【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法と、光近接補正パターンを有するフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきた。
即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機能を実現することが、ＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められている。
上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパターン作製用の図形データ（図形パターンデータあるいはパターンデータとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した後、フォトマスクのパターンをウエハ上感光材に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うという数々の工程を経て作製されるものである。
【０００３】
このように、半導体の生産のためにフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーが利用されるが、パターンサイズの微細化に伴ない露光装置の光源波長を従来のｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）から、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、Ｆ２ （１５７ｎｍ）等へと短縮しつつあるが、光源を短波長側に変えることは設備投資の増大化を招くために、光源を短波長側に変えることなく、同一波長光源で解像限界をより小さくする方法（ＲＥＴ：Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が適用されてきている。
半導体作製においては、位相シフトマスク（ＰＳＭ：Ｐｈａｓｅ ＳｈｉｆｔＭａｓｋ）を用いた露光方法、光近接補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる光近接効果の影響を考慮してパターンに補正を施して露光する露光方法、あるいは、これら両露光方法を併用した露光方法が、光源を短波長側に変えることなく、同一波長光源で解像限界をより小さくする方法として、実用レベルで行なわれている。
位相シフトマスクは、簡単には、転写すべきパターンを形成したマスクに、露光光の位相を変化させる位相シフター（単にシフターとも言う）と呼ばれる透明膜を設けたもので、位相シフトマスクを用いた露光方法は、位相シフターを通って位相が変わった光と、位相シフターを通らずに位相が代わっていない光との干渉を利用して、解像力を向上させる露光方法である。
位相シフトマスクとしては、ハーフトーン型、トライトーン型、レベンソン型、クロムレス型等の各種方式があり、さらにそれぞれの方式において、位相シフターを遮光膜パターンを介して合成石英ガラス等のフォトマスク透明基板の上に設けるシフター上置き型の構造や、フォトマスク透明基板をエッチングにより掘り込んで位相シフター部とする基板掘り込み型の構造等がある。
また、光近接補正は、従来、ウエハ上の所望のパターンに対応して設計されたパターンの端部や角部に補正用として、補助パターン（ＯＰＣパターンとも言う）を設けることにより、ウエハ上での像の高精細を可能にする方法である。
【０００４】
ここで、光近接効果と光近接補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる露光方法について簡単に説明しておく。
フォトマスクのパターンをウエハ上に縮小投影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光形状の歪みが発生する。
これは、露光形状のサイズ（ウエハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、あるいは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象により、また近接光との干渉により、フォトマスクのパターンの形状を忠実に露光することができなくなり、ウエハ上に露光される露光形状に歪み乃至ボケが発生するものである。
フォトマスクの設計データのパターンである設計パターン（これを以下原始パターンとも言う）が図３（ａ）に示すような形状（Ｌ字形状とも言う）をしている場合には、フォトマスク上に形成されるパターン形状は図３（ｂ）のようになり、ウエハ上に形成されるパターン形状は図３（ｃ）のようになる。
このため、図３（ａ）に示すような形状にできるだけ近いウエハ上のパターンを得るために、フォトマスクの設計パターンを図４（ａ）のように補正して、フォトマスク上に形成されるパターン形状は図４（ｂ）のようにし、ウエハ上に形成されるパターン形状を４（ｃ）のようにする。
このような光の回折の影響を考慮した補正を、即ち光近接効果の影響を考慮した補正を光近接効果補正あるいはＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ ＰｒｏｘｉｍｉｔｙＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と言う。
尚、図３、図４において、４１０は設計図形データ、４１３はフォトマスク上の形成パターン、４１５はウエハ上の形成パターン、４２０は補正済の図形データ、４２３はフォトマスク上の形成パターン、４２５はウエハ上の形成パターンである。
【０００５】
ところが、最近では、パターンの微細化が更に進み、微細なパターンをウエハ上に所望の形状に転写形成するために、フォトマスクの設計パターンが図５（ａ）に示すような形状をしている場合には、従来の補正パターン形状（図５（ｂ））から、更に補正して、図５（ｃ）のように、補正用パターン自体もより複雑化する傾向にあるが、このような補正パターン（ＯＰＣパターンとも言う）による解像度向上も、限界に近づきつつある。
露光波長とパターン解像度（デザインルール）との比が１：１から１． ５：１程度までは、ＯＰＣパターンも図５（ｂ）のような単純な形状で足りていたが、その比が２：１程度に近づきそれを越えてくると、図５（ｃ）に示すように、より複雑な形状になってきている。
ＯＰＣパターンは、図５（ａ）に示す元のパターンの端部、角部に単一矩形の加算減算を施した図５（ｂ）に示すような形状から、２段階、３段階にわたり、端部、角部へ単一矩形の加算減算が施された、図５（ｃ）に示すような複雑な形状になってきている。
このように、解像度向上のために、ＯＰＣパターンは複雑化され、補正パターンが肥大化することになり、補正パターン自体がウエハへの転写しない限界に到達し、ウエハ上で不要の転写パターンが発生することとなり、このような補正も、もはや限界に近づきつつある。
つまり、補助パターンは肥大化することによって、転写時にウエハパターンに補正をかけるだけでなく、それ自身が転写されてしまう限界にきている。
補助パターンを図５（ａ）に示す元のパターンと連結し、元のパターンの角部あるいは端部において単一の塊をとして付けるのは、転写性の面からできなくなっている。
尚、ここでは、図５（ａ）に示す元のパターンと図５（ｂ）に示すＯＰＣパターンあるいは図５（ａ）に示すＯＰＣパターンとの差である差パターンの各パターンをそれぞれを補正パターンと言う。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１２５２５１号公報（図１には、「コの字」パターン光近接効果補正のフローが記載）
【特許文献２】
特開平１１−２９５８７５号公報（図１には、元の図形データ（設計図形データ）からウエハへの転写形状を補正ための、光近接効果補正用の補正図形を発生させる装置が記載されており、図１０には角部に補正図形データを付与して補正することが記載されている。）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、光近接効果補正（ＯＰＣ）による解像度向上は、フォトマスクのパターンの微細化に伴ない、ＯＰＣパターン自体もより複雑化することなり、最近では、ウエハへの転写限界に到達し、ウエハ上での不要の転写パターンの発生への対応が求められるようになってきた。
本発明は、これに対応するもので、フォトマスクのパターンの微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無いＯＰＣパターンを有するフォトマスクを提供しようとするものである。
そのようなフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データを提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、光近接補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）されたパターンを有するフォトマスクを作製するための、フォトマスク用データの作成方法であって、所望のウエハ上のパターンの形状に対応した設計データ（原始データとも言う）あるいは設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとして、フォトマスク用データについて、シミュレーションによりあるいは実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターンを求める差パターン取得処理と、これに続く、差パターンが小さくなるように補正して新たなフォトマスク用データを作成する補正処理とを一連の処理として、繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得るものであり、前記補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を行い、新たにフォトマスク用データを得るものであることを特徴とするものである。
そして、上記において、前記一連の処理の繰り返しを、差パターンにおいて所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで行うことを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っているものであることを特徴とするものである。
また、上記において、設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとするもので、前記第１の補正データは、設計データを出発フォトマスク用データとして、フォトマスク用データに対して、設計データのパターンに連続して、その角部、端部に補正用パターンを、所定ピッチＰｂのグリッドにのるドットパターン単位で、追加ないし削除して、補正パターンを得る連続補正処理を複数回行った後に得られる、フォトマスク用データであることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスクは、光近接補正された光近接補正パターンを有するフォトマスクであって、該光近接補正パターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンが、光近接効果補正用として分散して配設されていることを特徴とするものである。
そして、上記において、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っているものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、請求項１ないし３に記載の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法により作成された、光近接補正パターンを有するフォトマスク用データを用い、露光装置をにて描画露光され、現像、エッチング工程等を経て、作製されたことを特徴とするものである。
尚、ここで、「ウエハ上で」とは、「ウエハ上の感光材に対して」の意味である。
【００１０】
【作用】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、このような構成にすることにより、フォトマスクのパターンの微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無いＯＰＣパターンを有するフォトマスクの作製するための、フォトマスク用データの提供を可能としている。
より詳しくは、光近接補正された光近接補正パターンを有するフォトマスクであって、該光近接補正パターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンが、光近接効果補正用として分散して配設されている光近接補正パターンを有するフォトマスクの作製のための、フォトマスク用データの提供を可能としている。
具体的には、所望のウエハ上のパターンの形状に対応した設計データ（原始データとも言う）あるいは設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとして、フォトマスク用データについて、シミュレーションによりあるいは実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターンを求める差パターン取得処理と、これに続く、差パターンが小さくなるように補正して新たなフォトマスク用データを作成する補正処理とを一連の処理として、繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得るものであり、前記補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を行い、新たにフォトマスク用データを得るものであることにより、これを達成している。
この場合、前記一連の処理の繰り返しを、差パターンにおいて所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで行うこととすることにより、フォトマスク上で設計データに近い形状の均一なパターンを得ることを可能としている。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っているものが、作業性から挙げられる。
更に、連続補正処理を施して得られた第１の補正パターンを処理対象の元のパターンとした場合には、特に、連続補正の所定ピッチＰｂのグリッドを分散処理の所定ピッチＰａのグリッドに比べ大きくとることもでき、従来の補正形態をある程度採り入れ、従来の補正より効果的に補正を行うことを可能にしている。
尚、フォトマスクは、一般には、フォトマスク用データを用い、電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置をにて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、作製される。
そして、フォトマスクのパターンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転写する場合、フォトマスクをレチクルとも言う。
【００１１】
本発明の光近接補正されたパターンを有するフォトマスクは、このような構成にすることにより、フォトマスクのパターンの更なる微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無い補正用パターン（ＯＰＣパターン）を有するフォトマスクの提供を可能としている。
具体的には、光近接補正された光近接補正パターンを有するフォトマスクであって、該光近接補正パターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンが、光近接効果補正用として分散して配設されていることにより、これを達成している。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンとしては、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行うものが、その作製の際の作業性から挙げられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を、図に基づいて説明する。
図１は本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第１の例のフロー図で、図２は設計データに対する補正手順を説明するための図である。
尚、図１における太点線内Ａ１は、シミュレーションによるウエハパターン取得を示すものであり、Ｓ１〜Ｓ１９は処理ステップを示す。
図１中、１１０は設計データのパターン、１１１、１１１ａ、１１２、１１２ａは（連続補正処理による）補正パターン、１１５、１１５ａは（分散補正処理による）微細パターン、１２０は近接効果補正パターン（ＯＰＣパターン）である。
【００１３】
はじめに、本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、光近接効果を補正するために光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンを有するフォトマスクで、該光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設されている光近接補正パターンを有するフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データの作成方法であり、
簡単には、設計データのパターンに連続して、その角部、端部に補正用パターンを、所定ピッチＰｂのグリッドにのるドットパターン単位で、追加ないし削除して、補正パターンを得る連続補正処理を施す処理を複数回行なって、設計データを補正した第１の補正データに対して、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上感光材に露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を、複数回施して、フォトマスクを作製するためのフォトマスク用データを得るものである。
本例では、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っている。
尚、ここでは、所定のピッチＰａ＜所定ピッチＰｂとする。
以下、第１の例を、図１に基づいて更に説明する。
まず、設計データ（Ｓ１１）を出発フォトマスク用データとして、フォトマスク用データに対して、設計データのパターンに連続して、その角部、端部に補正用パターンを、所定ピッチＰｂのグリッドにのるドットパターン単位で、追加ないし削除して、補正パターンを得る連続補正処理を、所定の複数回行った後に得られる補正後のフォトマスク用データを第１の補正データとして求める。（Ｓ１２）
設計データで図２（ａ）に示されるパターン１１０は、１回目の連続補正で図２（ｂ）のようになり、第１の補正データでは図２（ｃ）のようになる。
【００１４】
次いで、第１の補正データを処理対象の出発フォトマスク用データとして、フォトマスク用データ（Ｓ１３）について、シミュレーションにより、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て（Ｓ１３〜Ｓ１５）、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターン（Ｓ１６）を求める差パターン取得処理と、この差パターンが小さくなるように、分散補正（Ｓ１７）を行うという一連の処理を差パターンにおいて予め決められた所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得る。
尚、分散補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設し、新たにフォトマスク用データを得るものであり、本例では、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行う。
分布状態の変更は、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターンの疎密具合、あるいは、ドットパターンを配設する領域を変えることにより行い、分布状態の変更により補正効果を変えることができる。
第１の補正データのパターンある図２（ｃ）のパターンは、このように分散補正を施し得られた補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データでは、図２（ｄ）のように微細パターン１１５を分散させた形状となる。
そして、勿論、このような補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データを用いて描画され作製されたフォトマスクの図２（ｄ）のパターンのウエハ上の転写像は、図２（ａ）のような設計形状に近いものとなる。
【００１５】
尚、上記のシミュレーションとしては、例えば、Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製のＩＣ Ｗｏｒｋｂｅｎｎｃｈ等、市販のもの等がある。
これらのシミュレーションを実施するためのシミュレーションツールは、設計データのパターンを元に、フォトマスクパターン形状やウエハ上のパタン形状をシミュレーションするためのソフトウエアを搭載した装置で、表示部や入出力端末を備えているのが普通である。
設計データから、ウエハ上でのパターン形状を得るためのシミュレーションの場合、光シミュレーション（光モデルシミュレーションとも言う）とレジストシミュレーション（現像シミュレーションとも言い、プロセスモデルシミレーションの一つ）の２段階、あるいは、光シミュレーション、レジストシミュレーション、エッチングプロセスシミュレーション（プロセスモデルシミレーションの一つ）の３段階構成のものもある。
光シミュレーションは、光源波長、光源開口数（ＮＡ）、σ（コヒーレント性を示すもので、ｓｉｇｍａとも表す）により一意的に決定する結像条件があり、他に選択的に収差や露光機の振動等を考慮するものである。
レジストシミュレーションは、光シミュレーションにより一意的に決定された結果をもとに、現像プロセス（レジストプロセス）のシミュレーションを行なうものであるが、パラメータ数が多すぎるため、通常は、テストパタンをウエーハに転写、測長してプロセスモデルを合せ込む方法が採られている。
エッチングプロセスのシミュレーションは、現像プロセス（レジストプロセス）のシュミレーションと同様に行なえるもので、場合によっては、このシミュレーションは省く。
【００１６】
次に、本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、簡単には、第２の例も、第１の例と同様、光近接効果を補正するために光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンを有するフォトマスクで、該光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設されている光近接補正パターンを有するフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データの作成方法であるが、第２の例は、図１に示すフローにおいて、第１の補正データ（Ｓ１２）を用いず、設計データ（Ｓ１１）を処理対象の出発フォトマスク用データとし、先に述べた連続処理を行わず、先に述べた分散処理（Ｓ１１）のみで、光近接効果補正（ＯＰＣ）されたフォトマスク用データを作成するものである。
【００１７】
以下、第２の例を、図１に基づいて説明する。
点線矢印で示すように、設計データ（Ｓ１１）を処理対象の出発フォトマスク用データとして、第１の例と同様、フォトマスク用データ（Ｓ１３）について、シミュレーションにより、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て（Ｓ１３〜Ｓ１５）、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターン（Ｓ１６）を求める差パターン取得処理と、この差パターンが小さくなるように、分散補正（Ｓ１７）を行うという一連の処理を差パターンにおいて予め決められた所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得る。
尚、ここでも、分散補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設し、新たにフォトマスク用データを得るものであり、本例でも、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行う。
設計データで図２（ａ）に示されるパターン１１０は、１回目の分散補正で図２（ｂ１）のようになり、最終的に補正後には図２（ｄ）に近い形状になる。
そして、勿論、このような補正後のデータを用いて描画され作製されたフォトマスクの前記図２（ｄ）の形状に近いパターンのウエハ上の転写像は、図２（ａ）のような設計形状に近いものとなる。
【００１８】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、上記、第１の例、第２の例に限定されるものではない。
例えば、場合によっては、連続補正、分散補正を独立して併用するような形態を採っても良い。
また、場合によっては、連続補正における角部や端部へのパターンの追加ないし削除パターンとして、該パターンより更に微細な所定ピッチＣのグリッドにのる所定の均一分布で、且つ転写により解像しないドットパターンを、その面積を変えて配設しても良い。
また、シミュレーションを利用する差パターン取得処理に代え、実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得る形態、あるいは、シミュレーションに、実際の作製工程によるものを併用する形態を採ることもできる。
また、第１の例、第２の例では、図１に示すように、シミュレーションによりフォトマスクパターン（Ｓ１４）を求めたが、場合によっては、フォトマスクパターン形状をフォトマスク用データの形状と同じものとして、シミュレーションによりウエハ上のパターン形状を求める形態を採ることもできる。
【００１９】
次いで、本発明の光近接補正されたパターンを有するフォトマスク実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例は、上記第１の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法により作成されたフォトマスク用データを用い、電子ビーム露光装置にて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て作製されるものである。
光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）が、光近接効果補正用として分散して配設されているものである。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）は、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行っているものである。
【００２０】
次いで、本発明の光近接補正されたパターンを有するフォトマスク実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例は、上記第２の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法により作成されたフォトマスク用データを用い、電子ビーム露光装置にて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て作製されるものである。
第２の例も、第１の例と同様、光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）が、光近接効果補正用として分散して配設されているものである。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）は、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行っているものである。
【００２１】
また、発明の光近接補正パターンを有するフォトマスクも、上記、第１の例、第２の例に限定されるものではない。
適用できるフォトマスクとしては、通常の、バイナリーマスクに限定されず、各種の位相シフトマスクも適宜適用できる。
【００２２】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスクのパターンの微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無いＯＰＣパターンを有するフォトマスクの提供、及び、そのようなフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データの提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第１の例のフロー図である。
【図２】設計データに対する補正手順を説明するための図である。
【図３】設計パターンに対応したフォトマスクパターン形状とウエハ上パターン形状を説明するための図である。
【図４】従来のデータ上のＯＰＣパターンに対応したフォトマスクパターン形状とウエハ上パターン形状を説明するための図である。
【図５】従来の補正パターン形状を説明するための図である。
【符号の説明】
１１０ 設計データのパターン
１１１、１１１ａ、１１２、１１２ａ （連続補正処理による）補正パターン
１１５、１１５ａ （分散補正処理による）微細パターン
１２０ 近接効果補正パターン（ＯＰＣパターン）
４１０ 設計図形データ
４１３ フォトマスク上の形成パターン
４１５ ウエハ上の形成パターン
４２０ 補正済の図形データ
４２３ フォトマスク上の形成パターン
４２５ ウエハ上の形成パターン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for creating data for a photomask having an optical proximity correction pattern and a photomask having an optical proximity correction pattern.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, various LS1s represented by ASICs have been increasingly required to have higher integration and higher functionality due to the trend toward higher functionality and lighter and smaller electronic devices.
That is, it is required for an LSI such as an ASIC to realize a high function by reducing the chip size as much as possible.
The above-mentioned LSI such as an ASIC produces graphic data (also referred to as graphic pattern data or pattern data) for producing a photomask pattern through a function, a logic design, a circuit design, a layout design, and the like. After fabrication, the pattern of the photomask is transferred to the photosensitive material on the wafer by reduced projection exposure or the like, and the process is performed through a number of steps of performing a semiconductor device fabrication process.
[0003]
As described above, photolithography using a photomask is used for the production of semiconductors, and the light source wavelength of the exposure apparatus is changed to the conventional g-line (436 nm) and h-line (405 nm) with the miniaturization of the pattern size. , I-line (365 nm), KrF (248 nm), ArF (193 nm), F 2 (157 nm), etc., but changing the light source to the short wavelength side causes an increase in capital investment. Therefore, without changing the light source to the short wavelength side, the resolution limit can be increased with the same wavelength light source. A reduction method (RET: Resolution Enhancement Technology) has been applied.
In semiconductor fabrication, an exposure method using a phase shift mask (PSM: Phase Shift Mask), an exposure for correcting a pattern in consideration of the influence of an optical proximity effect called an optical proximity correction (OPC: Optical Proximity Correction), and performing exposure. A method or an exposure method using both of these exposure methods is used at a practical level as a method for reducing the resolution limit with a light source of the same wavelength without changing the light source to the shorter wavelength side.
A phase shift mask is simply a mask in which a pattern to be transferred is formed, and a transparent film called a phase shifter (also simply referred to as a shifter) for changing the phase of exposure light is provided. The exposure method is an exposure method for improving resolution by utilizing interference between light whose phase has changed through a phase shifter and light whose phase has not been changed without passing through the phase shifter.
There are various types of phase shift masks such as a halftone type, a tritone type, a Levenson type, and a chromeless type, and in each type, a phase shifter is provided on a photomask transparent substrate such as a synthetic quartz glass via a light shielding film pattern. Above, or a substrate digging type structure in which a photomask transparent substrate is dug by etching to form a phase shifter portion.
Conventionally, the optical proximity correction is performed by providing an auxiliary pattern (also referred to as an OPC pattern) on the wafer by providing an auxiliary pattern (also referred to as an OPC pattern) for correction at an end or a corner of a pattern designed corresponding to a desired pattern on the wafer. This is a method that enables high definition of the image.
[0004]
Here, an exposure method called an optical proximity effect and optical proximity correction (OPC: Optical Proximity Correction) will be briefly described.
When a pattern of a photomask is transferred onto a wafer by reduced projection exposure or the like, distortion of an exposure shape called an optical proximity effect occurs.
This is because when the size of the exposure shape (the exposure size on the wafer) approaches or becomes smaller than the wavelength of the exposure light, the photo-diffraction phenomenon and the interference with the nearby light cause the photo. This makes it impossible to faithfully expose the shape of the mask pattern, resulting in distortion or blurring of the exposure shape exposed on the wafer.
When a design pattern (hereinafter, also referred to as a primitive pattern), which is a pattern of photomask design data, has a shape (also referred to as an L-shape) as shown in FIG. The pattern shape to be formed is as shown in FIG. 3B, and the pattern shape to be formed on the wafer is as shown in FIG.
Therefore, in order to obtain a pattern on the wafer as close as possible to the shape shown in FIG. 3A, the design pattern of the photomask is corrected as shown in FIG. The pattern shape is as shown in FIG. 4 (b), and the pattern shape formed on the wafer is as shown in FIG. 4 (c).
Such correction in consideration of the influence of light diffraction, that is, correction in consideration of the influence of the optical proximity effect, is referred to as optical proximity correction or OPC (Optical Proximity Correction).
3 and 4, reference numeral 410 denotes design graphic data, 413 denotes a formation pattern on a photomask, 415 denotes a formation pattern on a wafer, 420 denotes corrected figure data, 423 denotes a formation pattern on a photomask, and 425. Is a pattern formed on the wafer.
[0005]
However, recently, the pattern has been further miniaturized, and the design pattern of the photomask has a shape as shown in FIG. 5A in order to transfer and form the fine pattern into a desired shape on a wafer. In this case, the correction pattern itself is further corrected from the conventional correction pattern shape (FIG. 5B), and the correction pattern itself tends to be more complicated as shown in FIG. 5C. The resolution improvement by the pattern (also called the OPC pattern) is approaching the limit.
The ratio between the exposure wavelength and the pattern resolution (design rule) is from 1: 1 to 1. Up to about 5: 1, the OPC pattern had a simple shape as shown in FIG. 5B, but when the ratio approached and exceeded about 2: 1, FIG. As such, it is becoming more complex.
The OPC pattern has two steps and three steps from the shape shown in FIG. 5B in which a single rectangle is added and subtracted to the end and the corner of the original pattern shown in FIG. 5A. As shown in FIG. 5C, a complicated shape is obtained in which a single rectangle is added and subtracted to a part and a corner.
As described above, in order to improve the resolution, the OPC pattern is complicated, the correction pattern becomes large, and the correction pattern itself reaches a limit at which it is not transferred to the wafer, and an unnecessary transfer pattern is generated on the wafer. Therefore, such a correction is approaching its limit.
In other words, as the size of the auxiliary pattern increases, the wafer pattern is not only corrected at the time of transfer, but also reaches the limit of itself being transferred.
It is impossible to connect the auxiliary pattern with the original pattern shown in FIG. 5A and form a single block at a corner or an end of the original pattern from the viewpoint of transferability.
Here, each pattern of the difference between the original pattern shown in FIG. 5A and the OPC pattern shown in FIG. 5B or the OPC pattern shown in FIG. Say.
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-125251 (FIG. 1 shows a flow of correcting the light proximity effect of the “U-shaped” pattern)
[Patent Document 2]
Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-295875 (FIG. 1 discloses an apparatus for generating a correction graphic for optical proximity effect correction for correcting a transfer shape from original graphic data (design graphic data) to a wafer. FIG. 10 describes that correction is performed by adding corrected graphic data to the corners.)
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the improvement of the resolution by the optical proximity correction (OPC) makes the OPC pattern itself more complicated with the miniaturization of the photomask pattern, and has recently reached the limit of transfer to the wafer. Therefore, it has been required to cope with the generation of an unnecessary transfer pattern on a wafer.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to provide a photomask having an OPC pattern that can cope with miniaturization of a photomask pattern and does not generate an unnecessary transfer pattern on a wafer.
It is intended to provide photomask data for manufacturing such a photomask.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The method for producing data for a photomask having an optical proximity correction pattern according to the present invention is a method for producing data for a photomask for producing a photomask having a pattern subjected to optical proximity correction (OPC: Optical Proximity Correction). By using design data (also referred to as original data) corresponding to the shape of a pattern on a desired wafer or first correction data obtained by correcting the design data as original photomask data to be processed, A simulation or actual manufacturing process is performed to obtain a pattern on the wafer corresponding to the photomask data, and further, a difference pattern acquisition process for obtaining a difference pattern between the pattern of the design data and the pattern on the wafer; Following, so that the difference pattern becomes smaller The correction process of creating new photomask data by performing correction is repeated as a series of processes, and the finally obtained photomask data is used as photomask data having a corrected optical proximity correction pattern. In the correction processing, the pattern for photomask data, at the time of transfer exposure to a wafer, a fine pattern of a size and spacing that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer at the exposure wavelength is used for optical proximity effect correction. The present invention is characterized in that dispersion correction processing for dispersing and disposing is performed to newly obtain photomask data.
In the above, the above-mentioned series of processing is repeated until there is no longer a pattern larger than a predetermined size in the difference pattern.
Further, in the above description, at the time of transfer exposure to the wafer, the fine pattern of a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is composed of one or more dot patterns on a grid with a predetermined pitch Pa, and its distribution The optical proximity effect is corrected according to the state (density / density and / or the area in which the density is arranged).
Further, in the above, the first correction data obtained by correcting the design data is used as original photomask data to be processed. A correction pattern is obtained by adding or deleting a correction pattern at the corners and ends of the application data at the corners and ends thereof in units of dot patterns on a grid of a predetermined pitch Pb. The data is photomask data obtained after performing the continuous correction processing a plurality of times.
[0009]
The photomask having the optical proximity correction pattern of the present invention is a photomask having an optical proximity correction pattern that has been subjected to optical proximity correction. It is characterized in that fine patterns of a size and an interval which are not resolved at the exposure wavelength are dispersed for correction of the optical proximity effect.
In the above description, the fine pattern of a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer at the time of transfer exposure to the wafer is composed of one or more dot patterns on a grid with a predetermined pitch Pa, and its distribution state (Degree of density and / or area where the density is arranged), the optical proximity effect is corrected.
Further, in the above, using the photomask data having the optical proximity correction pattern, which is created by the method for creating the photomask data having the optical proximity correction pattern according to claims 1 to 3, using an exposure apparatus It is characterized by being manufactured through drawing exposure, development, etching steps and the like.
Here, “on the wafer” means “with respect to the photosensitive material on the wafer”.
[0010]
[Action]
The method for creating photomask data having the optical proximity correction pattern according to the present invention can cope with the miniaturization of the photomask pattern by adopting such a configuration, and the generation of unnecessary transfer patterns on the wafer can be prevented. It is possible to provide photomask data for manufacturing a photomask having no OPC pattern.
More specifically, a photomask having an optical proximity correction pattern subjected to optical proximity correction, wherein the optical proximity correction pattern has a size and an interval that are not resolved at the exposure wavelength on the wafer during transfer exposure to the wafer. This fine pattern makes it possible to provide photomask data for manufacturing a photomask having an optical proximity correction pattern dispersedly arranged for optical proximity effect correction.
More specifically, design data (also referred to as original data) corresponding to the shape of a pattern on a desired wafer or first correction data obtained by correcting the design data is used as original photomask data to be processed. Data is subjected to a simulation or actual manufacturing process to obtain a pattern on the wafer corresponding to the data for photomask, and further a difference pattern obtaining process for obtaining a difference pattern between the pattern of the design data and the pattern on the wafer. And a subsequent correction process of creating new photomask data by correcting the difference pattern to be smaller as a series of processes, and correcting the finally obtained photomask data. It is obtained as data for a photomask having a later optical proximity correction pattern. The mask data, when transferring exposure to the wafer, perform a dispersion correction process to disperse and dispose fine patterns of size and spacing that are not resolved at the exposure wavelength on the wafer for optical proximity effect correction. This is achieved by newly obtaining photomask data.
In this case, it is possible to obtain a uniform pattern having a shape close to the design data on the photomask by repeating the series of processes until a pattern larger than a predetermined size in the difference pattern disappears. .
At the time of transfer exposure to a wafer, a fine pattern of a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is composed of one or more dot patterns on a grid having a predetermined pitch Pa, and its distribution state (density and / or density) One in which the optical proximity effect is corrected by the arrangement area) is cited from the viewpoint of workability.
Furthermore, when the first correction pattern obtained by performing the continuous correction processing is the original pattern to be processed, in particular, the grid of the predetermined pitch Pb of the continuous correction is compared with the grid of the predetermined pitch Pa of the distributed processing. The correction can be made large, and the conventional correction mode is adopted to some extent, thereby making it possible to perform the correction more effectively than the conventional correction.
In general, a photomask is provided on a light-shielding film of a photomask substrate (also referred to as a photomask blank) by using an electron beam exposure apparatus or a photoexposure apparatus such as an excimer wavelength using photomask data. The exposed photosensitive resist is subjected to exposure and drawing, and is manufactured through a development process, an etching process, and the like.
Then, when the pattern of the photomask is reduced-projection-exposed on the wafer and the pattern is transferred, the photomask is also called a reticle.
[0011]
The photomask having the pattern subjected to the optical proximity correction of the present invention can cope with further miniaturization of the pattern of the photomask by having such a configuration, and does not generate an unnecessary transfer pattern on the wafer. It is possible to provide a photomask having a correction pattern (OPC pattern).
Specifically, a photomask having an optical proximity correction pattern that has been subjected to optical proximity correction, the optical proximity correction pattern has a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer during transfer exposure to the wafer, This is achieved by disposing finely spaced patterns for correcting the optical proximity effect.
At the time of transfer exposure to a wafer, the fine pattern having a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is composed of one or more dot patterns on a grid having a predetermined pitch Pa, and its distribution state (density and density). Or, the optical proximity effect is corrected by the arrangement area) from the viewpoint of workability at the time of manufacturing.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a flowchart of a first example of an embodiment of a method for creating photomask data having an optical proximity correction pattern according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining a procedure for correcting design data.
In FIG. 1, A1 in a thick dotted line indicates acquisition of a wafer pattern by simulation, and S1 to S19 indicate processing steps.
In FIG. 1, 110 is a pattern of design data, 111, 111a, 112, and 112a are correction patterns (by a continuous correction process), 115 and 115a are fine patterns (by a dispersion correction process), and 120 is a proximity effect correction pattern (OPC pattern). ).
[0013]
First, a first example of an embodiment of a method for creating data for a photomask having an optical proximity correction pattern according to the present invention will be described.
The first example of a method for creating data for a photomask having an optical proximity correction pattern is a photomask having a pattern that has been subjected to optical proximity correction (OPC) to correct the optical proximity effect. In the pattern subjected to ()), a pattern having a fine size and interval that cannot be resolved at the exposure wavelength on the wafer during transfer exposure to the wafer is dispersed and disposed for optical proximity effect correction. A method for creating data for a photomask for producing a photomask having a proximity correction pattern,
In brief, a continuous correction to obtain a correction pattern by adding or deleting a correction pattern at corners and ends of the pattern of the design data in units of dot patterns on a grid of a predetermined pitch Pb. The process of performing the process is performed a plurality of times, and the first correction data obtained by correcting the design data is transferred to a wafer at the time of transfer exposure, so that the photosensitive material on the wafer is not resolved at the exposure wavelength at the exposure wavelength and has a minute interval. The dispersion correction process for dispersing and arranging patterns for optical proximity correction is performed a plurality of times to obtain photomask data for manufacturing a photomask.
In this example, at the time of transfer exposure to a wafer, a fine pattern of a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is composed of one or more dot patterns on a grid having a predetermined pitch Pa, and its distribution state ( Correction of the optical proximity effect is performed according to the density and / or the area in which the density is arranged.
Here, it is assumed that the predetermined pitch Pa <the predetermined pitch Pb.
Hereinafter, the first example will be further described with reference to FIG.
First, using the design data (S11) as the starting photomask data, a correction pattern is formed on the corners and ends of the photomask data in a grid having a predetermined pitch Pb, following the pattern of the design data. The corrected photomask data obtained after performing a predetermined plurality of continuous correction processes of adding or deleting a dot pattern unit to obtain a correction pattern is obtained as first correction data. (S12)
The pattern 110 shown in FIG. 2A in the design data is as shown in FIG. 2B in the first continuous correction, and is as shown in FIG. 2C in the first correction data.
[0014]
Next, using the first correction data as starting photomask data to be processed, a pattern on the wafer corresponding to the photomask data is obtained by simulation for the photomask data (S13) (S13 to S15). A series of processes of obtaining a difference pattern (S16), which is a difference between the pattern of the design data and the pattern on the wafer, and performing dispersion correction (S17) so as to reduce the difference pattern. Is repeated until there is no pattern larger than the predetermined size, and finally obtained photomask data is obtained as photomask data having the corrected optical proximity correction pattern.
In the dispersion correction process, when transferring the photomask data to the wafer, a fine pattern having a size and a spacing that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is dispersed for optical proximity effect correction. In this example, a fine pattern of a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer at the time of transfer exposure to the wafer is provided with a predetermined pitch Pa. It is composed of one or more dot patterns on the grid, and the optical proximity effect is corrected according to the distribution state.
The distribution state can be changed by changing the density of the dot patterns on the grid having the predetermined pitch Pa or by changing the area where the dot patterns are arranged, and the correction effect can be changed by changing the distribution state.
The pattern of FIG. 2C, which is the pattern of the first correction data, is the photomask data having the corrected optical proximity correction pattern obtained by performing the dispersion correction as shown in FIG. 2D. It has a shape in which the fine patterns 115 are dispersed.
Then, of course, the transferred image on the wafer of the pattern of FIG. 2D of the photomask drawn and manufactured using the photomask data having the corrected optical proximity correction pattern is shown in FIG. ).
[0015]
In addition, as the above-mentioned simulation, for example, there is a commercially available simulation such as IC Workbench manufactured by Numerical Technologies.
Simulation tools for performing these simulations are devices equipped with software for simulating photomask pattern shapes and pattern shapes on wafers based on design data patterns. It is common to have one.
In the case of a simulation for obtaining a pattern shape on a wafer from design data, two stages of an optical simulation (also referred to as an optical model simulation) and a resist simulation (also referred to as a development simulation, which is one of process model simulations), or There is also a three-stage configuration of light simulation, resist simulation, and etching process simulation (one of process model simulations).
In the light simulation, there are imaging conditions uniquely determined by a light source wavelength, a light source numerical aperture (NA), and σ (which indicates coherence, and also represented by sigma). And so on.
The resist simulation simulates the development process (resist process) based on the result uniquely determined by the light simulation. However, since the number of parameters is too large, the test pattern is usually transferred to the wafer. And a method of measuring the length and matching the process model.
The simulation of the etching process can be performed in the same manner as the simulation of the development process (resist process). In some cases, this simulation is omitted.
[0016]
Next, a description will be given of a second example of the embodiment of the method for creating photomask data having an optical proximity correction pattern according to the present invention.
The method of generating the photomask data having the optical proximity correction pattern according to the second example is similar to the method according to the second example, except that the optical proximity correction (OPC) ) Is a photomask having a pattern subjected to the optical proximity correction (OPC), and a pattern having a size and a minute interval which cannot be resolved at the exposure wavelength on the wafer during transfer exposure to the wafer. Is a method for creating photomask data for producing a photomask having an optical proximity correction pattern dispersedly arranged for optical proximity effect correction. The second example is shown in FIG. In the flow, the first correction data (S12) is not used, the design data (S11) is used as the starting photomask data to be processed, and the above-described distributed processing (S11) is performed without performing the above-described continuous processing. Only in It is to create a data photomask which is optical proximity correction (OPC).
[0017]
Hereinafter, a second example will be described with reference to FIG.
As shown by the dotted arrow, the design data (S11) is used as the starting photomask data to be processed, and the photomask data (S13) is simulated and the wafer corresponding to the photomask data as in the first example. An upper pattern is obtained (S13 to S15), a difference pattern acquisition process for obtaining a difference pattern (S16), which is a difference between the pattern of the design data and the pattern on the wafer, and dispersion correction is performed so that the difference pattern becomes smaller. A series of processing of performing (S17) is repeated until there is no longer a pattern larger than a predetermined size in the difference pattern, and the finally obtained photomask data has a corrected optical proximity correction pattern. Obtained as photomask data.
Here, also in the dispersion correction process, the pattern for the photomask data, which is not resolved at the exposure wavelength on the wafer at the time of transfer exposure to the wafer, is finely divided in size and interval, is used for optical proximity effect correction. The photomask data is newly obtained by dispersing and disposing, and also in this example, at the time of transfer exposure to the wafer, a fine pattern of a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is a predetermined pattern. It is composed of one or more dot patterns on a grid with a pitch Pa, and the optical proximity effect is corrected based on the distribution state (sparse / dense state and / or the arrangement area).
The pattern 110 shown in FIG. 2A in the design data is as shown in FIG. 2B1 by the first dispersion correction, and finally has a shape close to FIG. 2D after the correction.
Then, of course, a transfer image on a wafer of a pattern close to the shape of FIG. 2D of a photomask drawn and manufactured using such corrected data is designed as shown in FIG. It will be close to the shape.
[0018]
The method of creating photomask data having an optical proximity correction pattern according to the present invention is not limited to the first and second examples described above.
For example, in some cases, a mode in which continuous correction and dispersion correction are used independently may be adopted.
In some cases, as a pattern of addition or deletion of a pattern to a corner or an end in continuous correction, a predetermined uniform distribution on a grid of a predetermined pitch C finer than the pattern is provided, and the pattern is not resolved by transfer. The dot pattern may be arranged with its area changed.
In addition, instead of performing the difference pattern acquisition process using simulation, an actual manufacturing process is performed to obtain a pattern on the wafer corresponding to the photomask data, or a simulation is performed using an actual manufacturing process. Can also be taken.
In the first and second examples, as shown in FIG. 1, the photomask pattern (S14) was obtained by simulation. However, in some cases, the photomask pattern shape was the same as the shape of the photomask data. For example, a form in which a pattern shape on a wafer is obtained by simulation can be adopted.
[0019]
Next, a first example of a photomask embodiment having a pattern subjected to optical proximity correction according to the present invention will be described.
The first example uses a photomask data created by the method for creating photomask data having the optical proximity correction pattern of the first example, and uses a photomask substrate (photomask) with an electron beam exposure apparatus. It is manufactured by performing exposure and drawing on a photosensitive resist disposed on a light-shielding film (also referred to as blanks), and developing and etching processes.
The pattern subjected to the optical proximity correction (OPC) includes a fine pattern having a size and an interval that cannot be resolved at the exposure wavelength on the wafer during transfer exposure to the wafer (corresponding to the fine pattern 115 in FIG. 2D). Are distributed and arranged for correcting the optical proximity effect.
At the time of transfer exposure to the wafer, a fine pattern (a pattern corresponding to the fine pattern 115 in FIG. 2D) having a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is formed by dots arranged on a grid having a predetermined pitch Pa. It consists of one or more patterns, and the optical proximity effect is corrected according to the distribution state.
[0020]
Next, a second example of a photomask embodiment having a pattern subjected to optical proximity correction according to the present invention will be described.
In the second example, a photomask substrate (photomask) is formed by an electron beam exposure apparatus using the photomask data created by the method for creating photomask data having the optical proximity correction pattern of the second example. It is manufactured by performing exposure and drawing on a photosensitive resist disposed on a light-shielding film (also referred to as blanks), and developing and etching processes.
In the second example, similarly to the first example, a pattern subjected to optical proximity correction (OPC) has a fine size and a small interval which cannot be resolved at the exposure wavelength on the wafer during transfer exposure to the wafer. Patterns (patterns corresponding to the fine patterns 115 in FIG. 2D) are dispersedly provided for optical proximity effect correction.
At the time of transfer exposure to the wafer, a fine pattern (a pattern corresponding to the fine pattern 115 in FIG. 2D) having a size that is not resolved at the exposure wavelength on the wafer is formed by dots arranged on a grid having a predetermined pitch Pa. It consists of one or more patterns, and the optical proximity effect is corrected according to the distribution state.
[0021]
Further, the photomask having the optical proximity correction pattern of the present invention is not limited to the first example and the second example.
Applicable photomasks are not limited to ordinary binary masks, and various phase shift masks can be applied as appropriate.
[0022]
【The invention's effect】
As described above, the present invention provides a photomask having an OPC pattern that can cope with miniaturization of a photomask pattern and does not generate an unnecessary transfer pattern on a wafer. Photomask data for fabrication can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart of a first example of an embodiment of a method for creating data for a photomask having an optical proximity correction pattern according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining a correction procedure for design data.
FIG. 3 is a diagram for explaining a photomask pattern shape corresponding to a design pattern and a pattern shape on a wafer.
FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional photomask pattern shape and an on-wafer pattern shape corresponding to an OPC pattern on data.
FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional correction pattern shape.
[Explanation of symbols]
110 Design data pattern
111, 111a, 112, 112a Correction pattern (by continuous correction process)
115, 115a Fine pattern (by dispersion correction processing)
120 Proximity effect correction pattern (OPC pattern)
410 Design figure data
413 Formed pattern on photomask
415 Formed pattern on wafer
420 Corrected graphic data
423 Pattern Formed on Photomask
425 Pattern formed on wafer
