JP6478752B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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-
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-
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-
- H—ELECTRICITY
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Description
本実施形態の半導体装置は、第1の層と、第1の層上に設けられ、第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、第2の層上に設けられたソース電極と、第2の層上に設けられたドレイン電極と、第2の層上のソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、第2の層上のゲート電極とドレイン電極との間に設けられ、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であって、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×1019cm−3以上含有する第1の絶縁膜と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、ゲート絶縁膜が、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第4の元素、及び、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群から選ばれる少なくとも一つの第5の元素を含有しないこと以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、保護膜が、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を含有しないこと以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第2の層に形成された溝(リセス)内にゲート電極が埋め込まれる、いわゆるゲート・リセス構造を備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、縦型のデバイスである点で、第1の実施形態と異なっている。第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1の層及び第2の層が酸化物である点で、第1の実施形態と異なっている。第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
16 バリア層(第2の層)
18 ソース電極
20 ドレイン電極
22 界面膜(第3の絶縁膜又は第4の絶縁膜又は第2の絶縁膜)
24 保護膜(第1の絶縁膜)
26 ゲート絶縁膜(第2の絶縁膜又は第1の絶縁膜)
28 ゲート電極
44 チャネル層(第1の層)
46 バリア層(第2の層)
100 HEMT(半導体装置)
200 HEMT(半導体装置)
300 HEMT(半導体装置)
400 HEMT(半導体装置)
500 HEMT(半導体装置)
600 HEMT(半導体装置)
Claims (18)
- 第1の層と、
前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、
前記第2の層の上に設けられたソース電極と、
前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第2の層の上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記第2の層の上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられた第1の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であり、前記第1の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、
前記第1の層及び前記第2の層が酸化物である半導体装置。 - 前記第2の層と前記第1の絶縁膜との間に設けられた第3の絶縁膜を、更に備える請求項1記載の半導体装置。
- 第1の層と、
前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、
前記第2の層の上に設けられたソース電極と、
前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第2の層の上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記第2の層の上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第2の層と前記ゲート電極との間に設けられた第2の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であり、前記第1の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、
前記第2の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)の群から選ばれる少なくとも一つの第3の元素の第2の酸化物であり、前記第2の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第4の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、前記第2の絶縁膜は、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群から選ばれる少なくとも一つの第5の元素を5×10 19 cm −3 以上含有する半導体装置。 - 第1の層と、
前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、
前記第2の層の上に設けられたソース電極と、
前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第2の層の上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記第2の層の上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第2の層と前記ゲート電極との間に設けられた第2の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であり、前記第1の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、
前記第2の絶縁膜は、前記第2の層と前記ゲート電極との間に設けられ、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第3の元素の第2の酸化物であり、前記第2の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第4の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、前記第2の絶縁膜は、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第5の元素を5×10 19 cm −3 以上含有する半導体装置。 - 前記第1の酸化物と前記第2の酸化物が同一であり、前記第2の元素と前記第4の元素とが同一である請求項3又は請求項4記載の半導体装置。
- 前記第2の層と前記第2の絶縁膜との間に設けられた第4の絶縁膜を、更に備える請求項3乃至請求項5いずれか一項記載の半導体装置。
- 第1の層と、
前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、
前記第2の層の上に設けられたソース電極と、
前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第2の層の上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記第2の層の上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられた第1の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であり、前記第1の絶縁膜は、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×10 19 cm −3 以上含有する半導体装置。 - 第1の層と、
前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、
前記第2の層の上に設けられたソース電極と、
前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第2の層の上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記第2の層の上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第2の層と前記ゲート電極との間に設けられた第2の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であり、前記第1の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、
前記第2の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)の群から選ばれる少なくとも一つの第3の元素の第2の酸化物であり、
前記第1の絶縁膜の中の前記第2の元素の濃度は、前記第2の絶縁膜の中の前記第2の元素の濃度よりも高い半導体装置。 - 前記第2の層と前記第1の絶縁膜との間に設けられた第3の絶縁膜を、更に備える請求項3乃至請求項7いずれか一項記載の半導体装置。
- 第1の層と、
前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、
前記第2の層の上に設けられたソース電極と、
前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第2の層の上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記第2の層と前記ゲート電極との間に設けられた第1の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であって、前記第1の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、前記第1の絶縁膜は、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群から選ばれる少なくとも一つの第3の元素を5×10 19 cm −3 以上含有する半導体装置。 - 第1の層と、
前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層と、
前記第2の層の上に設けられたソース電極と、
前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第2の層の上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記第2の層と前記ゲート電極との間に設けられた第1の絶縁膜と、を備え、
前記第1の絶縁膜は、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の第1の酸化物であり、前記第1の絶縁膜は、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×10 19 cm −3 以上含有し、前記第1の絶縁膜は、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第3の元素を5×10 19 cm −3 以上含有する半導体装置。 - 前記第2の層と前記第1の絶縁膜との間に設けられた第2の絶縁膜を、更に備える請求項10又は請求項11記載の半導体装置。
- 前記第1の層及び前記第2の層がGaN系半導体であって、前記第2の層のバンドギャップが前記第1の層のバンドギャップよりも大きい請求項3乃至請求項12いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の層及び前記第2の層が酸化物である請求項3乃至請求項12いずれか一項記載の半導体装置。
- 第1の層と、前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層の上に、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ti(チタン)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の酸化物を形成し、
前記酸化物の所定の領域に、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、ランタノイド(Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×1019cm−3以上導入し、
前記酸化物に、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第3の元素を導入し、
前記酸化物の前記所定の領域上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法。 - 第1の層と、前記第1の層の上に設けられ、前記第1の層との間に2次元電子ガスを形成する第2の層の上に、Al(アルミニウム)、La(ランタン)、Y(イットリウム)、Sc(スカンジウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第1の元素の酸化物を形成し、
前記酸化物の所定の領域に、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)の群から選ばれる少なくとも一つの第2の元素を5×1019cm−3以上導入し、
前記酸化物に、F(フッ素)、H(水素)、D(重水素)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)から選ばれる少なくとも一つの第3の元素を導入し、
前記酸化物の前記所定の領域上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の層及び前記第2の層がGaN系半導体であって、前記第2の層のバンドギャップが前記第1の層のバンドギャップよりも大きい請求項15又は請求項16記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の層の上に、前記ゲート電極との間に前記酸化物の前記所定の領域以外の領域を挟むドレイン電極を形成する請求項17記載の半導体装置の製造方法。
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US10510903B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Impact ionization semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11670699B2 (en) * | 2016-12-15 | 2023-06-06 | National Yang Ming Chiao Tung University | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8482035B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-07-09 | International Rectifier Corporation | Enhancement mode III-nitride transistors with single gate Dielectric structure |
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US9070758B2 (en) * | 2011-06-20 | 2015-06-30 | Imec | CMOS compatible method for manufacturing a HEMT device and the HEMT device thereof |
JP5990976B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-09-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6050018B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2016-12-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
GB2511541B (en) * | 2013-03-06 | 2015-01-28 | Toshiba Res Europ Ltd | Field effect transistor device |
JP6235154B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2017-11-22 | 中国科学院蘇州納米技術与納米▲ファン▼生研究所 | テラヘルツ光源のチップ |
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