JP6518307B2

JP6518307B2 - 金属ナノスプリング及びその製造方法

Info

Publication number: JP6518307B2
Application number: JP2017206181A
Authority: JP
Inventors: ケウンキム，ヤング; ヒョキム，ス; ナム，ダヨン; サンジェオン，ユ
Original assignee: Korea University Research and Business Foundation
Current assignee: Korea University Research and Business Foundation
Priority date: 2017-05-15
Filing date: 2017-10-25
Publication date: 2019-05-22
Anticipated expiration: 2037-10-25
Also published as: JP2018193607A; US10683580B2; US20180327919A1; KR101916588B1

Description

本発明は、ナノスプリングの製造方法に関するものとして、より詳細には、電気めっき方法を用いた金属ナノスプリングの製造方法に関する。

今までよく知られたナノ構造体は、ナノ粒子、ナノワイヤ、又はナノチューブなどの単純な形である。ナノワイヤやチューブの合成方法の一つである陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを用いてナノスプリング構造体を合成することができる。

ナノスプリングの製造方法においては、斜め堆積法（Ｇｌａｎｃｉｎｇａｎｇｌｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを用いた電気めっき法（Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、そして薄い膜を蒸着した後に巻き上がる方法（Ｒｏｌｌｅｄ−ｕｐ）などがある。

韓国登録特許第１０-１７１１８８８は、電気めっき法を使用したナノチューブの製造方法を開示する。

磁気的性質を有するナノスプリング構造体は、外部磁場の下で、センサ、アクチュエータ、モータ、バイオアプリケーションなどに応用される。

本発明の解決しようとする一技術的課題は、磁気的性質を有している金属及び／又は合金ナノスプリングを簡単に大量に合成する方法を提供することにある。

本発明は、金属酸化物又は遷移金属が含まれている金属前駆体を陽極酸化アルミニウムナノテンプレートのようなナノ鋳型に充填した後、電気めっき方法を用いてナノスプリングを合成する。続いて、ナノテンプレートを除去すると、ナノスプリングが抽出される。これは合成しようとする成分及び希望する形状のナノスプリングの製造が可能である。

本発明の一実施例による金属ナノスプリングの製造方法は、ナノ気孔を有し、一面に作用電極を有するナノテンプレート（ｎａｎｏｔｅｍｐｌａｔｅ）を準備する段階と、アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）及び蒸着しようとする金属を含む金属前駆体溶液を含む第１金属前駆体混合液を準備する段階と、前記第１金属前駆体混合液に硝酸（Ｎｉｔｒｉｃａｃｉｄ；ＨＮＯ_３）を混合して第２金属前駆体混合液を準備する段階と、前記第２金属前駆体混合液に前記ナノテンプレートを浸漬し、前記第２金属前駆体混合液に挿入された対電極（ｃｏｕｎｔｅｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と前記作用電極との間に電流を印加して、電気めっき方法で前記ナノ気孔に金属ナノスプリングを蒸着させる段階と、前記金属ナノスプリングが蒸着されたナノテンプレートで前記作用電極及び前記ナノテンプレートを選択的に除去する段階と、を含む。

本発明の一実施例において、前記金属前駆体溶液はコバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）及び鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）のうち少なくとも一つを含む。

本発明の一実施例において、コバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）の濃度は４０ｍＭであり、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）の濃度は２０ｍＭであり、鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）の濃度は４０ｍＭであり、アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）の濃度は２０ｍＭである。

本発明の一実施例において、前記第２金属前駆体混合液のｐＨは１.５ないし２.５である。

本発明の一実施例において、前記ナノ気孔の平均直径が５ｎｍないし５００ｎｍである。

本発明の一実施例において、前記ナノテンプレートを前記第２金属前駆体混合液に浸漬し、前記第２金属前駆体混合液を収納するめっき槽（ｐｌａｔｉｎｇｂａｔｈ）を減圧する段階をさらに含む。前記メッキ槽の圧力は１００Ｔｏｒｒないし７００Ｔｏｒｒである。

本発明の一実施例において、電気めっきの際に前記作用電極に流れる電流密度は０.１ないし３００ｍＡ／ｃｍ^２であり、電気めっき時間は１分ないし４８時間である。

本発明の一実施例において、前記アスコルビン酸の濃度は２０ｍＭないし１００ｍＭである。

本発明の一実施例による金属ナノスプリングは、上述した製造方法で製造された。

本発明の一実施例によるナノ部品は、金属ナノスプリングを含む。

本発明の一実施例によると、金属又は金属酸化物が含まれた前駆体溶液を用いて磁性特性を有する遷移金属及び／又は合金ナノスプリングを支持体を用いた電気めっき（Ｔｅｍｐｌａｔｅ−ｂａｓｅｄｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で合成する。前駆体の溶液に含まれた成分によってナノスプリングの材質を制御することができる。また、めっき槽の中でナノ或いはマイクロサイズのナノ気孔テンプレートを使用することによって、ナノ気孔の大きさと形状にしたがってナノスプリングの長さと大きさを容易に制御することができる。

本発明の一実施例によると、電気めっき（Ｔｅｍｐｌａｔｅ−ｂａｓｅｄｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を通じて製造された２００ｎｍ以下の磁性遷移金属及び／又は合金ナノスプリングは、高い比表面積（ＳｐｅｃｉｆｉｃＳｕｒｆａｃｅＡｒｅａ）を有する。したがって、ナノスプリングは、センサ特性では高い感度と回復速度を提供することができる。ナノスプリング構造物の形で形成されれば、引張強度と弾性度が大きく向上することができる。また、電子構造のバンドギャップの変化も伴って電磁波吸収挙動の特異性も期待できる。

本発明の一実施例によると、簡単な工程方法で多様な形状及び／又は材質のナノスプリングの製造が可能である。

本発明の一実施例による金属ナノスプリングの製造方法を説明する図面である。本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングの走査型顕微鏡の写真である。本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングの透過型顕微鏡の写真である。本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングを透過型顕微鏡で分析したマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）写真と成分分析である。本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングの磁性特性を示すグラフである。本発明の一実施例によるバナジウム・オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）含量によってナノスプリングの厚さ調節が可能であることを示す写真である。本発明の一実施例によるアスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ）濃度によって合成されたナノ構造体の形状を示す写真である。

本発明は支持体を用いた電気めっき方法で金属酸化物、又は遷移金属化合物を用いて磁性遷移金属及び／又は合金ナノスプリングの製造方法に関するものである。

本発明の一実施例によると、通常に抗酸化剤（ａｎｔｉ−ｏｘｉｄｉｚｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌ）として知られたアスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）を使用して、ナノスプリングの形成方法が提案される。具体的に、アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）及び蒸着しようとする金属を含む金属前駆体溶液を含む第１金属前駆体混合液を用いて、蒸着しようとする金属からなったナノスプリングが製作される。具体的に、ナノスプリングの材質はＣｏＦｅである。

以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。本発明の利点及び特徴、それを達成する方法は、添付する図面とともにに詳細に後述している実施例を参照すれば明らかになる。しかし、本発明は、ここで説明される実施例に限定されず、他の形で具体化される。むしろ、ここで紹介される実施例は、開示された内容が徹底し、完全になるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝えられるように提供される。本発明は請求項の範疇によって定義されるだけである。

明細書全体に渡って、同一の参照番号は同一構成要素を指す。したがって、同一な参照符号又は類似な参照符号は、当該図面で言及又は説明されなくても他の図面を参照して説明される。また、参照符号が表示されなくても、他の図面を参照して説明される。

図１は、本発明の一実施例による金属ナノスプリングの製造方法を説明する図面である。

図１に示すように、金属ナノスプリングの製造方法は、ナノ気孔１１２を有し、一面に作用電極１１４を備えたナノテンプレート１１０（ｎａｎｏｔｅｍｐｌａｔｅ）を準備する段階と、アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）及び蒸着しようとする金属を含む金属前駆体溶液を含む第１金属前駆体混合液を準備する段階と、前記第１金属前駆体混合液に硝酸（Ｎｉｔｒｉｃａｃｉｄ；ＨＮＯ_３）を混合して第２金属前駆体混合液を準備する段階と、前記第２金属前駆体混合液に前記ナノテンプレートを浸漬し、前記第２金属前駆体混合液に挿入された対電極（ｃｏｕｎｔｅｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と前記作用電極１１４との間に電流を印加して、電気めっき方法で前記ナノ気孔に金属ナノスプリング１２０を蒸着させる段階と、前記金属ナノスプリング１２０が蒸着されたナノテンプレート１１０で、前記作用電極１１４及び前記ナノテンプレート１１０を選択的に除去する段階と、を含む。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ナノ気孔１１２を有し、一面に作用電極を備えたナノテンプレート１１０（ｎａｎｏｔｅｍｐｌａｔｅ）が準備される。前記ナノテンプレート（ｎａｎｏｔｅｍｐｌａｔｅ）の材質は、陽極酸化アルミニウム（ＡｎｏｄｉｚｅｄＡｌｕｍｉｎａＯｘｉｄｅ；ＡＡＯ）又は熱可塑性プラスチック材質である。前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートは、アルミニウムを陽極酸化（Ａｎｏｄｉｚａｔｉｏｎ）することによって得られる。陽極酸化は、当業界に公知された方法を用いて行う。例えば、２段階酸化工程（ｔｗｏ−ｓｔｅｐａｎｏｄｉｚａｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓ）を通じて行う。熱可塑性プラスチックナノテンプレートの場合、ポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）材質である。前記陽極酸化アルミニウム又はプラスチックナノテンプレートは、ナノ気孔の平均直径が５ｎｍないし５００ｎｍである。前記ナノ気孔は、ナノテンプレートを貫通して形成される。

作用電極（ｗｏｒｋｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）は、ナノテンプレート１１０の一面に蒸着される。これによって、ナノ気孔の一端は、作用電極（ｗｏｒｋｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）によって塞がる。前記作用電極１１４は、蒸着としようとするナノスプリングの材質と異なる金属又は金属合金である。前記作用電極は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金である。前記作用電極１１４は、電子ビーム蒸着装置又はスパッタリング蒸着装置を使用して、２５０ nmないし３５０ nm厚さで前記ナノテンプレートの一面に蒸着される。

アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）及び蒸着としようとする金属を含む金属前駆体溶液を含む第１金属前駆体混合液が準備される。前記アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）は、形状調節者（ｓｈａｐｅｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）として動作し、前記アスコルビン酸の量を制御して、前記ナノスプリング１２０の形状又はナノスプリングのピッチが制御される。

前記ナノスプリング１２０の材質は、金属前駆体溶液に含まれた金属イオンによって決定される。前記ナノスプリングがＣｏＦｅのような磁性体合金である場合には、前記金属前駆体溶液は複数の金属イオンを含む。具体的に、前記金属前駆体溶液は、コバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）及び鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）のうち少なくとも一つを含む。前記金属前駆体溶液がコバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）及び鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）を含む場合、コバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）の濃度は４０ｍＭであり、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）の濃度は２０ｍＭであり、鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）の濃度は４０ｍＭであり、アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_６）の濃度は２０ｍＭである。

ナノスプリングの成分比は、前記金属前駆体溶液に含まれた割合に比べて小さい。したがって、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）は、電気めっきの過程で触媒として動作するものと解釈される。

金属イオンが含まれている金属前駆体溶液で、金属イオンであれば、どれでも制限はないが、電気、磁気及び熱伝導性を考慮すると、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）のような遷移金属を含有する遷移金属酸化物から由来するものをさらに好ましく使用する。金属前駆体溶液で、金属イオンは、遷移金属、貴金属、及び希土類金属から由来する。遷移金属はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉである。貴金属は、金或いは銀である。希土類金属は、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）である。

前記第１金属前駆体混合液に硝酸（Ｎｉｔｒｉｃａｃｉｄ；ＨＮＯ_３）を混合して第２金属前駆体混合液が準備される。前記硝酸は、第２金属前駆体混合液のｐＨを調節する。前記第２金属前駆体混合液のｐＨは１.５ないし２.５である。前記第２金属前駆体混合液のモル濃度は０.００１ないし５０Ｍである。前記第２金属前駆体混合液のモル濃度が０.００１Ｍ未満であれば、その濃度が非常に微々たるため、ナノテンプレートに効率的に吸着されず、モル濃度が５０Ｍを超えれば、本発明による目的物である金属ナノスプリングの経済性が落ちる問題がある。

前記ナノテンプレートを前記第２金属前駆体混合液に浸漬し、前記第２金属前駆体混合液を収納するめっき槽（ｐｌａｔｉｎｇｂａｔｈ）を減圧する。前記減圧は真空ポンプを用いて行われ、前記減圧によってナノ気孔１１２を満たした空気が排出されて、ナノ気孔は第２金属前駆体混合液で充填される。前記メッキ槽の圧力は１００Ｔｏｒｒないし７００Ｔｏｒｒである。

図１（ｃ）に示すように、前記第２金属前駆体混合液に前記ナノテンプレートを浸漬し、前記第２金属前駆体混合液に挿入された対電極（ｃｏｕｎｔｅｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と前記作用電極との間に電流を印加して、電気めっき方法で前記ナノ気孔に金属ナノスプリングを蒸着させる。前記作用電極は銀（Ａｇ）であり、前記対電極は白金（Ｐｔ）である。前記電気めっきの際に前記作用電極に流れる電流密度は０.１ないし３００ｍＡ／ｃｍ^２である。電気めっき時間は１分ないし４８時間である。前記電気めっきの際のめっき槽の温度は摂氏０度ないし８０度である。

図１（ｄ）に示すように、前記金属ナノスプリングが蒸着されたナノテンプレートで前記作用電極及び前記ナノテンプレートを選択的に除去する。前記めっき槽で抽出された前記ナノテンプレートは別途のウェットエッチングバースに浸漬なり、ウェットエッチング方法によって前記作用電極が除去される。続いて、前記ナノテンプレートは他のウェットエッチングバースに浸漬され、前記ナノテンプレートを除去される。前記ナノテンプレートの材質が陽極酸化アルミニウムである場合、エッチャント（ｅｔｃｈａｎｔ）は水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液である。最終的にナノスプリングは純水（ｄｅｉｏｎｚｅｄｗａｔｅｒ）によって洗浄されて、エタノール（Ｃ_２Ｈ_６Ｏ）で分散される。

図２は、本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングの走査型顕微鏡の写真である。

図３は、本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングの透過型顕微鏡の写真である。

図２及び図３に示すように、金属前駆体溶液はコバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）及び鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ）を含む。電気めっき法で製造されたＣｏＦｅ材質のナノスプリングの外径は２００ｎｍであり、内径は１００ｎｍである。ナノスプリングの厚さは３０ｎｍないし５０ｎｍである。
図４は、本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングを透過型顕微鏡で分析したマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）の写真と成分分析である。

図４に示すように、コバルト（Ｃｏ）の成分比は５３.２８原子パーセント（ａｔｏｍｉｃｐｅｒｃｅｎｔ）であり、鉄（Ｆｅ）の成分比は４５.３９原子パーセントであり、バナジウム（Ｖ）の成分比は１.３２原子パーセントである。したがって、前記ナノスプリングはＣｏＦｅ合金である。前記構成は、エネルギ分散型Ｘ線スペクトロメータ（Ｅｎｅｒｇｙ−ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ−ｒａｙｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＥＤＸ）を使用して分析された。

図５は、本発明の一実施例による電気めっき方法で合成したナノスプリングの磁性特性を示すグラフである。

図５に示すように、ＣｏＦｅナノスプリングアレイの磁性特性は、振動試片磁力計（ｖｉｂｒａｔｉｎｇｓａｍｐｌｅｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ；ＶＳＭ）を用いて測定された。平行な方向は、外部磁場とナノスプリングの中心軸が同一の方向に整列された場合であり、垂直な方向は外部磁場とナノスプリングの中心軸が互いに垂直した場合である。ヒステリシスループは、強磁性体特性を示す。平行な場合に保磁力は２８５Ｏｅである。垂直な場合、保磁力は２０１Ｏｅである。

図６は、本発明の一実施例によるバナジウム・オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）含量によってナノスプリングの厚さ調節が可能であることを示す写真である。

図６に示すように、バナジウム・オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）の濃度が１０ｍＭであるときには、ナノスプリングの厚さが１００〜１５０ｎｍ程度であり、バナジウム・オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ_４・ｘＨ_２Ｏ）の濃度が４０ｍＭのときには、ナノスプリングの厚さが２０〜７０ｎｍ程度で合成される。

図７は、本発明の一実施例によるアスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ）濃度によって合成されたナノ構造体の形状を示す写真である。

図７に示すように、ナノスプリングは、アスコルビン酸の特定の濃度範囲２０ｍＭ〜１００ｍＭで合成される。したがって、アスコルビン酸濃度が非常に小さい又は大きい場合、スプリングが合成されない。例えば、アスコルビン酸の濃度が１０ｍＭのときは、形状を定義することはできず、１６０ｍＭのときにはナノワイヤが合成される。

以上、添付の図面を参照して本発明の実施例を説明したが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須的な特徴を変更しなくて他の具体的な形で実施することができるということを理解するであろう。したがって、上述した実施例には全ての面で例示的なものであり、限定的ではないと理解しなければならない。

１１０ナノテンプレート
１１２ナノ気孔
１１４作用電極
１２０ナノスプリング

Claims

ナノ気孔を有し、一面に作用電極を有するナノテンプレート（ｎａｎｏｔｅｍｐｌａｔｅ）を準備する段階と、
アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ６Ｈ８Ｏ６）、バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ４・ｘＨ２Ｏ）及び電気めっきしようとする金属を含む金属前駆体溶液を含む第１金属前駆体混合液を準備する段階と、
前記第１金属前駆体混合液に硝酸（Ｎｉｔｒｉｃａｃｉｄ；ＨＮＯ３）を混合して第２金属前駆体混合液を準備する段階と、
前記第２金属前駆体混合液に前記ナノテンプレートを浸漬し、前記第２金属前駆体混合液に挿入された対電極（ｃｏｕｎｔｅｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と前記作用電極との間に電流を印加して、電気めっき方法で前記ナノ気孔に金属ナノスプリングを電気めっきさせる段階と、
前記金属ナノスプリングが電気めっきされたナノテンプレートで前記作用電極及び前記ナノテンプレートを選択的に除去する段階と、を含む金属ナノスプリングの製造方法。
前記金属前駆体溶液はコバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）及び鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の金属ナノスプリングの製造方法。
前記第２金属前駆体混合液に含まれる硝酸の濃度は０．０１Ｍないし１０Ｍであり、
コバルト（ＩＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度は４０ｍＭであり、
バナジウム（ＩＶ）オキサイド・サルフェート（ＶＯＳＯ４・ｘＨ２Ｏ）の濃度は２０ｍＭであり、
鉄（ＩＩ）サルフェート・ヘプタハイドレート（ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度は４０ｍＭであり、
アスコルビン酸（Ａｓｃｏｒｂｉｃａｃｉｄ；Ｃ６Ｈ８Ｏ６）の濃度は２０ｍＭであることを特徴とする請求項２に記載の金属ナノスプリングの製造方法。
前記第２金属前駆体混合液のｐＨは１．５ないし２．５であることを特徴とする請求項３に記載の金属ナノスプリングの製造方法。
前記ナノ気孔の平均直径が５ｎｍないし５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の金属ナノスプリングの製造方法。
前記ナノテンプレートを前記第２金属前駆体混合液に浸漬し、
前記第２金属前駆体混合液を収納する電気めっき槽（ｐｌａｔｉｎｇｂａｔｈ）を減圧する段階をさらに含み、
前記電気めっき槽の圧力は１００Ｔｏｒｒないし７００Ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項１に記載の金属ナノスプリングの製造方法。
前記アスコルビン酸の濃度は２０ｍＭないし１００ｍＭであることを特徴とする請求項１に記載の金属ナノスプリングの製造方法。
電気めっきの際に前記作用電極に流れる電流密度は０．１ないし３００ｍＡ／ｃｍ２であり、
電気めっき時間は１分ないし４８時間であることを特徴とする請求項１に記載の金属ナノスプリングの製造方法。