JP6538372B2 - 多層リジッドフレキシブル基板の製造方法 - Google Patents

多層リジッドフレキシブル基板の製造方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、多層リジッドフレキシブル基板およびその製造方法に関する。
曲がる材料(例えば、ポリイミド)を使用したフレキシブル基板を、両側からガラスエポキシなどの硬い材質からなるリジッド基板で挟んだ構成のリジットフレキシブル基板がある。このリジットフレキシブル基板は、リジッド基板では一般基板と同じ剛性を持つことから部品実装に優れ、フレキシブル基板では屈曲性を持つことから、電子機器の内部接続が自由に行うことができる効果を有している。
従来の多層リジッドフレキシブル基板の製法では、屈曲部にポリイミド材を使用したものであるため、全層を折り曲げ可能な層構成(リジッド部と屈曲部の層数が同じ)である場合、以下の課題がある。
(1)ポリイミド材の密着による屈曲性の低下
(2)層間剥離リスクの増加
(3)接着剤(ポリイミド製カバーレイ)によるスルーホール品質の低下
(4)製造工程数の増加
国際公開番号WO2009/119027号公報 特開2006−324406号公報 特許第5486020号公報
発明が解決しようとする課題は、上記した従来の問題点を解決すると共に、低弾性プリプレグとフレキシブル基板の組み合わせによって、高信頼性の多層リジッドフレキシブル基板およびその製造方法を提供するものである。
施形態の多層リジッドフレキシブル基板の製造方法は、複数のフレキシブル基板が積層された多層フレキシブル基板が複数積層され、両側縁部分を含む領域にリジッド部を有し、前記リジッド部の間の領域に前記リジッド部とつながった屈曲部を有する多層リジッドフレキシブル基板の製造方法であって、積層される2つの前記フレキシブル基板同士を、前記リジッド部および前記屈曲部において第1の弾性プリプレグによって接合し、多層フレキシブル基板を形成する工程と、積層される2つの前記多層フレキシブル基板同士を、前記リジッド部において前記第1の弾性プリプレグの弾性率より高い弾性率を有する第2の弾性プリプレグによって接合する工程と、を有することを特徴とする。
本実施形態の多層リジッドフレキシブル基板およびその製造方法によれば、屈曲部のフレキシブル基板が低弾性プリプレグによって保護されているので、屈曲部の剛性が高く、電気特性も優れたものが提供できる。
第1実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図。 第1実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板の変形例を示す図。 第2実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図。 第1実施形態および第2実施形態の内層のフレキシブル基板の構成を示す図。 第1実施形態および第2実施形態の内層の多層フレキシブル基板の構成を示す図。 第1実施形態および第2実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板の製造工程を示すフローチャート。 本発明に係る18層仕様リジッドフレキシブル基板の構成を示す図。 本発明に係る16層仕様リジッドフレキシブル基板の構成を示す図。 本発明に係る12層仕様リジッドフレキシブル基板の構成を示す図。 本発明に係る8層仕様リジッドフレキシブル基板の構成を示す図。 本発明に係る6層仕様リジッドフレキシブル基板の構成を示す図。 実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板の装置接続例を示す図。
以下、図面を参照して本発明の実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板を説明する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図である。
図1において、多層リジッドフレキシブル基板100は、リジッド部10,20と、このリジッド部10,20の間に設けられる屈曲部30とを有して構成されている。多層リジッドフレキシブル基板100は、複数の多層フレキシブル基板層が積層されたものをプレスによって接合されたものである。各多層フレキシブル基板層は、複数のフレキシブル基板の両面を低弾性プリプレグによって接合して、保護する構成となっている。ここでは、各フレキシブル基板は、両面2層の基板としているが、片面単層であっても良い。図1において、太枠のブロックは、2層のフレキシブル基板40を示している。また、縦の網掛け部は、低弾性プリプレグ45を示している。
また、図1では、3つの多層フレキシブル基板層50,60,70が積層された図を示している。3つの多層フレキシブル基板層50,60,70は、リジッド部10,20において高弾性プリプレグ80a,80b,80c,80dによって接合されている。なお、リジッド部10,20では、図示しないスルーホールが施されて、各層のフレキシブル基板間が電気接続されている。
図2は、第1実施形態の変形例を示している。図2の多層リジッドフレキシブル基板では、リジッド部10,20の表層(表面と裏面)に配置される低弾性プリプレグ45の上に銅箔85a,85b,85c,85cが接合されている。これにより、低弾性プリプレグ45の上の銅箔85a,85b,85c,85cによって導電層が形成されることになる。
(第2実施形態)
図3は、第2実施形態に係る多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図である。
図3において、多層リジッドフレキシブル基板200は、第1実施形態と同じく、リジッド部10,20と、このリジッド部10,20の間に設けられる屈曲部30とを有して構成されている。多層リジッドフレキシブル基板200は、複数の多層フレキシブル基板層が積層されたものをプレスによって接合されたものである。各多層フレキシブル基板層は、複数のフレキシブル基板の両面を低弾性プリプレグによって接合して、保護する構成となっている。例えば、3つの多層フレキシブル基板層50,60,70による積層構造、および3つの多層フレキシブル基板層50,60,70が、リジッド部10,20において高弾性プリプレグ80a,80b,80c,80dによって接合されている点についても、第1実施形態と同じである。
第1実施形態と異なる点は、表層(表面と裏面)の露出面が第1実施形態のように低弾性プリプレグではなく、フレキシブル基板90a,90bの導体となっている点である。また、表層のフレキシブル基板90a,90bの屈曲部30の導体は、除去されている。更に、リジッド部10,20の導体95a,95b,95c,95dは、ソルダーレジスト(SR)110a,110b,110c,110dによって保護されている。
図4は、第1実施形態および第2実施形態の内層(表層の露出したフレキシブル基板を除く)のフレキシブル基板の構成を示す図である。内層のフレキシブル基板200の両面は、低弾性プリプレグ210,220と接合して保護されている。
低弾性プリプレグ210,220は、ガラスクロス入りで、折り曲げ可能な低弾性率の多層材料である。その弾性率は、10Gpa以下であることが望ましい。また、熱膨張係数は、10ppm/℃であることが望ましい。
図5は、第1実施形態で示した多層フレキシブル基板層50,60,70の積層状態を拡大した図である。多層フレキシブル基板層50,60,70は、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグの順に積層された6層フレキシブル基板を構成する。そして、図1のように、多層フレキシブル基板層50,60,70の層間を屈曲部30のみを窓穴加工を行った高弾性プリプレグ80a〜80dによって接合する。
高弾性プリプレグ80a〜80dは、弾性率が18乃至25Gpaであることが望ましい。また、熱膨張係数は、13〜16ppm/℃であることが望ましい。
図6は、第1実施形態および第2実施形態の多層リジッドフレキシブル基板の製造工程を示すフローチャートである。
まず、全ての2層フレキシブル基板(図1では、18層)の内層パターンを形成する(ステップS100)。
次に、多層フレキシブル基板層50,60,70の各フレキシブル基板の両面(導体)を低弾性プリプレグ(図3の符号210,220)によって保護する。そして、リジッド部10,20の低弾性プリプレグ上に銅箔を配置する場合は、図2に示す銅箔85a〜85dを接合する。多層フレキシブル基板層50,70の表層(図3の符号90a,90b)をフレキシブル基板とする場合は、屈曲部の導体を除去し、リジッド部の導体(図2の符号95a〜95d)はソルダーレジスト(図2の符号110a〜110b)で保護する。そして、1次積層によって多層フレキシブル基板層50,60,70をそれぞれ形成する(ステップS110)。
最後に、2次積層によって屈曲部30のみに窓穴加工を行った高弾性プリプレグ80a〜80dを用いて、3つの多層フレキシブル基板層50,60,70の層間のリジッド部10,20を接合する(ステップS120)。したがって、リジッド部10,20は、固い基板として形成される。
これにより、完成した多層リジッドフレキシブル基板は、屈曲部30のフレキシブル基板が低弾性プリプレグによって挟まれた形状となり、フレキシブル基板を保護した製品となる。したがって、電子装置間をこの多層リジッドフレキシブル基板で接続した場合、屈曲部の剛性が高く、高周波などの電気特性も優れたものとなる。
なお、リジッド部10,20のスルーホール作業と基板間の半田接続などは、本発明と直接関係しないので、省略する。
次に、第1又は第2実施形態によって製造された多層リジッドフレキシブル基板の各種例を説明する。
図7は、18層仕様の多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図である。
18層仕様では、2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで6層の第1多層フレキシブル基板50を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで中間部の6層の第2多層フレキシブル基板60を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキで6層の第3多層フレキシブル基板70を形成する。
なお、第1多層フレキシブル基板50および第3多層フレキシブル基板70の表層(露出層)において、屈曲部30の2層フレキの露出側の導体は除去され、リジッド部10,20の露出導体95a〜95dはソルダーレジスト110a〜110dで保護されている。
そして、第1多層フレキシブル基板50、第2多層フレキシブル基板60、および第3多層フレキシブル基板70が積層される時、リジッド部10,20は高弾性プリプレグ80a〜80dで接合されている。これにより、2層フレキの内層導体を低弾性プリプレグで保護し、屈曲部の剛性が高い18層リジッドフレキシブル基板を得ることができる。
図8は、16層仕様の多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図である。
16層仕様では、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで5層の第1多層フレキシブル基板50を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで中間部の6層の第2多層フレキシブル基板60を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで5層の第3多層フレキシブル基板70を形成する。
なお、第1多層フレキシブル基板および第3多層フレキシブル基板の表層(露出層)において、リジッド部10,20の露出する面の低弾性プリプレグには銅箔85a〜85dが接合されて導体を形成している。
そして、第1多層フレキシブル基板50、第2多層フレキシブル基板60、および第3多層フレキシブル基板70が積層される時、リジッド部10,20は高弾性プリプレグ80a〜80dで接合されている。これにより、2層フレキの内層導体を低弾性プリプレグで保護し、屈曲部の剛性が高い16層リジッドフレキシブル基板を得ることができる。
図9は、12層仕様の多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図である。
12層仕様では、2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで4層の第1多層フレキシブル基板50を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで中間部の4層の第2多層フレキシブル基板60を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキで4層の第3多層フレキシブル基板70を形成する。
なお、第1多層フレキシブル基板50および第3多層フレキシブル基板70の表層(露出層)において、屈曲部30の2層フレキの露出側の導体は除去され、リジッド部10,20の露出導体95a〜95dはソルダーレジスト110a〜110dで保護されている。
そして、第1多層フレキシブル基板50、第2多層フレキシブル基板60、および第3多層フレキシブル基板70が積層される時、リジッド部10,20は高弾性プリプレグ80a〜80dで接合されている。これにより、2層フレキの内層導体を低弾性プリプレグで保護し、屈曲部の剛性が高い12層リジッドフレキシブル基板を得ることができる。
図10は、8層仕様の多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図である。
8層仕様では、2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで4層の第1多層フレキシブル基板50を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグ−2層フレキで4層の第2多層フレキシブル基板60を形成する。
なお、第1多層フレキシブル基板50および第2多層フレキシブル基板60の表層(露出層)において、屈曲部30の2層フレキの露出側の導体は除去され、リジッド部10,20の露出導体95a〜95dはソルダーレジスト110a〜110dで保護されている。
そして、第1多層フレキシブル基板50および第2多層フレキシブル基板60が積層される時、リジッド部10,20は高弾性プリプレグ80a、80bで接合されている。これにより、2層フレキの内層導体を低弾性プリプレグで保護し、屈曲部の剛性が高い8層リジッドフレキシブル基板を得ることができる。
図11は、6層仕様の多層リジッドフレキシブル基板の構成を示す図である。
6層仕様では、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで3層の第1多層フレキシブル基板50を形成する。
また、低弾性プリプレグ−2層フレキ−低弾性プリプレグで3層の第2多層フレキシブル基板60を形成する。
なお、第1多層フレキシブル基板および第3多層フレキシブル基板の表層(露出層)において、リジッド部10,20の露出する面の低弾性プリプレグには銅箔85a〜85dが接合されて導体を形成している。
そして、第1多層フレキシブル基板50および第2多層フレキシブル基板60が積層される時、リジッド部10,20は高弾性プリプレグ80a、80bで接合されている。これにより、2層フレキの内層導体を低弾性プリプレグで保護し、屈曲部の剛性が高い6層リジッドフレキシブル基板を得ることができる。
図12は、図7乃至図11で示した18層〜6層リジッドフレキシブル基板を用いた装置間接続の一例を示す図である。このように、実施形態の多層リジッドフレキシブル基板を用いることにより、リジッド部の一方を第1電子機器500に接続し、リジッド部の他方を例えば90度折り曲げて第2電子機器600に接続することができる。
実施形態の多層リジッドフレキシブル基板によれば、屈曲部の剛性が高く、且つ電気特性に優れている。また、リジッド部と屈曲部の境界部分の密着強度が高く、層間剥離(デラミ等)の発生を防止することができる。また、リジッド基板と同等のスルーホール信頼性を得ることができる。更に、リジッド基板と同等の製造プロセスで製造することが可能であり、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
100、200‥多層リジッドフレキシブル基板
10、20…リジッド部
30…屈曲部
40…フレキシブル基板
45…低弾性プリプレグ
50…第1多層フレキシブル基板
60…第2多層フレキシブル基板
70…第3多層フレキシブル基板
80a〜80d…高弾性プリプレグ
85a〜85d…銅箔
95a〜95d…導体
110a〜110d…ソルダーレジスト

Claims (3)

  1. 複数のフレキシブル基板が積層された多層フレキシブル基板が複数積層され、両側縁部分を含む領域にリジッド部を有し、前記リジッド部の間の領域に前記リジッド部とつながった屈曲部を有する多層リジッドフレキシブル基板の製造方法であって、
    積層される2つの前記フレキシブル基板同士を、前記リジッド部および前記屈曲部において第1の弾性プリプレグによって接合し、多層フレキシブル基板を形成する工程と、
    積層される2つの前記多層フレキシブル基板同士を、前記リジッド部において前記第1の弾性プリプレグの弾性率より高い弾性率を有する第2の弾性プリプレグによって接合する工程と、
    を有することを特徴とする多層リジッドフレキシブル基板の製造方法。
  2. 前記多層フレキシブル基板の前記リジッド部にスルーホールが設けられることを特徴とする請求項1に記載の多層リジッドフレキシブル基板の製造方法。
  3. 前記屈曲部において、前記複数積層された多層フレキシブル基板の層間に空間があることを特徴とする請求項1に記載の多層リジッドフレキシブル基板の製造方法。
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