JP6546092B2 - コンデンサアノードに使用するための鎖に結合した対イオンを有する導電性ポリマーと、鎖に結合していない対イオンを有する導電性ポリマーの混合物を含む分散液 - Google Patents
コンデンサアノードに使用するための鎖に結合した対イオンを有する導電性ポリマーと、鎖に結合していない対イオンを有する導電性ポリマーの混合物を含む分散液 Download PDFInfo
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Description
a)電極材料の電極体を準備する工程であって、誘電体が、アノード体の形成下でこの電極材料の1つの表面を少なくとも部分的に覆う、工程、
b)分散剤、異質ドープされた導電性ポリマーおよび異質ドープされた導電性ポリマーに共有結合しない対イオンを含む分散液を、アノード体の少なくとも一部の中に導入する工程、
c)コンデンサ本体において固体電解質を得ている状態で、分散剤を少なくとも部分的に除去する工程
を含み、自己ドープされた導電性ポリマーがアノード体の少なくとも一部の中にさらに導入される、コンデンサを製造するためのプロセスによってなされる。
Aは、任意に置換されたC1−C5−アルキレンラジカルを表し、
Rは、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1−C18−アルキルラジカル、任意に置換されたC5−C12−シクロアルキルラジカル、任意に置換されたC6−C14−アリールラジカル、任意に置換されたC7−C18−アラルキルラジカル、任意に置換されたC1−C4−ヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルを表し、
xは、0〜8の整数を表し、
複数のラジカルRがAに結合されている場合、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
I)プロセスの工程b)における分散液の導入前に部分的または同様に完全に、
II)プロセスの工程b)における分散液の導入後でプロセスの工程c)の前に部分的または同様に完全に、
III)プロセスの工程b)における分散液の導入後でプロセスの工程c)の後に部分的または同様に完全に、
IV)分散液に含まれるさらなる成分としてプロセスの工程b)における分散液と一緒に部分的または同様に完全に、
アノード体の少なくとも一部の中に導入されることができる。
− ABBBBB...
− BAAAAA...
− ABABAB...
− BABABA...
− ABB...BBA
− BAA...AAB
− AAA...BBB
− BBB...AAA
などである
− 自己導電性ポリマーが、(例えば、1〜10回の含浸、特に好ましくは1〜5回の含浸、最も好ましくは1回の含浸によって)溶液または分散液(自己ドープされた導電性ポリマーおよび溶媒または分散剤を含む)中で、それ自体で、または例えば、一緒の溶液または分散液(自己ドープされた導電性ポリマー、異質ドープされた導電性ポリマー、対イオンおよび溶媒または分散剤を含む)の形態で異質ドープされた導電性ポリマーと一緒にアノード体の少なくとも一部の中に最初に導入される場合、ならびに
− 異質ドープされた導電性ポリマーが、(例えば1〜20回の含浸、特に好ましくは1〜10回の含浸によって)溶液または分散液(異質ドープされた導電性ポリマー、対イオンおよび溶媒または分散剤を含む)中でアノード体の少なくとも一部の中に導入される場合。
− 自己ドープされた導電性ポリマーが、(例えば1〜20回の含浸、特に好ましくは1〜10回の含浸、最も好ましくは1回の含浸によって)例えば一緒の溶液または分散液(自己ドープされた導電性ポリマー、異質ドープされた導電性ポリマー、対イオンおよび溶媒または分散剤を含む)の形態で異質ドープされた導電性ポリマーと一緒にアノード体の少なくとも一部の中に導入される場合、あるいは
− 自己ドープされた導電性ポリマーが、(例えば1〜20回の含浸、特に好ましくは1〜10回の含浸、最も好ましくは1回の含浸によって)例えば一緒の溶液または分散液(自己ドープされた導電性ポリマー、異質ドープされた導電性ポリマー、対イオンおよび溶媒または分散剤を含む)の形態で異質ドープされた導電性ポリマーと一緒にアノード体の少なくとも一部の中に最初に導入され、次いで異質ドープされた導電性ポリマーが、(例えば1〜20回の含浸、特に好ましくは1〜10回の含浸によって)溶液または分散液(異質ドープされた導電性ポリマー、対イオンおよび溶媒または分散剤を含む)中でアノード体の少なくとも一部の中に導入される場合。
X、Yは同一または異なり、O、S、N−R1を示し、
Zは、−(CH2)m−CR2R3−(CH2)n−を示し、
R1は、アリール、C1−C18−アルキルまたは水素を示し、
R2は、水素または−(CH2)S−O−(CH2)p−SO3 −M+を示し、
R3は、−(CH2)s−O−(CH2)p−SO3 −M+を示し、
M+は、カチオンを示し、
m、nは、同一または異なり、0〜3の整数を示し、
sは、0〜10の整数を示し、
pは、1〜18の整数を示す)
を含む。
X、YがOを示し、
Zが、−(CH2)m−CR2R3−(CH2)n−を示し、
R2が、水素または−(CH2)S−O−(CH2)p−SO3 −M+を示し、
R3が、−(CH2)S−O−(CH2)p−SO3 −M+を示し、
M+が、カチオンを示し、
m、nが、同じであってもよいし異なっていてもよく、0〜3の整数を示し、
sが、0〜10の整数を示し、
pが、1〜18の整数を示す、
モノマーである。
X、YがOを示し、
Zが、−(CH2)−CR2R3−(CH2)n−を示し、
R2が、水素を示し、
R3が、−(CH2)S−O−(CH2)p−SO3 −M+を示し、
M+が、Na+またはK+を示し、
nが、0または1を示し、
sが、0または1を示し、
pが、3、4または5を示す、
モノマーである。
(α1)0.1〜30wt%、特に好ましくは0.2〜20wt%、最も好ましくは0.5〜10wt%の自己ドープされた導電性ポリマー、特にPEDOT−S(4−(2,3−ジヒドロチエノ−[3,4−b][1,4]ジオキシン−2−イルメトキシ)−1−ブタンスルホン酸のポリマー);
(α2)0.01〜15wt%、特に好ましくは0.5〜10wt%、最も好ましくは0.1〜5wt%の異質ドープされた導電性ポリマー、特にPEDOT;
(α3)0.01〜60wt%、特に好ましくは0.05〜40wt%、最も好ましくは0.1〜20wt%の対イオン(異質ドープされた導電性ポリマーに共有結合しない)、特にPSS;
(α4)0.5〜60wt%、特に好ましくは1〜40wt%、最も好ましくは5〜20wt%の少なくとも1種の添加物質(成分(α1)〜(α3)および(α5)と異なる)、非常に特に好ましくはアルキレングリコール;ならびに
(α5)成分(α1)〜(α5)が100wt%の合計となる量で、分散剤、好ましくは水
を含む(wt%データは各場合、分散液の総重量に関連する)。
等価直列抵抗
等価直列抵抗(mΩ単位)は、LCRメーター(Agilent 4284A)を用いて、20℃で、100kHzで測定した。
キャパシタンス(マイクロファラド単位)は、LCRメーター(Agilent 4284A)を用いて、20℃で、120kHzで測定した。
868gの純水および70,000g/molの平均分子量を有する330gのポリスチレンスルホン酸水溶液および3.8wt%の固体含有物を最初に、撹拌器および内部温度計を備えた2lの三ツ口フラスコ内に導入した。反応温度を20から25℃に維持した。5.1gの3,4−エチレンジオキシチオフェンを撹拌しながら加えた。溶液を30分間撹拌した。0.03gの硫酸鉄(III)および9.5gの過硫酸ナトリウムを次いで加え、溶液をさらに24時間撹拌した。反応が終了した後、無機塩を除去するために、100mlの強酸カチオン交換体および250mlの弱塩基アニオン交換体を加え、溶液をさらに2時間撹拌した。イオン交換体を濾過した。ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホネート分散液を、700バールの圧力下で高圧ホモジナイザーで10回、均質化した。分散液を続いて2.5%の固体含有物に濃縮し、次いで1,500バールの圧力下でさらに5回、さらに均質化した。
調製例1からの分散液を、純水を加えることによって2.2%の濃度に希釈し、次いでアンモニア水溶液でpH3に調整した。
PEDOT−S溶液を調製するために、4−(2,3−ジヒドロチエノ−[3,4−b][1,4]ジオキシン−2−イルメトキシ)−1−ブタンスルホン酸(EDOT−S)のナトリウム塩を、Chevrotら(J.Electroanal.Chem.1998、443、217−226)に記載されているように調製し、モノマーとして利用した。
調製例2からの90gのPEDOT/PSS分散液を10gのエチレングリコールと共に撹拌した。
調製例2からの45gのPEDOT/PSS分散液および調製例3からの45gのPEDOT−S溶液を10gのエチレングリコールと共に撹拌した。
調製例2からの81gのPEDOT/PSS分散液および調製例3からの9gのPEDOT−S溶液を、10gのエチレングリコールと共に撹拌した。
131mm×5mmの寸法を有する214Vにて形成される多孔質のアルミニウム箔(アノード箔)および145mm×5mmの寸法を有する多孔質のアルミニウム箔(カソード箔)に各々接触ワイヤを提供し、次いで2つのセルロースセパレータ紙と一緒に巻き、接着テープで固定した。20個のこれらの酸化電極体を製造した。酸化電極体のセパレータ紙を次いで300℃にてオーブン中で炭化した。
調製例5からの酸化電極体を、5分間、50mbarの真空下で調製例4からの分散液中に含浸した。その後、乾燥を120℃にて20分間、次いで150℃にて20分間実施した。含浸および乾燥をさらなる時間、実施した。平均電気値を表1に示す。
調製例5からの酸化電極体を、5分間、50mbarの真空下で実施例1からの分散液中に含浸した。その後、乾燥を120℃にて20分間、次いで150℃にて20分間実施した。含浸および乾燥をさらなる時間、実施した。平均電気値を表1に示す。
調製例5からの酸化電極体を、5分間、50mbarの真空下で実施例2からの分散液中に含浸した。その後、乾燥を120℃にて20分間、次いで150℃にて20分間実施した。含浸および乾燥をさらなる時間、実施した。平均電気値を表1に示す。
1,736gの純水および70,000g/molの平均分子量を有する660gの水性ポリスチレンスルホン酸溶液および3.8wt%の固体含有量を、撹拌器および温度計を備える5lのガラス反応器の中に最初に導入した。反応温度を20から25℃に維持した。10.2gの3,4−エチレンジオキシチオフェンを撹拌しながら加えた。溶液を30分間撹拌した。次いで0.06gの硫酸鉄(III)および19gの過硫酸ナトリウムを加え、溶液をさらに24時間撹拌した。反応が終了した後、無機塩を除去するために、200mlの強酸カチオン交換体および500mlの弱塩基アニオン交換体を加え、溶液をさらに2時間撹拌した。イオン交換体を濾過した。得られた分散液は、その後の濃縮によって1.5%の固体含有量を達成した。
4.0gのp−トルエンスルホン酸一水和物、1.7gの1,10−ジアミノデカンおよび95.5gの水を、撹拌器を備えたガラスビーカー内で激しく混合した。
18,000μFV/gの比キャパシタンスを有するタンタル粉末を、タンタルワイヤを含んだペレットに圧縮し、1.5mm×2.9mm×4.0mmの寸法を有する多孔質アノード体を形成するために焼結した。これらの多孔質アノード体のうちの5つを、コンデンサ本体を得るために、誘電体を形成するために100Vにてリン酸電解質中で陽極酸化した。
調製例1からの分散液を、純水を加えることによって2.08%の濃度に希釈した。96gのこの分散液を4gのジメチルスルホキシド(DMSO)と撹拌した。
調製例3からの溶液を、純水を加えることによって2.08%の濃度に希釈した。96gのこの分散液を4gのジメチルスルホキシド(DMSO)と撹拌した。
調製例9からの100gの溶液を、調製例10からの100gの分散液と撹拌した。
調製例8からのコンデンサ本体を、1分間、調製例9からの分散液中に含浸した。その後、乾燥を120℃にて10分間実施した。含浸および乾燥をさらに9回実施した。
コンデンサ本体の処理を比較例2に記載されているように実施したが、調製例10からの溶液を調製例9からの分散液の代わりに使用した。
コンデンサ本体の処理を比較例2に記載されているように実施したが、実施例5からの分散液を調製例9からの分散液の代わりに使用した。
2 電極材料
3 誘電体
4 表面
5 アノード体
6 固体電解質
7 コンデンサ本体
Claims (12)
- a)バルブ金属である電極材料(2)の多孔質の電極体(1)を準備する工程であって、誘電体(3)が、アノード体(5)の形成下で前記電極材料(2)の1つの表面(4)を少なくとも部分的に覆う、工程と、
b)分散剤、異質ドープされた導電性ポリマーおよび前記異質ドープされた導電性ポリマーと共有結合しない対イオンを含む分散液を、前記アノード体(5)の少なくとも一部の中に導入する工程と、
c)コンデンサ本体における固体電解質(6)を得ている状態で前記分散剤を少なくとも部分的に除去する工程と、
を含む、コンデンサを製造するためのプロセスであって、
前記分散液が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸のイオン錯体を含み、
自己ドープされた導電性ポリマーが、前記アノード体(5)の少なくとも一部の中にさらに導入され、前記自己ドープされた導電性ポリマーがポリチオフェンであり、かつ前記自己ドープされたポリチオフェンが、式(I)
X、Yは、同一または異なり、O、S、N−R 1 を表し、
Zは、−(CH 2 ) m −CR 2 R 3 −(CH 2 ) n −を表し、
R 1 は、アリール、C 1 −C 18 −アルキルまたは水素を表し、
R 2 は、水素または−(CH 2 ) S −O−(CH 2 ) p −SO 3 − M + を表し、
R 3 は、−(CH 2 ) S −O−(CH 2 ) p −SO 3 − M + を表し、
M + は、カチオンを表し、
m、nは、同一または異なり、0〜3の整数を表し、
sは、0〜10の整数を表し、
pは、1〜18の整数を表す)
の繰り返し単位からなる、プロセス。 - X、Yは、Oを表し、
Zは、−(CH2)m−CR2R3−(CH2)n−を表し、
R2は、水素または−(CH2)S−O−(CH2)p−SO3 −M+を表し、
R3は、−(CH2)S−O−(CH2)p−SO3 −M+を表し、
M+は、カチオンを表し、
m、nは、同一または異なり、0〜3の整数を表し、
sは、0〜10の整数を表し、
pは、1〜18の整数を表す、
請求項1に記載のプロセス。 - X、Yは、Oを表し、
Zは、−(CH2)−CR2R3−(CH2)n−を表し、
R2は、水素を表し、
R3は、−(CH2)S−O−(CH2)p−SO3 −M+を表し、
M+は、Na+またはK+を表し、
nは、0または1を表し、
sは、0または1を表し、
pは、3、4または5を表す、
請求項1または2に記載のプロセス。 - 前記分散液が、前記プロセスの工程b)に記載される前記アノード体(5)の少なくとも一部の中に導入される前に、前記自己ドープされた導電性ポリマーが、溶液または分散液の形態で前記アノード体(5)の少なくとも一部の中に導入される、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記分散液が、前記プロセスの工程b)に記載される前記アノード体(5)の少なくとも一部の中に導入された後に、前記自己ドープされた導電性ポリマーが、溶液または分散液の形態で前記アノード体(5)の少なくとも一部の中に導入される、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記自己ドープされた導電性ポリマーが、前記プロセスの工程b)に記載される前記アノード体(5)の少なくとも一部の中に導入される前記分散液の中に含まれる、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記固体電解質(6)における自己ドープされたポリマー対異質ドープされたポリマーの重量比が100:1〜1:100の範囲である量で、前記自己ドープされた導電性ポリマーが前記アノード体(5)の少なくとも一部の中に導入される、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプロセス。
- バルブ金属である電極材料(2)の多孔質の電極体(1)を含むコンデンサであって、誘電体(3)が、前記電極材料(2)の表面(4)を少なくとも部分的に覆い、アノード体(5)を形成し、前記アノード体(5)は、異質ドープされた導電性ポリマー、前記異質ドープされた導電性ポリマーと共有結合しない対イオンおよび自己ドープされた導電性ポリマーを含む固体電解質(6)で少なくとも部分的にコーティングされる、前記異質ドープされた導電性ポリマーがポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)であり、前記対イオンがポリアニオンとして存在し、前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸であり、前記自己ドープされた導電性ポリマーがポリチオフェンであり、かつ前記自己ドープされたポリチオフェンが、式(I)
X、Yは、同一または異なり、O、S、N−R 1 を表し、
Zは、−(CH 2 ) m −CR 2 R 3 −(CH 2 ) n −を表し、
R 1 は、アリール、C 1 −C 18 −アルキルまたは水素を表し、
R 2 は、水素または−(CH 2 ) S −O−(CH 2 ) p −SO 3 − M + を表し、
R 3 は、−(CH 2 ) S −O−(CH 2 ) p −SO 3 − M + を表し、
M + は、カチオンを表し、
m、nは、同一または異なり、0〜3の整数を表し、
sは、0〜10の整数を表し、
pは、1〜18の整数を表す)
の繰り返し単位からなる、コンデンサ。 - 前記自己ドープされた導電性ポリマーが、請求項2または3に定義されている通りである、請求項8に記載のコンデンサ。
- 前記固体電解質(6)における自己ドープされたポリマー対異質ドープされたポリマーの重量比が100:1〜1:100の範囲である、請求項8または9に記載のコンデンサ。
- 請求項8〜10のいずれか一項に記載のコンデンサを含む電子回路。
- 電子回路における請求項8〜10のいずれか一項に記載のコンデンサの使用。
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