JP6532923B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは有機発光表示装置の形成時にマスクの数を減少させて工程を簡素化し、溶液工程で有機発光層を形成する時にも信頼性を高めることができる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
多様な情報を画面として具現する映像表示装置は情報通信時代の核心技術で、より薄く、且つより軽く、携帯が可能でありながらも高い性能を提供できるように発展している。そこで、陰極線管（ＣＲＴ）の欠点である重さ及び体積を減らすことができる平板表示装置で有機発光層の発光量を制御して映像を表示する有機発光表示装置などが脚光を浴びている。
有機発光表示装置は多数の画素がマトリックス状に配列されて画像を表示することになる。ここで、各画素は、発光素子と、その発光素子を独立的に駆動する多数のトランジスタ及びストレージキャパシタなどを含む画素駆動回路を備える。このとき、各発光素子は第１電極と第２電極の間に有機発光層を含む。
有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの多数の層が積層された構造に形成される。従来には、このような多数の層を互いに異なる工程チャンバーで熱蒸着する方式で有機発光層を製造していた。しかし、このような従来の有機発光層製造方法は、製造コストが高くなり、また製造工程が複雑であるため、大面積マスクの具現が難しい問題があった。
このような問題点を解決するために、有機発光層をインクジェットプリンティング又はノズルコーティングなどの溶液工程で有機発光層を形成する技術が提案されている。
溶液工程で形成した有機発光層は、硬化過程で縁部が相対的に遅く硬化し、中央部から硬化し始めることから、有機発光層の縁部の厚さが中央部より厚くなるパイルアップ現象が発生する。このような問題点を解決するために、画素部を規定するバンク層を２層に形成し、下層を親水性バンクに、上層を疎水性バンクに形成することによって有機発光層の中心部と縁部の厚みの差を減少させる技術が提案されている。しかし、このようにバンク層を２層構造に形成する場合、工程が複雑になり、製造コストが上昇するだけでなく、親水性下層バンクと疎水性上層バンクとの間の接着力が低下して上層バンクに浮き上がり現象などの問題が発生してしまう。
本発明は前記問題点を解決するために案出されたもので、特に有機発光表示装置の形成時にマスクの数を減少させて工程を簡素化し、溶液工程で有機発光層を形成するときにも信頼性を高めることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するために、本発明の実施例による有機発光表示装置は、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、前記ソース電極又はドレイン電極のいずれか一つが延伸して形成された第１電極と、薄膜トランジスタを覆い、第１電極を露出して発光領域を規定するパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に備えられたバンク絶縁膜と、前記第１電極上に備えられた有機発光層と、前記有機発光層を覆う第２電極とを含む。
前記ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ互いに異なる透明導電性物質からなる下層部と中層部、及び金属物質でなる上層部を含む。そして、第１電極は前記ソース電極又はドレイン電極の下層部のいずれか一つと一体に構成される。
本発明の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、半導体層を形成する段階、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、半導体層を導体化してソース領域及びドレイン領域を形成する段階、半導体層を覆い、ソース領域及びドレイン領域を露出する第１及び第２コンタクトホールを備えた層間絶縁膜を形成する段階を含む。
また、前記層間絶縁膜上に互いに異なる透明導電性物質からなる第１分割層及び第２分割層と金属物質からなる第３分割層を形成する段階と、前記第１〜第３分割層をパターニングしてソース／ドレイン電極を形成し、このうちいずれか一つの第１及び第２分割層が発光領域に伸びるように形成する段階を含む。
また、前記発光領域を露出するパッシベーション層を形成し、前記パッシベーション層上にバンク絶縁膜を形成する段階、前記第２分割層を除去して、前記第１分割層からなる第１電極を形成する段階、及び有機発光層及び第２電極を形成する段階を含む。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、バンク絶縁膜の形成過程で発生し、前記ドレイン電極の中層部上に付着する微粒子などの不純物を、ドレイン電極の中層部をパターニングすることによって一緒に除去し、第１電極の表面に不純物が残留しない状態で有機発光層を形成するので、第１電極と有機発光層との接合特性を高めることができる効果を有する。
また、本発明の実施例による有機発光表示装置は、パッシベーション層が親水性バンクの役目を果たすことにより、追加のバンク絶縁膜又は平坦化膜の形成なしに有機発光表示装置を形成することができる。また、本発明の実施例による有機発光表示装置の発光層は溶液工程で形成するので、蒸着工程のためのマスクを備える必要がない。
したがって、本発明の実施例による有機発光表示装置は、従来に比べてマスク数を大きく低減させることにより、製造工程が簡素化し、製造コストが低減する効果を有する。
また、本発明の実施例による有機発光表示装置は、パッシベーション層が有機発光層の下側まで伸びて有機発光層の縁部に傾斜を形成して液状の有機発光層形成物質が有機発光層の中心部に集まるように誘導することにより、溶液工程で有機発光層を形成するときのパイルアップ現象を緩和する。
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施例を説明する。明細書全般にわたって同じ参照番号は実質的に同じ構成要素を意味する。以下の説明で、本発明に係わる技術又は構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにすることができると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明で使われる構成要素の名称は明細書作成の容易性を考慮して選択されたもので、実際製品の部品名称と異なることもある。
位置関係についての説明の場合、例えば‘〜上に’、‘〜上部に’、‘〜下部に’、‘〜側に’などのように二つの部分の位置関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’を使わない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
「第１」、「第２」などを多様な構成要素を説明するために使うが、これら構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語はただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。よって、以下で言及する第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のためのもので、本発明が図示の構成の大きさ及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
図１は本発明による有機発光表示装置を説明するための断面図である。
本発明による有機発光表示装置は、薄膜トランジスタＴと、薄膜トランジスタＴと電気的に連結された第１電極５１と、有機発光層５２と、第２電極５３とを含む。
本発明の実施例による有機発光表示装置を図１に基づいてより詳細に説明する。図１を参照すると、第１基板１０上にはバッファー層１１が位置する。バッファー層１１は第１基板１０を通じて水分又は不純物が浸透することを防止し、第１基板１０の上部を平坦化する役目をする。バッファー層１０はＳｉＮｘ又はＳｉＯｘなどの無機絶縁物質で形成されることができる。
バッファー層１１上には、半導体、例えばシリコン又は酸化物半導体などでなる活性層２０が形成される。活性層２０上にはゲート絶縁膜２６が位置し、ゲート絶縁膜２６上にはゲート電極２７が位置する。ゲート電極２７はゲート絶縁膜２６を挟んで活性層２０のチャネル領域２１と重畳するように位置する。ゲート電極２７は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金でなる単層又は多重層の構造であってもよい。
前記薄膜トランジスタＴが位置する領域の下部には遮光層８が位置する。遮光層８は、活性層２０に入射する光を遮断し、薄膜トランジスタＴと各種の配線（図示せず）の間で発生する寄生キャパシタンスを減少させる役目をすることができる。遮光層８は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属のうち単一物質又はこれらの合金で形成されることができる。
ゲート電極２７上には層間絶縁膜１２が位置する。層間絶縁膜１２は表示領域から伸びてパッド領域の下部パッド部を含む第１基板１０の一面の全面に位置する。層間絶縁膜１２はＳｉＮｘ又はＳｉＯｘなどの無機絶縁物質の単層又は複層の構造に形成されることができる。
この際、層間絶縁膜１２には、活性層２０のソース領域２２を露出する第１コンタクトホールＨ１と、ドレイン領域２３を露出する第２コンタクトホールＨ２とが備えられる。
ソース電極２４は第１コンタクトホールＨ１を通じてソース領域２２と接続され、ドレイン電極２５は第２コンタクトホールＨ２を通じてドレイン領域２３と接続される。
ソース電極２４は、下層部２４ａ、中層部２４ｂ及び上層部２４ｃの３層構造にて構成される。ソース電極２４と同様に、ドレイン電極２５も下層部２５ａ、中層部２５ｂ及び上層部２５ｃの３層構造にて構成される。
下層部２４ａ、２５ａと中層部２４ｂ、２５ｂは互いに異なる透明導電性物質からなる。例えば、下層部２４ａ、２５ａがＩＴＯで形成される場合、中層部２４ｂ、２５ｂはＩＺＯ又はＩＧＺＯのような透明導電性物質で形成されることができる。
そして、下層部２４ａ、２５ａがＩＺＯ又はＩＧＺＯのような透明導電性物質で形成される場合、中層部２４ｂ、２５ｂはＩＴＯで形成されることができる。これは、後述する第１電極５１がソース電極２４の下層部２４ａ又はドレイン電極２５の下層部２５ａと一体に形成され、その上部を中層部２４ｂ、２５ｂで発光層５２の形成前まで覆うことによって第１電極５１の表面を不純物から保護するためである。その後、第１電極５１が形成された後、第１電極５１上の中層部は除去される。これに関する詳細な内容については後述する。
ソース電極２４の上層部２４ｃ及びドレイン電極２５の上層部２５ｃは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）などの金属物質で形成されることができる。
そして、ソース電極２４の下層部２４ａ又はドレイン電極２５の下層部２５ａのいずれか一つと一体に、第１電極５１が層間絶縁膜１２上に形成される。図１の実施例ではドレイン電極２５の下層部２５ａと一体に第１電極５１が形成されるものを示したが、場合によって第１電極５１はソース電極２４の下層部２４ａと一体に形成されることができる。本明細書では第１電極５１がドレイン電極２５の下層部２５ａと一体に形成されるものを説明する。
第１電極５１を露出するように薄膜トランジスタＴ上にはパッシベーション層１３が備えられる。パッシベーション層１３はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘなどの親水性物質でなる無機膜の単層又は複数層の構造に形成されることができる。パッシベーション層１３は薄膜トランジスタＴを保護する役目をするとともに、本発明においては発光領域Ｅを規定する。すなわち、パッシベーション層１３は第１電極５１の縁部を覆うように構成されて発光領域Ｅを規定する。
パッシベーション層１３上にはバンク絶縁膜１４が形成される。バンク絶縁膜１４は疎水性有機絶縁物質で形成されることができる。バンク絶縁膜１４を形成することができる物質の例としては、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、メチルメタクリレート（ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリテトラフルオロエチレン（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）のいずれか１種又は２種以上が混合されたものを挙げることができる。バンク絶縁膜１４は疎水性有機絶縁物質で形成されることにより、液状の有機発光層５２が形成されるとき、装備そのものが有する誤差などによって発光領域Ｅに噴射されないように防ぐバリアーの役目をすることができる。また、工程過程での誤差によって有機発光層５２を形成する液状物質がバンク絶縁膜１４上に噴射されてもバンク５３から落ちることにより、前記有機発光層５２を形成する液状物質が発光領域Ｅ内に位置するようにし、バンク絶縁膜１４の外側に溢れないようにする役目をする。
有機発光層５２は第１電極５１上に備えられる。この際、有機発光層５２は正孔注入層（ＨＩＬ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）／発光層（ＥＭＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／電子注入層（ＥＩＬ）の構造を有するように構成されることができる。その上、有機発光層５２には発光層の発光効率及び寿命などを向上させるための少なくとも一つの機能層、例えば電荷を生成する電荷生成層、追加的な電子輸送層及び正孔輸送層などがさらに含まれることができる。
この際、有機発光層５２はインクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）又はノズルコーティング（ｎｏｚｚｌｅ ｃｏａｔｉｎｇ）のような溶液工程で形成される。溶液工程で形成された有機発光層は、硬化過程でバンク絶縁膜１４と接触した縁部が相対的に遅く硬化し、中央部から硬化し始めるため、内部から有機発光層５２を成す物質が縁部に移動し、縁部が最後に硬化することによって有機発光層５２の縁部の高さが中央部の高さより高くなるパイルアップ現象が発生する。よって、有機発光層５２の中心部の厚さより縁部の厚さが厚く形成される。
実施例による有機発光表示装置は、パッシベーション層１３が有機発光層５２の下部まで伸びるように形成される。したがって、有機発光層５２はパッシベーション層１３の上部に位置する領域が存在し、パッシベーション層１３と第１電極５１の間の段差によって、パッシベーション層１３は液状の有機発光層５２を形成する物質が中心部に集まるように誘導する。よって、実施例による有機発光表示装置は、発光層５２がバンク絶縁膜１４に近い部分で厚くなる現象を多少低減することができ、有機発光層５２の縁部と中心部との厚みの差を低減することができる。
第２電極５３は有機発光層５２及びバンク絶縁膜１４の上部を覆うように構成される。第１電極５１がアノード電極の役目をする場合、第２電極５３はカソード電極の役目をする。上部発光（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）型有機発光表示装置において、第２電極５３は光が透過することができる程度の非常に薄い膜厚（例えば、約２００Å以下）で仕事関数が低い金属性物質を用いて形成されることにより、有機発光層５２からの光が第２電極５３を透過し、よって上部発光がなされることができる。第２電極５３に使用可能な物質は、例えば銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、又は銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）の合金などの物質の少なくとも１種であってもよい。また、第２電極５３にはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電性物質が使われることにより、有機発光層５２からの光が第２電極５３を透過して上部発光することができる。
第２電極５３上には接着層（図示せず）を介して第２基板（図示せず）を合着できるが、設計によって接着層及び第２基板は省略することができ、第２基板は薄膜状の封止部材に代替可能である。
図１を参照すると、本発明の実施例による有機発光表示装置のドレイン電極２５は、前述したように下層部２５ａが伸びて第１電極５１を形成するとともに、ドレイン電極２５の中層部２５ｂはパッシベーション層１３の下側に備えられ有機発光層５２の下部まで伸び、ドレイン電極２５の中層部２５ｂの側面端部は有機発光層５２と接するように形成される。一方、有機発光層５２のドレイン電極２５の中層部２５ｂと接する側面の反対側のパッシベーション層１３の下側には、中層部としてのダミー導電層２５ｄをさらに備えることができる。
図１の実施例ではドレイン電極２５を説明したが、設計によっては、ソース電極２４の下層部２４ａが伸びて第１電極５１を形成し、ソース電極２４の中層部２４ｂはパッシベーション層１３の下側に備えられ、ソース電極２４の中層部２４ｂの側面端部が有機発光層５２と接するように形成されることもできる。以下では、ドレイン電極２５の下層部２５ａが第１電極５１を形成した例を続けて説明する。
ドレイン電極２５の中層部２５ｂがパッシベーション層１３の下部に沿って伸びるように形成され、有機発光層５２のドレイン電極２５の中層部２５ｂと接する側面の反対側にダミー導電層２５ｄが備えられる理由は、ドレイン電極２５の中層部２５ｂが第１電極５１の表面保護のためにバンク絶縁膜１４が形成されるまで第１電極５１上に残り、バンク絶縁膜１４の形成後、パターニングされて第１電極５１が露出され、バンク絶縁膜１４の下側には前記ドレイン電極２５の中層部２５ｂの一部が残るからである。
その結果、本発明による有機発光表示装置によると、バンク絶縁膜１４の形成過程で発生して前記ドレイン電極２５の中層部２５ｂ上に付着する微粒子などの不純物は前記ドレイン電極２５の中層部２５ｂをパターニングする工程で全て除去され、第１電極５１の表面には不純物が残留しないので、第１電極５１と有機発光層５２の接合特性を高めることができる効果を有する。この時、前記ドレイン電極２５ｂの下層部２５ａと中層部２５ｂは互いに異なる透明導電性物質で形成される。例えば、ドレイン電極２５ｂの下層部２５ａがＩＴＯで形成される場合、中層部２５ｂはＩＺＯ又はＩＧＺＯのいずれか一つから形成されることができる。反対に、ドレイン電極２５ｂの下層部２５ａがＩＺＧＯ又はＩＺＯで形成される場合、中層部２５ｂはＩＴＯで形成されることができる。これは、前記第１電極５１と第１電極５１の上部に伸びたドレイン電極２５の中層部２５ｂとを互いに異なる透明導電性物質で形成することにより、第１電極５１の上部に露出されたドレイン電極２５の中層部２５ｂを選択的に食刻することができるようにするためである。このような特徴を本発明による有機発光表示装置の製造方法を説明しながら詳細に説明する。
図２ａ〜図２ｇは本発明による有機発光表示装置の製造方法を説明するための概略図である。
図２ａを参照すると、まず第１基板１０上に遮光層８を形成した後、その上部を覆うように第１基板１０の一面の全面にバッファー層１１を蒸着などの工程で形成する。遮光層８は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属のうち単一物質又はこれらの合金を蒸着した後、パターニングすることによって形成することができる。そして、バッファー層１１上には半導体物質からなる活性層２０を形成する。前記活性層２０のチャネル領域２１上にはゲート絶縁膜２６及びゲート電極２７を順次形成する。ゲート電極２７は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のうち１種又はこれらの合金でなる単層又は多重層の構造になった第２金属層（図示せず）を蒸着した後、これをパターニングすることによって形成することができる。
その後、ゲート電極２７をマスクとして活性層２０に不純物をドープすることによってソース領域２２及びドレイン領域２３を形成する。活性層２０が酸化物半導体からなる場合には、プラズマ処理などによって活性層２０の両側が導体化することによってソース及びドレイン領域２２、２３を形成することができる。
その後、図２ｂを参照すると、ゲート電極２７上の第１基板１０の全面には層間絶縁膜１２を形成する。層間絶縁膜１２はバッファー層１１と同様に無機絶縁物質で形成することができる。その後、前記層間絶縁膜１２をパターニングすることで、前記ソース領域２２を露出する第１コンタクトホールＨ１と、ドレイン領域２３を露出する第２コンタクトホールＨ２とを形成する。
そして、図２ｃを参照すると、前記第１コンタクトホールＨ１及び第２コンタクトホールＨ２を含む基板１０の全面に互いに異なる透明導電性物質からなる第１分割層３４及び第２分割層３５と、金属物質からなる第３分割層３６とを順次蒸着する。その後、フォトレジスト８０を形成した後、ハーフトーンマスクでフォトレジスト８０をパターニングする。この時、フォトレジスト８０の膜厚は、ソース電極及びドレイン電極（図１の２４、２５参照）が形成される領域上には厚く、第１電極（図１の５１参照）が位置する領域上には薄くなるように形成される。
第１分割層３４と第２分割層３５は互いに異なる透明導電性物質からなる。例えば、第１分割層３４がＩＴＯで形成される場合、第２分割層３５はＩＺＯ又はＩＧＺＯのような透明導電性物質で形成されることができる。また、第１分割層３４がＩＺＯ又はＩＧＺＯで形成された場合、第２分割層３５はＩＴＯで形成されることができる。このように第１及び第２分割層３４、３５が互いに異なる透明導電性物質から形成することにより、前記第２分割層３５のみを選択的にエッチングすることによって第１電極を形成することができる効果を有する。
第３分割層３６は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）などの金属物質で形成されることができる。
その後、図２ｄのように、パターニング工程によってソース電極２４及びドレイン電極２５を形成する。そして、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）などの工程でソース電極２４及びドレイン電極２５上の一部のフォトレジスター８０を除去するとともに、第３分割層３６上に残っているフォトレジストを除去する。
そして、図２ｅのように、第１電極５１が位置する領域の第３分割層３６をパターニングして第１電極５１を形成する。この時、第１電極５１上には第２分割層３５が依然として残っている。
その後、図２ｆのように、薄膜トランジスタＴ上にパッシベーション層１３を形成した後、パッシベーション層１３上にはバンク絶縁膜１４を形成する。
パッシベーション層１３は、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘなどの親水性物質からなる無機膜の単層又は複数層の構造に形成されることができる。パッシベーション層１３は薄膜トランジスタＴを保護する役目をするとともに、本発明においては発光領域Ｅを規定する。
バンク絶縁膜１４を形成することができる物質の例としては、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、メチルメタクリレート（ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリテトラフルオロエチレン（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）のいずれか１種又は２種以上が混合されたもので形成されることができる。
その後、第１電極５１上に位置する第２分割層３５をパターニングすることによって第１電極５１を露出させる。第２分割層３５上には、パッシベーション層１３及びバンク絶縁膜１４の形成過程で飛散した異物が付着することがある。本発明による有機発光表示装置は、このようにパッシベーション層１３及びバンク絶縁膜１４を形成した後に第２分割層３５を除去することにより、前記第２分割層３５に付着した異物も一緒に除去され、第１電極５１は異物がないきれいな表面を有するようになる。そして、前記第２分割層３５の一部はドレイン電極２５の中層部２５ｂとして構成され、パッシベーション層１３の側面を通じて露出される。
図２ｇによると、有機発光層５２は第１電極５１上に備えられる。この時、有機発光層５２は正孔注入層（ＨＩＬ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）／発光層（ＥＭＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／電子注入層（ＥＩＬ）の構造を有するように構成されることができる。その上、有機発光層５２には、発光層の発光効率及び寿命などを向上させるための少なくとも一つの機能層、例えば電荷を生成する電荷生成層、追加の電子輸送層及び正孔輸送層などがさらに含まれることができる。
この際、有機発光層５２はインクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）又はノズルコーティング（ｎｏｚｚｌｅ ｃｏａｔｉｎｇ）のような溶液工程で形成する。溶液工程で形成した有機発光層は、硬化過程でバンク絶縁膜１４と接触する縁部が相対的に遅く硬化し、中央部から硬化し始め、内部から有機発光層５２を構成する物質が縁部に移動し、縁部が最終に硬化することにより、有機発光層５２の縁部の高さが中央の高さより高くなるパイルアップ現象が発生する。したがって、有機発光層５２の中心部の厚さより縁部の厚さが厚く形成される。しかし、本発明の実施例では、有機発光層５２の縁部の下側にパッシベーション層１３が位置することにより、パッシベーション層１３が有機発光層５２を形成する液状の物質を中心部に誘導して、有機発光層５２の縁部の厚さの増加を減少させることができるため、有機発光層５２の縁部と中心部との厚の差を低減することができる。そして、有機発光層５２の側面は前記ドレイン電極２５の中層部２５ｂと接するように形成される。また、有機発光層５２のドレイン電極２５と他側縁部に位置するパッシベーション層１３の下部には、前述した第２分割層３５が除去されてから残った一部であるダミー導電層２５ｄがさらに備えられることができる。ダミー導電層２５ｄの端部も有機発光層５２の側面と接するように構成される。
その後、有機発光層５２上には第２電極５３が備えられる。第２電極５３は有機発光層５２及びバンク絶縁膜１４の上部を覆うように備えられる。
前述したように、本発明の実施例による有機発光表示装置は、バンク絶縁膜１４の形成過程で発生して前記ドレイン電極２５の中層部２５ｂ上に付着する微粒子などの不純物をドレイン電極２５の中層部２５ｂをパターニングすることによって一緒に全て除去し、第１電極５１の表面に不純物が残留しない状態で有機発光層５２を形成するので、第１電極５１と有機発光層５２の接合特性を高めることができる効果を有する。
また、本発明の実施例による有機発光表示装置は、パッシベーション層１３が親水性バンクの役目を代わることにより、追加のバンク絶縁膜又は平坦化膜の形成なしに有機発光表示装置を形成することができる。また、本発明の実施例による有機発光表示装置の発光層５２は溶液工程で形成するので、蒸着工程のためのマスクを備える必要がない。
したがって、本発明の実施例による有機発光表示装置は、従来に比べてマスク数を大きく低減させることにより、製造工程が簡素化し、製造コストが低減する効果を有する。
また、本発明の実施例による有機発光表示装置は、パッシベーション層１３が有機発光層５２の下側まで伸びて有機発光層５２の縁部に傾斜を形成して液状の有機発光層形成物質が有機発光層５２の中心部に集まるように誘導することにより、溶液工程で有機発光層５２を形成するときのパイルアップ現象を緩和する。
以上の説明は本発明を例示的に説明したものに過ぎなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって本発明の技術的思想から逸脱しない範疇内多様な変形が可能であろう。したがって、本発明の明細書に開示した実施例は本発明を限定するものではない。本発明の範囲は以降の特許請求範囲によって解釈されなければならなく、それと均等な範囲内にある全ての技術も本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならない。
８ 遮光層
１０ 基板
１１ バッファー層
１２ 層間絶縁膜
１３ パッシベーション層
１４ バンク絶縁膜
２０ 活性層
２１ チャネル領域
２２ ソース領域
２３ ドレイン領域
２４ ソース電極
２４ａ、２５ａ 下層部
２４ｂ、２５ｂ 中層部
２４ｃ、２５ｃ 上層部
２５ ドレイン電極
２５ｄ ダミー導電層
２６ ゲート絶縁膜
２７ ゲート電極
５１ 第１電極
５２ 有機発光層
５３ 第２電極
１０ 基板
１１ バッファー層
１２ 層間絶縁膜
１３ パッシベーション層
１４ バンク絶縁膜
２０ 活性層
２１ チャネル領域
２２ ソース領域
２３ ドレイン領域
２４ ソース電極
２４ａ、２５ａ 下層部
２４ｂ、２５ｂ 中層部
２４ｃ、２５ｃ 上層部
２５ ドレイン電極
２５ｄ ダミー導電層
２６ ゲート絶縁膜
２７ ゲート電極
５１ 第１電極
５２ 有機発光層
５３ 第２電極
Claims (17)
- 基板に位置し、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層、
前記半導体層のチャネル領域上に備えられたゲート絶縁膜及び前記チャネル領域と重畳するように備えられたゲート電極、
前記ゲート電極を含めた基板上に備えられ、前記ソース領域を露出する第１コンタクトホールとドレイン領域を露出する第２コンタクトホールを備えた層間絶縁膜、
前記ソース領域に前記第１コンタクトホールを通じて接続されたソース電極及び前記ドレイン領域に第２コンタクトホールを通じて接続されたドレイン電極、
前記ソース電極又はドレイン電極のいずれか一つの一部が伸びて形成された第１電極、
前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように前記基板上に位置し、前記第１電極を露出するように備えられたパッシベーション層、
前記パッシベーション層上に備えられたバンク絶縁膜、
前記第１電極上に備えられた有機発光層、及び
前記有機発光層上に備えられた第２電極を含み、
前記ソース電極及びドレイン電極は、互いに異なる透明導電性物質でなる下層部と前記下層部上の中層部及び金属物質でなる前記中層部上の上層部を含み、
前記第１電極は、前記ソース電極の下層部又は前記ドレイン電極の下層部と一体に構成される、有機発光表示装置。 - 前記パッシベーション層は、前記有機発光層の縁部の下側まで伸びるように構成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光層は、縁部の高さが中心部の高さより高い、請求項２に記載の有機発光表示装置。
- 前記ソース電極又は前記ドレイン電極の前記中層部は、前記有機発光層の縁部の下側まで伸びるように、前記パッシベーション層の縁部の下に備えられ、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の前記中層部の側面端部は前記有機発光層に接する、請求項２に記載の有機発光表示装置。 - 前記有機発光層の一側縁部の下、且つ前記パッシベーション層と前記第１電極との間に、前記有機発光層と接し、前記中層部でなるダミー導電層をさらに含む、請求項４に記載の有機発光表示装置。
- 前記下層部はＩＴＯからなり、前記中層部はＩＧＺＯ又はＩＺＯのいずれか一つからなる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記下層部はＩＧＺＯ又はＩＺＯのいずれか一つからなり、前記中層部はＩＴＯからなる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記パッシベーション層は親水性の無機絶縁物質からなり、
前記バンク絶縁膜は疎水性有機絶縁物質からなる、請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 基板上に半導体層を形成する段階、
前記半導体層上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、前記半導体層を導体化してソース領域及びドレイン領域を形成する段階、
前記ゲート電極を含めた基板上に第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを備えた層間絶縁膜を形成する段階、
前記層間絶縁膜上に互いに異なる透明導電性物質からなる第１分割層と第２分割層及び金属物質からなる第３分割層を順次形成する段階、
前記第１〜第３分割層をパターニングして、前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを通じて前記ソース領域及び前記ドレイン領域とそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極及びドレイン電極のいずれか一つの第１及び第２分割層が発光領域に伸びるように形成する段階、
前記発光領域の前記第２分割層を露出するパッシベーション層を形成する段階、
前記パッシベーション層上に、前記発光領域の前記第２分割層を露出するバンク絶縁膜を形成する段階、
前記発光領域から前記第２分割層を除去して、前記第１分割層からなる第１電極を形成する段階、及び
前記第１電極上に有機発光層及び第２電極を形成する段階、
を含む、有機発光表示装置の製造方法。 - 前記有機発光層はインクジェットプリンティング又はノズルコーティングのいずれか一つの溶液工程で形成する、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記パッシベーション層は、前記有機発光層の縁部の下側まで伸びるように形成される、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記有機発光層は、縁部の高さが中心部の高さより高い、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ソース電極又は前記ドレイン電極の第２分割層は、前記有機発光層の縁部の下側まで伸びるように、前記パッシベーション層の縁部の下に形成され、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の前記第２分割層の側面端部は、前記有機発光層に接する、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記有機発光層の一側縁部の下、且つ前記パッシベーション層と前記第１電極との間に、前記有機発光層と接し、前記第２分割層からなるダミー導電層を形成する段階をさらに含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第１分割層はＩＴＯからなり、前記第２分割層はＩＧＺＯ又はＩＺＯのいずれか一つからなる、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第１分割層はＩＧＺＯ又はＩＺＯのいずれか一つからなり、前記第２分割層はＩＴＯからなる、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記パッシベーション層は親水性の無機絶縁物質からなり、
前記バンク絶縁膜は疎水性有機絶縁物質からなる、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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