JP6527928B2 - サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 - Google Patents
サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6527928B2 JP6527928B2 JP2017230123A JP2017230123A JP6527928B2 JP 6527928 B2 JP6527928 B2 JP 6527928B2 JP 2017230123 A JP2017230123 A JP 2017230123A JP 2017230123 A JP2017230123 A JP 2017230123A JP 6527928 B2 JP6527928 B2 JP 6527928B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- heat sink
- thermal
- interface device
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 56
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 claims description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 2
- LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FCC(F)(F)F LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
本発明は、サーマルインターフェースをとるための装置及び方法に関するものであり、
特に、限定はされないが、マイクロ波や高出力の高周波（ＲＦ）トランジスタのような高
出力トランジスタを、ヒートシンク部品に対してインターフェースをとるための装置及び
方法に関するものである。本発明の装置及び方法は、例えば工業、及び／又は医療のマイ
クロ波用途に使用ことができる。
特に、限定はされないが、マイクロ波や高出力の高周波（ＲＦ）トランジスタのような高
出力トランジスタを、ヒートシンク部品に対してインターフェースをとるための装置及び
方法に関するものである。本発明の装置及び方法は、例えば工業、及び／又は医療のマイ
クロ波用途に使用ことができる。
例えば、高周波（ＲＦ）及びマイクロ波増幅器のような高出力増幅器は、典型的には、
バイアスをかけて信号を入力／出力する回路基板の周囲に形成される、高出力で高周波数
のトランジスタを使用して構成され、トランジスタは、標準のフランジマウントタイプの
パッケージ内に封入されている。
バイアスをかけて信号を入力／出力する回路基板の周囲に形成される、高出力で高周波数
のトランジスタを使用して構成され、トランジスタは、標準のフランジマウントタイプの
パッケージ内に封入されている。
使用時に、高出力増幅器は一般に、動作エネルギーの大部分を熱として消散し、場合に
よっては、増幅器の動作エネルギーの約４０％〜９０％が発生熱として失われる。
よっては、増幅器の動作エネルギーの約４０％〜９０％が発生熱として失われる。
この発生熱をうまく処理するための多くの手段が提案されている。
例えばフランジマウントタイプのパッケージは、熱伝達用の増幅器のハウジングに直接
ボルト止めすることができる。
ボルト止めすることができる。
周囲の大気へ熱を拡散させるために、フィン付きヒートシンクのようなヒートシンクを
設けることができる。場合によっては、増幅器のハウジングをヒートシンクに結合させる
ことができる。
設けることができる。場合によっては、増幅器のハウジングをヒートシンクに結合させる
ことができる。
強制空冷ファンを設けることは、増幅器からの熱を方向付けるのに役立ち、場合によっ
ては、ヒートシンクの効率を高めるために、ヒートシンクに加えて冷却ファンを設けるこ
とができる。
ては、ヒートシンクの効率を高めるために、ヒートシンクに加えて冷却ファンを設けるこ
とができる。
ヒートシンク、及び／又はファンを設けることは、増幅器によって発生される熱の消散
に役立つことになるが、ヒートシンクやファンは、増幅器によって占められる体積を著し
く増大させ、ヒートシンクデバイスは相対的に嵩張るものとなる。例えば、ヒートシンク
は、熱を消散させるために、アルミニウムや他の導体のような比較的大きな体積の金属や
多数のフィンで構成されることがよくある。従って、ヒートシンクを使用すると、比較的
小さなトランジスタは、例えば金属のようなかなりの体積の材料を、熱平衡が得られるま
で長期間加熱しなければならず、これは効果的ではない。
に役立つことになるが、ヒートシンクやファンは、増幅器によって占められる体積を著し
く増大させ、ヒートシンクデバイスは相対的に嵩張るものとなる。例えば、ヒートシンク
は、熱を消散させるために、アルミニウムや他の導体のような比較的大きな体積の金属や
多数のフィンで構成されることがよくある。従って、ヒートシンクを使用すると、比較的
小さなトランジスタは、例えば金属のようなかなりの体積の材料を、熱平衡が得られるま
で長期間加熱しなければならず、これは効果的ではない。
最近になって、マイクロプロセッサの業界用に開発されたヒートシンクは、かなりのペ
ースで進化しており、非常にコンパクトな占有領域から高レベルの熱を逃がすことができ
る、非常にコンパクトで効率のよいデバイスとなっている。例えば、あるマイクロプロセ
ッサのヒートシンクは、伝導や対流を用いて熱を高効率で逃がすヒートパイプの技術、又
は循環液によるヒートシンクの技術を利用している。ヒートパイプは、高温表面に接触す
るヒートシンクの表面に近接して設置される。ヒートパイプ式のヒートシンクの例は、高
温表面からの熱をファン付き又はファン無しの熱交換器や放熱器に引き出すために、流体
（例えば、エタノール、アセトン、水、ナトリウム又は水銀）の潜熱、固体で高伝導性の
導体、又は循環冷却液を使用することもできる。ヒートパイプをベースとした既知のマイ
クロプロセッサのヒートシンクの例には、ザルマン社のＶＦ２０００（ＲＴＭ）ＶＧＡ／
ＣＰＵファン内蔵のヒートパイプ、ティーエスヒートニクス社のＮＣＵ−１０００（ハイ
ドロフルオロカーボン−１３４ａの液体蒸気によるヒートパイプ）及びコルセア社のＨ７
０（ファン付き熱交換器を備える水冷ヒートシンク）が含まれる。
ースで進化しており、非常にコンパクトな占有領域から高レベルの熱を逃がすことができ
る、非常にコンパクトで効率のよいデバイスとなっている。例えば、あるマイクロプロセ
ッサのヒートシンクは、伝導や対流を用いて熱を高効率で逃がすヒートパイプの技術、又
は循環液によるヒートシンクの技術を利用している。ヒートパイプは、高温表面に接触す
るヒートシンクの表面に近接して設置される。ヒートパイプ式のヒートシンクの例は、高
温表面からの熱をファン付き又はファン無しの熱交換器や放熱器に引き出すために、流体
（例えば、エタノール、アセトン、水、ナトリウム又は水銀）の潜熱、固体で高伝導性の
導体、又は循環冷却液を使用することもできる。ヒートパイプをベースとした既知のマイ
クロプロセッサのヒートシンクの例には、ザルマン社のＶＦ２０００（ＲＴＭ）ＶＧＡ／
ＣＰＵファン内蔵のヒートパイプ、ティーエスヒートニクス社のＮＣＵ−１０００（ハイ
ドロフルオロカーボン−１３４ａの液体蒸気によるヒートパイプ）及びコルセア社のＨ７
０（ファン付き熱交換器を備える水冷ヒートシンク）が含まれる。
マイクロプロセッサのヒートシンクは、特に、最新のマイクロプロセッサＣＰＵのヒー
トスプレッダ上に直接結合させるように設計されている。ヒートスプレッダはＣＰＵのカ
プセル化ケースの物理的表面（典型的に上面）である。ＣＰＵのヒートスプレッダは平ら
であり、またヒートシンク内へ熱が最大限移動し易くなるように研磨するのがよい。マイ
クロプロセッサのヒートシンクは通常、マイクロプロセッサとコンピュータのマザーボー
ドとを機械的にまた電気的に接続する機械的部品である、ＣＰＵソケット（又はＣＰＵス
ロット）と互換性があるという特長がある（ＣＰＵソケットの１つの例に、インテル社の
ＬＧＡ７７５がある）。
トスプレッダ上に直接結合させるように設計されている。ヒートスプレッダはＣＰＵのカ
プセル化ケースの物理的表面（典型的に上面）である。ＣＰＵのヒートスプレッダは平ら
であり、またヒートシンク内へ熱が最大限移動し易くなるように研磨するのがよい。マイ
クロプロセッサのヒートシンクは通常、マイクロプロセッサとコンピュータのマザーボー
ドとを機械的にまた電気的に接続する機械的部品である、ＣＰＵソケット（又はＣＰＵス
ロット）と互換性があるという特長がある（ＣＰＵソケットの１つの例に、インテル社の
ＬＧＡ７７５がある）。
どんなヒートシンクでも、トランジスタからヒートシンクへ熱を効率的に伝え易くする
ためには、トランジスタとヒートシンクとの間の熱接合部の数は、各接合部がヒートシン
クの効率を下げる絶縁層として機能するから、最小限にすることが望ましい。従って、単
一の熱接合部を提供するために、トランジスタをヒートシンクの上に直接位置させるのが
望ましい。
ためには、トランジスタとヒートシンクとの間の熱接合部の数は、各接合部がヒートシン
クの効率を下げる絶縁層として機能するから、最小限にすることが望ましい。従って、単
一の熱接合部を提供するために、トランジスタをヒートシンクの上に直接位置させるのが
望ましい。
しかしながら、上述した設計によるヒートパイプや水流をベースとしたヒートシンクは
、このタイプの直接接続に適合させることはできない。特に、これらのヒートシンクに関
連する１つの問題は、トランジスタをヒートシンクに固定するのに必要とされる取り付け
フランジボルトに適合させるため、ヒートパイプとトランジスタデバイスとの間に限られ
た大きさの金属があることである。
、このタイプの直接接続に適合させることはできない。特に、これらのヒートシンクに関
連する１つの問題は、トランジスタをヒートシンクに固定するのに必要とされる取り付け
フランジボルトに適合させるため、ヒートパイプとトランジスタデバイスとの間に限られ
た大きさの金属があることである。
更に、高出力増幅器に使用されるトランジスタから、熱を極めて正確な方法で引き出す
必要がある。
必要がある。
その上、トランジスタは、絶縁性のサーマルペーストを用いて結合される場合には設け
なくてもよいものの、取り付けフランジに良好に電気的に接地する必要がある。
なくてもよいものの、取り付けフランジに良好に電気的に接地する必要がある。
本発明の第１の態様によれば、信号を増幅するためのトランジスタと、トランジスタへ
の入力信号、及び／又はトランジスタからの出力信号を含む少なくとも１つの回路基板と
、前記トランジスタとヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成
されたサーマルインターフェースデバイスと、を備えている増幅器として用いる装置が提
供される。
の入力信号、及び／又はトランジスタからの出力信号を含む少なくとも１つの回路基板と
、前記トランジスタとヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成
されたサーマルインターフェースデバイスと、を備えている増幅器として用いる装置が提
供される。
ヒートシンクは、ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクを含む。
ヒートシンクは、マイクロプロセッサのヒートシンクを含むことができる。
ヒートシンクは、マイクロプロセッサのヒートシンクを含むことができる。
使用時において、本発明の実施形態による装置は、トランジスタからヒートシンクへ、
そして大気へ熱を伝え易くするために、トランジスタ、例えば高周波（ＲＦ）又はマイク
ロ波トランジスタを、ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンク、例えばヒートパイプ
をベースとするマイクロプロセッサのヒートシンクに接続するのに使用することができる
。
そして大気へ熱を伝え易くするために、トランジスタ、例えば高周波（ＲＦ）又はマイク
ロ波トランジスタを、ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンク、例えばヒートパイプ
をベースとするマイクロプロセッサのヒートシンクに接続するのに使用することができる
。
ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンクの技術をマイクロ波又は高周波パワートラ
ンジスタに組み入れることで、熱の消散を改善し、また増幅デバイスの重量及びサイズを
大幅に減らすことができる。
ンジスタに組み入れることで、熱の消散を改善し、また増幅デバイスの重量及びサイズを
大幅に減らすことができる。
トランジスタは、１Ｗ〜１００００Ｗの範囲、随意的に１Ｗ〜１０００Ｗの範囲、更に
随意的に２０Ｗ〜２００Ｗの範囲の出力電力を有する出力トランジスタとすることができ
る。
随意的に２０Ｗ〜２００Ｗの範囲の出力電力を有する出力トランジスタとすることができ
る。
トランジスタは、単位面積当たり１Ｗ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２の範囲、随意的に８
０Ｗ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２の範囲の出力電力を有する。
０Ｗ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２の範囲の出力電力を有する。
インターフェースデバイスは、任意の適切な形態のものとすることができる。特定の実
施態様では、インターフェースデバイスは、トランジスタとヒートシンクとの間に位置さ
せる、プレートのような機械的な本体を備えることができる。
施態様では、インターフェースデバイスは、トランジスタとヒートシンクとの間に位置さ
せる、プレートのような機械的な本体を備えることができる。
インターフェースデバイスは、ヒートシンクと組み合わせるように形成してもよい。例
えば、インターフェースデバイスは、ヒートシンクの一部に係合させる、又は結合させる
ように構成した少なくとも１つの幾何学的、及び／又は機械的特徴を含むことができる。
インターフェースデバイスは、ヒートシンクに設けた対応雌部に結合するように構成され
た雄部、又はその逆を備えてもよい。
えば、インターフェースデバイスは、ヒートシンクの一部に係合させる、又は結合させる
ように構成した少なくとも１つの幾何学的、及び／又は機械的特徴を含むことができる。
インターフェースデバイスは、ヒートシンクに設けた対応雌部に結合するように構成され
た雄部、又はその逆を備えてもよい。
インターフェースデバイスは、ＣＰＵソケット（又はＣＰＵスロット）の少なくとも１
つの幾何学的特徴と実質的に同一である少なくとも１つの幾何学的特徴を含んでもよく、
それによりマイクロプロセッサのヒートシンクとの係合が容易となる。
つの幾何学的特徴と実質的に同一である少なくとも１つの幾何学的特徴を含んでもよく、
それによりマイクロプロセッサのヒートシンクとの係合が容易となる。
トランジスタとヒートシンクとの間のインターフェースデバイスの質量を減らす、又は
最小限に抑えることにより、熱を効果的にヒートシンクに移動させ、そして大気へ放出す
ることができる。
最小限に抑えることにより、熱を効果的にヒートシンクに移動させ、そして大気へ放出す
ることができる。
動作中、トランジスタとサーマルインターフェースデバイスとの間に少なくとも１つの
熱経路が存在し、それらの熱経路の主の熱経路は、トランジスタからサーマルインターフ
ェースデバイスへ、他の熱経路よりも多くの熱を導くことができ、また、主の熱経路は、
回路基板を経由しなくてもよい。
熱経路が存在し、それらの熱経路の主の熱経路は、トランジスタからサーマルインターフ
ェースデバイスへ、他の熱経路よりも多くの熱を導くことができ、また、主の熱経路は、
回路基板を経由しなくてもよい。
動作中、サーマルインターフェースデバイスをヒートシンクと係合させると、トランジ
スタとヒートシンクとの間に少なくとも１つの熱経路が存在し、それらの熱経路の主の熱
経路は、トランジスタからヒートシンクへ、他の熱経路よりも多くの熱を導くことができ
、また、主の熱経路は、回路基板を経由しなくてもよい。
スタとヒートシンクとの間に少なくとも１つの熱経路が存在し、それらの熱経路の主の熱
経路は、トランジスタからヒートシンクへ、他の熱経路よりも多くの熱を導くことができ
、また、主の熱経路は、回路基板を経由しなくてもよい。
インターフェースデバイスは、トランジスタに直接結合させることができる。使用時に
、トランジスタとヒートシンクとの間に２つの熱接合部を提供するよう、インターフェー
スデバイスをトランジスタに直接結合させることができる。例えば、熱は、第１の熱接合
部（トランジスタとインターフェースデバイスとの間の材料界面）を経てトランジスタか
らインターフェースデバイスに直接伝わり、次に、第２の熱接合部（インターフェースデ
バイスとヒートシンクとの間の材料界面）を経て、インターフェースデバイスからヒート
シンクに直接伝わる。
、トランジスタとヒートシンクとの間に２つの熱接合部を提供するよう、インターフェー
スデバイスをトランジスタに直接結合させることができる。例えば、熱は、第１の熱接合
部（トランジスタとインターフェースデバイスとの間の材料界面）を経てトランジスタか
らインターフェースデバイスに直接伝わり、次に、第２の熱接合部（インターフェースデ
バイスとヒートシンクとの間の材料界面）を経て、インターフェースデバイスからヒート
シンクに直接伝わる。
インターフェースデバイスは、任意の適切な手段でトランジスタに直接結合させことが
できる。例えばインターフェースデバイスは、ねじのような機械的な留め具により、及び
／又は接着剤によりトランジスタに結合させることができる。代案又は加えて、インター
フェースデバイスは、トランジスタの一部に係合する、及び／又は結合させるよう構成さ
れた少なくとも１つの幾何学的、及び又は機械的特徴を含むことができる。例えば、イン
ターフェースデバイスは、トランジスタに設けられた対応雄部に結合するように構成され
た雌部、又はその逆を備えてもよい。
できる。例えばインターフェースデバイスは、ねじのような機械的な留め具により、及び
／又は接着剤によりトランジスタに結合させることができる。代案又は加えて、インター
フェースデバイスは、トランジスタの一部に係合する、及び／又は結合させるよう構成さ
れた少なくとも１つの幾何学的、及び又は機械的特徴を含むことができる。例えば、イン
ターフェースデバイスは、トランジスタに設けられた対応雄部に結合するように構成され
た雌部、又はその逆を備えてもよい。
代案として、インターフェースデバイスは、トランジスタに間接的に結合させることも
できる。例えば、セプタム又は壁によって、トランジスタとインターフェースデバイスと
の間を画成することができる。特定の実施態様では、セプタムは装置のハウジングの一部
で構成することができる。代案として、セプタムは、装置とは別の構成部品で構成しても
よい。使用時に、トランジスタとヒートシンクとの間に少なくとも３つの熱接合部を提供
するよう、インターフェースデバイスは、トランジスタに間接的に結合させることができ
る。例えば、熱は、第１の熱接合部（トランジスタとセプタムとの間の材料界面）を経て
トランジスタからセプタムに伝わることができ、第２の熱接合部（セプタムとインターフ
ェースデバイスとの間の材料界面）を経て、セプタムからインターフェースデバイスに伝
わることができ、第３の熱接合部（インターフェースデバイスとヒートシンクとの間の材
料界面）を経て、インターフェースデバイスからヒートシンクに伝わることができる。
できる。例えば、セプタム又は壁によって、トランジスタとインターフェースデバイスと
の間を画成することができる。特定の実施態様では、セプタムは装置のハウジングの一部
で構成することができる。代案として、セプタムは、装置とは別の構成部品で構成しても
よい。使用時に、トランジスタとヒートシンクとの間に少なくとも３つの熱接合部を提供
するよう、インターフェースデバイスは、トランジスタに間接的に結合させることができ
る。例えば、熱は、第１の熱接合部（トランジスタとセプタムとの間の材料界面）を経て
トランジスタからセプタムに伝わることができ、第２の熱接合部（セプタムとインターフ
ェースデバイスとの間の材料界面）を経て、セプタムからインターフェースデバイスに伝
わることができ、第３の熱接合部（インターフェースデバイスとヒートシンクとの間の材
料界面）を経て、インターフェースデバイスからヒートシンクに伝わることができる。
装置は、更に、トランジスタ、回路基板及びインターフェースデバイスの少なくとも１
つを収容、又はこれらを装着するように構成されたハウジングを備えてもよい。ハウジン
グは、任意の適切な形態のものとすることができる。特定の実施形態では、ハウジングは
、機械加工したアルミニウム製の担体又は箱を含むことができる。
つを収容、又はこれらを装着するように構成されたハウジングを備えてもよい。ハウジン
グは、任意の適切な形態のものとすることができる。特定の実施形態では、ハウジングは
、機械加工したアルミニウム製の担体又は箱を含むことができる。
トランジスタは、パッケージ化したトランジスタとすることができ、使用時において、
インターフェースデバイスは、トランジスタのパッケージとヒートシンクとを接続し易く
するように構成することができる。
インターフェースデバイスは、トランジスタのパッケージとヒートシンクとを接続し易く
するように構成することができる。
サーマルインターフェースデバイスは、ハウジングとの熱的な接触が最小限となるよう
に構成することができ、これにより、トランジスタから大気へ熱を効果的に除去する。例
えば、インターフェースデバイスはハウジングからずらして、このインターフェースデバ
イスがハウジングに直接接触しないようにして、インターフェースデバイスとハウジング
との間の熱の伝導を減らすのに役立てることができる。熱が優先的にトランジスタから直
接インターフェースデバイスへ伝わるように、エアギャップをハウジングとインターフェ
ースデバイスとの間に設けてもよい。
に構成することができ、これにより、トランジスタから大気へ熱を効果的に除去する。例
えば、インターフェースデバイスはハウジングからずらして、このインターフェースデバ
イスがハウジングに直接接触しないようにして、インターフェースデバイスとハウジング
との間の熱の伝導を減らすのに役立てることができる。熱が優先的にトランジスタから直
接インターフェースデバイスへ伝わるように、エアギャップをハウジングとインターフェ
ースデバイスとの間に設けてもよい。
インターフェースデバイスは、複数の部品や場所から熱を伝達するように構成してもよ
い。例えば、インターフェースデバイスは、高出力のトランジスタデバイスの直列又は並
列配置によって生成される多数の熱点から熱を伝達するように構成してもよい。代案とし
て、マイクロ波サーキュレータや高電力負荷を、増幅器の保護に使用してもよく、これは
インターフェースデバイスを経て伝達することもできる熱を発生する。
い。例えば、インターフェースデバイスは、高出力のトランジスタデバイスの直列又は並
列配置によって生成される多数の熱点から熱を伝達するように構成してもよい。代案とし
て、マイクロ波サーキュレータや高電力負荷を、増幅器の保護に使用してもよく、これは
インターフェースデバイスを経て伝達することもできる熱を発生する。
インターフェースデバイスは、放熱容量を増やすために複数のヒートシンク要素を収容
するように構成してもよい。例えば、ヒートシンク要素は、マイクロプロセッサの複数の
ヒートシンクを含んでもよい。代案又は加えて、ヒートシンク要素は、少なくとも１つの
標準的なフィン付きの対流式ヒートシンクを含んでもよい。従って、インターフェースデ
バイスは、マイクロプロセッサの多数のヒートシンク又はその組み合わせ、及び標準的な
フィン付きの対流式ヒートシンクとともに使用するのに適している。
するように構成してもよい。例えば、ヒートシンク要素は、マイクロプロセッサの複数の
ヒートシンクを含んでもよい。代案又は加えて、ヒートシンク要素は、少なくとも１つの
標準的なフィン付きの対流式ヒートシンクを含んでもよい。従って、インターフェースデ
バイスは、マイクロプロセッサの多数のヒートシンク又はその組み合わせ、及び標準的な
フィン付きの対流式ヒートシンクとともに使用するのに適している。
少なくともインターフェースデバイスの一部は、１つの材料、又は１つ以上の材料の組
み合わせを含んでもよく、これによりトランジスタを電気的に接地させる。デバイスの材
料は、導電性の材料を含んでもよい。任意の適切な材料を用いることが可能である。特定
の実施形態では、その材料は、銅、銀、及び／又はアルミニウムの少なくとも１つを含ん
でもよい。
み合わせを含んでもよく、これによりトランジスタを電気的に接地させる。デバイスの材
料は、導電性の材料を含んでもよい。任意の適切な材料を用いることが可能である。特定
の実施形態では、その材料は、銅、銀、及び／又はアルミニウムの少なくとも１つを含ん
でもよい。
インターフェースデバイスの少なくとも一部は、１つの材料、又は１つ以上の材料の組
み合わせを含んでもよく、これにより熱伝導性が生じる。任意の適切な材料を用いること
が可能である。特定の実施形態では、その材料は、例えば銅、銀、及び／又はアルミニウ
ムのような高い熱伝導性を有する材料を含んでもよい。
み合わせを含んでもよく、これにより熱伝導性が生じる。任意の適切な材料を用いること
が可能である。特定の実施形態では、その材料は、例えば銅、銀、及び／又はアルミニウ
ムのような高い熱伝導性を有する材料を含んでもよい。
少なくともインターフェースデバイスの一部は、１つの材料、又は１つ以上の材料の組
み合わせを含んでもよく、また、実質的に一方向性の熱伝導特性を有していてもよい。任
意の適切な材料、又は材料の組み合わせを用いることが可能である。特定の実施形態とし
て、その材料は、１つ以上の熱分解炭素系の材料、例えばモンティブ・パフォーマンス・
マテリアルズ社製のＴＣ１０５０（登録商標）や、ポリエチレンポリマーのナノファイバ
ー材料、及び／又はカーボンナノチューブ複合材料を含んでもよい。
み合わせを含んでもよく、また、実質的に一方向性の熱伝導特性を有していてもよい。任
意の適切な材料、又は材料の組み合わせを用いることが可能である。特定の実施形態とし
て、その材料は、１つ以上の熱分解炭素系の材料、例えばモンティブ・パフォーマンス・
マテリアルズ社製のＴＣ１０５０（登録商標）や、ポリエチレンポリマーのナノファイバ
ー材料、及び／又はカーボンナノチューブ複合材料を含んでもよい。
少なくともインターフェースデバイスの一部は、導電性を高め、且つ表面酸化を防ぐた
めに電気メッキするか、そうでなければコーティングするのがよい。例えば、インターフ
ェースデバイスの少なくとも一部は、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングするのが
よい。
めに電気メッキするか、そうでなければコーティングするのがよい。例えば、インターフ
ェースデバイスの少なくとも一部は、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングするのが
よい。
サーマルインターフェースデバイスの熱伝導性を高めるために、極めて高い熱伝導特性
を有する材料を、トランジスタの上、及び／又は下に設けることができる。高い熱伝導性
材料は、例えば、熱分解炭素系の材料を含むことができ、特に具体的にはＴＣ１０５０（
登録商標）を含むことができる。
を有する材料を、トランジスタの上、及び／又は下に設けることができる。高い熱伝導性
材料は、例えば、熱分解炭素系の材料を含むことができ、特に具体的にはＴＣ１０５０（
登録商標）を含むことができる。
電気的性能を維持するために、熱伝導性の材料又は組み合わせ材料の少なくとも一部は
電気メッキするか、そうでなければコーティングして、導電性を高めるのがよい。例えば
、材料の少なくとも一部は、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングすることができる
。
電気メッキするか、そうでなければコーティングして、導電性を高めるのがよい。例えば
、材料の少なくとも一部は、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングすることができる
。
従って、本発明の実施形態に従う装置は、トランジスタからヒートシンクへ、そして大
気へ熱を伝え易くするために、トランジスタ、例えば高周波（ＲＦ）やマイクロ波トラン
ジスタを、ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンク、例えばヒートパイプをベースと
するマイクロプロセッサのヒートシンク又は循環液によるマイクロプロセッサのヒートシ
ンクに接続するのに使用することができる。
気へ熱を伝え易くするために、トランジスタ、例えば高周波（ＲＦ）やマイクロ波トラン
ジスタを、ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンク、例えばヒートパイプをベースと
するマイクロプロセッサのヒートシンク又は循環液によるマイクロプロセッサのヒートシ
ンクに接続するのに使用することができる。
本発明の第２の実施態様によれば、第１の態様による装置とヒートパイプ式ヒートシン
クとの組み合わせが提供される。
クとの組み合わせが提供される。
更に、本発明の独立した態様によれば、第１及び第２の態様によるサーマルインターフ
ェースデバイスが提供される。
ェースデバイスが提供される。
更に、本発明の独立した態様によれば、信号を増幅するトランジスタを提供するステッ
プと、トランジスタへの入力信号、及びトランジスタからの出力信号を含む少なくとも１
つの回路基板を提供するステップと、トランジスタとヒートパイプ式ヒートシンクとの間
の機械的及び熱的接続を容易にするように構成されたサーマルインターフェースデバイス
を提供するステップとを含む、増幅器用のトランジスタとヒートシンクのサーマルインタ
ーフェーズをとる方法が提供される。
プと、トランジスタへの入力信号、及びトランジスタからの出力信号を含む少なくとも１
つの回路基板を提供するステップと、トランジスタとヒートパイプ式ヒートシンクとの間
の機械的及び熱的接続を容易にするように構成されたサーマルインターフェースデバイス
を提供するステップとを含む、増幅器用のトランジスタとヒートシンクのサーマルインタ
ーフェーズをとる方法が提供される。
上記で規定した本発明の任意の態様に従う特徴は、単独で又は規定された他の特徴と組
み合わせて、本発明の他の態様に適用することができることが理解されよう。
み合わせて、本発明の他の態様に適用することができることが理解されよう。
本発明に従うこれらの及び他の態様を、例示に過ぎない添付の図面を参照しながら説明
する。
する。
まず、図面の図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を参照すると、高出力トランジスタ１の上
面図、側面図及び端面図が示されている。トランジスタ１は、クリー社の製品番号ＣＧＨ
２５１２０Ｆの窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のような
、高周波（ＲＦ）、マイクロ波の高出力トランジスタを含み、電気信号接続タブ２と、取
り付けベースフランジ３と、トランジスタのカプセル４とを備える。
面図、側面図及び端面図が示されている。トランジスタ１は、クリー社の製品番号ＣＧＨ
２５１２０Ｆの窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のような
、高周波（ＲＦ）、マイクロ波の高出力トランジスタを含み、電気信号接続タブ２と、取
り付けベースフランジ３と、トランジスタのカプセル４とを備える。
トランジスタ１は、回路基板（図示せず）に取り付けることができ、またシールドボッ
クス（図示せず）内に収納されて、図２（ａ）、（ｂ）及び図３中、参照番号５で概略的
に示される増幅器を形成する。
クス（図示せず）内に収納されて、図２（ａ）、（ｂ）及び図３中、参照番号５で概略的
に示される増幅器を形成する。
上述したように、高出力増幅器は、典型的には、効率の悪さが原因で、動作エネルギー
を比較的高い割合で熱として消散する。増幅器５へのダメージを防止するために、図２（
ａ）及び図２（ｂ）に示すように、フィン付きのヒートシンク６を、既知の配置で設けて
、増幅器５からの熱を除去し、この熱を周囲へ消散させることができる。ヒートシンク６
の作用は、温風をヒートシンク６から離れる方向へ向かわせる１以上のファン７によって
も助長される。しかしながらこのような配置では、放熱要件が、熱エネルギーを周囲へ消
散させるのに必要とされる表面領域や空気の流れを決定づけることになるので、一般的に
はかなりかさばるものになる。
を比較的高い割合で熱として消散する。増幅器５へのダメージを防止するために、図２（
ａ）及び図２（ｂ）に示すように、フィン付きのヒートシンク６を、既知の配置で設けて
、増幅器５からの熱を除去し、この熱を周囲へ消散させることができる。ヒートシンク６
の作用は、温風をヒートシンク６から離れる方向へ向かわせる１以上のファン７によって
も助長される。しかしながらこのような配置では、放熱要件が、熱エネルギーを周囲へ消
散させるのに必要とされる表面領域や空気の流れを決定づけることになるので、一般的に
はかなりかさばるものになる。
ヒートパイプ式の代替ヒートシンク８を図３（ｂ）に示す。比較として、図３（ａ）に
、フィン付きの対流式ヒートシンク６を示していて、これは、図２（ａ）及び図２（ｂ）
に示されたヒートシンク６と類似又は同一のものである。相対的な大きさが理解できるよ
うに、図３（ａ）及び図３（ｂ）のそれぞれにも増幅器５を示す。
、フィン付きの対流式ヒートシンク６を示していて、これは、図２（ａ）及び図２（ｂ）
に示されたヒートシンク６と類似又は同一のものである。相対的な大きさが理解できるよ
うに、図３（ａ）及び図３（ｂ）のそれぞれにも増幅器５を示す。
図４（ａ）は、本発明の実施形態による装置２０の構成部品を示し、参照し易くするた
めにこれらの構成部品を分離して示す。図に示すように、装置２０は、ヒートパイプによ
るマイクロプロセッサのヒートシンク２２と、プレートのサーマルインターフェースデバ
イス２４と、高出力トランジスタ２６とを備えている。ヒートシンク２２は、上掲の図３
（ｂ）に示すヒートパイプ式のヒートシンク８と類似又は同一のものとすることができる
。代替実施形態では、ヒートシンクは、図４（ｂ）に示すような、循環液によるヒートシ
ンク２３とすることができ、これは通常、ポンプ（図示せず）によって循環路２５の周り
に冷却液を通す。高出力トランジスタ２６は、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すトランジス
タ１と類似又は同一の、クリー社の製品番号ＣＧＨ２５１２０Ｆの窒化ガリウム（ＧａＮ
）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のような、高周波（ＲＦ）、又はマイクロ波の
高出力トランジスタで構成することができる。このトランジスタは、１００ＭＨｚから１
００ＧＨｚまでの範囲内の少なくとも１つの周波数で動作する、他の任意のパッケージ化
されたＲＦ／マイクロ波高出力トランジスタとすることができる。ＲＦ／マイクロ波高出
力トランジスタは、１〜１０００Ｗ又はそれ以上の範囲の飽和出力電力を発生するトラン
ジスタとすることができる。製品番号ＣＧＨ４０１２０ＦＥの窒化ガリウム（ＧａＮ）高
電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の例では、その出力電力は１２０Ｗであり、約５０
Ｗの熱が生じる。マイクロ波トランジスタは、ＧａＮ、ＬＤＭＯＳ、シリコン、ＧａＡｓ
、又は他の半導体材料を含む任意の半導体化合物に基づくものであってもよい。
めにこれらの構成部品を分離して示す。図に示すように、装置２０は、ヒートパイプによ
るマイクロプロセッサのヒートシンク２２と、プレートのサーマルインターフェースデバ
イス２４と、高出力トランジスタ２６とを備えている。ヒートシンク２２は、上掲の図３
（ｂ）に示すヒートパイプ式のヒートシンク８と類似又は同一のものとすることができる
。代替実施形態では、ヒートシンクは、図４（ｂ）に示すような、循環液によるヒートシ
ンク２３とすることができ、これは通常、ポンプ（図示せず）によって循環路２５の周り
に冷却液を通す。高出力トランジスタ２６は、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すトランジス
タ１と類似又は同一の、クリー社の製品番号ＣＧＨ２５１２０Ｆの窒化ガリウム（ＧａＮ
）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のような、高周波（ＲＦ）、又はマイクロ波の
高出力トランジスタで構成することができる。このトランジスタは、１００ＭＨｚから１
００ＧＨｚまでの範囲内の少なくとも１つの周波数で動作する、他の任意のパッケージ化
されたＲＦ／マイクロ波高出力トランジスタとすることができる。ＲＦ／マイクロ波高出
力トランジスタは、１〜１０００Ｗ又はそれ以上の範囲の飽和出力電力を発生するトラン
ジスタとすることができる。製品番号ＣＧＨ４０１２０ＦＥの窒化ガリウム（ＧａＮ）高
電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の例では、その出力電力は１２０Ｗであり、約５０
Ｗの熱が生じる。マイクロ波トランジスタは、ＧａＮ、ＬＤＭＯＳ、シリコン、ＧａＡｓ
、又は他の半導体材料を含む任意の半導体化合物に基づくものであってもよい。
使用中、トランジスタ２６からヒートシンク２２への熱エネルギーの効率的な伝達を促
進するように、プレート２４をヒートシンク２２とトランジスタ２６の間に設ける。プレ
ート２４は、シートシンク２２をトランジスタ２６に接続し、これらの間に熱ルートを提
供する。
進するように、プレート２４をヒートシンク２２とトランジスタ２６の間に設ける。プレ
ート２４は、シートシンク２２をトランジスタ２６に接続し、これらの間に熱ルートを提
供する。
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の第１実施形態の概略斜視断面図であって、図６
は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した実施形態の概略断面図である。図示したように、
プレート２４と高出力トランジスタ２６は、増幅回路ハウジング２８に取り付けられる。
サーマルインターフェースプレート２４は、エアギャップ３０によって回路ハウジング２
８との接触が最小となるように構成され、エアギャップ３０は、高出力トランジスタ２６
から回路ハウジング２８への熱伝導を下げるように作用する。
は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した実施形態の概略断面図である。図示したように、
プレート２４と高出力トランジスタ２６は、増幅回路ハウジング２８に取り付けられる。
サーマルインターフェースプレート２４は、エアギャップ３０によって回路ハウジング２
８との接触が最小となるように構成され、エアギャップ３０は、高出力トランジスタ２６
から回路ハウジング２８への熱伝導を下げるように作用する。
この実施形態では、図４も参照するに、高出力トランジスタ２６は、このトランジスタ
のフランジマウント３６における穴３４を経て、インターフェースプレート２４に設けら
れたねじ穴３８に挿入されるねじ３２よってサーマルインターフェースプレート２４に直
接取り付けられる。しかしながら、トランジスタをプレート２４に固定又は結合する他の
適切な手段を用いることもできる。
のフランジマウント３６における穴３４を経て、インターフェースプレート２４に設けら
れたねじ穴３８に挿入されるねじ３２よってサーマルインターフェースプレート２４に直
接取り付けられる。しかしながら、トランジスタをプレート２４に固定又は結合する他の
適切な手段を用いることもできる。
この実施形態では、高出力トランジスタ２６とマイクロプロセッサのヒートシンク２２
との間に２つの熱接合部があり、第１の接合部はトランジスタ２６とインターフェースプ
レート２４との間の材料界面によって提供され、第２の接合部は、インターフェースプレ
ート２４とヒートシンク２２との間の材料界面によって提供される。インターフェースプ
レート２４は、高出力トランジスタ２６とマイクロプロセッサのヒートシンク２２との相
互接続を可能とし、プレート２４は、トランジスタ２６とヒートシンク２２との間の機械
的なインターフェースや熱ルートを提供する。
との間に２つの熱接合部があり、第１の接合部はトランジスタ２６とインターフェースプ
レート２４との間の材料界面によって提供され、第２の接合部は、インターフェースプレ
ート２４とヒートシンク２２との間の材料界面によって提供される。インターフェースプ
レート２４は、高出力トランジスタ２６とマイクロプロセッサのヒートシンク２２との相
互接続を可能とし、プレート２４は、トランジスタ２６とヒートシンク２２との間の機械
的なインターフェースや熱ルートを提供する。
これらの接合部全域の熱伝導性を高めるために、ヒートシンク化合物、例えばＡｒｃｔ
ｉｃ Ｓｉｌｖｅｒ ＃５を、高出力トランジスタ２６とサーマルインターフェースプレ
ート２４との間、及び／又はサーマルインターフェースプレート２４とマイクロプロセッ
サのヒートシンク２２との間に付着するのがよい。
ｉｃ Ｓｉｌｖｅｒ ＃５を、高出力トランジスタ２６とサーマルインターフェースプレ
ート２４との間、及び／又はサーマルインターフェースプレート２４とマイクロプロセッ
サのヒートシンク２２との間に付着するのがよい。
高出力トランジスタ２６、サーマルインターフェースプレート２４、マイクロプロセッ
サのヒートシンク２２及びハウジング２８を組み立てたものが、図７（ａ）及び図７（ｂ
）に示されていて、これらの図は、図４〜６の装置２０の概略断面図を、装置２０に接続
したザルマン社のＶＦ２０００（登録商標）ＶＧＡ／ＣＰＵファン内蔵ヒートシンク２２
と一緒に示している。
サのヒートシンク２２及びハウジング２８を組み立てたものが、図７（ａ）及び図７（ｂ
）に示されていて、これらの図は、図４〜６の装置２０の概略断面図を、装置２０に接続
したザルマン社のＶＦ２０００（登録商標）ＶＧＡ／ＣＰＵファン内蔵ヒートシンク２２
と一緒に示している。
図８及び９を参照すると、本発明の代替実施形態による装置の概略断面図と概略斜視断
面図が示されており、第１と第２の実施形態間の同様の構成要素には、同様な参照番号に
１００を増やして示してある。図示のように、装置１２０は、増幅回路ハウジング１２８
内に取り付けた、インターフェースプレート１２４の形態のサーマルインターフェースデ
バイスを有する。高出力トランジスタ１２６は、回路ハウジング１２８の上に取り付けら
れ、薄いセプタム領域１４０によってサーマルインターフェースプレート１２４から分離
されている。
面図が示されており、第１と第２の実施形態間の同様の構成要素には、同様な参照番号に
１００を増やして示してある。図示のように、装置１２０は、増幅回路ハウジング１２８
内に取り付けた、インターフェースプレート１２４の形態のサーマルインターフェースデ
バイスを有する。高出力トランジスタ１２６は、回路ハウジング１２８の上に取り付けら
れ、薄いセプタム領域１４０によってサーマルインターフェースプレート１２４から分離
されている。
第１実施形態と同様に、サーマルインターフェースプレート１２４は、エアギャップ１
３０によって回路ハウジング１２８との接触が最小となるように構成され、エアギャップ
１３０は、高出力トランジスタ１２６から回路ハウジング１２８への熱伝導を減らすよう
に作用する。
３０によって回路ハウジング１２８との接触が最小となるように構成され、エアギャップ
１３０は、高出力トランジスタ１２６から回路ハウジング１２８への熱伝導を減らすよう
に作用する。
セプタム１４０は、トランジスタ１２６／増幅装置１２０の内側に電気接地面を維持し
、またギャップを経て外側に漏れるのを防止する。このようなギャップは、望ましくない
寄生インダクタンス又は寄生容量を誘起することにより、トランジスタ１２６／増幅装置
１２０の性能にも影響を及ぼす。
、またギャップを経て外側に漏れるのを防止する。このようなギャップは、望ましくない
寄生インダクタンス又は寄生容量を誘起することにより、トランジスタ１２６／増幅装置
１２０の性能にも影響を及ぼす。
この第２実施形態では、高出力トランジスタ１２６とマイクロプロセッサのヒートシン
ク１２２との間に３つの熱接合部があり、第１の接合部は、トランジスタ１２６とセプタ
ム１４０との間の材料界面によって提供され、第２の接合部は、セプタム１４０とインタ
ーフェースプレート１２４との間の材料界面によって提供され、第３の接合部は、インタ
ーフェースプレート１２４とヒートシンク１２２の間の材料界面によって提供される。
ク１２２との間に３つの熱接合部があり、第１の接合部は、トランジスタ１２６とセプタ
ム１４０との間の材料界面によって提供され、第２の接合部は、セプタム１４０とインタ
ーフェースプレート１２４との間の材料界面によって提供され、第３の接合部は、インタ
ーフェースプレート１２４とヒートシンク１２２の間の材料界面によって提供される。
この実施形態では、ヒートシンク化合物として、例えばＡｒｃｔｉｃ Ｓｉｌｖｅｒ
＃５を、出力トランジスタ１２６と回路ハウジングにおけるセプタム１４０の内側面との
間、及び／又は回路ハウジングにおけるセプタム１４０の外側面とサーマルインターフェ
ースプレート１２４との間、及び／又はサーマルインターフェースプレート１２４とマイ
クロプロセッサのヒートシンク１２２との間に塗布するのがよい。
＃５を、出力トランジスタ１２６と回路ハウジングにおけるセプタム１４０の内側面との
間、及び／又は回路ハウジングにおけるセプタム１４０の外側面とサーマルインターフェ
ースプレート１２４との間、及び／又はサーマルインターフェースプレート１２４とマイ
クロプロセッサのヒートシンク１２２との間に塗布するのがよい。
高出力トランジスタ１２６、サーマルインターフェースプレート１２４及びマイクロプ
ロセッサのヒートシンク１２２を含む完成した配置を図１０及び図１１に示す。
ロセッサのヒートシンク１２２を含む完成した配置を図１０及び図１１に示す。
図１２は、図１０及び図１１に示す配置での試験結果を示すグラフである。そのグラフ
は、Ｘ軸の時間に対し、左側のＹ軸に２．４５ＧＨｚでの増幅効率を示している。またそ
のグラフは、Ｘ軸の時間に対し、右側のＹ軸に増幅器の温度も示している。
は、Ｘ軸の時間に対し、左側のＹ軸に２．４５ＧＨｚでの増幅効率を示している。またそ
のグラフは、Ｘ軸の時間に対し、右側のＹ軸に増幅器の温度も示している。
本明細書に示した実施形態は、インターフェースデバイスとヒートパイプ式ヒートシン
クとの係合について説明したが、インターフェースデバイスは同様に、循環液によるヒー
トシンクに係合させるように配置してもよく、このような配置は代替実施形態で提供され
る。
クとの係合について説明したが、インターフェースデバイスは同様に、循環液によるヒー
トシンクに係合させるように配置してもよく、このような配置は代替実施形態で提供され
る。
インターフェースデバイスは、任意の適切な材料で形成することが可能であり、例えば
、銅、銀、及び／又はアルミニウムの少なくとも１つで形成することができる。通常、イ
ンターフェースデバイスにおいては高い熱伝導性を有することが望ましい。
、銅、銀、及び／又はアルミニウムの少なくとも１つで形成することができる。通常、イ
ンターフェースデバイスにおいては高い熱伝導性を有することが望ましい。
ある実施形態では、インターフェースデバイスの少なくとも一部は、実質的に一方向性
の熱伝導特性を有する１つの材料又は１つ以上の材料の組み合わせを含む。任意の適切な
材料、又は材料の組み合わせを用いることができる。ある実施形態では、デバイス材料は
、１つ以上の熱分解炭素系の材料、例えばモンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社
製のＴＣ１０５０（登録商標）や、ポリエチレンポリマーのナノファイバー材料、及び／
又はカーボンナノチューブ複合材料を含むことができる。実質的に一方向性の熱伝導性を
有する材料は、他の方向よりも１つの方向の熱伝導性がより大きい材料とすることができ
る。
の熱伝導特性を有する１つの材料又は１つ以上の材料の組み合わせを含む。任意の適切な
材料、又は材料の組み合わせを用いることができる。ある実施形態では、デバイス材料は
、１つ以上の熱分解炭素系の材料、例えばモンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社
製のＴＣ１０５０（登録商標）や、ポリエチレンポリマーのナノファイバー材料、及び／
又はカーボンナノチューブ複合材料を含むことができる。実質的に一方向性の熱伝導性を
有する材料は、他の方向よりも１つの方向の熱伝導性がより大きい材料とすることができ
る。
インターフェースデバイスの少なくとも一部は、導電性を高め、且つ表面酸化を防ぐた
めに電気メッキするか、そうでなければコーティングするのがよい。例えば、インターフ
ェースデバイスの少なくとも一部は、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングするのが
よい。
めに電気メッキするか、そうでなければコーティングするのがよい。例えば、インターフ
ェースデバイスの少なくとも一部は、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングするのが
よい。
サーマルインターフェースデバイスの熱伝導性を高めるために、極めて高い熱伝導特性
を有する材料を、トランジスタの上、及び／又は下に設けることができる。高い熱伝導性
材料は、例えば、熱分解炭素系の材料を含むことができ、特に具体的にはＴＣ１０５０（
登録商標）を含むことができる。
を有する材料を、トランジスタの上、及び／又は下に設けることができる。高い熱伝導性
材料は、例えば、熱分解炭素系の材料を含むことができ、特に具体的にはＴＣ１０５０（
登録商標）を含むことができる。
電気的性能を維持するために、熱伝導性の材料又は組み合わせ材料の少なくとも一部は
電気メッキするか、そうでなければコーティングして、導電性を高めるのがよい。例えば
、材料の少なくとも一部を、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングすることができる
。
電気メッキするか、そうでなければコーティングして、導電性を高めるのがよい。例えば
、材料の少なくとも一部を、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）でコーティングすることができる
。
ここに記載した実施形態は単に例示であり、本発明の範囲から逸脱することなく、種々
の変更が可能であることは理解されるであろう。
の変更が可能であることは理解されるであろう。
例えば、トランジスタとヒートシンクとの間の熱接合部の数は、最小限に抑えるのが望
ましいが、本発明の装置は、トランジスタとヒートシンクとの間の適当な箇所に熱接合部
を３つ以上設けるように構成してもよい。
ましいが、本発明の装置は、トランジスタとヒートシンクとの間の適当な箇所に熱接合部
を３つ以上設けるように構成してもよい。
Claims (24)
- 増幅器として用いる装置であって、
信号を増幅するための高周波又はマイクロ波トランジスタと、
前記トランジスタへ入力信号を提供する、及び／又は前記トランジスタからの信号を受信する少なくとも１つの回路基板と、
前記少なくとも１つの回路基板を収容、又は装着するように構成された、セプタム領域を含むハウジングであって、前記セプタム領域は前記トランジスタが取り付けられるように構成されている、ハウジングと、
前記トランジスタとヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成されたサーマルインターフェースデバイスであって、前記トランジスタと前記サーマルインターフェースデバイスは、前記ハウジング上に取り付けられ、前記ハウジングの前記セプタム領域によって分離され、それにより、前記サーマルインターフェースデバイスが前記ハウジングの前記セプタム領域を介して前記トランジスタと間接的に結合する、サーマルインターフェースデバイスと、
を備えており、
前記サーマルインターフェースデバイスが前記ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクに取り付けられたとき、前記トランジスタと前記ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間に少なくとも一つの熱経路が存在し、
前記少なくとも一つの熱経路の主たる熱経路は、前記ハウジングの前記セプタム領域を介しており、前記少なくとも一つの熱経路の他の熱経路よりも、動作中により熱を伝達し、
前記主たる熱経路は、前記少なくとも１つの回路基板を介することなく、
前記トランジスタと前記ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間の主たる熱経路において、少なくとも３つの熱接合部がある、
装置。 - 請求項１に記載の装置において、
ａ）前記ハウジングの表面と前記インターフェースデバイスとの間にエアギャップが設けられる、
ｂ）前記インターフェースデバイスは前記ハウジングからずれており、前記インターフェースデバイスの本体が前記ハウジングに直接接しない、
の少なくとも一方である、装置。 - 請求項１又は２に記載の装置において、前記ヒートシンクは、マイクロプロセッサのヒートシンクを含む、装置。
- 請求項１〜３の何れか一項に記載の装置において、前記トランジスタは、１Ｗ〜１００００Ｗの範囲の出力電力を有するパワートランジスタを含む、装置。
- 請求項１〜３の何れか一項に記載の装置において、前記トランジスタは、１Ｗ〜１０００Ｗの範囲の出力電力を有するパワートランジスタを含む、装置。
- 請求項１〜３の何れか一項に記載の装置において、前記トランジスタは、２０Ｗ〜２００Ｗの範囲の出力電力を有するパワートランジスタを含む、装置。
- 請求項１〜６の何れか一項に記載の装置において、前記トランジスタは、単位表面積当たり１Ｗ／ｃｍ２〜１００Ｗ／ｃｍ２の範囲の出力電力を有する、装置。
- 請求項１〜６の何れか一項に記載の装置において、前記トランジスタは、単位表面積当たり８０Ｗ／ｃｍ ２ 〜１００Ｗ／ｃｍ ２ の範囲の出力電力を有する、装置。
- 請求項１〜８の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスは、ヒートシンクの一部と係合するよう構成された少なくとも１つの幾何学的特徴、例えば、ヒートシンクに設けた雄部及び雌部の一方と結合するように構成された雄部及び雌部の他方を備えている、装置。
- 請求項１〜９の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスは、前記ハウジングとの熱的接触が最小限となるように構成される、装置。
- 請求項１０に記載の装置において、前記ハウジングと前記インターフェースデバイスとの間にエアギャップが設けられる、装置。
- 請求項１〜１１の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスは、複数のヒートシンク要素を収容するように構成される、装置。
- 請求項１〜１２の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスは、マイクロプロセッサのヒートシンクを複数収容するように構成される、装置。
- 請求項１〜１３の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスは、少なくとも１つのヒートパイプ式ヒートシンクと、少なくとも１つの標準的なフィン付き対流式ヒートシンクとを収容するように構成される、装置。
- 請求項１〜１４の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、前記トランジスタを電気的に接地する材料からなる、装置。
- 請求項１〜１５の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、導電性の材料を含む、装置。
- 請求項１〜１６の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、熱伝導性の材料を含む、装置。
- 請求項１７に記載の装置において、前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、一方向性の熱伝導特性を有する材料を含む、装置。
- 請求項１〜１８の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、熱分解炭素系の材料、ポリエチレンポリマーのナノファイバー材料、及び／又はカーボンナノチューブ複合材料の群から選択される材料を含む、装置。
- 請求項１〜１９の何れか一項に記載の装置において、前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、電気メッキされる、装置。
- 請求項１〜２０の何れか一項に記載の装置において、熱分解炭素系の材料が、前記トランジスタの上、及び／又は下に設けられる、装置。
- 請求項１〜２１の何れか一項に記載の装置において、前記トランジスタは、パッケージ化されたトランジスタを含み、前記インターフェースデバイスは、使用時に、前記トランジスタのパッケージと前記ヒートシンクとを接続し易くするように構成される、装置。
- 請求項１〜２２の何れか一項に記載の装置において、ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクと組み合わせる、装置。
- 増幅器において使用する、トランジスタとヒートシンクのサーマルインターフェースをとる方法であって、前記トランジスタは信号増幅するものであり、前記トランジスタへ入力信号を提供し、且つ前記トランジスタから信号を受信する少なくとも１つの回路基板と接続されており、
サーマルインターフェースデバイスを用いて、前記トランジスタと、マイクロプロセッサのヒートパイプ式ヒートシンク又はマイクロプロセッサの循環液によるヒートシンクとを機械的及び熱的に接続するステップを含み、
機械的及び熱的に接続するステップは、前記トランジスタと前記サーマルインターフェースデバイスを、ハウジング上に当該ハウジングのセプタム領域によって両者が分離されるように取り付けるステップを含み、それにより、前記サーマルインターフェースデバイスが当該セプタム領域を介して前記トランジスタと間接的に結合し、前記トランジスタが前記ハウジングの前記セプタム領域に取り付けられ、
前記サーマルインターフェースデバイスが前記ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクに取り付けられたとき、前記トランジスタと前記ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間に少なくとも一つの熱経路が存在し、
前記少なくとも一つの熱経路の主たる熱経路は、前記ハウジングの前記セプタム領域を介しており、前記少なくとも一つの熱経路の他の熱経路よりも、動作中により熱を伝達し、
前記主たる熱経路は、前記少なくとも１つの回路基板を介することなく、
前記トランジスタと前記ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間の主たる熱経路において、少なくとも３つの熱接合部がある、
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36489010P | 2010-07-16 | 2010-07-16 | |
| US61/364,890 | 2010-07-16 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016029112A Division JP2016139810A (ja) | 2010-07-16 | 2016-02-18 | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018056585A JP2018056585A (ja) | 2018-04-05 |
| JP6527928B2 true JP6527928B2 (ja) | 2019-06-12 |
Family
ID=44628753
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013519149A Pending JP2013531389A (ja) | 2010-07-16 | 2011-07-15 | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
| JP2016029112A Pending JP2016139810A (ja) | 2010-07-16 | 2016-02-18 | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
| JP2017230123A Active JP6527928B2 (ja) | 2010-07-16 | 2017-11-30 | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013519149A Pending JP2013531389A (ja) | 2010-07-16 | 2011-07-15 | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
| JP2016029112A Pending JP2016139810A (ja) | 2010-07-16 | 2016-02-18 | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9054659B2 (ja) |
| EP (1) | EP2603928B1 (ja) |
| JP (3) | JP2013531389A (ja) |
| CN (1) | CN103189978B (ja) |
| AU (1) | AU2011278089B2 (ja) |
| CA (1) | CA2805695C (ja) |
| ES (1) | ES2797389T3 (ja) |
| PL (1) | PL2603928T3 (ja) |
| WO (1) | WO2012007722A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5928233B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-06-01 | 富士通株式会社 | 放熱器及び該放熱器を備えた電子装置 |
| DE112016005528T5 (de) * | 2015-12-04 | 2018-08-30 | Rohm Co., Ltd. | Leistungsmodulvorrichtung, Kühlstruktur und elektrisches Fahrzeug oder elektrisches Hybridfahrzeug |
| TWI618477B (zh) * | 2016-02-25 | 2018-03-11 | 台達電子工業股份有限公司 | 射頻放大系統及其散熱裝置 |
| US20190387586A1 (en) * | 2016-12-27 | 2019-12-19 | Whirlpool Corporation | Nano-cooling in solid-state cooking microwave ovens |
| JP7049574B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2022-04-07 | カシオ計算機株式会社 | 冷却装置、光源装置及び投影装置 |
| KR102526941B1 (ko) * | 2021-10-19 | 2023-04-28 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 고출력 증폭기의 정비성 개선을 위한 방열판 구조 및 고출력 증폭기와 방열판의 분리 방법 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4320349A (en) | 1979-12-13 | 1982-03-16 | Zenith Radio Corporation | Thermal coupler for amplifier temperature compensation |
| US4376287A (en) * | 1980-10-29 | 1983-03-08 | Rca Corporation | Microwave power circuit with an active device mounted on a heat dissipating substrate |
| JPS6096842U (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 株式会社安川電機 | 電子装置 |
| JPH0346521Y2 (ja) * | 1985-02-27 | 1991-10-01 | ||
| US4967201A (en) | 1987-10-22 | 1990-10-30 | Westinghouse Electric Corp. | Multi-layer single substrate microwave transmit/receive module |
| JPH04296103A (ja) | 1991-03-25 | 1992-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体混成集積回路装置 |
| US5208554A (en) | 1992-01-24 | 1993-05-04 | Systron Donner Corporation | High power compact microwave amplifier |
| US5276585A (en) | 1992-11-16 | 1994-01-04 | Thermalloy, Inc. | Heat sink mounting apparatus |
| US5313099A (en) | 1993-03-04 | 1994-05-17 | Square Head, Inc. | Heat sink assembly for solid state devices |
| KR100245971B1 (ko) | 1995-11-30 | 2000-03-02 | 포만 제프리 엘 | 중합접착제를 금속에 접착시키기 위한 접착력 촉진층을 이용하는 히트싱크어셈블리 및 그 제조방법 |
| US6075701A (en) | 1999-05-14 | 2000-06-13 | Hughes Electronics Corporation | Electronic structure having an embedded pyrolytic graphite heat sink material |
| US6543524B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-04-08 | Cool Options, Inc. | Overplated thermally conductive part with EMI shielding |
| KR100396772B1 (ko) | 2001-02-02 | 2003-09-03 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로파를 이용한 조명기구 |
| US20020122295A1 (en) * | 2001-03-05 | 2002-09-05 | Ralph Laing | Hard disk drive tray |
| JP2003168769A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2004158726A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Kobe Steel Ltd | ヒートスプレッダ付半導体素子及び半導体パッケージ |
| DE10333229A1 (de) * | 2003-07-21 | 2005-02-24 | Peter Heiss | Vorrichtung zum Kühlen eines wärmeerzeugenden Schaltkreises |
| JP4296103B2 (ja) | 2004-02-17 | 2009-07-15 | 株式会社東芝 | ポンプ運転支援装置 |
| US7342788B2 (en) * | 2004-03-12 | 2008-03-11 | Powerwave Technologies, Inc. | RF power amplifier assembly with heat pipe enhanced pallet |
| JP4543864B2 (ja) | 2004-10-05 | 2010-09-15 | ソニー株式会社 | 放熱部品及びその製造方法 |
| US7439618B2 (en) | 2005-03-25 | 2008-10-21 | Intel Corporation | Integrated circuit thermal management method and apparatus |
| JP2007019585A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 高周波電力増幅器および無線通信装置 |
| JP4799069B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2011-10-19 | Ｊｆｅ精密株式会社 | 電子機器で用いる放熱板 |
| CN100543974C (zh) * | 2005-09-02 | 2009-09-23 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 散热模组及其制造方法 |
| TWI305131B (en) | 2005-09-08 | 2009-01-01 | Ind Tech Res Inst | Heat dissipation device and composite material with high thermal conductivity |
| US7278470B2 (en) | 2005-11-21 | 2007-10-09 | Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. | Heat dissipation device |
| US7347251B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Heat sink for distributing a thermal load |
| US20080067668A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Wei Shi | Microelectronic package, method of manufacturing same, and system containing same |
| JP4531087B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2010-08-25 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JP2009266983A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 放熱構造及び該放熱構造の製造方法並びに該放熱構造を用いた放熱装置 |
| JP2009295916A (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Daikin Ind Ltd | 冷凍装置 |
-
2011
- 2011-07-15 US US13/810,320 patent/US9054659B2/en active Active
- 2011-07-15 CA CA2805695A patent/CA2805695C/en active Active
- 2011-07-15 JP JP2013519149A patent/JP2013531389A/ja active Pending
- 2011-07-15 WO PCT/GB2011/001059 patent/WO2012007722A2/en active Application Filing
- 2011-07-15 PL PL11734169T patent/PL2603928T3/pl unknown
- 2011-07-15 EP EP11734169.3A patent/EP2603928B1/en active Active
- 2011-07-15 ES ES11734169T patent/ES2797389T3/es active Active
- 2011-07-15 CN CN201180044649.8A patent/CN103189978B/zh active Active
- 2011-07-15 AU AU2011278089A patent/AU2011278089B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-18 JP JP2016029112A patent/JP2016139810A/ja active Pending
-
2017
- 2017-11-30 JP JP2017230123A patent/JP6527928B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL2603928T3 (pl) | 2021-01-11 |
| CN103189978B (zh) | 2015-12-09 |
| US9054659B2 (en) | 2015-06-09 |
| AU2011278089A1 (en) | 2013-02-21 |
| EP2603928B1 (en) | 2020-03-18 |
| JP2016139810A (ja) | 2016-08-04 |
| JP2018056585A (ja) | 2018-04-05 |
| US20130154748A1 (en) | 2013-06-20 |
| WO2012007722A3 (en) | 2012-04-05 |
| WO2012007722A2 (en) | 2012-01-19 |
| CA2805695A1 (en) | 2012-01-19 |
| ES2797389T3 (es) | 2020-12-02 |
| CA2805695C (en) | 2019-06-04 |
| CN103189978A (zh) | 2013-07-03 |
| JP2013531389A (ja) | 2013-08-01 |
| AU2011278089B2 (en) | 2015-07-16 |
| EP2603928A2 (en) | 2013-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6527928B2 (ja) | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 | |
| US9282675B2 (en) | Thermal expansion-enhanced heat sink for an electronic assembly | |
| US6410982B1 (en) | Heatpipesink having integrated heat pipe and heat sink | |
| US5933323A (en) | Electronic component lid that provides improved thermal dissipation | |
| US9013874B2 (en) | Heat dissipation device | |
| US7675163B2 (en) | Carbon nanotubes for active direct and indirect cooling of electronics device | |
| US20110100612A1 (en) | Liquid cooling device | |
| US7907407B2 (en) | Heat dissipating device | |
| US5725050A (en) | Integrated circuit with taped heat pipe | |
| US6751837B2 (en) | Method of heat extraction from an integrated circuit die | |
| KR200476160Y1 (ko) | 전자 차폐커버의 방열 구조 | |
| US6760222B1 (en) | Dissipating heat using a heat conduit | |
| TWI258332B (en) | A heat sink apparatus utilizing the heat sink shroud to dissipate heat | |
| US20070289313A1 (en) | Thermosiphon with thermoelectrically enhanced spreader plate | |
| TWI317547B (en) | Substrate with heat-dissipating dummy pattern for semiconductor packages | |
| CN219917146U (zh) | 晶体管组件及激光设备 | |
| JPH07106782A (ja) | 電子機器における冷却構造 | |
| US20120132409A1 (en) | Heat-dissipating device | |
| CN115116863A (zh) | 芯片散热结构及其制备方法 | |
| JPS61229344A (ja) | Ｉｃパツケ−ジ | |
| TW200825680A (en) | Heat dissipating device and system using the same | |
| TW201506342A (zh) | 散熱裝置 | |
| TWM317148U (en) | Heat dissipating pipe | |
| TW200835425A (en) | Heat dissipation device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171227 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171227 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180925 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190226 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190416 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190513 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6527928 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |