JP3977342B2 - 固体撮像装置の設計方法及び撮像システム - Google Patents
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Description
図1(a)は本発明の第1実施形態に係わる固体撮像装置のOB領域の一画素を示す図、図1(b)は本発明の第1実施形態に係わる固体撮像装置の画像形成領域の一画素を示す図である。
図5(a)は本発明の第2実施形態に係わる固体撮像装置のOB領域の一画素を示す図、図5(b)はそのB−B’断面図である。図1と同一構成部材については同一符号を付する。本実施形態の固体撮像装置の全体構成は図3に示した構成、固体撮像装置の受光部の構成は図2に示した構成と同じである。
図6(a)、(c)は本発明の第3実施形態に係わる固体撮像装置のOB領域の一画素を示す図、図6(b)はそのB−B’断面図である。図1と同一構成部材については同一符号を付する。本実施形態の固体撮像装置の全体構成は図3に示した構成、固体撮像装置の受光部の構成は図2に示した構成と同じである。
14 画像形成領域画素
20 光電変換素子形成領域
21 PN接合領域
22 電荷転送スイッチ
23 電荷電圧変換部(浮遊拡散領域)
24 アンプ用MOSトランジスタ
Claims (2)
- 電荷を蓄積するための第1導電型の第1の半導体領域と、該第1の半導体領域とPN接合を構成する第2導電型の第2の半導体領域とを備えた光電変換素子と、
前記第1の半導体領域に蓄積された電荷を元に信号を読み出すための複数のトランジスタを画素内に有する画像形成領域と、
電荷を蓄積するための第1導電型の第3の半導体領域と、該第3の半導体領域とPN接合を構成する第4の半導体領域とを含み、前記第3の半導体領域に蓄積された電荷を元に基準信号を読み出すための複数のトランジスタとを備えたオプティカルブラック領域と、を有する固体撮像装置の設計方法であって、
前記オプティカルブラック領域のPN接合領域の面積と、前記画像形成領域の画素に対する前記オプティカルブラック領域の画素の暗電流比との関係を求める工程と、
前記画像形成領域の画素と前記オプティカルブラック領域の画素とを同一構造とした場合、前記画像形成領域の暗電流よりも前記オプティカルブラック領域の暗電流の方が小さい場合に、前記オプティカルブラック領域のPN接合領域の面積と前記暗電流比との関係に基づいて、前記画像形成領域のPN接合領域の面積よりも前記オプティカルブラック領域のPN接合領域の面積のほうが大きくなるように、前記画像形成領域のPN接合領域の面積及び前記オプティカルブラック領域のPN接合領域の面積の比率を調整する工程と、を含むことを特徴とする固体撮像装置の設計方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の設計方法で設計された固体撮像装置と、該固体撮像装置へ光を結像する光学系と、該固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
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