JP2011044457A - 半導体装置、半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 基板101に、不純物を積極的に注入することなく形成されたGaN緩衝層102、GaN緩衝層102よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体を材料とするAlxGayIn1-x-yN障壁層103、AlxGayIn1-x-yN障壁層103の上面にあって、この上面にオーミックコンタクトするソース電極105、ドレイン電極107、ソース電極105、ドレイン電極107の間に設けられたゲート電極106を形成して半導体装置製造する。そして、ゲート電極106を、第2の窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有するn型不純物が積極的に注入された高濃度n型GaaIn1-aNゲート電極106a、ゲート電圧伝送用電極106bによって構成する。
【選択図】 図1
Description
)といった手法により、基板1上にGaN緩衝層2、GaaIn1-aNチャネル層4、AlxGayIn1-x-yN障壁層3が結晶成長装置において順次堆積される。MOCVDによって窒化物半導体層を順次堆積した後、電極を形成するプロセスは、例えば、特許文献1に記載されている。
(素子構造)
図1は、本発明の実施形態1の半導体装置を説明するための模式的な断面図である。実施形態1の半導体装置は、窒化物半導体HFET(Heterojunction Field Effect Transistor)として構成されている。このため、実施形態1では、実施形態1の半導体装置を、窒化物半導体HFETとも記す。
実施形態1の半導体装置の製造方法では、図1に示した半導体装置を、以下のようにして製造する。すなわち、図1に示した窒化物半導体FETは、基板101をMOCVD装置等の結晶成長装置内に基板101を挿入し、GaN緩衝層102、AlxGayIn1-x-yN障壁層103、高濃度n型GazIn1-z層を結晶成長装置から取り出すことなく順次形成することによって製造される。この際、材料や組成の異なる各層は、原料ガスや処理温度を各層に応じて適宜変更することによって形成される。
(素子特性)
図2は、図1に示した窒化物半導体HFETにおいて、窒化物半導体HFETの高濃度n型GazIn1-zNゲート電極106aにおける、厚さとIn組成との関係を説明するための図である。図2の縦軸は高濃度n型GazIn1-zNゲート電極106aの厚さ、つまり図1中に示したdを示している。また、横軸は高濃度n型GazIn1-zNゲート電極106aのIn組成を示している。なお、In組成とは、高濃度n型GazIn1-zNゲート電極の「1−z」に当てはまる値をいう。図中において直線Lで示した範囲より下の領域は、実施形態1の窒化物半導体HFETにおいて高濃度n型GazIn1-zNゲート電極106aがゲート電極として適正に機能する範囲を示している。
図3(a)、(b)は、実施形態1の窒化物半導体HFETのバンドダイアグラムを例示した図である。図3(a)は従来の窒化物半導体HFETの、GaN層上にAl0.25Ga0.75N層を形成した構造のダイアグラムを例示している。図3(a)に示した構造では、Al0.25Ga0.75N層はGaN層に対して引っ張り歪みを有する。また、自発分極の影響もあり、Al0.25Ga0.75N層のバンドがチャネルとの界面から、表面に向かって上向きに傾斜している。さらに、Al0.25Ga0.75N層表面のバンドは、大気に暴露されているため、障壁層の窒素脱離、自然酸化の影響により、表面に向かって上向きとなっている。
(素子構造)
図5は、実施形態2の窒化物半導体HFETの他の例を説明した図である。図5に示した窒化物半導体HFETは、図1に示した窒化物半導体HFETと同様の構成を含み、同様の構成については同様の符号を付して示している。図5に示した窒化物半導体装置は、図1の窒化物半導体装置において、GaN緩衝層102とAlxGayIn1-x-yN障壁層103との間に、GaaIn1-aNチャネル層104を設けたものである。
実施形態2の半導体装置の製造方法では、図5に示した半導体装置を、以下のようにして製造する。すなわち、図5に示した窒化物半導体FETは、結晶成長装置内に搬入された基板101上に結晶成長装置内でGaN緩衝層102を形成した後、基板を結晶成長装置から取り出すことなくプロセス条件を変えてGaaIn1-aNチャネル層104を形成し、続いてAlxGayIn1-x-yN障壁層103、高濃度n型GazIn1-z層を形成することによって製造される。
102 GaN緩衝層
103 AlxGayIn1-x-yN障壁層
104 GaaIn1-aNチャネル層
105 ソース電極
106 ゲート電極
106a 高濃度n型GazIn1-zNゲート電極
106b ゲート電圧伝送用電極
107 ドレイン電極
Claims (6)
- 基板上に、第1の窒化物半導体を材料とし、不純物を積極的に注入することなく形成された第1半導体層と、
前記第1の窒化物半導体材料よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体を材料とし、前記第1半導体層よりも上層に設けられた半導体障壁層と、
前記半導体障壁層の上面にあって、当該上面にオーミックコンタクトするソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、を含み、
前記ゲート電極は、
前記第2の窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有するn型不純物が積極的に注入された第3の窒化物半導体を材料とする半導体コンタクト層と、
前記半導体コンタクト層上に設けられた金属層と、
によって構成されることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1半導体層と前記半導体障壁層との間に形成された半導体チャネル層をさらに含み、
前記半導体チャネル層は、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップが小さい第4の窒化物半導体を材料とし、不純物が積極的に注入されていない半導体層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の窒化物半導体がGaNであり、
前記第2の窒化物半導体がAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y=1)であり、
前記第3の窒化物半導体がGaaIn1-aN(0≦a<1)であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第4の窒化物半導体が、GaaIn1-aN(0≦a<1)であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。
- 前記半導体コンタクト層は、厚さが前記第3の窒化物半導体の臨界膜厚以下であり、電子濃度が1×1018cm-3以上のGaaIn1-aN(0≦a<1)であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板上に、第1の窒化物半導体を材料とし、不純物を積極的に注入することなく形成された第1半導体層と、該第1の窒化物半導体材料よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体を材料とし、前記第1半導体層よりも上層に設けられた半導体障壁層と、該半導体障壁層の上面にあって、当該上面にオーミックコンタクトするソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、を含み、前記ゲート電極が、前記第2の窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有するn型不純物が積極的に注入された第3の窒化物半導体を材料とする半導体コンタクト層と、該半導体コンタクト層上に設けられた金属層と、によって構成される半導体装置を製造する半導体の製造装置において、
前記第1半導体層を形成する工程、前記半導体障壁層を形成する工程、前記半導体コンタクト層を形成する工程の全行程が、途中で半導体結晶を製造する結晶成長装置内から前記基板が取り出されることなく行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013030667A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
CN113972263A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-01-25 | 南京大学 | 一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 |
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JP2002016087A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
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