JP6558479B2 - ポリマー、および感光性樹脂組成物 - Google Patents
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本発明は、ポリマー、および感光性樹脂組成物に関する。
電子装置を構成する絶縁膜として、感光性樹脂組成物を露光して得られる樹脂膜が利用されることがある。このような感光性樹脂組成物に関する技術としては、たとえば特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、アルカリ可溶性樹脂と、１，２−キノンジアジド化合物と、２個以上のエポキシ基を含有する架橋性化合物と、を含むポジ型感光性樹脂組成物が記載されている。また、特許文献２には、不飽和カルボン酸の重合単位および特定の化合物の重合単位を含む共重合体、１，２−キノンジアジド化合物、ならびに潜在性酸発生剤、を含有する感放射線性樹脂組成物が記載されている。
層間絶縁膜形成用感光性樹脂組成物のベースポリマーとしては、特許文献２に記載されるように、たとえばアクリル系ポリマーが使用されている。これに対し、本発明者は、耐熱性、絶縁性、低吸水性等により優れた脂環式オレフィン系ポリマーをベースポリマーとして用いることを検討した。しかし、とくに厚膜で使用した場合や、高濃度の現像液を用いた現像の際に、脂環式炭化水素骨格に由来する剛直性や疎水性に起因すると思われる塗膜への歪によって、樹脂膜に形成されるパターンの下端にくぼみ（アンダーカット）が生じることが懸念される。このような状況下、層間絶縁膜等の硬化膜に要求される諸特性を満足すると共に、耐アンダーカット性に優れた感光性樹脂組成物の開発が強く望まれている。
本発明によれば、下記式（１ａ）により示される構造単位と、下記式（１ｂ）により示される構造単位と、後掲の式（３）により示される構造単位と、を主鎖中に含むポリマーが提供される。
上記式（１ａ）中、ｎは０、１または２である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがカルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を含む有機基である。上記式（１ｂ）中、ｍは０、１または２である。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがアルコキシシリル基である。
また、本発明によれば、永久膜を形成するために用いられる感光性樹脂組成物であって、
上述のポリマーを含む感光性樹脂組成物が提供される。
上述のポリマーを含む感光性樹脂組成物が提供される。
本発明によれば、パターニング工程におけるアンダーカットの発生を抑制できる。
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
本実施形態に係るポリマー（第１ポリマー）は、下記式（１ａ）により示される構造単位、および下記式（１ｂ）により示される構造単位を含んでいる。
上記式（１ａ）中、ｎは０、１または２である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがカルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を含む有機基である。上記式（１ｂ）中、ｍは０、１または２である。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがアルコキシシリル基である。
本発明者は、感光性樹脂膜に対するパターニング工程におけるアンダーカットの発生を抑制することができる、すなわち耐アンダーカット性に優れる感光性樹脂組成物を実現することが可能な、新たなポリマーを鋭意検討した。その結果、上記式（１ａ）により示される構造単位、および上記式（１ｂ）により示される構造単位を含む第１ポリマーを新規に開発するに至った。このような第１ポリマーを用いることにより、感光性樹脂膜と基板との密着性を向上させ、現像工程におけるアンダーカットの発生を抑制できる。したがって、本実施形態によれば、パターニング工程におけるアンダーカットの発生を抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、上述のように耐アンダーカット性を向上させつつ、層間絶縁膜等の永久膜に求められる諸特性を満たすことも可能である。このような諸特性としては、たとえば耐熱性、透明性、化学薬液耐性、および低誘電率等が挙げられる。さらには、現像性、解像性、耐クラック性の向上に寄与することも可能となる。
また、本実施形態によれば、上述のように耐アンダーカット性を向上させつつ、層間絶縁膜等の永久膜に求められる諸特性を満たすことも可能である。このような諸特性としては、たとえば耐熱性、透明性、化学薬液耐性、および低誘電率等が挙げられる。さらには、現像性、解像性、耐クラック性の向上に寄与することも可能となる。
以下、第１ポリマー、感光性樹脂組成物、および電子装置について詳細に説明する。
（第１ポリマー）
まず、第１ポリマーについて説明する。
本実施形態に係る第１ポリマーは、前述したとおり、下記式（１ａ）により示される構造単位、および下記式（１ｂ）により示される構造単位を有する共重合体により構成される。
まず、第１ポリマーについて説明する。
本実施形態に係る第１ポリマーは、前述したとおり、下記式（１ａ）により示される構造単位、および下記式（１ｂ）により示される構造単位を有する共重合体により構成される。
上記式（１ａ）中、ｎは０、１または２である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがカルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を含む有機基である。上記式（１ｂ）中、ｍは０、１または２である。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがアルコキシシリル基である。
本実施形態に係る第１ポリマーは、上述のように、カルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を含む有機基を有するノルボルネン由来の構造単位と、アルコキシシリル基を有するノルボルネン由来の構造単位と、を有している。本発明者は、第１ポリマーがこれらの構造単位をともに含む場合において、第１ポリマーを含む感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の耐アンダーカット性を向上させることができることを知見した。これは、感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の、感度や、硬化性、他の部材に対する密着性等の諸特性のバランスを向上させることができることに起因するものと想定される。したがって、本実施形態によれば、パターニング工程におけるアンダーカットの発生を抑制することが可能となる。
また、本実施形態に係る第１ポリマーによれば、耐アンダーカット性に加えて、薬液耐性やリワーク特性、透明性等の、永久膜を形成するために用いられる感光性樹脂組成物に求められる特性を良好なものとすることも可能となる。
また、本実施形態に係る第１ポリマーによれば、耐アンダーカット性に加えて、薬液耐性やリワーク特性、透明性等の、永久膜を形成するために用いられる感光性樹脂組成物に求められる特性を良好なものとすることも可能となる。
第１ポリマー中に、上記式（１ａ）により示される構造単位が複数存在する場合には、上記式（１ａ）により示される各構造単位の構造はそれぞれ独立して決定し得る。また、第１ポリマー中に、上記式（１ｂ）により示される構造単位が複数存在する場合には、上記式（１ｂ）により示される各構造単位の構造はそれぞれ独立して決定し得る。
なお、本実施形態において、第１ポリマー中における式（１ａ）により示される構造単位のモル比は、とくに限定されないが、第１ポリマー全体に対して１以上９０以下であることが好ましい。また、第１ポリマー中における式（１ｂ）により示される構造単位のモル比は、とくに限定されないが、第１ポリマー全体に対して１以上５０以下であることが好ましい。
なお、本実施形態において、第１ポリマー中における式（１ａ）により示される構造単位のモル比は、とくに限定されないが、第１ポリマー全体に対して１以上９０以下であることが好ましい。また、第１ポリマー中における式（１ｂ）により示される構造単位のモル比は、とくに限定されないが、第１ポリマー全体に対して１以上５０以下であることが好ましい。
上記式（１ａ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの少なくとも一つは、カルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を有する炭素数１〜１０の有機基である。本実施形態においては、リワーク特性、経時安定性、および耐溶剤性のバランスを効果的に向上させる観点からは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のいずれか一つがカルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を有する炭素数１〜１０の有機基であり、他が水素であることがとくに好ましい。
また、本実施形態においては、上記式（１ａ）により示される構造単位として、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも一つがカルボキシル基を含む有機基であるもの、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも一つがエポキシ環を含む有機基であるもの、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも一つがオキセタン環を含む有機基であるもの、から選択される二種以上を第１ポリマー中に含むことがとくに好ましい。これにより、リワーク特性、経時安定性、および耐溶剤性のバランスをより効果的に向上させることが可能となる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４を構成するカルボキシル基を有する炭素数１〜１０の有機基としては、たとえば以下の式（５）により示される有機基が挙げられる。
上記式（５）中、Ｚは単結合または炭素数１〜９の二価の有機基である。Ｚを構成する二価の有機基は、酸素、窒素およびケイ素のいずれか一種または二種以上を有していてもよい、直鎖状または分岐鎖状の二価の炭化水素基である。本実施形態においては、Ｚを、たとえば単結合または炭素数１〜９のアルキレン基とすることができる。なお、Ｚを構成する有機基のうちの一以上の水素原子が、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。上記式（５）により示される有機基としては、以下の式（６）により示すものが一例として挙げられる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４を構成するエポキシ環を有する炭素数１〜１０の有機基としては、たとえば以下の式（４）により示される有機基、および以下の式（７）により示される有機基が挙げられる。
式（４）中、Ｙ１は、炭素数４〜８の二価の有機基である。このような有機基を有する式（１ａ）により示される構造単位を含むことにより、第１ポリマーを含む感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の耐クラック性の向上を図ることが可能となる。Ｙ１を構成する二価の有機基は、酸素、窒素およびケイ素のいずれか一種または二種以上を有していてもよい直鎖状または分岐鎖状の二価の炭化水素基である。本実施形態においては、Ｙ１を、たとえば炭素数４〜８の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基とすることができる。耐クラック性を向上させる観点からは、Ｙ１として直鎖状のアルキレン基を採用することがより好ましい。Ｙ１を構成する有機基のうちの一以上の水素原子は、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。上記式（４）により示される有機基としては、以下の式（４ａ）により示すものが一例として挙げられる。
なお、本実施形態においては、第１ポリマーとして、たとえば上記式（１ａ）により示される構造単位を複数含み、かつ少なくとも一部の上記式（１ａ）により示される構造単位においてＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの少なくとも一つが上記式（４）により示される有機基であるものを採用することができる。
なお、本実施形態においては、第１ポリマーとして、たとえば上記式（１ａ）により示される構造単位を複数含み、かつ少なくとも一部の上記式（１ａ）により示される構造単位においてＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの少なくとも一つが上記式（４）により示される有機基であるものを採用することができる。
上記式（７）中、Ｙ２は単結合または炭素数１または２の二価の有機基である。Ｙ２を構成する二価の有機基は、酸素、窒素およびケイ素のいずれか一種または二種以上を有していてもよい、二価の炭化水素基である。本実施形態においては、Ｙ２を、たとえば炭素数１または２のアルキレン基とすることができる。Ｙ２を構成する有機基のうちの一以上の水素原子は、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。上記式（７）により示される有機基としては、以下の式（７ａ）により示すものが一例として挙げられる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４を構成するオキセタン環を有する炭素数１〜１０の有機基としては、たとえば以下の式（８）により示される有機基が挙げられる。
式（８）中、Ｘ１は単結合または炭素数１〜７の二価の有機基であり、Ｘ２は水素または炭素数１〜７のアルキル基である。Ｘ１を構成する二価の有機基は、酸素、窒素およびケイ素のいずれか一種または二種以上を有していてもよい、直鎖状または分岐鎖状の二価の炭化水素基である。この中でも、アミノ基（−ＮＲ−）、アミド結合（−ＮＨＣ（＝Ｏ）−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）またはエーテル結合（−Ｏ−）等の連結基を主鎖中に一以上有するものがより好ましく、エステル結合、カルボニル基またはエーテル結合を連結基として主鎖中に一以上有するものがとくに好ましい。なお、Ｘ１を構成する有機基のうちの一以上の水素原子が、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、Ｘ２を構成するアルキル基は、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、およびヘプチル基が挙げられる。なお、Ｘ２を構成するアルキル基に含まれる一以上の水素原子が、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。上記式（８）により示される有機基としては、下記式（８ａ）に示されるものや、下記式（８ｂ）により示されるものが例示して挙げられる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４を構成する炭素数１〜１０の有機基であってカルボキシル基、エポキシ環およびオキセタン環のいずれも有しないものとしては、たとえばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ならびにエポキシ基およびオキセタン基を除くヘテロ環基が挙げられる。アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられる。アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基、およびビニル基が挙げられる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。アルキリデン基としては、たとえばメチリデン基、およびエチリデン基が挙げられる。アリール基としては、たとえばフェニル基、およびナフチル基が挙げられる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられる。アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられる。なお、これらのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基は、一以上の水素原子が、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。
上記式（１ｂ）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８のうちの少なくとも一つは、アルコキシシリル基である。本実施形態においては、耐アンダーカット性をより効果的に向上させる観点からは、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８のいずれか一つがアルコキシシリル基であり、他が水素であることがとくに好ましい。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８を構成するアルコキシシリル基は、たとえばトリアルコキシシリル基であることがより好ましい。これにより、耐アンダーカット性をより効果的に向上させることができる。本実施形態においては、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８を構成するトリアルコキシシリル基として、たとえば以下の式（２）により示されるものを採用することができる。
上記式（２）中、Ｒ１０、Ｒ１１、およびＲ１２は、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基である。アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、およびヘキシル基が挙げられる。上記式（２）により示される有機基としては、以下の式（２ａ）により示すものが一例として挙げられる。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８を構成する炭素数１〜１０の有機基であってアルコキシシリル基でないものとしては、たとえばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ならびにエポキシ基およびオキセタン基を除くヘテロ環基が挙げられる。アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられる。アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基、およびビニル基が挙げられる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。アルキリデン基としては、たとえばメチリデン基、およびエチリデン基が挙げられる。アリール基としては、たとえばフェニル基、およびナフチル基が挙げられる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられる。アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられる。なお、これらのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基は、一以上の水素原子が、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。
第１ポリマーは、たとえば以下の式（３）により示される構造単位をさらに含むことができる。これにより、耐熱性、透明性、低誘電率、低複屈折、耐薬品性およびはっ水性等の永久膜としての樹脂膜に求められる諸特性のバランスを向上させることができる。一方で、第１ポリマーは、以下の式（３）により示される構造単位を含まなくともよい。
上記式（３）中、Ｒ９は、水素または炭素数１〜１２の有機基である。Ｒ９を構成する炭素数１〜１２の有機基としては、たとえばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、もしくはシクロアルキル基等の炭素数１〜１２の炭化水素基が挙げられる。アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられる。アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基、およびビニル基が挙げられる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。アルキリデン基としては、たとえばメチリデン基、およびエチリデン基が挙げられる。アリール基としては、たとえばフェニル基、およびナフチル基が挙げられる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられる。アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられる。なお、Ｒ９に含まれる一以上の水素原子が、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素等のハロゲン原子によって置換されていてもよい。
本実施形態においては、第１ポリマーとして、たとえばＲ９が水素である式（３）により示される構造単位と、Ｒ９が炭素数１〜１２の有機基である式（３）により示される構造単位と、を含むものを採用することができる。このような第１ポリマーは、たとえば以下のように下記式（１ａ）により示される構造単位、下記式（１ｂ）により示される構造単位、下記式（３ａ）により示される構造単位、および下記式（３ｂ）により示される構造単位を含むものである。下記式（３ｂ）におけるＲ９は、炭素数１〜１２の有機基として式（３）において例示したものである。
第１ポリマーは、たとえば以下の式（９）により示される構造単位をさらに含むことができる。これにより、第１ポリマーを含む感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の耐クラック性をより効果的に向上させることができる。一方で、第１ポリマーは、以下の式（９）により示される構造単位を含まなくともよい。
上記式（９）中、Ｒ１３およびＲ１４はそれぞれ独立して炭素数１〜１０のアルキル基である。アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられる。本実施形態においては、耐クラック性を向上させる観点から、Ｒ１３およびＲ１４がそれぞれ独立して炭素数３〜１０のアルキル基であることがとくに好ましい。
本実施形態において、上記式（９）により示される構造単位は、たとえばフマル酸ジエステルモノマー由来のものとすることができる。すなわち、主鎖に結合したカルボン酸エステルにより構成される構造単位を含む第１ポリマーを、無水マレイン酸を用いずに実現することが可能となる。このため、第１ポリマーを、無水マレイン酸由来の無水環を有する構造単位を含まないものとすることができる。これにより、感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜のリワーク特性や薬液耐性、透明性を、より効果的に向上させることができる。
なお、第１ポリマーは、本発明の効果を損なわない範囲において、上記式（１ａ）に示される構造単位、上記式（１ｂ）に示される構造単位、上記式（３）に示される構造単位、および上記式（９）に示される構造単位以外の他の構造単位を含んでいてもよい。
第１ポリマーは、低分子量成分として、たとえば下記式（１０）に示すモノマー、下記式（１１）に示すモノマー、下記式（１２）に示すモノマー、および下記式（１３）に示すモノマーのうちの一種または二種以上を含んでいてもよい。
第１ポリマーは、たとえば次のようにして合成することができる。
まず、上記式（１０）により示される化合物と、上記式（１１）により示される化合物と、を用意する。また、必要に応じて、上記式（１２）により示される化合物や、上記式（１３）により示される化合物、その他の化合物を一種または二種以上用意してもよい。なお、本実施形態においては、たとえば第１ポリマーを合成するためのモノマーとして、無水マレイン酸を使用しない合成方法を採用することができる。これにより、第１ポリマーを、無水マレイン酸由来の無水環を有する構造単位を含まないものとすることができる。
まず、上記式（１０）により示される化合物と、上記式（１１）により示される化合物と、を用意する。また、必要に応じて、上記式（１２）により示される化合物や、上記式（１３）により示される化合物、その他の化合物を一種または二種以上用意してもよい。なお、本実施形態においては、たとえば第１ポリマーを合成するためのモノマーとして、無水マレイン酸を使用しない合成方法を採用することができる。これにより、第１ポリマーを、無水マレイン酸由来の無水環を有する構造単位を含まないものとすることができる。
次いで、上記式（１０）により示される化合物と、上記式（１１）により示される化合物と、を付加重合し、これらの共重合体（共重合体１）を得る。ここでは、たとえばラジカル重合により付加重合が行われる。本実施形態においては、たとえば上記式（１０）により示される化合物と、上記式（１１）により示される化合物と、重合開始剤と、を溶媒に溶解した後、所定時間加熱することにより溶液重合を行うことができる。このとき、加熱温度は、たとえば５０℃〜８０℃とすることができる。また、加熱時間は、たとえば１時間〜２０時間とすることができる。なお、窒素バブリングにより溶媒中の溶存酸素を除去したうえで、溶液重合を行うことがより好ましい。
また、必要に応じて分子量調整剤や連鎖移動剤を使用する事ができる。連鎖移動剤としては、例えば、ドデシルメルカプタン、メルカプトエタノール、４，４−ビス（トリフルオロメチル）−４−ヒドロキシ−１−メルカプトブタン等のチオール化合物を挙げることができる。これらの連鎖移動剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、必要に応じて分子量調整剤や連鎖移動剤を使用する事ができる。連鎖移動剤としては、例えば、ドデシルメルカプタン、メルカプトエタノール、４，４−ビス（トリフルオロメチル）−４−ヒドロキシ−１−メルカプトブタン等のチオール化合物を挙げることができる。これらの連鎖移動剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
溶液重合において用いられる溶媒としては、たとえばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエンのうち一種または二種以上を使用することができる。また、重合開始剤としては、アゾ化合物および有機過酸化物のうちの一種または二種以上を使用できる。アゾ化合物としては、たとえばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ジメチル２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、１，１'−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル)（ＡＢＣＮ）が挙げられる。有機過酸化物としては、たとえば過酸化水素、ジターシャリブチルパーオキサイド（ＤＴＢＰ）、過酸化ベンゾイル（ベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ））、およびメチルエチルケトンパーオキサイド（ＭＥＫＰ）が挙げられる。
このようにして得られた共重合体１を含む反応液を、ヘキサンまたはメタノール中に添加してポリマーを析出させる。次いで、ポリマーを濾取し、ヘキサンまたはメタノール等により洗浄した後、これを乾燥させる。本実施形態においては、たとえばこのようにして第１ポリマーを合成することができる。
（感光性樹脂組成物）
感光性樹脂組成物は、永久膜を形成するために用いられる。
上記永久膜は、感光性樹脂組成物を硬化させることにより得られる樹脂膜により構成される。本実施形態においては、たとえば感光性樹脂組成物により構成される塗膜を露光および現像により所望の形状にパターニングした後、当該塗膜を熱処理等によって硬化させることにより永久膜が形成される。
感光性樹脂組成物は、永久膜を形成するために用いられる。
上記永久膜は、感光性樹脂組成物を硬化させることにより得られる樹脂膜により構成される。本実施形態においては、たとえば感光性樹脂組成物により構成される塗膜を露光および現像により所望の形状にパターニングした後、当該塗膜を熱処理等によって硬化させることにより永久膜が形成される。
感光性樹脂組成物を用いて形成される永久膜としては、たとえば層間膜、表面保護膜、またはダム材が挙げられる。また、当該永久膜は、たとえば光学レンズ等の光学材料としても用いることができる。なお、永久膜の用途は、これらに限定されるものではない。
層間膜は、多層構造中に設けられる絶縁膜を指し、その種類はとくに限定されない。層間膜としては、たとえば半導体素子の多層配線構造を構成する層間絶縁膜、回路基板を構成するビルドアップ層もしくはコア層等の半導体装置用途において用いられるものが挙げられる。また、層間膜としては、たとえば表示装置における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））を覆う平坦化膜、液晶配向膜、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置のカラーフィルタ基板上に設けられる突起、もしくは有機ＥＬ素子の陰極を形成するための隔壁等の表示装置用途において用いられるものも挙げられる。
表面保護膜は、電子部品や電子装置の表面に形成され、当該表面を保護するための絶縁膜を指し、その種類はとくに限定されない。このような表面保護膜としては、たとえば半導体素子上に設けられるパッシベーション膜、バンプ保護膜もしくはバッファーコート層、またはフレキシブル基板上に設けられるカバーコートが挙げられる。また、ダム材は、基板上に光学素子等を配置するための中空部分を形成するために用いられるスペーサである。
層間膜は、多層構造中に設けられる絶縁膜を指し、その種類はとくに限定されない。層間膜としては、たとえば半導体素子の多層配線構造を構成する層間絶縁膜、回路基板を構成するビルドアップ層もしくはコア層等の半導体装置用途において用いられるものが挙げられる。また、層間膜としては、たとえば表示装置における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））を覆う平坦化膜、液晶配向膜、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置のカラーフィルタ基板上に設けられる突起、もしくは有機ＥＬ素子の陰極を形成するための隔壁等の表示装置用途において用いられるものも挙げられる。
表面保護膜は、電子部品や電子装置の表面に形成され、当該表面を保護するための絶縁膜を指し、その種類はとくに限定されない。このような表面保護膜としては、たとえば半導体素子上に設けられるパッシベーション膜、バンプ保護膜もしくはバッファーコート層、またはフレキシブル基板上に設けられるカバーコートが挙げられる。また、ダム材は、基板上に光学素子等を配置するための中空部分を形成するために用いられるスペーサである。
感光性樹脂組成物は、第１ポリマーを含む。
第１ポリマーとしては、上記において例示したものを使用することができる。本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、上記において例示した第１ポリマーのうちの一種または二種以上を含むことが可能である。感光性樹脂組成物中における第１ポリマーの含有量は、とくに限定されないが、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して２０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。なお、感光性樹脂組成物の固形分とは、感光性樹脂組成物中に含まれる溶媒を除く成分を指す。以下、本明細書において同様である。
感光性樹脂組成物は、たとえば感光剤を含むことができる。
感光剤としては、たとえばジアゾキノン化合物を有することができる。感光剤として用いられるジアゾキノン化合物は、たとえば以下に例示するものを含む。
感光剤としては、たとえばジアゾキノン化合物を有することができる。感光剤として用いられるジアゾキノン化合物は、たとえば以下に例示するものを含む。
以上の各化合物において、Ｑは、以下に示す構造（ａ）、構造（ｂ）および構造（ｃ）のうちのいずれか、または水素原子である。ただし、各化合物に含まれるＱのうちの少なくとも一つは、構造（ａ）、構造（ｂ）および構造（ｃ）うちのいずれかである。感光性樹脂組成物の透明性および誘電率の観点からは、Ｑが構造（ａ）あるいは構造（ｂ）であるｏ−ナフトキノンジアジドスルホン酸誘導体がより好ましい。
感光性樹脂組成物中における感光剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。これにより、感光性樹脂組成物における、反応性と、リワーク特性や現像性と、のバランスを効果的に向上させることが可能となる。
感光性樹脂組成物は、たとえば光または熱により酸を発生する酸発生剤を含むことができる。光により酸を発生する光酸発生剤としては、たとえばトリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル[４−（フェニルチオ）フェニル]スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートなどのスルホニウム塩類、ｐ−ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３,４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス−（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのトリアジン類などの化合物を有することができる。本実施形態における感光性樹脂組成物は、上記において例示した光酸発生剤を一種または二種以上含むことも可能である。
熱により酸を発生させる酸発生剤（熱酸発生剤）としては、たとえばＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ（三新化学工業（株）製）等の芳香族スルホニウム塩を有することができる。本実施形態における感光性樹脂組成物は、上記において例示した熱酸発生剤を一種または二種以上含むことも可能である。なお、本実施形態においては、上記において例示した光酸発生剤と、これらの熱酸発生剤を併用することも可能である。
感光性樹脂組成物中における酸発生剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して０．１質量％以上１５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。これにより、感光性樹脂組成物における、反応性と、リワーク特性や現像性と、のバランスを効果的に向上させることが可能となる。
感光性樹脂組成物は、架橋剤を含んでいてもよい。これにより、硬化性の向上を図り、硬化膜の機械特性に寄与することができる。架橋剤は、たとえば反応性基としてヘテロ環を有する化合物を含むことが好ましく、なかでも、グリシジル基またはオキセタニル基を有する化合物を含むことが好ましい。これらのうち、カルボキシル基や水酸基等の活性水素を持つ官能基との反応性の観点からは、グリシジル基を有する化合物を含むことがより好ましい。
架橋剤として用いられるグリシジル基を有する化合物としては、エポキシ化合物があげられる。エポキシ化合物としては、たとえばｎ−ブチルグリシジルエーテル、２−エトキシヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ（又はＦ）のグリシジルエーテル、等のグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４−エポキシシクロヘキサン）カルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサン）カルボキシレート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、ジシクロペンタンジエンオキサイド、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテルや、（株）ダイセル製のセロキサイド２０２１、セロキサイド２０８１、セロキサイド２０８３、セロキサイド２０８５、セロキサイド８０００、エポリードＧＴ４０１などの脂環式エポキシ、２，２'−（（（（１−（４−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェニル）エタン−１，１−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（オキシ））ビス（メチレン））ビス（オキシラン）（たとえば、Ｔｅｃｈｍｏｒｅ ＶＧ３１０１Ｌ（（株）プリンテック製））、エポライト１００ＭＦ（共栄社化学工業（株）製）、エピオールＴＭＰ（日油（株）製）などの脂肪族ポリグリシジルエーテル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−（オキシラン−２−イル・メトキシ）プロピル）トリ・シロキサン（たとえば、ＤＭＳ−Ｅ０９（ゲレスト社製））等を用いることができる。
また、たとえばＬＸ−０１（ダイソー（株）製）、ｊＥＲ１００１、同１００２、同１００３、同１００４、同１００７、同１００９、同１０１０、同８２８（商品名；三菱化学（株）製）などのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ｊＥＲ８０７（商品名；三菱化学（株）製）などのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ｊＥＲ１５２、同１５４（商品名；三菱化学（株）製）、ＥＰＰＮ２０１、同２０２（商品名；日本化薬（株）製）などのフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ＥＯＣＮ１０２、同１０３Ｓ、同１０４Ｓ、１０２０、１０２５、１０２７（商品名；日本化薬（株）製）、ｊＥＲ１５７Ｓ７０（商品名；三菱化学（株）製）などのクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アラルダイトＣＹ１７９、同１８４（商品名；ハンツマンアドバンスドマテリアル社製）、ＥＲＬ−４２０６、４２２１、４２３４、４２９９（商品名；ダウケミカル社製）、エピクロン２００、同４００（商品名；ＤＩＣ（株）製）、ｊＥＲ８７１、同８７２（商品名；三菱化学（株）製）などの環状脂肪族エポキシ樹脂、Ｐｏｌｙ［（２−ｏｘｉｒａｎｙｌ）−１，２−ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｄｉｏｌ］２−ｅｔｈｙｌ−２−（ｈｙｄｒｏｘｙｍｅｔｈｙｌ）−１，３−ｐｒｏｐａｎｅｄｉｏｌ ｅｔｈｅｒ （３：１）等の多官能脂環式エポキシ樹脂、ＥＨＰＥ−３１５０（（株）ダイセル製）を使用することもできる。
なお、本実施形態における感光性樹脂組成物は、上記において例示したエポキシ化合物を一種または二種以上含むことが可能である。
なお、本実施形態における感光性樹脂組成物は、上記において例示したエポキシ化合物を一種または二種以上含むことが可能である。
架橋剤として用いられるオキセタニル基を有する化合物としては、たとえば１，４−ビス｛［（３−エチルー３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、ビス［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、４，４'−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル］ビフェニル、４，４'−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ビフェニル、エチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）ジフェノエート、トリメチロールプロパントリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ポリ［［３−［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］プロピル］シラセスキオキサン］誘導体、オキセタニルシリケート、フェノールノボラック型オキセタン、１，３−ビス［（３−エチルオキセタンー３−イル）メトキシ］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されない。これらは単独でも複数組み合わせて用いてもよい。
本実施形態において、感光性樹脂組成物中における架橋剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して１質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。一方で、感光性樹脂組成物中における架橋剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましい。架橋剤の含有量をこのような範囲に調整することにより、感光性樹脂組成物における、反応性と、経時安定性と、のバランスをより効果的に向上させることが可能となる。
感光性樹脂組成物は、密着助剤を含んでいてもよい。密着助剤は、とくに限定されないが、たとえばアミノシラン、エポキシシラン、アクリルシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン、ウレイドシラン、またはスルフィドシラン等のシランカップリング剤を含むことができる。これらは、一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を併用してもよい。これらの中でも、他の部材に対する密着性を効果的に向上させる観点からは、エポキシシランを用いることがより好ましい。
アミノシランとしては、たとえばビス（２―ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、γ―アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ―アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジエトキシシラン、およびＮ―フェニル−γ―アミノ−プロピルトリメトキシシランが挙げられる。エポキシシランとしては、たとえばγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ―グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、およびβ―（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランが挙げられる。アクリルシランとしては、たとえばγ―（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピル）メチルジメトキシシラン、およびγ―（メタクリロキシプロピル）メチルジエトキシシランが挙げられる。メルカプトシランとしては、たとえばγ―メルカプトプロピルトリメトキシシランが挙げられる。ビニルシランとしては、たとえばビニルトリス（βメトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、およびビニルトリメトキシシランが挙げられる。ウレイドシランとしては、たとえば３−ウレイドプロピルトリエトキシシランが挙げられる。スルフィドシランとしては、たとえばビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、およびビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィドが挙げられる。
アミノシランとしては、たとえばビス（２―ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、γ―アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ―アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジエトキシシラン、およびＮ―フェニル−γ―アミノ−プロピルトリメトキシシランが挙げられる。エポキシシランとしては、たとえばγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ―グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、およびβ―（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランが挙げられる。アクリルシランとしては、たとえばγ―（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピル）メチルジメトキシシラン、およびγ―（メタクリロキシプロピル）メチルジエトキシシランが挙げられる。メルカプトシランとしては、たとえばγ―メルカプトプロピルトリメトキシシランが挙げられる。ビニルシランとしては、たとえばビニルトリス（βメトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、およびビニルトリメトキシシランが挙げられる。ウレイドシランとしては、たとえば３−ウレイドプロピルトリエトキシシランが挙げられる。スルフィドシランとしては、たとえばビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、およびビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィドが挙げられる。
本実施形態において、感光性樹脂組成物中における密着助剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して０．１質量％以上であることが好ましく、０．５質量％以上であることがより好ましい。一方で、感光性樹脂組成物中における密着助剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して２０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましい。密着助剤の含有量をこのような範囲に調整することにより、感光性樹脂組成物を用いて形成される硬化膜の他の部材に対する密着性を、より効果的に向上させることができる。
感光性樹脂組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤は、たとえばフッ素基（たとえば、フッ素化アルキル基）もしくはシラノール基を含む化合物、またはシロキサン結合を主骨格とする化合物を含むものである。本実施形態においては、界面活性剤として、フッ素系界面活性剤またはシリコーン系界面活性剤を含むものを用いることがより好ましく、フッ素系界面活性剤を用いることがとくに好ましい。界面活性剤としては、たとえばＤＩＣ（株）製のメガファックＦ−５５４、Ｆ−５５６、およびＦ−５５７等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
本実施形態において、感光性樹脂組成物中における界面活性剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して０．１質量％以上であることが好ましく、０．２質量％以上であることがより好ましい。一方で、感光性樹脂組成物中における界面活性剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して３質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましい。界面活性剤の含有量をこのような範囲に調整することにより、感光性樹脂組成物の平坦性を効果的に向上させることができる。また、回転塗布の際に、塗布膜上に放射線状のストリエーションが発生することを防止することが可能となる。
なお、感光性樹脂組成物中には、必要に応じて酸化防止剤、フィラー、増感剤等の添加剤を添加してもよい。酸化防止剤は、たとえばフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤およびチオエーテル系酸化防止剤の群から選択される一種または二種以上を含むことができる。フィラーは、たとえばシリカ等の無機充填剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。増感剤は、たとえばアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類およびチオキサンテン−９−オン類の群から選択される一種または二種以上を含むことができる。
感光性樹脂組成物は、溶媒を含んでいてもよい。この場合、感光性樹脂組成物は、ワニス状となる。溶媒は、たとえばプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル、メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ）、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、メチルｎ−アミルケトン（ＭＡＫ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、およびベンジルアルコールのうちの一種または二種以上を含むことができる。なお、本実施形態において用いることのできる溶媒は、これらに限定されない。
本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、たとえばポジ型とすることができる。これにより、感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜をリソグラフィによってパターニングする際に、微細なパターン形成をさらに容易とすることができる。また、樹脂膜の低誘電率化に寄与することも可能である。また、後述するネガ型の感光性樹脂組成物と比較して、リソグラフィを行う際にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）処理が不要となることから、工程数の削減を図ることもできる。
感光性樹脂組成物がポジ型である場合、感光性樹脂組成物は、たとえば第１ポリマーと、感光剤と、を含む。また、ポジ型である感光性樹脂組成物は、たとえば第１ポリマーおよび感光剤とともに、酸発生剤を含むこともできる。これにより、感光性樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させることができる。なお、ポジ型の感光性樹脂組成物は、上記において例示した、第１ポリマー、感光剤および酸発生剤以外の各成分をさらに含むことが可能である。
感光性樹脂組成物がポジ型である場合、感光性樹脂組成物は、たとえば第１ポリマーと、感光剤と、を含む。また、ポジ型である感光性樹脂組成物は、たとえば第１ポリマーおよび感光剤とともに、酸発生剤を含むこともできる。これにより、感光性樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させることができる。なお、ポジ型の感光性樹脂組成物は、上記において例示した、第１ポリマー、感光剤および酸発生剤以外の各成分をさらに含むことが可能である。
ポジ型である感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜に対するパターニングは、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物の塗布膜をプリベークして得られる樹脂膜に対し、露光処理を行う。次いで、露光された樹脂膜に対し現像液を用いて現像処理を行った後、純水によりリンスを行う。これにより、パターンが形成された樹脂膜が得られることとなる。
本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、たとえばネガ型とすることができる。これにより、感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の透明性や薬液耐性をより効果的に向上させることができる。感光性樹脂組成物がネガ型である場合、感光性樹脂組成物は、たとえば第１ポリマーと、光酸発生剤と、を含む。一方で、ネガ型である感光性樹脂組成物は、感光剤を含まない。なお、ネガ型の感光性樹脂組成物は、上記において例示した、第１ポリマー、光酸発生剤および感光剤以外の各成分をさらに含むことが可能である。
ネガ型である感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜に対するパターニングは、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物の塗布膜をプリベークして得られる樹脂膜に対し、露光処理を行う。次いで、露光された樹脂膜に対しＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）処理を行う。これにより、第１ポリマーの架橋反応を促進させ、照射部の不溶化を進めることができる。なお、ＰＥＢの条件は、とくに限定されないが、たとえば１００〜１５０℃、１２０秒とすることができる。次いで、ＰＥＢ処理が行われた樹脂膜に対し現像液を用いて現像処理を行った後、純水によりリンスを行う。これにより、パターンが形成された樹脂膜が得られることとなる。
以上のような感光性樹脂組成物は、以下に記載する物性を有することが好ましい。これらの物性は、感光性樹脂組成物に含まれる各成分の種類や含有量を適切に調整することにより実現することが可能である。
（１）残膜率
感光性樹脂組成物は、たとえば現像後の残膜率が８０％以上であることが好ましい。また、感光性樹脂組成物は、たとえばポストベーク後の残膜率が７０％以上であることが好ましい。これにより、所望の形状を有するパターンを非常に精度良く実現することができる。現像後の残膜率とポストベーク後の残膜率の上限値は、とくに限定されないが、たとえば９９％とすることができる。
残膜率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートで加熱し、これにより得られる樹脂膜を薄膜Ａとする。次いで、露光装置を用いて５μｍのラインとスペースの幅が１：１となるように、最適露光量で露光する。感光性樹脂組成物がネガ型である場合には、露光後の薄膜Ａを１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、薄膜Ａを、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像して、薄膜Ｂを得る。次いで、薄膜Ｂに対し３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、これを薄膜Ｃとする。そして、測定された薄膜Ａと薄膜Ｂと薄膜Ｃの膜厚から、以下の式より残膜率を算出する。
現像後残膜率（％）＝〔薄膜Ｂの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
ベーク後残膜率（％）＝〔薄膜Ｃの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
感光性樹脂組成物は、たとえば現像後の残膜率が８０％以上であることが好ましい。また、感光性樹脂組成物は、たとえばポストベーク後の残膜率が７０％以上であることが好ましい。これにより、所望の形状を有するパターンを非常に精度良く実現することができる。現像後の残膜率とポストベーク後の残膜率の上限値は、とくに限定されないが、たとえば９９％とすることができる。
残膜率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートで加熱し、これにより得られる樹脂膜を薄膜Ａとする。次いで、露光装置を用いて５μｍのラインとスペースの幅が１：１となるように、最適露光量で露光する。感光性樹脂組成物がネガ型である場合には、露光後の薄膜Ａを１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、薄膜Ａを、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像して、薄膜Ｂを得る。次いで、薄膜Ｂに対し３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、これを薄膜Ｃとする。そして、測定された薄膜Ａと薄膜Ｂと薄膜Ｃの膜厚から、以下の式より残膜率を算出する。
現像後残膜率（％）＝〔薄膜Ｂの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
ベーク後残膜率（％）＝〔薄膜Ｃの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
（２）比誘電率
感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の比誘電率は、たとえば５．０以下であることが好ましい。なお、比誘電率の下限値は、とくに限定されないが、たとえば１とすることができる。
ポジ型感光性樹脂組成物において、比誘電率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、上記感光性樹脂組成物をアルミニウム基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして樹脂膜を得る。次いで、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、厚さ３μｍの膜とする。その後、この膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件でＬＣＲメータを用いて比誘電率を計測する。
ネガ型感光性樹脂組成物において、比誘電率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、上記感光性樹脂組成物をアルミニウム基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして、樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜を、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光する。次いで、露光後の上記樹脂膜を１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、厚さ３μｍの膜とする。その後、この膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件でＬＣＲメータを用いて比誘電率を計測する。
感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の比誘電率は、たとえば５．０以下であることが好ましい。なお、比誘電率の下限値は、とくに限定されないが、たとえば１とすることができる。
ポジ型感光性樹脂組成物において、比誘電率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、上記感光性樹脂組成物をアルミニウム基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして樹脂膜を得る。次いで、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、厚さ３μｍの膜とする。その後、この膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件でＬＣＲメータを用いて比誘電率を計測する。
ネガ型感光性樹脂組成物において、比誘電率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、上記感光性樹脂組成物をアルミニウム基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして、樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜を、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光する。次いで、露光後の上記樹脂膜を１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、厚さ３μｍの膜とする。その後、この膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件でＬＣＲメータを用いて比誘電率を計測する。
（３）透過率
感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の、光の波長４００ｎｍにおける透過率は、たとえば８０％以上であることが好ましい。なお、透過率の上限値は、とくに限定されないが、たとえば９９．９％とすることができる。
ポジ型感光性樹脂組成物において、透過率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒間浸した後、純水でリンスする。次いで、上記樹脂膜に対して、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行う。そして、この樹脂膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とする。
ネガ型感光性樹脂組成物において、透過率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜に対して、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光する。次いで、露光後の上記樹脂膜を１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒間浸した後、純水でリンスする。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行う。そして、この樹脂膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とする。
感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の、光の波長４００ｎｍにおける透過率は、たとえば８０％以上であることが好ましい。なお、透過率の上限値は、とくに限定されないが、たとえば９９．９％とすることができる。
ポジ型感光性樹脂組成物において、透過率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒間浸した後、純水でリンスする。次いで、上記樹脂膜に対して、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行う。そして、この樹脂膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とする。
ネガ型感光性樹脂組成物において、透過率の測定は、たとえば次のようにして行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜に対して、３００ｍＪ／ｃｍ２でｇ＋ｈ＋ｉ線によって全面露光する。次いで、露光後の上記樹脂膜を１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒間浸した後、純水でリンスする。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行う。そして、この樹脂膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とする。
（４）膨潤率、リカバー率
感光性樹脂組成物の膨潤率は、たとえば２０％以下であることが好ましい。また、感光性樹脂組成物のリカバー率は、たとえば９５％以上１０５％以下であることが好ましい。これにより、優れた薬液耐性を有する感光性樹脂組成物が実現される。なお、膨潤率の下限値は、とくに限定されないが、たとえば０％とすることができる。
ポジ型感光性樹脂組成物において、膨潤率およびリカバー率の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒浸した後、純水でリンスする。次いで、上記樹脂膜に対し、ｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように全面露光する。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行う。次いで、これにより得られる硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測する。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスする。このとき、上記硬化膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出する。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測する。そして、下記式からリカバー率を算出する。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
ネガ型感光性樹脂組成物において、膨潤率およびリカバー率の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜に対し、ｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように全面露光する。次いで、露光後の上記樹脂膜を１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてさらにベークする。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒浸した後、純水でリンスする。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行う。次いで、これにより得られる硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測する。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスする。このとき、上記硬化膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出する。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測する。そして、下記式からリカバー率を算出する。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
感光性樹脂組成物の膨潤率は、たとえば２０％以下であることが好ましい。また、感光性樹脂組成物のリカバー率は、たとえば９５％以上１０５％以下であることが好ましい。これにより、優れた薬液耐性を有する感光性樹脂組成物が実現される。なお、膨潤率の下限値は、とくに限定されないが、たとえば０％とすることができる。
ポジ型感光性樹脂組成物において、膨潤率およびリカバー率の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒浸した後、純水でリンスする。次いで、上記樹脂膜に対し、ｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように全面露光する。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行う。次いで、これにより得られる硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測する。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスする。このとき、上記硬化膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出する。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測する。そして、下記式からリカバー率を算出する。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
ネガ型感光性樹脂組成物において、膨潤率およびリカバー率の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより樹脂膜を得る。次いで、上記樹脂膜に対し、ｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように全面露光する。次いで、露光後の上記樹脂膜を１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてさらにベークする。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒浸した後、純水でリンスする。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行う。次いで、これにより得られる硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測する。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスする。このとき、上記硬化膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出する。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測する。そして、下記式からリカバー率を算出する。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
（５）感度
感光性樹脂組成物の感度は、たとえば２００ｍＪ／ｃｍ２以上６００ｍＪ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。これにより、優れたリソグラフィ性能を有する感光性樹脂組成物を実現することができる。
ポジ型の感光性樹脂組成物について、感度の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして、約３．５μｍ厚の薄膜を得る。この薄膜に対し、露光装置を用いて５μｍのホールパターンのマスクを使用して露光する。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することで形成されるレジストパターンをＳＥＭ観察し、５μｍ角のホールパターンが得られるときの露光量を感度とする。
また、ネガ型感光性樹脂組成物において、感度の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、得られた感光性樹脂組成物をガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得る。この薄膜Ａに対し、露光装置を用いて２０ｍＪ／ｃｍ２ずつ露光量を変動させて露光を行う。露光装置としては、たとえばキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いることができる。次いで、露光後の薄膜Ａを１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像し、純水リンスを施して、薄膜Ｂを得る。そして、薄膜Ｂ／薄膜Ａ×１００＝９５％となる露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ２）とする。
感光性樹脂組成物の感度は、たとえば２００ｍＪ／ｃｍ２以上６００ｍＪ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。これにより、優れたリソグラフィ性能を有する感光性樹脂組成物を実現することができる。
ポジ型の感光性樹脂組成物について、感度の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして、約３．５μｍ厚の薄膜を得る。この薄膜に対し、露光装置を用いて５μｍのホールパターンのマスクを使用して露光する。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することで形成されるレジストパターンをＳＥＭ観察し、５μｍ角のホールパターンが得られるときの露光量を感度とする。
また、ネガ型感光性樹脂組成物において、感度の測定は、たとえば次のように行うことができる。まず、得られた感光性樹脂組成物をガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークして、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得る。この薄膜Ａに対し、露光装置を用いて２０ｍＪ／ｃｍ２ずつ露光量を変動させて露光を行う。露光装置としては、たとえばキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いることができる。次いで、露光後の薄膜Ａを１００〜１５０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像し、純水リンスを施して、薄膜Ｂを得る。そして、薄膜Ｂ／薄膜Ａ×１００＝９５％となる露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ２）とする。
（電子装置）
次に、本実施形態に係る電子装置１００について説明する。
電子装置１００は、たとえば上述の感光性樹脂組成物により形成される永久膜である絶縁膜２０を備える。本実施形態に係る電子装置１００は、感光性樹脂組成物により形成される絶縁膜を備えるものであればとくに限定されないが、たとえば絶縁膜２０を平坦化膜やマイクロレンズとして有する表示装置や、絶縁膜２０を層間絶縁膜として用いた多層配線構造を備える半導体装置等が挙げられる。
次に、本実施形態に係る電子装置１００について説明する。
電子装置１００は、たとえば上述の感光性樹脂組成物により形成される永久膜である絶縁膜２０を備える。本実施形態に係る電子装置１００は、感光性樹脂組成物により形成される絶縁膜を備えるものであればとくに限定されないが、たとえば絶縁膜２０を平坦化膜やマイクロレンズとして有する表示装置や、絶縁膜２０を層間絶縁膜として用いた多層配線構造を備える半導体装置等が挙げられる。
図１は、電子装置１００の一例を示す断面図である。
図１においては、電子装置１００が液晶表示装置であり、絶縁膜２０が平坦化膜として用いられる場合が例示されている。図１に示す電子装置１００は、たとえば基板１０と、基板１０上に設けられたトランジスタ３０と、トランジスタ３０を覆うように基板１０上に設けられた絶縁膜２０と、絶縁膜２０上に設けられた配線４０と、を備えている。
図１においては、電子装置１００が液晶表示装置であり、絶縁膜２０が平坦化膜として用いられる場合が例示されている。図１に示す電子装置１００は、たとえば基板１０と、基板１０上に設けられたトランジスタ３０と、トランジスタ３０を覆うように基板１０上に設けられた絶縁膜２０と、絶縁膜２０上に設けられた配線４０と、を備えている。
基板１０は、たとえばガラス基板である。トランジスタ３０は、たとえば液晶表示装置のスイッチング素子を構成する薄膜トランジスタである。基板１０上には、たとえば複数のトランジスタ３０がアレイ状に配列されている。図１に示すトランジスタ３０は、たとえばゲート電極３１と、ソース電極３２と、ドレイン電極３３と、ゲート絶縁膜３４と、半導体層３５と、により構成される。ゲート電極３１は、たとえば基板１０上に設けられている。ゲート絶縁膜３４は、ゲート電極３１を覆うように基板１０上に設けられる。半導体層３５は、ゲート絶縁膜３４上に設けられている。また、半導体層３５は、たとえばシリコン層である。ソース電極３２は、一部が半導体層３５と接触するよう基板１０上に設けられる。ドレイン電極３３は、ソース電極３２と離間し、かつ一部が半導体層３５と接触するよう基板１０上に設けられる。
絶縁膜２０は、トランジスタ３０等に起因する段差をなくし、基板１０上に平坦な表面を形成するための平坦化膜として機能する。また、絶縁膜２０は、上述の感光性樹脂組成物の硬化物により構成される。絶縁膜２０には、ドレイン電極３３に接続するよう絶縁膜２０を貫通する開口２２が設けられている。
絶縁膜２０上および開口２２内には、ドレイン電極３３と接続する配線４０が形成されている。配線４０は、液晶とともに画素を構成する画素電極として機能する。
また、絶縁膜２０上には、配線４０を覆うように配向膜９０が設けられている。
絶縁膜２０上および開口２２内には、ドレイン電極３３と接続する配線４０が形成されている。配線４０は、液晶とともに画素を構成する画素電極として機能する。
また、絶縁膜２０上には、配線４０を覆うように配向膜９０が設けられている。
基板１０のうちトランジスタ３０が設けられている一面の上方には、基板１０と対向するよう対向基板１２が配置される。対向基板１２のうち基板１０と対向する一面には、配線４２が設けられている。配線４２は、配線４０と対向する位置に設けられる。また、対向基板１２の上記一面上には、配線４２を覆うように配向膜９２が設けられている。
基板１０と当該対向基板１２との間には、液晶層１４を構成する液晶が充填される。
基板１０と当該対向基板１２との間には、液晶層１４を構成する液晶が充填される。
図１に示す電子装置１００は、たとえば次のように形成することができる。
まず、基板１０上にトランジスタ３０を形成する。次いで、基板１０のうちトランジスタ３０が設けられた一面上に、印刷法あるいはスピンコート法により上記感光性樹脂組成物を塗布し、トランジスタ３０を覆う絶縁膜２０を形成する。次いで、絶縁膜２０に対して紫外線等を露光し、現像して、絶縁膜２０をパターニングする。これにより、絶縁膜２０の一部に開口２２を形成する。次いで、絶縁膜２０を加熱硬化させる。これにより、基板１０上に、平坦化膜である絶縁膜２０が形成されることとなる。
次いで、絶縁膜２０の開口２２内に、ドレイン電極３３に接続された配線４０を形成する。その後、絶縁膜２０上に対向基板１２を配置し、対向基板１２と絶縁膜２０との間に液晶を充填し、液晶層１４を形成する。
これにより、図１に示す電子装置１００が形成されることとなる。
まず、基板１０上にトランジスタ３０を形成する。次いで、基板１０のうちトランジスタ３０が設けられた一面上に、印刷法あるいはスピンコート法により上記感光性樹脂組成物を塗布し、トランジスタ３０を覆う絶縁膜２０を形成する。次いで、絶縁膜２０に対して紫外線等を露光し、現像して、絶縁膜２０をパターニングする。これにより、絶縁膜２０の一部に開口２２を形成する。次いで、絶縁膜２０を加熱硬化させる。これにより、基板１０上に、平坦化膜である絶縁膜２０が形成されることとなる。
次いで、絶縁膜２０の開口２２内に、ドレイン電極３３に接続された配線４０を形成する。その後、絶縁膜２０上に対向基板１２を配置し、対向基板１２と絶縁膜２０との間に液晶を充填し、液晶層１４を形成する。
これにより、図１に示す電子装置１００が形成されることとなる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
本発明の参考形態を以下に付記する。
１．
前述の式（１ａ）により示される構造単位、および前述の式（１ｂ）により示される構造単位を含むポリマー。
（式（１ａ）中、ｎは０、１または２である。Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ およびＲ ４ はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがカルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を含む有機基である。式（１ｂ）中、ｍは０、１または２である。Ｒ ５ 、Ｒ ６ 、Ｒ ７ およびＲ ８ はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがアルコキシシリル基である。）
２．
１．に記載のポリマーにおいて、
前記アルコキシシリル基は、前述の式（２）により示されるポリマー。
（式（２）中、Ｒ １０ 、Ｒ １１ およびＲ １２ はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基である。）
３．
１．または２．に記載のポリマーにおいて、
前述の式（３）により示される構造単位をさらに含むポリマー。
（式（３）中、Ｒ ９ は、水素または炭素数１〜１２の有機基である。）
４．
１．〜３いずれか一つに記載のポリマーにおいて、
前述の式（１ａ）により示される構造単位の少なくとも一部は、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ およびＲ ４ のうちの少なくとも一つが前述の式（４）により示される有機基であるポリマー。
（式（４）中、Ｙ １ は、炭素数４〜１０の二価の有機基である。）
５．
永久膜を形成するために用いられる感光性樹脂組成物であって、
１．〜４いずれか一つに記載のポリマーを含む感光性樹脂組成物。
６．
５．に記載の感光性樹脂組成物であって、
ポジ型である感光性樹脂組成物。
７．
５．に記載の感光性樹脂組成物であって、
ネガ型である感光性樹脂組成物。
本発明の参考形態を以下に付記する。
１．
前述の式（１ａ）により示される構造単位、および前述の式（１ｂ）により示される構造単位を含むポリマー。
（式（１ａ）中、ｎは０、１または２である。Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ およびＲ ４ はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがカルボキシル基、エポキシ環、またはオキセタン環を含む有機基である。式（１ｂ）中、ｍは０、１または２である。Ｒ ５ 、Ｒ ６ 、Ｒ ７ およびＲ ８ はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがアルコキシシリル基である。）
２．
１．に記載のポリマーにおいて、
前記アルコキシシリル基は、前述の式（２）により示されるポリマー。
（式（２）中、Ｒ １０ 、Ｒ １１ およびＲ １２ はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基である。）
３．
１．または２．に記載のポリマーにおいて、
前述の式（３）により示される構造単位をさらに含むポリマー。
（式（３）中、Ｒ ９ は、水素または炭素数１〜１２の有機基である。）
４．
１．〜３いずれか一つに記載のポリマーにおいて、
前述の式（１ａ）により示される構造単位の少なくとも一部は、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ およびＲ ４ のうちの少なくとも一つが前述の式（４）により示される有機基であるポリマー。
（式（４）中、Ｙ １ は、炭素数４〜１０の二価の有機基である。）
５．
永久膜を形成するために用いられる感光性樹脂組成物であって、
１．〜４いずれか一つに記載のポリマーを含む感光性樹脂組成物。
６．
５．に記載の感光性樹脂組成物であって、
ポジ型である感光性樹脂組成物。
７．
５．に記載の感光性樹脂組成物であって、
ネガ型である感光性樹脂組成物。
次に、本発明の実施例について説明する。
（ポリマーの合成）
（合成例１）
撹拌機及び冷却管を備えた反応容器内に、トリエトキシシリルノルボルネン（３．８４ｇ、１５ｍｍｏｌ）、マレイミド（２．４３ｇ、２５ｍｍｏｌ）、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド（４．４８ｇ、２５ｍｍｏｌ）、ノルボルネンカルボン酸（３．２５ｇ、２５ｍｍｏｌ）、メチルグリシジルエーテルノルボルネン（０．９ｇ、５ｍｍｏｌ）、ジブチルフマル酸（１．１４ｇ、５ｍｍｏｌ）を計量した。さらに、Ｖ−６０１（０．９２ｇ、４．０ｍｍｏｌ）を溶解させたプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９．１ｇを反応容器に加え、撹拌・溶解させた。次いで、窒素バブリングにより系内の溶存酸素を除去したのち、窒素雰囲気下にて７０℃に保持し、５時間反応させた。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、ＭＥＫ３０ｇを添加し希釈した。希釈後の溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを析出させた。次いで、ポリマーを濾取しヘキサンにてさらに洗浄した後、３０℃、１６時間真空乾燥させた。ポリマーの収得量は１３．２ｇ、収率は８２％であった。また、ポリマーは、重量平均分子量Ｍｗが１１，４３０であり、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が２．３４であった。
得られたポリマーは、下記式（１４）により示される構造を有していた。
（合成例１）
撹拌機及び冷却管を備えた反応容器内に、トリエトキシシリルノルボルネン（３．８４ｇ、１５ｍｍｏｌ）、マレイミド（２．４３ｇ、２５ｍｍｏｌ）、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド（４．４８ｇ、２５ｍｍｏｌ）、ノルボルネンカルボン酸（３．２５ｇ、２５ｍｍｏｌ）、メチルグリシジルエーテルノルボルネン（０．９ｇ、５ｍｍｏｌ）、ジブチルフマル酸（１．１４ｇ、５ｍｍｏｌ）を計量した。さらに、Ｖ−６０１（０．９２ｇ、４．０ｍｍｏｌ）を溶解させたプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９．１ｇを反応容器に加え、撹拌・溶解させた。次いで、窒素バブリングにより系内の溶存酸素を除去したのち、窒素雰囲気下にて７０℃に保持し、５時間反応させた。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、ＭＥＫ３０ｇを添加し希釈した。希釈後の溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを析出させた。次いで、ポリマーを濾取しヘキサンにてさらに洗浄した後、３０℃、１６時間真空乾燥させた。ポリマーの収得量は１３．２ｇ、収率は８２％であった。また、ポリマーは、重量平均分子量Ｍｗが１１，４３０であり、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が２．３４であった。
得られたポリマーは、下記式（１４）により示される構造を有していた。
得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）、および数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ測定により得られる標準ポリスチレン（ＰＳ）の検量線から求めた、ポリスチレン換算値を用いた。測定条件は、以下の通りである。
東ソー（株）社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ
カラム：東ソー（株）社製ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ−Ｍ
検出器：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器
測定温度：４０℃
溶媒：ＴＨＦ
試料濃度：２．０ｍｇ／ミリリットル
なお、重量平均分子量（Ｍｗ）、および数平均分子量（Ｍｎ）の測定条件は、後述する合成例２〜４において同様である。
東ソー（株）社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ
カラム：東ソー（株）社製ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ−Ｍ
検出器：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器
測定温度：４０℃
溶媒：ＴＨＦ
試料濃度：２．０ｍｇ／ミリリットル
なお、重量平均分子量（Ｍｗ）、および数平均分子量（Ｍｎ）の測定条件は、後述する合成例２〜４において同様である。
（合成例２）
撹拌機及び冷却管を備えた反応容器内に、トリエトキシシリルノルボルネン（３．２０ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）、マレイミド（２．４３ｇ、２５ｍｍｏｌ）、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド（４．４８ｇ、２５ｍｍｏｌ）、ノルボルネンカルボン酸（３．５８ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）、エポキシオクチルノルボルネン（１．１０ｇ、５ｍｍｏｌ）、ジブチルフマル酸（１．１４ｇ、５ｍｍｏｌ）を計量した。さらに、Ｖ−６０１（０．９２ｇ、４．０ｍｍｏｌ）を溶解させたプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８．９ｇを反応容器に加え、撹拌・溶解させた。次いで、窒素バブリングにより系内の溶存酸素を除去したのち、窒素雰囲気下にて７０℃に保持し、５時間反応させた。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、ＭＥＫ３０ｇを添加し希釈した。希釈後の溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを析出させた。次いで、ポリマーを濾取しヘキサンにてさらに洗浄した後、３０℃、１６時間真空乾燥させた。ポリマーの収得量は１３．２ｇ、収率は８３％であった。また、ポリマーは、重量平均分子量Ｍｗが１２，１００であり、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が２．４０であった。
得られたポリマーは、下記式（１５）により示される構造を有していた。
撹拌機及び冷却管を備えた反応容器内に、トリエトキシシリルノルボルネン（３．２０ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）、マレイミド（２．４３ｇ、２５ｍｍｏｌ）、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド（４．４８ｇ、２５ｍｍｏｌ）、ノルボルネンカルボン酸（３．５８ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）、エポキシオクチルノルボルネン（１．１０ｇ、５ｍｍｏｌ）、ジブチルフマル酸（１．１４ｇ、５ｍｍｏｌ）を計量した。さらに、Ｖ−６０１（０．９２ｇ、４．０ｍｍｏｌ）を溶解させたプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８．９ｇを反応容器に加え、撹拌・溶解させた。次いで、窒素バブリングにより系内の溶存酸素を除去したのち、窒素雰囲気下にて７０℃に保持し、５時間反応させた。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、ＭＥＫ３０ｇを添加し希釈した。希釈後の溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを析出させた。次いで、ポリマーを濾取しヘキサンにてさらに洗浄した後、３０℃、１６時間真空乾燥させた。ポリマーの収得量は１３．２ｇ、収率は８３％であった。また、ポリマーは、重量平均分子量Ｍｗが１２，１００であり、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が２．４０であった。
得られたポリマーは、下記式（１５）により示される構造を有していた。
（合成例３）
撹拌機及び冷却管を備えた反応容器内に、トリエトキシシリルノルボルネン（３．８４ｇ、１５ｍｍｏｌ）、マレイミド（２．６７ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド（４．０３ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ノルボルネンカルボン酸（０．６５ｇ、５ｍｍｏｌ）、メチルグリシジルエーテルノルボルネン（４．５０ｇ、２５ｍｍｏｌ）、ジブチルフマル酸（１．１４ｇ、５ｍｍｏｌ）を計量した。さらに、Ｖ−６０１（０．９２ｇ、４．０ｍｍｏｌ）を溶解させたプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９．１ｇを反応容器に加え、撹拌・溶解させた。次いで、窒素バブリングにより系内の溶存酸素を除去したのち、窒素雰囲気下にて７０℃に保持し、５時間反応させた。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、ＭＥＫ３０ｇを添加し希釈した。希釈後の溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを析出させた。次いで、ポリマーを濾取しヘキサンにてさらに洗浄した後、３０℃、１６時間真空乾燥させた。ポリマーの収得量は１３．２ｇ、収率は８２％であった。また、ポリマーは、重量平均分子量Ｍｗが９，４５０であり、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が２．３８であった。
得られたポリマーは、上記式（１４）により示される構造を有していた。
撹拌機及び冷却管を備えた反応容器内に、トリエトキシシリルノルボルネン（３．８４ｇ、１５ｍｍｏｌ）、マレイミド（２．６７ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド（４．０３ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ノルボルネンカルボン酸（０．６５ｇ、５ｍｍｏｌ）、メチルグリシジルエーテルノルボルネン（４．５０ｇ、２５ｍｍｏｌ）、ジブチルフマル酸（１．１４ｇ、５ｍｍｏｌ）を計量した。さらに、Ｖ−６０１（０．９２ｇ、４．０ｍｍｏｌ）を溶解させたプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９．１ｇを反応容器に加え、撹拌・溶解させた。次いで、窒素バブリングにより系内の溶存酸素を除去したのち、窒素雰囲気下にて７０℃に保持し、５時間反応させた。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、ＭＥＫ３０ｇを添加し希釈した。希釈後の溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを析出させた。次いで、ポリマーを濾取しヘキサンにてさらに洗浄した後、３０℃、１６時間真空乾燥させた。ポリマーの収得量は１３．２ｇ、収率は８２％であった。また、ポリマーは、重量平均分子量Ｍｗが９，４５０であり、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が２．３８であった。
得られたポリマーは、上記式（１４）により示される構造を有していた。
（合成例４）
メチルグリシジルエーテルノルボルネン（０．６６ｇ、３ｍｍｏｌ）、ヘキサフルオロメチルアルコールノルボルネン（７．４０ｇ、２７ｍｍｏｌ）、トルエン（１８ｇ）を、攪拌装置を備えた反応容器に仕込み、乾燥窒素ガスで内部を置換した。内容物を加熱し内温が６０℃に到達したところで（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ６Ｆ５）２（０．２９ｇ、０．６０ｍｍｏｌ）を１０ｇのトルエンに溶解させた溶液を添加した。次いで、６０℃で５時間反応させた後、室温まで冷却した。反応後の溶液にＴＨＦを３０ｇ添加し、更に酢酸（６ｇ）及び３０％過酸化水素水（８．０ｇ）を添加し、室温で５時間撹拌した。その後、イオン交換水による水洗作業を３回実施した。有機層をエバポレーターで濃縮した後、３００ｇのヘキサンで再沈殿し、白色固体を得た。得られた固体を３０℃の真空乾燥機で一晩乾燥し、６．０ｇの白色粉末が得られた。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝２３，５００、Ｍｎ＝１３，７００であった。
得られたポリマーは、下記式（２６）により示される構造を有していた。
メチルグリシジルエーテルノルボルネン（０．６６ｇ、３ｍｍｏｌ）、ヘキサフルオロメチルアルコールノルボルネン（７．４０ｇ、２７ｍｍｏｌ）、トルエン（１８ｇ）を、攪拌装置を備えた反応容器に仕込み、乾燥窒素ガスで内部を置換した。内容物を加熱し内温が６０℃に到達したところで（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ６Ｆ５）２（０．２９ｇ、０．６０ｍｍｏｌ）を１０ｇのトルエンに溶解させた溶液を添加した。次いで、６０℃で５時間反応させた後、室温まで冷却した。反応後の溶液にＴＨＦを３０ｇ添加し、更に酢酸（６ｇ）及び３０％過酸化水素水（８．０ｇ）を添加し、室温で５時間撹拌した。その後、イオン交換水による水洗作業を３回実施した。有機層をエバポレーターで濃縮した後、３００ｇのヘキサンで再沈殿し、白色固体を得た。得られた固体を３０℃の真空乾燥機で一晩乾燥し、６．０ｇの白色粉末が得られた。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝２３，５００、Ｍｎ＝１３，７００であった。
得られたポリマーは、下記式（２６）により示される構造を有していた。
（感光性樹脂組成物の調整）
（実施例１）
合成例１により合成されたポリマー１０．０ｇ、４，４'−（１−｛４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン）ビスフェノールと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を２．２ｇ、ε-カプロラクトン変性３，４'−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを３．０ｇ（株式会社ダイセル製セロキサイド２０８１）、ジフェニル[４−（フェニルチオ）フェニル]スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．２ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を１．０ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル：ベンジルアルコール＝５０：４２．５：７．５の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
（実施例１）
合成例１により合成されたポリマー１０．０ｇ、４，４'−（１−｛４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン）ビスフェノールと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を２．２ｇ、ε-カプロラクトン変性３，４'−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを３．０ｇ（株式会社ダイセル製セロキサイド２０８１）、ジフェニル[４−（フェニルチオ）フェニル]スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．２ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を１．０ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル：ベンジルアルコール＝５０：４２．５：７．５の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
（実施例２）
合成例２により合成されたポリマー１０．０ｇ、４，４'−（１−｛４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン）ビスフェノールと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を２．０ｇ、ε-カプロラクトン変性３，４'−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを２．０ｇ（株式会社ダイセル製セロキサイド２０８１）、ジフェニル[４−（フェニルチオ）フェニル]スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．５ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を０．５ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル＝５０：５０の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
合成例２により合成されたポリマー１０．０ｇ、４，４'−（１−｛４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン）ビスフェノールと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を２．０ｇ、ε-カプロラクトン変性３，４'−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを２．０ｇ（株式会社ダイセル製セロキサイド２０８１）、ジフェニル[４−（フェニルチオ）フェニル]スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．５ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を０．５ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル＝５０：５０の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
（実施例３）
合成例３により合成されたポリマー１０．０ｇ、４，４'−（１−｛４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン）ビスフェノールと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を２．２ｇ、ε-カプロラクトン変性３，４'−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを３．０ｇ（株式会社ダイセル製セロキサイド２０８１）、ジフェニル[４−（フェニルチオ）フェニル]スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．２ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を１．０ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル＝５０：５０の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
合成例３により合成されたポリマー１０．０ｇ、４，４'−（１−｛４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン）ビスフェノールと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を２．２ｇ、ε-カプロラクトン変性３，４'−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを３．０ｇ（株式会社ダイセル製セロキサイド２０８１）、ジフェニル[４−（フェニルチオ）フェニル]スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．２ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を１．０ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル＝５０：５０の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
（実施例４）
セロキサイド２０８１をダイセル（株）製ＬＸ−０１に変更した以外は、実施例３と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を調製した。なお、各成分の配合量は表１に示すとおりである。
セロキサイド２０８１をダイセル（株）製ＬＸ−０１に変更した以外は、実施例３と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を調製した。なお、各成分の配合量は表１に示すとおりである。
（実施例５）
セロキサイド２０８１をダイセル（株）製ＥＨＰＥ−３１５０に変更した以外は、実施例３と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を調製した。なお、各成分の配合量は表１に示すとおりである。
セロキサイド２０８１をダイセル（株）製ＥＨＰＥ−３１５０に変更した以外は、実施例３と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を調製した。なお、各成分の配合量は表１に示すとおりである。
（比較例１）
ポリマーとして合成例４で合成されたものを用いた以外、実施例１と同様にポジ型感光性樹脂組成物を調整した。なお、各成分の配合量は表１に示すとおりである。
ポリマーとして合成例４で合成されたものを用いた以外、実施例１と同様にポジ型感光性樹脂組成物を調整した。なお、各成分の配合量は表１に示すとおりである。
（耐アンダーカット性）
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして耐アンダーカット性を評価した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することでパターン付きの薄膜を得た。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。この薄膜にＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行った。上記薄膜に形成されたホールパターンの断面をＳＥＭ観察し、ホールパターンの下端にアンダーカットが観察されなかったものを○、アンダーカットが観察されたものを×として、耐アンダーカット性の評価を行った。
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして耐アンダーカット性を評価した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することでパターン付きの薄膜を得た。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。この薄膜にＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行った。上記薄膜に形成されたホールパターンの断面をＳＥＭ観察し、ホールパターンの下端にアンダーカットが観察されなかったものを○、アンダーカットが観察されたものを×として、耐アンダーカット性の評価を行った。
（耐クラック性）
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして耐クラック性を評価した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することでレジストパターンを形成した。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。次いで、形成されたレジストパターンの表面をＳＥＭ観察し、薄膜にクラックが入っているものを×、クラックがないものを○として、耐クラック性の評価を行った。
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして耐クラック性を評価した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することでレジストパターンを形成した。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。次いで、形成されたレジストパターンの表面をＳＥＭ観察し、薄膜にクラックが入っているものを×、クラックがないものを○として、耐クラック性の評価を行った。
（リワーク特性）
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして感光性樹脂組成物のリワーク特性を評価した。まず、感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数５００〜２５００ｒｐｍ）、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより、約３．０μｍ厚の樹脂膜を得た。次いで、上記樹脂膜に対し、幅５μｍのマスクパターンを有するマスクを用いて、ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（キヤノン（株）社製、ＰＬＡ−５０１Ｆ（超高圧水銀ランプ））によりｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した。その後、現像液を用いて現像処理、更に純水でリンスすることによりパターン付きの薄膜を得た。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。この薄膜に対してマスクを介さず、積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるようブリーチ処理を行った。次いで、上記樹脂膜を、気温２３±１℃、湿度４０±５％に保ったイエロールーム内（ＨＥＰＡフィルター使用）で２４時間放置した後、上記樹脂膜に対しマスクを介さずにｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるよう再度ブリーチ処理を行った。次いで、上記樹脂膜を２３±１℃の２．３８％ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液中に２４０秒間浸漬した。このとき、基板上における上記樹脂膜の残存の有無を、顕微鏡にて観察した。ここでは、上記樹脂膜の残存が観察されなかったものを○、上記樹脂膜の残存が観察されたものを×として、リワーク特性の評価を行った。
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして感光性樹脂組成物のリワーク特性を評価した。まず、感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数５００〜２５００ｒｐｍ）、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより、約３．０μｍ厚の樹脂膜を得た。次いで、上記樹脂膜に対し、幅５μｍのマスクパターンを有するマスクを用いて、ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（キヤノン（株）社製、ＰＬＡ−５０１Ｆ（超高圧水銀ランプ））によりｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した。その後、現像液を用いて現像処理、更に純水でリンスすることによりパターン付きの薄膜を得た。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。この薄膜に対してマスクを介さず、積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるようブリーチ処理を行った。次いで、上記樹脂膜を、気温２３±１℃、湿度４０±５％に保ったイエロールーム内（ＨＥＰＡフィルター使用）で２４時間放置した後、上記樹脂膜に対しマスクを介さずにｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるよう再度ブリーチ処理を行った。次いで、上記樹脂膜を２３±１℃の２．３８％ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液中に２４０秒間浸漬した。このとき、基板上における上記樹脂膜の残存の有無を、顕微鏡にて観察した。ここでは、上記樹脂膜の残存が観察されなかったものを○、上記樹脂膜の残存が観察されたものを×として、リワーク特性の評価を行った。
（薄膜パターンの形成）
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして薄膜パターンを形成した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜Ａにキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのラインとスペースの幅が１：１となるように、最適露光量で露光し、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することで、ラインとスペース幅が１：１のライン＆スペースパターンつき薄膜Ｂを得た。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。この薄膜ＢをＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、パターン付き薄膜Ｃを得た。
実施例１〜５および比較例１について、次のようにして薄膜パターンを形成した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜Ａにキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのラインとスペースの幅が１：１となるように、最適露光量で露光し、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することで、ラインとスペース幅が１：１のライン＆スペースパターンつき薄膜Ｂを得た。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。この薄膜ＢをＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、パターン付き薄膜Ｃを得た。
（現像後、ポストベーク後残膜率）
実施例１〜５および比較例１について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ａと薄膜Ｂと薄膜Ｃの膜厚から、以下の式より残膜率を算出した。
現像後残膜率（％）＝〔薄膜Ｂの膜厚（μｍ）／薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
ポストベーク後残膜率（％）＝〔薄膜Ｃの膜厚（μｍ）／薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
実施例１〜５および比較例１について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ａと薄膜Ｂと薄膜Ｃの膜厚から、以下の式より残膜率を算出した。
現像後残膜率（％）＝〔薄膜Ｂの膜厚（μｍ）／薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
ポストベーク後残膜率（％）＝〔薄膜Ｃの膜厚（μｍ）／薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
（現像性）
実施例１〜５および比較例１について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ｂの５μｍのパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察した。スペース部分に残渣が見られた場合は×、残渣が見られない場合には○として現像性を評価した。
実施例１〜５および比較例１について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ｂの５μｍのパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察した。スペース部分に残渣が見られた場合は×、残渣が見られない場合には○として現像性を評価した。
（比誘電率）
実施例１〜５および比較例１について、ＰＬＡ−５０１Ｆにてテストパターンを露光現像せず、かつ基板としてアルミニウム基板を使用する点以外は、上述の薄膜パターンの形成と同様の操作を行うことにより、パターンのない３．０μｍ厚の薄膜をアルミニウム基板上に得た。その後、この薄膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件で、Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ社製ＬＣＲメータ（４２８２Ａ）を用いて得られた静電容量から比誘電率を算出した。
実施例１〜５および比較例１について、ＰＬＡ−５０１Ｆにてテストパターンを露光現像せず、かつ基板としてアルミニウム基板を使用する点以外は、上述の薄膜パターンの形成と同様の操作を行うことにより、パターンのない３．０μｍ厚の薄膜をアルミニウム基板上に得た。その後、この薄膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件で、Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ社製ＬＣＲメータ（４２８２Ａ）を用いて得られた静電容量から比誘電率を算出した。
（透過率）
実施例１〜５および比較例１について、テストパターンを露光しない以外は、上述の薄膜パターンの形成と同様の操作を行うことにより、パターンのない薄膜をガラス基板上に得た。この薄膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率（％）を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とした。
実施例１〜５および比較例１について、テストパターンを露光しない以外は、上述の薄膜パターンの形成と同様の操作を行うことにより、パターンのない薄膜をガラス基板上に得た。この薄膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率（％）を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とした。
（薬液耐性）
実施例１〜５および比較例１について、次にようにして膨潤率およびリカバー率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより、約３．５μｍ厚の樹脂膜を得た。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒浸した後、純水でリンスした。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。次いで、上記樹脂膜に対し、ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（キヤノン（株）社製、ＰＬＡ−５０１Ｆ（超高圧水銀ランプ））を用いてｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように全面露光した。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行った。次いで、得られた硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測した。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスした。このとき、上記硬化膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出した。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測した。そして、下記式からリカバー率を算出した。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
実施例１〜５および比較例１について、次にようにして膨潤率およびリカバー率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより、約３．５μｍ厚の樹脂膜を得た。次いで、上記樹脂膜を現像液に９０秒浸した後、純水でリンスした。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３〜５および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。次いで、上記樹脂膜に対し、ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（キヤノン（株）社製、ＰＬＡ−５０１Ｆ（超高圧水銀ランプ））を用いてｇ＋ｈ＋ｉ線を積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２となるように全面露光した。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行った。次いで、得られた硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測した。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスした。このとき、上記硬化膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出した。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測した。そして、下記式からリカバー率を算出した。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
（感度）
実施例１〜５および比較例１について、次にようにして感度を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することでレジストパターンを形成した。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。次いで、形成されたレジストパターンをＳＥＭ観察し、５μｍ角のホールパターンが得られるときの露光量（ｍＪ／ｃｍ２）を感度とした。
実施例１〜５および比較例１について、次にようにして感度を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて５μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、現像液を用いて２３℃、９０秒間現像することでレジストパターンを形成した。なお、実施例１、２においては上記現像液として０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、実施例３および比較例１においては上記現像液として２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を、それぞれ使用して現像処理を行った。次いで、形成されたレジストパターンをＳＥＭ観察し、５μｍ角のホールパターンが得られるときの露光量（ｍＪ／ｃｍ２）を感度とした。
表１中において、感光性樹脂組成物に含まれる各成分の配合量を示す数値のうち、かっこ外の数値は各成分の質量（ｇ）を、かっこ内の数値は樹脂組成物の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたときの各成分の配合割合（質量％）を、それぞれ示している。
（実施例６）
合成例１により合成されたポリマー１０．０ｇ、ダイセル株式会社製セロキサイド２０８１を２．０ｇ、ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．５ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を０．５ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル：ベンジルアルコール＝４２．５：５０：７．５の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ネガ型感光性樹脂組成物を調製した。
合成例１により合成されたポリマー１０．０ｇ、ダイセル株式会社製セロキサイド２０８１を２．０ｇ、ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（サンアプロ製ＣＰＩ−１１０Ｂ）を０．５ｇ、密着性を改善するためにＫＢＭ−４０３（信越シリコーン社製）を０．５ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を０．０５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル：ベンジルアルコール＝４２．５：５０：７．５の混合溶媒に固形分２０％となるよう溶解した。これを、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過して、ネガ型感光性樹脂組成物を調製した。
（実施例７）
ポリマーとして合成例２で合成されたものを用いた以外、実施例６と同様にネガ型感光性樹脂組成物を調整した。なお、各成分の配合量は表２に示すとおりである。
ポリマーとして合成例２で合成されたものを用いた以外、実施例６と同様にネガ型感光性樹脂組成物を調整した。なお、各成分の配合量は表２に示すとおりである。
（耐アンダーカット性）
実施例６、７について、次のようにして耐アンダーカット性を評価した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて１０μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、上記薄膜を１４０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークした。次いで、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間現像することでパターン付きの薄膜を得た。この薄膜にＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行った。上記薄膜に形成されたホールパターンの断面をＳＥＭ観察し、ホールパターンの下端にアンダーカットが観察されなかったものを○、アンダーカットが観察されたものを×として、耐アンダーカット性の評価を行った。
実施例６、７について、次のようにして耐アンダーカット性を評価した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて１０μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、上記薄膜を１４０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークした。次いで、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間現像することでパターン付きの薄膜を得た。この薄膜にＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行った。上記薄膜に形成されたホールパターンの断面をＳＥＭ観察し、ホールパターンの下端にアンダーカットが観察されなかったものを○、アンダーカットが観察されたものを×として、耐アンダーカット性の評価を行った。
（耐クラック性）
実施例６、７について、次のようにして耐クラック性の評価を行った。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて１０μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、上記薄膜を１４０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークした。次いで、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間の条件で現像することでレジストパターンを形成した。次いで、形成されたレジストパターンの表面をＳＥＭ観察し、薄膜にクラックが入っているものを×、クラックがないものを○とした。
実施例６、７について、次のようにして耐クラック性の評価を行った。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜を得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて１０μｍのホールパターンのマスクを使用し露光した。次いで、上記薄膜を１４０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークした。次いで、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間の条件で現像することでレジストパターンを形成した。次いで、形成されたレジストパターンの表面をＳＥＭ観察し、薄膜にクラックが入っているものを×、クラックがないものを○とした。
（薄膜パターンの形成）
実施例６、７について、次のようにして薄膜パターンを形成した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜Ａにキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて１０μｍのラインとスペースの幅が１：１となるように、最適露光量で露光し、１４０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークした。その後、上記薄膜を、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間現像することで、ラインとスペース幅が１：１のライン＆スペースパターンつき薄膜Ｂを得た。この薄膜ＢをＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、約３．０μｍ厚のパターン付き薄膜Ｃを得た。
実施例６、７について、次のようにして薄膜パターンを形成した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜Ａにキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて１０μｍのラインとスペースの幅が１：１となるように、最適露光量で露光し、１４０℃、１２０秒間ホットプレートにてベークした。その後、上記薄膜を、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間現像することで、ラインとスペース幅が１：１のライン＆スペースパターンつき薄膜Ｂを得た。この薄膜ＢをＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、約３．０μｍ厚のパターン付き薄膜Ｃを得た。
（現像後、ポストベーク後残膜率の評価）
実施例６、７について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ａと薄膜Ｂと薄膜Ｃの膜厚から、以下の式より残膜率を算出した。
現像後残膜率（％）＝〔薄膜Ｂの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
ポストベーク後残膜率（％）＝〔薄膜Ｃの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
実施例６、７について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ａと薄膜Ｂと薄膜Ｃの膜厚から、以下の式より残膜率を算出した。
現像後残膜率（％）＝〔薄膜Ｂの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
ポストベーク後残膜率（％）＝〔薄膜Ｃの膜厚（μｍ）/薄膜Ａの膜厚（μｍ）〕×１００
（現像性の評価）
実施例６、７について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ｂの１０μｍのパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察した。スペース部分に残渣が見られた場合は×、残渣が見られない場合には○として現像性を評価した。
実施例６、７について、上述の薄膜パターンの形成により得られた薄膜Ｂの１０μｍのパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察した。スペース部分に残渣が見られた場合は×、残渣が見られない場合には○として現像性を評価した。
（比誘電率の評価）
実施例６、７について、次のようにして比誘電率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、アルミニウム基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍの薄膜を得た。次いで、上記薄膜を、キヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した。次いで、露光後の上記薄膜を１４０℃、１２０秒間の条件でホットプレートにてベークした。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、パターンのない３．０μｍ厚の薄膜をアルミニウム基板上に得た。その後、この薄膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件で、Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ社製ＬＣＲメータ（４２８２Ａ）を用いて得られた静電容量から比誘電率を算出した。
実施例６、７について、次のようにして比誘電率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、アルミニウム基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍの薄膜を得た。次いで、上記薄膜を、キヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した。次いで、露光後の上記薄膜を１４０℃、１２０秒間の条件でホットプレートにてベークした。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、パターンのない３．０μｍ厚の薄膜をアルミニウム基板上に得た。その後、この薄膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件で、Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ社製ＬＣＲメータ（４２８２Ａ）を用いて得られた静電容量から比誘電率を算出した。
（透過率の評価）
実施例６、７について、次のようにして透過率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍの薄膜を得た。次いで、上記薄膜を、キヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した。次いで、露光後の上記薄膜を１４０℃、１２０秒間の条件でホットプレートにてベークした。次いで、上記薄膜を、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間現像した後、純水でリンスする。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、パターンのない薄膜をガラス基板上に得た。この薄膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率（％）を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とした。
実施例６、７について、次のようにして透過率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し（回転数３００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍの薄膜を得た。次いで、上記薄膜を、キヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した。次いで、露光後の上記薄膜を１４０℃、１２０秒間の条件でホットプレートにてベークした。次いで、上記薄膜を、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて２３℃、９０秒間現像した後、純水でリンスする。次いで、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、パターンのない薄膜をガラス基板上に得た。この薄膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率（％）を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定し、膜厚３μｍに換算した数値を透過率とした。
（薬液耐性の評価）
実施例６、７について、次にようにして膨潤率およびリカバー率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより、約３．５μｍ厚の樹脂膜を得た。次いで、上記樹脂膜を、キヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した。次いで、露光後の上記樹脂膜を１４０℃、１２０秒の条件でベークした。次いで、上記樹脂膜を現像液（０．５ｗｔ％ＴＭＡＨ）に９０秒浸した後、純水でリンスした。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行った。次いで、得られた硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測した。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスした。このとき、上記樹脂膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出した。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測した。そして、下記式からリカバー率を算出した。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
実施例６、７について、次にようにして膨潤率およびリカバー率を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、ホットプレートを用いて１００℃、１２０秒の条件でプリベークすることにより、約３．５μｍ厚の樹脂膜を得た。次いで、上記樹脂膜を、キヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２全面露光した。次いで、露光後の上記樹脂膜を１４０℃、１２０秒の条件でベークした。次いで、上記樹脂膜を現像液（０．５ｗｔ％ＴＭＡＨ）に９０秒浸した後、純水でリンスした。次いで、上記樹脂膜に対し、オーブン中、２３０℃、６０分間の条件下で熱硬化処理を行った。次いで、得られた硬化膜の膜厚（第１膜厚）を計測した。次いで、上記硬化膜を、７０℃のＴＯＫ１０６（東京応化工業（株）製）中に１５分間浸漬した後、純水で３０秒間リンスした。このとき、上記樹脂膜のリンス後における膜厚を第２膜厚として、次の式から膨潤率を算出した。
膨潤率：［（第２膜厚−第１膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
次いで、上記硬化膜をオーブン中で、２３０℃、１５分間加熱し、加熱後の膜厚（第３膜厚）を計測した。そして、下記式からリカバー率を算出した。
リカバー率：［（第３膜厚）／（第１膜厚）］×１００（％）
（感度）
実施例６、７について、次にようにして感度を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて２０ｍＪ／ｃｍ２ずつ露光量を変動させて露光した。次いで、１４０℃、１２０秒間、ホットプレートにてベークし、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間現像、純水リンスを施した後、薄膜Ｂを得た。そして、薄膜Ｂ／薄膜Ａ×１００＝９５％となる露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ２）とした。
実施例６、７について、次にようにして感度を測定した。まず、得られた感光性樹脂組成物を縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約３．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて２０ｍＪ／ｃｍ２ずつ露光量を変動させて露光した。次いで、１４０℃、１２０秒間、ホットプレートにてベークし、０．５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間現像、純水リンスを施した後、薄膜Ｂを得た。そして、薄膜Ｂ／薄膜Ａ×１００＝９５％となる露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ２）とした。
表２中において、感光性樹脂組成物に含まれる各成分の配合量を示す数値のうち、かっこ外の数値は各成分の質量（ｇ）を、かっこ内の数値は樹脂組成物の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたときの各成分の配合割合（質量％）を、それぞれ示している。
１０ 基板
１２ 対向基板
１４ 液晶層
２０ 絶縁膜
２２ 開口
３０ トランジスタ
３１ ゲート電極
３２ ソース電極
３３ ドレイン電極
３４ ゲート絶縁膜
３５ 半導体層
４０、４２ 配線
９０、９２ 配向膜
１００ 電子装置
１２ 対向基板
１４ 液晶層
２０ 絶縁膜
２２ 開口
３０ トランジスタ
３１ ゲート電極
３２ ソース電極
３３ ドレイン電極
３４ ゲート絶縁膜
３５ 半導体層
４０、４２ 配線
９０、９２ 配向膜
１００ 電子装置
Claims (4)
- 下記式（１ａ）により示される構造単位と、下記式（１ｂ）により示される構造単位と、下記式（３）により示される構造単位と、を主鎖中に含むポリマー。
（式（１ａ）中、ｎは０、１または２である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つが、エポキシ環またはオキセタン環を含む有機基である。式（１ｂ）中、ｍは０、１または２である。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜１０の有機基であり、これらのうちの少なくとも一つがアルコキシシリル基である。）
（式（３）中、Ｒ ９ は、水素または炭素数１〜１２の有機基である。） - 請求項１に記載のポリマーにおいて、
前記アルコキシシリル基は、以下の式（２）により示されるポリマー。
（式（２）中、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基である。） - 請求項１または２に記載のポリマーにおいて、
前記式（１ａ）により示される構造単位の少なくとも一部は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの少なくとも一つが下記式（４）により示される有機基であるポリマー。
（式（４）中、Ｙ１は、炭素数４〜１０の二価の有機基である。） - 永久膜を形成するために用いられる感光性樹脂組成物であって、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリマーを含む感光性樹脂組成物。
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| JP2018134682A JP6558479B2 (ja) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | ポリマー、および感光性樹脂組成物 |
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-
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