JP2019119674A - 単結晶インゴット成長用温度制御装置およびこれに適用される温度制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
120:るつぼ
130:ヒーター
140:熱遮蔽部材
150:入力部
151:第1温度センサー
152:第2温度センサー
153:フィルタリング部
160:制御部
161:判断部
162:PID演算部
170:出力部
Claims (15)
- シリコン融液が浸けられたるつぼを加熱するヒーターの作動を制御する単結晶インゴット成長用温度制御装置において、
前記るつぼに浸けられたシリコン融液の温度を測定し、測定されたシリコン融液の温度を加工する入力部と、
前記入力部の測定温度(T1)と加工温度(T2)のうち一つと設定された目標温度(T0)とをPID演算して前記ヒーターの出力として算出する制御部と、
前記制御部で算出されたヒーターの出力を前記ヒーターに入力する出力部と、
を含む単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - 前記入力部は、
前記るつぼに浸けられたシリコン融液の温度を少なくとも二ヶ所で測定するセンサー部と、
前記センサー部で測定された少なくとも二つの測定温度(T11、T12)をノイズ除去フィルタリングおよび算術平均して加工温度(T2)で加工するフィルタリング部と、
を含む請求項1に記載の単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - 前記センサー部は、
前記るつぼが内部空間に収容される密閉型チャンバの上部両側に設けられた第1温度センサー及び第2温度センサーで構成される、
請求項2に記載の単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - 前記第1温度センサー及び前記第2温度センサーは、
1色高温計(1−color pyrometer)または、2色高温計(2−color pyrometer)で構成される、
請求項3に記載の単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - 前記第1温度センサー及び前記第2温度センサーは、
前記るつぼのシリコン融液から成長するインゴットの直径から10cm範囲以内で温度を測定する、
請求項3に記載の単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - 前記フィルタリング部は、
サンプリング時間(Δt)の間に測定された前記測定温度(T11、T12)を適用して正弦波関数でモデリングし、振幅が最も小さい最適な正弦波関数として算出した後、前記最適な正弦波関数に時間をリアルタイムに入力してノイズ除去フィルタリングする、
請求項2に記載の単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - 前記フィルタリング部は、
前記最適な正弦波関数を測定温度(T(t))、サンプリング時間(Δt)、周期(NpΔt)、周波数(ω=2π/(NpΔt))、現在時間(t)の変数でモデリングする、
請求項6に記載の単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - 前記制御部は、
外部の入力信号に応じて前記測定温度(T1)と加工温度(T2)のうち一つを選択する判断部と、
前記判断部で選択された測定温度(T1)と加工温度(T2)のうち一つと目標温度(T0)とをPID演算するPID演算部と、
を含む請求項1に記載の単結晶インゴット成長用温度制御装置。 - シリコン融液が浸けられたるつぼを加熱するヒーターの作動を制御する単結晶インゴット成長用温度制御方法において、
前記るつぼに浸けられたシリコン融液の温度を測定し、測定されたシリコン融液の温度を加工する入力段階と、
前記入力段階の測定温度(T1)と加工温度(T2)のうち一つと設定された目標温度(T0)とをPID演算して前記ヒーターの出力として算出する制御段階と、
前記制御段階で算出されたヒーターの出力を前記ヒーターに入力する出力段階と、
を含む単結晶インゴット成長用温度制御方法。 - 前記入力段階は、
前記るつぼに浸けられたシリコン融液の温度を少なくとも二ヶ所で測定する温度測定過程と、
前記温度測定過程で測定された少なくとも二つの測定温度(T11、T12)をノイズ除去フィルタリングおよび算術平均して加工温度(T2)に加工するフィルタリング過程と、
を含む請求項9に記載の単結晶インゴット成長用温度制御方法。 - 前記温度測定過程は、
前記るつぼが内部空間に収容される密閉型チャンバの上部両側においてそれぞれ非接触方式により測定される、
請求項10に記載の単結晶インゴット成長用温度制御方法。 - 前記温度測定過程は、
前記るつぼのシリコン融液から成長するインゴットの直径から10cm範囲以内で温度を測定する、
請求項10に記載の単結晶インゴット成長用温度制御方法。 - 前記フィルタリング過程は、
サンプリング時間(Δt)の間に測定された前記測定温度(T11、T12)を適用して正弦波関数でモデリングし、振幅が最も小さい最適な正弦波関数として算出した後、前記最適な正弦波関数に時間をリアルタイムに入力してノイズ除去フィルタリングする、
請求項10に記載の単結晶インゴット成長用温度制御方法。 - 前記フィルタリング過程は、
前記最適な正弦波関数を測定温度(T(t))、サンプリング時間(Δt)、周期(NpΔt)、周波数(ω=2π/ (NpΔt ))、現在時間(t)の変数でモデリングする、
請求項13に記載の単結晶インゴット成長用温度制御方法。 - 前記制御段階は、
外部の入力信号に応じて前記測定温度(T1)と加工温度(T2)のうち一つを選択する判断過程と、
前記判断過程で選択された測定温度(T1)と加工温度(T2)のうち一つと目標温度(T0)とをPID演算するPID演算過程と、
を含む請求項9に記載の単結晶インゴット成長用温度制御方法。
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