸送層］
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

構造式（ａ－１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ_６Ｈ_４－Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）、又は－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７、及びＲ^Ｔ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

構造式（ａ－２）中、Ｒ^Ｔ９１及びＲ^Ｔ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^Ｔ１０１、Ｒ^Ｔ１０２、Ｒ^Ｔ１１１及びＲ^Ｔ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（Ｒ^Ｔ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１３）（Ｒ^Ｔ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）を示し、Ｒ^Ｔ１２、Ｒ^Ｔ１３、Ｒ^Ｔ１４、Ｒ^Ｔ１５及びＲ^Ｔ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエステル系の高分子電荷輸送材等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、ポリエステル系の高分子電荷輸送材は好ましい。高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送材料又は高分子電荷輸送材料としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、ジアミン化合物、オキサジアゾール化合物、カルバゾール化合物、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン化合物、インドール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、チアゾール化合物、チアジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、トリアゾール化合物及びこれらの物質から誘導される基を有する樹脂も挙げられる。具体的には、特開２０２１－１１７３７７号公報の段落００７８～００８０、特開２０１９－０３５９００号公報の段落００４６～００４８、特開２０１９－０１２１４１号公報の段落００５２～００５３、特開２０２１－０７１５６５号公報の段落０１２２～０１３４、特開２０２１－０１５２２３号公報の段落０１０１～０１１０及び特開２０１３－０９７３００号公報の段落０１１６それぞれに記載の化合物が挙げられる。

電荷輸送層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して２８質量％以上５５質量％以下がよい。

電荷輸送層は結着樹脂として特定樹脂を含む。電荷輸送層に含まれる結着樹脂の全量に占める特定樹脂の割合は、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。

電荷輸送層は、特定樹脂以外のその他の結着樹脂を含んでいてもよい。その他の結着樹脂としては、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。

電荷輸送層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、酸化防止剤、レベリング剤、消泡剤、フィラー、粘度調整剤などが挙げられる。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
ここで、電荷輸送層形成用塗布液の塗膜の乾燥工程における仕事率が０．１６Ｗ以上であると、電荷輸送層の膜物性を好ましい態様とし易くなる。これにより、耐摩耗性の向上及びフィルミングの抑制の一方又は両方が達成され易くなる。なお、所望の膜物性を得るために、上記仕事率が０．１６Ｗ以上あればよいわけではなく、その閾値は選択する樹脂と組成によって変化する。
ここで、仕事率は、以下の計算式から求められる値であり、単位は「Ｗ」である。
仕事率［Ｗ］の計算式：重量［ｇ］×比熱［Ｊ／（ｇ・Ｋ）］×温度差［Ｋ］÷時間［ｓ］
計算式中、重量［ｇ］は、電荷輸送層形成用塗布液の塗膜の体積［ｃｍ^３］×比重［ｇ／ｃｍ^３］にて求められる値であり、比重は１．２ｇ／ｃｍ^３であり、比熱は１．２J／（ｇ・Ｋ）であり、温度差は設定温度－室温（２５）［Ｋ］であり、時間は、設定時間×６０［ｓ］である。
なお、設定温度は、乾燥工程における乾燥温度であり、例えば、１００℃以上２００℃以下、好ましくは、１１０℃以上１９０℃以下で設定される。また、設定時間は、乾燥工程における乾燥時間であり、例えば、１０分以上６０分以下、好ましくは、１８分以上４５分以下で設定される。設定温度（乾燥温度）及び設定時間（乾燥時間）は、膜中の溶剤量、膜の分解等の状態に応じて設定される。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の平均厚Ｄｓは、２７μｍ以上５０μｍ以下である、３１μｍ以上４８μｍ以下が好ましく、３５μｍ以上４６μｍ以下がより好ましく、３７μｍ以上４５μｍ以下が特に好ましい。

［単層型感光層］
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、電荷発生材料と、電荷輸送材料と、結着樹脂と、必要に応じてその他の添加剤と、を含む層である。これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。

単層型感光層は結着樹脂として特定樹脂を含む。単層型感光層に含まれる結着樹脂の全量に占める特定樹脂の合計割合は、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。

単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。

単層型感光層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して４０質量％以上６０質量％以下がよい。

単層型感光層の形成は、例えば、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様に、上記成分を溶剤に加えた単層型感光層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
なお、ここでも、単層型感光層形成用塗布液の塗膜の乾燥工程における仕事率を７Ｗ超とすることで、単層型感光層の膜物性を好ましい態様とし易くなる。これにより、耐摩耗性の向上及びフィルミングの抑制の一方又は両方が達成され易くなる。

単層型感光層の平均厚Ｄｔは、２７μｍ以上５０μｍ以下であり、３１μｍ以上４８μｍ以下が好ましく、３５μｍ以上４６μｍ以下がより好ましく、３７μｍ以上４５μｍ以下が特に好ましい。

［保護層］
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度を更に改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。

１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）

反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、－ＯＨ、－ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、－ＮＨ_２、－ＳＨ、－ＣＯＯＨ、－ＳｉＲ^Ｑ１ _３－Ｑｎ（ＯＲ^Ｑ２）_Ｑｎ［但し、Ｒ^Ｑ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^Ｑ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１～３の整数を表す］等の公知の反応性基が挙げられる。

連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、フェニルビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、フェニルビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。

反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、公知の材料から選択すればよい。

保護層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の厚さは、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

＜画像形成装置、プロセスカートリッジ＞
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の公知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図３は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図３に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図３におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

図３には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を
有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、公知のものが適用される。

－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図４は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図４に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下、実施例により発明の実施形態を詳細に説明するが、発明の実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。

以下の説明において、合成、処理、製造などは、特に断りのない限り、室温（２５℃±３℃）で行った。

＜樹脂の準備＞
［ポリエステル樹脂ａの合成］
攪袢装置を備えた反応容器に、４，４’－（２－エチルヘキシリデン）ジフェノール１２．６３７３ｇ、４－ｔブチルフェノール０．１２３３ｇ、ハイドロサルファイトナトリウム０．０６３２ｇ、水２４０ｍＬを入れ、懸濁液とした。この懸濁液に、攪袢下、温度２０℃で、水酸化ナトリウム４．８３９２ｇ、ベンジルトリブチルアンモニウムクロリド０．１９８１ｇ、水１６０ｍＬを加え、窒素雰囲気下で３０分間攪袢した。この水溶液にｏ－ジクロロベンゼン２２０ｍＬを加え、窒素雰囲気下で３０分間攪袢した後に、４，４’－ビフェニルジカルボニルクロリド１２．００００ｇを粉体のまま添加した。添加終了後、温度２０℃で、窒素雰囲気下で４時間攪袢して反応を進行させた。重合後の溶液を３００ｍＬのｏ－ジクロロベンゼンで希釈し、水相を除去した。希酢酸溶液及びイオン交換水で洗浄した後、メタノールに投入してポリマーを析出させた。析出したポリマーを濾別し、５０℃で乾燥させた。このポリマーをテトラヒドロフラン９００ｍＬに再溶解させ、メタノールに投入してポリマーを析出させた。析出したポリマーを濾別し、メタノールで洗浄後、５０℃で乾燥させることで、白色のポリマー１７．５ｇを得た。
ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）による分子量測定を、溶離液としてテトラヒドロフランを使用して行い、ポリマーの分子量をポリスチレン換算の分子量として決定した。ポリマーの重量平均分子量Ｍｗと分子量分布Ｍｗ／Ｍｎとを表１に記す。

［ポリエステル樹脂ｂ～ｇ及びＣ１～Ｃ３］
モノマー種とその使用量を適宜変えた以外は、ポリエステル樹脂ａの製造工程と同様にして、ポリエステル樹脂ｂ～ｇ及びＣ１～Ｃ３を合成した。下記表１には、ポリエステル樹脂の構成単位及び組成比を示す。

［ポリカーボネート樹脂ｈ］
ポリカーボネート樹脂ｈとして、下記表１に記載の重量平均分子量Ｍｗと分子量分布Ｍｗ／Ｍｎとを有するポリカーボネート樹脂（ＰＣＢ－１）を準備した。（ＰＣＢ－１）は、既述のＢＰポリカーボネート樹脂の具体例として挙げられたものである。

表１には、ポリエステル樹脂における「構成単位：組成比」（例えば、Ａ２－３：５０）を記した。組成比は、ジカルボン酸単位（原料のジカルボン酸からＯＨ原子を２個除いた単位）とジオール単位（原料のジオールからＨ原子を２個除いた単位）それぞれのモル％である。
表１に記したＡ２－３等は、既述のジカルボン酸単位の具体例として挙げられたものである。
表１に記したＢ１－２等は、既述のジオール単位の具体例として挙げられたものである。

＜積層型感光層を備えた感光体の製造＞
［実施例Ｓ１］
－下引層の形成－
導電性基体として、外径３０ｍｍ、長さ３５０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム製円筒管を用意した。

酸化亜鉛（平均粒径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ^２／ｇ、テイカ社製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学工業社製、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）１．３部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤によって表面処理した酸化亜鉛を得た。

表面処理した酸化亜鉛１１０部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、アリザリン０．６部をテトラヒドロフラン５０部に溶解した溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧濾過にて固形分を濾別し、６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。

アリザリン付与酸化亜鉛６０部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５部とをメチルエチルケトン６８部に溶解した溶液１００部と、メチルエチルケトン５部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。下引層形成用塗布液を浸漬塗布法にて導電性基体の外周面に塗布し、１７０℃で４０分間の乾燥硬化を行い、下引層を形成した。下引層の平均厚は２５μｍとした。

－電荷発生層の形成－
電荷発生物質としてヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．５°，９．９°，１２．５°，１６．３°，１８．６°，２５．１°及び２８．３°の位置に回折ピークを有する。）１５部、結着樹脂として塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０部、及びｎ－酢酸ブチル２００部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。分散液にｎ－酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、室温（２５℃±３℃）で乾燥して、平均厚０．１８μｍの電荷発生層を形成した。

－電荷輸送層の形成－
結着樹脂としてポリエステル樹脂ａを６０部と、電荷輸送材料として下記構造のＨＴＭ－１を４０部とを、テトラヒドロフラン２７０部及びトルエン３０部に溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜に対し１４０℃で３０分間の乾燥を行い、電荷輸送層を形成した。なお、電荷輸送層形成用塗布液の塗膜の乾燥工程における仕事率（Ｗ）を表２に示す。また、電荷輸送層の平均厚Ｄｓ（μｍ）を表２に記す。

［実施例Ｓ２～Ｓ１７、比較例ＳＣ１～ＳＣ９］
実施例Ｓ１と同様にして、ただし、電荷輸送層の形成において、結着樹脂の種類、電荷輸送材料の量、電荷輸送層の平均厚Ｄｓ、乾燥工程時の仕事率等を表２に記載の仕様に変更して、それぞれの感光体を作製した。

＜単層型感光層を備えた感光体の製造＞
［実施例Ｔ１］
－単層型感光層の形成－
結着樹脂としてポリエステル樹脂ａを４５．７５部と、電荷発生材料としてＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有する。）を１．２５部と、電子輸送材料である下記構造のＥＴＭ－１を９部と、正孔輸送材料である下記構造のＨＴＭ－１を４４部と、溶剤としてテトラヒドロフラン１７５部及びトルエン７５部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理を行い、単層型感光層形成用塗布液を得た。
得られた単層型感光層形成用塗布液を、浸漬塗布法にて、外径３０ｍｍ、長さ２４４．５ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、得られた塗膜を温度１４０℃で３０分間の乾燥硬化を行い、単層型感光層を形成した。なお、単層型感光層形成用塗布液の塗膜の乾燥工程における仕事率（Ｗ）を表３に示す。単層型感光層の平均厚Ｄｔ（μｍ）を表３に記す。

［実施例Ｔ２～Ｔ１７、比較例ＴＣ１～ＴＣ９］
実施例Ｔ１と同様にして、ただし、単層型感光層の形成において、結着樹脂の種類、電荷輸送材料の量、単層型感光層の平均厚Ｄｔ、乾燥工程時の仕事率等を表３に記載の仕様に変更して、それぞれの感光体を作製した。

＜感光体の性能評価＞
［耐摩耗性］
感光体を電子写真方式の画像形成装置Ａｐｅｏｓ Ｃ４５７０（富士フイルムビジネスイノベーション社製）に搭載し、温度３０℃且つ相対湿度８５％の環境下で、Ａ３サイズの紙に、１％ソリッド画像、画像密度（エリアカバレッジ）１％の画像を１０万枚形成した。その後温度１０℃且つ相対湿度１５％の環境下で、Ａ３サイズの紙に、１００％ソリッド画像、画像密度（エリアカバレッジ）１００％のベタ画像を１０万枚形成した。上記画像形成を５回繰り返した。上記画像形成の前後において電荷輸送層（又は単層型感光層）の平均厚を求め、画像形成前後の平均厚の差を摩耗量（ｎｍ）とした。膜厚測定機として、フィッシャースコープ社製パーマスコープを用いた。
摩耗量を下記のとおり分類した。表２及び表３に結果を示す。
Ａ：摩耗量が５００ｎｍ未満である。
Ｂ：摩耗量が５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満である。
Ｃ：摩耗量が１０００ｎｍ以上、１５００ｎｍ未満である。
Ｄ：摩耗量が１５００ｎｍ以上、２０００ｎｍ未満である。
Ｅ：摩耗量が２０００ｎｍ以上である。

［フィルミング］
上記画像形成において１００万枚出力した後の感光体の表面を、ＮＩＫＯＮ製光学顕微鏡ＭＭ―４０で撮影した明視野画像にて画像解析し、トナーの堆積部（即ち、フィルミング部）の面積率（％）を求めた。表２及び表３に結果を示す。

［初期画質及び走行後画質］
感光体をドラムカートリッジに装着して、電位センサーを取り付けた画像形成装置Ａｐｅｏｓ Ｃ４５７０（富士フイルムビジネスイノベーション社製）に搭載し、温度３０℃且つ相対湿度８５％の環境下で、Ａ４サイズの紙に５０％ハーフトーン画像を１００万枚出力した。１枚目及び１００万枚目の出力画像について、画像粒状性を目視及びルーペで観察し、下記のとおり分類した。表２及び表３に結果を示す。
Ａ：画像欠陥なし。
Ｂ：拡大鏡で見るとわずかに画像欠陥が見られるが、実用上の許容範囲内である。
Ｃ：目視で画像欠陥が見られる。
Ｄ：目視で画像欠陥が見られ、筋状に伸びている。
Ｅ：目視で画像欠陥が見られ、筋状に伸びている。明らかな濃度ムラが確認される。

以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(((１))) 導電性支持体と、前記導電性支持体上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する積層型感光層と、を備え、
前記電荷輸送層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
前記電荷輸送層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ、弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
前記電荷輸送層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である、電子写真感光体。
(((２))) 導電性支持体と、前記導電性支持体上に配置された単層型感光層と、を備え、
前記単層型感光層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
前記単層型感光層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ、弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
（０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
前記単層型感光層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である、電子写真感光体。

(((３))) 前記電荷輸送層は、前記樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、前記電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記電荷輸送層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｓとし、前記電荷輸送層の平均厚をＤｓ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、(((１)))に記載の電子写真感光体。
（１）５≦Ａ≦４０
（２）０．２８≦Ｃｓ≦０．５５
（３）２７≦Ｄｓ≦５０
（４）２．５≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦７０．０
(((４))) 前記単層型感光層は、前記樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、前記電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記単層型感光層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｔとし、前記単層型感光層の平均厚をＤｔ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、(((２)))に記載の電子写真感光体。
（１）５≦Ａ≦４０
（２）０．４０≦Ｃｔ≦０．６０
（３）２７≦Ｄｔ≦５０
（４）２．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４８．０

(((５))) 前記ポリエステル樹脂が下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂である、(((１)))～(((４)))のいずれか１つに記載の電子写真感光体。

式（Ａ）において、Ｘは有機基である。
式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

(((６))) 前記ジカルボン酸単位（Ａ）が下記の式（Ａ’）で表されるジカルボン酸単位（Ａ’）である、(((５)))に記載の電子写真感光体。

式（Ａ’）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。

(((７))) 前記ジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、(((５)))又は(((６)))に記載の電子写真感光体。

式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。

(((８))) 前記ジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、(((５)))～(((７)))のいずれか１つに記載の電子写真感光体。

式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水
素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

(((９))) ３．６≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦４６．０を満たす、(((３)))に記載の電子写真感光体。
(((１０))) ３．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４０．０を満たす、(((４)))に記載の電子写真感光体。
(((１１))) ３０≦Ｄｓ≦４８を満たす、(((３)))又は(((９)))に記載の電子写真感光体。
(((１２))) ３０≦Ｄｔ≦４８を満たす、(((４)))又は(((１０)))に記載の電子写真感光体。
(((１３))) ６≦Ａ≦３０を満たす、(((３)))～(((１２)))のいずれか１つに記載の電子写真感光体。

(((１４))) (((１)))～(((１３)))のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
(((１５))) (((１)))～(((１３)))のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

(((１)))、(((２)))、(((５)))、(((６)))、(((７)))、(((８)))、(((９)))、(((１１)))、又は(((１３)))に係る発明によれば、積層型感光層を備える電子写真感光体であって、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である電子写真感光体に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体が提供される。
(((３)))、(((４)))、(((５)))、(((６)))、(((７)))、(((８)))、(((１０)))、(((１２)))、又は(((１３)))に係る発明によれば、単層型感光層を備える電子写真感光体であって、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である電子写真感光体に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体が提供される。

(((１４)))に係る発明によれば、積層型感光層又は単層型感光層を備え、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００
ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である場合に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
(((１５)))に係る発明によれば、積層型感光層又は単層型感光層を備え、マルテンス硬さＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とインデンテーション硬さｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）とが（０）の関係式を満たすときの弾性変形率が４５％未満又は７０％超であるか、引張弾性率が２，３００ＭＰａ未満又は５，０００ＭＰａ超である場合に比べて、低摩耗性を維持しつつ、フィルミングを抑制しうる電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。

１ 導電性基体、２ 下引層、３ 電荷発生層、４ 電荷輸送層、５ 感光層、１０Ａ 感光体、１０Ｂ 感光体、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑剤、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ

Claims (15)

1. 導電性支持体と、前記導電性支持体上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する積層型感光層と、を備え、
   前記電荷輸送層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
   前記電荷輸送層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ、弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
   （０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
   前記電荷輸送層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である、電子写真感光体。
2. 導電性支持体と、前記導電性支持体上に配置された単層型感光層と、を備え、
   前記単層型感光層が、ポリエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を含み、
   前記単層型感光層に対して０．５μｍの深さまでの押し込み試験をした際の、マルテンス硬さをＨＭ（Ｎ／ｍｍ^２）とし、インデンテーション硬さをｎＩＴ（Ｎ／ｍｍ^２）としたとき、以下の（０）の関係式を満たし、かつ、弾性変形率が４５％以上７０％以下であり、
   （０）ｎＩＴ＝ａ×ＨＭ－ｂ（ａ＝２±０．２、ｂ＝１００±２０）
   前記単層型感光層の引張弾性率が２，３００ＭＰａ以上５，０００ＭＰａ以下である、電子写真感光体。
3. 前記電荷輸送層は、前記樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、前記電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記電荷輸送層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｓとし、前記電荷輸送層の平均厚をＤｓ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、請求項１に記載の電子写真感光体。
   （１）５≦Ａ≦４０
   （２）０．２８≦Ｃｓ≦０．５５
   （３）２７≦Ｄｓ≦５０
   （４）２．５≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦７０．０
4. 前記単層型感光層は、前記樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記樹脂の重量平均分子量ＭｗをＡ（万）とし、前記電荷輸送材料の質量Ｍ１と前記単層型感光層の質量Ｍ２との比Ｍ１／Ｍ２の値をＣｔとし、前記単層型感光層の平均厚をＤｔ（μｍ）としたとき、以下の（１）乃至（４）を満たす、請求項２に記載の電子写真感光体。
   （１）５≦Ａ≦４０
   （２）０．４０≦Ｃｔ≦０．６０
   （３）２７≦Ｄｔ≦５０
   （４）２．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４８．０
5. 前記ポリエステル樹脂が下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂である、請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
   
   式（Ａ）において、Ｘは有機基である。
   式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
6. 前記ジカルボン酸単位（Ａ）が下記の式（Ａ’）で表されるジカルボン酸単位（Ａ’）である、請求項５に記載の電子写真感光体。
   
   式（Ａ’）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。
7. 前記ジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項６に記載の電子写真感光体。
   
   式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
8. 前記ジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項５に記載の電子写真感光体。
   
   
   式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水
   素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
9. ３．６≦（Ａ×Ｄｓ）／（Ｃｓ×１００）≦４６．０を満たす、請求項３に記載の電子写真感光体。
10. ３．５≦（Ａ×Ｄｔ）／（Ｃｔ×１００）≦４０．０を満たす、請求項４に記載の電子写真感光体。
11. ３０≦Ｄｓ≦４８を満たす、請求項３又は請求項９に記載の電子写真感光体。
12. ３０≦Ｄｔ≦４８を満たす、請求項４又は請求項１０に記載の電子写真感光体。
13. ６≦Ａ≦３０を満たす、請求項３又は請求項４に記載の電子写真感光体。
14. 請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体を備え、
    画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
15. 請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
    前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
    帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
    前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
    を備える画像形成装置。