JP2003248296A - Exposure mask and method of manufacturing the same, and method of forming transfer pattern - Google Patents
Exposure mask and method of manufacturing the same, and method of forming transfer patternInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、露光マスクおよび
その製造方法、ならびに転写パターンの形成方法に関す
るものであり、さらに詳しくは、リソグラフィ技術によ
り、基板上に疎密を有する設計パターンを転写する際に
用いる露光マスクおよびその製造方法、そして、この露
光マスクを用いて基板上に設計パターンを転写し、転写
パターンを形成する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure mask, a method for manufacturing the same, and a method for forming a transfer pattern. More specifically, the present invention relates to an exposure mask and a method for forming a transfer pattern. The present invention relates to an exposure mask to be used, a method for manufacturing the same, and a method for forming a transfer pattern by transferring a design pattern onto a substrate using the exposure mask.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、半導体装置の回路パターンをウエ
ハ等の基板上に形成するリソグラフィ技術においては、
設計パターンが形成された露光マスクを用いて縮小露光
することにより、基板上に転写パターンを形成する方法
が主流となっている。このような露光の縮小率は1/5
あるいは1/4、露光波長はI線(365nm)や遠紫外
域光(248nm、193nm)が採用されている。そし
て半導体素子のさらなる微細化に伴い、将来的には15
7nmといった露光波長も採用されると予想されてい
る。2. Description of the Related Art At present, in lithography technology for forming a circuit pattern of a semiconductor device on a substrate such as a wafer,
A method of forming a transfer pattern on a substrate by reducing exposure using an exposure mask on which a design pattern is formed has become the mainstream. Such exposure reduction rate is 1/5
Alternatively, 1/4 is used as the exposure wavelength, and I-line (365 nm) or far-ultraviolet light (248 nm, 193 nm) is adopted. With the further miniaturization of semiconductor devices, it will be 15 in the future.
Exposure wavelengths such as 7 nm are also expected to be adopted.
【0003】また、半導体素子の微細化に対応して露光
時の解像度を向上させるために、電子線投影露光法(Low
Energy Electron Projection Lithography(LEEP
L)、Electron Projection Lithography(EPL))や極
短波長紫外線露光法(Extreme Ultra Violet Lithograp
hy(EUVL))などの露光方法も開発されている。Further, in order to improve the resolution at the time of exposure in response to the miniaturization of semiconductor elements, an electron beam projection exposure method (Low
Energy Electron Projection Lithography (LEEP
L), Electron Projection Lithography (EPL)) and ultra-short wavelength UV exposure method (Extreme Ultra Violet Lithograp)
Exposure methods such as hy (EUVL) have also been developed.
【0004】上記いずれの場合も、基板上に設計パター
ンを転写するための原版となる露光マスクが必要とな
る。この露光マスクは、例えば透明基板上に遮光膜から
なる回路パターンの設計パターンが形成されたものであ
り、遮光膜上に塗付したレジストに電子線で設計パター
ンを描写し、現像してレジストパターンを形成した後、
このレジストパターンを用いてエッチングすることで得
ることができる。In any of the above cases, an exposure mask serving as an original plate for transferring the design pattern onto the substrate is required. This exposure mask has, for example, a circuit pattern design pattern made of a light-shielding film formed on a transparent substrate, and the design pattern is drawn on a resist applied on the light-shielding film with an electron beam and developed to form a resist pattern. After forming
It can be obtained by etching using this resist pattern.
【0005】そして、回路パターンを基板上に形成する
ためのリソグラフィにおいては、露光マスクに形成され
る設計パターンの線幅精度が、基板上に転写される転写
パターンの線幅に特に大きな影響を及ぼすことから、設
計データ通りに精度よく設計パターンが形成された露光
マスクの製造技術が重要性を増している。In lithography for forming a circuit pattern on a substrate, the line width accuracy of a design pattern formed on an exposure mask has a great influence on the line width of a transfer pattern transferred on the substrate. Therefore, the manufacturing technique of the exposure mask in which the design pattern is formed with high precision according to the design data is becoming more important.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、設計パターン
に疎密差があると、露光マスクの製造時における電子線
描画の際に電子線の近接効果が生じるだけでなく、描画
後の現像時やエッチング時にいわゆるローディング効果
が発生するため、パターン線幅がばらつき、露光マスク
に設計パターンを精度よく形成するのが困難であるとい
った問題があった。さらに、上述したような露光マスク
を用いて露光し、基板上に設計パターンを転写すると、
基板上に形成される転写パターンの線幅のばらつきが増
大し、所望の転写パターンを得ることは困難であった。However, if the design patterns differ in density, not only the proximity effect of the electron beam occurs at the time of electron beam drawing at the time of manufacturing the exposure mask, but also at the time of development or etching after drawing. Since a so-called loading effect sometimes occurs, there is a problem in that the pattern line width varies and it is difficult to accurately form a design pattern on the exposure mask. Furthermore, by exposing using the above-mentioned exposure mask and transferring the design pattern onto the substrate,
The variation of the line width of the transfer pattern formed on the substrate increases, and it is difficult to obtain a desired transfer pattern.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の露光マスクは、疎密を有する設計パターン
を基板上に転写する際に用いる露光マスクであって、設
計パターンとともにこの設計パターンの疎な領域にダミ
ーパターンが形成された第1の露光マスクと、ダミーパ
ターンの反転パターンが形成された第2の露光マスクと
からなることを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, an exposure mask of the present invention is an exposure mask used when transferring a sparse and dense design pattern onto a substrate. It is characterized by comprising a first exposure mask having a dummy pattern formed in a sparse region and a second exposure mask having an inverted pattern of the dummy pattern.
【0008】また、本発明は上記露光マスクの製造方法
でもあり、設計パターンの疎な領域を抽出する工程と、
設計パターンとともにこの設計パターンの疎な領域にダ
ミーパターンが形成された第1の露光マスクを製造する
工程と、ダミーパターンの反転パターンが形成された第
2の露光マスクを製造する工程とを有することを特徴と
している。The present invention is also a method of manufacturing the above-mentioned exposure mask, which comprises a step of extracting a sparse region of a design pattern,
A step of manufacturing a first exposure mask in which a dummy pattern is formed in a sparse region of the design pattern together with a design pattern, and a step of manufacturing a second exposure mask in which a reverse pattern of the dummy pattern is formed Is characterized by.
【0009】さらに、本発明は上記露光マスクを用いた
転写パターンの形成方法でもあり、疎密を有する設計パ
ターンを基板上に転写して転写パターンを形成する方法
であって、基板上の転写パターン形成層に対して、第1
の露光マスクを用いた露光と、第2の露光マスクを用い
た露光とを行うことを特徴としている。Furthermore, the present invention is also a method of forming a transfer pattern using the above-mentioned exposure mask, which is a method of forming a transfer pattern by transferring a sparse and dense design pattern onto a substrate. First to layer
It is characterized in that the exposure using the second exposure mask and the exposure using the second exposure mask are performed.
【0010】上述したような露光マスクおよび露光マス
クの製造方法によれば、第1の露光マスクには、設計パ
ターンとともにこの設計パターンの疎な領域にダミーパ
ターンが形成されていることから、第1の露光マスクに
おけるパターンの疎密差を低減させることができ、パタ
ーン密度をより均一にすることができる。これにより、
第1の露光マスクを製造する際の電子線近接効果や、現
像時およびエッチング時におけるローディング効果を抑
制することができることから、第1の露光マスクにおけ
るパターン線幅のばらつきを抑制することができ、設計
データ通りに精度よく設計パターンを形成することがで
きる。According to the exposure mask and the method of manufacturing the exposure mask as described above, the first exposure mask has the dummy pattern formed in the sparse region of the design pattern together with the design pattern. It is possible to reduce the difference in the density of the patterns in the exposure mask, and to make the pattern density more uniform. This allows
Since the electron beam proximity effect at the time of manufacturing the first exposure mask and the loading effect at the time of development and etching can be suppressed, it is possible to suppress the variation of the pattern line width in the first exposure mask, The design pattern can be formed accurately according to the design data.
【0011】また、第2の露光マスクには、第1の露光
マスクにおけるダミーパターンの反転パターンが形成さ
れている。これにより、第1の露光マスクを用いて、基
板上に設計パターンを転写する場合に、さらに第2の露
光マスクを用いることにより、基板上に転写されるダミ
ーパターンを消去することができる。Further, a reverse pattern of the dummy pattern in the first exposure mask is formed on the second exposure mask. Thus, when the design pattern is transferred onto the substrate using the first exposure mask, the dummy pattern transferred onto the substrate can be erased by further using the second exposure mask.
【0012】また、上記の露光マスクを用いた転写パタ
ーンの形成方法によれば、基板上の転写パターン形成層
に対して、第1の露光マスクを用いた露光と第2の露光
マスクを用いた露光とを行う。ここで、上述したように
第1の露光マスクには、設計パターンが設計データ通り
に精度よく形成されていることから、第1の露光マスク
を用いて露光することにより、設計データに対して精度
の高い転写パターンを基板上に形成することができ、さ
らに、第2の露光マスクを用いて露光することにより、
設計パターンとともに転写されるダミーパターンを消去
することができる。Further, according to the above-described method of forming a transfer pattern using the exposure mask, the transfer pattern forming layer on the substrate is exposed using the first exposure mask and the second exposure mask. Do exposure. Here, as described above, since the design pattern is formed on the first exposure mask with high precision according to the design data, by performing exposure using the first exposure mask, the precision with respect to the design data is improved. A high transfer pattern can be formed on the substrate, and by exposing using a second exposure mask,
The dummy pattern transferred together with the design pattern can be erased.
【0013】本発明のもう1つの露光マスクは、疎密を
有する設計パターンを基板上に転写する際に用いる露光
マスクであって、設計パターンの疎密差が低減するよう
に、相補的に分割された設計パターンがそれぞれ形成さ
れた複数の露光マスクからなることを特徴としている。Another exposure mask of the present invention is an exposure mask used for transferring a sparse / dense design pattern onto a substrate, and is divided in a complementary manner so as to reduce the sparse / dense difference in the design pattern. It is characterized by comprising a plurality of exposure masks each having a design pattern formed thereon.
【0014】また、本発明は上記露光マスクの製造方法
でもあり、設計パターンの疎密差が低減するように、設
計パターンを相補的に分割し、この分割した設計パター
ンがそれぞれ形成された複数の露光マスクを製造するこ
とを特徴としている。The present invention is also a method of manufacturing the above-mentioned exposure mask, wherein the design pattern is complementarily divided so that the density difference of the design patterns is reduced, and a plurality of exposures in which the divided design patterns are formed respectively. It is characterized by manufacturing a mask.
【0015】さらに、本発明は上記露光マスクを用いた
転写パターンの形成方法でもあり、複数の露光マスクを
一枚ずつ用いて、基板上の転写パターン形成層に対して
複数回露光を行うことを特徴としている。Furthermore, the present invention is also a method of forming a transfer pattern using the above-mentioned exposure mask, wherein a plurality of exposure masks are used one by one, and the transfer pattern forming layer on the substrate is exposed a plurality of times. It has a feature.
【0016】上述したような露光マスクおよび露光マス
クの製造方法によれば、複数の露光マスクからなり、設
計パターンの疎密差が低減するように、相補的に分割し
た設計パターンがそれぞれ形成されていることから、そ
れぞれの露光マスクにおけるパターン密度をより均一に
することができる。これにより、露光マスクを製造する
際の電子線近接効果および現像時やエッチング時のロー
ディング効果を抑制することができることから、露光マ
スクにおけるパターン線幅のばらつきを抑制することが
でき、分割された設計パターンを設計データ通りに精度
よく形成することができる。According to the exposure mask and the method of manufacturing the exposure mask as described above, the plurality of exposure masks are formed and the complementary divided design patterns are formed so as to reduce the density difference of the design patterns. Therefore, the pattern density of each exposure mask can be made more uniform. Thereby, the electron beam proximity effect at the time of manufacturing the exposure mask and the loading effect at the time of development and etching can be suppressed, so that the variation of the pattern line width in the exposure mask can be suppressed and the divided design The pattern can be accurately formed according to the design data.
【0017】また、上記の露光マスクを用いた転写パタ
ーンの形成方法によれば、設計パターンが相補的に分割
された複数の露光マスクを一枚ずつ用いて基板上の転写
パターン形成層に対して複数回露光を行う。これによ
り、それぞれの露光マスクにおいて、分割された設計パ
ターンが設計データ通りに精度よく形成されていること
から、設計データに対して精度の高い転写パターンを基
板上に形成することができる。Further, according to the above-described method of forming a transfer pattern using the exposure mask, a plurality of exposure masks in which the design pattern is divided in a complementary manner are used one by one with respect to the transfer pattern forming layer on the substrate. Perform multiple exposures. With this, in each exposure mask, the divided design pattern is formed with high accuracy according to the design data, so that the transfer pattern with high accuracy with respect to the design data can be formed on the substrate.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】(第1実施形態)以下、本発明の
実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1に示
したフローチャートの順序に従い、図2〜図4を用いて
本発明に係る露光マスクの製造方法および構成を説明す
る。図2には設計データ、図3には第1の露光マスクの
平面図(a)およびA−A´断面図(b)、図4には第
2の露光マスクの平面図(a)およびB−B´断面図
(b)をそれぞれ示す。また、図1のフローチャートは
露光マスクを製造する際のステップ(S)と、それぞれ
のステップにおける設定事項(DT)を示している。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The method and structure for manufacturing the exposure mask according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4 in the order of the flowchart shown in FIG. 2 is design data, FIG. 3 is a plan view of the first exposure mask (a) and an AA ′ cross-sectional view (b), and FIG. 4 is a plan view of the second exposure mask (a) and B. -B 'sectional drawing (b) is each shown. Further, the flowchart of FIG. 1 shows a step (S) when manufacturing an exposure mask and setting items (DT) in each step.
【0019】図2の設計データ30は、例えば半導体装
置の回路パターンの設計データを表している。ここで
は、この設計データ30で示された設計パターン31通
りに基板上に回路パターンを形成するための露光マスク
をその製造手順に従って説明する。まず、この設計デー
タ30に示すように、設計パターン31が配置された領
域を予め設定したメッシュサイズ(DT101)にした
がい、メッシュ41に分割する(S201)。The design data 30 of FIG. 2 represents design data of a circuit pattern of a semiconductor device, for example. Here, an exposure mask for forming a circuit pattern on the substrate according to the design pattern 31 indicated by the design data 30 will be described according to its manufacturing procedure. First, as shown in the design data 30, the area in which the design pattern 31 is arranged is divided into meshes 41 according to a preset mesh size (DT101) (S201).
【0020】ここで、メッシュサイズを細かく設定すれ
ば、設計パターン31の疎密の情報をより正確に得るこ
とができるが、演算に時間を要するため、精度と時間を
考慮に入れて調整する。本実施形態では、例えば領域内
の設計パターン31の最長部と同程度のメッシュサイズ
に設定したが、これに限定されず、十分な精度を得ら
れ、かつ処理時間が抑えられるように、設計パターン3
1のパターンサイズに応じてメッシュサイズを設定して
おくことが好ましい。Here, if the mesh size is set finely, the density information of the design pattern 31 can be obtained more accurately, but since the calculation takes time, the accuracy and time are taken into consideration for the adjustment. In the present embodiment, for example, the mesh size is set to be approximately the same as the longest part of the design pattern 31 in the area, but the present invention is not limited to this, and the design pattern is set so that sufficient accuracy can be obtained and processing time can be suppressed. Three
It is preferable to set the mesh size according to the pattern size of 1.
【0021】そして、各メッシュ41内を走査し、設計
パターン31の疎な領域を検出する(S202)。具体
的には、各メッシュ41のパターン密度を算出する。こ
こでいう、パターン密度とは、メッシュ41内に形成さ
れた設計パターン31の面積含有率である。また、各メ
ッシュ41内を走査し、設計パターン31の形成されて
いない空白領域を検出する。Then, the inside of each mesh 41 is scanned to detect a sparse area of the design pattern 31 (S202). Specifically, the pattern density of each mesh 41 is calculated. The pattern density here is the area content rate of the design pattern 31 formed in the mesh 41. Further, the inside of each mesh 41 is scanned to detect a blank area where the design pattern 31 is not formed.
【0022】そして、上記のパターン密度が20%未満
のメッシュ41または所定のサイズ以上の空白領域を有
するメッシュ41を補正メッシュ42として抽出する
(S203)。本実施形態では、パターン密度が20%
未満でかつ所定のサイズ以上の空白領域A、Dを有する
メッシュ41、パターン密度が20%未満で、所定のサ
イズより小さい空白領域Bを有するメッシュ41、パタ
ーン密度は20%以上で、所定のサイズ以上の空白領域
Cを有するメッシュ41を補正メッシュ42として抽出
する。Then, the mesh 41 having the pattern density of less than 20% or the mesh 41 having a blank area of a predetermined size or more is extracted as the correction mesh 42 (S203). In this embodiment, the pattern density is 20%.
Mesh 41 having blank areas A and D that are smaller than or equal to a predetermined size, pattern density is less than 20%, mesh 41 that has a blank area B that is smaller than a predetermined size, and pattern density is at least 20% and a predetermined size. The mesh 41 having the above blank area C is extracted as the correction mesh 42.
【0023】そして、補正メッシュ42の空白領域A、
B、C、Dに形成する、ダミーパターン32を設計する
(S204)。ダミーパターン32は、パターンの長さ
や幅、パターン間距離など、あらかじめ決定されたデザ
インルール(DT103)に従って設計することとす
る。Then, the blank area A of the correction mesh 42,
A dummy pattern 32 to be formed on B, C and D is designed (S204). The dummy pattern 32 is designed according to a predetermined design rule (DT103) such as the length and width of the pattern and the distance between the patterns.
【0024】そして、図3(a)に示すように、設計パ
ターン31を形成するとともに、設計パターン31の疎
な領域、すなわち図2に示した補正メッシュ42の空白
領域A、B、C、Dにダミーパターン32を形成した、
第1の露光マスク21を製造する(S301)。Then, as shown in FIG. 3A, the design pattern 31 is formed, and the sparse region of the design pattern 31, that is, the blank regions A, B, C, D of the correction mesh 42 shown in FIG. A dummy pattern 32 is formed on
The first exposure mask 21 is manufactured (S301).
【0025】具体的には、図3(b)に示すように、例
えばクロム薄膜からなる遮光膜23が形成された、例え
ばガラスからなる透明基板24に、ネガ型レジスト(図
示せず)を塗布し、電子線によりネガ型レジストに設計
パターン31およびダミーパターン32を描画する。こ
こでは、ネガ型レジストを用いたことにより、電子線で
描画した領域のレジストが重合する。その後、現像する
ことにより、電子線で描画した領域以外のレジストを除
去し、レジストが除去された部分の遮光膜23をエッチ
ング除去して、設計パターン31およびダミーパターン
32が非露光部となるように形成された第1の露光マス
ク21を製造する。Specifically, as shown in FIG. 3B, a negative resist (not shown) is applied to a transparent substrate 24 made of, for example, glass on which a light shielding film 23 made of, for example, a chromium thin film is formed. Then, the design pattern 31 and the dummy pattern 32 are drawn on the negative resist by the electron beam. Here, since the negative type resist is used, the resist in the region drawn by the electron beam is polymerized. Then, by developing, the resist other than the region drawn by the electron beam is removed, and the light-shielding film 23 in the part where the resist is removed is removed by etching so that the design pattern 31 and the dummy pattern 32 become non-exposed parts. The first exposure mask 21 formed on the substrate is manufactured.
【0026】また、図4(a)に示すように、このダミ
ーパターン32の消去パターンとなる反転パターン33
を設計して(S205)、反転パターン33が形成され
た第2の露光マスク22を製造する(S302)。ここ
で、基板上に設計パターン31を転写する際、ダミーパ
ターン32を消去するため、第1の露光マスク21およ
び第2の露光マスク22を用いて基板上に露光する際の
位置ずれも考慮に入れ、反転パターン33の線幅にはダ
ミーパターン32を確実に消去できるようなマージン
(DT104)を設ける。このため、第2の露光マスク
22の反転パターン33は、第1の露光マスク21のダ
ミーパターン32よりも一回り大きい線幅および長さを
有する。その際このマージンは、基板上に第2の露光マ
スク22を用いて露光する際に、ダミーパターン32に
近接して形成された設計パターン31が光近接効果によ
る影響を受けないように最小限に設定するのが好まし
い。Further, as shown in FIG. 4A, an inversion pattern 33 which becomes an erase pattern of the dummy pattern 32.
Are designed (S205), and the second exposure mask 22 on which the inverted pattern 33 is formed is manufactured (S302). Here, since the dummy pattern 32 is erased when the design pattern 31 is transferred onto the substrate, the positional deviation when exposing the substrate using the first exposure mask 21 and the second exposure mask 22 is also taken into consideration. A margin (DT 104) is provided in the line width of the inverted pattern 33 so that the dummy pattern 32 can be surely erased. Therefore, the reverse pattern 33 of the second exposure mask 22 has a line width and length slightly larger than the dummy pattern 32 of the first exposure mask 21. At this time, this margin is minimized so that the design pattern 31 formed in proximity to the dummy pattern 32 is not affected by the optical proximity effect when the substrate is exposed using the second exposure mask 22. It is preferable to set.
【0027】第2の露光マスク22の具体的な製造方法
としては、図4(b)に示すように、第2の露光マスク
22にダミーパターン32の反転パターン33を形成す
るため、遮光膜23が形成された透明基板24にポジ型
レジスト(図示せず)を塗布して、電子線によりポジ型
レジスト上に反転パターン33を描画する。これによ
り、描画部分が現像液に可溶性となるように変性するこ
とから、現像した後、エッチングによりレジストが除去
された領域の遮光膜23を除去することにより、反転パ
ターン33が露光部となるように形成された第2の露光
マスク22を得る。As a specific method for manufacturing the second exposure mask 22, as shown in FIG. 4B, the light shielding film 23 is formed because the inverted pattern 33 of the dummy pattern 32 is formed on the second exposure mask 22. A positive resist (not shown) is applied to the transparent substrate 24 on which is formed, and an inversion pattern 33 is drawn on the positive resist by an electron beam. As a result, the drawn portion is modified so that it becomes soluble in the developing solution. Therefore, after development, by removing the light shielding film 23 in the region where the resist is removed by etching, the reversal pattern 33 becomes the exposed portion. The second exposure mask 22 formed on the substrate is obtained.
【0028】なお、第2の露光マスク22は、反転パタ
ーン33のみが形成されているため、パターンの疎密差
を有していることから、電子線描画の際の電子線近接効
果や、現像時およびエッチング時におけるローディング
効果が発生するが、第2の露光マスク22はダミーパタ
ーン32を消去するのに用いるため、第1の露光マスク
21ほどの精度は要求されないので、問題ない。以上の
ようにして、第1の露光マスク21と第2の露光マスク
22とを一組とした露光マスクを得る。Since the second exposure mask 22 has only the inversion pattern 33 and thus has a difference in the density of the patterns, it has an electron beam proximity effect at the time of electron beam drawing and at the time of development. Also, a loading effect occurs during etching, but since the second exposure mask 22 is used for erasing the dummy pattern 32, the second exposure mask 22 is not required to have the same accuracy as the first exposure mask 21, so there is no problem. As described above, the exposure mask including the first exposure mask 21 and the second exposure mask 22 as a set is obtained.
【0029】このような露光マスクおよび露光マスクの
製造方法によれば、第1の露光マスク21には設計パタ
ーン31とともに、設計パターン31の疎な領域(空白
領域A、B、C、D)にダミーパターン32が形成され
ることから、第1の露光マスク21のパターンの疎密差
が低減され、パターン密度がより均一となる。これによ
り、第1の露光マスク21に設計パターン31およびダ
ミーパターン32を形成する際の電子線描画における電
子線近接効果や、現像時およびエッチング時におけるロ
ーディング効果を抑制することができることから、パタ
ーン線幅のばらつきを抑制することができ、第1の露光
マスク21に設計データ30通りに精度よく設計パター
ン31を形成することができる。According to such an exposure mask and the method of manufacturing the exposure mask, the first exposure mask 21 has the design pattern 31 and the sparse regions (blank regions A, B, C, D) of the design pattern 31. Since the dummy pattern 32 is formed, the density difference of the patterns of the first exposure mask 21 is reduced, and the pattern density becomes more uniform. As a result, the electron beam proximity effect in electron beam writing when forming the design pattern 31 and the dummy pattern 32 on the first exposure mask 21 and the loading effect during development and etching can be suppressed. The width variation can be suppressed, and the design pattern 31 can be accurately formed on the first exposure mask 21 according to the design data 30.
【0030】一方、第2の露光マスク22にはダミーパ
ターン32の反転パターン33が形成されることから、
基板上に第1の露光マスク21を用いて設計パターン3
1を転写する場合に、さらに第2の露光マスク22を用
いることによりダミーパターン32を消去することがで
きる。On the other hand, since the inverted pattern 33 of the dummy pattern 32 is formed on the second exposure mask 22,
Design pattern 3 using the first exposure mask 21 on the substrate
When 1 is transferred, the dummy pattern 32 can be erased by further using the second exposure mask 22.
【0031】次に、本発明の第1の露光マスク21およ
び第2の露光マスク22を用いた転写パターンの形成方
法について詳細に説明する。図5に本発明の転写パター
ン形成方法における、断面工程図を示す。Next, a method of forming a transfer pattern using the first exposure mask 21 and the second exposure mask 22 of the present invention will be described in detail. FIG. 5 shows a sectional process drawing in the transfer pattern forming method of the present invention.
【0032】まず、図5(a)に示すように、基板11
上にパターン加工を施す被加工膜12を形成し、その上
にポジ型レジストからなるレジスト(転写パターン形成
層)13を塗付する。次に、第1の露光マスク21をレ
ジスト13の上方に配置して、露光光51を用いて露光
する。ここで、第1の露光マスク21には疎密を有する
設計パターン31とダミーパターン32とが、非露光部
となるように形成されている。First, as shown in FIG. 5A, the substrate 11
A processed film 12 to be patterned is formed on the resist, and a resist (transfer pattern forming layer) 13 made of a positive resist is applied on the film. Next, the first exposure mask 21 is placed above the resist 13 and exposed with the exposure light 51. Here, the design pattern 31 and the dummy pattern 32 having sparseness and denseness are formed on the first exposure mask 21 so as to be non-exposed portions.
【0033】そして、露光後はレジスト13に第1の露
光マスク21における設計パターン31およびダミーパ
ターン32が転写される。ここで、レジスト13はポジ
型レジストであることから、露光部が現像液に対して可
溶性の構造に変性し、非露光部が転写パターンとなるよ
うに形成される。After the exposure, the design pattern 31 and the dummy pattern 32 in the first exposure mask 21 are transferred to the resist 13. Here, since the resist 13 is a positive type resist, the exposed portion is modified into a structure soluble in a developing solution, and the non-exposed portion is formed as a transfer pattern.
【0034】次に、図5(b)に示すように、設計パタ
ーン31およびダミーパターン32が転写されたレジス
ト13の上方に、反転パターン33が露光部となるよう
に形成された第2の露光マスク22を配置し、露光光5
1を用いて露光する。ここで、反転パターン33がレジ
スト13に転写されたダミーパターン32と重なるよう
に、第2の露光マスク22の位置および向きを合わせて
露光する。この際、露光マスクの位置合わせ精度の範囲
内で位置ズレが生じた場合にも、上述したように反転パ
ターン33はダミーパターン32に対してマージンを設
けて形成されていることから問題ない。これにより、レ
ジスト13におけるダミーパターン32が転写された領
域は露光され、現像液に対して可溶性の構造に変性す
る。Next, as shown in FIG. 5B, a second exposure is formed above the resist 13 onto which the design pattern 31 and the dummy pattern 32 have been transferred so that the reversal pattern 33 becomes an exposed portion. The mask 22 is placed and the exposure light 5
1 is used for exposure. Here, the second exposure mask 22 is aligned and exposed so that the inverted pattern 33 overlaps the dummy pattern 32 transferred to the resist 13. At this time, even when a positional deviation occurs within the range of the alignment accuracy of the exposure mask, there is no problem because the reversal pattern 33 is formed with a margin with respect to the dummy pattern 32 as described above. As a result, the region of the resist 13 to which the dummy pattern 32 has been transferred is exposed, and is transformed into a structure soluble in the developing solution.
【0035】そして、図5(c)に示すように、現像液
を用いて現像することにより、レジスト13(前記図5
(b)参照)の露光部が除去され、設計パターン31が
転写された転写パターン14が形成される。また、その
後、この転写パターン14をマスクにして、被加工膜1
2をエッチングし、被加工膜12をパターニングしてな
る回路パターン(図示せず)を形成する。この回路パタ
ーンも設計パターン31の転写パターンとして形成され
る。Then, as shown in FIG. 5C, by developing with a developing solution, the resist 13 (see FIG.
The exposed portion (see (b)) is removed, and the transfer pattern 14 to which the design pattern 31 is transferred is formed. After that, the transfer film 14 is used as a mask to form the film 1 to be processed.
2 is etched to form a circuit pattern (not shown) formed by patterning the film 12 to be processed. This circuit pattern is also formed as a transfer pattern of the design pattern 31.
【0036】このような転写パターン14の形成方法に
よれば、上述したように、第1の露光マスク21に設計
パターン31が設計データ30通りに精度よく形成され
ていることから、第1の露光マスク21を用いて基板1
1上に設計パターンを転写することにより、設計データ
30に対して精度の高い転写パターン14、さらには回
路パターンを形成することができる。そして、第2の露
光マスク22を用いて露光することにより、基板11上
のレジスト13に転写されたダミーパターン32を消去
することから、転写された設計パターン31のみが基板
11上に残存し、転写パターン14となる。According to such a method of forming the transfer pattern 14, as described above, the design pattern 31 is accurately formed on the first exposure mask 21 as the design data 30. Therefore, the first exposure mask 21 is formed. Substrate 1 using mask 21
By transferring the design pattern onto the pattern data 1, it is possible to form the transfer pattern 14 and the circuit pattern with high accuracy for the design data 30. Then, by exposing using the second exposure mask 22, the dummy pattern 32 transferred to the resist 13 on the substrate 11 is erased, so that only the transferred design pattern 31 remains on the substrate 11, It becomes the transfer pattern 14.
【0037】上述したような方法であれば、従来行われ
てきた所望の転写パターンを得るために、シミュレーシ
ョンにより設計パターンを予め補正して、設計パターン
の疎密差による影響を低減させるといった補正を行う場
合であっても、露光マスクを形成する際の設計パターン
の疎密による影響を考慮する必要はなくなる。したがっ
て、補正の手間を簡略化することができる。According to the method as described above, in order to obtain a desired transfer pattern, which has been conventionally performed, the design pattern is corrected in advance by simulation so that the influence of the density difference of the design pattern is reduced. Even in this case, it is not necessary to consider the influence of the density of the design pattern when forming the exposure mask. Therefore, the trouble of correction can be simplified.
【0038】尚、上述した転写パターンの形成方法にお
いては、第1の露光マスク21を用いて露光した後に、
第2の露光マスク22を用いて露光を行ったが、本発明
はこれに限定されることなく、第2の露光マスク22を
用いた後に第1の露光マスク21を用いて露光してもよ
い。In the transfer pattern forming method described above, after the first exposure mask 21 is used for exposure,
Although the exposure is performed using the second exposure mask 22, the present invention is not limited to this, and the first exposure mask 21 may be used for the exposure after the second exposure mask 22 is used. .
【0039】この場合には、反転パターン33が露光部
となるように形成された第2の露光マスク22をレジス
ト13の上方に配置して露光すると、反転パターン33
が転写された領域のレジスト13は変性し、現像液に対
して可溶性を示す構造となる。In this case, when the second exposure mask 22 formed so that the reversal pattern 33 serves as an exposure portion is disposed above the resist 13 and exposed, the reversal pattern 33 is formed.
The resist 13 in the region to which is transferred is modified and has a structure that is soluble in the developing solution.
【0040】次に、設計パターン31およびダミーパタ
ーン32が形成された第1の露光マスク21をレジスト
13の上方に配置して露光する。このとき、反転パター
ン33が転写された領域とダミーパターン32とが重な
るように第1の露光マスク21の位置および向きを合わ
せて露光を行うと、ダミーパターン32が転写される領
域のレジスト13は既に変性されているので、ダミーパ
ターン32は転写されず、設計パターン31のみが転写
される。その後は、現像液を用いて露光されたレジスト
13を除去することにより、転写パターン14を形成す
る。このような方法によっても、上記の転写パターンの
形成方法と同様の効果を得ることができる。Next, the first exposure mask 21 on which the design pattern 31 and the dummy pattern 32 are formed is arranged above the resist 13 and exposed. At this time, when exposure is performed by aligning the position and orientation of the first exposure mask 21 so that the dummy pattern 32 is overlapped with the region to which the reverse pattern 33 is transferred, the resist 13 in the region to which the dummy pattern 32 is transferred is exposed. Since it has already been modified, the dummy pattern 32 is not transferred and only the design pattern 31 is transferred. After that, the transfer pattern 14 is formed by removing the exposed resist 13 using a developing solution. With such a method, the same effect as that of the above-described transfer pattern forming method can be obtained.
【0041】(第2実施形態)次に、本発明における第
2実施形態について説明する。本実施形態では、図6に
示したフローチャートに従い、図7を用いて本実施形態
における露光マスクの製造方法を説明する。図7(a)
には設計データ35、図7(b)、(c)には本実施形
態における露光マスクの平面図をそれぞれ示す。本実施
形態は疎密を有する設計パターン34を相補的に分割し
たパターンが形成された、複数の露光マスク25を製造
する方法である。ここでは、設計パターン34を2分割
し、分割されたパターン34a、34bが形成された2
枚の露光マスク25a、25bを製造した例について説
明する。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the method of manufacturing the exposure mask in the present embodiment will be described with reference to FIG. 7 according to the flowchart shown in FIG. Figure 7 (a)
7A and 7B show design data 35, and FIGS. 7B and 7C show plan views of the exposure mask in the present embodiment. The present embodiment is a method of manufacturing a plurality of exposure masks 25 in which patterns are formed by complementarily dividing a design pattern 34 having sparseness and denseness. Here, the design pattern 34 is divided into two, and the divided patterns 34a and 34b are formed.
An example in which the exposure masks 25a and 25b are manufactured will be described.
【0042】図7(a)の設計データ35は、第1実施
形態と同様に、例えば半導体装置の回路パターンの設計
データを表している。ここでは、この設計データ35で
示された設計パターン34通りに基板上に回路パターン
を形成するための露光マスクをその製造手順に従って説
明する。まず、この設計データ35に示すように、設計
パターン34が配置された領域を予め設定したメッシュ
サイズ(DT201)にしたがい、メッシュ43に分割
する(S401)。The design data 35 in FIG. 7A represents, for example, design data of a circuit pattern of a semiconductor device, as in the first embodiment. Here, an exposure mask for forming a circuit pattern on the substrate according to the design pattern 34 indicated by the design data 35 will be described in accordance with its manufacturing procedure. First, as shown in the design data 35, the area in which the design pattern 34 is arranged is divided into meshes 43 according to a preset mesh size (DT201) (S401).
【0043】そして、各メッシュ43のパターン密度
(DT202)を算出し、疎な領域(メッシュ43a)
と密な領域(メッシュ43b)とに分別する(S40
2)。ここで、パターン密度が例えば20%未満であれ
ば疎な領域、20%以上を密な領域とすると、ここで
は、メッシュE、F、G、Hはメッシュ43a、これ以
外のメッシュ43はメッシュ43bに分別される。Then, the pattern density (DT202) of each mesh 43 is calculated, and the sparse region (mesh 43a) is calculated.
And a dense area (mesh 43b) (S40)
2). Here, if the pattern density is, for example, less than 20%, a sparse region, and if 20% or more is a dense region, the meshes E, F, G, and H are the mesh 43a, and the other meshes 43 are the mesh 43b. Be sorted into
【0044】次に、メッシュ43bを抽出する(S40
3)。そして、例えばメッシュ43b内を走査して、各
メッシュ43bのパターンに配置順に番号を付し、メッ
シュ43b全体における、奇数番号のパターンを抽出す
るといった分割ルール(DT203)に従い、設計パタ
ーン34を相補的に分割する(S404)。ここで、メ
ッシュ43b内の奇数番号のパターンを抽出したものを
パターン34aとする。また、メッシュ43b内の偶数
番号のパターンおよびメッシュ43a内のパターンを抽
出してパターン34bとする。Next, the mesh 43b is extracted (S40).
3). Then, for example, by scanning the mesh 43b, numbering the patterns of each mesh 43b in the arrangement order, and extracting the odd-numbered pattern in the entire mesh 43b, the design pattern 34 is complemented according to the division rule (DT203). (S404). Here, the pattern 34a is obtained by extracting the odd-numbered patterns in the mesh 43b. Further, the even-numbered pattern in the mesh 43b and the pattern in the mesh 43a are extracted as a pattern 34b.
【0045】なお、2つ以上のメッシュ43にまたがる
パターンの場合には、パターンに番号を付す際に、含ま
れる面積が大きいメッシュ43にそのパターンが帰属す
るものとみなす。また、ここでの例示はないが、メッシ
ュ43内のパターン密度が20%以上であって、1つの
メッシュ43内に1つの大きなパターンが形成されてい
る場合には、そのパターンを分割する。このようにし
て、設計パターン34をパターン34aおよびパターン
34bに相補的に分割する。なお、この分割ルールはこ
れに限定されることなく、設計パターン34の疎密差が
低減されるように、相補的に分割されるようなルールで
あればよい。また、疎密差を低減するため、隣接するパ
ターンは分割され、異なる露光マスクに形成されるよう
な分割ルールである方が好ましい。In the case of a pattern extending over two or more meshes 43, it is considered that the pattern belongs to the mesh 43 having a large included area when the patterns are numbered. Although not illustrated here, when the pattern density in the mesh 43 is 20% or more and one large pattern is formed in one mesh 43, the pattern is divided. In this way, the design pattern 34 is divided into the patterns 34a and 34b in a complementary manner. Note that the division rule is not limited to this, and may be a rule that complementarily divides so that the difference in density of the design patterns 34 is reduced. Further, in order to reduce the density difference, it is preferable that the division rule is such that adjacent patterns are divided and formed on different exposure masks.
【0046】次に、設計パターン34を分割したパター
ン34aおよびパターン34bがそれぞれ配置された領
域を設計パターン34が配置された領域と同じメッシュ
サイズに分割し、メッシュ43内のパターン密度を算出
して(DT204)、パターン密度が20%未満である
かを確認し(S405)、メッシュ43内のパターン密
度が20%以上である場合には、そのメッシュ43を抽
出し、20%未満になるまで同様のルールで分割する。
ここでは、設計パターン34をパターン34aおよびパ
ターン34bの2つに分割することとしたが、分割した
状態でパターン密度が20%以上のメッシュがあれば、
20%未満になるまで複数のパターンに分割する。ま
た、はじめから設計パターン34を3つ以上のパターン
に分割してもよく、この場合は分割ルールを適宜設定し
て行うこととする。Next, the area in which the patterns 34a and 34b obtained by dividing the design pattern 34 are arranged is divided into the same mesh size as the area in which the design pattern 34 is arranged, and the pattern density in the mesh 43 is calculated. (DT204), it is confirmed whether the pattern density is less than 20% (S405), and if the pattern density in the mesh 43 is 20% or more, the mesh 43 is extracted and the same is performed until it becomes less than 20%. Split according to the rules.
Here, the design pattern 34 is divided into two patterns 34a and 34b, but if there is a mesh having a pattern density of 20% or more in the divided state,
Divide into multiple patterns until less than 20%. In addition, the design pattern 34 may be divided into three or more patterns from the beginning, and in this case, the division rule is appropriately set.
【0047】そして、図7(b)、(c)に示したよう
に、パターン34aが形成された露光マスク25aおよ
びパターン34bが形成された露光マスク25bを形成
する(S406)。ここでの露光マスク25a、25b
の製造方法は、図4を用いて説明した方法と同様であ
り、パターン34a、34bが露光部となるように形成
して、露光マスク25a、25bを製造する。尚、ここ
では、パターン34a、34bが露光部となるようにし
たが、図3を用いて説明した方法により、パターン34
a、34bが非露光部となるように製造してもよい。Then, as shown in FIGS. 7B and 7C, the exposure mask 25a having the pattern 34a and the exposure mask 25b having the pattern 34b are formed (S406). Exposure masks 25a and 25b here
The manufacturing method of is similar to the method described with reference to FIG. 4, and the exposure masks 25a and 25b are manufactured by forming the patterns 34a and 34b so as to be exposed portions. Although the patterns 34a and 34b are made to be the exposed portions here, the pattern 34a and 34b are formed by the method described with reference to FIG.
You may manufacture so that a and 34b may become a non-exposed part.
【0048】そして、露光マスク25a、25bを用い
て基板上に転写パターンを形成する場合には、露光マス
ク25a、25bを一枚ずつ用い、基板上の転写パター
ン形成層(レジスト)の上方に配置し、位置および向き
を合わせて複数回露光した後、現像して転写パターンを
形成する。When the transfer patterns are formed on the substrate using the exposure masks 25a and 25b, the exposure masks 25a and 25b are used one by one and arranged above the transfer pattern forming layer (resist) on the substrate. Then, the pattern is formed by aligning the position and the orientation, exposing it a plurality of times, and then developing it.
【0049】上述したような露光マスクおよびその製造
方法によれば、設計パターン34の疎密差が低減するよ
うに、パターン34a、34bに相補的に分割し、複数
の露光マスク25a、25bを製造することから、露光
マスク25a、25bを製造する際の電子線近接効果お
よび現像時やエッチング時のローディング効果を抑制す
ることができる。これにより、露光マスク25a、25
bのパターン線幅のばらつきを抑制できパターン34
a、34bを設計データ通りに精度よく形成することが
できる。According to the exposure mask and the manufacturing method thereof as described above, the plurality of exposure masks 25a and 25b are manufactured by complementary division into the patterns 34a and 34b so that the density difference of the design pattern 34 is reduced. Therefore, the electron beam proximity effect when manufacturing the exposure masks 25a and 25b and the loading effect during development and etching can be suppressed. As a result, the exposure masks 25a, 25
It is possible to suppress the variation of the pattern line width of the pattern b.
It is possible to accurately form a and 34b according to the design data.
【0050】また、上述したような転写パターンの形成
方法によれば、設計パターン34を相補的に分割したパ
ターン34a、34bが設計データ通りに精度よく形成
された露光マスク25a、25bを用いて、基板上の転
写パターン形成層に対して複数回露光を行うことから、
設計データに対して精度の高い設計パターン34の転写
パターンを基板上に形成することができる。Further, according to the transfer pattern forming method as described above, the exposure masks 25a and 25b in which the patterns 34a and 34b obtained by complementarily dividing the design pattern 34 are accurately formed according to the design data are used. Since the transfer pattern forming layer on the substrate is exposed multiple times,
It is possible to form a transfer pattern of the design pattern 34 with high accuracy on the design data on the substrate.
【0051】以上説明したように、第1実施形態および
第2実施形態においては、フォトマスクの製造方法を例
にとり説明したが、これに限定されるものではなく、E
UVL用マスク、X線リソグラフィマスクおよびこれら
を用いたウエハ転写にも同様に適用可能である。また、
第2実施形態はLEEPL、EPL等に用いられる開口
状のパターンを有する露光マスクの製造方法にも適用可
能である。As described above, in the first and second embodiments, the photomask manufacturing method has been described as an example, but the present invention is not limited to this and E
The same can be applied to the UVL mask, the X-ray lithography mask, and the wafer transfer using these masks. Also,
The second embodiment can also be applied to a method of manufacturing an exposure mask having an opening pattern used for LEEPL, EPL and the like.
【0052】さらに、本発明は、ハーフトーン型マス
ク、レベンソン型マスクなどの位相シフト型マスクを製
造する場合にも同様の手法が適用可能である。特に、基
板の露光部を彫り込むタイプのレベンソン型マスクの場
合には、透明基板上に遮光膜を形成した後パターンを形
成し、その後、レジストマスクを用いて、透明基板の露
光部を部分的に彫り込むことにより、パターンの位相差
を180℃反転させて解像度を向上させる。このような
マスクに本発明を適用すれば、パターン線幅のみなら
ず、透明基板を彫り込む際のエッチング時のローディン
グ効果も抑制することができ、精度よく透明基板を彫り
込むことができることから、安定した位相シフト効果を
得られるといった顕著な効果が期待できる。Furthermore, the present invention can be applied to the same method when manufacturing a phase shift mask such as a halftone mask or a Levenson mask. In particular, in the case of a Levenson-type mask of the type in which the exposed portion of the substrate is engraved, a pattern is formed after forming a light-shielding film on the transparent substrate, and then a resist mask is used to partially expose the exposed portion of the transparent substrate. By engraving in, the phase difference of the pattern is inverted by 180 ° C. and the resolution is improved. If the present invention is applied to such a mask, not only the pattern line width but also the loading effect during etching when engraving the transparent substrate can be suppressed, and the transparent substrate can be engraved with high accuracy. A remarkable effect such as a stable phase shift effect can be expected.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光マス
クおよび露光マスクの製造方法によれば、第1の露光マ
スクには設計パターンとダミーパターンが形成されてい
ることから、第1の露光マスクにおけるパターンの疎密
差を低減させることができ、パターン密度をより均一に
することができる。これにより、第1の露光マスクを製
造する際の電子線近接効果や、現像時およびエッチング
時におけるローディング効果を抑制することができるこ
とから、第1の露光マスクにおけるパターン線幅のばら
つきを抑制し、設計データ通りに精度よく設計パターン
を形成することができる。As described above, according to the exposure mask and the method of manufacturing the exposure mask of the present invention, the first exposure mask has the design pattern and the dummy pattern. It is possible to reduce the difference in the density of the patterns in the mask, and it is possible to make the pattern density more uniform. As a result, the electron beam proximity effect when manufacturing the first exposure mask and the loading effect during development and etching can be suppressed, so that the variation of the pattern line width in the first exposure mask can be suppressed, The design pattern can be formed accurately according to the design data.
【0054】また、第2の露光マスクには、ダミーパタ
ーンの反転パターンが形成されている。これにより、第
1の露光マスクを用いて、基板上に設計パターンを転写
する場合に、さらに第2の露光マスクを用いることによ
り、基板上に転写されるダミーパターンを消去すること
ができる。Further, a reverse pattern of the dummy pattern is formed on the second exposure mask. Thus, when the design pattern is transferred onto the substrate using the first exposure mask, the dummy pattern transferred onto the substrate can be erased by further using the second exposure mask.
【0055】また、上記の露光マスクを用いた転写パタ
ーンの形成方法によれば、基板上の転写パターン形成層
に対して、第1の露光マスクを用いた露光と、第2の露
光マスクを用いた露光とを行う。これにより、第1の露
光マスクには設計データ通りに設計パターンが精度よく
形成されていることから、第1の露光マスクを用いた露
光を行うことにより、設計データに対して精度の高い転
写パターンを基板上に形成することができる。さらに、
第2の露光マスクを用いて露光することにより、設計パ
ターンとともに転写されるダミーパターンを消去するこ
とができる。Further, according to the transfer pattern forming method using the above-mentioned exposure mask, the transfer pattern forming layer on the substrate is exposed by using the first exposure mask and by using the second exposure mask. The exposure was performed. As a result, the design pattern is accurately formed on the first exposure mask according to the design data. Therefore, by performing the exposure using the first exposure mask, the transfer pattern with high accuracy can be obtained with respect to the design data. Can be formed on a substrate. further,
By exposing using the second exposure mask, the dummy pattern transferred with the design pattern can be erased.
【0056】また、本発明のもう1つの露光マスクおよ
び露光マスクの製造方法によれば、複数の露光マスクか
らなり、設計パターンの疎密差を低減するように、相補
的に分割したパターンがそれぞれ形成されていることか
ら、それぞれの露光マスクにおけるパターン密度をより
均一にすることができる。これにより、露光マスクを製
造する際の電子線近接効果および現像時やエッチング時
のローディング効果を抑制することができることから、
露光マスクにおけるパターン線幅のばらつきを抑制で
き、設計データ通りに精度よく設計パターンを形成する
ことができる。Further, according to another exposure mask and the method of manufacturing an exposure mask of the present invention, a plurality of exposure masks are formed, and complementary divided patterns are respectively formed so as to reduce the density difference of design patterns. Therefore, the pattern density in each exposure mask can be made more uniform. This makes it possible to suppress the electron beam proximity effect at the time of manufacturing the exposure mask and the loading effect at the time of development and etching,
It is possible to suppress the variation of the pattern line width in the exposure mask, and it is possible to form the design pattern with high accuracy according to the design data.
【0057】また、上記の露光マスクを用いた転写パタ
ーンの形成方法によれば、上述したような複数の露光マ
スクを一枚ずつ用いて基板上の転写パターン形成層に対
して複数回露光を行う。これにより、それぞれの露光マ
スクにおいて、分割された設計パターンが設計データ通
りに精度よく形成されていることから、設計データに対
して精度の高い転写パターンを形成することができる。Further, according to the transfer pattern forming method using the above-mentioned exposure mask, the transfer pattern forming layer on the substrate is exposed a plurality of times by using the above-mentioned plurality of exposure masks one by one. . Thus, in each exposure mask, the divided design pattern is formed with high accuracy according to the design data, so that the transfer pattern with high accuracy can be formed with respect to the design data.
【図1】第1実施形態における露光マスクの製造方法を
説明するためのフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the first embodiment.
【図2】第1実施形態における回路パターンの設計デー
タである。FIG. 2 is design data of a circuit pattern according to the first embodiment.
【図3】第1実施形態における第1の露光マスクの平面
図(a)および断面図(b)である。FIG. 3 is a plan view (a) and a sectional view (b) of a first exposure mask according to the first embodiment.
【図4】第1実施形態における第2の露光マスクの平面
図(a)および断面図(b)である。FIG. 4 is a plan view (a) and a sectional view (b) of a second exposure mask according to the first embodiment.
【図5】第1実施形態における転写パターンの形成方法
を示す断面工程図である。FIG. 5 is a cross-sectional process diagram illustrating a method of forming a transfer pattern according to the first embodiment.
【図6】第2実施形態における露光マスクの製造方法を
説明するためのフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the second embodiment.
【図7】第2実施形態における回路パターンの設計デー
タ(a)および露光マスクの平面図(b)、(c)であ
る。FIG. 7 is design data (a) of a circuit pattern and plan views (b) and (c) of an exposure mask according to the second embodiment.
11…基板、13…レジスト(転写パターン形成層)、
14…転写パターン、21…第1の露光マスク、22…
第2の露光マスク、25a,25b…露光マスク、3
1,34…設計パターン、32…ダミーパターン、33
…反転パターン11 ... Substrate, 13 ... Resist (transfer pattern forming layer),
14 ... Transfer pattern, 21 ... First exposure mask, 22 ...
Second exposure mask, 25a, 25b ... Exposure mask, 3
1, 34 ... Design pattern, 32 ... Dummy pattern, 33
… Inversion pattern
Claims (6)
写する際に用いる露光マスクであって、 前記設計パターンとともにこの設計パターンの疎な領域
にダミーパターンが形成された第1の露光マスクと、 前記ダミーパターンの反転パターンが形成された第2の
露光マスクとからなることを特徴とする露光マスク。1. An exposure mask used for transferring a sparse / dense design pattern onto a substrate, wherein a first exposure mask is formed with a dummy pattern in a sparse region of the design pattern together with the design pattern, An exposure mask comprising a second exposure mask on which an inverted pattern of the dummy pattern is formed.
写する際に用いる露光マスクの製造方法であって、 前記設計パターンの疎な領域を抽出する工程と、 前記設計パターンとともにこの設計パターンの疎な領域
にダミーパターンが形成された第1の露光マスクを製造
する工程と、 前記ダミーパターンの反転パターンが形成された第2の
露光マスクを製造する工程とを有することを特徴とする
露光マスクの製造方法。2. A method of manufacturing an exposure mask used for transferring a sparse and dense design pattern onto a substrate, the method comprising: extracting a sparse region of the design pattern; and sparsely designing the design pattern together with the design pattern. Of a first exposure mask in which a dummy pattern is formed in various regions, and a second exposure mask in which a reverse pattern of the dummy pattern is formed, Production method.
写して転写パターンを形成する方法であって、 基板上の転写パターン形成層に対して、前記設計パター
ンとともにこの設計パターンの疎な領域にダミーパター
ンが形成された第1の露光マスクを用いた露光と、前記
ダミーパターンの反転パターンが形成された第2の露光
マスクを用いた露光とを行うことを特徴とする転写パタ
ーンの形成方法。3. A method of forming a transfer pattern by transferring a sparse and dense design pattern onto a substrate, the transfer pattern forming layer on the substrate, together with the design pattern, in a sparse region of the design pattern. A method for forming a transfer pattern, which comprises performing an exposure using a first exposure mask on which a dummy pattern is formed and an exposure using a second exposure mask on which a reverse pattern of the dummy pattern is formed.
写する際に用いる露光マスクであって、 前記設計パターンの疎密差が低減するように、相補的に
分割された設計パターンがそれぞれ形成された複数の露
光マスクからなることを特徴とする露光マスク。4. An exposure mask used for transferring a sparse / dense design pattern onto a substrate, wherein complementary divided design patterns are formed so as to reduce a sparse / dense difference in the design pattern. An exposure mask comprising a plurality of exposure masks.
写する際に用いる露光マスクの製造方法であって、 前記設計パターンの疎密差が低減するように、前記設計
パターンを相補的に分割し、この分割した設計パターン
がそれぞれ形成された複数の露光マスクを製造すること
を特徴とする露光マスクの製造方法。5. A method of manufacturing an exposure mask used to transfer a sparse and dense design pattern onto a substrate, wherein the design pattern is complementarily divided to reduce a sparse and dense difference in the design pattern, A method of manufacturing an exposure mask, which comprises manufacturing a plurality of exposure masks each having the divided design pattern formed therein.
写して転写パターンを形成する方法であって、 前記設計パターンの疎密差が低減するように、相補的に
分割された設計パターンがそれぞれ形成された複数の露
光マスクを一枚ずつ用いて、基板上の転写パターン形成
層に対して複数回露光を行うことを特徴とする転写パタ
ーンの形成方法。6. A method of forming a transfer pattern by transferring a sparse / dense design pattern onto a substrate, wherein complementary design patterns are formed so as to reduce a sparse / dense difference in the design pattern. A method for forming a transfer pattern, which comprises exposing the transfer pattern forming layer on the substrate a plurality of times by using the plurality of exposed exposure masks one by one.
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