JP6480827B2 - 水素ドープシリカ粉の保管方法及びシリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法 - Google Patents
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Description
水素濃度が1.0×1019分子/cm3となるよう、合成シリカガラス粉に水素をドープし、水素ドープシリカ粉の調整を行った。調整完了後、その水素ドープシリカ粉を常圧(0.10MPa)の大気雰囲気、10℃の状態で保管した。調整完了後1日間(24時間)経過時点での水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.89×1019分子/cm3であった。調整完了後1日経過した時点で、その水素ドープシリカ粉を使用し、図2に示す単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼ11を、以下の工程を経て作製した。まず、粒径50〜500μmの天然石英粉(外層13用のシリカ粉)を回転する内径570mmのモールド内に供給し、外層となる厚さ25mmの粉体層からなる成型体を成型した。次に、アーク放電により該成型体の内部から加熱溶融すると同時に、その高温雰囲気中に、上記のように保管した水素ドープシリカ粉を100g/分の割合で供給し、透明ガラス層(内層12)を全内面領域にわたり、1〜3mmの厚さで形成した。溶融が終了した後、冷却して直径555〜560mmの石英ガラスるつぼを得た。
実施例1と比べて、水素ドープ処理完了後、保管開始からの経過時間を5日間(120時間)に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。5日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.78×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡が少量存在していた。これは実施例1よりも悪化している状態ではあるが、問題ないレベルである。実施例1よりも悪化した理由は、水素ドープシリカ粉の保管経過時間が実施例1よりも長くなり、水素ドープによる気泡抑制効果が低下したためと考えられる。
実施例1と比べて、保管温度を5℃に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。1日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.92×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡は見受けられず良好な状態であった。
実施例3と比べて、水素ドープ処理完了後、保管開始からの経過時間を5日間(120時間)に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。5日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.82×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡は見受けられず良好な状態であった。
実施例4と比べて、保管温度を0℃に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。5日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.84×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡は見受けられず良好な状態であった。
実施例5と比べて、水素ドープ処理完了後、保管開始からの経過時間を10日間(240時間)に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。10日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.73×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡が少量存在していた。これは実施例1や、保管期間以外の条件が同じ実施例5よりも悪化している状態ではあるが、問題ないレベルである。実施例5よりも悪化した理由は、水素ドープシリカ粉の保管経過時間が実施例5よりも長くなり、水素ドープによる気泡抑制効果が低下したためと考えられる。
実施例6と比べて、保管状態を大気雰囲気で0.50MPaに加圧した状態に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。10日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.76×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡が少量存在していた。これは実施例1や、保管期間及び圧力以外の条件が同じ実施例5よりも悪化している状態ではあるが、問題ないレベルである。実施例5よりも悪化した理由は、水素ドープシリカ粉の保管経過時間が実施例5よりも長くなり、水素ドープシリカ粉の保管状態を大気で加圧してもドープされた水素発散が進み、水素ドープによる気泡抑制効果が低下したためと考えられる。また、この実施例7は、常圧で保管した実施例6と比べて加圧した点が異なり、保管終了時の残留水素濃度は実施例6に比べて高くなっている。
実施例6と比べて、保管温度を−10℃に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。10日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.82×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスルツボ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡は見受けられず良好な状態であった。
実施例8と比べて、水素ドープ処理完了後、保管開始からの経過時間を15日間(360時間)に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。15日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.76×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスルツボ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡が少量存在していた。これは実施例1や、保管期間以外の条件が同じ実施例8よりも悪化している状態ではあるが、問題ないレベルである。実施例8よりも悪化した理由は、水素ドープシリカ粉の保管経過時間が実施例8よりも長くなり、水素ドープによる気泡抑制効果が低下したためと考えられる。
実施例9と比べて、保管温度を−20℃に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。15日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.85×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスルツボ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡は見受けられず良好な状態であった。
実施例10と比べて、水素ドープ処理完了後、保管開始からの経過時間を30日間(720時間)に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。30日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.81×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスルツボ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡は見受けられず良好な状態であった。
実施例1と比べて、保管温度を25℃(常温)に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。1日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.87×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、気泡は見受けられず良好な状態であった。常温での保管であるが、保管期間が1日間(24時間)と短いので石英ガラスるつぼの製造に問題はなかった。ただし、1日間経過後の水素ドープシリカ粉の残留水素濃度は実施例1の数値より低かった。
実施例2と比べて保管温度を25℃(常温)に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。5日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.69×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、るつぼ内層に気泡が多く存在していた。これは実施例2よりも悪化している状態であり、単結晶シリコンインゴットの引上げに悪影響を及ぼすおそれがあるものであった。これは、常温での保管によりドープされた水素が放出され易くなり、水素ドープによる気泡抑制効果が低下したためと考えられる。
比較例2と比べて、保管状態を大気雰囲気で0.05MPaに減圧した状態に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。5日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.67×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、るつぼ内層に気泡が多く存在しており、比較例2よりもさらに悪化している状態であった。これは、水素ドープシリカ粉の保管状態を減圧雰囲気にするとドープされた水素発散を促進してしまい、その結果、気泡抑制効果が低下したためと考えられる。
比較例3と比べて、保管状態を大気雰囲気で0.50MPaに加圧した状態に変更して水素ドープシリカ粉の保管を行った。5日間経過後の水素ドープシリカ粉の水素濃度は0.72×1019分子/cm3であった。この水素ドープシリカ粉を用いて、実施例1と同様に石英ガラスるつぼ11を作製した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に気泡状態の確認を行ったところ、比較例2及び比較例3より良好な気泡状態であった。ただし、保管期間が同じで加圧していない実施例2(保管温度10℃)、実施例4(保管温度5℃)、実施例5(保管温度0℃)よりも残留水素濃度が少なく、単結晶シリコンの引上げに問題ないレベルの範囲内とはいえ、満足できる気泡抑制効果は得られなかった。これは、加圧雰囲気によりドープされた水素の放出抑制効果が得られるものの、常温での保管によりドープされた水素が放出され易くなったためと考えられる。
Claims (7)
- 水素ドープシリカ粉の保管方法であって、
原料となるシリカ粉に対して水素ドープ処理を行って前記水素ドープシリカ粉を作製した後に、
該水素ドープシリカ粉を常温よりも低温にした冷却状態で保管することを特徴とする水素ドープシリカ粉の保管方法。 - 前記冷却状態での保管を、0℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項1に記載の水素ドープシリカ粉の保管方法。
- 前記冷却状態での保管を、大気雰囲気下又は大気以外のガス雰囲気下で、常圧下又は加圧下において行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の水素ドープシリカ粉の保管方法。
- 前記冷却状態で保管する水素ドープシリカ粉を、シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造に使用するものとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の水素ドープシリカ粉の保管方法。
- 前記水素ドープシリカ粉に含有される水素濃度を、前記石英ガラスるつぼの製造に使用するまで、0.70×1019分子/cm3以上に保持することを特徴とする請求項4に記載の水素ドープシリカ粉の保管方法。
- 請求項4又は請求項5に記載の水素ドープシリカ粉の保管方法により保管された水素ドープシリカ粉を用いて、前記石英ガラスるつぼの内層を形成することを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
- 請求項6に記載のシリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法であって、
回転するモールド内に外層用シリカ粉を供給し、前記石英ガラスるつぼの外層となる粉体層をるつぼ形状に成型する工程と、
前記粉体層を内面側から加熱溶融することによって気泡を含有する不透明石英ガラスからなる外層を形成するとともに、前記粉体層の内表面に前記保管された水素ドープシリカ粉を供給することによって前記外層の内表面上に実質的に気泡を含まない透明石英ガラスからなる内層を形成する工程と
を有することを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
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