JP2024032827A - Thermal print head and manufacturing method for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、サーマルプリントヘッドおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to a thermal print head and a method for manufacturing the same.
特許文献1には、サーマルプリントヘッドの一例が開示されている。サーマルプリントヘッドは一般に、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、ヘッド基板に蓄熱部を介して形成した抵抗体層上に、その一部を露出させるようにして、上流側電極層と下流側電極層をそれらの端部を対向させて積層することにより形成されている。上流側電極層と下流側電極層間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部(発熱部)がジュール熱により発熱する。蓄熱部は、発熱部が発する熱が無駄にヘッド基板等に漏出することを抑制して、高速印字を可能とする等のために設けられる。
同文献に開示されたサーマルプリントヘッドはまた、基板としてSiを用い、半導体プロセスにより抵抗体層を含む各構成部を形成している。この場合、蓄熱部は、SiO2を
用いたスパッタリングやCVD法により形成されるが、十分な厚みの蓄熱部を形成するには相当時間を要し、サーマルプリントヘッドの製造効率が悪化するという問題がある。
The thermal print head disclosed in this document also uses Si as a substrate, and each component including the resistor layer is formed by a semiconductor process. In this case, the heat storage part is formed by sputtering or CVD using SiO 2 , but it takes a considerable amount of time to form a heat storage part of sufficient thickness, which causes a problem in that the manufacturing efficiency of the thermal print head deteriorates. There is.
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、発熱部の下位に設けられる蓄熱部を簡易に形成することができるサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。 The present invention was conceived under the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a thermal print head in which a heat storage section provided below a heat generating section can be easily formed.
上記の課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を採用した。 In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.
本発明の第1の側面によって提供される係るサーマルプリントヘッドは、主面を有する基板と、上記基板の上記主面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記基板はSiウエハから成り、上記発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側電極層および下流側電極層を含んで形成されており、上記抵抗体層は、TaNから成り、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする。 The thermal print head provided by the first aspect of the present invention includes a substrate having a main surface, a heat storage layer formed on the main surface of the substrate, and a heat storage layer arranged on the top layer of the heat storage layer in the main scanning direction. the substrate is made of a Si wafer, and each of the heat generating parts includes a resistor layer and a plurality of heat generating parts laminated on the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer. The resistor layer is made of TaN, and the heat storage layer includes a plate-like heat storage layer on the main surface of the substrate. It is characterized by being formed by pasting members.
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is made of SiO2 .
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、30~50μmの厚さを有する。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member has a thickness of 30 to 50 μm.
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、上記基板の上記主面の全面もしくは略全面に貼着されている。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate.
本発明の第1の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドはまた、主面に主走査方向に延びる凹陥部を有する基板と、上記基板の上記主面に上記凹陥部を覆うようにして形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層であって上記凹陥部の上方に位置させて、主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記基板はSiウエハから成り、上記発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側電極層および下流側電極層を含んで形成されており、上記抵抗体層は、TaNから成り、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする。 The thermal print head provided by the first aspect of the present invention also includes a substrate having a recess extending in the main scanning direction on a main surface, and a substrate formed on the main surface of the substrate to cover the recess. The substrate includes a heat storage layer, and a plurality of heat generating parts arranged in the main scanning direction as an upper layer of the heat storage layer and located above the recessed part, the substrate is made of a Si wafer, and the heat generating parts are Each is formed to include a resistor layer, and an upstream electrode layer and a downstream electrode layer that are laminated on the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and are capable of conducting electricity between them. The resistor layer is made of TaN, and the heat storage layer is formed by adhering a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate.
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is made of SiO2 .
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、30~50μmの厚さを有する。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member has a thickness of 30 to 50 μm.
好ましい実施の形態では、上記凹陥部の深さは、10~100μmである。 In a preferred embodiment, the depth of the recess is 10 to 100 μm.
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、上記基板の上記主面の全面もしくは略全面に貼着されている。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate.
本発明の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、主面を有する基板と、上記基板の上記主面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記基板はSiウエハから成り、上記発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側電極層および下流側電極層を含んで形成されており、上記抵抗体層は、TaNから成り、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されている、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、上記蓄熱層は、Siウエハから成る材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする。 A method for manufacturing a thermal print head provided by a second aspect of the present invention includes: a substrate having a main surface; a heat storage layer formed on the main surface of the substrate; the substrate is made of a Si wafer, and each of the heat generating parts includes a resistor layer and a plurality of heat generating parts arranged on the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer. The resistor layer is made of TaN, and the heat storage layer is formed by forming a plate on the main surface of the substrate. A method of manufacturing a thermal print head formed by pasting a plate-like heat storage member, wherein the heat storage layer is formed by pasting a plate-like heat storage member on the main surface of a material substrate made of a Si wafer. It is characterized by
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is made of SiO2 .
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、陽極接合により、上記基板材料の上記主面の全面もしくは略全面に貼着される。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate material by anodic bonding.
本発明の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法はまた、主面に主走査方向に延びる凹陥部を有する基板と、上記基板の上記主面に上記凹陥部を覆うようにして形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層であって上記凹陥部の上方に位置させて、主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記基板はSiウエハから成り、上記発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側電極層および下流側電極層を含んで形成されており、上記抵抗体層は、TaNから成り、上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されている、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、上記蓄熱層は、Siウエハから成る材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする。 A method for manufacturing a thermal print head provided by a second aspect of the present invention also includes a substrate having a recess extending in the main scanning direction on a main surface, and a method for manufacturing a thermal print head such that the main surface of the substrate covers the recess. a formed heat storage layer; and a plurality of heat generating parts arranged in the main scanning direction and arranged in the main scanning direction as an upper layer of the heat storage layer, and the substrate is made of a Si wafer; Each of the heat generating parts includes a resistor layer, and an upstream electrode layer and a downstream electrode layer that are laminated on the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and are capable of conducting electricity between them. The method for manufacturing a thermal print head is characterized in that the resistor layer is made of TaN, and the heat storage layer is formed by pasting a plate-shaped heat storage member on the main surface of the substrate. The heat storage layer is characterized in that it is formed by adhering a plate-shaped heat storage member to the main surface of a material substrate made of a Si wafer.
上記板状蓄熱部材は、SiO2からなる。 The plate-shaped heat storage member is made of SiO 2 .
好ましい実施の形態では、上記板状蓄熱部材は、陽極接合により、上記基板材料の上記主面の全面もしくは略全面に貼着される。 In a preferred embodiment, the plate-shaped heat storage member is attached to the entire surface or substantially the entire surface of the main surface of the substrate material by anodic bonding.
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
図1~図6は、本発明の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドA1は、ヘッド基板1、接続基板5および放熱部材8を有する。ヘッド基板1および接続基板5は、放熱部材8上に副走査方向yに隣接させて搭載されている。ヘッド基板1には、後に詳説する構成により、主走査方向xに配列される複数の発熱部41が形成されている。この発熱部41は、接続基板5上に搭載されたドライバIC7により選択的に発熱駆動され、コネクタ59を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ91により発熱部41に押圧される感熱紙等の印字媒体に印字を行う。
1 to 6 show a thermal print head according to a first embodiment of the present invention. This thermal print head A1 has a
ヘッド基板1は、主走査方向xを長手方向とし、副走査方向yを短手方向とする細長矩形状の平面形状を有する。ヘッド基板1の大きさは限定されないが、一例を挙げると、主走査方向xの寸法は、例えば50~150mm、副走査方向yの寸法は、例えば2.0~5.0mm、厚さ方向zの寸法は、例えば725μmである。なお、以下の説明において、ヘッド基板1における副走査方向yのドライバIC7に近い側を上流側といい、ドライバIC7から遠い側を下流側という。
The
本実施形態のヘッド基板1は、例えば、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、Siが好適である。
The
図5および図6に示すように、ヘッド基板1の主面11には、蓄熱層15が形成されている。この蓄熱層15は、例えばSiO2からなる板状蓄熱部材150を上記主面11に貼着することによって形成されている。後記する製造方法によれば、この蓄熱層15は、SiO2ウエハをSiウエハに例えば陽極接合により貼着し、研磨により必要な厚さを得
るようにしている。こうして形成される蓄熱層15の厚さは、例えば30~50μmという十分な厚さとすることができる。また、本実施形態では、蓄熱層15は、ヘッド基板1の主面11の全面にわたって形成されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, a
蓄熱層15の上層には、少なくとも、抵抗体層4、電極層3および保護層2がこの順で形成されている。
On the upper layer of the
抵抗体層4は、蓄熱層15の上層に形成されている。抵抗体層4は、後記する電極層3に覆われずに露出する部分が発熱部41を形成する。この発熱部41は、その多数が主走査方向xに配列されている。抵抗体層4は、たとえばTaNからなり、その厚さは特に限定されず、例えば0.02μm~0.1μmである。抵抗体層4は、副走査方向yに所定幅を有し、各発熱部41を主走査方向xについて独立させるため、主走査方向xについて分離形成されている。
The
電極層3は、ヘッド基板1の上流側に形成される複数の個別電極層31と、ヘッド基板1の下流側に形成される共通電極層32とを含む。各個別電極層31は、概ね副走査方向yに延びる帯状をしており、それらの下流側先端は、抵抗体層15の上流側端部に重なる位置まで延びている。各個別電極層31の上流側端部には、個別パッド部311が形成されている。個別パッド部311は、接続基板5に搭載される駆動IC7とワイヤ61により接続される部分である。共通電極層32は、複数の櫛歯部324と、これら複数の櫛歯部324を共通につなげる共通部323とを有する。共通部323はヘッド基板1の上流側の縁に沿って主走査方向xに形成され、各櫛歯部324は、共通部323から分かれて副走査方向yに延びる帯状をしており、各個別電極層31の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。共通部323は、その主走査方向x両端から副走査方向yに折れ曲がってヘッド基板1の下流側に至る延長部325を有する。電極層3は、例えばCuからなり、その厚さは、例えば0.3~2.0μmである。上記したように、抵抗体層4のうち、個別電極層31と、これに先端部どうしが対向する共通電極層32の上記櫛歯部324とに覆われていない部分が各発熱部41を形成する。
The
抵抗体層4および電極層3はさらに、保護層2で覆われている。保護層2は、絶縁性の材料からなり、例えばSiO2、SiN、SiC、AlN等からなる。保護層2の厚みは
、例えば1.0~10μmである。
The
図2および図5に示すように、保護層2は、パッド用開口21を有する。パッド用開口21は、複数の個別電極層31に設けた個別パッド部311を露出させている。
As shown in FIGS. 2 and 5, the
接続基板5は、ヘッド基板1に対して副走査方向y上流側に隣接して配置されている。接続基板5は、例えばPCB基板であり、ドライバIC7やコネクタ59が搭載される。接続基板5は、主走査方向xを長手方向とする平面視長矩形状をしている。
The
ドライバIC7は、接続基板5上に搭載されており、複数の発熱部41に個別に通電させるために設けられる。ドライバIC7と上記各個別電極層31の各個別パッド部311間は、複数のワイヤ61によって接続される。ドライバIC7はまた、接続基板5上に形成された配線パターンに対して、ワイヤ62によって接続されている。ドライバIC7には、コネクタ59を介して外部から送信される印字信号が入力される。複数の発熱部41は、印字信号に従って個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。
The
ドライバIC7およびワイヤ61,62は、ヘッド基板1と接続基板5とに跨るようにして保護樹脂78で覆われている。保護樹脂78は、例えばエポキシ樹脂等の黒色の絶縁性樹脂が用いられる。
The
放熱部材8は、ヘッド基板1および接続基板5を支持しており、発熱部41により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材8は、例えばアルミ等の金属製である。
The
次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図7~図13を参照して説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A1 will be described with reference to FIGS. 7 to 13.
まず、図7に示すように、材料基板1Aを用意する。材料基板1Aは、単結晶半導体からなり、たとえばSiウエハである。材料基板1Aは、平坦な主面11Aを有し、当該主面11Aは(100)面とするのが好ましい。
First, as shown in FIG. 7, a
次いで、図8に示すように、材料基板1Aの主面11Aの全面にわたり、板状蓄熱部材150としてのSiO2ウエハ150Aを貼着する。この貼着の手法としては、陽極接合
が適当である。
Next, as shown in FIG. 8, an SiO 2 wafer 150A as a plate-shaped
次いで、図9に示すように、板状蓄熱部材150の表面を研磨することにより、その厚さを所望の厚さ、例えば30~50μmに設定する。
Next, as shown in FIG. 9, the surface of the plate-shaped
次いで、図10に示すように、抵抗体膜4Aを形成する。抵抗体膜4Aの形成は、例えばスパッタリングによりTaNの薄膜を形成することによって行う。
Next, as shown in FIG. 10, a
次いで、図11に示すように、抵抗体膜4Aにエッチングを施すことにより、副走査方向yに所定幅を有し、主走査方向xに延びる抵抗体層4を形成する。
Next, as shown in FIG. 11, the
次いで、図12に示すように、導電膜3Aを形成する。導電膜3Aの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりCuからなる層を形成することによって行う。
Next, as shown in FIG. 12, a
次いで、図13に示すように、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向xに分離された抵抗体層4、この抵抗体層4を発熱部41を残して覆う個別電極層31、および共通電極層32の櫛歯部324を形成する。
Next, as shown in FIG. 13, by selectively etching the
次いで、保護層2を形成する、保護層2の形成は、例えばCVDを用いて電極層3および抵抗体層4上にSiNおよびSiCを堆積させることにより行われる。また、保護層2をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口21を形成する。この後は、放熱部材8上へのヘッド基板1および接続基板5の組付け、接続基板5へのドライバIC7接続の搭載、ワイヤ61,62のボンディング、保護樹脂78の形成等を行うことにより、図1~図6に示したサーマルプリントヘッドA1が得られる。
Next, the
次に、第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1の作用について説明する。 Next, the operation of the thermal print head A1 according to the first embodiment will be explained.
ヘッド基板1の材料であるSiウエハは、比較的熱伝導性がよく、何らの手当も行わないと発熱部41が発する熱を無駄に放熱部材8に向けて漏出させ、高速印字に不向きとなるが、このサーマルプリントヘッドA1においては、発熱部41の下位に十分な厚さの蓄熱層15が形成されているため、発熱部41が発する熱の無駄な漏出が防がれ、高速印字にも適するようになる。
The Si wafer that is the material of the
しかも、蓄熱層15は、SiO2ウエハをSiウエハに対して貼着することによって形
成されているため、例えばSiO2をスパッタリングで付着させて形成することに比較し
、圧倒的な厚みで、かつ圧倒的に短時間で形成することができ、このことは、サーマルプリントヘッドA1の製造効率の向上およびコスト低減に大いに寄与する。
Moreover, since the
図14~図15は、本発明の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドA2は、ヘッド基板1の主面11における発熱部41の下位に位置する領域に副走査方向y所定幅で主走査方向xに延びる凹陥部115が形成されている点が第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドのA1と異なる。図14~図15においては、第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1と同一または同等の部材または部分には同一の参照符号を付して以下における詳細な説明を省略する。
14 to 15 show a thermal print head according to a second embodiment of the present invention. The first feature of this thermal print head A2 is that a
ヘッド基板1の主面11における、発熱部41の副走査方向y位置と対応する位置に、主走査方向xに延びる凹陥部115が形成されている。この凹陥部115の深さは、例えば10~100μmとされる。
A
蓄熱層15は、凹陥115部を覆うようにして、主面11の全面にわたって貼着により形成されている。これにより、発熱部41の副走査方向y位置に対応して、蓄熱層15の直下に凹陥部115による空隙115Aが形成される。蓄熱層15の上層には、第1実施形態と同様に、少なくとも、抵抗体層4、電極層3および保護層2がこの順で形成されている。
The
次に、サーマルプリントヘッドA2の製造方法の一例について、図16~図23を参照して説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A2 will be described with reference to FIGS. 16 to 23.
まず、図16に示すように、材料基板1Aを用意する。材料基板1Aは、単結晶半導体からなり、たとえばSiウエハである。材料基板1Aは、平坦な主面11Aを有し、当該主面11Aは(100)面とするのが好ましい。
First, as shown in FIG. 16, a
次いで、図17に示すように、材料基板1Aの主面11Aに凹陥部115を形成する。凹陥部115の形成は、例えば、異方性エッチングにより行うことができる。上記したように、凹陥部115Aの深さは、例えば10~100μmである。
Next, as shown in FIG. 17, a
次いで、図18に示すように、材料基板1Aの主面11Aの全面にわたり、板状蓄熱部材150としてのSiO2ウエハ150Aを貼着する。この貼着の手法としては、陽極接
合が適当である。
Next, as shown in FIG. 18, an SiO 2 wafer 150A as a plate-shaped
次いで、図19に示すように、板状蓄熱部材150の表面を研磨することにより、板状蓄熱部材150の厚さを所望の厚さ、例えば30~50μmに設定する。
Next, as shown in FIG. 19, the surface of the plate-shaped
次いで、図20に示すように、抵抗体膜4Aを形成する。抵抗体膜4Aの形成は、例えばスパッタリングによりTaNの薄膜を形成することによって行う。
Next, as shown in FIG. 20, a
次いで、図21に示すように、抵抗体膜4Aにエッチングを施すことにより、副走査方向に所定幅を有し、主走査方向xに延びる抵抗体層4を形成する。
Next, as shown in FIG. 21, the
次いで、図22に示すように、導電膜3Aを形成する。導電膜3Aの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりCuからなる層を形成することによって行う。
Next, as shown in FIG. 22, a
次いで、図23に示すように、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向xに分離された抵抗体層4、この抵抗体層4を発熱部41を残して覆う個別電極層31、および共通電極層32の櫛歯部324を形成する。
Next, as shown in FIG. 23, by selectively etching the
次いで、保護層2を形成する、保護層2の形成は、例えばCVDを用いて電極層3および抵抗体層4上にSiNおよびSiCを堆積させることにより行われる。また、保護層2をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口21を形成する。この後は、放熱部材8上へのヘッド基板1および接続基板5の組付け、接続基板5へのドライバIC7接続の搭載、ワイヤ61,62のボンディング、保護樹脂78の形成等を行うことにより、図14~図15に示したサーマルプリントヘッドA2が得られる。
Next, the
第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドA2は、第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1について上述したのと基本的に同様の作用を奏する。 The thermal print head A2 according to the second embodiment has basically the same effect as described above for the thermal print head A1 according to the first embodiment.
加えて第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドA2は、蓄熱層15の下位に凹陥部115による空隙115Aを有するため、蓄熱性能さらに向上させることができる。
In addition, the thermal print head A2 according to the second embodiment has the void 115A formed by the
また、第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドA2においては、蓄熱層15を板状蓄熱部材150をヘッド基板1の主面11に貼着することにより形成しているために、蓄熱層15の直下に凹陥部115による空隙115Aを形成することができ、これにより蓄熱性能を向上させることができる。
Further, in the thermal print head A2 according to the second embodiment, since the
もちろん、本発明の範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した事項の範囲内でのあらゆる変更は、すべて本発明の範囲に含まれる。 Of course, the scope of the present invention is not limited to the embodiments described above, and all modifications within the scope of the matters described in each claim are all included within the scope of the present invention.
例えば、複数の発熱部41に関して、主走査方向xに独立配置した抵抗体層の露出部に選択的に通電して発熱させるあらゆる発熱部の形態を採用できることは、もちろんである。
For example, as for the plurality of
A1、A2 :サーマルプリントヘッド
1 :ヘッド基板
1A :材料基板
2 :保護層
3 :電極層
3A :導電膜
4 :抵抗体層
4A :抵抗体膜
5 :接続基板
7 :ドライバIC
8 :放熱部材
11 :主面
11A :主面
15 :蓄熱層
21 :パッド用開口
31 :個別電極層
32 :共通電極層
41 :発熱部
59 :コネクタ
61 :ワイヤ
62 :ワイヤ
78 :保護樹脂
91 :プラテンローラ
115 :凹陥部
115A :空隙
150 :板状蓄熱部材
150A ;SiO2ウエハ
151 :レジスト
311 ;電極パッド部
323 :共通部
324 :櫛歯部
325 :延長部
x :主走査方向
y :副走査方向
A1, A2: Thermal print head 1:
8: Heat radiation member 11:
Claims (15)
上記基板の上記主面に形成された蓄熱層と、
上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、
上記基板はSiウエハから成り、
上記発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側電極層および下流側電極層を含んで形成されており、
上記抵抗体層は、TaNから成り、
上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする、サーマルプリントヘッド。 a substrate having a main surface;
a heat storage layer formed on the main surface of the substrate;
a plurality of heat generating parts arranged in the main scanning direction on the upper layer of the heat storage layer,
The substrate is made of a Si wafer,
Each of the heat generating parts includes a resistor layer, an upstream electrode layer and a downstream electrode layer that are laminated on the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and are capable of conducting electricity between them. It is formed by including
The resistor layer is made of TaN,
The thermal print head, wherein the heat storage layer is formed by adhering a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate.
上記基板の上記主面に上記凹陥部を覆うようにして形成された蓄熱層と、
上記蓄熱層の上層であって上記凹陥部の上方に位置させて、主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、
上記基板はSiウエハから成り、
上記発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側電極層および下流側電極層を含んで形成されており、
上記抵抗体層は、TaNから成り、
上記蓄熱層は、上記基板の上記主面に板状蓄熱部材が貼着されて形成されていることを特徴とする、サーマルプリントヘッド。 a substrate having a concave portion extending in the main scanning direction on the main surface;
a heat storage layer formed on the main surface of the substrate so as to cover the recessed portion;
a plurality of heat generating parts arranged in the main scanning direction in an upper layer of the heat storage layer and located above the recessed part,
The substrate is made of a Si wafer,
Each of the heat generating parts includes a resistor layer, an upstream electrode layer and a downstream electrode layer that are laminated on the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and are capable of conducting electricity between them. It is formed by including
The resistor layer is made of TaN,
The thermal print head, wherein the heat storage layer is formed by adhering a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate.
上記蓄熱層は、Siウエハから成る材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする、サーマルプリントヘッドの製造方法。 The substrate includes a substrate having a main surface, a heat storage layer formed on the main surface of the substrate, and a plurality of heat generating parts arranged in the main scanning direction on an upper layer of the heat storage layer, and the substrate is made of a Si wafer. , each of the heat generating parts includes a resistor layer, and an upstream electrode layer and a downstream electrode layer that are laminated on the resistor layer so as to expose a part of the resistor layer, and are capable of conducting electricity between them. A method for manufacturing a thermal print head, wherein the resistor layer is made of TaN, and the heat storage layer is formed by adhering a plate-shaped heat storage member to the main surface of the substrate. And,
A method for manufacturing a thermal print head, characterized in that the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of a material substrate made of a Si wafer.
上記蓄熱層は、Siウエハから成る材料基板の主面に板状蓄熱部材を貼着することにより形成することを特徴とする、サーマルプリントヘッドの製造方法。 a substrate having a recess extending in the main scanning direction on a main surface; a heat storage layer formed on the main surface of the substrate so as to cover the recess; and a heat storage layer that is an upper layer of the heat storage layer and is above the recess. a plurality of heat generating parts arranged in the main scanning direction, the substrate being made of a Si wafer, and each of the heat generating parts having a resistor layer and a part of the resistor layer exposed. The resistor layer is made of TaN, and the heat storage layer is made of TaN. , a method for manufacturing a thermal print head, wherein a plate-shaped heat storage member is attached to the main surface of the substrate,
A method for manufacturing a thermal print head, characterized in that the heat storage layer is formed by attaching a plate-shaped heat storage member to the main surface of a material substrate made of a Si wafer.
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