JP2021011020A - Thermal print head and method for manufacturing the same - Google Patents

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吾郎 仲谷
Goro Nakaya
吾郎 仲谷
雅寿 中西
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雅寿 中西
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Abstract

To provide a thermal print head in which a thermal storage part installed in a lower tier of a heat generating part can be readily formed.SOLUTION: A thermal print head includes: a substrate 1 having a principal surface 11; a thermal storage layer 15 formed at the principal surface 11 of the substrate 1; and multiple heat generating parts 41 arranged in an upper layer of the thermal storage layer 15 in a main scanning direction. The thermal storage layer 15 is formed while a plate-like thermal storage member 150 is bonded to the principal surface 11 of the substrate 1.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、サーマルプリントヘッドおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to a thermal print head and a method for manufacturing the same.

特許文献1には、サーマルプリントヘッドの一例が開示されている。サーマルプリントヘッドは一般に、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、ヘッド基板に蓄熱部を介して形成した抵抗体層上に、その一部を露出させるようにして、上流側電極層と下流側電極層をそれらの端部を対向させて積層することにより形成されている。上流側電極層と下流側電極層間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部(発熱部)がジュール熱により発熱する。蓄熱部は、発熱部が発する熱が無駄にヘッド基板等に漏出することを抑制して、高速印字を可能とする等のために設けられる。 Patent Document 1 discloses an example of a thermal print head. Thermal print heads generally have a large number of heat generating parts arranged in the main scanning direction on the head substrate. Each heat generating portion is laminated on the resistor layer formed on the head substrate via the heat storage portion so that a part thereof is exposed and the upstream electrode layer and the downstream electrode layer are laminated with their ends facing each other. It is formed by doing. By energizing between the upstream electrode layer and the downstream electrode layer, the exposed portion (heating portion) of the resistor layer generates heat due to Joule heat. The heat storage unit is provided to prevent wasteful heat generated by the heat generation unit from leaking to the head substrate or the like to enable high-speed printing.

同文献に開示されたサーマルプリントヘッドはまた、基板としてSiを用い、半導体プロセスにより抵抗体層を含む各構成部を形成している。この場合、蓄熱部は、SiO2を用いたスパッタリングやCVD法により形成されるが、十分な厚みの蓄熱部を形成するには相当時間を要し、サーマルプリントヘッドの製造効率が悪化するという問題がある。 The thermal printhead disclosed in the same document also uses Si as a substrate, and forms each component including a resistor layer by a semiconductor process. In this case, the heat storage portion is formed by sputtering using SiO 2 or a CVD method, but it takes a considerable amount of time to form the heat storage portion having a sufficient thickness, which causes a problem that the manufacturing efficiency of the thermal print head deteriorates. There is.

特開2017−7203号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-7203

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、発熱部の下位に設けられる蓄熱部を簡易に形成することができるサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。 The present invention has been devised under the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a thermal print head capable of easily forming a heat storage portion provided below the heat generating portion.

上記の課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を採用した。 In order to solve the above problems, the following technical means are adopted in the present invention.

本発明の第1の側面によって提供される係るサーマルプリントヘッドは、主面を有する基板と、上記基板の上記主面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする。 The thermal printhead provided by the first aspect of the present invention is arranged in the main scanning direction on a substrate having a main surface, a heat storage layer formed on the main surface of the substrate, and an upper layer of the heat storage layer. The heat storage layer includes a plurality of heat generating portions, and is characterized in that a plate-shaped heat storage member is attached to the main surface of the substrate.

好ましい実施の形態では、上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている。 In a preferred embodiment, each of the plurality of heat generating portions is laminated on the resistor layer and the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and the upstream side capable of energizing each other. It is formed to include a conductive layer and a downstream conductive layer.

好ましい実施の形態では、上記基板は、Siからなる。 In a preferred embodiment, the substrate is made of Si.

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 .

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、30〜50μmの厚さを有する。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member has a thickness of 30 to 50 μm.

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、上記基板の上記主面の全面もしくは略全面に貼着されている。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate.

本発明の第1の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドはまた、主面に主走査方向に延びる凹陥部を有する基板と、上記基板の上記主面に上記凹陥部を覆うようにして形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層であって上記凹陥部の上方に位置させて、主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする。 The thermal printhead provided by the first aspect of the present invention is also formed so as to cover a substrate having a recess extending in the main scanning direction on the main surface and the recess on the main surface of the substrate. The heat storage layer includes a plurality of heat storage layers which are upper layers of the heat storage layer and are located above the recessed portions and are arranged in the main scanning direction, and the heat storage layer is formed on the main surface of the substrate. It is characterized in that a plate-shaped heat storage member is attached and formed.

好ましい実施の形態では、上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている。 In a preferred embodiment, each of the plurality of heat generating portions is laminated on the resistor layer and the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and the upstream side capable of energizing each other. It is formed to include a conductive layer and a downstream conductive layer.

好ましい実施の形態では、上記基板は、Siからなる。 In a preferred embodiment, the substrate is made of Si.

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 .

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、30〜50μmの厚さを有する。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member has a thickness of 30 to 50 μm.

好ましい実施の形態では、上記凹陥部の深さは、10〜100μmである。 In a preferred embodiment, the depth of the recess is 10 to 100 μm.

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、上記基板の上記主面の全面もしくは略全面に貼着されている。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate.

本発明の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、主面を有する基板と、上記基板の上記主面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されている、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、上記蓄熱層は、材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする。 The method for manufacturing a thermal printhead provided by the second aspect of the present invention is to cover a substrate having a main surface, a heat storage layer formed on the main surface of the substrate, and an upper layer of the heat storage layer in the main scanning direction. The heat storage layer is a method for manufacturing a thermal print head, which includes a plurality of arranged heat generating portions and is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate, and is a method for manufacturing a thermal print head. The layer is characterized in that it is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of the material substrate.

好ましい実施の形態では、上記材料基板は、Siからなる。 In a preferred embodiment, the material substrate is made of Si.

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 .

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、陽極接合により、上記基板材料の上記主面の全面もしくは略全面に貼着される。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate material by anodic bonding.

本発明の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法はまた、主面に主走査方向に延びる凹陥部を有する基板と、上記基板の上記主面に上記凹陥部を覆うようにして形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層であって上記凹陥部の上方に位置させて、主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されている、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、上記蓄熱層は、材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする。 The method for manufacturing a thermal printhead provided by the second aspect of the present invention also covers a substrate having a recess extending in the main scanning direction on the main surface and covering the recess on the main surface of the substrate. The heat storage layer formed includes a plurality of heat storage layers which are upper layers of the heat storage layer and are located above the recessed portions and are arranged in the main scanning direction. The heat storage layer is the above-mentioned substrate. A method for manufacturing a thermal print head, in which a plate-shaped heat storage member is attached to a main surface, and the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of a material substrate. It is characterized by that.

好ましい実施の形態では、上記基板は、Siからなる。 In a preferred embodiment, the substrate is made of Si.

上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 The plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 .

好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、陽極接合により、上記基板材料の上記主面の全面もしくは略全面に貼着される。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate material by anodic bonding.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present invention will become more apparent with the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。It is a top view which shows the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。It is a main part plan view which shows the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1のIV−IV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IV-IV line of FIG. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of the main part which shows the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図であるIt is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows the thermal print head which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of the main part which shows the thermal print head which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows an example of the manufacturing method of the thermal printhead which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1〜図6は、本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドA1は、ヘッド基板1、接続基板5および放熱部材8を有する。ヘッド基板1および接続基板5は、放熱部材8上に副走査方向yに隣接させて搭載されている。ヘッド基板1には、後に詳説する構成により、主走査方向xに配列される複数の発熱部41が形成されている。この発熱部41は、接続基板5上に搭載されたドライバIC7により選択的に発熱駆動され、コネクタ59を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ91により発熱部41に押圧される感熱紙等の印字媒体に印字を行う。 1 to 6 show a thermal print head according to a first embodiment of the present invention. The thermal printed head A1 has a head substrate 1, a connecting substrate 5, and a heat radiating member 8. The head substrate 1 and the connection substrate 5 are mounted on the heat radiating member 8 so as to be adjacent to each other in the sub-scanning direction y. A plurality of heat generating portions 41 arranged in the main scanning direction x are formed on the head substrate 1 according to the configuration described in detail later. The heat generating portion 41 is selectively heat-driven by the driver IC 7 mounted on the connection board 5, and is pressed against the heat generating portion 41 by the platen roller 91 according to a print signal transmitted from the outside via the connector 59. Print on a printing medium such as thermal paper.

ヘッド基板1は、主走査方向xを長手方向とし、副走査方向yを短手方向とする細長矩形状の平面形状を有する。ヘッド基板1の大きさは限定されないが、一例を挙げると、主走査方向xの寸法は、例えば50〜150mm、副走査方向yの寸法は、例えば2.0〜5.0mm、厚さ方向zの寸法は、例えば725μmである。なお、以下の説明において、ヘッド基板1における副走査方向yのドライバIC7に近い側を上流側といい、ドライバIC7から遠い側を下流側という。 The head substrate 1 has an elongated rectangular planar shape with the main scanning direction x as the longitudinal direction and the sub-scanning direction y as the lateral direction. The size of the head substrate 1 is not limited, but for example, the dimension of the main scanning direction x is, for example, 50 to 150 mm, the dimension of the sub scanning direction y is, for example, 2.0 to 5.0 mm, and the thickness direction z. The size of is, for example, 725 μm. In the following description, the side of the head substrate 1 in the sub-scanning direction y near the driver IC 7 is referred to as an upstream side, and the side far from the driver IC 7 is referred to as a downstream side.

本実施形態のヘッド基板1は、例えば、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、Siが好適である。 The head substrate 1 of the present embodiment is made of, for example, a single crystal semiconductor. Si is suitable as the single crystal semiconductor.

図5および図6に示すように、ヘッド基板1の主面11には、蓄熱層15が形成されている。この蓄熱層15は、例えばSiO2からなる板状蓄熱部材150を上記主面11に貼着することによって形成されている。後記する製造方法によれば、この蓄熱層15は、SiO2ウエハをSiウエハに例えば陽極接合により貼着し、研磨により必要な厚さを得るようにしている。こうして形成される蓄熱層15の厚さは、例えば30〜50μmという十分な厚さとすることができる。また、本実施形態では、蓄熱層15は、ヘッド基板1の主面11の全面にわたって形成されている。 As shown in FIGS. 5 and 6, a heat storage layer 15 is formed on the main surface 11 of the head substrate 1. The heat storage layer 15 is formed by, for example, attaching a plate-shaped heat storage member 150 made of SiO 2 to the main surface 11. According to the manufacturing method described later, the heat storage layer 15 is formed by attaching a SiO 2 wafer to a Si wafer by, for example, anodic bonding, and polishing to obtain a required thickness. The thickness of the heat storage layer 15 thus formed can be a sufficient thickness of, for example, 30 to 50 μm. Further, in the present embodiment, the heat storage layer 15 is formed over the entire surface of the main surface 11 of the head substrate 1.

蓄熱層15の上層には、少なくとも、抵抗体層4、電極層3および保護層2がこの順で形成されている。 At least the resistor layer 4, the electrode layer 3, and the protective layer 2 are formed in this order on the upper layer of the heat storage layer 15.

抵抗体層4は、蓄熱層15の上層に形成されている。抵抗体層4は、後記する電極層3に覆われずに露出する部分が発熱部41を形成する。この発熱部41は、その多数が主走査方向xに配列されている。抵抗体層4は、たとえばTaNからなり、その厚さは特に限定されず、例えば0.02μm〜0.1μmである。抵抗体層4は、副走査方向yに所定幅を有し、各発熱部41を主走査方向xについて独立させるため、主走査方向xについて分離形成されている。 The resistor layer 4 is formed on the upper layer of the heat storage layer 15. The portion of the resistor layer 4 that is exposed without being covered by the electrode layer 3, which will be described later, forms the heat generating portion 41. Many of the heat generating portions 41 are arranged in the main scanning direction x. The resistor layer 4 is made of, for example, TaN, and its thickness is not particularly limited, and is, for example, 0.02 μm to 0.1 μm. The resistor layer 4 has a predetermined width in the sub-scanning direction y, and is formed separately in the main scanning direction x in order to make each heat generating portion 41 independent in the main scanning direction x.

電極層3は、ヘッド基板1の上流側に形成される複数の個別電極層31と、ヘッド基板1の下流側に形成される共通電極層32とを含む。各個別電極層31は、概ね副走査方向yに延びる帯状をしており、それらの下流側先端は、抵抗体層15の上流側端部に重なる位置まで延びている。各個別電極層31の上流側端部には、個別パッド部311が形成されている。個別パッド部311は、接続基板5に搭載される駆動IC7とワイヤ61により接続される部分である。共通電極層32は、複数の櫛歯部324と、これら複数の櫛歯部324を共通につなげる共通部323とを有する。共通部323はヘッド基板1の上流側の縁に沿って主走査方向xに形成され、各櫛歯部324は、共通部323から分かれて副走査方向yに延びる帯状をしており、各個別電極層31の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。共通部323は、その主走査方向x両端から副走査方向yに折れ曲がってヘッド基板1の下流側に至る延長部325を有する。電極層3は、例えばCuからなり、その厚さは、例えば0.3〜2.0μmである。上記したように、抵抗体層4のうち、個別電極層31と、これに先端部どうしが対向する共通電極層32の上記櫛歯部324とに覆われていない部分が各発熱部41を形成する。 The electrode layer 3 includes a plurality of individual electrode layers 31 formed on the upstream side of the head substrate 1 and a common electrode layer 32 formed on the downstream side of the head substrate 1. Each individual electrode layer 31 has a strip shape extending substantially in the sub-scanning direction y, and its downstream tip extends to a position overlapping the upstream end of the resistor layer 15. An individual pad portion 311 is formed at the upstream end of each individual electrode layer 31. The individual pad portion 311 is a portion connected to the drive IC 7 mounted on the connection board 5 by a wire 61. The common electrode layer 32 has a plurality of comb tooth portions 324 and a common portion 323 that connects the plurality of comb tooth portions 324 in common. The common portion 323 is formed in the main scanning direction x along the upstream edge of the head substrate 1, and each comb tooth portion 324 has a strip shape that is separated from the common portion 323 and extends in the sub scanning direction y. It is opposed to the tip of the electrode layer 31 at a predetermined interval. The common portion 323 has an extension portion 325 that is bent in the sub-scanning direction y from both ends of the main scanning direction x and extends to the downstream side of the head substrate 1. The electrode layer 3 is made of, for example, Cu, and its thickness is, for example, 0.3 to 2.0 μm. As described above, the portion of the resistor layer 4 that is not covered with the individual electrode layer 31 and the comb tooth portion 324 of the common electrode layer 32 whose tip portions face each other forms each heat generating portion 41. To do.

抵抗体層4および電極層3はさらに、保護層2で覆われている。保護層2は、絶縁性の材料からなり、例えばSiO2、SiN、SiC、AlN等からなる。保護層2の厚みは、例えば1.0〜10μmである。 The resistor layer 4 and the electrode layer 3 are further covered with a protective layer 2. The protective layer 2 is made of an insulating material, for example, SiO 2 , SiC, SiC, AlN, or the like. The thickness of the protective layer 2 is, for example, 1.0 to 10 μm.

図2および図5に示すように、保護層2は、パッド用開口21を有する。パッド用開口21は、複数の個別電極層31に設けた個別パッド部311を露出させている。 As shown in FIGS. 2 and 5, the protective layer 2 has a pad opening 21. The pad opening 21 exposes the individual pad portions 311 provided in the plurality of individual electrode layers 31.

接続基板5は、ヘッド基板1に対して副走査方向y上流側に隣接して配置されている。接続基板5は、例えばPCB基板であり、ドライバIC7やコネクタ59が搭載される。接続基板5は、主走査方向xを長手方向とする平面視長矩形状をしている。 The connection board 5 is arranged adjacent to the head board 1 on the upstream side in the sub-scanning direction y. The connection board 5 is, for example, a PCB board on which a driver IC 7 and a connector 59 are mounted. The connection board 5 has a rectangular shape in a plan view with the main scanning direction x as the longitudinal direction.

ドライバIC7は、接続基板5上に搭載されており、複数の発熱部41に個別に通電させるために設けられる。ドライバIC7と上記各個別電極層31の各個別パッド部311間は、複数のワイヤ61によって接続される。ドライバIC7はまた、接続基板5上に形成された配線パターンに対して、ワイヤ62によって接続されている。ドライバIC7には、コネクタ59を介して外部から送信される印字信号が入力される。複数の発熱部41は、印字信号に従って個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。 The driver IC 7 is mounted on the connection board 5 and is provided to individually energize a plurality of heat generating portions 41. The driver IC 7 and each individual pad portion 311 of each of the individual electrode layers 31 are connected by a plurality of wires 61. The driver IC 7 is also connected by a wire 62 to the wiring pattern formed on the connection board 5. A print signal transmitted from the outside is input to the driver IC 7 via the connector 59. The plurality of heat generating units 41 are selectively energized according to the print signal to selectively generate heat.

ドライバIC7およびワイヤ61,62は、ヘッド基板1と接続基板5とに跨るようにして保護樹脂78で覆われている。保護樹脂78は、例えばエポキシ樹脂等の黒色の絶縁性樹脂が用いられる。 The driver IC 7 and the wires 61 and 62 are covered with the protective resin 78 so as to straddle the head substrate 1 and the connection substrate 5. As the protective resin 78, a black insulating resin such as an epoxy resin is used.

放熱部材8は、ヘッド基板1および接続基板5を支持しており、発熱部41により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材8は、例えばアルミ等の金属製である。 The heat radiating member 8 supports the head substrate 1 and the connecting substrate 5, and is provided to dissipate a part of the heat generated by the heat generating portion 41 to the outside. The heat radiating member 8 is made of metal such as aluminum.

次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図7〜図13を参照して説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A1 will be described with reference to FIGS. 7 to 13.

まず、図7に示すように、材料基板1Aを用意する。材料基板1Aは、単結晶半導体からなり、たとえばSiウエハである。材料基板1Aは、平坦な主面11Aを有し、当該主面11Aは(100)面とするのが好ましい。 First, as shown in FIG. 7, the material substrate 1A is prepared. The material substrate 1A is made of a single crystal semiconductor, for example, a Si wafer. The material substrate 1A preferably has a flat main surface 11A, and the main surface 11A is preferably a (100) surface.

次いで、図8に示すように、材料基板1Aの主面11Aの全面にわたり、板状蓄熱部材150としてのSiO2ウエハ150Aを貼着する。この貼着の手法としては、陽極接合が適当である。 Next, as shown in FIG. 8, the SiO 2 wafer 150A as the plate-shaped heat storage member 150 is attached over the entire surface of the main surface 11A of the material substrate 1A. Anode bonding is suitable as the method of this attachment.

次いで、図9に示すように、板状蓄熱部材150の表面を研磨することにより、その厚さを所望の厚さ、例えば30〜50μmに設定する。 Then, as shown in FIG. 9, the surface of the plate-shaped heat storage member 150 is polished to set the thickness to a desired thickness, for example, 30 to 50 μm.

次いで、図10に示すように、抵抗体膜4Aを形成する。抵抗体膜4Aの形成は、例えばスパッタリングによりTaNの薄膜を形成することによって行う。 Next, as shown in FIG. 10, a resistor film 4A is formed. The resistor film 4A is formed, for example, by forming a thin film of TaN by sputtering.

次いで、図11に示すように、抵抗体膜4Aにエッチングを施すことにより、副走査方向yに所定幅を有し、主走査方向xに延びる抵抗体層4を形成する。 Next, as shown in FIG. 11, by etching the resistor film 4A, a resistor layer 4 having a predetermined width in the sub-scanning direction y and extending in the main scanning direction x is formed.

次いで、図12に示すように、導電膜3Aを形成する。導電膜3Aの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりCuからなる層を形成することによって行う。 Then, as shown in FIG. 12, the conductive film 3A is formed. The conductive film 3A is formed by, for example, forming a layer made of Cu by plating or sputtering.

次いで、図13に示すように、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向xに分離された抵抗体層4、この抵抗体層4を発熱部41を残して覆う個別電極層31、および共通電極層32の櫛歯部324を形成する。 Next, as shown in FIG. 13, the conductive film 3A and the resistor film 4A are selectively etched to separate the resistor layer 4 in the main scanning direction x, and the resistor layer 4 is subjected to the heat generating portion 41. The individual electrode layer 31 to be left and covered, and the comb tooth portion 324 of the common electrode layer 32 are formed.

次いで、保護層2を形成する、保護層2の形成は、例えばCVDを用いて電極層3および抵抗体層4上にSiNおよびSiCを堆積させることにより行われる。また、保護層2をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口21を形成する。この後は、放熱部材8上へのヘッド基板1および接続基板5の組付け、接続基板5へのドライバIC7接続の搭載、ワイヤ61,62のボンディング、保護樹脂78の形成等を行うことにより、図1〜図6に示したサーマルプリントヘッドA1が得られる。 Next, the protective layer 2 for forming the protective layer 2 is formed by depositing SiC and SiC on the electrode layer 3 and the resistor layer 4 using, for example, CVD. Further, the pad opening 21 is formed by partially removing the protective layer 2 by etching or the like. After that, the head substrate 1 and the connection substrate 5 are assembled on the heat radiating member 8, the driver IC7 connection is mounted on the connection substrate 5, the wires 61 and 62 are bonded, the protective resin 78 is formed, and the like. The thermal print head A1 shown in FIGS. 1 to 6 can be obtained.

次に、第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1の作用について説明する。 Next, the operation of the thermal print head A1 according to the first embodiment will be described.

ヘッド基板1の材料であるSiウエハは、比較的熱伝導性がよく、何らの手当も行わないと発熱部41が発する熱を無駄に放熱部材8に向けて漏出させ、高速印字に不向きとなるが、このサーマルプリントヘッドA1においては、発熱部41の下位に十分な厚さの蓄熱層15が形成されているため、発熱部41が発する熱の無駄な漏出が防がれ、高速印字にも適するようになる。 The Si wafer, which is the material of the head substrate 1, has relatively good thermal conductivity, and if no treatment is performed, the heat generated by the heat generating portion 41 is wasted and leaks toward the heat radiating member 8, which makes it unsuitable for high-speed printing. However, in this thermal print head A1, since a heat storage layer 15 having a sufficient thickness is formed below the heat generating portion 41, wasteful leakage of heat generated by the heat generating portion 41 is prevented, and high-speed printing is also possible. Become suitable.

しかも、蓄熱層15は、SiO2ウエハをSiウエハに対して貼着することによって形成されているため、例えばSiO2をスパッタリングで付着させて形成することに比較し、圧倒的な厚みで、かつ圧倒的に短時間で形成することができ、このことは、サーマルプリントヘッドA1の製造効率の向上およびコスト低減に大いに寄与する。 Moreover, since the heat storage layer 15 is formed by attaching the SiO 2 wafer to the Si wafer, the heat storage layer 15 has an overwhelming thickness and is overwhelmingly thicker than, for example, formed by adhering SiO 2 by sputtering. It can be formed in an overwhelmingly short time, which greatly contributes to the improvement of manufacturing efficiency and cost reduction of the thermal print head A1.

図14〜図15は、本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドA2は、ヘッド基板1の主面11における発熱部41の下位に位置する領域に副走査方向y所定幅で主走査方向xに延びる凹陥部115が形成されている点が第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドのA1と異なる。図14〜図15においては、第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1と同一または同等の部材または部分には同一の参照符号を付して以下における詳細な説明を省略する。 14 to 15 show a thermal print head according to a second embodiment of the present invention. The first point of the thermal print head A2 is that a recessed portion 115 extending in the main scanning direction x with a predetermined width in the sub scanning direction y is formed in a region located below the heat generating portion 41 on the main surface 11 of the head substrate 1. It is different from A1 of the thermal print head according to the embodiment. In FIGS. 14 to 15, members or parts that are the same as or equivalent to the thermal printhead A1 according to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted below.

ヘッド基板1の主面11における、発熱部41の副走査方向y位置と対応する位置に、主走査方向xに延びる凹陥部115が形成されている。この凹陥部115の深さは、例えば10〜100μmとされる。 On the main surface 11 of the head substrate 1, a recessed portion 115 extending in the main scanning direction x is formed at a position corresponding to the sub-scanning direction y position of the heat generating portion 41. The depth of the recessed portion 115 is, for example, 10 to 100 μm.

蓄熱層15は、凹陥115部を覆うようにして、主面11の全面にわたって貼着により形成されている。これにより、発熱部41の副走査方向y位置に対応して、蓄熱層15の直下に凹陥部115による空隙115Aが形成される。蓄熱層15の上層には、第1実施形態と同様に、少なくとも、抵抗体層4、電極層3および保護層2がこの順で形成されている。 The heat storage layer 15 is formed by sticking over the entire surface of the main surface 11 so as to cover the recessed 115 portion. As a result, a gap 115A due to the recessed portion 115 is formed directly below the heat storage layer 15 corresponding to the position y in the sub-scanning direction of the heat generating portion 41. Similar to the first embodiment, at least the resistor layer 4, the electrode layer 3, and the protective layer 2 are formed on the upper layer of the heat storage layer 15 in this order.

次に、サーマルプリントヘッドA2の製造方法の一例について、図16〜図23を参照して説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A2 will be described with reference to FIGS. 16 to 23.

まず、図16に示すように、材料基板1Aを用意する。材料基板1Aは、単結晶半導体からなり、たとえばSiウエハである。材料基板1Aは、平坦な主面11Aを有し、当該主面11Aは(100)面とするのが好ましい。 First, as shown in FIG. 16, the material substrate 1A is prepared. The material substrate 1A is made of a single crystal semiconductor, for example, a Si wafer. The material substrate 1A preferably has a flat main surface 11A, and the main surface 11A is preferably a (100) surface.

次いで、図17に示すように、材料基板1Aの主面11Aに凹陥部115を形成する。凹陥部115の形成は、例えば、異方性エッチングにより行うことができる。上記したように、凹陥部115Aの深さは、例えば10〜100μmである。 Next, as shown in FIG. 17, a recessed portion 115 is formed on the main surface 11A of the material substrate 1A. The recessed portion 115 can be formed, for example, by anisotropic etching. As described above, the depth of the recessed portion 115A is, for example, 10 to 100 μm.

次いで、図18に示すように、材料基板1Aの主面11Aの全面にわたり、板状蓄熱部材150としてのSiO2ウエハ150Aを貼着する。この貼着の手法としては、陽極接合が適当である。 Next, as shown in FIG. 18, the SiO 2 wafer 150A as the plate-shaped heat storage member 150 is attached over the entire surface of the main surface 11A of the material substrate 1A. Anode bonding is suitable as the method of this attachment.

次いで、図19に示すように、板状蓄熱部材150の表面を研磨することにより、板状蓄熱部材150の厚さを所望の厚さ、例えば30〜50μmに設定する。 Next, as shown in FIG. 19, the thickness of the plate-shaped heat storage member 150 is set to a desired thickness, for example, 30 to 50 μm, by polishing the surface of the plate-shaped heat storage member 150.

次いで、図20に示すように、抵抗体膜4Aを形成する。抵抗体膜4Aの形成は、例えばスパッタリングによりTaNの薄膜を形成することによって行う。 Next, as shown in FIG. 20, a resistor film 4A is formed. The resistor film 4A is formed, for example, by forming a thin film of TaN by sputtering.

次いで、図21に示すように、抵抗体膜4Aにエッチングを施すことにより、副走査方向に所定幅を有し、主走査方向xに延びる抵抗体層4を形成する。 Next, as shown in FIG. 21, the resistor film 4A is etched to form a resistor layer 4 having a predetermined width in the sub-scanning direction and extending in the main scanning direction x.

次いで、図22に示すように、導電膜3Aを形成する。導電膜3Aの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりCuからなる層を形成することによって行う。 Then, as shown in FIG. 22, the conductive film 3A is formed. The conductive film 3A is formed by, for example, forming a layer made of Cu by plating or sputtering.

次いで、図23に示すように、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向xに分離された抵抗体層4、この抵抗体層4を発熱部41を残して覆う個別電極層31、および共通電極層32の櫛歯部324を形成する。 Next, as shown in FIG. 23, the conductive film 3A and the resistor film 4A are selectively etched to separate the resistor layer 4 in the main scanning direction x, and the resistor layer 4 is subjected to the heat generating portion 41. The individual electrode layer 31 to be left and covered, and the comb tooth portion 324 of the common electrode layer 32 are formed.

次いで、保護層2を形成する、保護層2の形成は、例えばCVDを用いて電極層3および抵抗体層4上にSiNおよびSiCを堆積させることにより行われる。また、保護層2をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口21を形成する。この後は、放熱部材8上へのヘッド基板1および接続基板5の組付け、接続基板5へのドライバIC7接続の搭載、ワイヤ61,62のボンディング、保護樹脂78の形成等を行うことにより、図14〜図15に示したサーマルプリントヘッドA2が得られる。 Next, the protective layer 2 for forming the protective layer 2 is formed by depositing SiC and SiC on the electrode layer 3 and the resistor layer 4 using, for example, CVD. Further, the pad opening 21 is formed by partially removing the protective layer 2 by etching or the like. After that, the head substrate 1 and the connection substrate 5 are assembled on the heat radiating member 8, the driver IC7 connection is mounted on the connection substrate 5, the wires 61 and 62 are bonded, the protective resin 78 is formed, and the like. The thermal print head A2 shown in FIGS. 14 to 15 can be obtained.

第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドA2は、第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1について上述したのと基本的に同様の作用を奏する。 The thermal print head A2 according to the second embodiment has basically the same operation as described above for the thermal print head A1 according to the first embodiment.

加えて第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドA2は、蓄熱層15の下位に凹陥部115による空隙115Aを有するため、蓄熱性能さらに向上させることができる。 In addition, since the thermal print head A2 according to the second embodiment has a void 115A due to the recessed portion 115 below the heat storage layer 15, the heat storage performance can be further improved.

また、第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドA2においては、蓄熱層15を板状蓄熱部材150をヘッド基板1の主面11に貼着することにより形成しているために、蓄熱層15の直下に凹陥部115による空隙115Aを形成することができ、これにより蓄熱性能を向上させることができる。 Further, in the thermal print head A2 according to the second embodiment, since the heat storage layer 15 is formed by attaching the plate-shaped heat storage member 150 to the main surface 11 of the head substrate 1, the heat storage layer 15 is directly below the heat storage layer 15. A gap 115A can be formed in the recessed portion 115, whereby the heat storage performance can be improved.

もちろん、本発明の範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した事項の範囲内でのあらゆる変更は、すべて本発明の範囲に含まれる。 Of course, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and any modification within the scope of the matters described in each claim is included in the scope of the present invention.

例えば、複数の発熱部41に関して、主走査方向xに独立配置した抵抗体層の露出部に選択的に通電して発熱させるあらゆる発熱部の形態を採用できることは、もちろんである。 For example, with respect to the plurality of heat generating portions 41, it is of course possible to adopt any form of heat generating portions that selectively energizes the exposed portions of the resistor layers independently arranged in the main scanning direction x to generate heat.

A1、A2 :サーマルプリントヘッド
1 :ヘッド基板
1A :材料基板
2 :保護層
3 :電極層
3A :導電膜
4 :抵抗体層
4A :抵抗体膜
5 :接続基板
7 :ドライバIC
8 :放熱部材
11 :主面
11A :主面
15 :蓄熱層
21 :パッド用開口
31 :個別電極層
32 :共通電極層
41 :発熱部
59 :コネクタ
61 :ワイヤ
62 :ワイヤ
78 :保護樹脂
91 :プラテンローラ
115 :凹陥部
115A :空隙
150 :板状蓄熱部材
150A ;SiO2ウエハ
151 :レジスト
311 ;電極パッド部
323 :共通部
324 :櫛歯部
325 :延長部
x :主走査方向
y :副走査方向
A1, A2: Thermal printed head 1: Head substrate 1A: Material substrate 2: Protective layer 3: Electrode layer 3A: Conductive film 4: Resistor layer 4A: Resistor film 5: Connection substrate 7: Driver IC
8: Heat dissipation member 11: Main surface 11A: Main surface 15: Heat storage layer 21: Pad opening 31: Individual electrode layer 32: Common electrode layer 41: Heat generating part 59: Connector 61: Wire 62: Wire 78: Protective resin 91: Platen roller 115: Recessed portion 115A: Void 150: Plate-shaped heat storage member 150A; SiO 2 wafer 151: Resist 311; Electrode pad portion 323: Common portion 324: Comb tooth portion 325: Extension portion x: Main scanning direction y: Sub-scanning direction

Claims (21)

主面を有する基板と、
上記基板の上記主面に形成された蓄熱層と、
上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、
上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
A substrate with a main surface and
The heat storage layer formed on the main surface of the substrate and
The upper layer of the heat storage layer includes a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction.
The thermal print head is characterized in that the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate.
上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている、請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。 Each of the plurality of heat generating portions is laminated on the resistor layer and the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and an upstream conductive layer and a downstream conductive layer capable of energizing each other. The thermal printhead according to claim 1, which is formed to include a layer. 上記基板は、Siからなる、請求項1または2に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 1 or 2, wherein the substrate is made of Si. 上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる、請求項3に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 3, wherein the plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 . 上記板状蓄熱部材は、30〜50μmの厚さを有する、請求項4に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 4, wherein the plate-shaped heat storage member has a thickness of 30 to 50 μm. 上記板状蓄熱部材は、上記基板の上記主面の全面もしくは略全面に貼着されている、請求項1ないし5のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to any one of claims 1 to 5, wherein the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate. 主面に主走査方向に延びる凹陥部を有する基板と、
上記基板の上記主面に上記凹陥部を覆うようにして形成された蓄熱層と、
上記蓄熱層の上層であって上記凹陥部の上方に位置させて、主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、
上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
A substrate having a recess extending in the main scanning direction on the main surface,
A heat storage layer formed on the main surface of the substrate so as to cover the recessed portion,
A plurality of heat generating portions, which are upper layers of the heat storage layer and are located above the recessed portions and are arranged in the main scanning direction, are included.
The thermal print head is characterized in that the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate.
上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている、請求項7に記載のサーマルプリントヘッド。 Each of the plurality of heat generating portions is laminated on the resistor layer and the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and an upstream conductive layer and a downstream conductive layer capable of energizing each other. The thermal printhead according to claim 7, which is formed by including a layer. 上記基板は、Siからなる、請求項7または8に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 7 or 8, wherein the substrate is made of Si. 上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる、請求項9に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 9, wherein the plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 . 上記板状蓄熱部材は、30〜50μmの厚さを有する、請求項10に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 10, wherein the plate-shaped heat storage member has a thickness of 30 to 50 μm. 上記凹陥部の深さは、10〜100μmである、請求項7ないし11のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to any one of claims 7 to 11, wherein the depth of the recessed portion is 10 to 100 μm. 上記板状蓄熱部材は、上記基板の上記主面の全面もしくは略全面に貼着されている、請求項7ないし12のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to any one of claims 7 to 12, wherein the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate. 主面を有する基板と、上記基板の上記主面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されている、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、
上記蓄熱層は、材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする、サーマルプリントヘッドの製造方法。
A substrate having a main surface, a heat storage layer formed on the main surface of the substrate, and a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction on the upper layer of the heat storage layer are included, and the heat storage layer is the substrate. A method for manufacturing a thermal print head, which is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of the above.
A method for manufacturing a thermal print head, wherein the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to a main surface of a material substrate.
上記材料基板は、Siからなる、請求項14に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal print head according to claim 14, wherein the material substrate is made of Si. 上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる、請求項15に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal print head according to claim 15, wherein the plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 . 上記板状蓄熱部材は、陽極接合により、上記基板材料の上記主面の全面もしくは略全面に貼着される、請求項15に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal print head according to claim 15, wherein the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate material by anode bonding. 主面に主走査方向に延び凹陥部を有する基板と、上記基板の上記主面に上記凹陥部を覆うようにして形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層であって上記凹陥部の上方に位置させて、主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されている、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、
上記蓄熱層は、材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする、サーマルプリントヘッドの製造方法。
A substrate having a concave portion extending in the main scanning direction on the main surface, a heat storage layer formed on the main surface of the substrate so as to cover the concave portion, and an upper layer of the heat storage layer above the concave portion. A thermal print head including a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction, and the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate. It is a manufacturing method of
A method for manufacturing a thermal print head, wherein the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to a main surface of a material substrate.
上記基板は、Siからなる、請求項18に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal printhead according to claim 18, wherein the substrate is made of Si. 上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる、請求項19に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal print head according to claim 19, wherein the plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 . 上記板状蓄熱部材は、陽極接合により、上記基板材料の上記主面の全面もしくは略全面に貼着される、請求項20に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal print head according to claim 20, wherein the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate material by anode bonding.
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