JP6501371B2 - 機械制御装置、機械制御プログラムおよび機械制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、機械制御装置、機械制御プログラムおよび機械制御方法に関する。

従来、様々な技術分野において、機械装置の自動制御技術が利用されている。具体的に
は、例えば、各種製造装置やプラント装置等といった機械装置において、その機械装置で
取り扱う制御対象物の状態が目標とする状態と合致するように、制御対象物の状態の検出
結果に基づいて機械装置における動作をコントロールする、といったことが広く行われて
いる。また、近年では、過去の運転実績がない場合であっても、機械装置の特性等を推定
して制御対象物をモデル化することで、その機械装置において制御対象物が目標状態とな
るような動作コントロールを可能にすることが提案されている（例えば、特許文献１参照
）。

特開２００１−２０９４０５号公報

しかしながら、機械装置については、制御対象物を一意にモデル化して目標状態となる
ように動作コントロールをすることが非常に困難なこともあり得る。
例えば、制御対象物の特性（温度、粘性、張力等）が経時的に変動する場合には、その
制御対象物を一意にモデル化することが必ずしも容易ではない。さらに、制御対象物の状
態の変動と機械装置の動作状況とが一義的に対応していない場合（制御対象物の特性変動
が機械装置の様々な動作に起因して生じる場合等）においても、制御対象物のモデル化が
困難となり得る。また、機械装置の動作が長時間に及ぶ場合には、予め動作試行して様々
な現象を相当量把握した上で制御モデルを作成することは現実的でない。また、一般に機
械装置の自動制御はリアルタイム性が求められるため、最良行動を探索しながら学習して
いくタイプの強化学習の適用は不向きである。

そこで、本発明は、制御対象物を一意にモデル化して目標状態となるように動作コント
ロールをすることが困難な場合であっても、その制御対象物が所望状態を維持するように
機械装置の動作を制御することを可能にする機械制御装置、機械制御プログラムおよび機
械制御方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記目的を達成するために案出されたもので、その態様は以下のとおりであ
る。

本発明の一態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置に搭載されて用いられ、または前記機械装置に接続されて用
いられる機械制御装置であって、
前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測部と、
前記計測部での計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定部と、
前記判定部で求めた制約判定値に基づき、前記機械装置に対する動作制御を、前記制御
判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御部と、
前記制御部が行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御判定値
と前記動作制御との関係を再設定する学習部と、
を備える機械制御装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置に搭載されたコンピュータ、または前記機械装置に接続され
て用いられるコンピュータに、
前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測ステップと、
前記計測ステップでの計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定ス
テップと、
前記判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記機械装置に対する動作制御を、前
記制御判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御ステップと、
前記制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御
判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習ステップと、
を実行させる機械制御プログラムが提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置の動作を制御する機械制御方法であって、
前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測ステップと、
前記計測ステップでの計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定ス
テップと、
前記判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記機械装置に対する動作制御を、前
記制御判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御ステップと、
前記制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御
判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習ステップと、
を含む機械制御方法が提供される。

本発明によれば、制御対象物が所望状態を維持するように、その制御対象物を扱う機械
装置の動作を制御することが可能となる。

本発明の一実施形態に係る機械装置である単結晶製造装置の概略構成例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る機械制御装置の機能構成例を示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る機械制御装置が制御対象物とする溶融帯域の形状の一具体例を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る機械制御方法の手順の一例を示すフロー図である。

以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。

＜１．単結晶製造の概要＞
先ず、本実施形態に係る機械制御装置、機械制御プログラムおよび機械制御方法の説明
に先立ち、その機械制御装置、機械制御プログラムおよび機械制御方法によって制御され
る機械装置の一例である単結晶製造装置と、その単結晶製造装置を用いて行う単結晶製造
の概要について、簡単に説明する。
ここでは、原料と種結晶との間に溶融帯域を形成し、その溶融帯域から連続的に結晶を
成長させて単結晶製造を行う場合、特に天地方向の地の位置（以下「下方」ともいう。）
に原料を配置し、天地方向の天の位置（以下「上方」ともいう。）に種結晶を配置するア
ドバンスド・ペデスタル（ＡＰ）法を利用して単結晶製造を行う場合を例に挙げ、はじめ
に単結晶製造装置の基本構成を、次いで単結晶製造の基本的な手順を説明する。

（１−１）単結晶製造装置の基本構成
図１は、本実施形態に係る単結晶製造装置の概略構成例を示す模式図である。

（全体構成）
単結晶製造装置１は、主要な構成要素部として原料把持部２、種結晶把持部３および加
熱部４，５を備えており、これらの各部２〜５を動作させることで単結晶を成長させるよ
うに構成されている。以下、これらの各部２〜５について順に説明する。

なお、単結晶を成長させる結晶成長炉は石英炉心管１１で密閉されており、下部シャフ
トフランジ１２、上部シャフトフランジ１３とともに炉内の成長雰囲気を外界から隔離し
ている。炉内には雰囲気導入口１４から適切な組成の雰囲気を導入し、雰囲気排出口１５
から排出し、炉内の雰囲気成分および圧力を適切に保つことができる。

（原料把持部）
原料把持部２は、単結晶の成長に必要となる原料Ｍを把持するもので、ＡＰ法に対応し
て種結晶把持部３と対向する天地方向の地の位置（図中の下方側）に配置されている。
原料Ｍとしては、例えばペレット状のものを用いる。そのため、原料把持部２は、ペレ
ット状の原料Ｍと係合自在な形状に構成された原料ホルダ２１を有している。
また、原料把持部２は、天地方向に移動自在で、かつ、天地方向に延びる軸を中心にし
て回転自在に構成されている。そのために、原料把持部２は、原料ホルダ２１から下方側
に延びる下部シャフト２２を有しており、その下部シャフト２２が図示せぬ駆動源に連結
されている。なお、駆動源は、後述する制御部からの指示に従って原料把持部２の駆動動
作を行うようになっている。

（種結晶把持部）
種結晶把持部３は、単結晶の成長に必要となる種結晶Ｓを把持するもので、ＡＰ法に対
応して原料把持部２と対向する天地方向の天の位置（図中の上方側）に配置されている。
種結晶Ｓとしては、例えば棒状のものを用いる。そのため、種結晶把持部３は、棒状の
種結晶Ｓと係合自在な形状に構成された種結晶ホルダ３１を有している。
また、種結晶把持部３は、天地方向に移動自在で、かつ、天地方向に延びる軸を中心に
して回転自在に構成されている。そのために、種結晶把持部３は、種結晶ホルダ３１から
上方側に延びる上部シャフト３２を有しており、その上部シャフト３２が図示せぬ駆動源
に連結されている。なお、駆動源は、後述する制御部からの指示に従って種結晶把持部３
の駆動動作を行うようになっている。

（加熱部）
加熱部４，５は、原料把持部２に把持された原料Ｍに対する局所的加熱を行って、その
原料Ｍを溶融させるものである。ここでは、加熱部４，５のそれぞれが、局所的加熱に寄
与するように構成された場合を例に挙げている。

具体的には、局所的加熱に寄与する加熱部４として、赤外線を発生させる赤外線ランプ
４１と、これに付設された回転楕円鏡４２と、を有している。そして、回転楕円鏡４２の
一方の焦点Ｆ１に赤外線ランプ４１が位置し、原料把持部２に把持された原料Ｍが他方の
焦点Ｆ０に位置するように、それぞれが配置されている。このような構成により、加熱部
４は、原料Ｍの斜め上方に位置する赤外線ランプ４１が発生させた赤外線を利用しつつ、
原料Ｍに対する局所的加熱を行うことができる。なお、赤外線ランプ４１は、後述する制
御部からの指示に従ってランプ強度（すなわち赤外線強度）が調整されるようになってい
る。

また、原料把持部２に把持された原料Ｍの周囲には、局所的加熱に寄与する他の加熱部
５として、その原料Ｍを囲うように形成された筒状の遮蔽筒５１を有している。遮蔽筒５
１は、天地方向に移動自在に構成されている。このような構成により、加熱部５は、赤外
線ランプ４１が発生させた赤外線を、原料Ｍにおける所定の部分に対してのみ照射するこ
と、すなわち原料Ｍに対する局所的な加熱を確実なものとするができる。そのために、遮
蔽筒５１は、支持フロア５２上に固定されており、その支持フロア５２を介して図示せぬ
駆動源に連結されている。なお、駆動源は、後述する制御部からの指示に従って遮蔽筒５
１の移動動作を行うようになっている。

なお、ここでは、加熱部４，５のそれぞれが局所的加熱に寄与する場合を例に挙げたが
、必ずしもこれらの両方を併せ持つ必要はなく、例えば加熱部４のみを備えている場合で
あっても、原料Ｍを加熱することは可能である。
また、ここでは、加熱部４が赤外線ランプ４１と回転楕円鏡４２を用いて局所的加熱を
行う場合を例に挙げているが、加熱部４は、赤外線ランプ４１に代わって、または赤外線
ランプ４１と併用して、レーザ光を照射して局所的加熱を行うように構成されたものであ
ってもよい。

（１−２）単結晶製造の基本的な手順
次に、上述した構成の単結晶製造装置１を用いて行う単結晶製造の基本的な手順を説明
する。単結晶製造装置１による単結晶製造は、大別すると、準備工程と、加熱工程と、単
結晶成長工程と、を経る。以下、これらの各工程について順に説明する。

（準備工程）
単結晶製造に際しては、先ず、下方に位置する原料把持部２に原料Ｍを把持させ、上方
に位置する種結晶把持部３に種結晶Ｓを把持させる。これにより、原料Ｍと種結晶Ｓとは
、対向して配置されることになる。そして、原料把持部２および種結晶把持部３をそれぞ
れ天地方向に沿って移動させることで、原料把持部２に把持された原料Ｍと種結晶把持部
３に把持された種結晶Ｓとを互いに近接させる。

（加熱工程）
次いで、原料Ｍと種結晶Ｓとが近接した状態で、原料把持部２および種結晶把持部３を
それぞれ逆相で周方向に回転させつつ、その近接部分の斜め上方側から、赤外線ランプ４
１で発生させた赤外線を、原料Ｍに対して直接、および、回転楕円鏡４２により反射した
上で、その原料Ｍに集光させて照射する。さらには、そのときに遮蔽筒５１を適切な位置
に配置する。これにより、原料把持部２に把持された原料Ｍにおける種結晶Ｓと対向する
部分が局所的に加熱されることになり、その原料Ｍの上端側が溶融する。そして、その溶
融部分に多少溶融した種結晶Ｓを接触させることで、原料Ｍと種結晶Ｓとの間に溶融帯域
Ｍｌが形成される。

（単結晶成長工程）
溶融帯域Ｍｌが形成された後は、その溶融帯域Ｍｌから単結晶を成長させる。具体的に
は、種結晶把持部３を上昇させることで、溶融帯域Ｍｌを上方へ引っ張り上げて、その溶
融帯域Ｍｌの上方側部分（成長部分Ｍｃ）が赤外線照射領域から外れるようにする。これ
により、その成長部分Ｍｃについては、温度が下降して冷却されて、単結晶Ｍｃとして成
長することになる。

その一方で、溶融帯域Ｍｌから連続的に単結晶Ｍｃを成長させるためには、新たな溶融
帯域Ｍｌを形成する必要がある。そのため、原料Ｍを赤外線照射領域内へ次々に移動させ
るべく、原料把持部２についても上昇させる。このように、原料把持部２および種結晶把
持部３を引き上げつつ、それぞれの上昇スピードを適宜調整することによって、溶融帯域
Ｍｌから連続的に単結晶Ｍｃを成長させることができる。

以上のような手順を経ることによって、単結晶製造装置１において、大口径の単結晶を
製造することが可能となる。そして、所定の量の単結晶が成長したら、適宜必要な作業を
行いつつ、単結晶の製造を終了する。

なお、以上に説明した単結晶製造装置１の基本構成および単結晶製造の基本的な手順に
おいて、特に記載がない内容については、溶融帯域法による単結晶製造に関する公知技術
の構成や手順等（例えば、特開２０１５−０８１２１７号公報、特開２０１５−０８１２
１８号公報、特許第５９２６４３２号に記載の内容）を適宜採用しても構わない。

＜２．発明者の得た知見＞
ところで、上述した手順による単結晶製造にあたっては、溶融帯域Ｍｌから連続的に単
結晶Ｍｃを成長させることから、その溶融帯域Ｍｌを構成する融液が崩落せず結晶成長を
継続させ得るように、その溶融帯域Ｍｌが形成されている状態を維持することが必要不可
欠である。

ただし、溶融帯域Ｍｌをある特定の状態に維持することは、単結晶製造装置１の機差、
原料Ｍの違い、原料把持部２に把持された原料Ｍと種結晶把持部３に把持された種結晶Ｓ
との偏心状態、溶融帯域Ｍｌの内部の物性（融液の粘度等）等といった様々な要因の影響
を受け、また結晶成長が長時間（例えば数十時間）に及ぶこともあるため、必ずしも単結
晶製造装置１のオペレータが容易に行えることではない。

この点については、例えば、単結晶製造装置１に対して、公知の自動制御技術を適用す
ることも考えられる。具体的には、単結晶製造装置１において、その単結晶製造装置１で
取り扱う溶融帯域Ｍｌの状態が予め設定された目標となる状態と合致するように、溶融帯
域Ｍｌの状態の検出結果に基づいて単結晶製造装置１における各部２〜５の動作をコント
ロールする、といったことを行うことが考えられる。

しかしながら、単結晶製造装置１で取り扱う溶融帯域Ｍｌについては、以下に述べる理
由により、その挙動を正確に把握したり、その形状の状態を的確に制御したりすることが
、非常に困難である。
溶融帯域Ｍｌの形状は、単結晶製造装置１の機差、原料Ｍの違い、原料把持部２に把持
された原料Ｍと種結晶把持部３に把持された種結晶Ｓとの偏心状態等の影響で、単結晶製
造装置１における動作毎に相違してしまう可能性がある。そのため、単結晶製造装置１に
おける溶融帯域Ｍｌの挙動について、これを予め正確に把握することは、非常に困難であ
る。
また、溶融帯域Ｍｌについては、その特性（融液の温度、粘性、張力等）が経時的に変
動し得るため、それ自体を一つの物理モデルとして捉えること、すなわちそれ自体を一意
にモデル化することが必ずしも容易ではない。さらに、単結晶製造装置１においては、溶
融帯域Ｍｌの特性変動が単結晶製造装置１の様々な動作に起因して生じ得る。具体的には
、例えば、溶融帯域Ｍｌの形状の膨らみは、融液加熱量の過剰によって生じる場合、融液
加熱量の不足によって生じる場合、原料把持部２または種結晶把持部３の動作に起因して
生じる場合のいずれもあり得る。したがって、溶融帯域Ｍｌの形状が膨らんでいるという
情報から、直ちに各部２〜５の動作コントロールのための制御値を求めることは容易では
ない。このように、溶融帯域Ｍｌの状態の変動と単結晶製造装置１の動作状況とが一義的
に対応していない場合においても、溶融帯域Ｍｌのモデル化が困難となり得る。
また、溶融帯域Ｍｌによる結晶成長は長時間（例えば数十時間）に及ぶこともあるため
、単結晶製造装置１において予め動作試行して様々な現象を相当量把握した上で制御モデ
ルを作成することは現実的でない。しかも、単結晶製造装置１に対する自動制御はリアル
タイム性が求められるため、最良行動を探索しながら学習していくタイプの強化学習の適
用は不向きである。

つまり、単結晶製造装置１における溶融帯域Ｍｌについては、その溶融帯域Ｍｌを一つ
の物理モデルとして明示的に記述することが容易ではなく、その溶融帯域Ｍｌの形状を目
標形状に追従させるように制御することが困難である。

このことを踏まえた上で、本願の発明者は鋭意検討を重ねた結果、従前の自動制御のよ
うに溶融帯域Ｍｌの形状を目標形状に追従させるのではなく、溶融帯域Ｍｌによる結晶成
長を継続させ得る状態を所定の状態（以下「所定形状状態」ともいう。）として規定し、
溶融帯域Ｍｌの形状が所定形状状態から外れないように制御を行えば、その溶融帯域Ｍｌ
が形成されている状態を容易かつ確実に維持することができる、という新たな知見を得る
に至った。つまり、理想的な目標値を規定することが困難な場合であっても、破綻を招く
限界値であれば容易に規定可能なこともあるので、その点に着目して、限界値から外れな
いような制御を行えば、容易かつ確実な動作制御が可能になる、という新たな知見を得た
のである。

さらに、本願の発明者は鋭意検討を重ねた結果、溶融帯域Ｍｌの形状が所定形状状態か
ら外れないように制御を行いつつ、その制御結果に応じて制御モデルの再設定を行えば、
その制御内容について学習効果が発揮され、その溶融帯域Ｍｌが形成されている状態を高
精度で維持することができる、という新たな知見を得るに至った。つまり、溶融帯域Ｍｌ
を一意にモデル化して目標形状となるように動作コントロールをすることが困難な場合で
あっても、学習効果を発揮するように制御結果を新たな制御内容に反映させれば、モデル
化した場合と同等の精度で動作コントロールをすることが可能になる、という新たな知見
を得たのである。

本発明は、本願の発明者が見出した上述の新たな知見に基づくものである。

＜３．制御構成および制御手順の詳細＞
次に、上述の知見に基づいて、機械装置の一例である単結晶製造装置１に対する自動制
御を行うために案出された、本発明の一実施形態に係る機械制御装置および機械制御方法
について、詳しく説明する。

（３−１）制御構成の詳細
図２は、本実施形態に係る機械制御装置の機能構成例を示すブロック図である。

（全体構成）
単結晶製造装置１には、上述の知見に基づく制御処理を行うために、機械制御装置（以
下、単に「制御装置」という。）６が付設されている。制御装置６は、単結晶製造装置１
内に搭載されたもの（すなわち、単結晶製造装置１と一体のもの）であってもよいし、単
結晶製造装置１に有線または無線の通信回線等を介して接続されたもの（すなわち、単結
晶製造装置１とは別体のもの）であってもよい。

制御装置６は、単結晶製造装置１における各部２〜５の動作を制御するためのもので、
ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Ac
cess Memory）等の組み合わせからなる演算部、フラッシュメモリやＨＤＤ（Hard Disk D
rive）等の記憶部、外部インタフェース等のデータ入出力部、ＣＣＤ（Charge Coupled D
evice）センサやＣＭＯＳ（complementary metal oxide semiconductor）センサ等の画像
撮像部といったハードウエア資源を備えて構成されたものである。つまり、制御装置６は
、コンピュータ装置としてのハードウエア資源を備えて構成されており、記憶部に記憶さ
れたプログラムを演算部が実行することにより、そのプログラム（ソフトウエア）とハー
ドウエア資源とが協働して、単結晶製造装置１の動作を制御するようになっている。

また、制御装置６は、大別すると、形状認識部１０と、動作制御部２０と、を備えて構
成されている。以下、これらの各部１０，２０について順に説明する。

（形状認識部）
形状認識部１０は、本発明の「計測部」の一具体例として機能するもので、単結晶製造
装置１における溶融帯域Ｍｌの状態に関する計測を行うものである。さらに詳しくは、形
状認部１０は、溶融帯域Ｍｌの撮像画像（当該溶融帯域Ｍｌと原料Ｍとの接合箇所および
当該溶融帯域Ｍｌと単結晶Ｍｃとの接合箇所の画像を含む。）を取得して、その撮像画像
から溶融帯域Ｍｌの形状を認識した上で、その溶融帯域Ｍｌの形状の特徴値を計測するも
のである。そのために、形状認識部１０は、画像撮像部１１と、画像解析部１２と、を備
えて構成されている。

（画像撮像部）
形状認識部１０における画像撮像部１１は、ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサ等によって
実現されるもので、溶融帯域Ｍｌの形状についての撮像画像を取得するものである。取得
する撮像画像は、静止画であってもよいし動画であってもよい。以下の説明では、画像撮
像部１１が撮像画像として動画を取得する場合を例に挙げる。

なお、単結晶製造装置１はＡＰ法による単結晶製造を行うものであり、赤外線ランプ４
１が斜め上方側から赤外線を照射して局所的加熱を行うように構成されていることから、
画像撮像部１１は、溶融帯域Ｍｌの側方側に配されて撮像を行うことで、その溶融帯域Ｍ
ｌについての撮像画像を取得することができる。これにより、溶融帯域Ｍｌの撮像画像を
取得する場合であっても、そのために装置構成が複雑化してしまうのを極力抑制すること
ができる。さらには、側方からの撮像画像を基にすることで、溶融帯域Ｍｌの形状認識を
容易に、かつ、精度良く行い得るようになる。

（画像解析部）
形状認識部１０における画像解析部１２は、演算部が所定プログラムを実行することに
よって実現されるもので、画像撮像部１１で取得した撮像画像を解析して溶融帯域Ｍｌの
形状についての特徴値を抽出するものである。特徴値は、溶融帯域Ｍｌにおける特徴的な
形状部分を特定するもので、具体的にはその一例として特徴的な形状部分の寸法値を用い
ることが考えられる。どのような特徴値を抽出するかについては、予め設定されているも
のとする。また、抽出数については、予め設定されていれば、単数種類であってもよいし
、複数種類であってもよい。

図３は、本実施形態に係る機械制御装置が制御対象物とする溶融帯域の形状の一具体例
を示す説明図である。
図例のように、溶融帯域Ｍｌの形状についての特徴値としては、例えば、結晶径Ｄ_Ｕ［
ｍｍ］、原料側部分異常径Ｄ_Ｍ［ｍｍ］、原料径Ｄ_Ｌ［ｍｍ］、溶融帯域上部曲率Ｃ_Ｕ［
／ｍｍ］、溶融帯域下部曲率Ｃ_Ｌ［／ｍｍ］、溶融帯域高Ｌ_Ｍ［ｍｍ］、原料側部分異常
高Ｗ_Ｍ［ｍｍ］の少なくとも一つ、好ましくはこれら７種類の全てを抽出することが考え
られる。
なお、ここで例示した特徴値は一具体例に過ぎず、抽出すべき特徴値がこれらに限定さ
れることはない。

このような特徴値の抽出は、公知の画像処理技術を用いて行えばよい。具体的には、画
像撮像部１１で取得した撮像画像から切り出した１フレームの画像について、エッジ検出
を行った上で、特徴的な形状部分の寸法値を計測すれば、特徴値の抽出を行うことができ
る。

ところで、ＡＰ法による単結晶製造にあたっては、融液の攪拌および被加熱環境の均質
化のために、原料Ｍおよび種結晶Ｓをそれぞれ逆相で回転させている。しかも、それぞれ
を把持する原料把持部２および種結晶把持部３の回転軸も偏心しているおそれがある。
これらのことを考慮して、画像解析部１２は、以下のようにして特徴値の抽出を行うも
のであってもよい。具体的には、原料把持部２および種結晶把持部３の回転に同期させた
複数のフレーム画像（例えば、４８分周の画像）のそれぞれから特徴値を求め、それらに
ついて平滑化する処理を行ってノイズ成分等を除去した上で、抽出すべき特徴値を特定す
る。つまり、画像解析部１２は、溶融帯域Ｍｌについて取得した複数の撮像画像を基に、
これら複数の撮像画像に対する平滑化処理を経て、その溶融帯域Ｍｌの形状を認識するも
のであってもよい。
このようにすれば、例えば、溶融帯域Ｍｌについて取得した撮像画像が回転や偏心等の
影響を受け得るものであっても、その影響によるノイズ成分等を除去した上で溶融帯域Ｍ
ｌの形状の特徴値を抽出できるので、特徴値の抽出の精度向上が図れるようになる。

（動作制御部）
また図２において、動作制御部２０は、単結晶製造装置１における各部２〜５に対して
動作指示を与えることで、それぞれの動作を制御するものである。なお、ここでは、各部
２〜５のいずれもが動作制御部２０によって制御される場合を例に挙げるが、動作制御部
２０は、これら各部２〜５の少なくとも一つの動作を制御するものであってもよい。

これら各部２〜５に対する動作制御にあたり、動作制御部２０は、形状認識部１０での
溶融帯域Ｍｌについての形状認識結果を基に、その溶融帯域Ｍｌの形状が所定形状状態か
ら外れないように、その動作制御を行うようになっている。ここでいう所定形状状態につ
いては、詳細を後述する。

このような動作制御を行うために、動作制御部２０は、演算部が所定プログラムを実行
することによって実現され、その所定プログラムを実行することで制約判定部２１、制御
値決定部２２、シーケンス制御部２３およびモデル学習部２４として機能するようになっ
ている。以下、これらの各部２１〜２４について順に説明する。

（制約判定部）
制約判定部２１は、本発明の「判定部」の一具体例として機能するもので、形状認識部
１０での計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求めるものである。さらに詳
しくは、制約判定部２１は、形状認識部１０における画像解析部１２で得た特徴値を、そ
の特徴値について設定された限界値と対比して、特徴値の限界値に対する近接度を制約判
定値ΔＲとして求めるものである。つまり、制約判定部２１は、所定の制約条件として、
形状認識部１０での計測結果である溶融帯域Ｍｌの特徴値について設定された限界値を用
い、その限界値に対する近接度を制約判定値ΔＲとして求めるのである。
ここでいう限界値は、特徴値のそれぞれに対して個別に設定されているもので、例えば
特徴値として規定された寸法値について許容される上限値または下限値が一具体例として
挙げられる。したがって、限界値は、一つの種類の特徴値に対して複数種類（例えば、上
限値と下限値の両方）が設定されることもあり得る。このような限界値によって特定され
る形状にある状態が、上述した所定形状状態に相当することになる。つまり、限界値は、
溶融帯域Ｍｌが所定形状状態を維持するために必要となる境界条件に相当する値である。
したがって、特徴値と限界値との対比を経ることで、溶融帯域Ｍｌは、特徴的な形状部分
の寸法値（すなわち特徴値）が限界値から外れないように制御され、融液が崩落したり破
断したりすることのない形状状態が維持されることになる。
また、特徴値の限界値に対する近接度は、特徴値が限界値に近接する度合い（すなわち
、近接の深刻度）を定量的に特定するためのもので、予め設定された演算式に基づいて算
出されるものである。演算式は、近接度の変化を線形に規定するものであってもよいし、
限界値に近づくほど近接度の変化が大きくなるような非線形のものであってもよい。

（制御値決定部）
制御値決定部２２は、本発明における「制御部」の一部に相当する部分の一具体例とし
て機能するもので、制約判定部２１で求めた制約判定値ΔＲに基づき、単結晶製造装置１
における各部２〜５の動作を制御するための制御値ΔＣを、制約判定値ΔＲと制御値ΔＣ
との関係を規定する制御モデル式を用いて、その制御モデル式に従いつつ決定するもので
ある。
ここでいう制御値ΔＣは、各部２〜５における動作内容を指示するための制御変数（制
御パラメータ）に相当するものである。具体的には、制御値決定部２２で決定する制御値
ΔＣとして、例えば、赤外線ランプ４１のランプ出力Ｑ_Ｌ［％］、遮蔽筒５１の上下方向
位置Ｐ_Ｓ［ｍｍ］、原料把持部２の上下方向への移動速度Ｖ_Ｌ［ｍｍ／ｈ］、種結晶把持
部３の上下方向への移動速度Ｖ_Ｕ［ｍｍ／ｈ］の少なくとも一つ、好ましくはこれら４種
類の全てについて、その変化量を規定するものが挙げられる（図３参照）。なお、ここで
例示した制御値ΔＣは一具体例に過ぎず、決定すべき制御値ΔＣがこれらに限定されるこ
とはない。
このような制御値ΔＣを決定するための制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，
…，ΔＲ^ｉ）（ただし、ｉは制約判定値ΔＲの種類数、ｊは制御値ΔＣの種類数、ＦはΔ
ＲとΔＣとの関数）は、後述する再設定に対応し得るように、予め設定されているものと
する。なお、制御モデル式の詳細については後述する。

（シーケンス制御部）
シーケンス制御部２３は、本発明における「制御部」の他の一部に相当する部分の一具
体例として機能するもので、制御値決定部２２が決定した制御値ΔＣを基に、単結晶製造
装置１における各部２〜５に対する動作制御を行うものである。つまり、シーケンス制御
部２３は、制御値決定部２２が決定した制御値ΔＣに従いつつ単結晶製造装置１における
各部２〜５が動作するように、各部２〜５のそれぞれに対して動作指示を与えるものであ
る。

（モデル学習部）
モデル学習部２４は、本発明の「学習部」の一具体例として機能するもので、シーケン
ス制御部２３が行う動作制御によって制約判定値ΔＲが変動した場合に、その制約判定値
ΔＲとシーケンス制御部２３が行う動作制御との関係を再設定するものである。さらに詳
しくは、モデル学習部２４は、シーケンス制御部２３が行う動作制御によって制約判定部
２１で求める制約判定値ΔＲがどのように変動するかに応じて、制御値決定部２２が用い
る制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）についての再設定を行うも
のである。
ここでいう再設定は、動作制御の結果の適切化が図れるように制御モデル式についての
設定を更新することであり、例えば制御モデル式を構成する被更新項目（例えば、後述す
る重み変数）を必要に応じて更新することが一具体例として挙げられる。なお、再設定の
詳細については後述する。
つまり、モデル学習部２４は、周期的に繰り返すサイクリックな処理として行われる動
作制御の結果に応じて制御モデル式の再設定を行うことで、その動作制御の結果を次に行
う動作制御の内容に反映させるように学習させ、これにより動作制御を繰り返すうちに結
果の適切化が図れるようにするものである。

（プログラム）
以上のように構成された制御装置６において、形状認識部１０における画像解析部１２
としての機能、並びに、動作制御部２０における制約判定部２１、制御値決定部２２、シ
ーケンス制御部２３およびモデル学習部２４として機能は、演算部が所定プログラムを実
行することによって実現される。つまり、形状認識部１０および動作制御部２０における
各機能を実現する所定プログラムは、本発明に係る「機械制御プログラム」の一実施形態
に相当する。
その場合に、各機能を実現する所定プログラムは、コンピュータ装置としての制御装置
６にインストール可能なものであれば、当該コンピュータ装置で読み取り可能な記録媒体
（例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、半導体メモリ等）に格納されて
提供されるものであってもよいし、インターネットや専用回線等のネットワークを通じて
外部から提供されるものであってもよい。

（３−２）制御手順の詳細
次に、上述した構成の制御装置６によって行われる制御処理の手順、すなわち本実施形
態に係る機械制御方法の手順について、詳しく説明する。

（制御処理の手順）
図４は、本実施形態に係る機械制御方法の手順の一例を示すフロー図である。

単結晶製造装置１を用いて単結晶製造を行う場合には、既に説明したように、準備工程
、加熱工程および単結晶成長工程を順に経る。そして、加熱工程または単結晶成長工程の
いずれかにおいて、原料Ｍと種結晶Ｓとの間に溶融帯域Ｍｌが形成され、その溶融帯域Ｍ
ｌが安定状態となったら、制御装置６による制御処理が開始される。なお、制御処理の開
始トリガーは特に限定されるものではないが、例えば単結晶製造装置１または制御装置６
のオペレータによる所定操作が開始トリガーの一具体例として挙げられる。

制御装置６による制御処理にあたっては、先ず、制御処理の条件設定を初期化する（ス
テップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。具体的には、制御処理の処理回数ｋを
ｋ＝１と設定するとともに、制御値決定部２２が用いる制御モデル式の設定を初期状態と
する。さらに詳しくは、制御モデル式における被更新項目（例えば、後述する重み変数）
を初期値に設定する。なお、初期値は、特定の値に限定されるものではなく、制御モデル
式の内容に応じて適宜設定されたものであれば、例えば予めの知見によるものであっても
よいし、あるいは例えば全て「１」といったものであってもよい。

条件設定を初期化したら、画像撮像部１１は、制御対象物となる溶融帯域Ｍｌの形状に
ついての撮像画像を取得する（Ｓ１０２）。そして、原料把持部２および種結晶把持部３
が一回転する分の撮像画像を画像撮像部１１で取得したら、画像解析部１２は、その撮像
画像を解析して（Ｓ１０３）、溶融帯域Ｍｌの形状についての特徴値を抽出する（Ｓ１０
４）。具体的には、画像解析部１２は、一回転分の撮像画像から複数のフレーム画像（例
えば、４８分周の画像）を切り出し、それぞれのフレーム画像についてエッジ検出等を行
って特徴値を求めるとともに、それぞれから求めた特徴値について平滑化処理を行ってノ
イズ成分等を除去した上で、抽出すべき特徴値を特定する。このようにして、画像解析部
１２は、溶融帯域Ｍｌの形状についての特徴値を抽出する。

特徴値を抽出したら、制約判定部２１は、画像解析部１２で得た特徴値を、その特徴値
について設定された限界値と対比して、特徴値の限界値に対する近接度を制約判定値ΔＲ
として求める（Ｓ１０５）。複数種類の特徴値が抽出された場合には、制約判定部２１は
、それぞれの特徴値について制約判定値ΔＲを求める。また、一つの種類の特徴値に対し
て複数種類の限界値が設定されている場合には、そして、制約判定部２１は、各限界値に
ついて制約判定値ΔＲを求める。

制約判定値ΔＲを求めたら、ここで、モデル学習部２４は、制約判定部２１が求めた制
約判定値ΔＲを、その前の処理回数ｋ−１のときに制約判定部２１で求めた同種類の制約
判定値ΔＲと比較し、処理回数ｋのときと処理回数ｋ−１のときで制約判定値ΔＲがどの
ように変動しているかを判定する（Ｓ１０６）。さらに詳しくは、モデル学習部２４は、
特徴値が限界値に近づいて近接度が増大するように制約判定値ΔＲが変動しているか、特
徴値が限界値から離れて近接度が減少するように制約判定値ΔＲが変動しているか、また
は、近接度が同一のままであるか、のいずれであるかを判定する。なお、処理回数ｋ＝１
のときは、まだ比較対象が存在しないので、かかる判定処理を省略してもよい。

その結果、近接度が増大していれば、モデル学習部２４は、制御値決定部２２が用いる
制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）のうち、その前の処理回数ｋ
−１のときに決定した制御値ΔＣ^ｊ（すなわち制御パラメータの変化量）が正の値となっ
た制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）において、その制御モデル
式を構成する被更新項目で、かつ、近接度が増大している種類の制約判定値ΔＲに関する
被更新項目（具体的には、例えば当該制約判定値ΔＲに関する重み変数）を、ネガティブ
方向（近接度増大を緩和させる方向）に更新する（Ｓ１０７）。
また、近接度が減少していれば、モデル学習部２４は、制御値決定部２２が用いる制御
モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）のうち、その前の処理回数ｋ−１
のときに決定した制御値ΔＣ^ｊ（すなわち制御パラメータの変化量）が正の値となった制
御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）において、その制御モデル式を
構成する被更新項目で、かつ、近接度が減少している種類の制約判定値ΔＲに関する被更
新項目（具体的には、例えば当該制約判定値ΔＲに関する重み変数）を、ポジティブ方向
（近接度減少を促進させる方向）に更新する（Ｓ１０８）。
また、近接度が同一であれば、モデル学習部２４は、制御値決定部２２が用いる制御モ
デル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）に対する再設定を行わない。
なお、制御モデル式における被更新項目（重み変数等）およびその更新の具体的な態様
については、詳細を後述する。

以上のような判定および更新を経た上で、制御値決定部２２は、更新後の制御モデル式
ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）を用いつつ、制約判定部２１で求めた制約
判定値ΔＲに基づいて、単結晶製造装置１における各部２〜５の動作を制御するための制
御値ΔＣを決定する（Ｓ１０９）。なお、制御モデル式の具体的な態様については、詳細
を後述する。

そして、制御値ΔＣを決定したら、シーケンス制御部２３は、その制御値ΔＣに従いつ
つ単結晶製造装置１における各部２〜５が動作するように、各部２〜５のそれぞれに対し
て動作指示を与える（Ｓ１１０）。これにより、単結晶製造装置１では、原料Ｍと種結晶
Ｓとの間に形成された溶融帯域Ｍｌの形状が所定形状状態から外れないように、各部２〜
５の動作が制御されることになる。

その後、制御装置６は、上述した一連の制御処理を終了するか否かを判断する（Ｓ１１
１）。この判断は、特に限定されるものではないが、例えば単結晶製造装置１または制御
装置６のオペレータによる所定操作があるか否かに基づいて判断することが考えられる。

そして、制御処理を終了しない場合には、制御装置６は、制御処理の処理回数ｋをｋ＋
１にインクリメントした上で（Ｓ１１２）、撮像画像の取得（Ｓ１０２）から上述した一
連の制御処理（Ｓ１０２〜Ｓ１１２）を繰り返す。つまり、制御装置６を構成する形状認
識部１０における画像撮像部１１および画像解析部１２、並びに、同制御装置６を構成す
る動作制御部２０における制約判定部２１、制御値決定部２２、シーケンス制御部２３お
よびモデル学習部２４は、上述した一連の制御処理（Ｓ１０２〜Ｓ１１２）を、周期的に
繰り返すサイクリックな処理として行うのである。

サイクリック処理は、一サイクルの処理が規定の時間内に完了するように、その周期が
設定されているものとする。ここでいう規定の時間は、単結晶製造装置１における各部２
〜５の動作仕様に応じて定められた時間、具体的には各部２〜５に対する動作制御を単結
晶の製造と並行してリアルタイムに行うことを実現可能にする時間であり、例えば５００
ｍｓ〜数秒に設定された時間である。つまり、制御装置６における各部１１〜２４が行う
一連の制御処理（Ｓ１０２〜Ｓ１１２）については、その一サイクルが規定の時間内に完
了するようになっている。
このような周期で処理を行うことで、制御装置６における各部１１〜２４は、単結晶製
造装置１における各部２〜５に対する動作制御を、その単結晶製造装置１にて溶融帯域Ｍ
ｌを利用して行う単結晶の製造と並行して実行することになる。つまり、単結晶製造装置
１では、単結晶の製造に必要である溶融帯域Ｍｌの動きに追従しつつ、各部２〜５に対す
る動作制御を、単結晶の製造と並行してリアルタイムに行うことができるのである。

なお、サイクリック処理に関する規定の時間については、制御対象物である溶融帯域Ｍ
ｌと、その溶融帯域Ｍｌを取り扱う単結晶製造装置１とに関する時定数に基づいて設定さ
れているものであってもよい。
ここでいう時定数は、単結晶製造装置１における各部２〜５の動作状態を変化させてか
ら溶融帯域Ｍｌの形状が安定するまでに要する時間のことであり、経験則や実験結果等に
基づいて定め得るものである。
時定数に基づいて周期を設定する場合には、サイクリック処理の周期を、時定数の経過
を待ってから動作制御を行うような時系列のものとする。このようにすれば、溶融帯域Ｍ
ｌの形状が安定するまで待つことになるので、動作制御のリアルタイム性を担保しつつ、
その動作制御の精度向上が図れるようになる。

（制御モデル式の詳細）
ここで、上述した一連の制御処理において用いる制御モデル式について、具体例を挙げ
つつ、さらに詳しく説明する。

例えば、溶融帯域Ｍｌの形状について、既に説明した７種類の特徴値の全てを抽出する
場合を考える。これらの特徴値については、それぞれが予め設定されている限界値と対比
される。そして、その限界値に対する近接度を制約判定値ΔＲとして求める。このとき、
限界値は、一つの種類の特徴値に対して複数種類（例えば、上限値と下限値の両方）が設
定されることもあり得る。したがって、制約判定値ΔＲとしては、ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，
ΔＲ^ｉのｉ種類（ｉは特徴値の種類（例えば７種類）の数以上の自然数）を求めることに
なる。

制約判定値ΔＲは、予め設定された演算式に基づいて算出すればよい。具体的には、特
徴値として溶融帯域下部曲率Ｃ_Ｌ［／ｍｍ］を例に挙げると、これを上限値と対比させた
場合の制約判定値ΔＲＣ_ＬＵは、以下の（１）式によって算出すればよい。なお、（１）
式において、Ｒは限界接近率の基準値（限界深刻度を測るもの）、Ｃ_ＬＵは溶融帯域下部
曲率上限［／ｍｍ］、Ｃ_ＬＬは溶融帯域下部曲率下限［／ｍｍ］である。

他の種類の制約判定値ΔＲについても、上記の（１）式と同様の演算式を基にして算出
すればよい。このような算出処理を各特徴値および各限界値について行うことで、ｉ種類
の制約判定値ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉを求めることができる。

制約判定値ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉを求めた後は、これらの制約判定値ΔＲ^１，Δ
Ｒ^２，…，ΔＲ^ｉを基に、制御モデル式を用いて制御値ΔＣを決定する。制御値ΔＣとし
ては、例えば、既に説明した４種類（図３参照）について決定することが考えられる。

つまり、制御値ΔＣとしては、ΔＣ^１，ΔＣ^２，…，ΔＣ^ｊのｊ種類（ｊは自然数）が
存在し得る。そのために、これらを決定する制御モデル式についても、ΔＣ^１＝Ｆ_１（Δ
Ｒ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）、ΔＣ^２＝Ｆ_２（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）、…、ΔＣ
^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）といったように、各制御値ΔＣ^１，ΔＣ^２，…
，ΔＣ^ｊのそれぞれに個別に対応して設定される。

具体的には、ｊ番目の制御値ΔＣ^ｊを決定するための制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ
^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）として、以下の（２）〜（４）式のようなものが例示できる。
以下に示す（２）式は、制御値ΔＣ^ｊにより制御される動作対象を増大させる方向（例
えば、ランプ出力Ｑ_Ｌであれば温度を上昇させる出力増大方向）に変動させるための制御
値ΔＣ^ｊ _Ｐと、制御値ΔＣ^ｊにより制御される動作対象を減少させる方向（例えば、ラン
プ出力Ｑ_Ｌであれば温度を降下させる出力減少方向）に変動させるための制御値ΔＣ^ｊ _Ｎ
とを、それぞれ別個独立に求めた上で、これらの各制御値ΔＣ^ｊ _Ｐ，ΔＣ^ｊ _Ｎを合成して
制御値ΔＣ^ｊとする式である。このように、制御値ΔＣ^ｊを増大方向と減少方向の各方向
に分解して演算するのは、各方向で線形性がない場合を考慮したことによる。つまり、各
方向に分解して求めた制御値ΔＣ^ｊ _Ｐ，ΔＣ^ｊ _Ｎを合成して制御値ΔＣ^ｊとすれば、各方
向の線形性の有無にかかわらずに（すなわち線形性がない場合であっても）、その制御値
ΔＣ^ｊを精度良く決定することが可能となる。

上記の（２）式において、制御値ΔＣ^ｊにより制御される動作対象を増大方向に変動さ
せる制御値ΔＣ^ｊ _Ｐは、以下の（３）式によって特定される。なお、（３）式において、
α_１１，α_１２，…，α_１ｉは、ｉ種類の制約判定値ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉのそれ
ぞれに個別に対応する重み変数である。

また、上記の（２）式において、制御値ΔＣ^ｊにより制御される動作対象を減少方向に
変動させる制御値ΔＣ^ｊ _Ｎは、以下の（４）式によって特定される。なお、（４）式にお
いて、α_２１，α_２２，…，α_２ｉは、ｉ種類の制約判定値ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ
のそれぞれに個別に対応する重み変数である。

上記の（２）〜（４）式から明らかなように、ｊ番目の制御値ΔＣ^ｊを決定するための
制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）は、ｉ種類（すなわち複数種
類）の制約判定値ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉの加重平均を利用して各制御値ΔＣ^ｊ _Ｐ，
ΔＣ^ｊ _Ｎを算出する式を含むものである。このように、加重平均を利用した式を用いるこ
とで、制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）は、各制約判定値ΔＲ
^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉが制御値ΔＣ^ｊの算出結果にどのような影響を及ぼすかを適切に
反映させ得るものとなる。

さらに詳しくは、制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）に含まれ
る（３）式および（４）式は、指数空間で加重平均をとった後に対数をとって線形空間に
戻す式である。このように、指数空間での加重平均を利用することで、制御値ΔＣ^ｊの算
出精度向上が期待できるようになる。

なお、ここでは、ｊ番目の制御値ΔＣ^ｊを決定するための制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（
ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）について具体例を挙げたが、他の種類の制御値ΔＣ^１，Δ
Ｃ^２，…，ΔＣ^ｊ−１についても、制御値ΔＣ^ｊの場合と同様に設定された制御モデル式
を用いることが考えられる。このような制御モデル式を用いることで、ｊ種類の各制御値
ΔＣ^１，ΔＣ^２，…，ΔＣ^ｊのそれぞれを決定することができる。

このようにして決定された各制御値ΔＣ^１，ΔＣ^２，…，ΔＣ^ｊは、溶融帯域Ｍｌの形
状における各特徴値がそれぞれについて設定された限界値から外れないように制御するた
めのものとなる。したがって、このような各制御値ΔＣ^１，ΔＣ^２，…，ΔＣ^ｊを用いた
動作制御を行えば、各特徴値について理想的な目標値を規定することが困難な場合であっ
ても、溶融帯域Ｍｌの形状の破綻を招く限界値から外れないようにすることができる。つ
まり、各特徴値が限界値から外れないような動作制御により、溶融帯域Ｍｌの所定形状状
態（すなわち、結晶成長を継続させ得る状態）を容易かつ確実に維持することが可能とな
る。

（制御モデル式の再設定）
ところで、上述した制御モデル式は、既に説明したように、シーケンス制御部２３が行
う動作制御によって制約判定部２１で求める制約判定値ΔＲがどのように変動するかに応
じて、モデル学習部２４によって再設定（被更新項目の更新）がされる。

ここで、制御モデル式の再設定について、具体例を挙げつつ、さらに詳しく説明する。
ここでは、上記の（３）式または（４）式のいずれかに対して再設定を行う場合を例に挙
げて説明する。

例えば、制約判定値ΔＲ^１について、処理回数ｋのときと処理回数ｋ−１のときで限界
値に対する近接度が増大するように変動している場合を考える。その場合には、制約判定
値ΔＲ^１について近接度が増大しているので、その近接度増大を緩和させる方向、すなわ
ちネガティブ方向への再設定を行う。
具体的には、処理回数ｋ−１のときに決定した値が正の値となった（３）式または（４
）式において、近接度が増大した制約判定値ΔＲ^１の影響を軽減させるべく、その制約判
定値ΔＲ^１に関する重み変数α_１１または重み変数α_２１の重みが減少するように、その
重み変数α_１１または重み変数α_２１の更新を行う。
このとき、被更新項目である重み変数α_１１または重み変数α_２１をどの程度変化させ
るかについては、その変化量が予め定められているものとする。予め定められていれば、
変化量は、一律に定められた固定的なものであってもよいし、近接度の大きさに応じて定
まる可変的なものであってもよい。可変的なものとする場合には、近接度の大きさとの関
係を規定する演算式が設定されていれば、その演算式を用いることで、変化量を定めるこ
とができる。

また、これとは逆に、例えば、制約判定値ΔＲ^１について、限界値に対する近接度が減
少するように変動している場合には、その近接度減少を促進させる方向、すなわちポジテ
ィブ方向への再設定を行う。
具体的には、処理回数ｋ−１のときに決定した値が正の値となった（３）式または（４
）式において、近接度が減少した制約判定値ΔＲ^１の影響を増加させるべく、その制約判
定値ΔＲ^１に関する重み変数α_１１または重み変数α_２１の重みが増大するように、その
重み変数α_１１または重み変数α_２１の更新を行う。
このときも、被更新項目である重み変数α_１１または重み変数α_２１の変化量について
は、上述した場合と同様に、予め定められているものとする。

また、例えば、制約判定値ΔＲ^１について、限界値に対する近接度に変動がなく同一で
ある場合には、各重み変数α_１１，α_２１に対する更新は行わない。

このような更新処理を、（３）式における各重み変数α_１１，α_１２，…，α_１ｉのそ
れぞれ、または、（４）式における各重み変数α_２１，α_２２，…，α_２ｉのそれぞれ、
のいずれか一方若しくは両方に対して行う。このようにして、（３）式および（４）式を
含み、これらを（２）式で合成するように構成された制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１
，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）は、制約判定値ΔＲがどのように変動するかに応じて適宜再設定
されることになる。
つまり、モデル学習部２４は、制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ
^ｉ）についての再設定を、変動があった制約判定値ΔＲに関する加重平均の重み変数を更
新することによって行うのである。

以上のような再設定を所定周期でサイクリックに繰り返し行えば、制約判定値ΔＲの変
動が収束するように制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）が変化し
ていくことになる。つまり、溶融帯域Ｍｌの形状が所定形状状態から外れないように制御
を行いつつ、その制御結果に応じて制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，Δ
Ｒ^ｉ）の再設定を行うことで、その制御内容について学習効果が発揮されることになり、
その結果として溶融帯域Ｍｌが形成されている状態（すなわち崩落や破断等が生じていな
い状態）を高精度で維持できるようになる。

このように、周期的な再設定により制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，
ΔＲ^ｉ）を変化させることで、例えば単結晶製造装置１の機差、原料Ｍの違い、原料把持
部２や種結晶把持部３等の動作の違い等があっても、これに柔軟に対応しつつ適切な動作
制御を行うことができるようになる。つまり、溶融帯域Ｍｌを一意にモデル化して目標形
状となるように動作コントロールをすることが困難な場合であっても、学習効果を発揮す
るように制御結果を新たな制御内容に反映させることで、モデル化した場合と同等の精度
で動作コントロールをすることが可能になる。しかも、溶融帯域Ｍｌ等に関する時定数を
基に設定された周期でサイクリックな処理を行うようにすれば、制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ
_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）の再設定を経る場合であっても、溶融帯域Ｍｌ等のリ
アルタイムの動きに追随しつつ、その溶融帯域Ｍｌに対する動作制御を行うことができる
ようになる。

＜４．実施の形態による効果＞
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、制御対象物である溶融帯域Ｍｌについての特徴値を得た上で、そ
の特徴値の限界値に対する近接度を制約判定値ΔＲとして求め、その制約判定値ΔＲを基
に、単結晶製造装置１における各部２〜５の動作を制御するための制御値ΔＣを、制御モ
デル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）を用いて決定する。したがって、本
実施形態によれば、溶融帯域Ｍｌの形状の特徴値について理想的な目標値を規定すること
が困難な場合であっても、特徴値が限界値から外れないような動作制御を行うことにより
、溶融帯域Ｍｌが崩落や破綻等を招かない状態（すなわち、結晶成長を継続させ得る状態
）を容易かつ確実に維持することが可能となる。
具体的には、制御対象物である溶融帯域Ｍｌの挙動について、これを予め正確に把握す
ることが非常に困難であっても、本実施形態のように溶融帯域Ｍｌが崩落や破綻等を招か
ない状態を維持するような動作制御を行うことで、その溶融帯域Ｍｌからの結晶成長を継
続させ得るようになる。また、溶融帯域Ｍｌの特性（融液の温度、粘性、張力等）が経時
的に変動し得るため、それ自体を一意にモデル化することが必ずしも容易ではない場合で
あっても、本実施形態の動作制御により、その溶融帯域Ｍｌからの結晶成長を継続させ得
るようになる。また、溶融帯域Ｍｌの状態の変動と単結晶製造装置１の動作状況とが一義
的に対応しておらず、そのために溶融帯域Ｍｌのモデル化が困難となり得る場合において
も、本実施形態の動作制御により、その溶融帯域Ｍｌからの結晶成長を継続させ得るよう
になる。また、単結晶製造装置１において予め動作試行して様々な現象を相当量把握した
上で制御モデルを作成することが現実的でない場合であっても、本実施形態の動作制御に
より、その溶融帯域Ｍｌからの結晶成長を継続させ得るようになる。また、最良行動を探
索しながら学習していくタイプの強化学習の場合とは異なり、本実施形態の動作制御によ
れば、リアルタイム性にも適切に対応することができる。
つまり、本実施形態によれば、制御対象物である溶融帯域Ｍｌを一意にモデル化して目
標状態となるように動作コントロールをすることが困難な場合であっても、その溶融帯域
Ｍｌが所望状態である所定形状状態を維持するように、その溶融帯域Ｍｌを取り扱う単結
晶製造装置１の動作を制御することが可能となる。

（ｂ）本実施形態では、単結晶製造装置１に対する動作制御を周期的にサイクリックな処
理として行うとともに、あるタイミングでの動作制御によって制約判定値ΔＲがどのよう
に変動するかに応じて、それ以降に用いられる制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ
^２，…，ΔＲ^ｉ）についての再設定を行う。したがって、本実施形態によれば、溶融帯域
Ｍｌの形状が所定形状状態から外れないように制御を行う場合において、その制御結果に
応じて制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）の再設定を行うことで
、その制御内容について学習効果が発揮され、その溶融帯域Ｍｌが形成されている状態を
高精度で維持することができる。つまり、溶融帯域Ｍｌを一意にモデル化して目標形状と
なるように動作コントロールをすることが困難な場合であっても、学習効果を発揮するよ
うに制御結果を新たな制御内容に反映させることが可能となるので、モデル化した場合と
同等の精度で動作コントロールをすることができる。

（ｃ）本実施形態では、制約判定値ΔＲがどのように変動するかに応じて制御モデル式Δ
Ｃ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）の再設定を行うことで、制御内容について学
習効果が発揮される。このことは、制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，Δ
Ｒ^ｉ）における被更新項目（例えば重み変数）について、初期値を厳密に設定しなくても
、再設定を繰り返せば、学習効果によって、その被更新項目が好ましい状態に収束し得る
ことを意味する。このように、被更新項目の初期値を厳密に設定する必要がなければ、制
御対象物である溶融帯域Ｍｌのモデル化が困難な場合の他、例えば過去の運転実績がない
場合であっても、その溶融帯域Ｍｌに関して適切な動作制御を行う上で非常に好適なもの
となる。

（ｄ）本実施形態では、溶融帯域Ｍｌの形状についての撮像画像を取得した上で、その撮
像画像を解析して溶融帯域Ｍｌの形状についての特徴値を抽出する。したがって、本実施
形態によれば、非常に高温となる溶融帯域Ｍｌのように、制御対象物の形状を直接的に計
測することが困難な場合であっても、その形状についての特徴値を抽出することができる
。しかも、撮像画像の解析を利用することで、例えば複数の撮像画像に対する平滑化処理
を経た上で形状認識を行う、といったことが実現可能となる。したがって、本実施形態に
よれば、制御対象物である溶融帯域Ｍｌについて取得した撮像画像が、原料把持部２や種
結晶把持部３等の回転や偏心等の影響を受け得るものであっても、その影響によるノイズ
成分等を除去した上で溶融帯域Ｍｌの形状認識を行うことができ、その形状認識の精度向
上を図ることが可能となる。

（ｅ）本実施形態では、制御対象物である溶融帯域Ｍｌについての特徴値と対比させる限
界値として、その溶融帯域Ｍｌが所定形状状態を維持するために必要となる境界条件に相
当する値を用いる。したがって、本実施形態によれば、溶融帯域Ｍｌが所定形状状態から
外れないように自動制御を行うことが可能となり、溶融帯域Ｍｌの形状を目標形状に追従
させるように制御することが困難な場合であっても、結晶成長を継続させ得るような状態
に溶融帯域Ｍｌを容易かつ確実に維持することができるので、単結晶製造装置１を用いて
高純度で均質な単結晶Ｍｃを高い生産性で製造する上で非常に好適なものとなる。

（ｆ）本実施形態では、制御値ΔＣ^ｊを決定するための制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ
^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）として、ｉ種類（すなわち複数種類）の制約判定値ΔＲ^１，Δ
Ｒ^２，…，ΔＲ^ｉの加重平均を利用して制御値ΔＣ^ｊを算出する式を用いる。したがって
、本実施形態によれば、各制約判定値ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉが制御値ΔＣ^ｊの算出
結果にどのような影響を及ぼすかを適切に反映させることができる。

（ｇ）本実施形態では、制御値ΔＣ^ｊを決定するための制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ
^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）として、指数空間で加重平均をとった後に対数をとって線形空
間に戻す式を用いる。したがって、本実施形態によれば、指数空間での加重平均を利用す
ることで、制御値ΔＣ^ｊの算出精度向上が期待できる。

（ｈ）本実施形態では、制御値ΔＣ^ｊを決定するための制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ
^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）についての再設定にあたり、その式を構成する重み変数α_１１
，α_１２，…を被更新項目とし、変動があった制約判定値ΔＲに関する加重平均の重み変
数α_１１，α_１２，…を更新することによって再設定を行う。したがって、本実施形態に
よれば、再設定を所定周期でサイクリックに繰り返すことで、制約判定値ΔＲの変動が収
束するように制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）が変化して、そ
の制御モデル式ΔＣ^ｊ＝Ｆ_ｊ（ΔＲ^１，ΔＲ^２，…，ΔＲ^ｉ）を用いて行う制御内容につ
いて学習効果が発揮されることになる。つまり、制御対象物である溶融帯域Ｍｌのモデル
化が困難な場合に適用して非常に好適なものとなり、そのような場合であっても溶融帯域
Ｍｌを所定形状状態に確実に維持するための動作制御を適切に行うことができる。

（ｉ）本実施形態では、制御装置６における各部１１〜２４が一連の制御処理（図４にお
けるＳ１０２〜Ｓ１１２）をサイクリックに行うとともに、一サイクルの処理が規定の時
間内に完了するようになっている。したがって、本実施形態によれば、単結晶製造装置１
における各部２〜５に対する動作制御を、その単結晶製造装置１にて溶融帯域Ｍｌを利用
して行う単結晶の製造と並行して、リアルタイムに実行することができ、動作制御のリア
ルタイム性を担保する上で非常に好適なものとなる。

（ｊ）本実施形態では、単結晶製造装置１で単結晶を製造する際に原料Ｍと種結晶Ｓとの
間に形成される溶融帯域Ｍｌを制御対象物とする。
したがって、本実施形態によれば、単結晶製造装置１のオペレータに依らなくとも、溶
融帯域Ｍｌが所定形状状態（すなわち、結晶成長を継続させ得る状態）を維持するような
自動制御が行われることになる。つまり、結晶成長を継続させ得るように溶融帯域Ｍｌが
形成されている状態を容易かつ確実に維持することができ、これにより高純度で均質な単
結晶Ｍｃを高い生産性で製造することができるようになる。
しかも、本実施形態によれば、溶融帯域Ｍｌによる結晶成長を継続させ得る状態を所定
形状状態として規定し、溶融帯域Ｍｌが所定形状状態から外れないように自動制御を行う
ので、溶融帯域Ｍｌを一つの物理モデルとして明示的に記述することが容易ではなく、そ
の溶融帯域Ｍｌの形状を目標形状に追従させるように制御することが困難な場合であって
も、その溶融帯域Ｍｌが形成されている状態を容易かつ確実に維持することができる。つ
まり、理想的な目標値を規定することが困難な場合であっても、破綻を招く限界値から外
れないような制御を行うことで、溶融帯域Ｍｌが形成されている状態を容易かつ確実に維
持し、これにより高純度で均質な単結晶Ｍｃを高い生産性で製造することを実現可能とし
ているのである。

（ｋ）本実施形態では、制御対象物である溶融帯域Ｍｌを取り扱う単結晶製造装置１がＡ
Ｐ法による単結晶製造を行うもの、すなわち天地方向の地の位置に原料把持部２が配置さ
れ、天地方向の天の位置に種結晶把持部３が配置されたものである。したがって、本実施
形態によれば、溶融帯域Ｍｌについての形状認識にあたり、その溶融帯域Ｍｌの撮像画像
を基にするが、撮像画像の取得を溶融帯域Ｍｌの側方側から行うことができ、画像取得の
ために装置構成が複雑化してしまうのを極力抑制することができる。さらには、側方から
の撮像画像を基にすることで、溶融帯域Ｍｌの形状認識を容易に、かつ、精度良く行うこ
とができる。

＜５．変形例等＞
以上に、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明の技術的範囲は上述の実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

（単結晶製造）
上述の実施形態では、制御対象物である溶融帯域Ｍｌを取り扱う単結晶製造装置１がＡ
Ｐ法による単結晶製造を行う場合を例に挙げたが、例えば、特開２０１５−０８１２１８
号公報に記載のように、上方に原料把持部２、下方に種結晶把持部３を配置した、いわゆ
るフローティングゾーン（ＦＺ）法による単結晶製造を行う場合にも、全く同様に本発明
を適用することが可能である。その場合であっても、種結晶Ｓと原料Ｍととの間に形成さ
れる溶融帯域Ｍｌが所定形状状態から外れないように自動制御を行うことで、溶融帯域Ｍ
ｌによる結晶成長を継続させ得る状態を容易かつ確実に維持することができ、これにより
高純度で均質な単結晶Ｍｃを高い生産性で製造することができるようになる。

（制御対象物および機械装置）
上述の実施形態では、制御対象物として結晶成長に必要な溶融帯域Ｍｌを、またその制
御対象物を取り扱う機械装置として単結晶を製造する単結晶製造装置１を、それぞれ例に
挙げたが、本発明がこれらに限定されることはなく、他の制御対象物や機械装置等につい
ても全く同様に適用することが可能である。

他の機械装置としては、例えば、自動制御技術が利用されて動作が制御される各種製造
装置、プラント装置、運搬装置、情報処理装置等が挙げられる。つまり、本明細書でいう
「機械装置」とは、機械的や電気的等の別を問わず何らかの物理的な動作（コンピュータ
装置のハードウエア資源を利用した情報処理動作を含む。）を行うように構成された装置
であり、その動作がコンピュータ装置を利用して構成された機械制御装置からの指示によ
って制御されるように構成された装置のことをいう。

また、他の制御対象物としては、例えば、機械装置で取り扱われる製造物、その製造に
必要となる中間体または処理媒体、処理を行う際の電気信号等が挙げられる。つまり、本
明細書でいう「制御対象物」とは、機械装置が取り扱う物（機械的または電気的に存在す
るものであれば有体物または無体物の別を問わない。）であり、その機械装置において取
り扱われる際に、ある一定の状態を維持する必要性を有している物のことをいう。

つまり、制御対象物および機械装置は、上述の実施形態で説明した内容に限定されるこ
とはなく、自動制御技術の対象となり得るものであれば、機械的、電気的等の別を問わず
広く一般に適用することが可能である。

（特徴量抽出）
上述の実施形態では、制御対象物である溶融帯域Ｍｌの形状についての特徴値を抽出す
る場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。つまり、特徴値は、制御
対象物の状態についてのものであれば、物体の形状についてのもの以外に、例えば信号の
波形についてのものも含み得る。

また、上述の実施形態では、特徴値の抽出にあたり、制御対象物である溶融帯域Ｍｌの
撮像画像を取得し、その撮像画像を解析して特徴値を抽出する場合を例に挙げたが、本発
明がこれに限定されることはない。つまり、特徴値の抽出は、他の公知技術を利用して行
っても構わない。
具体的には、例えば、加速度センサやジャイロセンサ等を用いたり、あるいは超音波セ
ンサおよびレーザセンサの併用によるセンシングを行ったりして、制御対象物の方位およ
び距離について特徴値の抽出を行うことが考えられる。その場合には、制御対象物が倒れ
たりぶつかったりしないような動作制御、すなわち制御対象物の姿勢制御を行うことが実
現可能となる。
また、その他にも、例えば、計算タスクの投入量と予定時間、それに対するマシン負荷
等といったように、コンピュータ装置を利用する場合の処理について特徴値の抽出を行う
ことが考えられる。その場合には、マシンリソースのアロケーション（割当）を破綻しな
いようにする動作制御等を行うことが実現可能となる。
つまり、本発明は、制御対象物の状態に関する計測を行い、その計測結果を所定の制約
条件と対比して制約判定値を求めた上で、その制約判定値に基づき機械装置に対する動作
制御を行うものであれば、上述の実施形態以外の態様にも適用することが可能である。

（制御モデル式）
上述の実施形態では、制御モデル式として、制約判定値の加重平均を利用して制御値を
算出する式を用いる場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。つまり
、制御モデル式は、予め設定されており、かつ、再設定に対応することが可能なものであ
れば、加重平均以外の他の手法を利用して制御値を算出する式であっても構わない。

また、上述の実施形態では、制御モデル式が加重平均を利用したものであることから、
その制御モデル式の再設定にあたり、加重平均についての重み変数の更新を行う場合を例
に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。つまり、制御モデル式の再設定は、
制約判定値の変動が収束するような学習効果を発揮させ得るものであれば、その手法が特
に限定されるものではない。

＜６．本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。

［付記１］
本発明の一態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置に搭載されて用いられ、または前記機械装置に接続されて用
いられる機械制御装置であって、
前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測部と、
前記計測部での計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定部と、
前記判定部で求めた制約判定値に基づき、前記機械装置に対する動作制御を、前記制御
判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御部と、
前記制御部が行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御判定値
と前記動作制御との関係を再設定する学習部と、
を備える機械制御装置が提供される。

［付記２］
好ましくは、付記１に記載の機械制御装置において、
前記計測部は、
前記制御対象物についての撮像画像を取得する画像撮像部と、
前記画像撮像部で取得した撮像画像を解析して前記制御対象物の状態に関する計測を行
う画像解析部と、
を備える。

［付記３］
好ましくは、付記１または２に記載の機械制御装置において、
前記計測部は、前記制御対象物の形状の特徴値を計測する。

［付記４］
好ましくは、付記１から３のいずれか１つに記載の機械制御装置において、
前記判定部は、
前記制約条件として、前記計測部での計測内容について設定された限界値を用いるとと
もに、前記限界値として前記制御対象物が所定の状態を維持するために必要となる境界条
件に相当する値を用い、
前記計測部での計測結果の前記限界値に対する近接度を前記制約判定値として求める。

［付記５］
好ましくは、付記１から４のいずれか１つに記載の機械制御装置において、
前記制御判定値と前記動作制御との関係が、再設定可能な制御モデル式によって規定さ
れている。

［付記６］
好ましくは、付記１から５のいずれか１つに記載の機械制御装置において、
前記計測部、前記判定部、前記制御部および前記学習部がサイクリックに処理を行うと
ともに、一サイクルの処理が規定の時間内に完了する。

［付記７］
好ましくは、付記１から６のいずれか１つに記載の機械制御装置において、
前記機械装置は、単結晶製造装置であり、
前記制御対象物は、前記単結晶製造装置で単結晶を製造する際に、原料と種結晶との間
に形成される溶融帯域である。

［付記８］
本発明の他の一態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置に搭載されたコンピュータ、または前記機械装置に接続され
て用いられるコンピュータに、
前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測ステップと、
前記計測ステップでの計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定ス
テップと、
前記判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記機械装置に対する動作制御を、前
記制御判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御ステップと、
前記制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御
判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習ステップと、
を実行させる機械制御プログラムが提供される。

［付記９］
本発明のさらに他の一態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置の動作を制御する機械制御方法であって、
前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測ステップと、
前記計測ステップでの計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定ス
テップと、
前記判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記機械装置に対する動作制御を、前
記制御判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御ステップと、
前記制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御
判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習ステップと、
を含む機械制御方法が提供される。

［付記１０］
本発明のさらに他の一態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置に搭載されて用いられ、または前記機械装置に接続されて用
いられる機械制御装置であって、
前記制御対象物の状態についての特徴値を得る形状認識部と、
前記形状認識部で得た特徴値を、当該特徴値について設定された限界値と対比して、当
該特徴値の当該限界値に対する近接度を制約判定値として求める制約判定部と、
前記制約判定部で求めた制約判定値に基づき、前記機械装置の動作を制御するための制
御値を、当該制約判定値と当該制御値との関係を規定する制御モデル式を用いて決定する
制御値決定部と、
前記制御値決定部が決定した制御値を基に前記機械装置に対する動作制御を行うシーケ
ンス制御部と、
前記シーケンス制御部が行う動作制御によって前記制約判定部で求める制約判定値がど
のように変動するかに応じて、前記制御値決定部が用いる前記制御モデル式についての再
設定を行うモデル学習部と、
を備える機械制御装置が提供される。

［付記１１］
好ましくは、付記１０に記載の機械制御装置において、
前記形状認識部は、
前記制御対象物の形状についての撮像画像を取得する画像撮像部と、
前記画像撮像部で取得した撮像画像を解析して前記制御対象物の状態についての特徴値
を抽出する画像解析部と、
を備える。

［付記１２］
好ましくは、付記１０または１１に記載の機械制御装置において、
前記制約判定部は、前記限界値として、前記制御対象物が所定形状状態を維持するため
に必要となる境界条件に相当する値を用いる。

［付記１３］
好ましくは、付記１０から１２のいずれか１つに記載の機械制御装置において、
前記制御値決定部は、前記制御モデル式として、複数の前記制約判定値の加重平均を利
用して前記制御値を算出する式を用い、
前記モデル学習部は、前記制御モデル式についての再設定を、変動があった前記制約判
定値に関する前記加重平均の重み変数を更新することで行う。

［付記１４］
好ましくは、付記１３に記載の機械制御装置において、
前記制御値決定部は、前記制御モデル式として、指数空間で加重平均をとった後に対数
をとって線形空間に戻す式を用いる。

［付記１５］
好ましくは、付記１０から１４のいずれか１つに記載の機械制御装置において、
前記制御対象物と前記機械装置とに関する時定数を基に設定された周期で、前記形状認
識部、前記制約判定部、前記制御値決定部、前記シーケンス制御部および前記モデル学習
部がサイクリックに処理を行うとともに、当該処理が前記周期の一サイクルよりも短い規
定時間内に完了する。

［付記１６］
好ましくは、付記１０から１５のいずれか１つに記載の機械制御装置において、
前記機械装置は、単結晶製造装置であり、
前記制御対象物は、前記単結晶製造装置で単結晶を製造する際に、原料と種結晶との間
に形成される溶融帯域である。

［付記１７］
本発明のさらに他の一態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置に搭載されたコンピュータ、または前記機械装置に接続され
て用いられるコンピュータに、
前記制御対象物の状態についての特徴値を得る形状認識ステップと、
前記形状認識ステップで得た特徴値を、当該特徴値について設定された限界値と対比し
て、当該特徴値の当該限界値に対する近接度を制約判定値として求める制約判定ステップ
と、
前記制約判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記機械装置の動作を制御するた
めの制御値を、当該制約判定値と当該制御値との関係を規定する制御モデル式を用いて決
定する制御値決定ステップと、
前記制御値決定ステップで決定した制御値を基に前記機械装置に対する動作制御を行う
シーケンス制御ステップと、
前記シーケンス制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定ステップで求める制
約判定値がどのように変動するかに応じて、前記制御値決定ステップで用いる前記制御モ
デル式についての再設定を行うモデル学習ステップと、
を実行させる機械制御プログラムが提供される。

［付記１８］
本発明のさらに他の一態様によれば、
制御対象物を扱う機械装置の動作を制御する機械制御方法であって、
前記制御対象物の状態についての特徴値を得る形状認識ステップと、
前記形状認識ステップで得た特徴値を、当該特徴値について設定された限界値と対比し
て、当該特徴値の当該限界値に対する近接度を制約判定値として求める制約判定ステップ
と、
前記制約判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記機械装置の動作を制御するた
めの制御値を、当該制約判定値と当該制御値との関係を規定する制御モデル式を用いて決
定する制御値決定ステップと、
前記制御値決定ステップで決定した制御値を基に前記機械装置に対する動作制御を行う
シーケンス制御ステップと、
前記シーケンス制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定ステップで求める制
約判定値がどのように変動するかに応じて、前記制御値決定ステップで用いる前記制御モ
デル式についての再設定を行うモデル学習ステップと、
を含む機械制御方法が提供される。

１…単結晶製造装置（機械装置）、２…原料把持部、３…種結晶把持部、４，５…加熱
部、６…機械制御装置（制御装置）、１０…形状認識部（計測部）、１１…画像撮像部、
１２…画像解析部、２０…動作制御部、２１…制約判定部（判定部）、２２…制御値決定
部（制御部）、２３…シーケンス制御部（制御部）、２４…モデル学習部（学習部）、Ｍ
…原料、Ｍｃ…単結晶、Ｍｌ…溶融帯域（制御対象物）、Ｓ…種結晶

Claims (9)

1. 制御対象物を扱う機械装置に搭載されて用いられ、または前記機械装置に接続されて用いられる機械制御装置であって、
   前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測部と、
   前記計測部での計測結果を、前記制御対象物について許容される所定の状態を維持するための境界条件である制約条件と対比して、前記計測結果の前記制約条件に対する関係を特定する制約判定値を求める判定部と、
   前記判定部で求めた制約判定値に基づき、前記制御対象物の状態が前記所定の状態から外れないように、前記機械装置に対する動作制御を、前記制約判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御部と、
   前記制御部が行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制約判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習部と、
   を備える機械制御装置。
2. 前記計測部は、複数種類の前記計測結果を得るものであり、
   前記判定部は、複数種類の前記計測結果のそれぞれに対して、一つまたは複数の前記制約判定値を求めるものである
   請求項１に記載の機械制御装置。
3. 前記計測部は、
   前記制御対象物についての撮像画像を取得する画像撮像部と、
   前記画像撮像部で取得した撮像画像を解析して前記制御対象物の状態に関する計測を行う画像解析部と、
   を備える請求項１または２に記載の機械制御装置。
4. 前記計測部は、前記制御対象物の形状の特徴値を計測する
   請求項１から３のいずれか１項に記載の機械制御装置。
5. 前記制約判定値と前記動作制御との関係が、再設定可能な制御モデル式によって規定されている
   請求項１から４のいずれか１項に記載の機械制御装置。
6. 前記計測部、前記判定部、前記制御部および前記学習部がサイクリックに処理を行うとともに、一サイクルの処理が規定の時間内に完了する
   請求項１から５のいずれか１項に記載の機械制御装置。
7. 前記機械装置は、単結晶製造装置であり、
   前記制御対象物は、前記単結晶製造装置で単結晶を製造する際に、原料と種結晶との間に形成される溶融帯域である
   請求項１から６のいずれか１項に記載の機械制御装置。
8. 制御対象物を扱う機械装置に搭載されたコンピュータ、または前記機械装置に接続されて用いられるコンピュータに、
   前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測ステップと、
   前記計測ステップでの計測結果を、前記制御対象物について許容される所定の状態を維持するための境界条件である制約条件と対比して、前記計測結果の前記制約条件に対する関係を特定する制約判定値を求める判定ステップと、
   前記判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記制御対象物の状態が前記所定の状態から外れないように、前記機械装置に対する動作制御を、前記制約判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御ステップと、
   前記制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制約判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習ステップと、
   を実行させる機械制御プログラム。
9. 制御対象物を扱う機械装置の動作を制御する機械制御方法であって、
   前記制御対象物の状態に関する計測を行う計測ステップと、
   前記計測ステップでの計測結果を、前記制御対象物について許容される所定の状態を維持するための境界条件である制約条件と対比して、前記計測結果の前記制約条件に対する関係を特定する制約判定値を求める判定ステップと、
   前記判定ステップで求めた制約判定値に基づき、前記制御対象物の状態が前記所定の状態から外れないように、前記機械装置に対する動作制御を、前記制約判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御ステップと、
   前記制御ステップで行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制約判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習ステップと、
   を含む機械制御方法。