KR20080000975A - Method for manufacturing photo-mask - Google Patents

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Abstract

A method for manufacturing a photo mask is provided to reduce a manufacturing time by reducing a size of mask pattern data according to correction of a semiconductor circuit. An input process is performed to input mask pattern data of the entire semiconductor chip(S10). A first setting process is performed to set a circuit correction region when a semiconductor circuit is corrected in the inputted mask pattern data(S20). A second setting process is performed to set an OPC region including the circuit correction region(S30). An OPC process for the OPC region is performed(S40). The data of the circuit correction region for performing the OPC process is exchanged with the circuit correction region data of the mask pattern data and a photo mask pattern is manufactured by performing an exposure process using the exchanged data(S50,S60).

Description

포토 마스크 제조 방법{Method for manufacturing photo-mask}Method for manufacturing photo-mask

도 1은 반도체 회로 칩에서 OPC 및 회로 수정 영역을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating an OPC and a circuit modification region in a semiconductor circuit chip.

도 2는 본 발명의 포토 마스크 제조 방법이 적용된 포토 마스크 제조 장치의 일 예를 나타낸 구성도이다.2 is a configuration diagram showing an example of a photomask manufacturing apparatus to which the photomask manufacturing method of the present invention is applied.

도 3은 본 발명에 따른 포토 마스크 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 순서도이다.3 is a process flowchart sequentially showing a method of manufacturing a photomask according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 전체 반도체 회로 칩1: whole semiconductor circuit chip

10 : OPC 영역10: OPC area

12 : 회로 수정 영역12: circuit modification area

본 발명은 포토 리소그래피 제조 공정에 사용되는 포토 마스크의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 회로 수정에 따른 포토 마스크의 제작 시간을 단축할 수 있는 포토 마스크 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a photomask used in a photolithography manufacturing process, and more particularly, to a method of manufacturing a photomask that can shorten a manufacturing time of a photomask due to semiconductor circuit modification.

일반적으로, 포토 리소그래피 기술은 반도체 소자의 고집적화를 선도하는 기본 기술로서, 빛을 이용하여 반도체 기판 위에 패턴을 형성하는 것이다. 즉, 반도체 기판에 절연막이나 도전막 등의 패턴을 형성하여야 할 위치에 자외선, 전자빔 또는 X선 등과 같은 노광 장비의 빛을 조사하여 그 용해도가 변화하는 포토레지스트를 형성하고, 포토 마스크를 이용하여 포토레지스트의 소정 부위를 빛에 노출시킨 후, 현상액에 대하여 용해도가 큰 부분을 제거함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 부분을 식각 공정으로 제거하여 원하는 반도체 소자 패턴을 형성한다.In general, photolithography technology is a basic technology leading to high integration of semiconductor devices, and forms a pattern on a semiconductor substrate using light. That is, by irradiating light of exposure equipment such as ultraviolet rays, electron beams, or X-rays to a position where a pattern such as an insulating film or a conductive film should be formed on a semiconductor substrate, a photoresist whose solubility is changed is formed, After exposing a predetermined portion of the resist to light, a photoresist pattern is formed by removing a portion having high solubility with respect to the developer. A portion exposed by the photoresist pattern is removed by an etching process to form a desired semiconductor device pattern.

최근에는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토 마스크의 노광 장비로서 전자빔(electron beam) 장치를 사용하는데, 전자빔은 그 특성상 포토레지스트에 입사되면서 레지스트와 하부 기판에 산란을 일으킨다. 이렇게 산란되는 전자가 패턴에 영향을 주어 패턴의 충실도(fidelity)와 선폭(critical dimension)에 영향을 미친다. 이렇듯 전자빔 노광방식은 스테퍼와 같이 레티클을 매개체로 이용하여 노광하는 방식이 아닌 실제 패턴 데이터를 포토 마스크에 직접 노광하는 방식이다. 노광하고자 하는 영역을 작은 픽셀로 나누어 그 픽셀 사이즈에 맞는 전자빔으로 데이터가 있는 영역을 채워나간다.Recently, an electron beam apparatus is used as an exposure apparatus of a photo mask for forming a photoresist pattern, and the electron beam is incident on the photoresist to cause scattering on the resist and the lower substrate. These scattered electrons affect the pattern, affecting the fidelity and the critical dimension of the pattern. As such, the electron beam exposure method is a method of exposing actual pattern data directly to a photo mask, not a method of exposing using a reticle as a medium like a stepper. The area to be exposed is divided into small pixels, and the area containing data is filled with an electron beam suitable for the pixel size.

그러나, 디바이스의 집적도가 높아지면서 마이크로 프로세서등 로직 소자에서 흔히 볼 수 있는 불규칙으로 배치된 패턴에서는 초점 심도, 해상도 모두 향상 효과가 적어지고 있다. 이를 극복하고자 해상 한계에 가까운 수치의 패턴을 형성할 경우, 설계상의 패턴과 실제로 반도체 기판 상에 형성되는 패턴이 괴리되어 버 리는 이른바 광근접 효과(optical proximity effect)가 발생하게 된다. 설계와 실제의 패턴의 괴리에 의해 소자의 성능이 설계에 비해 현저히 열화되어 버린다. 이에 따라 포토 리소그래피 공정에서 해상 한계에서 발생하는 패턴의 왜곡 현상에 대한 보정(Optical Proximity Correction : 이하, OPC라 함)은 이제 불가피한 기술이 되고 있다.However, as the degree of device integration increases, both the depth of focus and the resolution decrease in the irregularly arranged patterns commonly found in logic devices such as microprocessors. In order to overcome this problem, when a pattern having a numerical value close to the resolution limit is formed, a so-called optical proximity effect occurs, in which a design pattern and a pattern actually formed on a semiconductor substrate are separated from each other. Due to the difference between the design and the actual pattern, the performance of the device is significantly degraded compared to the design. Accordingly, the correction of the pattern distortion phenomenon occurring at the resolution limit in the photolithography process (hereinafter referred to as OPC) has become an inevitable technique.

OPC 기술 도입에 의해, 포토 마스크의 미세한 패턴을 웨이퍼 상에 설계대로 충실하게 완성할 수 있게 되었다. 이러한 OPC 기술은 마스크 패턴 배치에 대응하는 마스크 패턴 보정량을 사전에 룰 테이블화해 두고 마스크 패턴 배치 정보를 기초로, 룰 테이블을 참조하면서 보정하는 룰 베이스 보정(rule based correction) 방법과, 마스크 패턴 정보 및 웨이퍼 프로세스 조건을 기초로 웨이퍼 상에 전사되는 형상을 예측하고, 원하는 값을 얻을 수 있도록 마스크 패턴에 보정을 하는 모델 베이스 보정(model based correction) 방법으로 구분된다.By introducing OPC technology, it is possible to faithfully complete the fine pattern of the photo mask on the wafer as designed. The OPC technique includes a rule-based correction method of correcting a rule pattern correction amount corresponding to a mask pattern arrangement in advance by rule table and by referring to a rule table based on the mask pattern arrangement information, mask pattern information and It is divided into a model based correction method of predicting a shape transferred onto a wafer based on wafer process conditions and correcting a mask pattern to obtain a desired value.

한편, 종래 기술에 의한 포토 마스크 제조 방법은, 전체 반도체 회로 칩의 설계 마스크 패턴 데이터를 입력받아 이에 대해 OPC를 수행하고, OPC 수행 결과에 따라 반도체 회로 수정시 전체 반도체 회로 칩의 설계 마스크 패턴 데이터를 수정한 후에, 포토 마스크 패턴을 제작하였다.On the other hand, the photomask manufacturing method according to the related art receives the design mask pattern data of the entire semiconductor circuit chip and performs OPC on it, and when modifying the semiconductor circuit according to the result of the OPC, the design mask pattern data of the entire semiconductor circuit chip is obtained. After the correction, a photo mask pattern was produced.

하지만, 반도체 회로 수정시 수정되지 않은 회로 영역까지 전체 반도체 회로 칩의 마스크 패턴 데이터를 변환한 후에 OPC를 수행하여 포토 마스크 패턴을 제작하기 때문에 회로 수정으로 변환되는 마스크 패턴 데이터 크기가 많아질 뿐만 아니라, 포토 마스크를 제작하는데 걸리는 시간이 길어지는 문제점이 있었다.However, when the semiconductor circuit is modified, the mask pattern data of the entire semiconductor circuit chip is converted to the unmodified circuit area, and then OPC is performed to produce the photo mask pattern. There was a problem that the time taken to produce the photo mask is long.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 전체 반도체 회로 칩의 설계 마스크 패턴 데이터 중에서 회로 수정이 되는 부분만 OPC를 수행한 후에 OPC가 수행된 데이터를 마스크 패턴 데이터에 교환하여 변경함으로써, 반도체 회로 수정에 따른 마스크 패턴 데이터 크기를 줄일 수 있으며 포토 마스크의 제작 시간을 단축할 수 있는 포토 마스크 제조 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, after performing the OPC only the portion of the design mask pattern data of the entire semiconductor circuit chip to be modified, by exchanging the data performed OPC to the mask pattern data The present invention provides a method of manufacturing a photomask, which can reduce the size of mask pattern data according to semiconductor circuit modification and shorten the manufacturing time of the photomask.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토 마스크의 패턴을 제조하는 방법에 있어서, 전체 반도체 회로 칩의 마스크 패턴 데이터를 입력받는 단계와, 입력된 마스크 패턴 데이터에서 반도체 회로가 수정될 경우 회로 수정 영역을 설정하는 단계와, 회로 수정 영역을 포함하는 OPC 영역을 설정하는 단계와, OPC 영역에 대해 OPC를 수행하는 단계와, OPC가 수행된 회로 수정 영역에 대한 데이터를 마스크 패턴 데이터의 회로 수정 영역 데이터와 교환하여 변경하고, 변경된 데이터를 이용한 노광 공정을 수행하여 포토 마스크 패턴을 제조하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a pattern of a photo mask, comprising the steps of receiving mask pattern data of an entire semiconductor circuit chip, and if the semiconductor circuit is modified from the input mask pattern data, Setting the circuit diagram; setting the OPC region including the circuit correction region; performing OPC on the OPC region; and data for the circuit correction region on which the OPC is performed. And exchanging with each other, and performing an exposure process using the changed data to manufacture a photomask pattern.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 반도체 회로 칩에서 OPC 및 회로 수정 영역을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating an OPC and a circuit modification region in a semiconductor circuit chip.

도 1에 도시된 바와 같이, 한 개 칩의 반도체 회로 영역(1)에서 회로 수정 영역(12)이 발생할 경우 본 발명은 변경된 회로 영역(12)을 포함하는 OPC 영역(10) 을 설정한다.As shown in FIG. 1, when the circuit correction region 12 occurs in the semiconductor circuit region 1 of one chip, the present invention sets the OPC region 10 including the modified circuit region 12.

여기서, 회로 수정 영역(12)은 원래 반도체 회로 영역(1)과 수정된 반도체 회로 영역을 1:1 비교하여 변경된 회로 영역을 설정한다.Here, the circuit modification region 12 compares the original semiconductor circuit region 1 with the modified semiconductor circuit region by 1: 1 to set the changed circuit region.

그리고, OPC 영역(10)은 회로 수정 영역(12)에 OPC 영향을 받는 패턴 범위 및 연속된 패턴을 고려하여 설정하는데, 회로 수정 영역(12)의 간격이 20㎛ 이내의 것을 하나의 OPC를 수행하기 위한 영역으로 설정한다. 또한 회로 수정 영역(12)내 연속된 회로 패턴의 끝으로부터 OPC 영향을 받는 10㎛ 범위를 OPC 영역으로 설정한다.In addition, the OPC region 10 is set in consideration of the pattern range and the continuous pattern affected by the OPC in the circuit correction region 12. The OPC region 10 performs one OPC in which the interval between the circuit correction regions 12 is within 20 µm. Set the area to In addition, the 10 占 퐉 range affected by the OPC from the end of the continuous circuit pattern in the circuit correction region 12 is set as the OPC region.

도 2는 본 발명의 포토 마스크 제조 방법이 적용된 포토 마스크 제조 장치의 일 예를 나타낸 구성도이다.2 is a configuration diagram showing an example of a photomask manufacturing apparatus to which the photomask manufacturing method of the present invention is applied.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 포토 마스크 제조 방법이 적용된 포토 마스크 제조 장치는, 전체 반도체 회로 칩에 대한 설계 레이아웃 데이터인 마스크 패턴 데이터를 입력받고, 반도체 회로 수정이 있을 경우 마스크 패턴 데이터에서 수정된 회로 영역과 이 수정된 회로 영역을 포함하는 OPC 수행 영역인 OPC 영역을 설정하여 OPC를 수행한 후에, OPC가 수행된 수정된 회로 영역의 데이터를 마스크 패턴 데이터에 변경하여 포토 마스크의 패턴 데이터를 생성하는 패턴 생성 시스템(20)과, 패턴 생성 시스템(20)으로부터 포토 마스크 패턴 데이터를 실제 포토 마스크의 데이터로 취득하고, 설정된 회로 수정 영역과 OPC 영역 및 OPC된 수정 회로 영역의 데이터를 저장하는 데이터 저장부(30)와, 데이터 저장부(30)로부터 출력되는 포토 마스크 패턴 데이터를 토대로 포토 마스크(50)의 쿼츠에 노광하는 노 광 장치(40)를 포함한다.As shown in Fig. 1 and Fig. 2, the photomask manufacturing apparatus to which the photomask manufacturing method of the present invention is applied receives mask pattern data, which is design layout data for all semiconductor circuit chips, and masks when there is a semiconductor circuit correction. After performing the OPC by setting the modified circuit region and the OPC region, which is the OPC performing region including the modified circuit region, in the pattern data, the data of the modified circuit region in which the OPC is performed is changed to the mask pattern data to mask the photomask. A pattern generating system 20 for generating pattern data of the data; and photomask pattern data obtained from the pattern generating system 20 as data of an actual photo mask, and the data of the set circuit correction region, the OPC region, and the OPC correction circuit region A data storage unit 30 storing the data, and photomask pattern data output from the data storage unit 30. Based on the optical device comprises a furnace (40) for exposure to the quartz photomask 50.

여기서, 패턴 생성 시스템(20)은, 전체 반도체 회로 칩의 설계 레이아웃인 마스크 패턴 데이터를 입력받는 데이터 입력부(22)와, 수정된 회로 영역을 포함하는 OPC 수행 영역인 OPC 영역을 설정하고 OPC 영역에 대해 OPC를 수행하는 수정부(24)와, OPC가 수행된 수정된 회로 영역의 데이터를 전체 반도체 회로 칩의 설계 레이아웃인 마스크 패턴 데이터에 변경하여 포토 마스크의 패턴 데이터를 생성하는 데이터 출력부(26)를 포함한다.Here, the pattern generation system 20 sets the data input unit 22 for receiving mask pattern data, which is the design layout of the entire semiconductor circuit chip, and the OPC area, which is an OPC performing area including the modified circuit area, and sets the OPC area in the OPC area. A correction unit 24 which performs OPC for the data, and a data output unit 26 for generating pattern data of the photo mask by changing the data of the modified circuit region in which the OPC is performed to mask pattern data which is a design layout of the entire semiconductor circuit chip. ).

도 3은 본 발명에 따른 포토 마스크 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 순서도이다.3 is a process flowchart sequentially showing a method of manufacturing a photomask according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토 마스크 제조 방법은 다음과 같이 진행된다.As shown in FIG. 3, the photomask manufacturing method according to the present invention proceeds as follows.

전체 반도체 회로 칩의 설계 레이아웃인 마스크 패턴 데이터를 입력받는다.(S10)The mask pattern data, which is a design layout of the entire semiconductor circuit chip, is input (S10).

입력된 마스크 패턴 데이터에서 반도체 회로가 수정된 회로 수정 영역이 발생할 경우 마스크 패턴 데이터에서 수정되기 이전의 원래 반도체 회로 영역과 수정된 반도체 회로 영역을 1:1 비교하여 수정된 영역을 설정한다.(S20) When a circuit correction region in which the semiconductor circuit is modified in the input mask pattern data occurs, the modified region is set by comparing the original semiconductor circuit region and the modified semiconductor circuit region before modification in the mask pattern data 1: 1. )

그리고 마스크 패턴 데이터에서 반도체 회로가 수정된 부분인 회로 수정 영역과 이 수정된 회로 영역을 포함하는 OPC 영역을 설정하여 OPC 수행 이전의 원본 데이터를 작성한다.(S30)Then, in the mask pattern data, a circuit correction region, which is a portion of which the semiconductor circuit is modified, and an OPC region including the modified circuit region are set to prepare original data before performing OPC (S30).

여기서, OPC 영역은 회로 수정 영역의 간격이 20㎛ 이내의 것을 하나의 OPC 를 수행하기 위한 영역으로 설정하고, 회로 수정 영역내 연속된 회로 패턴의 끝으로부터 OPC 영향을 받는 10㎛ 범위를 OPC 영역으로 설정한다.Here, the OPC area is set to an area for performing one OPC in which the interval of the circuit correction area is within 20 μm, and a 10 μm range affected by OPC from the end of the continuous circuit pattern in the circuit correction area is set to the OPC area. Set it.

그 다음, 회로 수정 영역과 이의 OPC 영역을 포함한 원본 데이터에 대해 OPC를 수행하고, OPC가 수행된 데이터를 작성한다.(S40∼50)Then, OPC is performed on the original data including the circuit correction area and its OPC area, and the data on which the OPC is performed is created. (S40 to 50)

OPC가 수행된 수정된 회로 영역에 대한 OPC 데이터를 전체 반도체 회로 칩의 설계 레이아웃인 마스크 패턴 데이터에 변경하고, 변경된 마스크 패턴 데이터를 실제 포토 마스크의 데이터로 하여 노광 장치를 통해 포토 마스크의 쿼츠에 노광하여 포토 마스크 패턴을 제조한다.(S60)The OPC data for the modified circuit region where the OPC was performed is changed to mask pattern data, which is the design layout of the entire semiconductor circuit chip, and the changed mask pattern data is used as the data of the actual photo mask, and is exposed to the quartz of the photo mask through the exposure apparatus. The photomask pattern is manufactured. (S60)

그러므로, 본 발명의 포토 마스크 제조 방법은, 전체 반도체 회로 칩의 설계 레이아웃인 마스크 패턴 데이터를 입력받고, 반도체 회로 수정이 있을 경우 수정된 회로 영역에만 OPC를 수행하고, OPC가 수행된 회로 수정 영역을 전체 반도체 회로 칩의 마스크 패턴 데이터에 교환한 후에, 이를 토대로 포토 마스크의 패턴을 제작한다.Therefore, the photomask manufacturing method of the present invention receives the mask pattern data, which is the design layout of the entire semiconductor circuit chip, performs OPC only in the modified circuit region when there is a semiconductor circuit modification, and performs a circuit modification region in which the OPC is performed. After exchanging the mask pattern data of the whole semiconductor circuit chip, the pattern of the photomask is produced based on this.

이에 따라, 본 발명은 반도체 회로 수정시 종래와 같이 수정되지 않은 회로 영역까지 전체 반도체 회로 칩의 마스크 패턴 데이터를 변환한 후에 OPC를 수행하여 포토 마스크 패턴을 제작하지 않고, 수정된 회로 영역만 OPC를 수행한 후에 전체 반도체 회로 칩의 패턴 데이터에 OPC 수행된 회로 수정 영역을 교환하여 포토 마스크 패턴을 제작하기 때문에 포토 마스크 패턴 데이터의 수정에 사용되는 데이터 크기가 작아, 포토 마스크를 제작하는데 걸리는 시간이 단축된다.Accordingly, in the present invention, the OPC is performed without converting the mask pattern data of the entire semiconductor circuit chip to the unmodified circuit region when the semiconductor circuit is modified. Since the photomask pattern is produced by exchanging the OPC-executed circuit correction region with the pattern data of the entire semiconductor circuit chip after performing the data, the data size used for the correction of the photomask pattern data is small, and the time taken to produce the photomask is shortened. do.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위 에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

상기한 바와 같이, 본 발명은 전체 반도체 회로 칩의 설계 마스크 패턴 데이터 중에서 회로 수정이 되는 부분만 OPC를 수행한 후에 OPC가 수행된 회로 수정 영역을 마스크 패턴 데이터에 교환하여 포토 마스크 패턴을 제작함으로써, 반도체 회로 수정에 따라 변경되는 마스크 패턴의 데이터 크기를 줄일 수 있으며 이로 인해 포토 마스크 패턴을 제작하기까지 걸리는 시간을 크게 단축할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, after the OPC is performed only in the portion of the design mask pattern data of the entire semiconductor circuit chip, the photovoltaic pattern is manufactured by exchanging the circuit correction region where the OPC is performed with the mask pattern data. The data size of the mask pattern changed according to the semiconductor circuit modification can be reduced, thereby greatly reducing the time required to manufacture the photo mask pattern.

Claims (4)

포토 마스크의 패턴을 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing the pattern of the photo mask, 전체 반도체 회로 칩의 마스크 패턴 데이터를 입력받는 단계;Receiving mask pattern data of all semiconductor circuit chips; 상기 입력된 마스크 패턴 데이터에서 반도체 회로가 수정될 경우 회로 수정 영역을 설정하는 단계;Setting a circuit correction region when a semiconductor circuit is corrected in the input mask pattern data; 상기 회로 수정 영역을 포함하는 OPC 영역을 설정하는 단계;Setting an OPC region including the circuit modification region; 상기 OPC 영역에 대해 OPC를 수행하는 단계; 및Performing OPC on the OPC region; And 상기 OPC가 수행된 회로 수정 영역에 대한 데이터를 상기 마스크 패턴 데이터의 회로 수정 영역 데이터와 교환하여 변경하고, 변경된 데이터를 이용한 노광 공정을 수행하여 포토 마스크 패턴을 제조하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.And changing the data of the circuit correction region on which the OPC is performed, by exchanging data with the circuit correction region data of the mask pattern data, and manufacturing an photomask pattern by performing an exposure process using the changed data. Photomask manufacturing method. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회로 수정 영역의 설정은, 상기 마스크 패턴 데이터와 수정된 회로 패턴 데이터를 1:1 비교하여 수정된 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.In the setting of the circuit correction region, the modified mask region and the modified circuit pattern data are compared 1: 1 to set a modified region. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 OPC 영역은, 상기 회로 수정 영역의 간격이 20㎛ 이내의 것을 하나의 OPC를 수행하기 위한 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.The OPC region is a photomask manufacturing method, characterized in that the interval of the circuit correction region is set to less than 20㎛ area for performing one OPC. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 OPC 영역은, 상기 회로 수정 영역내 연속된 회로 패턴의 끝으로부터 OPC 영향을 받는 10㎛ 범위를 OPC 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.The OPC region is a photomask manufacturing method, characterized in that the OPC region is set to a 10㎛ range affected by OPC from the end of the continuous circuit pattern in the circuit correction region.
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