JP6557066B2

JP6557066B2 - Thermal print head manufacturing method and thermal print head

Info

Publication number: JP6557066B2
Application number: JP2015124784A
Authority: JP
Inventors: 章治郎大長
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2015-06-22
Filing date: 2015-06-22
Publication date: 2019-08-07
Anticipated expiration: 2035-06-22
Also published as: JP2017007203A

Description

本発明は、サーマルプリントヘッドの製造方法およびサーマルプリントヘッドに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a thermal print head and a thermal print head.

従来から知られているサーマルプリントヘッドは、基板と、グレーズ層と、発熱抵抗体と、電極と、を備える。このようなサーマルプリントヘッドは、たとえば特許文献１に開示されている。同文献に開示のサーマルプリントヘッドにおいて、グレーズ層は基板に形成されている。グレーズ層は、発熱抵抗体にて発生した熱を蓄熱する役割を果たす。発熱抵抗体は、グレーズ層に形成されている。電極は、互いに離間した２つの部分を有する。これらの２つの部分に跨るように、発熱抵抗体には、発熱部が形成されている。 A conventionally known thermal print head includes a substrate, a glaze layer, a heating resistor, and an electrode. Such a thermal print head is disclosed in Patent Document 1, for example. In the thermal print head disclosed in this document, the glaze layer is formed on the substrate. The glaze layer plays a role of storing heat generated by the heating resistor. The heating resistor is formed in the glaze layer. The electrode has two parts spaced apart from each other. A heating part is formed in the heating resistor so as to straddle these two parts.

印刷の品位を高める手法の一つとして、高精細化が挙げられる。高精細化を図るには、前記発熱部をより小さくし、且つ隣り合う前記発熱部同士の隙間を縮小することが必要である。しかしながら、前記発熱抵抗体および前記電極をより正確に形成することは容易ではない。 One of the techniques for improving the quality of printing is high definition. In order to achieve high definition, it is necessary to make the heat generating portion smaller and to reduce the gap between the adjacent heat generating portions. However, it is not easy to form the heating resistor and the electrode more accurately.

特開２０１２−５１３１９号公報JP 2012-51319 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高精細化を図ることが可能なサーマルプリントヘッドの製造方法およびサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。 The present invention has been conceived under the circumstances described above, and has as its main subject to provide a method for manufacturing a thermal print head and a thermal print head capable of achieving high definition.

本発明の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、基材と、前記基材に形成された抵抗体層と、前記基材に形成され且つ前記抵抗体層と導通する電極層と、絶縁層と、を備え、前記電極層は、互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に重なる部分を有する発熱部を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、前記基材に前記抵抗体層となる抵抗体材料層および前記電極層となる電極材料層を形成する工程と、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を覆うレジスト材料層を形成する工程と、フォトリソグラフィマスクに形成されたパターンを前記レジスト材料層に縮小投影露光する露光工程と、前記レジスト材料層のうち前記露光工程の後に除去容易となっている部分を除去することによりレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を用いたエッチングによって前記抵抗体材料層および前記電極材料層の少なくともいずれかをパターニングする工程と、を備える。 The method for manufacturing a thermal printhead provided by the first aspect of the present invention includes a base material, a resistor layer formed on the base material, and an electrode formed on the base material and electrically connected to the resistor layer. The electrode layer includes a first conductive portion and a second conductive portion that are spaced apart from each other, and the resistor layer includes the first conductive portion when viewed in the thickness direction of the substrate. And a heating part including a heating part having a portion overlapping the second conductive part, the resistor material layer serving as the resistor layer on the substrate and the electrode material layer serving as the electrode layer A step of forming a resist material layer covering the resistor material layer and the electrode material layer, an exposure step of reducing and projecting a pattern formed on a photolithography mask onto the resist material layer, and Les A step of forming a resist layer by removing a portion of the strike material layer that is easily removed after the exposure step; and at least one of the resistor material layer and the electrode material layer by etching using the resist layer. And patterning any of them.

好ましい実施の形態においては、前記露光工程においては、前記フォトリソグラフィマスクの反復露光部を用いて縮小投影露光する処理と、前記フォトリソグラフィマスクの前記反復露光部を前記基材の主走査方向に沿って相対的に移動させる処理と、を繰り返す。 In a preferred embodiment, in the exposure step, a reduction projection exposure process using a repetitive exposure unit of the photolithography mask, and the repetitive exposure unit of the photolithography mask along the main scanning direction of the substrate. And the process of relatively moving.

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部は、複数の前記発熱部に相当する部位を含む。 In a preferred embodiment, the repetitive exposure unit includes a portion corresponding to a plurality of the heat generating units.

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部は、複数の前記第１導電部に相当する部位を含む。 In a preferred embodiment, the repeated exposure section includes a portion corresponding to a plurality of the first conductive sections.

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部は、複数の前記第２導電部に相当する部位を含む。 In a preferred embodiment, the repeated exposure section includes a portion corresponding to a plurality of the second conductive sections.

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部の光透過部分のうち前記主走査方向端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた縮小部を有する。 In a preferred embodiment, the portion located at the end in the main scanning direction of the light transmission portion of the repeated exposure portion has a reduced portion whose size in the main scanning direction is small.

好ましい実施の形態においては、前記フォトリソグラフィマスクは、前記反復露光部によって縮小投影露光される領域に対して前記主走査方向一方側の領域を縮小投影露光するための第１端部を有する。 In a preferred embodiment, the photolithography mask has a first end portion for reducing and projecting a region on one side in the main scanning direction with respect to a region subjected to reduced projection exposure by the repeated exposure unit.

好ましい実施の形態においては、前記第１端部の光透過部分のうち前記主走査方向において前記反復露光部寄り端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた第１縮小部を有する。 In a preferred embodiment, a portion of the light transmissive portion of the first end located at the end closer to the repeated exposure portion in the main scanning direction includes a first reduction portion having a small size in the main scanning direction. Have.

好ましい実施の形態においては、前記第１縮小部は、副走査方向において前記発熱部を露光する部分と重なる。 In a preferred embodiment, the first reduction portion overlaps a portion where the heat generating portion is exposed in the sub-scanning direction.

好ましい実施の形態においては、前記フォトリソグラフィマスクは、前記反復露光部によって縮小投影露光される領域に対して前記主走査方向他方側の領域を縮小投影露光するための第２端部を有する。 In a preferred embodiment, the photolithography mask has a second end portion for reducing and projecting a region on the other side in the main scanning direction with respect to the region subjected to the reduced projection exposure by the repeated exposure unit.

好ましい実施の形態においては、前記第２端部の光透過部分のうち前記主走査方向において前記反復露光部寄り端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた第２縮小部を有する。 In a preferred embodiment, a portion of the light transmitting portion of the second end located at the end closer to the repeated exposure portion in the main scanning direction includes a second reduction portion having a small size in the main scanning direction. Have.

好ましい実施の形態においては、前記第２縮小部は、副走査方向において前記発熱部を露光する部分と重なる。 In a preferred embodiment, the second reduced portion overlaps a portion where the heat generating portion is exposed in the sub-scanning direction.

好ましい実施の形態においては、前記パターニングする工程においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層の双方を一括してパターニングする。 In a preferred embodiment, in the patterning step, both the resistor material layer and the electrode material layer are patterned at once.

好ましい実施の形態においては、前記基材は、半導体材料よりなる。 In a preferred embodiment, the substrate is made of a semiconductor material.

好ましい実施の形態においては、前記基材は、Ｓｉよりなる。 In a preferred embodiment, the substrate is made of Si.

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程の前に、前記基材に積層された蓄熱層を形成する工程を更に備える。 In a preferred embodiment, before the step of forming the resistor material layer and the electrode material layer, a step of forming a heat storage layer laminated on the base material is further provided.

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程においては、前記蓄熱層上に前記抵抗体材料層を積層させた後に、前記電極材料層を形成する。 In a preferred embodiment, in the step of forming the resistor material layer and the electrode material layer, the electrode material layer is formed after the resistor material layer is laminated on the heat storage layer.

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う。 In a preferred embodiment, the step of forming the resistor material layer is performed by CVD or sputtering.

好ましい実施の形態においては、前記電極材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う。 In a preferred embodiment, the step of forming the electrode material layer is performed by CVD or sputtering.

好ましい実施の形態においては、前記絶縁層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う。 In a preferred embodiment, the step of forming the insulating layer is performed by CVD or sputtering.

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる。 In a preferred embodiment, the resistor material layer is made of at least one of polysilicon, TaSiO2, and TiON.

好ましい実施の形態においては、前記電極材料層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる。 In a preferred embodiment, the electrode material layer is made of at least one of Au, Ag, Cu, Cr, Al—Si, and Ti.

好ましい実施の形態においては、前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる。 In a preferred embodiment, the insulating layer is made of SiO2 or SiAlO2.

好ましい実施の形態においては、前記基材は、セラミックスよりなる。 In preferable embodiment, the said base material consists of ceramics.

好ましい実施の形態においては、前記基材は、Ａｌ２Ｏ３よりなる。 In a preferred embodiment, the substrate is made of Al2O3.

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程の前に、前記基材に積層されたグレーズ層を形成する工程を更に備える。 In a preferred embodiment, before the step of forming the resistor material layer and the electrode material layer, a step of forming a glaze layer laminated on the substrate is further provided.

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程においては、前記グレーズ層上に前記抵抗体材料層を積層させた後に、前記電極材料層を形成する。 In a preferred embodiment, in the step of forming the resistor material layer and the electrode material layer, the electrode material layer is formed after the resistor material layer is laminated on the glaze layer.

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層は、ＴａＳｉＯ２またはＴａＮよりなる。 In a preferred embodiment, the resistor material layer is made of TaSiO 2 or TaN.

好ましい実施の形態においては、前記電極材料層は、Ａｌ、Ｃｕ、および、Ａｕの少なくともいずれかよりなる。 In a preferred embodiment, the electrode material layer is made of at least one of Al, Cu, and Au.

好ましい実施の形態においては、前記グレーズ層は、ガラスよりなる。 In a preferred embodiment, the glaze layer is made of glass.

本発明の第２の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基材と、前記基材に形成された抵抗体層と、前記基材に形成され且つ前記抵抗体層と導通する電極層と、絶縁層と、を備え、前記電極層は、互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、前記抵抗体層は、各々が前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に重なる部分を有する主走査方向に配列された複数の発熱部を含む、サーマルプリントヘッドであって、前記複数の発熱部の少なくともいずれかは、該発熱部が重なる前記第１導電部および前記第２導電部に対して前記主走査方向において内方に凹む縮小部を有する。 The thermal print head provided by the second aspect of the present invention includes a base material, a resistor layer formed on the base material, an electrode layer formed on the base material and electrically connected to the resistor layer, An insulating layer, wherein the electrode layer includes a first conductive portion and a second conductive portion that are spaced apart from each other, and each of the resistor layers has the first conductive portion as viewed in the thickness direction of the substrate. And a thermal print head including a plurality of heat generating parts arranged in a main scanning direction having a portion overlapping the second conductive part, wherein at least one of the plurality of heat generating parts overlaps the heat generating part. The first conductive portion and the second conductive portion have a reduced portion that is recessed inward in the main scanning direction.

好ましい実施の形態においては、前記縮小部を有する２つの前記発熱部が、前記縮小部を有さない一定個数の前記発熱部を挟んで配置されている。 In a preferred embodiment, the two heat generating parts having the reduced part are arranged with a certain number of the heat generating parts not having the reduced part interposed therebetween.

好ましい実施の形態においては、前記複数の発熱部は、互いに隣り合う２つの前記発熱部であって、互いに対面する側に各々前記縮小部が形成されているものを含む。 In a preferred embodiment, the plurality of heat generating portions include two heat generating portions adjacent to each other, wherein the reduced portions are formed on the sides facing each other.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。It is a top view of the thermal print head of a 1st embodiment of the present invention. 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the II-II line | wire of FIG. 図１に示したサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of the thermal print head shown in FIG. 1. 図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view in alignment with the IV-IV line of FIG. 本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの製造工程の一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing process of the thermal print head of 1st Embodiment of this invention. 図５に続く一工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 5. 図６に続く一工程を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 6. 図７に続く一工程を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 7. 図８に続く一工程を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 8. 図８に続く一工程を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows one process following FIG. 図９に続く一工程を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 9. 図１１に続く一工程を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 11. 図１１に続く一工程を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows one process following FIG. 図１２に続く一工程を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 12. 図１２に続く一工程を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows one process following FIG. 図１４に続く一工程を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 14. 図１６に続く一工程を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 16. 図１６に続く一工程を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows one process following FIG. 本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの製造工程に用いられるフォトリソグラフィマスクを示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the photolithographic mask used for the manufacturing process of the thermal print head of 1st Embodiment of this invention. 図１７に続く一工程を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 17. 図２０に続く一工程を示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 20. 図２１に続く一工程を示す断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 21. 図２２に続く一工程を示す断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view showing a process following FIG. 22. 図２３に続く一工程を示す断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view showing a process following FIG. 23. 図２４に続く一工程を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows one process following FIG. 図２５に続く一工程を示す要部平面図である。FIG. 26 is a plan view of relevant parts showing one process following FIG. 25. 図２６に続く一工程を示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 26. 図２７続く一工程を示す断面図である。FIG. 28 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 27. 本発明の第２施形態のサーマルプリントヘッドの製造工程の一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing process of the thermal print head of 2nd Embodiment of this invention. 図２９に続く一工程を示す断面図である。FIG. 30 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 29. 図３０に続く一工程を示す断面図である。FIG. 31 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 30. 図３１に続く一工程を示す断面図である。FIG. 32 is a cross-sectional view showing a process following FIG. 31. 本発明の第２実施形態のサーマルプリントヘッドの断面である。It is a cross section of the thermal print head of 2nd Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

＜第１実施形態＞
図１〜図２８を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。 <First Embodiment>
1st Embodiment of this invention is described using FIGS. 1-28.

図１は、本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１に示したサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。 FIG. 1 is a plan view of a thermal print head according to a first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. FIG. 3 is an enlarged plan view of a main part of the thermal print head shown in FIG. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line IV-IV in FIG.

これらの図に示すサーマルプリントヘッド１０１は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱層２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６（図１では省略）と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。サーマルプリントヘッド１０１は、印刷媒体８０１に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。このような印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。 The thermal print head 101 shown in these drawings includes a base material 11, a wiring board 12, a heat sink 13, a heat storage layer 2, an electrode layer 3, a resistor layer 4, an insulating layer 5, and a protective layer 6. (Omitted in FIG. 1), a driving IC 7, a plurality of wires 81, a sealing resin 82, and a connector 83. The thermal print head 101 is incorporated in a printer that performs printing on the print medium 801. Examples of such a print medium 801 include thermal paper for creating a barcode sheet or a receipt.

図２に示す放熱板１３は、基材１１からの熱を放散させるためのものである。放熱板１３は、たとえばＡｌなどの金属よりなる。放熱板１３には基材１１および配線基板１２が取り付けられている。 The heat radiating plate 13 shown in FIG. 2 is for radiating the heat from the base material 11. The heat sink 13 is made of a metal such as Al. A base material 11 and a wiring board 12 are attached to the heat sink 13.

基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、後述するように、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。基材１１の厚さはたとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。図１に示すように、基材１１は、方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。 The substrate 11 has a plate shape. In the present embodiment, the base material 11 is made of a semiconductor material. Examples of the semiconductor material constituting the substrate 11 include Si, SiC, AlN, GaP, GaAs, InP, and GaN. In this embodiment, although the base material 11 consists of semiconductor materials, the base material 11 does not need to consist of semiconductor materials. For example, the base material 11 may be made of an insulating material such as ceramic as will be described later. The thickness of the substrate 11 is, for example, 0.625 to 0.720 mm. As shown in FIG. 1, the base material 11 has a flat plate shape extending in the direction Y. The width | variety (dimension in the direction X of the base material 11) of the base material 11 is 3-20 mm, for example. The dimension in the direction Y of the base material 11 is, for example, 10 to 300 mm.

図４に示すように、基材１１は基材表面１１１を有する。基材表面１１１は、方向Ｘと方向Ｙとに広がる平面状である。基材表面１１１は、方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材表面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（以下、方向Ｚａと言う。図４では上方）を向く。すなわち、基材表面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。 As shown in FIG. 4, the substrate 11 has a substrate surface 111. The substrate surface 111 has a planar shape extending in the direction X and the direction Y. The substrate surface 111 extends in the longitudinal direction along the direction Y. The base material surface 111 faces one side in the thickness direction Z of the base material 11 (hereinafter referred to as a direction Za, upward in FIG. 4). That is, the substrate surface 111 is a surface facing the side where the resistor layer 4 is located.

図２および図４に示すように、蓄熱層２は基材１１に形成されている。蓄熱層２は、基材１１の基材表面１１１の全体を覆っている。蓄熱層２は、発熱部４１（後述）にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱層２の厚さは、たとえば、３μｍ以上である。図４に示すように、蓄熱層２は蓄熱層表面２１を有する。蓄熱層表面２１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱層表面２１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱層表面２１は全体にわたって平坦である。蓄熱層表面２１が平坦であると、半導体プロセスによって抵抗体層４や絶縁層５を形成しやすい。 As shown in FIGS. 2 and 4, the heat storage layer 2 is formed on the base material 11. The heat storage layer 2 covers the entire substrate surface 111 of the substrate 11. The heat storage layer 2 is for storing heat generated in the heat generating portion 41 (described later). The thickness of the heat storage layer 2 is, for example, 3 μm or more. As shown in FIG. 4, the heat storage layer 2 has a heat storage layer surface 21. The heat storage layer surface 21 faces the direction Za. That is, the heat storage layer surface 21 is a surface facing the side where the resistor layer 4 is located. In this embodiment, the heat storage layer surface 21 is flat throughout. If the heat storage layer surface 21 is flat, the resistor layer 4 and the insulating layer 5 are easily formed by a semiconductor process.

図２および図４に示すように、本実施形態では、蓄熱層２は、第１層２６と第２層２７とを含む。第１層２６は、第２層２７と基材１１との間に位置している。第１層２６は、基材１１を構成する半導体材料を酸化した材料よりなる層である。たとえば、基材１１を構成する半導体材料がＳｉである場合には、第１層２６はＳｉＯ₂よりなる層である。第２層２７は、絶縁材料よりなる層である。第２層２７を構成する材料は、特に限定されないが、本実施形態においては、第１層２６を構成する材料と同一の材料よりなる。本実施形態とは異なり、蓄熱層２が二層構造ではなく、一層構造であってもよい。また、蓄熱層２を備えない構成であってもよい。 As shown in FIGS. 2 and 4, in the present embodiment, the heat storage layer 2 includes a first layer 26 and a second layer 27. The first layer 26 is located between the second layer 27 and the base material 11. The first layer 26 is a layer made of a material obtained by oxidizing a semiconductor material constituting the base material 11. For example, when the semiconductor material constituting the substrate 11 is Si, the first layer 26 is a layer made of SiO ₂ . The second layer 27 is a layer made of an insulating material. Although the material which comprises the 2nd layer 27 is not specifically limited, In this embodiment, it consists of the same material as the material which comprises the 1st layer 26. Unlike the present embodiment, the heat storage layer 2 may have a single-layer structure instead of a two-layer structure. Moreover, the structure which is not provided with the thermal storage layer 2 may be sufficient.

図２〜図４に示す電極層３は基材１１に形成されている。図３における電極層３には、理解の便宜上、ハッチを付している。具体的には、電極層３は蓄熱層２に積層されている。また、電極層３は抵抗体層４に積層されている。本実施形態においては、電極層３と蓄熱層２との間に、抵抗体層４が介在している。電極層３は、抵抗体層４に導通している。電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極層３を構成する材料としては、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉが挙げられる。本実施形態とは異なり、電極層３は、蓄熱層２と抵抗体層４との間に介在していてもよい。 The electrode layer 3 shown in FIGS. 2 to 4 is formed on the substrate 11. The electrode layer 3 in FIG. 3 is hatched for convenience of understanding. Specifically, the electrode layer 3 is laminated on the heat storage layer 2. The electrode layer 3 is laminated on the resistor layer 4. In the present embodiment, the resistor layer 4 is interposed between the electrode layer 3 and the heat storage layer 2. The electrode layer 3 is electrically connected to the resistor layer 4. The electrode layer 3 constitutes a path for energizing the resistor layer 4. Examples of the material constituting the electrode layer 3 include Au, Ag, Cu, Cr, Al—Si, and Ti. Unlike the present embodiment, the electrode layer 3 may be interposed between the heat storage layer 2 and the resistor layer 4.

図４に示すように、電極層３は、第１導電部３１と第２導電部３２とを含む。第１導電部３１および第２導電部３２は、互いに離間している。 As shown in FIG. 4, the electrode layer 3 includes a first conductive part 31 and a second conductive part 32. The first conductive portion 31 and the second conductive portion 32 are separated from each other.

本実施形態においては、電極層３は、複数の個別電極３３（同図には６つ示す）と、一つの共通電極３５とを含む。 In the present embodiment, the electrode layer 3 includes a plurality of individual electrodes 33 (six are shown in the figure) and one common electrode 35.

複数の個別電極３３は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３３には、サーマルプリントヘッド１０１の組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３３は、屈曲部３３３と、直行部３３４と、斜行部３３５と、ボンディング部３３６とを有する。直行部３３４は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、方向Ｘに沿って延びる帯状である。直行部３３４は、抵抗体層４に積層されている。屈曲部３３３は、直行部３３４につながり、方向Ｙおよび方向Ｘの屈曲形状である。斜行部３３５は、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。ボンディング部３３６は、ワイヤ８１がボンディングされる部分である。 The plurality of individual electrodes 33 are not electrically connected to each other. Therefore, different electric potentials can be individually applied to the individual electrodes 33 when a printer incorporating the thermal print head 101 is used. Each individual electrode 33 includes a bent portion 333, a straight portion 334, a skew portion 335, and a bonding portion 336. The orthogonal portion 334 forms the first conductive portion 31 in the electrode layer 3 and has a strip shape extending along the direction X. The direct portion 334 is stacked on the resistor layer 4. The bent portion 333 is connected to the straight portion 334 and has a bent shape in the direction Y and the direction X. The skew portion 335 extends in a direction inclined with respect to both the direction Y and the direction X. The bonding part 336 is a part to which the wire 81 is bonded.

共通電極３５は、サーマルプリントヘッド１０１の組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３３に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３５は、複数の共通電極帯状部３５１と、横行部３５２と、を有する。各共通電極帯状部３５１は、方向Ｘに延びる帯状である。共通電極３５において、複数の共通電極帯状部３５１は、電極層３における第２導電部３２を構成しており、第１導電部３１に対して方向Ｙに離間している。共通電極帯状部３５１は、抵抗体層４に積層されている。複数の共通電極帯状部３５１、および複数の個別電極帯状部３３１は、方向Ｙに沿って配列されている。横行部３５２は、方向Ｙに長く延びる帯状であり、複数の共通電極帯状部３５１がつながっている。 The common electrode 35 is a portion that is electrically reverse in polarity with respect to the plurality of individual electrodes 33 when a printer in which the thermal print head 101 is incorporated is used. The common electrode 35 has a plurality of common electrode strip portions 351 and a traversing portion 352. Each common electrode strip 351 has a strip shape extending in the direction X. In the common electrode 35, the plurality of common electrode strips 351 constitute the second conductive portion 32 in the electrode layer 3 and are separated from the first conductive portion 31 in the direction Y. The common electrode strip 351 is stacked on the resistor layer 4. The plurality of common electrode strips 351 and the plurality of individual electrode strips 331 are arranged along the direction Y. The traversing portion 352 has a strip shape extending long in the direction Y, and a plurality of common electrode strip portions 351 are connected.

抵抗体層４は基材１１に形成されている。本実施形態では、抵抗体層４は、蓄熱層２に直接形成されている。本実施形態においては、抵抗体層４は、複数の矩形状の部分を有する。抵抗体層４は、電極層３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、電極層３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料よりなる。抵抗体層４を構成する材料としては、たとえば、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ₂、および、ＴｉＯＮが挙げられる。本実施形態においては、抵抗体層４には、抵抗値の調整のため、イオン（たとえば、ホウ素）がドーピングされている。抵抗体層４の厚さは、たとえば、０．２μｍ〜１μｍである。 The resistor layer 4 is formed on the base material 11. In the present embodiment, the resistor layer 4 is formed directly on the heat storage layer 2. In the present embodiment, the resistor layer 4 has a plurality of rectangular portions. The resistor layer 4 generates heat at the portion where the current from the electrode layer 3 flows. Print dots are formed by generating heat in this way. The resistor layer 4 is made of a material having a higher resistivity than the material constituting the electrode layer 3. Examples of the material constituting the resistor layer 4 include polysilicon, TaSiO ₂ , and TiON. In the present embodiment, the resistor layer 4 is doped with ions (for example, boron) in order to adjust the resistance value. The thickness of the resistor layer 4 is, for example, 0.2 μm to 1 μm.

図４に示すように、抵抗体層４は、第１端面４１６と、第２端面４１７とを有する。 As shown in FIG. 4, the resistor layer 4 has a first end face 416 and a second end face 417.

第１端面４１６は、第２導電部３２（共通電極帯状部３５１）の位置する側とは反対側（すなわち、図４の右方向）を向いている。第２端面４１７は、第１導電部３１（個別電極帯状部３３１）の位置する側とは反対側（すなわち、図４の左方向）を向いている。 The first end surface 416 faces the side opposite to the side where the second conductive portion 32 (common electrode strip portion 351) is located (that is, the right direction in FIG. 4). The second end surface 417 faces the side opposite to the side where the first conductive portion 31 (individual electrode strip portion 331) is located (that is, the left direction in FIG. 4).

抵抗体層４は、サーマルプリントヘッド１０１の使用時に発熱する発熱部４１を含む。発熱部４１は、基材１１の厚さ方向視において、第１導電部３１および第２導電部３２に重なっている。各発熱部４１は蓄熱層２に積層されている。複数の発熱部４１は、方向Ｙに沿って配列されている。 The resistor layer 4 includes a heat generating portion 41 that generates heat when the thermal print head 101 is used. The heat generating part 41 overlaps the first conductive part 31 and the second conductive part 32 in the thickness direction of the base material 11. Each heat generating part 41 is laminated on the heat storage layer 2. The plurality of heat generating portions 41 are arranged along the direction Y.

発熱部４１は、第１当接部４１１および第２当接部４１２を含んでいる。第１当接部４１１は、電極層３における第１導電部３１に当接している。第２当接部４１２は、電極層３における第２導電部３２に当接している。 The heat generating part 41 includes a first contact part 411 and a second contact part 412. The first contact portion 411 is in contact with the first conductive portion 31 in the electrode layer 3. The second contact portion 412 is in contact with the second conductive portion 32 in the electrode layer 3.

複数の発熱部４１は、縮小部４１９を有するものを含んでいる。縮小部４１９は、方向Ｙにおける寸法が小とされた部位であり、第１導電部３１および第２導電部３２に対して方向Ｙに凹んでいる。本実施形態においては、縮小部４１９を有する２つの発熱部４１が、縮小部４１９を有さない一定数の発熱部４１を挟んで配置されている。なお、図示された例においては、縮小部４１９を有する２つの発熱部４１が、縮小部４１９を有さない２つの発熱部４１を挟んで配置されている。また、本実施形態においては、複数の発熱部４１は、互いに隣り合う２つの発熱部４１であって、互いに対面する側に各々縮小部４１９が形成されているものを含む。すなわち、隣り合う発熱部４１のそれぞれに形成された縮小部４１９が、互いに対面するように配置されている。 The plurality of heat generating portions 41 include one having a reducing portion 419. The reduced portion 419 is a portion having a small dimension in the direction Y, and is recessed in the direction Y with respect to the first conductive portion 31 and the second conductive portion 32. In the present embodiment, the two heat generating parts 41 having the reduced part 419 are arranged with a certain number of heat generating parts 41 not having the reduced part 419 interposed therebetween. In the illustrated example, the two heat generating parts 41 having the reducing part 419 are arranged with the two heat generating parts 41 not having the reducing part 419 interposed therebetween. Further, in the present embodiment, the plurality of heat generating portions 41 include two heat generating portions 41 adjacent to each other, each having a reduced portion 419 formed on the side facing each other. That is, the reduction | decrease part 419 formed in each of the adjacent heat-emitting part 41 is arrange | positioned so that it may mutually face.

絶縁層５は、発熱部４１および電極層３の間に介在している部分を有する。絶縁層５を構成する材料としては、たとえば、ＳｉＯ₂、および、ＳｉＡｌＯ₂が挙げられる。絶縁層５は、第１介在部５１と、第２介在部５２と、中間部５３とを含む。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している部位である。第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。中間部５３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１介在部５１と第２介在部５２とに挟まれている。中間部５３は、第１介在部５１および第２介在部５２につながっている。 The insulating layer 5 has a portion interposed between the heat generating portion 41 and the electrode layer 3. Examples of the material constituting the insulating layer 5 include SiO ₂ and SiAlO ₂ . The insulating layer 5 includes a first interposition part 51, a second interposition part 52, and an intermediate part 53. The first interposition part 51 is a part interposed between the first conductive part 31 and the heat generating part 41. The second interposed part 52 is interposed between the second conductive part 32 and the heat generating part 41. The intermediate portion 53 is sandwiched between the first interposed portion 51 and the second interposed portion 52 in the thickness direction Z view of the base material 11. The intermediate part 53 is connected to the first interposition part 51 and the second interposition part 52.

本実施形態において、第１介在部５１には、少なくとも１以上の第１開口５１１が形成されている。第１開口５１１は、たとえば円形状である。第１開口５１１の個数は、複数でも１つであってもよい。第１開口５１１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第１当接部４１１が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第１開口５１１内に、第１導電部３１の一部が形成されている。 In the present embodiment, at least one or more first openings 511 are formed in the first interposition part 51. The first opening 511 has, for example, a circular shape. The number of the first openings 511 may be plural or one. The first contact portion 411 in the heat generating portion 41 described above is located at a position overlapping with the first opening 511. As shown in FIG. 6, in the present embodiment, a part of the first conductive portion 31 is further formed in the first opening 511.

本実施形態において、第２介在部５２には、少なくとも１以上の第２開口５２１が形成されている。第２開口５２１は、たとえば円形状である。第２開口５２１は、複数でも１つであってもよい。第２開口５２１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第２当接部４１２が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第２開口５２１内に、第２導電部３２の一部が形成されている。 In the present embodiment, at least one or more second openings 521 are formed in the second interposition part 52. The second opening 521 has, for example, a circular shape. The second opening 521 may be plural or one. The second contact portion 412 in the heat generating portion 41 described above is located at a position overlapping the second opening 521. As shown in FIG. 6, in the present embodiment, a part of the second conductive portion 32 is further formed in the second opening 521.

本実施形態においては、絶縁層５は、部分５８１，５８２を含む。部分５８１は、第１介在部５１につながり且つ第１端面４１６を覆う部分である。部分５８２は、第２介在部５２につながり且つ第２端面４１７を覆う部分である。部分５８１，５８２はそれぞれ、蓄熱層２に直接接している。すなわち、絶縁層５に直接接する部分を、蓄熱層２が有している。本実施形態とは異なり、絶縁層５が部分５８１，５８２を含んでいなくてもよい。 In the present embodiment, the insulating layer 5 includes portions 581 and 582. The part 581 is a part connected to the first interposition part 51 and covering the first end face 416. The part 582 is a part that is connected to the second interposition part 52 and covers the second end face 417. The portions 581 and 582 are in direct contact with the heat storage layer 2. That is, the heat storage layer 2 has a portion that is in direct contact with the insulating layer 5. Unlike the present embodiment, the insulating layer 5 may not include the portions 581 and 582.

保護層６は、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを覆っており、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを保護するためのものである。保護層６は、絶縁材料よりなる。保護層６を構成する絶縁材料としては、たとえば、ＳｉＮおよびＳｉＯ₂が挙げられる。本実施形態においては、保護層６は、電極層３および絶縁層５に直接接している。 The protective layer 6 covers the electrode layer 3, the resistor layer 4, and the insulating layer 5, and protects the electrode layer 3, the resistor layer 4, and the insulating layer 5. The protective layer 6 is made of an insulating material. Examples of the insulating material constituting the protective layer 6 include SiN and SiO ₂ . In the present embodiment, the protective layer 6 is in direct contact with the electrode layer 3 and the insulating layer 5.

保護層６には、複数の貫通窓６１（図２には１つ示す）が形成されている。各貫通窓６１からは、ボンディング部３３６が露出している。 A plurality of through windows 61 (one shown in FIG. 2) are formed in the protective layer 6. A bonding portion 336 is exposed from each through window 61.

図２に示す配線基板１２は、たとえば、プリント配線基板である。配線基板１２は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。配線層は、たとえばＣｕよりなる。 The wiring board 12 shown in FIG. 2 is a printed wiring board, for example. The wiring board 12 has a structure in which a base material layer and a wiring layer (not shown) are laminated. The base material layer is made of, for example, a glass epoxy resin. The wiring layer is made of Cu, for example.

図２、図３に示す駆動ＩＣ７は、各個別電極３３にそれぞれ電位を付与し、各発熱部４１に流す電流を制御するものである。各個別電極３３にそれぞれ電位が付与されることにより、共通電極３５と各個別電極３３との間に電圧が印加され、各発熱部４１に選択的に電流が流れる。駆動ＩＣ７は、配線基板１２に搭載されている。図３に示すように、駆動ＩＣ７は、複数のパッド７１を含む。複数のパッド７１は、たとえば、２列に形成されている。 The driving IC 7 shown in FIGS. 2 and 3 applies a potential to each individual electrode 33 and controls a current flowing through each heat generating portion 41. By applying a potential to each individual electrode 33, a voltage is applied between the common electrode 35 and each individual electrode 33, and a current flows selectively through each heat generating portion 41. The drive IC 7 is mounted on the wiring board 12. As shown in FIG. 3, the drive IC 7 includes a plurality of pads 71. The plurality of pads 71 are formed in, for example, two rows.

図２、図３に示す複数のワイヤ８１は、たとえば、Ａｕなどの導体よりなる。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１１はそれぞれ、駆動ＩＣ７にボンディングされ、且つ、電極層３にボンディングされている。より具体的には、各ワイヤ８１１は、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、ボンディング部３３６にボンディングされている。これにより、駆動ＩＣ７と各個別電極３３とが導通している。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１２は、それぞれ、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、当該配線層を介して、駆動ＩＣ７とコネクタ８３とが導通している。 The plurality of wires 81 shown in FIGS. 2 and 3 are made of a conductor such as Au, for example. Of the plurality of wires 81, the wires 811 are bonded to the driving IC 7 and bonded to the electrode layer 3. More specifically, each wire 811 is bonded to the pad 71 in the driving IC 7 and bonded to the bonding portion 336. As a result, the driving IC 7 and each individual electrode 33 are electrically connected. Of the plurality of wires 81, the wires 812 are bonded to the pads 71 of the driving IC 7 and bonded to the wiring layer of the wiring substrate 12. As a result, the drive IC 7 and the connector 83 are electrically connected via the wiring layer.

図２に示す封止樹脂８２は、たとえば、黒色の樹脂よりなる。封止樹脂８２は、駆動ＩＣ７、複数のワイヤ８１、および、保護層６を覆っており、駆動ＩＣ７および複数のワイヤ８１を保護している。封止樹脂８２は保護層６に直接接する。コネクタ８３は、配線基板１２に固定されている。コネクタ８３は、サーマルプリントヘッド１０１の外部からサーマルプリントヘッド１０１へ電力を供給し、駆動ＩＣ７を制御するためのものである。 The sealing resin 82 shown in FIG. 2 is made of, for example, a black resin. The sealing resin 82 covers the drive IC 7, the plurality of wires 81, and the protective layer 6, and protects the drive IC 7 and the plurality of wires 81. The sealing resin 82 is in direct contact with the protective layer 6. The connector 83 is fixed to the wiring board 12. The connector 83 is for supplying power from the outside of the thermal print head 101 to the thermal print head 101 and controlling the drive IC 7.

次に、サーマルプリントヘッド１０１の使用方法の一例について簡単に説明する。 Next, an example of how to use the thermal print head 101 will be briefly described.

サーマルプリントヘッド１０１は、プリンタに組み込まれた状態で使用される。図２に示したように、当該プリンタ内において、サーマルプリントヘッド１０１の各発熱部４１はプラテンローラ８０２に対向している。当該プリンタの使用時には、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿ってプラテンローラ８０２と各発熱部４１との間に一定速度で送給される。印刷媒体８０１は、プラテンローラ８０２によって保護層６のうち各発熱部４１を覆う部分に押しあてられる。一方、図３に示した各個別電極３３には、駆動ＩＣ７によって選択的に電位が付与される。これにより、共通電極３５と複数の個別電極３３の各々との間に電圧が印加される。そして、複数の発熱部４１には選択的に電流が流れ、熱が発生する。そして、各発熱部４１にて発生した熱は、保護層６を介して印刷媒体８０１に伝わる。そして、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる第１ライン領域に、複数のドットが印刷される。また、各発熱部４１にて発生した熱は、蓄熱層２にも伝わり、蓄熱層２にて蓄えられる。 The thermal print head 101 is used in a state incorporated in a printer. As shown in FIG. 2, each heat generating portion 41 of the thermal print head 101 faces the platen roller 802 in the printer. When the printer is used, the platen roller 802 rotates to feed the print medium 801 along the direction X between the platen roller 802 and each heat generating unit 41 at a constant speed. The print medium 801 is pressed against a portion of the protective layer 6 that covers each heat generating portion 41 by the platen roller 802. On the other hand, a potential is selectively applied to each individual electrode 33 shown in FIG. Thereby, a voltage is applied between the common electrode 35 and each of the plurality of individual electrodes 33. Then, current selectively flows through the plurality of heat generating portions 41 to generate heat. Then, the heat generated in each heat generating part 41 is transmitted to the print medium 801 through the protective layer 6. Then, a plurality of dots are printed in the first line region extending linearly in the direction Y on the print medium 801. Further, the heat generated in each heat generating part 41 is also transmitted to the heat storage layer 2 and stored in the heat storage layer 2.

更に、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿って一定速度で引き続き送給される。そして、上述の第１ライン領域への印刷と同様に、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる、第１ライン領域に隣接する第２ライン領域への印刷が行われる。第２ライン領域への印刷の際、印刷媒体８０１には、各発熱部４１にて発生した熱に加え、第１ライン領域への印刷時に蓄熱層２にて蓄えられた熱が伝わる。このようにして、第２ライン領域への印刷が行われる。以上のように、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びるライン領域ごとに、複数のドットを印刷することにより、印刷媒体８０１への印刷が行われる。 Further, the printing medium 801 is continuously fed along the direction X at a constant speed by the rotation of the platen roller 802. Then, similarly to the above-described printing on the first line area, printing is performed on the second line area adjacent to the first line area that extends linearly in the direction Y on the print medium 801. When printing on the second line area, in addition to the heat generated in each heat generating portion 41, the heat stored in the heat storage layer 2 during printing on the first line area is transmitted to the print medium 801. In this way, printing on the second line area is performed. As described above, printing on the print medium 801 is performed by printing a plurality of dots for each line region extending linearly in the direction Y on the print medium 801.

次に、サーマルプリントヘッド１０１の製造方法の一例について簡単に説明する。本実施形態においてサーマルプリントヘッド１０１を製造するには、半導体プロセスを用いる。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head 101 will be briefly described. In order to manufacture the thermal print head 101 in this embodiment, a semiconductor process is used.

まず、図５に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図６に示すように、半導体基板１９の表面を熱酸化する。これにより、基材１１と、基材１１に積層された第１層２６とが形成される。本実施形態においては、第１層２６は、ＳｉＯ₂よりなる。次に、図７に示すように、ＣＶＤもしくはスパッタによって、第１層２６上に第２層２７を形成する。これにより、基材１１に積層された蓄熱層２が形成される。図示することは省略するが、基材１１の裏面にもＳｉＯ₂
層が形成される。なお、本実施形態とは異なり、半導体基板１９の表面を熱酸化する必要は必ずしもなく、ＣＶＤもしくはスパッタによって、直接、蓄熱層２を形成してもよい。 First, as shown in FIG. 5, a semiconductor substrate 19 is prepared. In the present embodiment, the semiconductor substrate 19 is made of Si. Next, as shown in FIG. 6, the surface of the semiconductor substrate 19 is thermally oxidized. Thereby, the base material 11 and the first layer 26 laminated on the base material 11 are formed. In the present embodiment, the first layer 26 is made of SiO ₂ . Next, as shown in FIG. 7, a second layer 27 is formed on the first layer 26 by CVD or sputtering. Thereby, the heat storage layer 2 laminated | stacked on the base material 11 is formed. Although illustration is omitted, SiO ₂ is also formed on the back surface of the substrate 11.
A layer is formed. Unlike the present embodiment, it is not always necessary to thermally oxidize the surface of the semiconductor substrate 19, and the heat storage layer 2 may be formed directly by CVD or sputtering.

次に、図８に示すように、抵抗体材料層４’を形成する。抵抗体材料層４’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。抵抗体材料層４’は、基材１１の表面の全面に形成する。次に、図９、図１０に示すように、抵抗体材料層４’をエッチングすることにより、抵抗体材料層４’’を形成する。抵抗体材料層４’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。図１０に示すように、本実施形態では、抵抗体材料層４’’は、一方向に沿って帯状に延びる形状である。次に、抵抗体層４が所望の抵抗値になるように、抵抗体材料層４’’にイオンを打ち込む（図示略）。 Next, as shown in FIG. 8, a resistor material layer 4 'is formed. The resistor material layer 4 'is formed by, for example, CVD or sputtering. The resistor material layer 4 ′ is formed on the entire surface of the substrate 11. Next, as illustrated in FIGS. 9 and 10, the resistor material layer 4 ″ is formed by etching the resistor material layer 4 ′. The resistor material layer 4 'is etched by photolithography. As shown in FIG. 10, in this embodiment, the resistor material layer 4 ″ has a shape extending in a strip shape along one direction. Next, ions are implanted into the resistor material layer 4 ″ so that the resistor layer 4 has a desired resistance value (not shown).

次に、図１１に示すように、絶縁材料層５’を形成する。絶縁材料層５’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。次に、図１２、図１３に示すように、絶縁材料層５’をエッチングすることにより、上述の絶縁層５を形成する。絶縁材料層５’をエッチングする当該工程を経ることにより、上述の第１開口５１１および第２開口５２１が形成される。 Next, as shown in FIG. 11, an insulating material layer 5 'is formed. The insulating material layer 5 'is formed by, for example, CVD or sputtering. Next, as shown in FIGS. 12 and 13, the insulating material layer 5 ′ is etched to form the insulating layer 5 described above. The first opening 511 and the second opening 521 described above are formed through this step of etching the insulating material layer 5 ′.

次に、図１４、図１５に示すように、電極材料層３’を形成する。電極材料層３’の形成は、たとえば、スパッタもしくはＣＶＤにより行う。次に、図１６に示すように、電極材料層３’のうち方向Ｙに長く延びる領域をエッチングによって除去する。これにより、絶縁層５の一部が、電極材料層３’から露出する。 Next, as shown in FIGS. 14 and 15, an electrode material layer 3 'is formed. The electrode material layer 3 'is formed by sputtering or CVD, for example. Next, as shown in FIG. 16, a region extending in the direction Y in the electrode material layer 3 'is removed by etching. Thereby, a part of the insulating layer 5 is exposed from the electrode material layer 3 ′.

次に、図１７および図１８に示すように、蓄熱層２、電極材料層３’、抵抗体材料層４’および絶縁層５を覆うように、レジスト材料層６０’を形成する。レジスト材料層６０’の形成は、たとえば感光性樹脂材料を含む液体またはペーストを塗布することによって行う。 Next, as shown in FIGS. 17 and 18, a resist material layer 60 ′ is formed so as to cover the heat storage layer 2, the electrode material layer 3 ′, the resistor material layer 4 ′, and the insulating layer 5. The resist material layer 60 'is formed by applying a liquid or paste containing a photosensitive resin material, for example.

次に、図１９に示すフォトリソグラフィマスク８５を用いて縮小投影露光を行う。フォトリソグラフィマスク８５は、縮小投影露光において、レジスト材料層６０’に部分的且つ選択的に光を当てるためのものである。本実施形態においては、レジスト材料層６０’のうち露光された部分が残存する、いわゆるネガ型である場合を例に説明するが、これとは異なり、レジスト材料層６０’がいわゆるポジ型である場合であっても、本発明は適用可能である。 Next, reduced projection exposure is performed using a photolithography mask 85 shown in FIG. The photolithographic mask 85 is used to partially and selectively irradiate the resist material layer 60 'in the reduction projection exposure. In the present embodiment, a case where the exposed portion of the resist material layer 60 ′ remains, that is, a so-called negative type will be described as an example. Unlike this, the resist material layer 60 ′ is a so-called positive type. Even in this case, the present invention is applicable.

フォトリソグラフィマスク８５は、電極層３および抵抗体層４として残存させるべき部分の形状が除去された板状部材である。本実施形態においては、フォトリソグラフィマスク８５を用いた縮小投影露光を行うため、フォトリソグラフィマスク８５の各部のサイズは、電極層３および抵抗体層４の対応する各部のサイズよりも大である。 The photolithographic mask 85 is a plate-like member from which the shapes of portions to be left as the electrode layer 3 and the resistor layer 4 are removed. In the present embodiment, since reduction projection exposure using the photolithography mask 85 is performed, the size of each part of the photolithography mask 85 is larger than the size of each corresponding part of the electrode layer 3 and the resistor layer 4.

本実施形態においては、フォトリソグラフィマスク８５は、反復露光部８６０、第１端部８７０、および第２端部８８０を有する。反復露光部８６０は、電極層３および抵抗体層４の大部分を形成するための縮小投影露光に用いられる。本実施形態においては、は、反復露光部８６０は、電極層３および抵抗体層４の一部に相当する。第１端部８７０は、反復露光部８６０によって形成される電極層３および抵抗体層４の部分に対して、方向Ｙ一端側に隣接する部分を形成するための部位である。第２端部８８０は、反復露光部８６０によって形成される電極層３および抵抗体層４の部分に対して、方向Ｙ他端側に隣接する部分を形成するための部位である。 In the present embodiment, the photolithography mask 85 includes a repeated exposure unit 860, a first end 870, and a second end 880. The repeated exposure unit 860 is used for reduced projection exposure for forming most of the electrode layer 3 and the resistor layer 4. In the present embodiment, the repeated exposure unit 860 corresponds to a part of the electrode layer 3 and the resistor layer 4. The first end portion 870 is a portion for forming a portion adjacent to one end side in the direction Y with respect to the portion of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 formed by the repeated exposure portion 860. The second end portion 880 is a portion for forming a portion adjacent to the other end side in the direction Y with respect to the portions of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 formed by the repeated exposure portion 860.

本実施形態においては、反復露光部８６０は、第１導電部３１、第２導電部３２および発熱部４１を形成するための部分を有しており、さらに個別電極３３および共通電極３５を形成するための部位を有する。第１端部８７０は、第１導電部３１、第２導電部３２および発熱部４１を形成するための部分を有しており、さらに個別電極３３および共通電極３５を形成するための部位を有する。第２端部８８０は、第１導電部３１、第２導電部３２および発熱部４１を形成するための部分を有しており、さらに個別電極３３および共通電極３５を形成するための部位を有する。 In the present embodiment, the repeated exposure unit 860 includes portions for forming the first conductive unit 31, the second conductive unit 32, and the heat generating unit 41, and further forms the individual electrode 33 and the common electrode 35. Have a site for. The first end portion 870 includes portions for forming the first conductive portion 31, the second conductive portion 32, and the heat generating portion 41, and further includes portions for forming the individual electrode 33 and the common electrode 35. . The second end portion 880 has a portion for forming the first conductive portion 31, the second conductive portion 32, and the heat generating portion 41, and further has a portion for forming the individual electrode 33 and the common electrode 35. .

反復露光部８６０は、２つの縮小部８６１を有している。縮小部８６１は、方向Ｙ端部領域において方向Ｙ寸法が小とされた部位である。反復露光部８６０においては、方向Ｙ両端に２つの縮小部８６１が設けられている。また、縮小部８６１は、方向Ｘにおいて、発熱部４１を露光する部分と重なっている。 The repeated exposure unit 860 includes two reduction units 861. The reduced portion 861 is a portion where the direction Y dimension is reduced in the direction Y end region. In the repeated exposure unit 860, two reduction units 861 are provided at both ends in the direction Y. Further, the reduction unit 861 overlaps with the portion where the heat generating unit 41 is exposed in the direction X.

第１端部８７０は、第１縮小部８７１を有している。第１縮小部８７１は、方向Ｙ端部領域（図中右端領域）において方向Ｙ寸法が小とされた部位である。第１縮小部８７１は、方向Ｘにおいて、発熱部４１を露光する部分と重なっている。 The first end 870 has a first reduction part 871. The first reduced portion 871 is a portion where the direction Y dimension is small in the direction Y end region (the right end region in the figure). The first reduction portion 871 overlaps the portion that exposes the heat generating portion 41 in the direction X.

第２端部８８０は、第２縮小部８８１を有している。第２縮小部８８１は、方向Ｙ端部領域（図中左端領域）において方向Ｙ寸法が小とされた部位である。第２縮小部８８１は、方向Ｘにおいて、発熱部４１を露光する部分と重なっている。 The second end 880 has a second reduction part 881. The second reduction portion 881 is a portion where the direction Y dimension is small in the direction Y end region (left end region in the figure). The second reduction portion 881 overlaps the portion where the heat generating portion 41 is exposed in the direction X.

図２０〜図２４は、露光工程を示している。これらの図においては理解の便宜上、フォトリソグラフィマスク８５と基材１１およびレジスト材料層６０'とを模式的に示している。 20 to 24 show the exposure process. In these drawings, for convenience of understanding, the photolithography mask 85, the base material 11, and the resist material layer 60 ′ are schematically shown.

図２０は、フォトリソグラフィマスク８５の第１端部８７０を用いた縮小投影露光を示している。図中の一点鎖線は、集光された光を模式的に示す。フォトリソグラフィマスク８５のうち第１端部８７０以外の部分を遮光した状態で、第１端部８７０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。図中においては、レジスト材料層６０’のうち露光された部分に、相対的に細かいハッチングが施されている。これにより、フォトリソグラフィマスク８５の第１端部８７０が、集光度合いに応じて縮小され、レジスト材料層６０’に露光される。レジスト材料層６０’がネガ型であるため、この露光部分は、除去液などに対して残存する部位となる。 FIG. 20 shows reduced projection exposure using the first end 870 of the photolithography mask 85. An alternate long and short dash line in the figure schematically shows the collected light. In a state where the portions other than the first end portion 870 of the photolithography mask 85 are shielded from light, the light collected through the first end portion 870 toward the resist material layer 60 ′ is collected in the resist material layer 60 ′. Light projection exposure. In the drawing, the exposed portion of the resist material layer 60 'is relatively finely hatched. As a result, the first end portion 870 of the photolithography mask 85 is reduced according to the degree of condensing and exposed to the resist material layer 60 ′. Since the resist material layer 60 ′ is a negative type, this exposed portion becomes a portion remaining with respect to the removal liquid or the like.

次いで、図２１に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この相対的な移動は、フォトリソグラフィマスク８５を動かすことによって実現してもよいし、基材１１を動かすことによって実現してもよい。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の反復露光部８６０以外の部分を遮光した状態で、反復露光部８６０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、図２０に示した第１端部８７０によって露光された部分と隣接している。 Next, as shown in FIG. 21, the photolithography mask 85 is moved relative to the substrate 11 in the direction Y. This relative movement may be realized by moving the photolithography mask 85 or may be realized by moving the substrate 11. Through this movement, the light that is condensed toward the resist material layer 60 ′ through the repetitive exposure unit 860 in a state where the portions other than the repetitive exposure unit 860 of the photolithography mask 85 are shielded from light. Condensed projection exposure. The exposure position at this time is adjacent to the portion exposed by the first end portion 870 shown in FIG.

次いで、図２２に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の反復露光部８６０以外の部分を遮光した状態で、反復露光部８６０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、図２１に示した反復露光部８６０によって露光された部分と隣接している。 Next, as shown in FIG. 22, the photolithography mask 85 is moved relative to the substrate 11 in the direction Y. Through this movement, the light that is condensed toward the resist material layer 60 ′ through the repetitive exposure unit 860 in a state where the portions other than the repetitive exposure unit 860 of the photolithography mask 85 are shielded from light. Condensed projection exposure. The exposure position at this time is adjacent to the portion exposed by the repeated exposure unit 860 shown in FIG.

次いで、図２３に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の反復露光部８６０以外の部分を遮光した状態で、反復露光部８６０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、図２２に示した反復露光部８６０によって露光された部分と隣接している。この反復露光部８６０を用いた縮小投影露光とフォトリソグラフィマスク８５および基材１１の相対的な移動とを繰り返す。繰り返し回数は、サーマルプリントヘッド１０１を構成するのに必要とされる電極層３および抵抗体層４を構築可能な回数が選択される。 Next, as shown in FIG. 23, the photolithography mask 85 is moved relative to the substrate 11 in the direction Y. Through this movement, the light that is condensed toward the resist material layer 60 ′ through the repetitive exposure unit 860 in a state where the portions other than the repetitive exposure unit 860 of the photolithography mask 85 are shielded from light. Condensed projection exposure. The exposure position at this time is adjacent to the portion exposed by the repeated exposure unit 860 shown in FIG. The reduction projection exposure using the repeated exposure unit 860 and the relative movement of the photolithography mask 85 and the substrate 11 are repeated. As the number of repetitions, the number of times that the electrode layer 3 and the resistor layer 4 required for constituting the thermal print head 101 can be constructed is selected.

次いで、図２４に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の第２端部８８０以外の部分を遮光した状態で、第２端部８８０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、反復露光部８６０によって露光された部分の図中右端と隣接している。 Next, as shown in FIG. 24, the photolithography mask 85 is moved relative to the substrate 11 in the direction Y. Through this movement, in a state where the portions other than the second end portion 880 of the photolithography mask 85 are shielded from light, the light condensed through the second end portion 880 toward the resist material layer 60 ′ is resist material layer. 60 'condensing projection exposure. The exposure position at this time is adjacent to the right end of the portion exposed by the repeated exposure unit 860 in the drawing.

このような複数回の縮小投影露光を終えた後に、未露光のレジスト材料層６０’を除去し、露光されたレジスト材料層６０’を残存させうる除去液を用いてレジスト材料層６０’を部分的に除去する。これにより、図２５に示すようにレジスト層６０が得られる。レジスト層６０は、個別電極３３、共通電極３５および発熱部４１となるべき部分を覆う形状とされている。また、本実施形態においては、レジスト層６０は、複数の縮小部６９を有している。複数の縮小部６９は、図１９に示したように、フォトリソグラフィマスク８５に縮小部８６１，８７１，８８１が形成されていたことから、レジスト材料層６０’のうち露光された領域が方向Ｙに部分的に縮小された部位を有することに起因して形成されている。このレジスト層６０をマスクとして用いたエッチングによって電極材料層３’をエッチングすることにより、電極層３が得られる。また、抵抗体材料層４’’をエッチングすることにより、抵抗体層４が得られる。なお、電極材料層３’および抵抗体材料層４’’のエッチングは、一括して行ってもよいし、各々を選択的に除去可能なエッチング液を使い分けることにより、別々のタイミングで行ってもよい。この後は、レジスト層６０を除去することにより、図２６に示す電極層３および抵抗体層４が得られる。また、複数の縮小部６９に対応する部位に、複数の縮小部４１９が形成される。 After such multiple times of reduced projection exposure, the unexposed resist material layer 60 ′ is removed, and the resist material layer 60 ′ is partially formed using a removing liquid that can leave the exposed resist material layer 60 ′. To remove. As a result, a resist layer 60 is obtained as shown in FIG. The resist layer 60 has a shape that covers the individual electrode 33, the common electrode 35, and a portion that should become the heat generating portion 41. In the present embodiment, the resist layer 60 has a plurality of reduced portions 69. As shown in FIG. 19, since the reduced portions 861, 871, 881 are formed on the photolithography mask 85, the plurality of reduced portions 69 are exposed in the direction Y in the resist material layer 60 ′. It is formed due to having a partially reduced portion. The electrode layer 3 is obtained by etching the electrode material layer 3 ′ by etching using the resist layer 60 as a mask. Further, the resistor layer 4 is obtained by etching the resistor material layer 4 ″. The etching of the electrode material layer 3 ′ and the resistor material layer 4 ″ may be performed all at once, or may be performed at different timings by using different etching solutions that can be selectively removed. Good. Thereafter, by removing the resist layer 60, the electrode layer 3 and the resistor layer 4 shown in FIG. 26 are obtained. In addition, a plurality of reduction portions 419 are formed at portions corresponding to the plurality of reduction portions 69.

次に、図２７に示すように、保護材料層６’を形成する。保護材料層６’の形成は、たとえば、ＣＶＤにより行う。次に、図２８に示すように、保護材料層６’をエッチングすることにより、複数の貫通窓６１を形成する。保護材料層６’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。 Next, as shown in FIG. 27, a protective material layer 6 'is formed. The protective material layer 6 'is formed by, for example, CVD. Next, as shown in FIG. 28, the plurality of through windows 61 are formed by etching the protective material layer 6 ′. Etching of the protective material layer 6 'is performed by photolithography.

次に、図示は省略するが、基材１１の裏面を研磨することにより、基材１１の厚みを低減させる。次に、抵抗体層４の抵抗値の測定、および、基材１１のダイシングを行ったのち、ダイシング後の製品と、配線基板１２とを放熱板１３に配置する。次に、図２に示した、駆動ＩＣ７を配線基板１２に搭載し、ワイヤ８１を所望の箇所にボンディングし、封止樹脂８２を形成する。これらの工程を経るなどして、図２に示したサーマルプリントヘッド１０１が製造される。 Next, although illustration is omitted, the thickness of the base material 11 is reduced by polishing the back surface of the base material 11. Next, after measuring the resistance value of the resistor layer 4 and dicing the base material 11, the product after dicing and the wiring board 12 are arranged on the heat radiation plate 13. Next, the driving IC 7 shown in FIG. 2 is mounted on the wiring board 12, and the wire 81 is bonded to a desired location to form the sealing resin 82. The thermal print head 101 shown in FIG. 2 is manufactured through these steps.

以上の工程を経て得られたサーマルプリントヘッド１０１においては、複数の発熱部４１の方向Ｙピッチが、たとえば４３．２μｍである。また、隣り合う発熱部４１同士の隙間は、たとえば０．１μｍ程度に設定可能である。 In the thermal print head 101 obtained through the above steps, the direction Y pitch of the plurality of heat generating portions 41 is, for example, 43.2 μm. Moreover, the clearance gap between the adjacent heat generating parts 41 can be set to about 0.1 micrometer, for example.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。 Next, the effect of this embodiment is demonstrated.

本実施形態においては、フォトリソグラフィマスク８５を用いた縮小投影露光によってレジスト材料層６０’を露光する。これにより、フォトリソグラフィマスク８５に形成されたパターンが、正確な形状を維持しつつ集光度合いに応じた縮小を受けて、レジスト層６０に写像される。このため、フォトリソグラフィマスク８５の製作精度を過度に精密にすることなく、レジスト層６０を微細に形成することが可能である。したがって、サーマルプリントヘッド１０１の印刷の高精細化を図ることが可能であり、印刷品位を向上させることができる。 In the present embodiment, the resist material layer 60 ′ is exposed by reduction projection exposure using the photolithography mask 85. As a result, the pattern formed on the photolithography mask 85 undergoes reduction according to the degree of light collection while maintaining an accurate shape, and is mapped onto the resist layer 60. For this reason, it is possible to form the resist layer 60 finely without making the manufacturing precision of the photolithographic mask 85 excessively precise. Therefore, high-definition printing of the thermal print head 101 can be achieved, and the print quality can be improved.

また、フォトリソグラフィマスク８５は、反復露光部８６０、第１端部８７０および第２端部８８０を有している。電極層３および抵抗体層４のうち方向Ｙ両端付近を除く部分は、一定の部分パターンが繰り返されたパターンとなっている。この部分を、反復露光部８６０を用いた縮小投影露光を繰り返して形成することにより、フォトリソグラフィマスク８５が不当に大型となってしまうことを防止することができる。また、反復露光部８６０を複数回用いることにより、電極層３および抵抗体層４の形状が方向Ｙの一端側、中央側および他端側などにおいて不揃いとなってしまうことを回避することができる。第１端部８７０および第２端部８８０を有する事により、電極層３および抵抗体層４のうち方向Ｙ端部において、中央寄りの定常部分とはことなるパターンとすることも可能である。 The photolithography mask 85 has a repeated exposure portion 860, a first end portion 870, and a second end portion 880. A portion of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 excluding the vicinity of both ends in the direction Y is a pattern in which a constant partial pattern is repeated. By forming this portion by repeatedly performing reduced projection exposure using the repeated exposure unit 860, it is possible to prevent the photolithography mask 85 from becoming unduly large. Further, by using the repeated exposure unit 860 a plurality of times, it can be avoided that the shapes of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 are uneven on one end side, the center side, the other end side, and the like in the direction Y. . By having the first end portion 870 and the second end portion 880, a pattern different from the steady portion near the center at the end portion in the direction Y of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 can be formed.

縮小部８６１、第１縮小部８７１および第２縮小部８８１を有することにより、反復露光部８６０、第１端部８７０および第２端部８８０によって露光させたい領域に隣接する領域に、意図せず光を当ててしまうことを防止することができる。これは、いわゆる光の回折を考慮した方策である。また、縮小部８６１、第１縮小部８７１および第２縮小部８８１を、方向Ｘにおいて発熱部４１と重なるものとすることにより、印刷品位の向上に大きく影響する複数の発熱部４１をより正確に形成することができる。複数の発熱部４１が、縮小部４１９を有するものを含むことにより、隣接する発熱部４１が意図せず接触してしまうなどの事態を適切に回避することができる。 By including the reduction unit 861, the first reduction unit 871, and the second reduction unit 881, the region adjacent to the region to be exposed by the repeated exposure unit 860, the first end 870, and the second end 880 is not intended. It is possible to prevent light from being applied. This is a policy considering so-called light diffraction. Further, by making the reduction part 861, the first reduction part 871, and the second reduction part 881 overlap the heat generation part 41 in the direction X, the plurality of heat generation parts 41 that greatly affect the print quality can be more accurately detected. Can be formed. By including the plurality of heat generating portions 41 including the reduced portion 419, it is possible to appropriately avoid a situation in which the adjacent heat generating portions 41 come into contact unintentionally.

以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。 In the following description, the same or similar components as those described above will be denoted by the same reference numerals as those described above, and description thereof will be omitted as appropriate.

＜第２実施形態＞
図２９〜個別電極３３を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。 <Second Embodiment>
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図２９に示す基材１１は、セラミックスよりなり、たとえばＡｌ₂Ｏ₃よりなる。基材１１上に、グレーズ層２０を形成する。グレーズ層２０は、電極層３および抵抗体層４を形成しうる平坦度を担保するためのものであり、たとえばガラスよりなる。 Substrate 11 shown in FIG. 29 is made of ceramics, for example, made of Al ₂ O _3. A glaze layer 20 is formed on the substrate 11. The glaze layer 20 is for ensuring the flatness with which the electrode layer 3 and the resistor layer 4 can be formed, and is made of, for example, glass.

次に、図３０に示すように、グレーズ層２０上に抵抗体材料層４’を形成する。抵抗体材料層４’は、たとえばＴａＳｉＯ₂またはＴａＮよりなる。抵抗体材料層４’の形成は、たとえばＣＶＤまたはスパッタにより行う。抵抗体材料層４’は、グレーズ層２０の全面を覆っている。 Next, as shown in FIG. 30, the resistor material layer 4 ′ is formed on the glaze layer 20. The resistor material layer 4 ′ is made of TaSiO ₂ or TaN, for example. The resistor material layer 4 ′ is formed by, for example, CVD or sputtering. The resistor material layer 4 ′ covers the entire surface of the glaze layer 20.

次に、図３１に示すように、電極材料層３’を形成する。電極材料層３’は、たとえばＡｌ、Ｃｕ、および、Ａｕの少なくともいずれかよりなる。電極材料層３’の形成は、たとえばＣＶＤまたはスパッタにより行う。電極材料層３’は、抵抗体材料層４’全体を覆うように形成されてもよいし、抵抗体材料層４’のうち発熱部４１となるべき部分を露出させるように形成してもよい。 Next, as shown in FIG. 31, an electrode material layer 3 'is formed. The electrode material layer 3 ′ is made of at least one of Al, Cu, and Au, for example. The electrode material layer 3 'is formed by, for example, CVD or sputtering. The electrode material layer 3 ′ may be formed so as to cover the entire resistor material layer 4 ′, or may be formed so as to expose a portion to be the heat generating portion 41 of the resistor material layer 4 ′. .

次いで、図１７および図１８を参照して説明したレジスト材料層６０'を形成する。続いて、図１９に示すフォトリソグラフィマスク８５を用いた縮小投影露光を行う。この縮小投影露光の手順は、図２０〜図２４を参照して説明した手順と同様である。この露光工程の後にレジスト材料層６０'を部分的且つ選択的に除去することにより、レジスト層６０が得られる。そして、レジスト層６０をマスクとして用いたエッチングにより、図３２に示すように、電極層３および抵抗体層４が得られる。この後は、保護層６の形成等を適宜行うことにより、図３３に示すサーマルプリントヘッド１０２が得られる。サーマルプリントヘッド１０２は、いわゆる薄膜型のサーマルプリントヘッドである。 Next, the resist material layer 60 ′ described with reference to FIGS. 17 and 18 is formed. Subsequently, reduction projection exposure using the photolithography mask 85 shown in FIG. 19 is performed. The procedure of the reduced projection exposure is the same as the procedure described with reference to FIGS. The resist layer 60 is obtained by partially and selectively removing the resist material layer 60 ′ after this exposure step. Then, by using the resist layer 60 as a mask, the electrode layer 3 and the resistor layer 4 are obtained as shown in FIG. Thereafter, the thermal print head 102 shown in FIG. 33 is obtained by appropriately forming the protective layer 6 and the like. The thermal print head 102 is a so-called thin film type thermal print head.

このような実施形態によっても、サーマルプリントヘッド１０２の印刷の高精細化を図ることができる。 According to such an embodiment as well, high definition printing of the thermal print head 102 can be achieved.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The present invention is not limited to the embodiment described above. The specific configuration of the present invention can be modified in various ways.

１０１サーマルプリントヘッド
１０２サーマルプリントヘッド
１１基材
１１１基材表面
１２配線基板
１３放熱板
１９半導体基板
２蓄熱層
２１蓄熱層表面
２６第１層
２７第２層
２０グレーズ層
３電極層
３’ 電極材料層
３１第１導電部
３２第２導電部
３３個別電極
３３１個別電極帯状部
３３３屈曲部
３３４直行部
３３５斜行部
３３６ボンディング部
３５共通電極
３５１共通電極帯状部
３５２横行部
４抵抗体層
４’ 抵抗体材料層
４’’ 抵抗体材料層
４１発熱部
４１１第１当接部
４１２第２当接部
４１６第１端面
４１７第２端面
４１９縮小部
５絶縁層
５’ 絶縁材料層
５１第１介在部
５１１第１開口
５２第２介在部
５２１第２開口
５３中間部
５８１部分
５８２部分
６０レジスト層
６０’ レジスト材料層
６９縮小部
６保護層
６’ 保護材料層
６１貫通窓
７駆動ＩＣ
７１パッド
８１ワイヤ
８１１ワイヤ
８１２ワイヤ
８２封止樹脂
８３コネクタ
８０１印刷媒体
８０２プラテンローラ
８５フォトリソグラフィマスク
８６０反復露光部
８６１縮小部
８７０第１端部
８７１第１縮小部
８８０第２端部
８８１第２縮小部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Thermal print head 102 Thermal print head 11 Base material 111 Base material surface 12 Wiring board 13 Heat sink 19 Semiconductor substrate 2 Thermal storage layer 21 Thermal storage layer surface 26 1st layer 27 2nd layer 20 Glaze layer 3 Electrode layer 3 'Electrode material layer 31 First conductive portion 32 Second conductive portion 33 Individual electrode 331 Individual electrode strip 333 Bending portion 334 Straight portion 335 Skew portion 336 Bonding portion 35 Common electrode 351 Common electrode strip 352 Horizontal portion 4 Resistor layer 4 ′ resistor Material layer 4 '' Resistor material layer 41 Heat generating part 411 First contact part 412 Second contact part 416 First end face 417 Second end face 419 Reduction part 5 Insulating layer 5 'Insulating material layer 51 First interposition part 511 First 1 opening 52 2nd interposition part 521 2nd opening 53 middle part 581 part 582 part 60 resist layer 60 'resist material layer 69 contraction part 6 protective layer 6' protection Protection material layer 61 Through window 7 Driving IC
71 Pad 81 Wire 811 Wire 812 Wire 82 Sealing resin 83 Connector 801 Print medium 802 Platen roller 85 Photolithographic mask 860 Repeat exposure unit 861 Reduction unit 870 First end 871 First reduction unit 880 Second end 881 Second reduction Part

Claims

A substrate;
A resistor layer formed on the substrate;
An electrode layer formed on the substrate and electrically connected to the resistor layer;
An insulating layer;
The electrode layer includes a first conductive portion and a second conductive portion that are separated from each other,
The resistor layer includes a heat generating part having a portion overlapping the first conductive part and the second conductive part in a thickness direction view of the base material,
Forming a resistor material layer to be the resistor layer and an electrode material layer to be the electrode layer on the substrate;
Forming a resist material layer covering the resistor material layer and the electrode material layer;
An exposure process for reducing and projecting a pattern formed on a photolithography mask onto the resist material layer; and
Forming a resist layer by removing a portion of the resist material layer that is easily removed after the exposure step;
Patterning at least one of the resistor material layer and the electrode material layer by etching using the resist layer;
With
In the exposure step, a reduction projection exposure process using a repetitive exposure part of the photolithography mask, and a process of relatively moving the repetitive exposure part of the photolithography mask along the main scanning direction of the substrate And repeat
The repeated exposure portion includes a plurality of portions corresponding to the heat generating portions,
Site located in the main scanning direction end of the light transmitting portion of the repetitive exposure unit, the main that the scanning direction dimensions have a reduced portion which is small, manufacturing method for a thermal print head.

The method of manufacturing a thermal print head according to claim 1 , wherein the repeated exposure unit includes a portion corresponding to a plurality of the first conductive units.

The repetitive exposure unit includes a portion corresponding to a plurality of said second conductive part, method of manufacturing the thermal print head according to claim 1 or 2.

4. The method of manufacturing a thermal print head according to claim 1, wherein the reduced portion overlaps a portion where the heat generating portion is exposed in the sub-scanning direction.

The photolithographic mask has a first end for reduced projection exposure area of the main scanning direction one side to the region to be subjected to the reduction projection exposure by the repeated exposure unit, any one of claims 1 to 4 A method for producing a thermal printhead according to claim 1.

Site located in said repetitive exposure portion nearer end in the main scanning direction of the light transmissive portion of the first end portion includes a first reduction unit for the main scanning direction dimension is small, according to claim 5 Method for manufacturing a thermal print head.

The method of manufacturing a thermal print head according to claim 6 , wherein the first reduction portion overlaps a portion where the heat generating portion is exposed in the sub-scanning direction.

The photolithographic mask has a second end portion for reduced projection exposure area of the main scanning direction other side of the region to be reduced projection exposure by the repeated exposure unit, any one of claims 1 to 7 A method for producing a thermal printhead according to claim 1.

Site located in said repetitive exposure portion nearer end in the main scanning direction of the light transmissive portion of said second end has a second reduction unit for the main scanning direction dimension is small, according to claim 8 Method for manufacturing a thermal print head.

10. The method of manufacturing a thermal print head according to claim 9 , wherein the second reduction portion overlaps a portion where the heat generating portion is exposed in the sub-scanning direction.

The method of manufacturing a thermal print head according to claim 10 , wherein in the patterning step, both the resistor material layer and the electrode material layer are patterned at once.

The substrate is made of a semiconductor material, manufacturing method for a thermal print head according to any one of claims 1 to 11.

The method for manufacturing a thermal print head according to claim 12 , wherein the substrate is made of Si.

Wherein before the resistive material layer and forming the electrode material layer, further comprising forming a heat storage layer laminated on the substrate, method of manufacturing the thermal print head according to claim 12 or 13.

The thermal print head according to claim 14 , wherein in the step of forming the resistor material layer and the electrode material layer, the electrode material layer is formed after the resistor material layer is laminated on the heat storage layer. Manufacturing method.

In the step of forming the resistor material layer and the electrode material layer, an insulating layer overlapping the resistor material layer is formed after the resistor material layer is formed and before the electrode material layer is formed. The manufacturing method of the thermal print head of Claim 15 formed.

The method of manufacturing a thermal print head according to claim 16 , wherein the step of forming the resistor material layer is performed by CVD or sputtering.

The method of manufacturing a thermal print head according to claim 17 , wherein the step of forming the electrode material layer is performed by CVD or sputtering.

The method of manufacturing a thermal print head according to claim 18 , wherein the step of forming the insulating layer is performed by CVD or sputtering.

The thermal printhead manufacturing method according to claim 19 , wherein the resistor material layer is made of at least one of polysilicon, TaSiO ₂ , and TiON.

The method of manufacturing a thermal print head according to claim 20 , wherein the electrode material layer is made of at least one of Au, Ag, Cu, Cr, Al-Si, and Ti.

The method for manufacturing a thermal print head according to claim 21 , wherein the insulating layer is made of SiO ₂ or SiAlO ₂ .

The substrate is made of ceramics, method of manufacturing the thermal print head according to any one of claims 1 to 11.

The method for manufacturing a thermal print head according to claim 23 , wherein the substrate is made of Al ₂ O ₃ .

The manufacturing method of the thermal print head of Claim 23 or 24 further equipped with the process of forming the glaze layer laminated | stacked on the said base material before the process of forming the said resistor material layer and the said electrode material layer.

26. The thermal print head according to claim 25 , wherein in the step of forming the resistor material layer and the electrode material layer, the electrode material layer is formed after the resistor material layer is laminated on the glaze layer. Manufacturing method.

27. The method of manufacturing a thermal print head according to claim 26 , wherein the resistor material layer is made of TaSiO ₂ or TaN.

28. The method of manufacturing a thermal print head according to claim 27 , wherein the electrode material layer is made of at least one of Al, Cu, and Au.

The method for manufacturing a thermal print head according to claim 28 , wherein the glaze layer is made of glass.

30. The method of manufacturing a thermal print head according to claim 29 , wherein the step of forming the resistor material layer is performed by CVD or sputtering.

31. The method of manufacturing a thermal print head according to claim 30 , wherein the step of forming the electrode material layer is performed by CVD or sputtering.

A substrate;
A resistor layer formed on the substrate;
An electrode layer formed on the substrate and electrically connected to the resistor layer;
An insulating layer;
The electrode layer includes a first conductive portion and a second conductive portion that are separated from each other,
The resistor layer has a plurality of heating portions arranged in the main scanning direction of the base material, each having a portion overlapping the first conductive portion and the second conductive portion in the thickness direction of the base material Including a thermal print head,
At least one of the plurality of heat-generating unit may have a reduced portion concaved inwardly in the main scanning direction with respect to the first conductive portion and the second conductive part heat generating portion overlap,
Reduced projection exposure of the pattern of the photolithography mask to the resist material layer covering the resistor material layer and the electrode material layer formed on the base material, and a portion of the resist material layer that is easily removed by the reduced projection exposure The resistor material layer is patterned to form the resistor layer by forming a resist layer by removing the resist layer and etching using the resist layer, and the electrode material layer is patterned to form the resistor layer. At least one of obtaining an electrode layer is performed,
The reduced projection exposure includes a process of performing reduced projection exposure using a repeated exposure unit of the photolithography mask, and a process of relatively moving the repeated exposure unit of the photolithography mask along the main scanning direction. Done by repeating,
The repeated exposure portion includes a plurality of portions corresponding to the heat generating portions,
A portion of the light transmissive portion of the repeated exposure portion located at the end in the main scanning direction has a small size in the main scanning direction and corresponds to the reduction portion .

33. The thermal print head according to claim 32 , wherein the two heat generating parts having the reduced part are arranged with a certain number of the heat generating parts not having the reduced part interposed therebetween.

34. The thermal print head according to claim 32 , wherein the plurality of heat generating portions include two heat generating portions adjacent to each other, wherein the reduced portions are formed on the sides facing each other.