JP6526641B2 - 被覆したコロナイオン化源のための方法及び装置 - Google Patents

被覆したコロナイオン化源のための方法及び装置 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
本件出願は、「被覆したコロナイオン化源のための方法及び装置(Method and Device for a Coated Corona Ionization Source)」と題して2013年6月21日に出願した米国仮出願第61/837,785号(参照により本明細書に組み入れられるものとする)の優先権を主張する。
本発明は、被覆したコロナイオン化源のための方法及び装置に関する。
イオン移動度分光分析装置(IMS:ion mobility spectrometers)は、関心対象サンプルからの物質(例えば、分子、原子等々)をイオン化し、またこの結果生じたイオンが検出器に到達するのにかかる時間を測定することによって、物質を同定することができる。イオン飛行時間は、イオン化した分子の質量及びジオメトリに関係するイオン移動度に関連する。イオン移動度分光分析装置は、周囲環境の大気圧で動作し、またドリフトガスの存在の下でイオンを移動度に関して分離する。検出器出力は、ピーク高さ対ドリフト時間のプラズマグラムとして視覚的に表すことができる。
質量分光分析装置(MS:Mass spectrometers)は、真空で動作し、また電荷/質量比に関してイオンを分離する。質量分光分析装置を使用する幾つかの実施形態において、固体、液体、又はガスとし得るサンプルをイオン化する。イオンは質量対電荷比に基づいて質量分析装置内で分離し、また帯電粒子を検出できる装置によって検出する。次に、検出器からの信号は、質量対電荷比の関数としてイオンの相対存在量のスペクトルとなるよう処理する。原子又は分子は、同定した質量又は特徴的分解(フラグメンテーション)パターンによって分かる質量を相関付けることにより同定される。
各検出システムは、サンプル源、イオン源、分析装置、及び検出器を有することができる。帯電粒子(イオン)を生成する装置を有することができるイオン源の幾つかの例としては、エレクトロスプレーイオン化、誘導結合プラズマ、スパークイオン化、放射能源(例えば、63Ni)等があり得る。
本明細書は、コロナイオン化源アセンブリ及びコロナイオン化源アセンブリの作製方法を記載し、コロナイオン化源アセンブリは、細ワイヤであって、第1材料を含むワイヤコア、第2材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆を有する、該細ワイヤと、及び前記細ワイヤに結合する支柱と、を備える。一実施形態において、コロナイオン化源アセンブリを作製するため本発明による技術を採用するプロセスは、ワイヤコアを形成するステップと、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップと、前記ワイヤ被覆の少なくとも一部分上にマスク層を形成するステップと、前記ワイヤ被覆をエッチングするステップと、前記マスク層を前記ワイヤ被覆から除去するステップとを備える。
この概要は、詳細な説明においてさらに後述するものを簡潔化した形式での概念セレクションの導入部として提供する。この概要は、特許請求した本発明要旨の重要特徴又は基本特徴を特定することを意図するものではなく、特許請求した本発明要旨の範囲を決定する上での一助として使用することを意図するものでもない。
詳細な説明を添付図面につき記載する。図面において、参照符号の最左側桁はその参照符号が現れる図番を特定する。説明及び図面における異なる事例で同一参照符号を使用することは、類似又は同一事項を示す。
本発明による細ワイヤを実装する構成としたコロナイオン化源アセンブリを示す図である。 本発明による細ワイヤを実装する構成としたコロナイオン化源アセンブリを示す図である。 本発明による細ワイヤを実装する構成としたコロナイオン化源アセンブリを示す図である。 本発明による例示的検出システムの概略図である。 図1A〜1Dに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するプロセスの例示的実施形態のフローチャートである。 図2に示すプロセスにより図1A〜1Dに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。 図2に示すプロセスにより図1A〜1Dに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。 図2に示すプロセスにより図1A〜1Dに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。 図2に示すプロセスにより図1A〜1Dに示す装置のようなコロナイオン化源アセンブリを作製するステップを示す概略的部分縦断面図である。
イオン移動度分光分析において、分光分析装置は、サンプル源、イオン源、分析装置、及び検出器を有することができる。よく使用されるイオン化源の1タイプとしてはコロナ源がある。コロナ源は、電気的に付勢される導体を取り巻く流体をイオン化することによってもたらされる放電を利用する。コロナ源からの放電は、導体を取り巻く電界の強度(すなわち、電位勾配)が導電性領域を形成するのに十分高いが、電気絶縁破壊又は近傍物体へのアーク放電を生ずるほどには高くないとき生ずる。
コロナ源の1つのタイプにはポイントコロナがある。このポイントコロナは、高電圧源(例えば、500V〜数kV)に接続した極細ワイヤ(例えば、10μm以下)を有する。細ワイヤに印加した高電圧は、細ワイヤ周りに電界を生ずる。ワイヤが小寸法であることにより、ワイヤ先端周りの電界は極めて強く、また空気及び/又は他のガスをイオン化する。電界強度は、ワイヤ先端ポイントからの距離が大きくなるにつれて急激に減少し、アーク放電を防止する。
コロナの他のタイプにはワイヤコロナがある。ワイヤコロナは、2つの支柱又は支持体間に配置した細ワイヤを有することができる。高電圧を細ワイヤに印加するとき、強力な電界が細ワイヤの近傍に生じ、周囲のガスをイオン化し、これにより分光分析装置によって分析すべきイオンを生成する。ワイヤは、さらに、ワイヤに電流を導通させることによって加熱することもできる。上述したような熱ワイヤコロナは、より信頼性高く動作することができ、また動作のためにより低めの高電圧で済ますことができる。細ワイヤに印加する高電圧は、一定電圧(例えば、DC電源)、交流電圧(例えば、AC電源)、又はパルス列とすることができる。
しかし、このようなコロナ源を作製することは困難であることが分かっており、これはすなわち、細ワイヤを支柱に取り付けるとともに信頼性の高い電気的接続を得るのに複雑なプロセスを要するからである。概して、より小さい直径のワイヤは、コロナを発生するのに低めの高電圧を印加するだけで済み、これによってより効率的な分光分析装置を得る。しかし、小さい直径のワイヤは、極めて脆弱であり、また取扱い及び支柱への取付けが困難である。捲縮(多すぎる捲縮はワイヤを破断させ、少なすぎる捲縮は良好な電気的接触を生じない)、溶接(細ワイヤを溶接するのは極めて困難である)、又ははんだ付け(はんだはコロナの動作温度で溶融する)を用いる従来式の作製方法は信頼性に欠けるものであった。しばしば、ワイヤ直径は動作とアセンブリ製造能力との折衷案となる。熱ワイヤコロナにとって、細ワイヤに対して信頼性の高い電気的接触を得るには一層の困難性をもたらす。
したがって、本発明は、コロナイオン化源アセンブリ及びその作製方法を開示し、このコロナイオン化源アセンブリは、細ワイヤであって、第1材料を含むワイヤコア、第2材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆を有する、該細ワイヤと、及び前記細ワイヤに結合する支柱と、を備える。一実施形態において、コロナイオン化源アセンブリを作製するために本発明の技術を採用するプロセスは、ワイヤコアを形成するステップと、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップと、前記ワイヤ被覆の少なくとも一部分上にマスク層を形成するステップと、前記ワイヤ被覆をエッチングするステップと、前記マスク層を前記ワイヤ被覆から除去するステップとを備える。
図1A〜1Cは、本発明の例示的実施形態によるコロナ源アセンブリ100を示す。図示のように、コロナ源アセンブリ100は細ワイヤ102を有する。この細ワイヤ102は、ワイヤフィラメント102a及びワイヤコア102bを有する。実施形態において、細ワイヤ102は、以下に詳述するようにして作製し、また(例えば、捲縮、はんだ付け、溶接等によって)取付け支柱120に結合し、この取付け支柱120は、細ワイヤ102のための機械的支持体として機能する。さらに、細ワイヤは、後に細ワイヤ102上に形成するワイヤ被覆104よりも小さい直径(例えば、1μm未満〜100μm超)のワイヤとする。一実施形態において、細ワイヤ102は、直径約50μmのプラチナ−ロジウム合金を含むものとする。他の実施形態において、細ワイヤ102は、プラチナ、プラチナ合金、金、イリジウム、タングステン、合金、他の金属等を含むものとすることができる。細ワイヤ102に使用する材料は第1材料を含む。実施形態において、コロナは細フィラメント102aの周り及びその近傍に生じ、この細フィラメント102aは、高電圧を印加するときイオン化されるサンプルに露出する細ワイヤ102の部分である。実施形態において、ワイヤコア102bは、ワイヤ被覆104によりカバー及び/又は包囲される細ワイヤ102の部分である。細ワイヤ102は取付け支柱120に結合することができ、支柱120は、機械的支持体並びに電気的接続部をなすよう構成する。取付け支柱120は金属又は合金を有することができる。幾つかの実施形態において、取付け支柱120は、コロナ源アセンブリ100とは別個の構体を有することができる。他の実施形態において、取付け支柱120は、図1Cに示す実施形態のように、ワイヤ被覆104によってカバーされる細ワイヤ102の部分(例えば、コロナ源として設計する部分より太い部分)を有することができる。
図1A〜1Cに示すように、コロナ源アセンブリ100は、第2材料で作製するワイヤ被覆104を有する。実施形態において、ワイヤ被覆104は細ワイヤ102の少なくとも一部分を包囲する。これら実施形態において、ワイヤ被覆104の直径は細ワイヤ102の直径よりも大きい。一実施形態において、ワイヤ被覆104は、細ワイヤ102の少なくとも一部分を包囲するニッケル−コバルト合金(NiColoy)の被覆を有する。他の実施形態において、ワイヤ被覆104は、他の材料及び/又は銅、ニッケル、鉄、他の金属若しくは合金等のような金属を含む。1つの特別な実施形態において、ワイヤ被覆104は直径約100μmを有する。他の特別な実施形態において、ワイヤ被覆104は直径約1ミリメートルを有する。ワイヤ被覆104は他の直径及び太さを有することができ、ただしワイヤ被覆104の直径は細ワイヤ102の直径よりも大きい限りのものとする。さらに、ワイヤ被覆104の材料は、細ワイヤ102とは異なる化学的特性を有する。
図1Aは、コロナ源アセンブリ100が直線的形態の一実施形態を示す。この形態において、細フィラメント102aは、より太い2つのワイヤの一部として形成する、及び/又はより太い2つのワイヤに確実に結合する(例えば、細ワイヤ102の2つの異なる部分をワイヤ被覆104でカバーし、ワイヤフィラメント102aが2つの異なる部分間に存在し、高電圧電力がこのワイヤフィラメント102aに流れ、イオン化すべきサンプルがワイヤフィラメント102aに露出し、コロナを生ずる結果となる)。図1Bはポイントコロナ源アセンブリ100の実施形態を示す。この実施形態において、ワイヤ被覆104及び細ワイヤ102は、直線的形態と同様に形成することができ、ただし、細ワイヤ102の一方の端部は突出ポイントとして形成する(例えば、細ワイヤ102の一方の端部は他のワイヤに結合しない)。この形態において、高電圧を細ワイヤ102に印加して、コロナを突出ポイント周りに形成する。
イオン移動度分光分析装置用の熱ワイヤコロナ源アセンブリ100の一例を図1Cに示す。この特別な実施例において、細ワイヤ102は、より太い2つのワイヤ(ワイヤ被覆104によってカバーされる細ワイヤの部分)に確実に取り付けた細いプラチナ−ロジウム製のワイヤフィラメント102aを有する。太いワイヤ部分は、細ワイヤ102を機械的に固定し、電気的接触を生ずるのに使用することができる。この特別な実施形態は、エッチングしたワイヤ被覆104と、細ワイヤ102と、所望形状に湾曲させた被覆付きワイヤ部分とを有する。被覆付きワイヤを湾曲させるとき、エッチングプロセスは、所望形態及び使用する材料に基づいて曲げ加工若しくは整形加工の前又は後に行うことができる。この実施形態において、細ワイヤ102及びワイヤ被覆104の一部分をセラミック管106によってカバー又は包囲する。セラミック管106は、機械的支持体として機能するとともに、電気絶縁体としても機能することができる。さらに、セラミック管106は、セラミックセメント108又は他の適当な接着剤によってワイヤ被覆104の一部分に結合することができる。この実施形態において、コロナ源アセンブリは、さらに、取付け支柱120に結合することができる。
図1Dに示すように、コロナ源アセンブリ100は、イオン源114として機能するよう検出システム110におけるコンポーネントとして利用することができる。一実施形態において、検出システム110は、サンプル源112、イオン源114(例えば、コロナ源アセンブリ100)、分析装置116、及び検出器118を有することができる。この実施形態において、サンプルは、検出システム110のサンプル源112に導入し、また所望形態に変換(例えば、液体をガスに変換)することができる。サンプルは、次にイオン源114に被曝させ、サンプルを帯電粒子又はイオンに変化させる。質量分析装置を(例えば、大気圧イオン化(API:Atmospheric Pressure Ionization)モードで)使用する一実施形態において、イオンは大気圧付近で発生し、次に分析装置116に毛細管及び/又はオリフィスを介して導入する。この実施形態において、イオンは、この後質量対電荷比に基づいて分析装置116を用いてブリッジする。イオン移動度分光分析装置を用いる他の実施形態において、イオンはコロナによって発生させて分析装置116に導入し、次にイオンは移動度に基づいて分離する。最後に検出器118がインジケータによる量的値を測定し、各イオンの存在量を計算するためのデータをもたらす。
図2は、図1A〜1Cに示すコロナ源アセンブリ100のようなコロナ源アセンブリを作製するための、本明細書が開示する技術を用いる例示的プロセス200を示す。図3A〜3Dは、例示的コロナ源アセンブリ100におけるイオン移動度分光分析装置及び/又は質量分光分析装置(例えば、図1Dに示す検出システム110)に利用するセクション300を示す。
したがって、ワイヤコアを形成する(ブロック202)。図3Aは細ワイヤ302の一部分を形成するステップを示す。実施形態において、ワイヤコア302を形成するステップは、ダイス型又は延伸プレートにおける孔内で金属を延伸してワイヤコア302又は細ワイヤを形成するステップを有する。一実施形態において、ワイヤコア302(すなわち、細ワイヤ102)を形成するステップは、ダイスプレートにおける孔内を通してプラチナ−ロジウム合金を延伸して、直径約50μmのワイヤを形成するステップを有する。他の実施形態において、ワイヤコアを形成するステップは、他の金属(例えば、プラチナ合金、金、イリジウム、タングステン等)をダイスプレート又はダイス型における孔内を通して直径約50μmのワイヤコア302を形成するよう延伸するステップを有する。ワイヤコア302は、他の直径及び寸法付け(例えば、約1μm未満〜約100μm超の任意な値)で形成することができる。
次に、ワイヤ被覆をワイヤコア上に形成する(ブロック204)。図3Aはワイヤコア302上にワイヤ被覆304を形成するステップを示す。実施形態において、ワイヤ被覆304は、種々の方法、例えば、電気めっき、蒸着、プラズマ蒸着等を用いてワイヤコア302上に堆積することができる。1つの特別な実施形態において、ワイヤ被覆104は、プラチナ−ロジウム合金製のワイヤコア302上にNiColoyを電気めっきしてワイヤコア302上に形成し、所望直径にする。他の実施形態において、太いワイヤコア302(例えば、約0.5mm)をワイヤ被覆304の管内に挿入し、またワイヤコア302及びワイヤ被覆304の組合せ体を標準のワイヤ延伸技術を用いて延伸する。これら実施形態において、ワイヤ被覆304及び/又はワイヤコア302の太さ及び寸法は、所望最終形態に基づいて変化し得る。
次に、マスク層をワイヤ被覆の少なくとも一部分上に形成する(ブロック206)。図3Bは、ワイヤ被覆304の少なくとも一部分上にマスク層310を堆積させるステップを示す。実施形態において、マスク層310を形成するステップは、エッチング抵抗被覆を形成するステップを含む。ワイヤ被覆304上にマスク層310を形成するステップは、標準フォトリソグラフィ及び堆積方法を用いるステップを有する。マスク層310を堆積する幾つかの実施例としては、化学的堆積(例えば、化学蒸着)、物理的堆積(例えば、スパッタリング)、吹き付け、コーティング等を使用するものがあり得る。フォトリソグラフィは、感光性薄膜(例えば、マスク層310)の部分に光を用いてパターン形成し、フォトマスクから幾何学的パターンをワイヤ被覆304上の薄膜上に転写するステップを有する。マスク層310は、エッチング抵抗性となるよう設計し、これによりマスク層310によってカバーされないワイヤ被覆304の部分が、マスク層310又はワイヤ被覆304のいずれか一方のエッチング剤によって除去される唯一の部分となるようにする。一実施形態において、マスク層310はワイヤ被覆304における除去することを意図しない部分に形成するとともに、マスク層310は、除去するよう設計したワイヤ被覆の部分上には形成しない。
次に、ワイヤ被覆をエッチングする(ブロック208)。図3Cは、ワイヤ被覆304及びマスク層310にエッチング剤を加えるステップを示す。エッチングステップは、製造中にワイヤコア302の表面から層(例えば、ワイヤ被覆304)を化学的に除去するステップを含む。異なるエッチング剤を使用することができ、例えば、ワイヤ被覆304として使用する材料に基づいて、湿式エッチング剤(例えば、緩衝フッ化水素酸、水酸化カリウム、王水、塩酸等)、プラズマエッチング剤を使用する。実施形態において、エッチング剤は、ワイヤコア302を完全な状態で残存させたままワイヤ被覆304のみを除去するものを選択する。一実施形態において、マスク層310はワイヤ被覆304上に堆積し、露出させるべきワイヤフィラメント302aの部分上に堆積したワイヤ被覆304の部分がエッチング剤に曝露される唯一のワイヤ被覆304部分となるようにパターン形成する。この実施形態において、ワイヤ被覆304はエッチング剤に曝露されて除去されるとともに、エッチング剤に曝露されるマスク層310の部分は影響を受けない。1つの特別な実施形態において、NiColoyのワイヤ被覆は硝酸エッチング剤を用いてエッチングする。幾つかの実施形態において、ワイヤコア302はエッチング剤によって影響を受けない(例えば、ワイヤコア302の直径はほぼ一定)ようにする。他の特別な実施形態において、ワイヤコア302の部分はエッチング剤によって除去され、ワイヤコア302のより細い部分を生ずる(例えば、ワイヤフィラメント302aの直径はワイヤコア302の他の部分よりも小さくなる)ようにする。
この後、マスク層をワイヤ被覆から除去する(ブロック210)。図3Dはワイヤ被覆304からマスク層310を除去するステップを示す。マスク層310は、もはや必要でなくなった後、ワイヤ被覆304から除去するとともに、ワイヤ被覆304がほぼ完全な状態で残存するようにしなければならない。一実施形態において、マスク層310を除去するステップは、マスク層310がもはやワイヤ被覆304に付着しないようマスク層310を化学的に変化させる液体マスク層剥離剤を使用するステップを有する。幾つかの実施形態において、マスク層310は、マスク層310を酸化させるプラズマ化酸素によって除去することができる。コロナ源アセンブリ100を作製した後、このコロナ源アセンブリ100は、必要に応じてさらに検出システム(例えば、イオン移動度分光分析装置又は質量分光分析装置)に組み込むための処理を行う。さらに、コロナ源アセンブリ100は、更なる機械的支持及び/又は電気的接続用の取付け支柱320に取り付ける(例えば、溶接、捲縮、はんだ付け、等により)ことができる。
本発明を特別な構造上の特徴及び/又は方法論的行為について説明してきたが、特許請求の範囲で定義される本発明は上述の特別な特徴又は行為に必ずしも限定しないと理解されたい。種々の形態を説明したが、装置、システム、サブシステム、コンポーネント等々は、本発明から逸脱することなく、様々なやり方で構成することができる。むしろ、特別な特徴及び行為は特許請求された本発明を実施する例示的形態として開示するものである。
100 コロナ源アセンブリ
102 細ワイヤ
102a ワイヤフィラメント
102b ワイヤコア
104 ワイヤ被覆
106 セラミック管
108 セラミックセメント
110 検出システム
112 サンプル源
114 イオン源
116 分析装置
118 検出器
120 取付け支柱
300 セクション
302 細ワイヤ(ワイヤコア)
302a ワイヤフィラメント
304 ワイヤ被覆
310 マスク層

Claims (19)

  1. 細ワイヤを備えるコロナイオン化源アセンブリであって、
    前記細ワイヤは、
    第1材料を含むワイヤコアと、
    第2材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆と、
    を有し、
    第2材料を含む前記ワイヤ被覆は、銅、ニッケル、鉄、又は金属合金のうち少なくとも1つを含み、
    前記ワイヤコアの被覆された部分が、前記細ワイヤを支持体に対して機械的に固定するために使用されている、コロナイオン化源アセンブリ。
  2. 請求項1記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第1材料を含む前記ワイヤコアは、プラチナ−ロジウム合金ワイヤを含む、コロナイオン化源アセンブリ。
  3. 請求項1記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第1材料を含む前記ワイヤコアは、プラチナ、プラチナ合金、金、イリジウム、又はタングステンのうち少なくとも1つを含む、コロナイオン化源アセンブリ。
  4. 請求項1〜3のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、前記ワイヤコアは、100μm未満の直径を有するワイヤコアから構成する、コロナイオン化源アセンブリ。
  5. 請求項1〜4のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第2材料を含む前記ワイヤ被覆は、ニッケル−コバルト合金を含む、コロナイオン化源アセンブリ。
  6. 請求項1〜4のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、第2材料を含む前記ワイヤ被覆は、少なくとも100μmの直径を有するワイヤ被覆から構成するコロナイオン化源アセンブリ。
  7. 請求項1〜6のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリにおいて、さらに、前記細ワイヤを少なくとも1つの取付け支柱に結合する、コロナイオン化源アセンブリ。
  8. 検出システムにおいて、
    細ワイヤを有するコロナイオン化源アセンブリであって、
    前記細ワイヤは、
    第1材料を含むワイヤコアと、
    第2材料を含むワイヤ被覆であり、前記ワイヤコアの一部分を包囲し、また前記ワイヤ被覆の直径が前記ワイヤコアの直径よりも大きいものとする、該ワイヤ被覆と、
    を有し、
    第2材料を含む前記ワイヤ被覆は、銅、ニッケル、鉄、又は金属合金のうち少なくとも1つを含み、
    前記ワイヤコアの被覆された部分が、前記細ワイヤを支持体に対して機械的に固定するために使用されている、該コロナイオン化源アセンブリと;
    分析装置と;及び
    検出器と;
    を備える、検出システム。
  9. 請求項8記載の検出システムにおいて、第1材料を含む前記ワイヤコアは、プラチナ−ロジウム合金ワイヤから構成する、検出システム。
  10. 請求項8記載の検出システムにおいて、第1材料を含む前記ワイヤコアはプラチナ、プラチナ合金、金、イリジウム、又はタングステンのうち少なくとも1つを含む、検出システム。
  11. 請求項8〜10のうちいずれか一項記載の検出システムにおいて、前記ワイヤコアは、100μm未満の直径を有するワイヤコアから構成する、検出システム。
  12. 請求項8〜11のうちいずれか一項記載の検出システムにおいて、第2材料を含む前記ワイヤ被覆はニッケル−コバルト合金を含む、検出システム。
  13. 請求項8〜12のうちいずれか一項記載の検出システムにおいて、イオン移動度分光分析装置又は質量分光分析装置のうち少なくとも1つの有する、検出システム。
  14. 細ワイヤを備えるコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、
    ワイヤコアを形成するステップと、
    前記ワイヤコアを包囲する、銅、ニッケル、鉄、又は金属合金のうち少なくとも1つを含むワイヤ被覆を形成するステップと、
    前記ワイヤ被覆の少なくとも一部分上にマスク層を形成するステップと、
    前記ワイヤ被覆をエッチングするステップと、
    前記細ワイヤを形成するために前記マスク層を前記ワイヤ被覆から除去するステップと
    前記ワイヤコアの被覆された部分を使用して前記細ワイヤを支持体に対して機械的に固定するステップと、を備える、方法。
  15. 請求項14記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップは、プラチナ−ロジウム合金製のワイヤコア上にニッケル−コバルト合金を電気めっきするステップを有する、方法。
  16. 請求項14記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップは、ワイヤコアを前記ワイヤ被覆の管内に挿入するステップを有する、方法。
  17. 請求項14記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤコアを包囲するワイヤ被覆を形成するステップは、蒸着又はプラズマ蒸着のうち少なくとも一方を使用するステップを有する、方法。
  18. 請求項1417のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、マスク層を形成するステップは、エッチング抵抗被覆を形成するステップを有する、方法。
  19. 請求項1418のうちいずれか一項記載のコロナイオン化源アセンブリを作製する方法において、前記ワイヤ被覆をエッチングするステップは、硝酸エッチング剤を使用するステップを有する、方法。
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