JP6481718B2 - 固体撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Description
本発明の第2の態様による撮像装置は、第1の態様による固体撮像素子を備える。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る電子カメラ1を示す概略ブロック図である。電子カメラ1には撮影レンズ2が装着される。この撮影レンズ2は、レンズ制御部2aによってフォーカスや絞りが駆動される。この撮影レンズ2の像空間には、固体撮像装置3の構成の一つであるイメージセンサ30の撮像面が配置される。
本発明の第1の実施の形態によるイメージセンサ30では、第2端52の近傍の一部にガード層44を注入しないようにすることで、図5(a)の断面Y3−Y3のようにガード層44を注入する際のY軸方向のアライメントのずれにより暗電流の合計が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化を低減することができる。
図6(a)は、本発明の第2の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図6(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図6(b)は、図6(a)のY6−Y6断面図である。
本発明の第2の実施の形態によるイメージセンサ30では、第2端52の近傍に設けられたガード層44を注入しない領域を第1の実施の形態と比べて拡大することで、図4(a)の断面Y2−Y2のようにガード層44を注入する際のY軸方向のアライメントのずれによって暗電流の合計が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化をさらに低減することができる。
図7(a)は、本発明の第3の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図7(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図7(b)は、図7(a)のY9−Y9断面図である。
第3の実施の形態によるイメージセンサ30は、転送トランジスタTaに接続される接続部に対向する第2端52上の位置から隣接画素に向けて延在する非分離領域61を有する。第3の実施の形態によるイメージセンサ30は、非分離領域61を有することにより、フォトダイオードPDの第2端52側からフォトダイオードPDに流入する暗電流の総量を第1の実施の形態よりも低減することができる。
また、第3の実施の形態によるイメージセンサ30は、第2端52の近傍のうち非分離領域61が設けられた領域にガード層44を注入しないようにすることで、図5(a)の断面Y3−Y3のようにガード層44を注入する際のY軸方向のアライメントのずれによって暗電流の合計が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化を低減することができる。
図8(a)は、本発明の第4の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図8(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図8(b)は、図8(a)のY13−Y13断面図である。
第4の実施の形態によるイメージセンサ30は、非分離領域61の長さC1を第3の実施の形態と比べて拡大することで、図7(a)の断面Y12−Y12のようにガード層44を注入する際のY軸方向のアライメントのずれによってフォトダイオードPDに流入する暗電流が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化をさらに低減することができる。
図9(a)は、本発明の第5の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図9(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図9(b)は、図9(a)のY17−Y17断面図である。
本発明の第2の実施の形態によるイメージセンサ30では、第2端52の近傍に設けられたガード層44を注入しない領域を第4の実施の形態と比べて拡大することで、図8(a)の断面Y15−Y15のようにガード層44を注入する際のY軸方向のアライメントのずれによって暗電流の合計が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化を第4の実施の形態よりもさらに低減することができる。
図10(a)は、本発明の第6の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図10(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図10(b)は、図10(a)のY21−Y21断面図である。
イメージセンサ30を小型化する場合や画素密度を高くする場合に、非分離領域61を挟んで向かい合うフォトダイオードPDとフローティングディフュージョンFDとの間の距離を短くすることが考えられる。導電型が共にN型であるフォトダイオードPDとフローティングディフュージョンFDとの間の距離を短くすると、フォトダイオードPDとフローティングディフュージョンFDとの間に予期せぬリーク電流が流れる確率が上がる。非分離領域61に不純物濃度がP型ウエルよりも高いP型注入層62を設けることにより、非分離領域61を挟んで向かい合うフォトダイオードPDとフローティングディフュージョンFDとの間のリーク電流の発生確率を低減することができる。
図11(a)は、本発明の第7の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図11(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図11(b)は、図11(a)のY22−Y22断面図である。
図12(a)は、本発明の第8の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図12(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図12(b)は、図12(a)のY23−Y23断面図である。
図13(a)は、本発明の第9の実施の形態に係るイメージセンサ30の画素20の拡大画素平面図である。図13(a)には、イメージセンサ30の撮像面に並べて配置されている二つの画素20が並べて図示されている。図13(b)は、図13(a)のY24−Y24断面図である。
上記の各実施の形態では、イメージセンサ30の画素20は、転送トランジスタTa、増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTc、および選択トランジスタTdをそれぞれ有していた。しかし、複数の画素の間で一または複数のトランジスタを共用することにしてもよい。増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTc、および選択トランジスタTdを二つの画素で共有する場合の等価回路図を図14に示す。
上記の各実施の形態では、イメージセンサ30の画素20は、フローティングディフュージョンFDをそれぞれ有していた。しかし、複数の画素でフローティングディフュージョンFDを共用することにしてもよい。たとえば、二つの画素の転送トランジスタTaを向い合せに配置し、それら二つの転送トランジスタTaの間にフローティングディフュージョンFDを配置して、そのフローティングディフュージョンFDを二つの画素間で共用することにしてもよい。
Claims (8)
- 撮像面に複数の画素が2次元配列され、
前記複数の画素の各々に、
入射光量に応じた信号電荷を蓄積する光電変換部と、前記信号電荷を検出する電荷検出部と、前記光電変換部から前記電荷検出部に前記信号電荷を転送する転送トランジスタとが設けられるアクティブ領域と、
前記アクティブ領域の周囲に形成される分離領域と、
前記光電変換部の周囲の一部に設けられ、前記アクティブ領域と前記分離領域との境界部に形成されるガード層と、を有し、
前記光電変換部は、第1端に前記転送トランジスタが接続され、
前記ガード層は、前記境界部のうち、前記第1端に対向する前記光電変換部の第2端の周辺の一部には形成されず、
前記光電変換部の周囲のうち、前記ガード層が形成されない前記第1端側の長さは、前記ガード層が形成されない前記第2端側の長さと等しい固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
前記複数の画素の各々の前記アクティブ領域は、当該画素の前記第2端の一部から当該画素に隣接する画素の前記アクティブ領域まで延在する非分離領域を有する固体撮像素子。 - 請求項2に記載の固体撮像素子において、
前記非分離領域の延在方向と深さ方向とに直交する方向の幅は、前記光電変換部と前記転送トランジスタの幅と等しい固体撮像素子。 - 請求項2または請求項3に記載の固体撮像素子において、
前記非分離領域は、前記ガード層と同一の導電型の分離注入層を有する固体撮像素子。 - 請求項2または請求項3に記載の固体撮像素子において、
前記ガード層と同一の導電型であって、前記光電変換部の上部に形成される表面層をさらに備え、
前記表面層は、前記非分離領域の上部にも形成される固体撮像素子。 - 請求項2から請求項5までのいずれか一項に記載の固体撮像素子において、
前記非分離領域の延在方向と深さ方向とに直交する方向の幅は、前記光電変換部と前記転送トランジスタとの接続部の幅と等しい固体撮像素子。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の固体撮像素子において、
前記第1端から前記第1端側の前記境界部までの距離と、前記第2端から前記第2端側の前記境界部までの距離とが同一である固体撮像素子。 - 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
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