JP6512132B2 - ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1の方法では、走行中のワイヤ列にスラリーを供給しつつ、単結晶インゴットを保持する保持手段を下降させることで単結晶インゴットを切断し、その後、ワイヤ列を2m/min以下の速度で走行させつつ、保持手段を5〜100mm/minの速度で上昇させることで、切断後の単結晶インゴット(以下、「切断後インゴット」と言う)をワイヤ列から引き抜いている。
保持手段を下降させながら単結晶インゴットを切断する場合、切断後インゴットにおけるワイヤ列が通過した領域(ワイヤ列より下側の領域)に、スラリーが入り込む。このスラリーは、基本的に重力により下方へ移動するが、表面張力によりウェーハ間で滞留し、時間の経過に伴い一部がウェーハに固着する。
切断工程が終了すると、保持手段を上昇させながら切断後インゴットをワイヤ列から引き抜く。この際、ウェーハ間で固着したスラリー(砥粒)がワイヤにより削り落とされ、この削り落とされた砥粒は、図1に示すように、ワイヤ列81が矢印Eの方向に走行する場合、ウェーハW間の左下の領域Rに密集する。引き抜きが進みワイヤ8が領域Rを走行する際、領域Rに密集した砥粒をワイヤ8がウェーハWに押圧し、ウェーハW表面を傷付けてしまうと推測した。
そこで、検討を重ねた結果、切断後インゴットの引き抜き速度(保持手段の上昇速度)を速め、ワイヤ8が砥粒に付与する引き抜き方向と反対方向、つまりウェーハWの面方向に沿う下方向への力を大きくして砥粒を除去することで、ウェーハW間に密集した砥粒との接触によるワイヤ8の蛇行を抑制し、砥粒に付与されるウェーハW表面への押圧力を低減できることを知見した。
本発明は、このような知見に基づいて、完成されたものである。
本発明によれば、引き抜き工程時にワイヤ列を一つの方向のみに走行させ、一時停止させないため、ウェーハ表面への押圧力の変化を抑制でき、ウェーハ表面の平坦度が低くなることを抑制できる。また、ワイヤの上方向への撓みに伴う断線も抑制できる。
[ワイヤソーの構成]
まず、ワイヤソーの構成について説明する。
図2に示すように、ワイヤソー1は、同一水平面上に2個、これら2個の中間の下方に1個配置された合計3個のメインローラ2を備えている。これら3個のメインローラ2の周りにワイヤ8が螺旋状に巻き付けられることで、図2の紙面直交方向に並ぶワイヤ列81が形成されている。
ワイヤ8は、一般的にピアノ線と呼ばれる高張力メッキ鋼線により構成されている。ワイヤ8の両端側は、それぞれ複数ずつ(図2では、1個ずつ図示)のガイドローラ31およびテンションローラ32を介して、ワイヤ8を送り出したり巻き取ったりする2個のボビン41に固定されている。また、テンションローラ32とボビン41との間には、それぞれトラバーサ42が設けられている。トラバーサ42は、ワイヤ8の送り位置、巻取り位置を調整する機能を有している。
さらに、上側の2個のメインローラ2(以下、上側メインローラ21と称す)の上方には、2個の上側メインローラ21の中間位置にスラリーGを供給するノズル5がそれぞれ設けられている。
また、ノズル5の上方には、シリコン、SiC、GaAs、サファイア等の単結晶インゴット(以下、単に「インゴット」と言う)Mを保持する保持手段6と、この保持手段6を昇降させる昇降手段7とが設けられている。
次に、ワイヤソー1を用いたインゴットMの切断によりウェーハを製造する方法について説明する。
ウェーハの製造方法は、ワイヤ列81でインゴットMを切断する切断工程と、切断後のインゴットMをワイヤ列81から引き抜く引き抜き工程とを備えている。
その後、ワイヤソー1は、ワイヤ列81の走行速度、走行方向、張力、スラリーGの供給状態を維持しながら保持手段6を下降させ、走行中のワイヤ列81にインゴットMを押し当てることで切断し、複数のウェーハを製造する。
切断工程が終了した時点では、切断後インゴットMは、図2中二点鎖線で示すように、上側メインローラ21間に架け渡されたワイヤ列81の下方に位置する。また、ワイヤ8は、インゴットMの切断時に摩耗し、切断前よりも細くなる。
この引き抜き工程において、保持手段6の上昇速度は、ワイヤ8に作用する負荷を抑制するために、300mm/min以下とすることが好ましい。
なお、ワイヤ列81に砥粒を含まないオイルを供給してもよい。
なお、ウェーハWの製造に際し、インゴットMを固定してワイヤ列81を昇降させてもよいし、インゴットMとワイヤ列81との両方を昇降させてもよい。
まず、直径300mm、直胴部の長さが200〜400mmのインゴットを準備した。
そして、図1に示すようなワイヤソーに直径が0.14mmのワイヤをセットし、スラリーを供給しながらインゴットの切断工程を行った。
引き抜き工程におけるワイヤ列の走行速度、保持手段の上昇速度を表1に示す条件にしたこと以外は、比較例1と同じ条件でウェーハを製造した。
〔傷付き評価〕
それぞれ1枚ずつの比較例1〜3、参考例1、実施例1,2のウェーハをX線並びに目視で確認し、傷付きレベルを評価した。その結果を表1に示す。なお、表1中、「A」は傷がないレベル、「B」は傷がいくつかあるものの許容できるレベル、「C」は傷が多数あり許容できないレベルを表す。
また、図3に示すように、表1の傷付き評価結果とワイヤ列の走行速度と保持手段の上昇速度との関係を表すマップ図を作成した。
また、ワイヤ列の走行速度を8m/min以下とすることで傷付きが許容できるレベル(AまたはB)になり、4m/min以下とすることで傷付きがないレベル(A)になることが確認できた。
また、ウェーハ表面の傷付きは、特に図1の領域Rに対応する位置に発生していることが確認できた。
Vh≧0.03×Vw−20 … (1)
ただし、Vh≦10の場合を除く
0.03×Vw−20>Vh≧0.015×Vw−20 … (2)
ただし、Vh≦10の場合を除く
Vh<0.015×Vw−20 … (3)
それぞれ30〜45枚ずつの比較例1〜3、参考例1、実施例1,2のウェーハに対し、Surfscan SP1(KLA−Tencor社製)のObliqueモードで測定を行い、LPDマップを作成した。そして、エリアカウントアベレージと、エリアカウント0個率とを評価した。
エリアカウントアベレージは、0.2μm以上の大粒径LPDをエリアとして個数をカウントし、エリアカウント総数/投入枚数により算出した。
エリアカウント0個率は、0.2μm以上の大粒径LPDの無いウェーハ枚数をカウントし、そのウェーハ枚数/投入枚数により算出した。
それらの結果を表1に示す。
以上のことから、引き抜き工程時に100mm/min以上の速度で保持手段を上昇させることで、ウェーハ表面の傷付きを抑制できる上、LPDの発生も抑制できることが確認できた。
Claims (6)
- ワイヤソーを用いた単結晶インゴットの切断によりウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、
走行中のワイヤ列にスラリーを供給しつつ、前記単結晶インゴットを保持する保持手段を前記ワイヤ列に対して相対的に下降させることで、前記単結晶インゴットを切断する切断工程と、
前記保持手段を前記ワイヤ列に対して相対的に上昇させることで、切断後の単結晶インゴットを前記ワイヤ列から引き抜く引き抜き工程とを備え、
前記引き抜き工程は、100mm/minを超える速度で前記保持手段を相対的に上昇させることを特徴とするウェーハの製造方法。 - 請求項1に記載のウェーハの製造方法において、
前記引き抜き工程は、前記ワイヤ列を一つの方向のみに走行させることを特徴とするウェーハの製造方法。 - 請求項2に記載のウェーハの製造方法において、
前記引き抜き工程は、前記ワイヤ列における前記切断工程で使用した部分のみを前記ウェーハ間で走行させることを特徴とするウェーハの製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のウェーハの製造方法において、
前記引き抜き工程は、10N以上40N以下の張力で前記ワイヤ列を走行させることを特徴とするウェーハの製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のウェーハの製造方法において、
前記引き抜き工程は、前記ワイヤ列にスラリーを供給せずに行うことを特徴とするウェーハの製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のウェーハの製造方法において、
前記引き抜き工程は、前記ワイヤ列に砥粒を含まないオイルを供給しつつ行うことを特徴とするウェーハの製造方法。
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