JP6531165B2 - パターン状被めっき層の製造方法、導電性積層体の製造方法、タッチパネルセンサーの製造方法、タッチパネルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、パターン状被めっき層の製造方法、導電性積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、および、タッチパネルに関する。

基板上に導電層（導電性細線）が形成された導電性フィルムは、種々の用途に使用されており、特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネルセンサー用の導電性フィルムの需要が急速に拡大している。

このような導電層の形成には、例えば、被めっき層を用いた方法が提案されている。
例えば、特許文献１には、所定の成分を含む被めっき層形成用組成物を基板上に付与して、形成された被めっき層形成用層に対して所定のパターン状の開口部を有するマスクを用いてパターン状にエネルギー付与して、パターン状の被めっき層を形成した後、形成されたパターン状の被めっき層上にめっき処理を施すことで、所望のパターン状の金属層からなる導電層を形成する方法が提案されている。

特開２０１０−２４８４６４号公報

ところで、タッチパネルのより一層の薄型化や感度の向上が求められており、これに伴って配線のさらなる微細化（１．５μｍ以下）も求められている。
このような配線の微細化を行うための一つの方法として、特許文献１に記載されるパターン状被めっき層のパターンを精度よく形成することが挙げられる。すなわち、所定のパターン状の開口部を有するマスクを介して被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を実施する際に、形成されたパターン状被めっき層がマスクの開口形状に応じた形状であることが求められる。

発明者らは、特許文献１に記載される技術について検討を行ったところ、開口部を有するマスクと、露光処理が施される被めっき層形成用層との距離によって、形成されるパターン状被めっき層の形状精度が影響を受けることを知見した。
そこで、発明者が、開口部を有するマスク（フォトマスク）を介して被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を行う際に、被めっき層形成用層とマスクとの距離を近づけることを試みたが、十分な精度の被めっき層形成用層を得ることができなかった。
さらに、発明者が、被めっき層形成用層とマスクとを接するように配置して露光処理を行ったところ、ある程度精度は向上するものの、十分な精度のパターン状被めっき層を得ることができなかった。そればかりか、マスクと被めっき層形成用層とが貼り付いてしまって、両者を引き離すことが困難になったり、被めっき層形成用層の一部がマスクに付着して、被めっき層形成用層の膜減りが生じたりするなど、新たな問題が生じることが明らかとなった。

そこで、本発明は、優れたパターン精度にてパターン状被めっき層を形成することができ、かつ、マスクとの剥離性に優れたパターン状被めっき層の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、導電性積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、ならびにタッチパネルを提供することも課題とする。

本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、界面活性剤を含有する被めっき層形成用組成物を用い、かつ、被めっき層形成用層とマスクとを露光時に真空密着することにより、上記解題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

［１］
界面活性剤を含有する被めっき層形成用組成物を基板上に付与して、被めっき層形成用層を形成する工程と、
上記被めっき層形成用層と、マスクと、を真空下で密着させて、上記被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を行う工程と、
上記被めっき層形成用層の現像処理を行って、パターン状被めっき層を形成する工程と、
を含む、パターン状被めっき層の製造方法。
［２］
上記現像処理が、上記被めっき層形成用層のうち未露光領域を除去する処理である、上記［１］に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
［３］
上記界面活性剤が、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含有する、上記［１］または［２］に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
［４］
上記被めっき層形成用組成物が多官能（メタ）アクリルアミドを含有する、上記［１］〜［３］のいずれか１つに記載のパターン状被めっき層の製造方法。
［５］
上記パターン状被めっき層の表面の接触角が９０〜１２０°である、上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載のパターン状被めっき層の製造方法。
［６］
上記露光処理が、平行光露光機を用いて行われる、上記［１］〜［５］のいずれか１つに記載のパターン状被めっき層の製造方法。
［７］
上記露光処理が、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することで行われる、上記［１］〜［６］のいずれか１つに記載のパターン状被めっき層の製造方法。
［８］
上記［１］〜［７］のいずれか１つに記載のパターン状被めっき層の形成方法により得られたパターン状被めっき層の上に、金属層を形成する工程を有する、導電性積層体の製造方法。
［９］
上記［８］に記載の製造方法より製造された導電性積層体を含む、タッチパネルセンサー。
［１０］
上記［８］に記載の製造方法より製造された導電性積層体を含む、タッチパネル。

以下に示すように、本発明によれば、優れたパターン精度にてパターン状被めっき層を形成することができ、かつ、マスクとの剥離性にも優れたパターン状被めっき層の製造方法を提供することができる。
また、本発明は、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、ならびにタッチパネルを提供することもできる。

本発明の被めっき層形成用層の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。 本発明の導電性積層体の製造方法により得られた導電性積層体の一例を模式的に示す断面図である。 本発明の導電性積層体の一実施形態を表す平面図である。

以下に、本発明のパターン状被めっき層形成用層の製造方法について説明する。
なお、本発明において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本発明のパターン状被めっき層形成用層の製造方法の特徴の一つとしては、界面活性剤を含む被めっき層形成用層と、マスクと、を露光時に真空密着することが挙げられる。
本発明者は、微細な配線パターンを得るために、マスクの開口パターンを小さくした場合、光の回折現象の影響が顕著になって、形成されるパターン状被めっき層のパターン精度が低下することを知見している。この現象は、マスクの開口サイズが１.５μｍ以下である場合に特に顕著になり、例えば、マスクの開口サイズが１μｍの場合には、被めっき層形成用層がマスクから１０μｍ離れると、マスクの開口を通過した光（波長２５４ｎｍの場合）は、被めっき層形成用層の表面において８μｍ以上の幅を持つものとなる（後述する比較例２参照）。
このような問題を解決する方法の一つとして、微細パターンを形成する場合に、被めっき層形成用層とマスクとを露光時にできるだけ近づければ、照射した光の回折現象の影響が少なくなり、形成されるパターン状被めっき層の精度が向上すると予測される。
しかしながら、このようなパターン状被めっき層を形成する態様においては、露光時に被めっき層形成用層とマスクとを単に接触させただけでは、被めっき層形成用層とマスクとの界面付近のわずかな隙間に回折光が入り込んでしまい、パターン状被めっき層のパターンの精度が低下してしまう（後述する比較例３参照）。
これに対して、本発明では、被めっき層形成用層とマスクとを露光時に真空密着させることで、このような現象の発生を抑制でき、形成されるパターン状被めっき層のパターン精度が優れたものになる（すなわち、マスクの開口サイズに対応したパターン状被めっき層が得られる）と考えられる。

一方、上述のように露光時に被めっき層形成用層とマスクとを接触させると、マスクと被めっき層形成用層とが貼り付いてしまうことがある。そうすると、両者を引き離すことが困難になったり、被めっき層形成用層の一部がマスクに付着して、被めっき層形成用層の膜減りが生じて、パターン精度の低下を招いたりすることがある。このような問題に対して、本発明では、被めっき層形成用層に界面活性剤が含まれること（すなわち、界面活性剤を含有する被めっき層形成用組成物を用いて被めっき層形成用層を形成すること）により、このような問題の発生を低減できる。

［パターン状被めっき層の製造方法］
本発明のパターン状被めっき層の製造方法は、被めっき層形成用層の形成工程と、露光処理工程と、パターン状被めっき層の形成工程と、を含む。
以下、本発明のパターン状被めっき層の製造方法について、図面を参照にしながら詳細に説明する。

＜被めっき層形成用層の形成工程＞
本発明の被めっき層形成用層の形成工程は、界面活性剤を含有する被めっき層形成用組成物を基板上に付与して、被めっき層形成用層を形成する工程である。
図１は、本発明の被めっき層形成用層の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図１（Ａ）は、被めっき層形成用層１４の形成状態の一例を模式的に示す断面図であり、被めっき層形成用層１４が基板１２の上（直上）に配置されている。
図１（Ａ）の例では、基板１２の全面に被めっき層形成用層１４が付与されているが、これに限定されず、基板１２の表面の一部の領域に被めっき層形成用層１４が形成されていてもよい。

基板１２の種類は特に制限されず、例えば、絶縁基板が挙げられ、より具体的には、樹脂基板、セラミック基板およびガラス基板などを使用することができる。
基板１２の厚み（ｍｍ）は特に制限されないが、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．０１〜１ｍｍが好ましく、０．０２〜０．５ｍｍがより好ましい。
また、基板１２は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板１２の全光線透過率は、８５〜１００％であることが好ましい。

基板１２は、枚葉（単票）であってもよいし、長尺状（連続体）であってもよい。例えば、基板１２として長尺状のフィルムを用いる場合には、パターン状被めっき層１４Ａ（後述）の形成後に、パターン状被めっき層１４Ａの形成面を内側にして長尺状のフィルムを巻き取って、ロール状にする場合がある。
このような場合、従来のパターン状被めっき層では、これがロールの内側で貼りついて（ブロッキングの発生）、歩留りの低下などを引き起こすことがある。これに対して、本発明のパターン状被めっき層には界面活性剤が含まれていることから、パターン状被めっき層の表面エネルギーを低下できるので、ロール状に巻き取った際のブロッキングの発生を抑制でき、歩留りを向上することができる。

被めっき層形成用層１４を基板１２上に付与する方法としては、特に制限されず、公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコートおよびディップコートなど）を使用できる。
また、取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物の付与後に、必要に応じて乾燥処理を行って残存する溶剤を除去してもよい。
なお、乾燥処理の条件は特に制限されないが、生産性がより優れる点で、室温（２０℃）〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、１〜３０分間（好ましくは１〜１０分間）実施することが好ましい。

被めっき層形成用層の厚みは特に制限されないが、０．０５〜５μｍが好ましく、０．１〜１μｍがより好ましく、０．２〜０．７μｍがさらに好ましい。
上記の被めっき層形成用層の厚みは平均厚みであり、被めっき層形成用層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。

本発明の被めっき層形成用層は、界面活性剤を含有する被めっき層形成用組成物を用いて形成されるものである。被めっき層形成用組成物の詳細については後述する。

＜露光処理工程＞
本発明の露光処理工程は、上記被めっき層形成用層とマスクとを真空下で密着させて、上記被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を行う工程である。
このように真空下で露光処理を行うことにより、上述した効果の他に、被めっき層形成層の重合時の酸素阻害を低減でき、硬化性に優れたパターン状被めっき層を得られるという利点もある。
図１（Ｂ）は、被めっき層形成用層１４に対する露光処理の一例を模式的に示す断面図である。図１（Ｂ）に示すように、被めっき層形成用層１４は、露光処理により、マスク５０の開口部５２を通過して光の照射された部分である露光領域（露光部分）１４ａと、光の照射されていない部分である未露光領域（未露光部分）１４ｂと、を有するものとなる。

被めっき層形成用層１４とマスク５０とは、真空下で密着させた状態で露光処理がなされる。
被めっき層形成用層１４とマスク５０とを真空下で密着させる方法としては、例えば、公知の真空機構（例えばロータリーポンプなどの真空ポンプ）を有する装置を用いて行うことができる。
ここで、本発明における真空とは、標準大気圧より圧力が低い状態を表す負圧を含む概念である。具体的には、本発明における真空時の圧力としては、２００Ｐａ以下であることが好ましく、１５０Ｐａ以下であることがより好ましく、０．０１〜１００Ｐａであることがさらに好ましい。

露光処理では、使用される被めっき層形成用層１４の材料に応じて最適な波長の光での露光が実施されるが、例えば、ＵＶ（紫外光）ランプまたは可視光線などによる光照射機構を備えた照射装置等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプおよびカーボンアーク灯等がある。また、電子線、Ｘ線、イオンビームおよび遠赤外線なども使用可能である。
露光処理に用いられる光照射機構としては、形成される被めっき層形成用層のパターン精度がより向上するという点から、平行光露光機を用いることが好ましい。
露光処理において照射する光の波長としては、より微細なパターンが形成できるという観点から、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２００〜２７０ｎｍであることがより好ましい。
露光時間としては、被めっき層形成用層の材料の反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは５０〜３０００ｍＪの範囲である。

このような露光処理を行う工程として、真空機構および露光機構の両方を有する装置を用いて行う場合の一例を示す。
まず、被めっき層形成用層１４とマスク５０とを積層し（接触させて）、これを真空機構（真空ポンプなど）および露光機構を備えた装置のチャンバー内に載置した後、真空機構を作動させてチャンバー内を真空状態にする。これにより、被めっき層形成用層１４とマスク５０とが真空下で密着する。
次いで、真空状態を保ったまま露光機構を作動させて、マスク５０の上部から、被めっき層形成用層１４に向かって光を照射する露光処理を実行する。これにより、被めっき層形成用層１４には、マスク５０の開口部５２を通過して光の照射された部分である露光部分１４ａと、マスク５０により光の照射されていない部分である未露光部分１４ｂと、からなる露光パターンが形成される。

マスク５０の種類は特に制限されず、例えば、ガラスマスク（例えば、ガラスの表面がクロム膜で被覆されたクロムマスク、および、ガラスの表面がゼラチンとハロゲン化銀とを含む膜で被覆されたエマルジョンマスクなど）、フィルムマスク（ポリエステルフィルム）などの公知のマスクを用いることができる。これらの中でも、真空下における被めっき層形成用層１４との密着性に優れるという点から、ガラスマスクであることが好ましい。
マスクの厚みとしては、特に制限されないが、例えば２０〜５００ｍｍであることが好ましく、２０〜１５０ｍｍであることがより好ましい。

本発明のパターン状被めっき層の製造方法は、上記露光処理後にマスクを取り除く工程を有してもよい。
図１（Ｃ）は、上記露光処理後であって後述する現像処理前に、マスク５０を取り除く様子を模式的に示す図である。図１（Ｃ）の例では、マスク５０を除去するタイミングとして、後述する現像処理前に行う場合を示したが、これに限定されず、現像処理と同時に行ってもよいし、現像処理の後に行ってもよい。
マスク５０の除去は、上述した露光処理後に真空状態を脱した状態（例えば、大気圧下）で行う。マスク５０を除去する方法としては、特に限定されず、公知の方法を用いて行えばよい。

＜パターン状被めっき層の形成工程＞
本発明のパターン状被めっき層の形成工程は、上記被めっき層形成用層の現像処理を行って、パターン状被めっき層を形成する工程である。
図１（Ｄ）は、現像処理によってパターン状被めっき層１４Ａを形成した状態の一例を模式的に示す断面図である。

図１（Ｄ）の例では、現像処理が、被めっき層形成用層１４のうち未露光部分１４ｂ（図１（Ｃ）参照）を除去する処理である場合を示す。これにより、露光部分１４ａがパターニングされて、パターンの開口部５２と同等の形状を有するパターン状被めっき層１４Ａが得られる。このように、図１（Ｄ）の例は、被めっき層形成用層１４が、いわゆるネガ型の被めっき層形成用組成物を用いて形成された場合を示すものである。

図１（Ｄ）の例では、現像処理が未露光部分１４ｂを除去する場合を示したが、これとは反対に、現像処理が露光部分１４ａを除去して未露光部分１４ｂを残す処理であってもよい。すなわち、被めっき層形成用層１４が、いわゆるポジ型の被めっき層形成用組成物を用いて形成された場合である。

現像処理の方法としては特に制限されないが、露光処理後の被めっき層形成用層１４を現像液（アルカリ性溶液や有機溶剤など）で浸漬させる方法、および、現像液を被めっき層形成用層１４の表面に塗布する方法等が挙げられるが、浸漬する方法が好ましい。浸漬する方法の場合、浸漬時間としては生産性および作業性などの観点から、１分から３０分程度が好ましい。

上記のようにして得られたパターン状被めっき層１４Ａの表面の接触角は、９０〜１２０°であることが好ましく、１００〜１２０°であることがより好ましく、１０５〜１２０°であることがさらに好ましい。接触角が上記範囲内にあることで、露光処理後におけるマスク５０との剥離性がより向上したり、マスク５０に対する被めっき層形成用層１４の付着をより抑制できる。
本発明におけるパターン状被めっき層の接触角は、水との接触角を意味し、測定方法として接線法を用いて測定される。

＜被めっき層形成用組成物＞
上記被めっき層形成用層は、界面活性剤を含有する被めっき層形成用組成物を用いて形成される。以下、被めっき層形成用組成物に含まれる成分および含まれ得る成分について詳述する。

（界面活性剤）
本発明の被めっき層形成用組成物は、界面活性剤を含有する。これにより、本発明のパターン状被めっき層の製造方法においては、被めっき層形成用層に含まれる界面活性剤の作用により、露光処理後のマスクの除去が容易に行われ、被めっき層形成用層の一部がマスクに付着することも抑制できる。また、マスクの汚染も抑制できるので、マスクの洗浄回数を減らしたり無くしたりできるというプロセス上の利点もある。

界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。これらの中でも、上記効果が一層発揮されるという点から、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方であることが好ましく、フッ素系界面活性剤であることがより好ましい。界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

フッ素系界面活性剤としては、例えば、Ｗ−ＡＨＥ、Ｗ−ＡＨＩ（以上、富士フイルム（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、同Ｆ７８１Ｆ（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。

上記のシリコーン系界面活性剤には、市販品を用いることができ、例えば、トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、同ＳＨ７ＰＡ、同ＤＣ１１ＰＡ、同ＳＨ２１ＰＡ、同ＳＨ２８ＰＡ、同ＳＨ２９ＰＡ、同ＳＨ３０ＰＡ、同ＳＨ８４００（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、ＴＳＦ−４４４０、ＴＳＦ−４３００、ＴＳＦ−４４４５、ＴＳＦ−４４６０、ＴＳＦ−４４５２（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）、ＫＰ３４１、ＫＦ６００１、ＫＦ６００２（以上、信越シリコーン（株）製）、ＢＹＫ３０７、ＢＹＫ３２３、ＢＹＫ３３０（以上、ビックケミー社製）等が挙げられる。

上記界面活性剤の含有量は、被めっき層形成用組成物全量１００質量％に対して、０．００５〜０．５質量％であることが好ましく、０．０１〜０．１質量％であることがより好ましく、０．０１〜０．０５質量％であることがさらに好ましい。界面活性剤の含有量が０．００５質量％以上であることで、上記の効果（剥離性の向上、マスクへの被めっき層形成用層の付着の低減）がより優れたものとなる。また、界面活性剤の含有量が０．５質量％以下であることで、被めっき層形成用層に含まれる界面活性剤が、基板（図１（Ｄ）の基板１２）側に滲み出しすぎることを抑制できるので、パターン状被めっき層と基板との接着性が向上する。

（その他の成分）
本発明の被めっき層形成用組成物は、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを含有することが好ましい。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、単に「相互作用性基」とも称する）、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物

（化合物Ｘ）
化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。
相互作用性基とは、パターン状被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図し、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、または、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などを使用することができる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基およびシアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基およびＮ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基およびスルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基およびリン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；ならびに、塩素および臭素などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、カルボン酸基（カルボキシル基）またはシアノ基がさらに好ましい。
化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。

重合性基は、エネルギー付与により、化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性がより優れる点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基およびマレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基ならびにメタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基およびメタクリルアミド基が好ましく、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基およびスチリル基がより好ましい。
化合物Ｘ中には、重合性基が２種以上含まれていてもよい。また、化合物Ｘ中に含まれる重合性基の数は特に制限されず、１つでも、２つ以上でもよい。

上記化合物Ｘは、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
なお、上記重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、溶解性など取扱い性がより優れる点で、１０００以上７０万以下が好ましく、さらに好ましくは２０００以上２０万以下である。特に、重合感度の観点から、２００００以上であることが好ましい。
このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法（特許公開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。

（ポリマーの好適態様１）
ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。

上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基およびブチル基など）を表す。なお、置換基の種類は特に制限されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子およびフッ素原子などが挙げられる。
なお、Ｒ¹としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ²としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ³としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁴としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁵としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。

上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換若しくは無置換の２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基およびプロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。

Ｘ、Ｙ、およびＺとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）またはアミド基（−ＣＯＮＨ−）がより好ましい。

上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｌ¹およびＬ²は、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しくは無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義としては、上述したＸ、Ｙ、およびＺで述べた２価の有機基と同義である。
Ｌ¹としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ¹の総炭素数とは、Ｌ¹で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

また、Ｌ²は、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、もしくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ²は、単結合、または、総炭素数が１〜１５であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ²の総炭素数とは、Ｌ²で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

上記式（ｂ）中、Ｗは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。

上記重合性基ユニットの含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。
また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。

（ポリマーの好適態様２）
ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる。

式（Ａ）で表される繰り返し単位は上記式（ａ）で表される繰り返し単位と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、ＸおよびＬ²は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、ＸおよびＬ²と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基、エーテル基が好ましい。

式（Ｃ）中、Ｒ⁶は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ³は、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＬ¹およびＬ²で表される２価の有機基と同義である。Ｌ³としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。

式（Ｃ）中、Ｖは親水性基またはその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、カルボン酸基などが挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸またはアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（２−テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボキシル基などが挙げられる。
親水性基としては、めっき触媒またはその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基およびボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。

上記ポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％がさらに好ましい。

上記ポリマーの具体例としては、例えば、特開２００９−００７５４０号公報の段落［０１０６］〜［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６−１３５２７１号公報の段落［００６５］〜［００７０］に記載のポリマー、ＵＳ２０１０−０８０９６４号の段落［００３０］〜［０１０８］に記載のポリマーなどが挙げられる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。

（モノマーの好適態様）
上記化合物がいわゆるモノマーである場合、好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｘ）中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基およびブチル基が挙げられる。なお、Ｒ¹¹としては、水素原子、またはメチル基が好ましい。Ｒ¹²としては、水素原子が好ましい。Ｒ¹³としては、水素原子が好ましい。

Ｌ¹⁰は、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８）、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基およびアルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ¹⁰の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、または、−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。

Ｗの定義は、式（ｂ）中のＷの定義の同義であり、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。

上記化合物がいわゆるモノマーである場合、他の好適態様の一つとして式（１）で表される化合物が挙げられる。

式（１）中、Ｒ¹⁰は、水素原子、金属カチオン、または第四級アンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、例えば、アルカリ金属カチオン（ナトリウムイオンおよびカルシウムイオン）、銅イオン、パラジウムイオン、銀イオンなどが挙げられる。なお、金属カチオンとしては、主に１価または２価のものが使用され、２価のもの（例えば、パラジウムイオン）が使用される場合、後述するｎは２を表す。
第四級アンモニウムカチオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
なかでも、めっき触媒またはその前駆体の付着、および、パターニング後の金属残渣の点から、水素原子であることが好ましい。

式（１）中のＬ¹⁰の定義は、上述した式（Ｘ）中のＬ¹⁰の定義と同義であり、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述の通りである。

式（１）中のＲ¹¹〜Ｒ¹³の定義は、上述した式（Ｘ）中のＲ¹¹〜Ｒ¹³の定義と同義であり、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。なお、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³の好適態様は上述の通りである。
ｎは、１または２の整数を表す。なかでも、化合物の入手性の観点から、ｎは１であることが好ましい。

式（１）で表される化合物の好適態様として、式（２）で表される化合物が挙げられる。

式（２）中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹およびｎは、上記の定義と同じである。
Ｌ¹¹は、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、またはフェニレン基を表す。なかでも、Ｌ¹¹がアミド基であると、耐溶剤性（例えば、アルカリ溶剤耐性）が向上する。
Ｌ¹²は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数３〜５）、または、２価の芳香族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状であってもよい。なお、Ｌ¹²が単結合の場合、Ｌ¹¹はフェニレン基を表す。

式（１）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、揮発性、溶剤への溶解性、成膜性、および、取扱い性などの観点から、１００〜１０００が好ましく、１００〜３００がより好ましい。

（組成物Ｙ）
組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、被めっき層形成用層が、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
相互作用性基を有する化合物とは、相互作用性基を有する化合物である。相互作用性基の定義は上述の通りである。このような化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。相互作用性基を有する化合物の好適態様としては、上述した式（ｂ）で表される繰り返し単位を有する高分子（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を有する化合物には、重合性基は含まれない。
重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成されるパターン状被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を有する多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーを使用することが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、さらに好ましくは２００〜８００である。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５であることが好ましい。
重合性基を有する化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。

上記多官能モノマーの中でも、形成されるパターン状被めっき層の硬度がより一層優れるという点から、多官能（メタ）アクリルアミドを用いることが好ましい。
多官能（メタ）アクリルアミドとしては、（メタ）アクリルアミド基を２以上（好ましくは、２以上６以下）有するものであれば特に限定されない。
多官能（メタ）アクリルアミドの中でも、被めっき層形成用層の硬化速度に優れる観点などから、下記一般式（Ａ）で表される４官能（メタ）アクリルアミドをより好ましく用いることができる。
なお、本発明において、（メタ）アクリルアミドとは、アクリルアミドおよびメタクリルアミドの両方を含む概念である。
上記一般式（Ａ）で表される４官能（メタ）アクリルアミドは、例えば、特許第５４８６５３６号公報に記載の製造方法によって製造できる。

上記一般式（Ａ）中、Ｒは水素原子またはメチル基を表す。上記一般式（Ａ）において、複数のＲは、互いに同じでも異なっていてもよい。

なお、相互作用性基を有する化合物と重合性基を有する化合物との質量比（相互作用性基を有する化合物の質量／重合性基を有する化合物の質量）は特に制限されないが、形成される被めっき層の強度およびめっき適性のバランスの点で、０．１〜１０が好ましく、０．５〜５がより好ましい。

被めっき層形成用層中の化合物Ｘ（または、組成物Ｙ）の含有量は特に制限されないが、被めっき層形成用組成物中の全固形分１００質量％に対して、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましい。

被めっき層形成用層には、上記化合物Ｘ、組成物Ｙ以外の成分が含まれていてもよい。
被めっき層形成用層には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、露光処理の際の重合性基間の反応がより効率的に進行する。
重合開始剤としては特に制限はなく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）などを用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、アゾ化合物等およびその誘導体を挙げることができる。
被めっき層形成用層中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、被めっき層の硬化性の点で、被めっき層形成用組成物中の重合性基を有する化合物１００質量％に対して、０．１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜１０質量％であることがより好ましい。

被めっき層形成用層には、他の添加剤（例えば、有機溶媒、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、フィラー、粒子、難燃剤、滑剤および可塑剤など）を必要に応じて添加してもよい。
特に、有機溶媒を含有する場合には、上記の界面活性剤のうちシリコーン系界面活性剤やフッ素系界面活性剤の機能が一層発揮されるという点から、イソプロパノールおよびプロピレングリコール-１-モノメチルエーテル-２-アセタートなど親水性の溶媒であることが好ましい。

［導電性積層体の製造方法］
上記のようにして形成されたパターン状被めっき層は、金属層（導電膜）を形成する用途に好適に適用できる。
すなわち、本発明の導電性積層体の製造方法は、上述したパターン状被めっき層の形成方法により得られたパターン状被めっき層の上に、金属層を形成する工程を有する。
具体的には、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、さらに、めっき処理を施すことにより、パターン状被めっき層上に金属層を形成することができる。つまり、パターン状被めっき層の形状を制御することにより、金属層のパターンを制御することができる。また、このようなパターン状被めっき層を使用することにより、金属層の基板に対する密着性が優れる。
以下、上記金属層を形成する工程（金属層形成工程）の一例について説明する。

本工程は、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図２に示すように、パターン状被めっき層１４Ａ上に金属層２０が形成されて、導電性積層体３０が得られる。
なお、図２の例では、金属層２０がパターン状被めっき層１４Ａの上面のみに形成された場合を示したが、これに限定されず、パターン状被めっき層１４Ａの上面および側面（すなわち、パターン状被めっき層１４Ａの表面全体）に形成されていてもよい。

以下では、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（工程Ｘ）と、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う工程（工程Ｙ）とに分けて説明する。

（工程Ｘ：めっき触媒付与工程）
本工程では、まず、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。被めっき層形成用組成物に上記相互作用性基が含まれている場合には、上記相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。より具体的には、パターン状被めっき層表面上に、めっき触媒またはその前駆体が付与される。
めっき触媒またはその前駆体は、めっき処理の触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
なお、用いられるめっき触媒またはその前駆体は、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。以下で、主に、無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述する。

本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＡｕおよびＣｏなどが挙げられる。なかでも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄ、ＰｔおよびＣｕが特に好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはパターン状被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。

無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いてパターン状被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ₃)_n、ＭＣｌ_n、Ｍ_2/n(ＳＯ₄)およびＭ_3/n(ＰＯ₄)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、ＰｔイオンおよびＰｄイオンが挙げられる。なかでも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、ＰｄイオンおよびＣｕイオンが好ましい。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用することもできる。

めっき触媒またはその前駆体をパターン状被めっき層に付与する方法としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体を適切な溶剤に分散または溶解させた溶液を調製し、その溶液をパターン状被めっき層上に塗布するか、または、その溶液中にパターン状被めっき層が形成された積層体を浸漬すればよい。
上記溶剤としては、水や有機溶剤が適宜使用される。有機溶剤としては、パターン状被めっき層に浸透しうる溶剤が好ましく、例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネートおよびジメチルセロソルブなどを用いることができる。

溶液中のめっき触媒またはその前駆体の濃度は特に制限されないが、０．００１〜５０質量％であることが好ましく、０．００５〜３０質量％であることがより好ましい。
また、接触時間としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。

パターン状被めっき層のめっき触媒またはその前駆体の吸着量に関しては、使用するめっき浴種、触媒金属種、パターン状被めっき層の相互作用性基種、使用方法等により異なるが、めっきの析出性の観点から、５〜１０００ｍｇ／ｍ²が好ましく、１０〜８００ｍｇ／ｍ²がより好ましく、特に２０〜６００ｍｇ／ｍ²が好ましい。

（工程Ｙ：めっき処理工程）
次に、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う。
めっき処理の方法は特に制限されず、例えば、無電解めっき処理、または、電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後にさらに電解めっき処理を実施してもよい。
なお、本明細書においては、いわゆる銀鏡反応は、上記無電解めっき処理の一種として含まれる。よって、例えば、銀鏡反応などによって、付着させた金属イオンを還元させて、所望のパターン状金属層を形成してもよく、さらにその後電解めっき処理を実施してもよい。
以下、無電解めっき処理、および、電解めっき処理の手順について詳述する。

無電解めっき処理とは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与されたパターン状被めっき層を備える積層体を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与されたパターン状被めっき層を備える基板を、無電解めっき触媒前駆体がパターン状被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、積層体を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。

一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加剤が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、なかでも、導電性の観点からは、銅、銀、金が好ましく、銅がより好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。

本工程おいては、パターン状被めっき層に付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対して、電気めっきを行うことができる。
なお、上述したように、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される金属層の厚みを適宜調整可能である。
電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。尚、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、および、銀が好ましく、銅がより好ましい。

（用途）
上記処理により得られた金属層を有する導電性積層体は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボード等の種々の用途に適用することができる。なかでも、タッチパネルセンサー（静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。上記導電性積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合、導電性積層体中の金属層がタッチパネルセンサー中の検出電極または引き出し配線として機能する。
なお、本明細書においては、タッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置）を組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。

導電性積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合の一実施態様を図３に示す。
図３に示すように、導電性積層体３０においては、基板１２上に配置されたパターン状被めっき層１４Ａと、パターン状被めっき層１４Ａ上に配置された検出電極２２および引き出し配線２４とを有する。なお、検出電極２２および引き出し配線２４は、上述した金属層で構成されている。
このような導電性積層体３０を製造するためには、検出電極２２および引き出し配線２４を配置させたい位置にパターン状被めっき層１４Ａを形成し、これらの上に金属層を形成することにより得られる。つまり、検出電極２２および引き出し配線２４と、基板１２との間には、パターン状被めっき層１４Ａが配置されている。

なお、検出電極２２は、この金属層含有積層体を含むタッチパネルセンサーがタッチパネルの部材として組み込まれた際には、静電容量の変化を感知するセンシング電極として機能し、感知部（センシング部）を構成する。
検出電極２２は、タッチパネルセンサーの入力領域に接近した操作者の指のＸ方向における入力位置の検出を行う役割を有するものであり、指との間に静電容量を発生する機能を有している。検出電極２２は、第１方向（Ｘ方向）に延び、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極である。
引き出し配線２４は、検出電極２２に電圧を印加するための役割を担う部材である。

以下、実施例により、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜被めっき層形成用組成物の調製＞
下記第１表の割合になるように各成分の合計が１００質量％となるように混合、攪拌して、被めっき層形成用組成物（以下、単に「組成物」ともいう。）１〜３を調製した。

第１表で使用した各成分の詳細は、次の通りである。
・ポリアクリル酸（和光純薬工業（株）製、重量平均分子量８０００〜１２０００）
・４官能アクリルアミド（下記一般式（Ａ）の「Ｒ」が全てメチル基で表されるモノマー。特許第５４８６５３６号公報にしたがって合成。）
・重合開始剤（商品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ１２７」、ＢＡＳＦ社製）
・フッ素系界面活性剤（商品名「Ｗ−ＡＨＥ」（下記構造式（Ｂ））、または「Ｗ−ＡＨＩ」（下記構造式（Ｃ）） 富士フイルム（株）製）
・アニオン系界面活性剤（リン酸モノドデシルナトリウム、東京化成工業社製）
・イソプロパノール

＜実施例１＞
基板（商品名「ルミラーＵ４８」、ポリエチレンテレフタレートフィルム、長尺フィルム、東レ（株）製）上に、フッ素系界面活性剤として「Ｗ−ＡＨＥ」を用いた組成物１をロール塗布で６００ｎｍの膜厚となるように成膜し、８０℃のオーブンを通して乾燥させることで、基板上に被めっき層形成用層を形成した。このようにして被めっき層形成用層が形成された基板を、被めっき層形成用層を内側にしてロールとして巻き取った。
その後、上記ロールを巻き出して、被めっき層形成用層を真空チャンバー内に載置し、これと幅１μｍのライン状の細線パターンの開口部を有するフォトマスク（ハードマスク）と真空状態で密着させた。続いて、真空状態のまま、平行光露光機を用いて２５４ｎｍの波長の光を照射量８００ｍＪ/ｃｍ^２で照射して、チャンバー内の被めっき層形成用層の露出部分を重合させた。
その後、炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像を行い、露光部分からなるパターン状被めっき層を形成した。

本実施例１においては、幅１μｍのライン状の細線パターンの開口部を有するフォトマスクで、断面が略矩形の幅１±０．１μｍのパターン状被めっき層の細線を形成することができた。このように、実施例１の製造方法によれば、精度の高いパターン状被めっき層を形成することができた。
加えて、フォトマスクに被めっき層形成用層の貼りつきは確認されず、塗布および乾燥後に巻き取った際にもブロッキングは確認されなかった。

＜実施例２＞
組成物１のフッ素系界面活性剤を「Ｗ−ＡＨＥ」から「Ｗ−ＡＨＩ」に代えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２のパターン状被めっき層を形成し、同様の評価を行った。
その結果、実施例２においては、幅１μｍのライン状の細線パターンの開口部を有するフォトマスクで幅１±０．１μｍのパターン状被めっき層の細線を形成することができた。このように、実施例２の製造方法によれば、精度の高いパターン状被めっき層を形成することができた。
加えて、フォトマスクに被めっき層形成用層の貼りつきは確認されず、塗布および乾燥後に巻き取った際にもブロッキングは確認されなかった。

＜実施例３＞
組成物１を組成物２に代えた以外は、実施例１と同様にして、実施例３のパターン状被めっき層を形成し、同様の評価を行った。
その結果、実施例３においては、幅１μｍのライン状の細線パターンの開口部を有するフォトマスクで幅１±０．１μｍのパターン状被めっき層の細線を形成することができた。このように、実施例３の製造方法によれば、精度の高いパターン状被めっき層を形成することができた。
また、フォトマスクに被めっき層形成用層の貼りつきは確認されなかったが、塗布および乾燥後に巻き取った際にはブロッキングが確認され、ラミネート材を使用することが必要であることが示唆された。

＜比較例１＞
組成物１を組成物３に代えた以外は、実施例１と同様して、比較例１のパターン状被めっき層を形成し、同様の評価を行った。
その結果、比較例１においては、幅１μｍのライン状の細線パターンの開口部を有するフォトマスクで幅１±０．１μｍのパターン状被めっき層の細線を形成することができた。
しかしながら、フォトマスクに被めっき層形成用層が貼りつき、基板側から剥がれる現象が確認され、歩留まりが低下した。また、塗布および乾燥後に巻きとった際にも、ブロッキングが確認された。このような不具合は、界面活性剤を含有しない組成物を用いたことで発生したといえる。

＜比較例２＞
被めっき層形成用層とフォトマスクとを真空密着させず、被めっき層形成用層とフォトマスクとの間に、１０μｍのスペースを空けて露光処理を行った以外は、実施例１と同様にして、比較例２のパターン状被めっき層を形成し、同様の評価を行った。
その結果、比較例２においては、幅１μｍのライン状の細線パターンの開口部を有するフォトマスクを使用したものの、幅８±０．５μｍの線幅にパターニングされたパターン状被めっき層が得られた。このように、比較例２の製造方法によれば、精度の高いパターン状被めっき層を形成できなかった。

＜比較例３＞
被めっき層形成用層とフォトマスクとを真空密着させず、被めっき層形成用層とフォトマスクとが接するように配置して露光処理を行った以外は、実施例１と同様にして、比較例３のパターン状被めっき層を形成し、同様の評価を行った。
その結果、比較例３においては、幅１μｍのライン状の細線パターンの開口部を有するフォトマスクを使用したものの、バラつきが大きく幅１．２〜３μｍの線幅にパターニングされたパターン状被めっき層が得られた。このように、比較例３の製造方法によれば、精度の高いパターン状被めっき層を形成できなかった。

１２ 基板
１４ 被めっき層形成用層
１４ａ 露光領域（露光部分）
１４ｂ 未露光領域（未露光部分）
１４Ａ パターン状被めっき層
２０ 金属層
２２ 検出電極
２４ 引き出し配線
３０ 導電性積層体
５０ マスク
５２ 開口部

Claims (10)

1. 界面活性剤と、重合開始剤と、以下の化合物Ｘまたは化合物Ｙと、を含有する被めっき層形成用組成物を基板上に付与して、被めっき層形成用層を形成する工程と、
   前記被めっき層形成用層と、マスクと、を真空下で密着させて、前記被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を行う工程と、
   前記被めっき層形成用層の現像処理を行って、パターン状被めっき層を形成する工程と、
   を含む、パターン状被めっき層の製造方法。
   化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、および、重合性基を有する化合物
   組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
2. 前記現像処理が、前記被めっき層形成用層のうち未露光領域を除去する処理である、請求項１に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
3. 前記界面活性剤が、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含有する、請求項１または２に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
4. 前記被めっき層形成用組成物が多官能（メタ）アクリルアミドを含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
5. 前記パターン状被めっき層の表面の接触角が９０〜１２０°である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
6. 前記露光処理が、平行光露光機を用いて行われる、請求項１〜５のいずれか１項に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
7. 前記露光処理が、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することで行われる、請求項１〜６のいずれか１項に記載のパターン状被めっき層の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のパターン状被めっき層の形成方法により得られたパターン状被めっき層の上に、金属層を形成する工程を有する、導電性積層体の製造方法。
9. 請求項８に記載の製造方法より製造された導電性積層体と、検出電極と、引き出し配線と、を有するタッチパネルセンサーの製造方法であって、
   前記導電性積層体における前記パターン状被めっき層を、前記検出電極および前記引き出し配線を形成する位置に形成する工程を含み、
   前記導電性積層体における前記金属層が、前記検出電極および前記引き出し配線の少なくとも一方として機能する、タッチパネルセンサーの製造方法。
10. 請求項９に記載の製造方法により形成されたタッチパネルセンサーと、表示装置と、を有するタッチパネルの製造方法であって、
    前記表示装置と前記タッチパネルセンサーとを組み合わせる工程を含む、タッチパネルの製造方法。