JP2023162585A - Thermal print head, manufacturing method of the same, and thermal printer - Google Patents

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Abstract

To provide a thermal print head which enables improvement of printing efficiency and a manufacturing method of the thermal print head, and to provide a thermal printer.SOLUTION: A thermal print head A1 includes: a heating substrate 1 having a major surface 11 directed to a first side z1 in a thickness direction z; a glaze layer 15 disposed on the first side z1 of the heating substrate 1; and a resistor layer 4 including multiple heating parts 41 arranged along a main scanning direction x at the first side z1 of the heating substrate 1. The glaze layer 15 includes: a top surface 151 extending in the main scanning direction x; and a first recessed part 152 recessed from the top surface 151 in the thickness direction z and extending in the main scanning direction x. Each heating part 41 includes a first area 41a disposed on the top surface 151.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本開示は、サーマルプリントヘッドおよびその製造方法と、当該サーマルプリントヘッドを備えているサーマルプリンタとに関する。 The present disclosure relates to a thermal print head, a method for manufacturing the same, and a thermal printer including the thermal print head.

特許文献1には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。同文献に開示されたサーマルプリントヘッドは、主走査方向に延びる凸部が主面に一体に形成されたヘッド基板を備えている。凸部上には複数の発熱部が配置されている。凸部と複数の発熱部との間には、グレーズで構成された蓄熱層が介在している。蓄熱層の表面は、凸部の一対の傾斜外面にかけて滑らかに連続するように、副走査方向両端にラウンド部が形成されている。発熱部が凸部上に配置されているため、印字媒体は、プラテンローラを介して確実に発熱部に押圧される。サーマルプリントヘッドにおいては、印字効率の向上が望まれている。 Patent Document 1 discloses an example of a conventional thermal print head. The thermal print head disclosed in this document includes a head substrate having a main surface integrally formed with a convex portion extending in the main scanning direction. A plurality of heat generating parts are arranged on the convex part. A heat storage layer made of glaze is interposed between the convex portion and the plurality of heat generating portions. On the surface of the heat storage layer, round portions are formed at both ends in the sub-scanning direction so as to be smoothly continuous over the pair of inclined outer surfaces of the convex portion. Since the heat generating part is arranged on the convex part, the print medium is reliably pressed against the heat generating part via the platen roller. In thermal print heads, it is desired to improve printing efficiency.

特開2021-11021号公報JP 2021-11021 Publication

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、印字効率の向上が可能なサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。 The present disclosure was conceived under the above circumstances, and an object of the present disclosure is to provide a thermal print head that can improve printing efficiency.

本開示の第1の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、厚さ方向の第1側を向く主面を有する発熱基板と、前記発熱基板の前記第1側に配置されたグレーズ層と、前記発熱基板の前記第1側で主走査方向に沿って配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、を備え、前記グレーズ層は、前記厚さ方向の第1側を向き、かつ、前記主走査方向に延びる頂面と、前記頂面から前記厚さ方向に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第1凹部と、を備え、前記発熱部は前記頂面に配置された第1領域を含んでいる。 A thermal print head provided by a first aspect of the present disclosure includes: a heat generating substrate having a main surface facing a first side in the thickness direction; a glaze layer disposed on the first side of the heat generating substrate; a resistor layer including a plurality of heat generating parts arranged along the main scanning direction on the first side of the heat generating substrate, the glaze layer facing the first side in the thickness direction; a top surface extending in the main scanning direction; and a first recessed portion recessed from the top surface in the thickness direction and extending in the main scanning direction, and the heat generating portion is provided in a first region disposed on the top surface. Contains.

本開示の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、厚さ方向の第1側を向く主面を有する基材を準備する基材準備工程と、前記基材の前記第1側にグレーズ層を形成するグレーズ形成工程と、前記グレーズ層に、前記厚さ方向の第1側を向き、かつ、主走査方向に延びる頂面と、前記頂面から前記厚さ方向に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第1凹部と、を形成する凹部形成工程と、を備えている。 A method for manufacturing a thermal print head provided by a second aspect of the present disclosure includes a base material preparation step of preparing a base material having a main surface facing a first side in the thickness direction; a glaze forming step of forming a glaze layer on a side; a top surface of the glaze layer facing the first side in the thickness direction and extending in the main scanning direction; and a recess from the top surface in the thickness direction; and a recess forming step of forming a first recess extending in the main scanning direction.

本開示に係るサーマルプリントヘッドは、印字効率の向上が可能である。 The thermal print head according to the present disclosure can improve printing efficiency.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present disclosure will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

図1は、本開示の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a thermal print head according to a first embodiment of the present disclosure. 図2は、図1のサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。FIG. 2 is a plan view of essential parts of the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図3は、図1のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of essential parts of the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図4は、図1のIV-IV線に沿う断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 図5は、図1のサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。FIG. 5 is a sectional view of essential parts of the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図6は、図1のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図7は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing the thermal print head shown in FIG. 図8は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図9は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図10は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図11は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged sectional view of a main part showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図12は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 12 is an enlarged sectional view of a main part showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図13は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図14は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 図15は、図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. FIG. 図16は、本開示の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 16 is an enlarged sectional view of main parts showing a thermal print head according to a second embodiment of the present disclosure. 図17は、本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a thermal print head according to a third embodiment of the present disclosure. 図18は、本開示の第4実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 18 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a thermal print head according to a fourth embodiment of the present disclosure. 図19は、本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 19 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a thermal print head according to a fifth embodiment of the present disclosure. 図20は、本開示の第6実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 20 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a thermal print head according to a sixth embodiment of the present disclosure. 図21は、本開示の第7実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 21 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a thermal print head according to a seventh embodiment of the present disclosure.

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be specifically described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
図1~図6は、本開示の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1を示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA1は、発熱基板1、保護層2、導電層3、抵抗体層4、グレーズ層15、絶縁層18、第1基板5、ドライバIC55、第2基板6、コネクタ69、第3基板7、および放熱部材8を備えている。サーマルプリントヘッドA1は、図4に示すようにサーマルプリンタB1に組み込まれており、プラテンローラ91との間に挟まれて搬送される印刷媒体92に印刷を施す。プラテンローラ91は、後述する発熱部41に対向して配置されており、印刷媒体92を搬送しつつ、印刷媒体92を発熱部41に押圧する。このような印刷媒体92としては、たとえばバーコードシートまたはデートコードシートを作成するための感熱紙が挙げられる。
<First embodiment>
1 to 6 show a thermal print head A1 according to a first embodiment of the present disclosure. The thermal print head A1 of this embodiment includes a heat generating board 1, a protective layer 2, a conductive layer 3, a resistor layer 4, a glaze layer 15, an insulating layer 18, a first board 5, a driver IC 55, a second board 6, and a connector 69. , a third substrate 7, and a heat dissipation member 8. The thermal print head A1 is incorporated into a thermal printer B1 as shown in FIG. 4, and prints on a print medium 92 that is conveyed while being sandwiched between a platen roller 91. The platen roller 91 is arranged to face the heat generating section 41, which will be described later, and presses the print medium 92 against the heat generating section 41 while conveying the print medium 92. Examples of such print media 92 include thermal paper for creating barcode sheets or date code sheets.

図1は、サーマルプリントヘッドA1を示す平面図である。図2は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部平面図である。図3は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図1~図3においては、理解の便宜上、保護層2を省略している。図2においては、理解の便宜上、後述の保護樹脂57およびワイヤ561を省略している。図4は、図1のIV-IV線に沿う断面図である。図5は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部断面図である。図6は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大断面図である。また、これらの図において、発熱基板1の長手方向を主走査方向xとし、短手方向を副走査方向yとし、厚さ方向を厚さ方向zとして説明する。また、副走査方向yについては、図1~図3の下方(図4および図5の右方)を印刷媒体92が送られてくる上流側y1とし、図1~図3の上方(図4および図5の左方)を印刷媒体92が排出される下流側y2とする。また、厚さ方向zについては、図4および図5の上方を第1側z1とし、図4および図5の下方を第2側z2とする。また、主走査方向xについては、図1~図3の左方を第1側x1とし、図1~図3の右方を第2側x2とする。以下の図においても同様である。 FIG. 1 is a plan view showing the thermal print head A1. FIG. 2 is a plan view of the main parts of the thermal print head A1. FIG. 3 is an enlarged plan view of the main parts of the thermal print head A1. In FIGS. 1 to 3, the protective layer 2 is omitted for convenience of understanding. In FIG. 2, for convenience of understanding, a protective resin 57 and a wire 561, which will be described later, are omitted. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. FIG. 5 is a sectional view of a main part of the thermal print head A1. FIG. 6 is an enlarged sectional view of the main parts of the thermal print head A1. Further, in these figures, description will be made assuming that the longitudinal direction of the heat generating substrate 1 is the main scanning direction x, the lateral direction is the sub-scanning direction y, and the thickness direction is the thickness direction z. Regarding the sub-scanning direction y, the lower side of FIGS. 1 to 3 (the right side of FIGS. 4 and 5) is the upstream side y1 where the print medium 92 is sent, and the upper side of FIGS. 1 to 3 (the right side of FIGS. and the left side of FIG. 5) is defined as the downstream side y2 where the print medium 92 is discharged. Further, regarding the thickness direction z, the upper side in FIGS. 4 and 5 is defined as a first side z1, and the lower side in FIGS. 4 and 5 is defined as a second side z2. Regarding the main scanning direction x, the left side in FIGS. 1 to 3 is a first side x1, and the right side in FIGS. 1 to 3 is a second side x2. The same applies to the following figures.

発熱基板1は、放熱部材8に搭載され、導電層3および抵抗体層4を支持するものである。発熱基板1は、主走査方向xを長手方向とし、副走査方向yを幅方向とする細長矩形状である。発熱基板1の大きさは特に限定されないが、一例を挙げると、発熱基板1の厚さは、たとえば0.5~1mm程度である。また、発熱基板1の主走査方向xの寸法は、たとえば50~150mm程度であり、副走査方向yの寸法は、たとえば1~5mm程度である。 The heat generating substrate 1 is mounted on the heat dissipating member 8 and supports the conductive layer 3 and the resistor layer 4. The heat generating substrate 1 has an elongated rectangular shape whose longitudinal direction is in the main scanning direction x and whose width direction is in the sub-scanning direction y. Although the size of the heat generating substrate 1 is not particularly limited, as an example, the thickness of the heat generating substrate 1 is, for example, about 0.5 to 1 mm. Further, the dimension of the heat generating substrate 1 in the main scanning direction x is, for example, about 50 to 150 mm, and the dimension in the sub scanning direction y is, for example, about 1 to 5 mm.

本実施形態においては、発熱基板1は、単結晶半導体からなり、たとえばSiによって形成されている。なお、発熱基板1の構成材料は限定されない。図4および図5に示すように、発熱基板1は、主面11および裏面12を有する。主面11および裏面12は、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向いており、互いに平行である。主面11は、厚さ方向zの第1側z1を向く面である。主面11には、導電層3および抵抗体層4が配置されている。裏面12は、厚さ方向zの第2側z2を向く面である。裏面12は、図示しない接着部材を介して、放熱部材8(後述する第1支持面81)に接着されている。 In this embodiment, the heat generating substrate 1 is made of a single crystal semiconductor, for example, Si. Note that the constituent material of the heat generating substrate 1 is not limited. As shown in FIGS. 4 and 5, the heat generating substrate 1 has a main surface 11 and a back surface 12. The main surface 11 and the back surface 12 face opposite to each other in the thickness direction z and are parallel to each other. The main surface 11 is a surface facing the first side z1 in the thickness direction z. A conductive layer 3 and a resistor layer 4 are arranged on the main surface 11 . The back surface 12 is a surface facing the second side z2 in the thickness direction z. The back surface 12 is bonded to the heat dissipation member 8 (first support surface 81 to be described later) via an adhesive member (not shown).

また、図5および図6に示すように、発熱基板1は、凸部13を有する。凸部13は、主面11から厚さ方向zの第1側z1に突出しており、主走査方向xに延びている。また、凸部13は、副走査方向yの下流側y2寄りに形成されている。凸部13は、主走査方向xに直交する断面の形状が、主走査方向xに一様である。凸部13は、天面131および傾斜面132,133を備えている。天面131は、厚さ方向zの第1側z1(主面11と同じ側)を向き、主面11より厚さ方向zの第1側z1に位置する。天面131は、主走査方向xに長く延びる細長矩形状である。傾斜面132は、副走査方向yにおいて天面131の下流側y2に位置し、天面131および主面11につながっている。傾斜面132は、天面131および主面11に対して傾斜しており、副走査方向yの下流側y2ほど主面11に近づいている。傾斜面132は、主走査方向xに長く延びる細長矩形状である。傾斜面133は、副走査方向yにおいて天面131の上流側y1に位置し、天面131および主面11につながっている。傾斜面133は、天面131および主面11に対して傾斜しており、副走査方向yの上流側y1ほど主面11に近づいている。傾斜面133は、主走査方向xに長く延びる細長矩形状である。 Further, as shown in FIGS. 5 and 6, the heat generating substrate 1 has a convex portion 13. The convex portion 13 protrudes from the main surface 11 toward the first side z1 in the thickness direction z, and extends in the main scanning direction x. Further, the convex portion 13 is formed closer to the downstream side y2 in the sub-scanning direction y. The convex portion 13 has a cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction x that is uniform in the main scanning direction x. The convex portion 13 includes a top surface 131 and inclined surfaces 132 and 133. The top surface 131 faces the first side z1 (the same side as the main surface 11) in the thickness direction z, and is located on the first side z1 in the thickness direction z from the main surface 11. The top surface 131 has an elongated rectangular shape that extends in the main scanning direction x. The inclined surface 132 is located on the downstream side y2 of the top surface 131 in the sub-scanning direction y, and is connected to the top surface 131 and the main surface 11. The inclined surface 132 is inclined with respect to the top surface 131 and the main surface 11, and approaches the main surface 11 on the downstream side y2 in the sub-scanning direction y. The inclined surface 132 has an elongated rectangular shape that extends in the main scanning direction x. The inclined surface 133 is located on the upstream side y1 of the top surface 131 in the sub-scanning direction y, and is connected to the top surface 131 and the main surface 11. The inclined surface 133 is inclined with respect to the top surface 131 and the main surface 11, and approaches the main surface 11 on the upstream side y1 in the sub-scanning direction y. The inclined surface 133 has an elongated rectangular shape that extends in the main scanning direction x.

発熱基板1は、たとえばSiウエハなどの単結晶半導体材料の(100)面にマスク層を形成し、異方性エッチングを行うことにより形成される。マスク層に覆われてエッチングで除去されずに残った部分が天面131になる。したがって、天面131は、(100)面である。一方、エッチングにより現れた面が主面11および傾斜面132,133になる。主面11は、天面131に平行であり、天面131と同様、(100)面である。傾斜面132,133は、主面11および天面131に対して傾斜している。主面11に対する傾斜面132,133の傾斜角αは、異方性エッチングに応じた所定の角度になっている。本実施形態では、傾斜面132,133は、(111)面であり、傾斜角αは、たとえば54.8°である。なお、傾斜角αは限定されない。また、発熱基板1の凸部13の形状は上述したものに限定されない。たとえば、凸部13は、天面131と傾斜面132または傾斜面133との間にさらに傾斜角が異なる傾斜面を備えてもよい。 The heat generating substrate 1 is formed by forming a mask layer on the (100) plane of a single crystal semiconductor material such as a Si wafer, and performing anisotropic etching. The portion covered by the mask layer and remaining without being removed by etching becomes the top surface 131. Therefore, the top surface 131 is a (100) plane. On the other hand, the surfaces exposed by etching become the main surface 11 and the inclined surfaces 132 and 133. The main surface 11 is parallel to the top surface 131, and like the top surface 131, is a (100) plane. The inclined surfaces 132 and 133 are inclined with respect to the main surface 11 and the top surface 131. The inclination angle α of the inclined surfaces 132 and 133 with respect to the main surface 11 is a predetermined angle according to anisotropic etching. In this embodiment, the inclined surfaces 132 and 133 are (111) planes, and the inclined angle α is, for example, 54.8°. Note that the inclination angle α is not limited. Further, the shape of the convex portion 13 of the heat generating substrate 1 is not limited to the above-mentioned shape. For example, the convex portion 13 may further include an inclined surface having a different inclination angle between the top surface 131 and the inclined surface 132 or 133.

グレーズ層15は、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。本実施形態では、グレーズ層15の熱膨張係数は、発熱基板1の材料であるSiと同程度である。なお、グレーズ層15のガラス材料の特性は限定されない。図5および図6に示すように、グレーズ層15は、発熱基板1の厚さ方向zの第1側z1に配置されており、本実施形態では、凸部13の天面131に配置されている。グレーズ層15は、本実施形態では、天面131にのみ接しており、傾斜面132,133には接していない。グレーズ層15は、主走査方向xに延びており、天面131の副走査方向yの全幅にわたって配置されている。なお、グレーズ層15の配置位置は限定さない。たとえば、グレーズ層15は、天面131の副走査方向yの一部にのみ配置されてもよいし、傾斜面132または傾斜面133にも接して配置されてもよい。また、発熱基板1の凸部13が、天面131と傾斜面132または傾斜面133との間にさらに傾斜面を備えている場合、当該傾斜面にも接して配置されてもよい。 Glaze layer 15 is made of a glass material such as amorphous glass. In this embodiment, the thermal expansion coefficient of the glaze layer 15 is approximately the same as that of Si, which is the material of the heat generating substrate 1. Note that the characteristics of the glass material of the glaze layer 15 are not limited. As shown in FIGS. 5 and 6, the glaze layer 15 is disposed on the first side z1 of the heat generating substrate 1 in the thickness direction z, and in this embodiment, the glaze layer 15 is disposed on the top surface 131 of the convex portion 13. There is. In this embodiment, the glaze layer 15 is in contact only with the top surface 131 and not with the inclined surfaces 132 and 133. The glaze layer 15 extends in the main scanning direction x and is disposed over the entire width of the top surface 131 in the sub scanning direction y. Note that the arrangement position of the glaze layer 15 is not limited. For example, the glaze layer 15 may be disposed only on a portion of the top surface 131 in the sub-scanning direction y, or may be disposed in contact with the inclined surface 132 or the inclined surface 133 as well. Further, when the convex portion 13 of the heat generating substrate 1 further includes an inclined surface between the top surface 131 and the inclined surface 132 or the inclined surface 133, it may be arranged in contact with the inclined surface as well.

本実施形態では、グレーズ層15は、頂面151および凹部152,153を備えている。頂面151は、厚さ方向zの第1側z1を向く略平坦な面であり、主走査方向xに延びている。なお、頂面151は、厚さ方向zの第1側z1にゆるやかに湾曲した凸面であってもよい。凹部152は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びている。凹部152は、副走査方向yにおいて頂面151の下流側y2に配置されている。凹部152は、頂面151につながる曲面を備えている。凹部153は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びている。凹部153は、副走査方向yにおいて頂面151の上流側y1に配置されている。凹部153は、頂面151につながる曲面を備えている。 In this embodiment, the glaze layer 15 includes a top surface 151 and recesses 152 and 153. The top surface 151 is a substantially flat surface facing the first side z1 in the thickness direction z, and extends in the main scanning direction x. Note that the top surface 151 may be a convex surface that is gently curved toward the first side z1 in the thickness direction z. The recessed portion 152 is recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z, and extends in the main scanning direction x. The recessed portion 152 is arranged on the downstream side y2 of the top surface 151 in the sub-scanning direction y. The recess 152 has a curved surface connected to the top surface 151. The recessed portion 153 is recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z, and extends in the main scanning direction x. The recessed portion 153 is arranged on the upstream side y1 of the top surface 151 in the sub-scanning direction y. The recess 153 has a curved surface connected to the top surface 151.

グレーズ層15は、後述する製造方法に示すように、発熱基板1(凸部13の天面131)にガラスペーストを配置して焼成し、その後、一部をエッチングにより除去することで形成される。エッチングで除去されずに残った面が頂面151であり、エッチングで一部が除去されることで凹部152,153が形成される。ガラスペーストは流動性があるが、凸部13の天面131に配置されたとき、表面張力により、天面131と傾斜面132,133との境界131aを越えることが阻止される。また、焼成時にも加熱によりガラスペーストは流動化するが、表面張力により、天面131と傾斜面132,133との境界131aを越えることが阻止される。これにより、ガラスペーストは、天面131の副走査方向yの全幅にわたって配置される。また、ガラスペーストは、表面張力により、主走査方向xに直交する断面形状が厚さ方向zの第1側z1に膨出する凸形状に形成された状態で焼成される。当該焼成されたガラスペーストは、厚さ方向zの第1側z1を向く面が、副走査方向yの両側でそれぞれ盛り上がるように湾曲したラウンド部分と、副走査方向yにおいて一対のラウンド部分の間の略平坦な頂面部分とが形成された状態になっている。その後、焼成されたガラスペーストの一対のラウンド部分がエッチングにより除去されて、頂面151および凹部152,153を備えたグレーズ層15が形成される。 The glaze layer 15 is formed by disposing a glass paste on the heat generating substrate 1 (the top surface 131 of the convex portion 13), baking it, and then removing a portion by etching, as shown in the manufacturing method described below. . The surface that remains without being removed by etching is the top surface 151, and recesses 152 and 153 are formed by partially removing it by etching. Although the glass paste has fluidity, when placed on the top surface 131 of the convex portion 13, surface tension prevents it from crossing the boundary 131a between the top surface 131 and the inclined surfaces 132, 133. Also, during firing, the glass paste is fluidized by heating, but surface tension prevents it from crossing the boundary 131a between the top surface 131 and the inclined surfaces 132, 133. As a result, the glass paste is placed over the entire width of the top surface 131 in the sub-scanning direction y. Further, the glass paste is fired so that the cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction x is formed into a convex shape that bulges toward the first side z1 in the thickness direction z due to surface tension. The fired glass paste has a round portion whose surface facing the first side z1 in the thickness direction z is curved so as to swell on both sides in the sub-scanning direction y, and a portion between the pair of round portions in the sub-scanning direction y. A substantially flat top surface portion is formed. Thereafter, the pair of round portions of the fired glass paste are removed by etching to form a glaze layer 15 having a top surface 151 and recesses 152 and 153.

絶縁層18は、図5および図6に示すように、主面11、傾斜面132,133、およびグレーズ層15を覆っており、発熱基板1を、抵抗体層4および導電層3に対してより確実に絶縁するためのものである。絶縁層18は、発熱基板1の、抵抗体層4または導電層3が形成される領域に形成されていればよい。絶縁層18は、絶縁性材料からなり、たとえばSiO2やSiNまたはTEOS(オルトケイ酸テトラエチル)からなる。本実施形態においては、絶縁層18は、TEOSである。なお、絶縁層18の構成材料は限定されない。絶縁層18の厚さは特に限定されず、その一例を挙げるとたとえば5μm~15μmであり、好ましくは5μm~10μmである。 As shown in FIGS. 5 and 6, the insulating layer 18 covers the main surface 11, the inclined surfaces 132, 133, and the glaze layer 15, and separates the heat generating substrate 1 from the resistor layer 4 and the conductive layer 3. This is for more reliable insulation. The insulating layer 18 may be formed in the region of the heat generating substrate 1 where the resistor layer 4 or the conductive layer 3 is formed. The insulating layer 18 is made of an insulating material, such as SiO 2 , SiN, or TEOS (tetraethyl orthosilicate). In this embodiment, insulating layer 18 is TEOS. Note that the constituent material of the insulating layer 18 is not limited. The thickness of the insulating layer 18 is not particularly limited, and is, for example, 5 μm to 15 μm, preferably 5 μm to 10 μm.

抵抗体層4は、絶縁層18を介して発熱基板1に支持されている。抵抗体層4は、発熱基板1に対して厚さ方向zの第1側z1に配置され、主面11、傾斜面132,133、およびグレーズ層15の少なくとも一部を覆っている。抵抗体層4は、複数の発熱部41を有している。複数の発熱部41は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体92を局所的に加熱するものである。本実施形態においては、発熱部41は、抵抗体層4のうち導電層3から露出した領域であり、凸部13に配置されたグレーズ層15上に配置されている。つまり、グレーズ層15は、発熱基板1の凸部13と複数の発熱部41との間に配置されている。本実施形態では、発熱部41は、グレーズ層15の頂面151上にのみ配置されている。図4に示すように、サーマルプリンタB1において、複数の発熱部41は、プラテンローラ91に対向している。複数の発熱部41は、主走査方向xに沿って配列されており、主走査方向xにおいて互いに離間している。発熱部41の形状は特に限定されず、本実施形態においては、厚さ方向zに視て副走査方向yを長手方向とする長矩形状である。抵抗体層4は、たとえばTaNからなる。なお、抵抗体層4の構成材料は限定されない。抵抗体層4の厚さは特に限定されず、たとえば0.02μm~0.1μmであり、好ましくは0.08μm程度である。 The resistor layer 4 is supported by the heat generating substrate 1 via the insulating layer 18. The resistor layer 4 is disposed on the first side z1 in the thickness direction z with respect to the heat generating substrate 1, and covers at least a portion of the main surface 11, the inclined surfaces 132 and 133, and the glaze layer 15. The resistor layer 4 has a plurality of heat generating parts 41. The plurality of heat generating units 41 locally heat the print medium 92 by selectively energizing each of them. In this embodiment, the heat generating part 41 is a region of the resistor layer 4 exposed from the conductive layer 3 and is arranged on the glaze layer 15 arranged on the convex part 13 . That is, the glaze layer 15 is arranged between the convex portion 13 of the heat generating substrate 1 and the plurality of heat generating parts 41. In this embodiment, the heat generating section 41 is arranged only on the top surface 151 of the glaze layer 15. As shown in FIG. 4, in the thermal printer B1, the plurality of heat generating parts 41 are opposed to the platen roller 91. The plurality of heat generating parts 41 are arranged along the main scanning direction x, and are spaced apart from each other in the main scanning direction x. The shape of the heat generating part 41 is not particularly limited, and in this embodiment, it is a long rectangular shape whose longitudinal direction is the sub-scanning direction y when viewed from the thickness direction z. The resistor layer 4 is made of TaN, for example. Note that the constituent material of the resistor layer 4 is not limited. The thickness of the resistor layer 4 is not particularly limited, and is, for example, 0.02 μm to 0.1 μm, preferably about 0.08 μm.

導電層3は、複数の発熱部41に通電するための通電経路を構成するためのものである。導電層3は、発熱基板1に支持されており、本実施形態においては、図5および図6に示すように、抵抗体層4上に積層されている。導電層3は、抵抗体層4の発熱部41となるべき部分を露出させている。導電層3は、抵抗体層4よりも低抵抗な金属材料からなり、たとえばCuからなる。導電層3の厚さは特に限定されず、たとえば0.3μm~2.0μmである。 The conductive layer 3 is for configuring an energization path for energizing the plurality of heat generating parts 41 . The conductive layer 3 is supported by the heat generating substrate 1, and in this embodiment is laminated on the resistor layer 4, as shown in FIGS. 5 and 6. The conductive layer 3 exposes the portion of the resistor layer 4 that is to become the heat generating portion 41 . The conductive layer 3 is made of a metal material having a lower resistance than the resistor layer 4, and is made of Cu, for example. The thickness of the conductive layer 3 is not particularly limited, and is, for example, 0.3 μm to 2.0 μm.

図1~図3、図5、および図6に示すように、本実施形態においては、導電層3は、複数の個別電極31、共通電極32、および複数の中継電極33を有する。 As shown in FIGS. 1 to 3, FIG. 5, and FIG. 6, in this embodiment, the conductive layer 3 includes a plurality of individual electrodes 31, a common electrode 32, and a plurality of relay electrodes 33.

複数の個別電極31は、各々が概ね副走査方向yに延びる帯状であり、主面11上、傾斜面133上、およびグレーズ層15上に配置されている。複数の個別電極31は、複数の発熱部41に対して副走査方向yの上流側y1に配置されている。複数の個別電極31は、それぞれが異なる発熱部41に接続している。図2および図5に示すように、個別電極31は、個別パッド311を有する。個別パッド311は、ドライバIC55と導通させるためのワイヤ561がワイヤボンディングされる部分である。個別パッド311には、たとえばAuを含むめっき層が形成されている。 The plurality of individual electrodes 31 each have a band shape extending approximately in the sub-scanning direction y, and are arranged on the main surface 11 , on the inclined surface 133 , and on the glaze layer 15 . The plurality of individual electrodes 31 are arranged on the upstream side y1 in the sub-scanning direction y with respect to the plurality of heat generating parts 41. Each of the plurality of individual electrodes 31 is connected to a different heat generating section 41 . As shown in FIGS. 2 and 5, the individual electrodes 31 have individual pads 311. The individual pad 311 is a portion to which a wire 561 for electrical connection with the driver IC 55 is wire-bonded. A plating layer containing, for example, Au is formed on the individual pads 311 .

共通電極32は、主面11上、傾斜面133上、およびグレーズ層15上に配置され、連結部323と複数の帯状部324とを有する。複数の帯状部324は、副走査方向yに延びている。図3に示すように、複数の帯状部324の一方端(副走査方向yの下流側y2端)は、2個に分岐しており、各分岐部分が隣接する2個の発熱部41にそれぞれ接続している。図2に示すように、連結部323は、複数の帯状部324の他方端側(副走査方向yの上流側y1)に位置して主走査方向xに延びており、複数の帯状部324が繋がっている。 The common electrode 32 is disposed on the main surface 11 , the inclined surface 133 , and the glaze layer 15 , and includes a connecting portion 323 and a plurality of strip portions 324 . The plurality of strips 324 extend in the sub-scanning direction y. As shown in FIG. 3, one end (downstream y2 end in the sub-scanning direction y) of the plurality of strips 324 is branched into two parts, and each branch part is connected to two adjacent heat generating parts 41, respectively. Connected. As shown in FIG. 2, the connecting portion 323 is located on the other end side (upstream side y1 in the sub-scanning direction y) of the plurality of strips 324 and extends in the main scanning direction x. It is connected.

中継電極33は、主面11上、傾斜面132上、およびグレーズ層15上に配置され、開口を副走査方向yの上流側y1に向けたコの字形状をなす。中継電極33は、主走査方向xに等ピッチで、発熱部41の副走査方向yの下流側y2に複数配列されている。各中継電極33は、隣接する2個の発熱部41に接続している。 The relay electrode 33 is disposed on the main surface 11, the inclined surface 132, and the glaze layer 15, and has a U-shape with an opening facing upstream y1 in the sub-scanning direction y. A plurality of relay electrodes 33 are arranged at equal pitches in the main scanning direction x on the downstream side y2 of the heat generating part 41 in the sub scanning direction y. Each relay electrode 33 is connected to two adjacent heat generating parts 41.

図3に示すように、共通電極32の帯状部324は、2つの個別電極31に挟まれて配置されている。1つの中継電極33が接続する2個の発熱部41の一方は共通電極32に接続しており、他方はいずれかの個別電極31に接続している。したがって、個別電極31が通電することで、これに接続する発熱部41と、当該発熱部41に中継電極33を介して接続する発熱部41とに電流が流れて発熱する。つまり、2つの発熱部41が、同時に発熱する。 As shown in FIG. 3, the strip portion 324 of the common electrode 32 is sandwiched between the two individual electrodes 31. One of the two heat generating parts 41 connected to one relay electrode 33 is connected to the common electrode 32, and the other is connected to one of the individual electrodes 31. Therefore, when the individual electrode 31 is energized, current flows through the heat generating part 41 connected to the individual electrode 31 and the heat generating part 41 connected to the heat generating part 41 via the relay electrode 33, thereby generating heat. In other words, the two heat generating parts 41 generate heat at the same time.

なお、導電層3の配置および形状は、限定されない。たとえば、中継電極33が設けられず、共通電極32が発熱部41の副走査方向yの下流側y2に配置され、各発熱部41が、それぞれ異なる共通電極32の帯状部324と個別電極31とに接続されてもよい。 Note that the arrangement and shape of the conductive layer 3 are not limited. For example, the relay electrode 33 is not provided, the common electrode 32 is arranged on the downstream side y2 of the heat generating part 41 in the sub-scanning direction y, and each heat generating part 41 is connected to the strip part 324 of the common electrode 32 and the individual electrode 31, which are different from each other. may be connected to.

保護層2は、発熱基板1の主面11、傾斜面132,133と、グレーズ層15とに重なるように形成され、導電層3および抵抗体層4を覆っている。保護層2は、絶縁性の材料からなり、導電層3および抵抗体層4を保護している。保護層2の構成材料は、たとえばSiO2、SiN、SiC、AlN等であり、これらの単層もしくは複数層によって構成される。保護層2の厚さは特に限定されず、たとえば1.0μm~10μm程度である。 The protective layer 2 is formed to overlap the main surface 11, the inclined surfaces 132, 133, and the glaze layer 15 of the heat generating substrate 1, and covers the conductive layer 3 and the resistor layer 4. The protective layer 2 is made of an insulating material and protects the conductive layer 3 and the resistor layer 4. The protective layer 2 is made of, for example, SiO 2 , SiN, SiC, AlN, etc., and is composed of a single layer or a plurality of layers thereof. The thickness of the protective layer 2 is not particularly limited, and is, for example, about 1.0 μm to 10 μm.

図5に示すように、本実施形態においては、保護層2は、パッド用開口21を有する。パッド用開口21は、保護層2を厚さ方向zに貫通している。パッド用開口21は、各個別電極31の個別パッド311を露出させている。 As shown in FIG. 5, in this embodiment, the protective layer 2 has a pad opening 21. As shown in FIG. The pad opening 21 penetrates the protective layer 2 in the thickness direction z. The pad opening 21 exposes the individual pad 311 of each individual electrode 31.

第1基板5は、図1および図4に示すように、放熱部材8に搭載され、発熱基板1に対して副走査方向yの上流側y1に配置されている。第1基板5は、たとえばPCB基板であり、ドライバIC55が搭載されている。第1基板5の形状等は特に限定されず、本実施形態においては、主走査方向xを長手方向とする長矩形状である。第1基板5は、主面51および裏面52を有する。主面51は、発熱基板1の主面11と同じ側を向く面であり、裏面52は、発熱基板1の裏面12と同じ側を向く面である。主面51には、図示しない第1配線が形成されている。第1配線は、ドライバIC55がダイボンディングされ、ワイヤ562がワイヤボンディングされるので、本実施形態では、たとえばCuからなる配線上にたとえばAuを含むめっき層が形成されている。なお、第1配線の構成材料および形成方法は限定されない。 As shown in FIGS. 1 and 4, the first substrate 5 is mounted on the heat radiating member 8 and is disposed on the upstream side y1 of the heat generating substrate 1 in the sub-scanning direction y. The first board 5 is, for example, a PCB board, and has a driver IC 55 mounted thereon. The shape of the first substrate 5 is not particularly limited, and in this embodiment, it is a long rectangular shape whose longitudinal direction is the main scanning direction x. The first substrate 5 has a main surface 51 and a back surface 52. The main surface 51 is a surface facing the same side as the main surface 11 of the heat generating substrate 1, and the back surface 52 is a surface facing the same side as the back surface 12 of the heat generating board 1. A first wiring (not shown) is formed on the main surface 51 . In the first wiring, the driver IC 55 is die-bonded and the wire 562 is wire-bonded, so in this embodiment, a plating layer containing, for example, Au is formed on the wiring made of, for example, Cu. Note that the constituent material and formation method of the first wiring are not limited.

ドライバIC55は、第1基板5の主面51に搭載されており、複数の発熱部41に個別に通電させるためのものである。本実施形態においては、ドライバIC55は、複数のワイヤ561によって複数の個別電極31に導通接続されている。ドライバIC55の通電制御は、第1基板5、第2基板6、第3基板7、およびコネクタ69を介してサーマルプリントヘッドA1外から入力される指令信号に従う。ドライバIC55は、複数のワイヤ562によって第1基板5の第1配線に導通接続されている。本実施形態においては、複数の発熱部41の個数に応じて、複数のドライバIC55が設けられている。 The driver IC 55 is mounted on the main surface 51 of the first substrate 5, and is used to individually energize the plurality of heat generating parts 41. In this embodiment, the driver IC 55 is conductively connected to the plurality of individual electrodes 31 by a plurality of wires 561. Power supply control of the driver IC 55 follows command signals input from outside the thermal print head A1 via the first board 5, the second board 6, the third board 7, and the connector 69. The driver IC 55 is electrically connected to the first wiring of the first substrate 5 by a plurality of wires 562. In this embodiment, a plurality of driver ICs 55 are provided according to the number of heat generating parts 41.

ドライバIC55、複数のワイヤ561および複数のワイヤ562は、保護樹脂57に覆われている。保護樹脂57は、たとえば絶縁性樹脂からなりたとえば黒色である。保護樹脂57は、発熱基板1と第1基板5とに跨るように形成されている。 The driver IC 55, the plurality of wires 561, and the plurality of wires 562 are covered with a protective resin 57. The protective resin 57 is made of, for example, an insulating resin and is, for example, black in color. The protective resin 57 is formed so as to straddle the heat generating substrate 1 and the first substrate 5.

第2基板6は、図1および図4に示すように、第1基板5に対して副走査方向yの上流側y1に配置されている。第2基板6は、たとえばPCB基板であり、図示しないその他の回路素子、および、コネクタ69が搭載されている。第2基板6の形状等は特に限定されず、本実施形態においては、主走査方向xを長手方向とする長矩形状である。第2基板6は、主面61および裏面62を有する。主面61は、発熱基板1の主面11と同じ側を向く面であり、裏面62は、発熱基板1の裏面12と同じ側を向く面である。ただし、本実施形態においては、第2基板6は、発熱基板1および第1基板5に対して傾斜した状態で配置されている。主面61および裏面62には、図示しない第2配線が形成されている。なお、第2配線の構成材料および形成方法は限定されない。 As shown in FIGS. 1 and 4, the second substrate 6 is disposed on the upstream side y1 of the first substrate 5 in the sub-scanning direction y. The second board 6 is, for example, a PCB board, and has other circuit elements (not shown) and a connector 69 mounted thereon. The shape of the second substrate 6 is not particularly limited, and in this embodiment, it is a long rectangular shape whose longitudinal direction is the main scanning direction x. The second substrate 6 has a main surface 61 and a back surface 62. The main surface 61 is a surface facing the same side as the main surface 11 of the heat generating substrate 1, and the back surface 62 is a surface facing the same side as the back surface 12 of the heat generating board 1. However, in this embodiment, the second substrate 6 is arranged in an inclined state with respect to the heat generating substrate 1 and the first substrate 5. Second wiring (not shown) is formed on the main surface 61 and the back surface 62. Note that the constituent material and formation method of the second wiring are not limited.

コネクタ69は、サーマルプリントヘッドA1をサーマルプリンタB1に接続するために用いられる。コネクタ69は、裏面62に取付けられており、第2配線に接続されている。 Connector 69 is used to connect thermal print head A1 to thermal printer B1. The connector 69 is attached to the back surface 62 and connected to the second wiring.

第3基板7は、第1基板5および第2基板6に接続され、第1基板5および第2基板6より柔軟性を有する。第3基板7は、フレキシブルプリント基板であり、第1基板5の第1配線と第2基板6の第2配線とを導通接続する第3配線が形成されている。第1基板5および第2基板6が柔軟性を有する第3基板7によって接続されているので、第2基板6は第1基板5に対して傾斜した状態で配置可能になっている。第3基板7の形状等は特に限定されず、本実施形態においては、主走査方向xを長手方向とする長矩形状である。 The third substrate 7 is connected to the first substrate 5 and the second substrate 6 and has more flexibility than the first substrate 5 and the second substrate 6. The third board 7 is a flexible printed circuit board, and has a third wiring that electrically connects the first wiring of the first board 5 and the second wiring of the second board 6. Since the first substrate 5 and the second substrate 6 are connected by the flexible third substrate 7, the second substrate 6 can be placed in an inclined state with respect to the first substrate 5. The shape of the third substrate 7 is not particularly limited, and in this embodiment, it is a long rectangular shape whose longitudinal direction is the main scanning direction x.

放熱部材8は、発熱基板1、第1基板5、および第2基板6が搭載されており、複数の発熱部41によって生じた熱の一部を、発熱基板1を介して外部へ放熱するためのものである。放熱部材8は、たとえばアルミニウム等の金属からなるブロック状の部材であり、たとえば押し出し成型によって形成される。なお、放熱部材8の構成材料および形成方法は限定されない。図4に示すように、放熱部材8は、第1支持面81、第2支持面82、および底面83を有する。第1支持面81および第2支持面82と、底面83とは、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向いている。 The heat dissipating member 8 has the heat generating board 1 , the first board 5 , and the second board 6 mounted thereon, and is used to radiate part of the heat generated by the plurality of heat generating parts 41 to the outside via the heat generating board 1 . belongs to. The heat radiation member 8 is a block-shaped member made of metal such as aluminum, and is formed by extrusion molding, for example. Note that the constituent material and forming method of the heat dissipation member 8 are not limited. As shown in FIG. 4, the heat dissipation member 8 has a first support surface 81, a second support surface 82, and a bottom surface 83. The first support surface 81, the second support surface 82, and the bottom surface 83 face opposite sides to each other in the thickness direction z.

第1支持面81および第2支持面82は、厚さ方向zの第1側z1を向いて、副走査方向yに並んで配置されている。図4に示すように、第2支持面82は、第1支持面81より底面83から離れて(厚さ方向zの第1側z1に)配置されている。また、第1支持面81は、第2支持面82および底面83に対して傾斜している。なお、第1支持面81は、第2支持面82および底面83に対して平行であってもよい。また、第1支持面81と第2支持面82とは互いに面一であってもよい。第1支持面81には、発熱基板1の裏面12および第1基板5の裏面52が接着されている。第2支持面82には、第2基板6の裏面62が接着されている。なお、裏面12、裏面52、および裏面62を放熱部材8に接着する接着部材の構成材料は限定されない。 The first support surface 81 and the second support surface 82 are arranged side by side in the sub-scanning direction y, facing the first side z1 in the thickness direction z. As shown in FIG. 4, the second support surface 82 is disposed further away from the bottom surface 83 than the first support surface 81 (on the first side z1 in the thickness direction z). Further, the first support surface 81 is inclined with respect to the second support surface 82 and the bottom surface 83. Note that the first support surface 81 may be parallel to the second support surface 82 and the bottom surface 83. Further, the first support surface 81 and the second support surface 82 may be flush with each other. The back surface 12 of the heat generating substrate 1 and the back surface 52 of the first substrate 5 are adhered to the first support surface 81 . The back surface 62 of the second substrate 6 is adhered to the second support surface 82 . Note that the constituent material of the adhesive member that adheres the back surface 12, the back surface 52, and the back surface 62 to the heat dissipation member 8 is not limited.

底面83は、厚さ方向zの第2側z2を向いている。底面83は、サーマルプリントヘッドA1をプリンタに組み込む際に基準になる面である。第2支持面82は、底面83と平行である。本明細書では、発熱基板1の厚さ方向を厚さ方向zと定義しているので、第1支持面81は、厚さ方向zに対して直交している。一方、第2支持面82は、厚さ方向zに直交する面(第1支持面81)に対して傾斜しているので、厚さ方向zに対して直交していない。同様に、底面83も、厚さ方向zに対して直交していない。 The bottom surface 83 faces the second side z2 in the thickness direction z. The bottom surface 83 is a surface that serves as a reference when installing the thermal print head A1 into a printer. The second support surface 82 is parallel to the bottom surface 83. In this specification, the thickness direction of the heat generating substrate 1 is defined as the thickness direction z, so the first support surface 81 is perpendicular to the thickness direction z. On the other hand, the second support surface 82 is inclined with respect to the surface (first support surface 81) orthogonal to the thickness direction z, so it is not perpendicular to the thickness direction z. Similarly, the bottom surface 83 is also not perpendicular to the thickness direction z.

次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図7~図15を参照しつつ、以下に説明する。図7は、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例を示すフローチャートである。図8~図15はそれぞれ、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例の一工程を示す断面図であって、図4および図6に示す断面に対応する。なお、図8~図15に示す主走査方向x、副走査方向y、および厚さ方向zは、図1~図6と同じ方向を示している。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A1 will be described below with reference to FIGS. 7 to 15. FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the thermal print head A1. 8 to 15 are cross-sectional views showing one step of an example of a method for manufacturing the thermal print head A1, and correspond to the cross-sections shown in FIGS. 4 and 6, respectively. Note that the main scanning direction x, sub-scanning direction y, and thickness direction z shown in FIGS. 8 to 15 indicate the same directions as in FIGS. 1 to 6.

図7に示すように、サーマルプリントヘッドA1の製造方法は、基材準備工程S10、凸部形成工程S20、グレーズ層形成工程S30、凹部形成工程S40、絶縁層形成工程S50、発熱部形成工程S60、保護層形成工程S70、切断工程S80、および組み立て工程S90を備えている。 As shown in FIG. 7, the method for manufacturing the thermal print head A1 includes a base material preparation step S10, a convex portion forming step S20, a glaze layer forming step S30, a recessed portion forming step S40, an insulating layer forming step S50, and a heat generating portion forming step S60. , a protective layer forming step S70, a cutting step S80, and an assembly step S90.

基材準備工程S10は、発熱基板1の材料となる基材10Aを準備する工程である。当該工程では、図8に示すように、基材10Aを準備する。基材10Aは、単結晶半導体からなり、たとえばSiウエハである。基材10Aは、主面11Aを有する。主面11Aは、略平坦であり、厚さ方向zの第1側z1を向く。主面11Aは(100)面である。 The base material preparation step S10 is a step of preparing the base material 10A, which is the material of the heat generating substrate 1. In this step, as shown in FIG. 8, a base material 10A is prepared. The base material 10A is made of a single crystal semiconductor, and is, for example, a Si wafer. The base material 10A has a main surface 11A. The main surface 11A is substantially flat and faces the first side z1 in the thickness direction z. The principal surface 11A is a (100) plane.

凸部形成工程S20は、基材10Aにエッチングを施すことで、図9に示すように、凸部13を形成する工程である。当該工程では、まず、基材10Aの主面11Aの一部に所定のマスク層98(図8および図9において2点鎖線で示す)を形成する。マスク層98は、たとえばハードマスクにフォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで形成される。マスク層98は、主走査方向xに延びる長矩形状である。そして、たとえばアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行う。このアルカリ水溶液としては、たとえばKOH(水酸化カリウム)やTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)などが挙げられる。これにより、図9に示すように、主面11および凸部13が形成される。凸部13の天面131は、マスク層98に覆われてエッチングにより除去されずに残った主面11Aの一部である。凸部13の傾斜面132,133および主面11は、主面11Aがエッチングされて現れた面である。凸部13の天面131は、主面11Aと同じく(100)面である。主面11は、天面131と平行であり、天面131と同じく(100)面である。凸部13の傾斜面132,133は、(111)面であり、天面131および主面11に対して傾斜している。主面11に対する傾斜面132,133の傾斜角αは、たとえば54.8°である。その後、マスク層98を除去する。 The protrusion forming step S20 is a step of forming the protrusions 13 as shown in FIG. 9 by etching the base material 10A. In this step, first, a predetermined mask layer 98 (indicated by a two-dot chain line in FIGS. 8 and 9) is formed on a part of the main surface 11A of the base material 10A. The mask layer 98 is formed, for example, by patterning a hard mask using a photolithography technique. The mask layer 98 has a long rectangular shape extending in the main scanning direction x. Then, anisotropic etching is performed using, for example, an alkaline aqueous solution. Examples of this alkaline aqueous solution include KOH (potassium hydroxide) and TMAH (tetramethylammonium hydroxide). Thereby, as shown in FIG. 9, the main surface 11 and the convex portion 13 are formed. The top surface 131 of the convex portion 13 is a part of the main surface 11A that is covered by the mask layer 98 and remains without being removed by etching. The inclined surfaces 132 and 133 of the convex portion 13 and the main surface 11 are surfaces obtained by etching the main surface 11A. The top surface 131 of the convex portion 13 is a (100) plane like the main surface 11A. The main surface 11 is parallel to the top surface 131 and is a (100) plane like the top surface 131. The inclined surfaces 132 and 133 of the convex portion 13 are (111) planes, and are inclined with respect to the top surface 131 and the main surface 11. The inclination angle α of the inclined surfaces 132 and 133 with respect to the main surface 11 is, for example, 54.8°. Thereafter, mask layer 98 is removed.

グレーズ層形成工程S30は、図10に示すように、グレーズ層15Aを形成する工程である。当該工程では、まず、凸部13の天面131に、たとえばディスペンサーを用いて、ガラスペーストを配置する。配置されたガラスペーストは流動性があるが、表面張力により、天面131と傾斜面132,133との境界131aを越えることが阻止される。なお、ガラスペーストの配置方法は限定されず、たとえばスクリーン印刷などによって配置してもよい。また、ガラスペーストの配置および乾燥を複数回繰り返すことでガラスペーストを重ねて配置してもよい。 The glaze layer forming step S30 is a step of forming a glaze layer 15A, as shown in FIG. In this step, first, glass paste is placed on the top surface 131 of the convex portion 13 using, for example, a dispenser. Although the placed glass paste has fluidity, surface tension prevents it from crossing the boundary 131a between the top surface 131 and the inclined surfaces 132, 133. Note that the method of disposing the glass paste is not limited, and may be disposed by, for example, screen printing. Further, the glass pastes may be placed one on top of the other by repeating the placement and drying of the glass pastes multiple times.

その後、ガラスペーストを焼成することによって、図10に示すように、グレーズ層15Aが形成される。焼成時の加熱によりガラスペーストは流動化するが、表面張力により境界131aを越えることが阻止される。これにより、グレーズ層15Aは、天面131の副走査方向yの全幅にわたって配置される。また、グレーズ層15Aは、表面張力により、主走査方向xに直交する断面形状が厚さ方向zの第1側z1に突出する凸形状になっている。グレーズ層15Aは、厚さ方向zの第1側z1を向く面が、副走査方向yの両側にそれぞれ盛り上がるように湾曲したラウンド部分152A,153Aと、副走査方向yにおいて一対のラウンド部分152A,153Aの間に位置し、かつ、略平坦な頂面部分151Aとが形成された状態になっている。 Thereafter, by firing the glass paste, a glaze layer 15A is formed as shown in FIG. 10. Although the glass paste is fluidized by heating during firing, surface tension prevents it from crossing the boundary 131a. Thereby, the glaze layer 15A is arranged over the entire width of the top surface 131 in the sub-scanning direction y. Furthermore, due to surface tension, the glaze layer 15A has a cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction x that is a convex shape that projects toward the first side z1 in the thickness direction z. The glaze layer 15A includes round portions 152A and 153A whose surfaces facing the first side z1 in the thickness direction z are curved so as to bulge on both sides in the sub-scanning direction y, and a pair of round portions 152A and 153A in the sub-scanning direction y. 153A, and a substantially flat top surface portion 151A is formed.

凹部形成工程S40は、グレーズ層15Aにウエットエッチングを施すことで、図11に示すように、凹部152,153を形成する工程である。当該工程では、まず、図10に示すように、グレーズ層15Aの頂面部分151Aの一部に所定のマスク層99(図10および図11において2点鎖線で示す)を形成する(S41)。マスク層99は、たとえばレジストにフォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで形成される。マスク層99は、主走査方向xに延びており、頂面部分151Aの主走査方向xの全体にわたり、副走査方向yの大部分を覆っている。そして、たとえばHF(フッ化水素)などの水溶液を用いた等方性エッチングを行う(S42)。なお、エッチング方法は限定されない。これにより、図11に示すように、頂面151および凹部152,153が形成されたグレーズ層15が形成される。頂面151は、マスク層99に覆われてエッチングで除去されずに残った頂面部分151Aの一部であり、主走査方向xに延びている。凹部152,153は、頂面部分151Aおよびラウンド部分152A,153Aがエッチングで除去されることで形成され、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びている。その後、マスク層99を除去する(S43)。なお、凹部152,153の形成方法は限定されない。たとえば、凹部152,153は、グレーズ層15Aにドライエッチングを施すことで形成されてもよい。また、凹部152,153は、たとえば、ダイシングブレードでの切削、または、レーザの照射など、エッチング以外の方法で形成されてもよい。 The recess forming step S40 is a step of forming recesses 152 and 153 as shown in FIG. 11 by subjecting the glaze layer 15A to wet etching. In this step, first, as shown in FIG. 10, a predetermined mask layer 99 (indicated by a two-dot chain line in FIGS. 10 and 11) is formed on a part of the top surface portion 151A of the glaze layer 15A (S41). The mask layer 99 is formed, for example, by patterning a resist using a photolithography technique. The mask layer 99 extends in the main scanning direction x, and covers the entire top surface portion 151A in the main scanning direction x and most of the sub-scanning direction y. Then, isotropic etching is performed using an aqueous solution such as HF (hydrogen fluoride) (S42). Note that the etching method is not limited. As a result, as shown in FIG. 11, a glaze layer 15 is formed in which a top surface 151 and recesses 152 and 153 are formed. The top surface 151 is a part of the top surface portion 151A that is covered by the mask layer 99 and remains without being removed by etching, and extends in the main scanning direction x. The recesses 152 and 153 are formed by removing the top surface portion 151A and the round portions 152A and 153A by etching, and are recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z, and are recessed in the main scanning direction x. It is extending. After that, the mask layer 99 is removed (S43). Note that the method for forming the recesses 152 and 153 is not limited. For example, the recesses 152 and 153 may be formed by dry etching the glaze layer 15A. Furthermore, the recesses 152 and 153 may be formed by a method other than etching, such as cutting with a dicing blade or laser irradiation.

絶縁層形成工程S50は、図12に示すように、主面11、傾斜面132,133、およびグレーズ層15を覆う絶縁層18を形成する工程である。当該工程では、たとえばCVDを用いて、たとえばTEOSを原料ガスとした成膜を行う。なお、絶縁層18の形成方法は限定されない。 The insulating layer forming step S50 is a step of forming an insulating layer 18 that covers the main surface 11, the inclined surfaces 132, 133, and the glaze layer 15, as shown in FIG. In this step, for example, CVD is used to form a film using, for example, TEOS as a raw material gas. Note that the method for forming the insulating layer 18 is not limited.

発熱部形成工程S60は、図13に示すように、絶縁層18上に、発熱部41および発熱部41に通電するための導電層3を形成する工程である。まず、絶縁層18上に抵抗体膜を形成する。抵抗体膜の形成は、たとえばスパッタリングにより絶縁層18上にTaNの薄膜を形成することによって行う。抵抗体膜は、絶縁層18の全面を覆う。次いで、導電膜を形成する。導電膜の形成は、たとえばめっきやスパッタリングによりCuからなる層を形成することによって行う。導電膜は、抵抗体膜の全面を覆う。なお、導電膜の形成では、抵抗体膜上にTi層を形成した後、Cu層を形成した構成でもよい。次いで、導電膜および抵抗体膜に選択的なエッチングを施すことにより、導電膜および抵抗体膜を部分的に除去する。これにより、主走査方向xに分離された抵抗体層4と、複数の発熱部41を残して抵抗体層4を覆う複数の個別電極31、共通電極32、および中継電極33とが形成される。 The heat generating part forming step S60 is a step of forming the heat generating part 41 and the conductive layer 3 for supplying electricity to the heat generating part 41 on the insulating layer 18, as shown in FIG. First, a resistor film is formed on the insulating layer 18. The resistor film is formed by forming a TaN thin film on the insulating layer 18 by sputtering, for example. The resistor film covers the entire surface of the insulating layer 18. Next, a conductive film is formed. The conductive film is formed by, for example, forming a layer made of Cu by plating or sputtering. The conductive film covers the entire surface of the resistor film. Note that in forming the conductive film, a structure may be adopted in which a Ti layer is formed on the resistor film and then a Cu layer is formed. Next, the conductive film and the resistor film are partially removed by selectively etching the conductive film and the resistor film. As a result, a resistor layer 4 separated in the main scanning direction x, and a plurality of individual electrodes 31, a common electrode 32, and a relay electrode 33 that cover the resistor layer 4 while leaving a plurality of heat generating parts 41 are formed. .

保護層形成工程S70は、保護層2を形成する工程である。当該工程では、たとえばCVDを用いて、絶縁層18、導電層3、および抵抗体層4のそれぞれの上に、たとえばSiNおよびSiCを堆積させることにより行われる。その後、パッド用開口21を形成するために、保護層2をエッチング等により部分的に除去する。 The protective layer forming step S70 is a step of forming the protective layer 2. This step is performed by depositing, for example, SiN and SiC on each of the insulating layer 18, the conductive layer 3, and the resistor layer 4 using, for example, CVD. Thereafter, the protective layer 2 is partially removed by etching or the like in order to form the pad opening 21.

切断工程S80は、基材10Aを切断する工程である。当該工程では、基材10Aを主走査方向xおよび副走査方向yに沿って切断し個片に分割することで、複数の発熱基板1が形成される。以上により、各層が形成された発熱基板1が得られる。 The cutting step S80 is a step of cutting the base material 10A. In this step, a plurality of heat generating substrates 1 are formed by cutting the base material 10A along the main scanning direction x and the sub scanning direction y and dividing it into individual pieces. Through the above steps, the heat generating substrate 1 on which each layer is formed is obtained.

また、発熱基板1の加工とは別に、第1基板5、第2基板6、および第3基板7を準備する。第1基板5は、第1配線が形成されたPCB基板である。第2基板6は、第2配線が形成されたPCB基板であり、コネクタ69が搭載されている。第3基板7は、第3配線が形成されたフレキシブルプリント基板である。 Furthermore, apart from processing the heat generating substrate 1, a first substrate 5, a second substrate 6, and a third substrate 7 are prepared. The first substrate 5 is a PCB substrate on which first wiring is formed. The second board 6 is a PCB board on which second wiring is formed, and a connector 69 is mounted thereon. The third board 7 is a flexible printed board on which third wiring is formed.

組み立て工程S90は、サーマルプリントヘッドA1を組み立てる工程である。当該工程では、まず、図14に示すように、発熱基板1と第1基板5とを組み立てる。まず、支持テープ95上に、所定の間隔を空けて、発熱基板1および第1基板5を配置する。次いで、ドライバIC55を第1基板5の主面51に搭載し、複数のワイヤ561,562をボンディングする。そして、ドライバIC55および複数のワイヤ561,562を覆う保護樹脂57を、発熱基板1と第1基板5とに跨るように形成する。また、第2基板6の主面61に、第3基板7を接着剤などで接着することで、第2基板6と第3基板7とを組み立てる。次に、支持テープ95から剥離された第1基板5の主面51の副走査方向yの上流側y1に、第3基板7の副走査方向yの下流側y2の部分を、接着剤などで接着する。次に、第1支持面81、第2支持面82、および底面83が形成された放熱部材8を準備する。放熱部材8は、アルミニウムなどの金属材料を用いて、押し出し成型によって形成される。次に、放熱部材8の第1支持面81および第2支持面82に接着部材を配置する。 The assembly step S90 is a step of assembling the thermal print head A1. In this step, first, as shown in FIG. 14, the heat generating substrate 1 and the first substrate 5 are assembled. First, the heat generating substrate 1 and the first substrate 5 are placed on the support tape 95 at a predetermined interval. Next, the driver IC 55 is mounted on the main surface 51 of the first substrate 5, and the plurality of wires 561 and 562 are bonded. Then, a protective resin 57 covering the driver IC 55 and the plurality of wires 561 and 562 is formed so as to straddle the heat generating substrate 1 and the first substrate 5. Further, the second substrate 6 and the third substrate 7 are assembled by bonding the third substrate 7 to the main surface 61 of the second substrate 6 with an adhesive or the like. Next, a portion of the third substrate 7 on the downstream side y2 in the sub-scanning direction y is attached to the upstream side y1 in the sub-scanning direction y of the main surface 51 of the first substrate 5 that has been peeled off from the support tape 95 using adhesive or the like. Glue. Next, a heat radiating member 8 having a first support surface 81, a second support surface 82, and a bottom surface 83 is prepared. The heat dissipation member 8 is formed by extrusion molding using a metal material such as aluminum. Next, an adhesive member is placed on the first support surface 81 and the second support surface 82 of the heat dissipation member 8 .

次に、図15に示すように、一体となった発熱基板1、第1基板5、および第2基板6を放熱部材8に取り付ける。発熱基板1は、第1支持面81の副走査方向yの下流側y2に、裏面12を第1支持面81に対向させるようにして配置される。第1基板5は、第1支持面81の副走査方向yの上流側y1に、裏面52を第1支持面81に対向させるようにして配置される。また、第2基板6は、裏面62を第2支持面82に対向させるようにして配置される。第1基板5は、柔軟性を有する第3基板7によって第2基板6に接続されているので、第2基板6に対する傾斜姿勢を自由に変更可能である。したがって、第1基板5は、第2支持面82に対して傾斜している第1支持面81に取り付け可能である。次いで、熱を加えることで、接着部材を固化させて、裏面12および裏面52を第1支持面81に接着させる。 Next, as shown in FIG. 15, the integrated heat generating board 1, first board 5, and second board 6 are attached to the heat radiating member 8. The heat generating substrate 1 is disposed on the downstream side y2 of the first support surface 81 in the sub-scanning direction y, with the back surface 12 facing the first support surface 81. The first substrate 5 is arranged on the upstream side y1 of the first support surface 81 in the sub-scanning direction y, with the back surface 52 facing the first support surface 81. Further, the second substrate 6 is arranged so that the back surface 62 faces the second support surface 82 . Since the first substrate 5 is connected to the second substrate 6 by the third substrate 7 having flexibility, the inclined posture with respect to the second substrate 6 can be changed freely. Therefore, the first substrate 5 can be attached to the first support surface 81 that is inclined with respect to the second support surface 82 . Next, by applying heat, the adhesive member is solidified and the back surface 12 and the back surface 52 are bonded to the first support surface 81.

以上の工程により、上述のサーマルプリントヘッドA1が得られる。なお、サーマルプリントヘッドA1の製造方法は、上述した方法に限定されない。たとえば、凸部形成工程S20の前にグレーズ層形成工程S30を行って、先に基材10Aにグレーズ層15Aを形成してもよい。この場合、基材10Aに形成されたグレーズ層15Aがマスクとして機能するので、マスク層98の形成が不要になる。また、サーマルプリントヘッドA1の組み立ての順序は限定されない。サーマルプリントヘッドA1は、保護樹脂57によって一体化された発熱基板1および第1基板5を放熱部材8に取り付け、その後、第2基板6を放熱部材8に取り付けて、第3基板7を第1基板5に接続してもよい。 Through the above steps, the above-described thermal print head A1 is obtained. Note that the method for manufacturing the thermal print head A1 is not limited to the method described above. For example, the glaze layer forming step S30 may be performed before the convex portion forming step S20 to first form the glaze layer 15A on the base material 10A. In this case, since the glaze layer 15A formed on the base material 10A functions as a mask, the formation of the mask layer 98 becomes unnecessary. Further, the order of assembling the thermal print head A1 is not limited. Thermal print head A1 attaches the heat generating substrate 1 and the first substrate 5, which are integrated with the protective resin 57, to the heat dissipating member 8, then attaches the second substrate 6 to the heat dissipating member 8, and attaches the third substrate 7 to the first substrate. It may also be connected to the substrate 5.

次に、サーマルプリントヘッドA1の作用について説明する。 Next, the operation of the thermal print head A1 will be explained.

本実施形態によると、発熱基板1は、厚さ方向zの第1側z1にグレーズ層15が配置されている。グレーズ層15は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びる凹部152,153を備えている。グレーズ層15は、凹部152,153が形成されていないグレーズ層と比較して、印刷媒体92に押圧される部分の表面積が小さくなるので、印刷媒体92への押圧力を高めることができる。これにより、発熱部41が発する熱を、効率よく印刷媒体92に伝えることができる。発熱部41で発生させなければならない熱量を抑制できるので、サーマルプリントヘッドA1は、消費電力を抑制でき、印字効率の向上が可能である。 According to this embodiment, the heat generating substrate 1 has the glaze layer 15 disposed on the first side z1 in the thickness direction z. The glaze layer 15 includes recesses 152 and 153 that are recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z and extend in the main scanning direction x. Since the surface area of the glaze layer 15 that is pressed against the printing medium 92 is smaller than that of a glaze layer in which the recesses 152 and 153 are not formed, the pressing force against the printing medium 92 can be increased. Thereby, the heat generated by the heat generating section 41 can be efficiently transmitted to the print medium 92. Since the amount of heat that must be generated by the heat generating section 41 can be suppressed, the thermal print head A1 can suppress power consumption and improve printing efficiency.

また、本実施形態によると、凹部152,153は、グレーズ層15Aにウエットエッチングを施すことで形成される。したがって、製造工程(凹部形成工程S40)において、多数の発熱基板1上のグレーズ層15Aに、凹部152,153を容易に形成可能である。 Further, according to the present embodiment, the recesses 152 and 153 are formed by performing wet etching on the glaze layer 15A. Therefore, in the manufacturing process (recess formation step S40), recesses 152 and 153 can be easily formed in the glaze layer 15A on a large number of heat generating substrates 1.

また、本実施形態によると、発熱基板1は、主面11から厚さ方向zの第1側z1に突出して主走査方向xに延びている凸部13を備えている。凸部13の天面131上には、グレーズ層15を介して、複数の発熱部41が配置されている。これにより、サーマルプリントヘッドA1は、プラテンローラ91を介して、印刷媒体92を適切に発熱部41に押圧させることができる。また、本実施形態によると、発熱基板1は、Siウエハなどの単結晶半導体からなる基板材料から形成される。したがって、発熱基板1は、異方性エッチングによって、主走査方向xに直交する断面の形状が主走査方向xに一様である凸部13が容易に形成される。印刷媒体92の発熱部41に対する押圧接触状態は、主走査方向x各所において一定となる。このことは、発熱基板1の製造ロットが異なっても変わらないので、印字品質のバラツキを抑制できる。 Further, according to the present embodiment, the heat generating substrate 1 includes the convex portion 13 that protrudes from the main surface 11 toward the first side z1 in the thickness direction z and extends in the main scanning direction x. A plurality of heat generating parts 41 are arranged on the top surface 131 of the convex part 13 with the glaze layer 15 interposed therebetween. Thereby, the thermal print head A1 can appropriately press the print medium 92 against the heat generating section 41 via the platen roller 91. Further, according to this embodiment, the heat generating substrate 1 is formed from a substrate material made of a single crystal semiconductor such as a Si wafer. Therefore, in the heat generating substrate 1, the convex portion 13 whose cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction x is uniform in the main scanning direction x is easily formed by anisotropic etching. The pressing contact state of the print medium 92 with the heat generating portion 41 is constant at various locations in the main scanning direction x. This does not change even if the manufacturing lot of the heat generating substrate 1 is different, so that variations in print quality can be suppressed.

また、本実施形態によると、第1基板5および第2基板6は、柔軟性を有する第3基板7によって接続されている。したがって、第1基板5および第2基板6は、互いに傾斜させた状態で、放熱部材8に搭載可能である。よって、サーマルプリントヘッドA1の設計の自由度は向上する。 Further, according to this embodiment, the first substrate 5 and the second substrate 6 are connected by the third substrate 7 having flexibility. Therefore, the first substrate 5 and the second substrate 6 can be mounted on the heat dissipation member 8 in a mutually inclined state. Therefore, the degree of freedom in designing the thermal print head A1 is improved.

図16~図21は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。 16-21 illustrate other embodiments of the present disclosure. In addition, in these figures, the same or similar elements as in the above embodiment are given the same reference numerals as in the above embodiment.

<第2実施形態>
図16は、本開示の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドA2を説明するための図である。図16は、サーマルプリントヘッドA2を示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA2は、発熱部41の配置位置が、上述した第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
<Second embodiment>
FIG. 16 is a diagram for explaining a thermal print head A2 according to a second embodiment of the present disclosure. FIG. 16 is an enlarged sectional view of a main part of the thermal print head A2, and corresponds to FIG. 6. The thermal print head A2 of this embodiment is different from the above-described first embodiment in the arrangement position of the heat generating part 41. The configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. In addition, each part of the said 1st Embodiment may be combined arbitrarily.

本実施形態においては、発熱部41は、グレーズ層15の頂面151および凹部152にまたがって配置されている。発熱部41は、頂面151に配置された第1領域41a、および、凹部152に配置された第2領域41bを含んでいる。また、発熱部41は、グレーズ層15の頂面151と凹部152との境界154にも配置されている。 In this embodiment, the heat generating part 41 is arranged astride the top surface 151 and the recess 152 of the glaze layer 15. The heat generating portion 41 includes a first region 41 a disposed on the top surface 151 and a second region 41 b disposed in the recess 152 . The heat generating portion 41 is also arranged at a boundary 154 between the top surface 151 of the glaze layer 15 and the recess 152.

本実施形態においても、グレーズ層15は、凹部152,153を備えている。さらに、本実施形態によると、発熱部41は、頂面151および凹部152にまたがって配置されている。したがって、サーマルプリントヘッドA2は、発熱部41が頂面151にのみ配置されている場合と比較して、印字媒体に押圧される部分の表面積をさらに小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッドA2は、印字媒体への押圧力をさらに高め、さらなる印字効率の向上が可能である。また、サーマルプリントヘッドA2は、サーマルプリントヘッドA1と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドA1と同等の効果を奏する。 Also in this embodiment, the glaze layer 15 includes recesses 152 and 153. Furthermore, according to the present embodiment, the heat generating section 41 is arranged across the top surface 151 and the recess 152. Therefore, in the thermal print head A2, the surface area of the portion pressed against the print medium can be further reduced compared to the case where the heat generating portion 41 is disposed only on the top surface 151. Thereby, the thermal print head A2 can further increase the pressing force against the print medium and further improve printing efficiency. Furthermore, the thermal print head A2 has a configuration common to that of the thermal print head A1, thereby achieving the same effects as the thermal print head A1.

<第3実施形態>
図17は、本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドA3を説明するための図である。図17は、サーマルプリントヘッドA3を示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA3は、グレーズ層15が凹部153を備えていない点で、上述した第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~2実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
<Third embodiment>
FIG. 17 is a diagram for explaining a thermal print head A3 according to a third embodiment of the present disclosure. FIG. 17 is an enlarged sectional view of a main part of the thermal print head A3, and corresponds to FIG. 6. The thermal print head A3 of this embodiment differs from the above-described first embodiment in that the glaze layer 15 does not include the recess 153. The configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that each part of the first and second embodiments described above may be combined arbitrarily.

本実施形態においては、グレーズ層15は、頂面151および凹部152を備えているが、ラウンド部分153Aがエッチングで除去されず、凹部153を備えていない。 In this embodiment, the glaze layer 15 includes a top surface 151 and a recess 152, but the round portion 153A is not removed by etching and does not include the recess 153.

本実施形態においても、グレーズ層15は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びる凹部152を備えている。グレーズ層15は、凹部152が形成されていないグレーズ層と比較して、印字媒体に押圧される部分の表面積が小さくなる。これにより、サーマルプリントヘッドA3は、印字媒体への押圧力を高めることができ、印字効率の向上が可能である。また、サーマルプリントヘッドA3は、サーマルプリントヘッドA1と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドA1と同等の効果を奏する。 Also in this embodiment, the glaze layer 15 includes a recess 152 that is recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z and extends in the main scanning direction x. The surface area of the glaze layer 15 that is pressed against the print medium is smaller than that of a glaze layer in which the recesses 152 are not formed. Thereby, the thermal print head A3 can increase the pressing force against the print medium, and can improve printing efficiency. Further, the thermal print head A3 has a configuration common to that of the thermal print head A1, thereby achieving the same effects as the thermal print head A1.

なお、本実施形態では、グレーズ層15が凹部153を備えていない場合について説明したが、これに限られない。グレーズ層15は、凹部153を備えているが、凹部152を備えていなくてもよい。なお、印字効率の向上のためには、グレーズ層15は、凹部152および凹部153の両方を備えているのが望ましい。 In addition, although the case where the glaze layer 15 is not provided with the recessed part 153 was demonstrated in this embodiment, it is not restricted to this. Although the glaze layer 15 includes the recess 153, it may not include the recess 152. Note that, in order to improve printing efficiency, it is desirable that the glaze layer 15 include both the recesses 152 and 153.

<第4実施形態>
図18は、本開示の第4実施形態に係るサーマルプリントヘッドA4を説明するための図である。図18は、サーマルプリントヘッドA4を示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA4は、凹部152,153の形状が、上述した第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~3実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
<Fourth embodiment>
FIG. 18 is a diagram for explaining a thermal print head A4 according to a fourth embodiment of the present disclosure. FIG. 18 is an enlarged sectional view of a main part of the thermal print head A4, and corresponds to FIG. 6. The thermal print head A4 of this embodiment is different from the first embodiment described above in the shape of the recesses 152 and 153. The configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that each part of the first to third embodiments described above may be combined arbitrarily.

本実施形態においては、凹部152は、発熱基板1の主面11および天面131に平行な第1面152aと、頂面151および第1面152aにつながる第2面152bとを備えている。本実施形態では、第2面152bは、第1面152aに直交している。同様に、凹部153は、発熱基板1の主面11および天面131に平行な第1面153aと、頂面151および第1面153aにつながる第2面153bとを備えている。本実施形態では、第2面153bは、第1面153aに直交している。凹部152,153は、製造工程の凹部形成工程S40において、グレーズ層15Aにドライエッチングを施すことで形成される。なお、ドライエッチングに使用するエッチングガスの組成および圧力は限定されない。また、凹部152,153の形成方法は限定されない。凹部152,153は、たとえば、ダイシングブレードでの切削、または、レーザの照射など、エッチング以外の方法で形成されてもよい。 In this embodiment, the recess 152 includes a first surface 152a parallel to the main surface 11 and the top surface 131 of the heat generating substrate 1, and a second surface 152b connected to the top surface 151 and the first surface 152a. In this embodiment, the second surface 152b is perpendicular to the first surface 152a. Similarly, the recess 153 includes a first surface 153a parallel to the main surface 11 and the top surface 131 of the heat generating substrate 1, and a second surface 153b connected to the top surface 151 and the first surface 153a. In this embodiment, the second surface 153b is perpendicular to the first surface 153a. The recesses 152 and 153 are formed by performing dry etching on the glaze layer 15A in the recess formation step S40 of the manufacturing process. Note that the composition and pressure of the etching gas used for dry etching are not limited. Further, the method of forming the recesses 152 and 153 is not limited. The recesses 152 and 153 may be formed by a method other than etching, such as cutting with a dicing blade or laser irradiation.

本実施形態においても、グレーズ層15は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びる凹部152,153を備えている。グレーズ層15は、凹部152,153が形成されていないグレーズ層と比較して、印字媒体に押圧される部分の表面積が小さくなる。これにより、サーマルプリントヘッドA4は、印字媒体への押圧力を高めることができ、印字効率の向上が可能である。また、サーマルプリントヘッドA4は、サーマルプリントヘッドA1と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドA1と同等の効果を奏する。 Also in this embodiment, the glaze layer 15 includes recesses 152 and 153 that are recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z and extend in the main scanning direction x. The surface area of the glaze layer 15 that is pressed against the print medium is smaller than that of a glaze layer in which the recesses 152 and 153 are not formed. Thereby, the thermal print head A4 can increase the pressing force against the print medium, and can improve printing efficiency. Furthermore, the thermal print head A4 has a configuration common to that of the thermal print head A1, thereby achieving the same effects as the thermal print head A1.

<第5実施形態>
図19は、本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドA5を説明するための図である。図19は、サーマルプリントヘッドA5を示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA5は、凹部152,153の形状が、上述した第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~4実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
<Fifth embodiment>
FIG. 19 is a diagram for explaining a thermal print head A5 according to a fifth embodiment of the present disclosure. FIG. 19 is an enlarged sectional view of a main part of the thermal print head A5, and corresponds to FIG. 6. The thermal print head A5 of this embodiment is different from the first embodiment described above in the shape of the recesses 152 and 153. The configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that each part of the first to fourth embodiments described above may be combined arbitrarily.

本実施形態においては、凹部152は、発熱基板1の主面11および天面131に平行な第1面152aと、頂面151および第1面152aにつながる第2面152bとを備えている。本実施形態では、第2面152bは、副走査方向yに直交する直交面に対して傾斜しており、厚さ方向zの第1側z1ほど副走査方向yの上流側y1に位置している。同様に、凹部153は、発熱基板1の主面11および天面131に平行な第1面153aと、頂面151および第1面153aにつながる第2面153bとを備えている。本実施形態では、第2面153bは、副走査方向yに直交する直交面に対して傾斜しており、厚さ方向zの第1側z1ほど副走査方向yの下流側y2に位置している。凹部152,153は、製造工程の凹部形成工程S40において、グレーズ層15Aにドライエッチングを施すことで形成される。なお、ドライエッチングに使用するエッチングガスの組成および圧力は限定されない。また、凹部152,153の形成方法は限定されない。凹部152,153は、たとえば、ダイシングブレードでの切削、または、レーザの照射など、エッチング以外の方法で形成されてもよい。 In this embodiment, the recess 152 includes a first surface 152a parallel to the main surface 11 and the top surface 131 of the heat generating substrate 1, and a second surface 152b connected to the top surface 151 and the first surface 152a. In the present embodiment, the second surface 152b is inclined with respect to an orthogonal plane perpendicular to the sub-scanning direction y, and the second surface 152b is located closer to the upstream side y1 in the sub-scanning direction y as the first side z1 in the thickness direction z is. There is. Similarly, the recess 153 includes a first surface 153a parallel to the main surface 11 and the top surface 131 of the heat generating substrate 1, and a second surface 153b connected to the top surface 151 and the first surface 153a. In the present embodiment, the second surface 153b is inclined with respect to an orthogonal plane perpendicular to the sub-scanning direction y, and is located closer to the first side z1 in the thickness direction z and further downstream y2 in the sub-scanning direction y. There is. The recesses 152 and 153 are formed by performing dry etching on the glaze layer 15A in the recess formation step S40 of the manufacturing process. Note that the composition and pressure of the etching gas used for dry etching are not limited. Further, the method of forming the recesses 152 and 153 is not limited. The recesses 152 and 153 may be formed by a method other than etching, such as cutting with a dicing blade or laser irradiation.

本実施形態においても、グレーズ層15は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びる凹部152,153を備えている。グレーズ層15は、凹部152,153が形成されていないグレーズ層と比較して、印字媒体に押圧される部分の表面積が小さくなる。これにより、サーマルプリントヘッドA5は、印字媒体への押圧力を高めることができ、印字効率の向上が可能である。また、サーマルプリントヘッドA5は、サーマルプリントヘッドA1と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドA1と同等の効果を奏する。 Also in this embodiment, the glaze layer 15 includes recesses 152 and 153 that are recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z and extend in the main scanning direction x. The surface area of the glaze layer 15 that is pressed against the print medium is smaller than that of a glaze layer in which the recesses 152 and 153 are not formed. Thereby, the thermal print head A5 can increase the pressing force against the print medium, and can improve printing efficiency. Furthermore, the thermal print head A5 has a configuration common to that of the thermal print head A1, thereby achieving the same effects as the thermal print head A1.

第4実施形態および第5実施形態から理解されるように、凹部152,153をドライエッチングで形成する場合、ドライエッチングに使用するエッチングガスの組成および圧力によって、第2面152bおよび第2面153bの、副走査方向yに直交する直交面に対する傾斜角を自由に設計できる。 As understood from the fourth embodiment and the fifth embodiment, when the recesses 152 and 153 are formed by dry etching, the second surface 152b and the second surface 153b depend on the composition and pressure of the etching gas used for dry etching. The inclination angle with respect to the orthogonal plane perpendicular to the sub-scanning direction y can be freely designed.

<第6実施形態>
図20は、本開示の第6実施形態に係るサーマルプリントヘッドA6を説明するための図である。図20は、サーマルプリントヘッドA6を示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA6は、発熱基板1が凸部13を備えていない点で、上述した第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~5実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
<Sixth embodiment>
FIG. 20 is a diagram for explaining a thermal print head A6 according to a sixth embodiment of the present disclosure. FIG. 20 is an enlarged sectional view of a main part of the thermal print head A6, and corresponds to FIG. 6. The thermal print head A6 of this embodiment differs from the above-described first embodiment in that the heat generating substrate 1 does not include the convex portion 13. The configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that each part of the first to fifth embodiments described above may be combined arbitrarily.

本実施形態においては、発熱基板1が凸部13を備えておらず、グレーズ層15が主面11に配置されている。サーマルプリントヘッドA6は、製造工程の凸部形成工程S20を省略し、準備した基材10Aを発熱基板1として、グレーズ層形成工程S30を行うことで製造される。 In this embodiment, the heat generating substrate 1 does not include the convex portion 13, and the glaze layer 15 is disposed on the main surface 11. The thermal print head A6 is manufactured by omitting the protrusion forming step S20 in the manufacturing process and using the prepared base material 10A as the heat generating substrate 1 and performing the glaze layer forming step S30.

本実施形態においても、グレーズ層15は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びる凹部152,153を備えている。グレーズ層15は、凹部152,153が形成されていないグレーズ層と比較して、印字媒体に押圧される部分の表面積が小さくなる。これにより、サーマルプリントヘッドA6は、印字媒体への押圧力を高めることができ、印字効率の向上が可能である。また、サーマルプリントヘッドA6は、サーマルプリントヘッドA1と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドA1と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、発熱基板1は凸部13を備えていない。したがって、サーマルプリントヘッドA6は、凸部形成工程S20を必要とせず、製造工程を簡略化できる。 Also in this embodiment, the glaze layer 15 includes recesses 152 and 153 that are recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z and extend in the main scanning direction x. The surface area of the glaze layer 15 that is pressed against the print medium is smaller than that of a glaze layer in which the recesses 152 and 153 are not formed. Thereby, the thermal print head A6 can increase the pressing force against the print medium, and can improve printing efficiency. Further, the thermal print head A6 has a configuration common to that of the thermal print head A1, thereby achieving the same effects as the thermal print head A1. Furthermore, according to this embodiment, the heat generating substrate 1 does not include the convex portion 13. Therefore, the thermal print head A6 does not require the protrusion forming step S20, and the manufacturing process can be simplified.

<第7実施形態>
図21は、本開示の第7実施形態に係るサーマルプリントヘッドA7を説明するための図である。図21は、サーマルプリントヘッドA7を示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA7は、グレーズ層15が絶縁層18と抵抗体層4との間に形成されている点で、上述した第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~6実施形態の各部が任意に組み合わせられてもよい。
<Seventh embodiment>
FIG. 21 is a diagram for explaining a thermal print head A7 according to a seventh embodiment of the present disclosure. FIG. 21 is an enlarged sectional view of a main part of the thermal print head A7, and corresponds to FIG. 6. The thermal print head A7 of this embodiment differs from the above-described first embodiment in that the glaze layer 15 is formed between the insulating layer 18 and the resistor layer 4. The configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that each part of the first to sixth embodiments described above may be combined arbitrarily.

本実施形態においては、グレーズ層15は、第1実施形態のように発熱基板1と絶縁層18との間に形成されるのではなく、絶縁層18と抵抗体層4との間に形成されている。つまり、サーマルプリントヘッドA7は、発熱基板1上に、絶縁層18、グレーズ層15、抵抗体層4の順で積層されている。サーマルプリントヘッドA7は、製造工程の凸部形成工程S20の後、グレーズ層形成工程S30を行う前に、絶縁層形成工程S50を行うことで製造される。なお、本実施形態では、絶縁層18は、基材10Aを熱酸化させることで得られるSiO2膜で構成されてもよい。 In this embodiment, the glaze layer 15 is not formed between the heat generating substrate 1 and the insulating layer 18 as in the first embodiment, but is formed between the insulating layer 18 and the resistor layer 4. ing. That is, in the thermal print head A7, the insulating layer 18, the glaze layer 15, and the resistor layer 4 are laminated in this order on the heat generating substrate 1. The thermal print head A7 is manufactured by performing an insulating layer forming step S50 after the protrusion forming step S20 in the manufacturing process and before performing the glaze layer forming step S30. Note that in this embodiment, the insulating layer 18 may be composed of an SiO 2 film obtained by thermally oxidizing the base material 10A.

本実施形態においても、グレーズ層15は、頂面151から厚さ方向zの第2側z2に凹み、かつ、主走査方向xに延びる凹部152,153を備えている。グレーズ層15は、凹部152,153が形成されていないグレーズ層と比較して、印字媒体に押圧される部分の表面積が小さくなる。これにより、サーマルプリントヘッドA7は、印字媒体への押圧力を高めることができ、印字効率の向上が可能である。また、サーマルプリントヘッドA7は、サーマルプリントヘッドA1と共通する構成をとることにより、サーマルプリントヘッドA1と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、絶縁層18は、基材10Aを熱酸化させることで得られるSiO2膜で構成できる。したがって、サーマルプリントヘッドA7は、グレーズ層15を形成した後に、たとえばCVDを用いてTEOSを堆積させることにより絶縁層18を形成する場合と比較して、製造工程を簡略化できる。 Also in this embodiment, the glaze layer 15 includes recesses 152 and 153 that are recessed from the top surface 151 toward the second side z2 in the thickness direction z and extend in the main scanning direction x. The surface area of the glaze layer 15 that is pressed against the print medium is smaller than that of a glaze layer in which the recesses 152 and 153 are not formed. Thereby, the thermal print head A7 can increase the pressing force against the print medium, and can improve printing efficiency. Further, the thermal print head A7 has a configuration common to that of the thermal print head A1, thereby achieving the same effects as the thermal print head A1. Furthermore, according to this embodiment, the insulating layer 18 can be composed of an SiO 2 film obtained by thermally oxidizing the base material 10A. Therefore, the manufacturing process of the thermal print head A7 can be simplified compared to a case where the insulating layer 18 is formed by depositing TEOS using, for example, CVD after forming the glaze layer 15.

上記第1~7実施形態においては、発熱基板1がSiによって形成されている場合について説明したが、これに限られない。発熱基板1の構成材料は、他の単結晶半導体であってもよいし、たとえばセラミックスなどであってもよい。 In the first to seventh embodiments described above, the case where the heat generating substrate 1 is made of Si has been described, but the present invention is not limited to this. The constituent material of the heat generating substrate 1 may be another single crystal semiconductor, or may be, for example, ceramics.

本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびその製造方法と、当該サーマルプリントヘッドを備えているサーマルプリンタとは、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタの各部の具体的な構成、および、本開示に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。 The thermal print head and the manufacturing method thereof according to the present disclosure, and the thermal printer including the thermal print head are not limited to the embodiments described above. The specific configuration of each part of the thermal print head and thermal printer according to the present disclosure, and the specific processing of each step of the method for manufacturing a thermal print head according to the present disclosure can be variously changed in design.

〔付記1〕
厚さ方向(z)の第1側(z1)を向く主面(11)を有する発熱基板(1)と、
前記発熱基板の前記第1側に配置されたグレーズ層(15)と、
前記発熱基板の前記第1側で主走査方向(x)に沿って配列された複数の発熱部(41)を含む抵抗体層(4)と、
を備え、
前記グレーズ層は、前記厚さ方向の第1側を向き、かつ、前記主走査方向に延びる頂面(151)と、前記頂面から前記厚さ方向に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第1凹部(152)と、を備え、
前記発熱部は前記頂面に配置された第1領域(41a)を含んでいる、
サーマルプリントヘッド(A1)。
〔付記2〕
前記第1凹部は、前記頂面につながる曲面を備えている、
付記1に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記3、第4~5実施形態、図18~図19〕
前記第1凹部は、前記主面に平行な第1面(152a)と、前記頂面と前記第1面とにつながる第2面(152b)と、をさらに備えている、
付記1に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記4、第4実施形態、図18〕
前記第2面は、前記第1面に直交している、
付記3に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記5、第5実施形態、図19〕
前記第2面は、副走査方向に直交する直交面に対して傾斜している、
付記3に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記6〕
副走査方向(y)において前記発熱基板に並んで配置された第1基板(5)をさらに備え、
前記第1凹部は、前記副走査方向において前記頂面に対して、前記第1基板とは反対側に配置されている、
付記1ないし5のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記7、第2実施形態、図16〕
前記発熱部は、前記第1凹部に配置された第2領域(41b)を含んでいる、
付記1ないし6のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記8〕
前記グレーズ層は、前記頂面から前記厚さ方向に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第2凹部(153)をさらに備え、
前記第2凹部は、副走査方向において前記頂面に対して前記第1凹部とは反対側に配置されている、
付記1ないし7のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記9〕
前記発熱基板は、単結晶半導体からなり、前記主面から突出する凸部(13)を備え、
前記グレーズ層は、前記凸部に配置されている、
付記1ないし8のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記10〕
前記単結晶半導体は、Siを含み、
前記主面は、(100)面である、
付記9に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記11、図4〕
付記1ないし10のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記複数の発熱部に対向して配置されたプラテンローラ(91)と、
を備えているサーマルプリンタ(B1)。
〔付記12、図7〕
厚さ方向の第1側を向く主面(11A)を有する基材(10A)を準備する基材準備工程(S10)と、
前記基材の前記第1側にグレーズ層(15A)を形成するグレーズ形成工程(S30)と、
前記グレーズ層に、前記厚さ方向の第1側を向き、かつ、主走査方向(x)に延びる頂面(151)と、前記頂面から前記厚さ方向(z)に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第1凹部(152)と、を形成する凹部形成工程(S40)と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記13、図11〕
前記凹部形成工程は、
前記グレーズ層に、前記主走査方向に延びるマスク(99)を形成するマスク形成工程(S41)と、
エッチングにより第1凹部を形成するエッチング工程(S42)と、
前記マスクを除去する除去工程(S43)と、
を備えている、
付記12に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記14〕
前記エッチング工程は、ウエットエッチングにより前記グレーズ層をエッチングする、
付記13に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記15〕
前記エッチング工程は、ドライエッチングにより前記グレーズ層をエッチングする、
付記13に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[Appendix 1]
a heat generating substrate (1) having a main surface (11) facing a first side (z1) in the thickness direction (z);
a glaze layer (15) disposed on the first side of the heat generating substrate;
a resistor layer (4) including a plurality of heat generating parts (41) arranged along the main scanning direction (x) on the first side of the heat generating substrate;
Equipped with
The glaze layer has a top surface (151) facing the first side in the thickness direction and extending in the main scanning direction, and a top surface (151) that is recessed from the top surface in the thickness direction and extending in the main scanning direction. A first recess (152);
The heat generating portion includes a first region (41a) disposed on the top surface.
Thermal print head (A1).
[Appendix 2]
The first recess includes a curved surface that connects to the top surface.
The thermal print head described in Appendix 1.
[Appendix 3, 4th to 5th embodiments, FIGS. 18 to 19]
The first recess further includes a first surface (152a) parallel to the main surface, and a second surface (152b) connected to the top surface and the first surface.
The thermal print head described in Appendix 1.
[Additional Note 4, Fourth Embodiment, FIG. 18]
the second surface is perpendicular to the first surface;
The thermal print head described in Appendix 3.
[Additional Note 5, Fifth Embodiment, FIG. 19]
The second surface is inclined with respect to an orthogonal plane perpendicular to the sub-scanning direction.
The thermal print head described in Appendix 3.
[Appendix 6]
Further comprising a first substrate (5) arranged in parallel with the heat generating substrate in the sub-scanning direction (y),
The first recess is disposed on the opposite side of the first substrate with respect to the top surface in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to any one of Supplementary Notes 1 to 5.
[Additional Note 7, Second Embodiment, Figure 16]
The heat generating portion includes a second region (41b) disposed in the first recess.
The thermal print head according to any one of appendices 1 to 6.
[Appendix 8]
The glaze layer further includes a second recess (153) recessed from the top surface in the thickness direction and extending in the main scanning direction,
The second recess is disposed on the opposite side of the first recess with respect to the top surface in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to any one of appendices 1 to 7.
[Appendix 9]
The heat generating substrate is made of a single crystal semiconductor and includes a convex portion (13) protruding from the main surface,
the glaze layer is disposed on the convex portion,
The thermal print head according to any one of appendices 1 to 8.
[Appendix 10]
The single crystal semiconductor includes Si,
The main surface is a (100) plane.
The thermal print head described in Appendix 9.
[Appendix 11, Figure 4]
The thermal print head according to any one of appendices 1 to 10,
a platen roller (91) arranged to face the plurality of heat generating parts;
A thermal printer (B1) equipped with
[Appendix 12, Figure 7]
a base material preparation step (S10) of preparing a base material (10A) having a main surface (11A) facing the first side in the thickness direction;
a glaze forming step (S30) of forming a glaze layer (15A) on the first side of the base material;
The glaze layer has a top surface (151) facing the first side in the thickness direction and extending in the main scanning direction (x), and a top surface (151) that is recessed from the top surface in the thickness direction (z), and a recess forming step (S40) of forming a first recess (152) extending in the main scanning direction;
It is equipped with
A method of manufacturing a thermal print head.
[Appendix 13, Figure 11]
The recess forming step includes:
a mask forming step (S41) of forming a mask (99) extending in the main scanning direction on the glaze layer;
an etching step (S42) of forming a first recess by etching;
a removal step (S43) of removing the mask;
It is equipped with
The method for manufacturing a thermal print head according to appendix 12.
[Appendix 14]
In the etching step, the glaze layer is etched by wet etching.
The method for manufacturing a thermal print head according to appendix 13.
[Appendix 15]
In the etching step, the glaze layer is etched by dry etching.
The method for manufacturing a thermal print head according to appendix 13.

A1~A7:サーマルプリントヘッド
1 :発熱基板
11 :主面
12 :裏面
13 :凸部
131 :天面
131a :境界
132,133:傾斜面
15 :グレーズ層
151 :頂面
152,153:凹部
152a,153a:第1面
152b,153b:第2面
154 :境界
18 :絶縁層
2 :保護層
21 :パッド用開口
3 :導電層
31 :個別電極
311 :個別パッド
32 :共通電極
323 :連結部
324 :帯状部
33 :中継電極
4 :抵抗体層
41 :発熱部
41a :第1領域
41b :第2領域
5 :第1基板
51 :主面
52 :裏面
55 :ドライバIC
561,562:ワイヤ
57 :保護樹脂
6 :第2基板
61 :主面
62 :裏面
69 :コネクタ
7 :第3基板
8 :放熱部材
81 :第1支持面
82 :第2支持面
83 :底面
91 :プラテンローラ
92 :印刷媒体
95 :支持テープ
98 :マスク層
99 :マスク層
10A :基材
11A :主面
15A :グレーズ層
151A :頂面部分
152A,153A:ラウンド部分
B1 :サーマルプリンタ
A1 to A7: Thermal print head 1: Heat generating substrate 11: Main surface 12: Back surface 13: Convex portion 131: Top surface 131a: Boundary 132, 133: Inclined surface 15: Glaze layer 151: Top surface 152, 153: Concave portion 152a, 153a: First surface 152b, 153b: Second surface 154: Boundary 18: Insulating layer 2: Protective layer 21: Pad opening 3: Conductive layer 31: Individual electrode 311: Individual pad 32: Common electrode 323: Connecting portion 324: Band-shaped portion 33: Relay electrode 4: Resistor layer 41: Heat generating portion 41a: First region 41b: Second region 5: First substrate 51: Main surface 52: Back surface 55: Driver IC
561, 562: wire 57: protective resin 6: second board 61: main surface 62: back surface 69: connector 7: third board 8: heat dissipation member 81: first support surface 82: second support surface 83: bottom surface 91: Platen roller 92: Print medium 95: Support tape 98: Mask layer 99: Mask layer 10A: Base material 11A: Main surface 15A: Glaze layer 151A: Top portion 152A, 153A: Round portion B1: Thermal printer

Claims (15)

厚さ方向の第1側を向く主面を有する発熱基板と、
前記発熱基板の前記第1側に配置されたグレーズ層と、
前記発熱基板の前記第1側で主走査方向に沿って配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
を備え、
前記グレーズ層は、前記厚さ方向の第1側を向き、かつ、前記主走査方向に延びる頂面と、前記頂面から前記厚さ方向に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第1凹部と、を備え、
前記発熱部は前記頂面に配置された第1領域を含んでいる、
サーマルプリントヘッド。
a heat generating substrate having a main surface facing the first side in the thickness direction;
a glaze layer disposed on the first side of the heat generating substrate;
a resistor layer including a plurality of heat generating parts arranged along the main scanning direction on the first side of the heat generating substrate;
Equipped with
The glaze layer has a top surface that faces the first side in the thickness direction and extends in the main scanning direction, and a first recess that is recessed from the top surface in the thickness direction and extends in the main scanning direction. and,
The heat generating portion includes a first region disposed on the top surface.
thermal print head.
前記第1凹部は、前記頂面につながる曲面を備えている、
請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
The first recess includes a curved surface that connects to the top surface.
The thermal print head according to claim 1.
前記第1凹部は、前記主面に平行な第1面と、前記頂面と前記第1面とにつながる第2面と、をさらに備えている、
請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
The first recess further includes a first surface parallel to the main surface, and a second surface connected to the top surface and the first surface.
The thermal print head according to claim 1.
前記第2面は、前記第1面に直交している、
請求項3に記載のサーマルプリントヘッド。
the second surface is perpendicular to the first surface;
The thermal print head according to claim 3.
前記第2面は、副走査方向に直交する直交面に対して傾斜している、
請求項3に記載のサーマルプリントヘッド。
The second surface is inclined with respect to an orthogonal plane perpendicular to the sub-scanning direction.
The thermal print head according to claim 3.
副走査方向において前記発熱基板に並んで配置された第1基板をさらに備え、
前記第1凹部は、前記副走査方向において前記頂面に対して、前記第1基板とは反対側に配置されている、
請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
further comprising a first substrate arranged in parallel with the heat generating substrate in the sub-scanning direction,
The first recess is disposed on the opposite side of the first substrate with respect to the top surface in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to claim 1.
前記発熱部は、前記第1凹部に配置された第2領域を含んでいる、
請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
The heat generating portion includes a second region disposed in the first recess.
The thermal print head according to claim 1.
前記グレーズ層は、前記頂面から前記厚さ方向に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第2凹部をさらに備え、
前記第2凹部は、副走査方向において前記頂面に対して前記第1凹部とは反対側に配置されている、
請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
The glaze layer further includes a second recess that is recessed from the top surface in the thickness direction and extends in the main scanning direction,
The second recess is disposed on the opposite side of the first recess with respect to the top surface in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to claim 1.
前記発熱基板は、単結晶半導体からなり、前記主面から突出する凸部を備え、
前記グレーズ層は、前記凸部に配置されている、
請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
The heat generating substrate is made of a single crystal semiconductor and includes a convex portion protruding from the main surface,
the glaze layer is disposed on the convex portion,
The thermal print head according to claim 1.
前記単結晶半導体は、Siを含み、
前記主面は、(100)面である、
請求項9に記載のサーマルプリントヘッド。
The single crystal semiconductor includes Si,
The main surface is a (100) plane.
The thermal print head according to claim 9.
請求項1ないし10のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記複数の発熱部に対向して配置されたプラテンローラと、
を備えているサーマルプリンタ。
The thermal print head according to any one of claims 1 to 10,
a platen roller disposed facing the plurality of heat generating parts;
A thermal printer equipped with
厚さ方向の第1側を向く主面を有する基材を準備する基材準備工程と、
前記基材の前記第1側にグレーズ層を形成するグレーズ形成工程と、
前記グレーズ層に、前記厚さ方向の第1側を向き、かつ、主走査方向に延びる頂面と、前記頂面から前記厚さ方向に凹み、かつ、前記主走査方向に延びる第1凹部と、を形成する凹部形成工程と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
a base material preparation step of preparing a base material having a main surface facing the first side in the thickness direction;
a glaze forming step of forming a glaze layer on the first side of the base material;
The glaze layer has a top surface that faces the first side in the thickness direction and extends in the main scanning direction, and a first recess that is recessed from the top surface in the thickness direction and extends in the main scanning direction. a recess forming step for forming ,
It is equipped with
A method of manufacturing a thermal print head.
前記凹部形成工程は、
前記グレーズ層に、前記主走査方向に延びるマスクを形成するマスク形成工程と、
エッチングにより前記第1凹部を形成するエッチング工程と、
前記マスクを除去する除去工程と、
を備えている、
請求項12に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The recess forming step includes:
a mask forming step of forming a mask extending in the main scanning direction on the glaze layer;
an etching step of forming the first recess by etching;
a removing step of removing the mask;
It is equipped with
A method for manufacturing a thermal print head according to claim 12.
前記エッチング工程は、ウエットエッチングにより前記グレーズ層をエッチングする、
請求項13に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
In the etching step, the glaze layer is etched by wet etching.
A method for manufacturing a thermal print head according to claim 13.
前記エッチング工程は、ドライエッチングにより前記グレーズ層をエッチングする、
請求項13に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
In the etching step, the glaze layer is etched by dry etching.
A method for manufacturing a thermal print head according to claim 13.
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