JP6472596B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6472596B2
JP6472596B2 JP2014025813A JP2014025813A JP6472596B2 JP 6472596 B2 JP6472596 B2 JP 6472596B2 JP 2014025813 A JP2014025813 A JP 2014025813A JP 2014025813 A JP2014025813 A JP 2014025813A JP 6472596 B2 JP6472596 B2 JP 6472596B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
lead frame
light
translucent resin
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014025813A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015153882A (ja
Inventor
岡田 雄志
雄志 岡田
蔵本 雅史
雅史 蔵本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2014025813A priority Critical patent/JP6472596B2/ja
Priority to US14/620,309 priority patent/US10109766B2/en
Publication of JP2015153882A publication Critical patent/JP2015153882A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6472596B2 publication Critical patent/JP6472596B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Description

本発明は、リードフレームに載置された発光素子が透光性樹脂に覆われた発光装置及びその製造方法に関する。
リードフレームに載置された発光素子及び発光素子とリードフレームの一部を被覆する透光性樹脂を備えた発光装置(例えば「LED(発光ダイオード)」)が、各種の光源として広く用いられている。このような発光装置における問題点として、透光性樹脂またはリードフレームの形状、発光素子の配光特性、リードフレームのメッキ光沢度等に起因する初期の配光のバラツキに加えて、経時的劣化による配光バラツキ(配光変化によるバラツキ)がある。
経時的劣化による配光バラツキは、基板への実装時または使用時(点灯時)における発熱によるものが大きな要因と考えられ、具体的には下記の2つの場合が挙げられる。1つは、熱応力により発光素子等が劣化することによるものであり、もう一つは、熱、光等により、リードフレームと透光性樹脂とが剥離することによるものである。
このような熱応力による経時的な配光バラツキに対処するため、リードフレームと透光性樹脂材との間の接着性を低下させて、内部応力を緩和して、発光素子にかかる応力を低減して、発光素子の劣化を防止する発光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
上記したように、特許文献1に記載の発明では、熱応力による発光素子の劣化に起因する配光バラツキに対しては効果がある。しかしながら、熱、光等により、接触していたリードフレームと透光性樹脂との領域の一部が剥離して、透光性樹脂とリードフレームが接触する部分と剥離する部分が混在する状態が生じて、配光バラツキが生じることを防ぐことができない。
更に、特許文献1に記載の発明では、熱応力抑制のため、接着性が低い透光性樹脂材を用いるので、リードフレームと透光性樹脂との間の隙間から、水やフラックスが内部に侵入して、発光素子やリードフレームが腐食する虞がある。
一方、リードフレームと透光性樹脂との間の隙間から水やフラックスが内部に侵入することを防ぐ目的については、リードフレームが露出する透光性樹脂材の端部において、リードフレームと透光性樹脂材との間の接着性を高めるための部材を付加することが提案されている(例えば、特許文献2、3参照)。この場合、透光性樹脂材以外の封止用部材を付加する必要があり、製作工数や製造コストが増加する虞がある。
特開2002−353518 特開平11−103097 特開2004−88002
従って、本願発明の目的は上記の問題を解決し、熱または光等によりリードフレームと透光性樹脂の一部が剥離して、経時的劣化による配光バラツキが生じることを抑制するとともに、更なる封止用部材を有することなく、リードフレームと透光性樹脂材との間の隙間から、水分やフラックスが浸入するのを防止することができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
以上のような目的を達成するため、本発明の発光装置の1つの実施態様は、リードフレームと、前記リードフレームに形成された凹部の底面に載置された発光素子と、前記発光素子を被覆する透光性樹脂と、を備え、前記リードフレームは、前記透光性樹脂に覆われた被覆領域と、前記透光性樹脂から露出した露出領域と、を有し、前記凹部の内側面において、前記リードフレームと前記透光性樹脂との間に前記発光素子からの光の主波長より大きい隙間を有し、前記被覆領域内であって前記露出領域との境界またはその近傍に位置する前記被覆領域の端部で、前記リードフレームと前記透光性樹脂とが密着している発光装置である。
本発明の発光装置の製造方法の1つの実施態様は、発光素子が載置された凹部を有し、前記凹部の内側面以外の少なくとも一部に密着付与剤が設けられたリードフレームを準備する工程と、前記リードフレームの一部及び前記発光素子を、硬化促進剤を含有する透光性樹脂で覆うことにより、前記密着付与剤が設けられた前記リードフレームと前記透光性樹脂とを密着させるとともに、前記凹部の内側面において、前記リードフレームと前記透光性樹脂との間に前記発光素子からの光の主波長より大きい隙間を形成する工程と、を有す製造方法である。
上記の発明によれば、熱または光等によりリードフレームと透光性樹脂の一部が剥離して、経時的劣化による配光バラツキが生じることを抑制するとともに、更なる封止用部材を有することなく、リードフレームと透光性樹脂の間の隙間から、水分やフラックスが浸入するのを防止することができるので、長期間高信頼性を保持できる発光装置及びその製造方法を提供することができる。
本発明の発光装置の1つの実施形態を示す概略図である。 リードフレームに対応する領域の一部に密着付与剤が設けられた基礎フレームの1つの実施形態を示す図である。 リードフレームに対応する領域の一部に密着付与剤が設けられた基礎フレームのその他の実施形態を示す図である。 プリコート工程を含む製造方法で製造した本発明の発光装置の実施形態を示す概略図である。 本発明の発光装置のその他の実施形態を示す概略図である。
(経時的劣化による配光バラツキの説明)
はじめに、経時的劣化による配光バラツキが生じる原因の説明を行なう。
リードフレームに形成された凹部の底面に載置された発光素子を有し、発光素子及びリードフレームを被覆する透光性樹脂を備えた発光装置の製造終了時においては、リードフレームの凹部の内側面と透光性樹脂とが接触した状態になっている。一方、所定の期間使用後の状態においては、基板への実装時または使用時(点灯時)における発熱や光等により、接触していた凹部の内側面と透光性樹脂の一部が剥離する。よって、凹部の内側面と透光性樹脂が接触した領域と、剥離した領域が不規則に混在する状態が生じる。
凹部の内側面と透光性樹脂とが接触した領域では、発光素子から出力した光は、凹部の内側面で反射する。一方、透光性樹脂と凹部の内側面とが剥離した領域では、光の主波長より大きな隙間があいていれば、光は透光性樹脂の端面で全反射する。よって、剥離した領域と接触した領域とで反射面が異なり、発光素子から透光性樹脂の外部に取り出される光の方向が変わるので、経時的劣化による配光バラツキが生じることになる。ここで、反射面が異なるというのは、反射面となる部材が異なる場合を指す(例えば、透光性樹脂の端面とリードフレームの凹部の内側面)。
また、所定の期間使用後の状態においては、底面においても内側面と同様に、凹部の底面と透光性樹脂が接触した領域と、剥離した領域が不規則に混在する状態が生じ、配光バラツキが生じる場合がある。例えば、透光性樹脂と凹部の内側面とが剥離する際、応力が生じ、透光性樹脂と凹部の底面の一部が剥離する恐れがある。
凹部の底面と透光性樹脂とが接触した領域では、発光素子から出力した光は、凹部の底面で反射する。一方、透光性樹脂と凹部の底面が剥離(透光性樹脂と凹部の底面が離間)した領域では、光の主波長より大きな隙間があいていれば、光は透光性樹脂の端面で全反射する。以下に説明するように、本発明においては、このような経時的劣化による配光バラツキを未然に防ぐことができる。
(本発明の発光装置の1つの実施形態の説明)
図1に、本発明の発光装置の1つの実施形態の概略図を示す。図1(a)に示す発光装置20は、砲弾型LEDとも称され、第1のリードフレーム2及び第2のリードフレーム4と、第1のリードフレーム2に形成された凹部12の底面12aに載置された発光素子6(例えば、LEDチップ)と、発光素子6を封止する透光性樹脂8とを備える。発光素子6が載置された凹部12を含む第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4は、砲弾型形状の透光性樹脂8に覆われている。なお、説明の便宜上、リードフレーム2、4の透光性樹脂8に覆われた領域を被覆領域10とし、透光性樹脂8から露出した領域を露出領域11とする。本実施形態では、露出領域11において、リードフレーム2、4が、凹部12の底面12aに対して鉛直方向に真直である。
第1のリードフレーム2の凹部12の底面12aに接着剤が設けられ、発光素子6がリードフレームの凹部12の底面12aに固定されている(ダイボンディング)。また、発光素子6とリードフレーム2、4とは、図示されないワイヤーで電気的に接続されている(ワイヤボンディング)。なお、発光素子6と第1のリードフレーム2とは、発光素子6の底部で電気的に接続することもできる。
本実施形態では、発光素子6からの光は透光性樹脂8の端面で全反射し、凹部12の底面12aで反射する。つまり、発光素子からの光の一部は、リードフレームの表面で反射される。そのため、リードフレーム2、4は、光反射率の高い金属でメッキ等が施されることが好ましく、具体的には、金、銀、ロジウム、アルミニウム、白金及びそれらの合金等のメッキが挙げられ、特に可視光に対する反射率が高い銀が好ましい。また、銀等のメッキを施すことによって、下地金属の酸化を防ぐことができ、特に、第1のリードフレーム2の凹部12の底面12aにおいて、確実にダイボンディングを行なうことができ、発光素子6等からの光を効率よく反射することができる。
なお、本実施形態では、予め第1のリードフレーム2の凹部12の内側面12bと、透光性樹脂8とが離間しているので(図1(b)参照)、内側面12bと透光性樹脂8とが剥離する際に応力が生じるのを防止することができ、凹部の底面と透光性樹脂との剥離が生じることを抑制できる。これにより、凹部12の底面12aと透光性樹脂8が接触した領域と、剥離した領域とが不規則に混在することを防いで、配光バラツキが生じることを未然に防ぐことができる。
なお、図1(a)、(c)において、リードフレーム2、4の下側部分の網掛け領域15は、密着付与剤が設けられた領域(密着付与材塗布領域)を示す。
露出領域11は、発光装置の端子として機能する端子部を含む。つまり、第1のリードフレーム2及び第2のリードフレーム4の下部は、透光性樹脂8から露出しており、その端部が基板上の回路パターンと電気的に接続する端子部として機能する。なお、本実施形態においては、図1(a)に示すように、第1のリードフレーム2及び第2のリードフレーム4の露出領域11が、凹部12の底面12aに対して直交方向に延びている。言い換えれば、露出領域11において、リードフレーム2、4が、凹部12の底面12aに対して鉛直方向に真直である。このような構成により、砲弾型LEDとして幅広い分野で適用することができる。
<リードフレームの凹部の内側面と透光性樹脂の間の隙間の説明>
図1(a)の発光装置20のリードフレーム2の凹部12の領域を表わす図1(b)に示すように、本実施形態では、製造終了時において、予め第1のリードフレーム2の凹部12の内側面12bと、透光性樹脂8とが離間しており、凹部12の内側面12bと透光性樹脂8との間に所定の隙間を有している。なお、この隙間の距離は、発光素子6から出力する光の主波長より大きくなっている。ここで、「距離」とは、凹部内の内側面と対向する透光性樹脂の端面と凹部の内側面との間の距離を指す。
隙間の距離が光の主波長より大きい場合には、発光素子6から出力した光は、透光性樹脂8の端面で全反射することになる。もし、隙間の距離が光の主波長以下の場合には、光が凹部12の内側面12bに達して、銀メッキが施された凹部12の内側面12bで反射することになり、一部の光が銀メッキにより吸収される。したがって、光の取り出し効率としては、光が透光性樹脂8の端面で全反射した場合の方が、凹部12の内側面12bに達して反射した場合よりも高くなる。つまり、銀のような反射率の高い金属でも、一部の光を吸収するが、本実施形態では、内側面12bに向かう発光素子6からの光の大半は凹部12の内側面12bに到達せず、透光性樹脂8の端面で全反射する。そのため、メッキが施された凹部12の内側面12bにおいて、発光素子6からの光が吸収されることを防ぐことができる。
なお、全反射は、内側面12bと透光性樹脂8との間の隙間の距離が光の主波長より大きい場合であっても、発光素子6からの光の角度(入射角、臨界角等)、発光素子6の配置される位置等にも依存するため、内側面12bに向かう光の全てを確実に全反射するわけではない。しかしながら、隙間の距離が光の主波長より大きくすることにより、隙間の距離が光の主波長以下の場合と比べて、全反射する発光素子6からの光の光量を増やすことができ、光の取り出し効率を高くすることができる。
もし、発光素子6から出力する光の主波長より大きい隙間とそれ以下の隙間が混在する場合には、反射面の異なる領域が混在することになり、配光バラツキが生じることになる。本実施形態のように、凹部の内側面と透光性樹脂との隙間の距離が、予め発光素子6から出力する光の主波長より大きい場合には、その後、熱や光が加わったとしても、反射面が異なる領域が混在することなく、経時的劣化による配光バラツキが生じることはない。
本実施形態において、第1のリードフレーム2の凹部の内側面12bと透光性樹脂8の隙間は、凹部の内側面の全周にわたって形成されることが好ましい。これにより、全反射する発光素子6からの光の光量を増やすことができ、光の取り出し効率を高くすることができる。更に、内側面12bと透光性樹脂8とが剥離する際に応力が生じるのを未然に防止することができ、凹部の底面と透光性樹脂との剥離が生じることを抑制できる。
また、発光素子の周辺に発光素子からの光の主波長よりも長い発光波長を有する波長変換部材が設けられる場合、具体的には、発光素子6の周囲を覆う透光性樹脂8に、発光素子6からの出力光を、それよりも長い波長に変換する波長変換物質が含まれている(例えば、分散されている)場合には、凹部12の内側面12bにおいて、第1のリードフレーム2と透光性樹脂8との間の隙間は、この波長変換物質からの光の主波長より大きいことが好ましい。
これにより、任意の色の光を発する発光装置において、確実に、経時的劣化による配光バラツキを抑制することができる。
発光素子の光の主波長よりも長い発光波長を有する波長変換部材としては、例えば、発光素子6が波長450〜495nmの青色光を出力し、その周囲の透光性樹脂8に、青色光を波長570〜590nmの黄色光に変換する波長変換物質(蛍光物質)が分散されている白色光を出力する発光装置20の場合には、隙間の距離が、青色光の波長(450〜495nm)より大きくなっており、更に黄色光の波長(570〜590nm)より大きいことが好ましく、黄色光の主波長(590nm)より大きいことがより好ましい。なお、波長変換物質はこれに限られるものではなく、任意の波長の光を任意の波長の光に変換する波長変換物質を用いることができる。
実際の照明装置の製造においては、透光性樹脂の組成に下記に示すような適切な硬化促進剤を添加することによって、凹部の内側面において、リードフレームと透光性樹脂の間に発光素子または波長変換部材からの光の主波長の等倍以上の距離の隙間を設けることができる。具体的には、発光素子または波長変換部材が青色光を出力する場合には、発光素子または波長変換部材からの光の主波長の2〜5倍、赤色光を出力する場合には、発光素子または波長変換部材からの光の主波長の2〜4倍の距離の隙間を設けることが好ましい。
本実施形態では、接着剤により、発光素子6が第1のリードフレーム2の凹部12の底面12aに固定されているが、塗布された接着剤は、底面12a上を濡れ広がるので、底面12a全面に接着剤が行き渡り、発光素子6及び透光性樹脂8を底面12aに密着させることができる。つまり、発光素子6とリードフレーム2を固定する接着剤により、リードフレームと透光性樹脂とが接合されている。よって、点灯時に発光素子6から生じる熱を、リードフレーム2を介して、効果的に抜熱することができる。
<リードフレームと透光性樹脂が密着していることの説明>
図1(a)の発光装置20のリードフレーム2、4の透光性樹脂8からの露出領域11を表わす図1(c)に示すように、本実施形態では、被覆領域10の端部において、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4と透光性樹脂8とが密着している。ここで、「被覆領域10の端部」とは、被覆領域10の領域内であって、被覆領域10と露出領域11との境界またはその近傍に位置する領域を指す。
これにより、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4と透光性樹脂8との間の隙間から、水やフラックスが内部に侵入することを防ぎ、発光素子6やリードフレーム2、4が腐食することを防ぐことができる。
リードフレーム2、4と透光性樹脂8とを密着させるため、少なくとも、被覆領域10の端部において、リードフレーム2、4に密着付与剤が設けられている。これにより、透光性樹脂8に硬化促進剤が含まれているにもかかわらず、リードフレーム2、4と透光性樹脂8とを確実に密着させることができる。リードフレーム2、4に密着付与剤を設ける具体例としては、図2及び3に示すような実施形態を例示できる。
図2及び3は、リードフレームに対応する領域の一部に密着付与剤が設けられた基礎フレームを示す。つまり、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4を基礎フレームから切り出す前の状態を示し、図2では、被覆領域の端部から露出領域の全域にわたって密着付与剤が設けられている。この場合、例えば、密着付与剤を設けないリードフレームの上部をマスキングして、基礎フレームを液状の密着付与剤内に浸漬させることによって形成することができる。
図2の実施形態では、露出領域11は、端子として機能する端子部を含み、少なくとも端子部に密着付与剤が設けられている。
ここで、一般的な発光装置の製造工程において、銀メッキが施されたリードフレームの凹部の底面に発光素子を接着(ダイボンディング)する工程における加熱(例えば、150℃以上の加熱)によって、銀メッキは大気中の酸素を透過し易くなる。これにより、下地金属が酸化される虞がある。
この場合、後のハンダメッキ工程において、基礎フレームから切り出されたリードフレームの端部(例えば、基礎フレームからの切断面)にハンダメッキを行なうとき、下地金属の酸化によって適切なハンダメッキが行われない虞がある。
図2の実施形態で切り出されたリードフレーム2、4は、露出領域11の端子部として機能する下端部にも密着付与剤が設けられているので、銀メッキは密着付与剤で覆われている。よって、ダイボンディングの加熱によっても、最外層の密着付与剤が大気中の酸素が透過するのを防ぐので、下地金属が酸化することを未然に防止することができる。従って、少なくとも、露出領域11の端子として機能する端子部に密着付与剤が設けられていれば、その後のハンダメッキ工程においても、適切なハンダメッキを行うことができる。また、発光装置20を回路基板へ実装するときのハンダ付け工程においても、適切なハンダ付けを行うことができる。
一方、図3においては、被覆領域10の端部にのみ、密着付与剤が設けられている。この場合、濡れ広がることが少ない水溶性の密着付与剤を用いて、リードフレームの特定の領域に塗布することにより、選択的に密着付与剤を設けることができる。
図3の実施形態で切り出されたリードフレーム2、4では、密着付与剤は、被覆領域10の端部には設けられるが、端子部として機能する下端部には設けられていない。よって、本実施形態では、図2の実施形態と比べて密着付与剤が少ない分、発光装置のコスト低減を図りながら、リードフレームと透光性樹脂との間の隙間から、水やフラックスが内部に侵入することを防ぐことができる。
なお、本発明はこのような実施形態に限られるものではなく、例えば、第1のリードフレーム2の凹部12を除くリードフレーム2、4に、密着付与剤を設けることもできる。つまり、リードフレーム2、4を準備する工程において、凹部12を除くリードフレーム2、4に、密着付与剤を設けることにより実現できる。
このとき、凹部12をマスキングして、基礎フレームを密着付与剤内に浸漬させることによって形成することができるし、水溶性の密着付与剤の塗布により形成することもできる。
この場合には、第1のリードフレーム2の凹部12の内側面12bと透光性樹脂8との間に、確実に所定の隙間を形成するとともに、リードフレーム2、4の凹部12を除く、その他の領域において、リードフレーム2、4と透光性樹脂8とを確実に密着させることができる。つまり、リードフレーム2、4の被覆領域10において、凹部12を除くリードフレーム2、4が、透光性樹脂8と密着した状態となる。
なお、「凹部12を除くリードフレーム2、4」とは、凹部12を除くリードフレーム2、4の全ての表面の場合も含まれるし、凹部12を除くリードフレーム2、4の表面のうちの一部の表面の場合も含まれる。上述のように、本実施形態に係る密着付与材は何れの密着付与材を使用することができ、中でも、水溶性の密着付与材が好ましい。これにより、容易にリードフレーム2、4の凹部12を除く、その他の領域に密着付与材を選択的に設けることができる。
以上のように、本実施形態の発光装置20では、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4と、第1リードフレーム2に形成された凹部12の底面12aに載置された発光素子6と、発光素子6及び凹部12aを含む第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4の一部の領域を覆う透光性樹脂8と、を備え、リードフレームは、透光性樹脂に覆われた被覆領域10と、透光性樹脂から露出した露出領域11と、を有し、凹部12の内側面12bにおいて、リードフレーム2と透光性樹脂8との間に、発光素子6からの光または波長変換部材からの光(発光素子6の周辺に発光素子6からの光の主波長よりも長い発光波長を有する波長変換部材を設けた場合)の主波長主波長より大きい隙間を有し、少なくとも、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4の被覆領域10内であって露出領域11との境界またはその近傍に位置する被覆領域10の端部で、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4と透光性樹脂8とが密着している。
このような構成により、基板への実装時または点灯時における発熱または光等により、製造完了時には接触していた第1のリードフレーム2及び透光性樹脂8の一部が剥離して、経時的劣化による配光バラツキが生じることを抑制するとともに、更なる封止用部材を有することなく、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4と透光性樹脂8との間の隙間から、水やフラックスが内部に侵入して、発光素子6やリードフレーム2、4が腐食することを防ぐことができる。よって、発光装置20の配光変化によるバラツキが十分に抑制され、長期間高信頼性を保持できる発光装置20を提供することができる。
(透光性樹脂の材質の説明)
透光性樹脂8は、エポキシ樹脂を必須とし、他の主な組成として、シリコーン樹脂等を始めとする透光性が高く、かつ耐熱性に優れる任意の材料を用いることができる。エポキシ樹脂は、更に詳細には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、及びトリグリシジルイソシアヌレートを用いることができる。
更に、透光性樹脂8の組成として、主な組成に加えて、硬化剤、硬化促進剤、添加剤等を含むことができる。下記に、硬化剤、硬化促進剤、添加剤の詳細な説明を行なう。
<硬化剤の説明>
透光性樹脂8に含まれる硬化剤として、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、ヘキサヒドロフタル酸、及びカルボン酸類のうちの少なくとも1つが用いることができる。
<硬化促進剤の説明>
透光性樹脂8に含まれる硬化促進剤として、リン系ハロゲン化物及び金属石鹸のうちの少なくとも1つを用いることができる。また、硬化促進剤として、金属石鹸及び4級ホスホニウム塩を用いることもできる。この金属石鹸として、C4以上の脂肪酸のNa及びK以外の金属塩のうちの少なくとも1つを含むことができる。更に、硬化促進剤として、3級ホスフィン類、3級アミン類、イミダゾール類、及び4級アンモニウム塩のうちの少なくとも1つを用いることもできる。
このような硬化促進剤を用いることにより、リードフレーム2と透光性樹脂8との間に、発光素子6からの光または波長変換部材からの光の主波長主波長より大きい隙間を確実に形成することができる。
<添加剤の説明>
透光性樹脂8に含まれる添加剤としては、ポリオール、界面活性剤、着色剤、及び拡散剤のうちの少なくとも1つを用いることができる。
(ポリオール)ポリオールは助触媒として、エポキシ樹脂を含有する透光性樹脂に好適に含有される。助触媒として働くポリオールは、透光性樹脂に可とう性を付与し剥離接着力を向上させるだけでなく、上述した硬化促進剤の相溶化剤としても機能する。ポリオールは耐光性を要求されるため、非芳香族かつ炭素二重結合を化学構造的に有しない炭素数2〜12の直鎖型、分岐型、脂環型、エーテル基含有型のいずれかからなるポリオールが好適に用いられる。具体的にはプロパノール、イソプロパノール、メチルシクロヘキサノール、エチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられる。
(界面活性剤)界面活性剤は、無機微粒子(拡散剤等)を透光性樹脂中にほぼ一定の間隔をおいて均一に分布させる物質である。発光装置の製造時において、液状の透光性樹脂中に分散した無機微粒子同士の凝集を防ぎ、無機微粒子の分散を安定化させることができる。界面活性剤の選択としては、分散させる無機微粒子の種類によって、適宜選択する。
(着色剤)着色剤を透光性樹脂に含有することにより、発光素子及び/又は波長変換部材からの光を所望にカットするフィルター効果を持たせることができる。
(拡散剤)拡散剤を透光性樹脂に含有することにより、光の拡散効果と、増粘性と、応力拡散効果などが得られる。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。これによって良好な指向特性を有する発光装置が得られる。
(リードフレームに設けられる密着付与剤の説明)
リードフレーム2、4に設けられる密着付与剤として、アルキルチオール類、アルコシシシランアルキルチオール類、メルカプトベンゾチアゾール類、メルカプトベンゾチアゾールモノナトリウム塩類、トリアジンチオール類、トリアジンジチオール類、トリアジントリチオール類、トリアジンチオールモノナトリウム塩類、トリアジンジチオールモノナトリウム塩類、トリアジンジチオールジナトリウム塩類、トリアジントリチオールモノナトリウム塩類、トリアジントリチオールジナトリウム塩類、トリアジントリチオールトリナトリウム塩類、及びイソニトリル化合物のうちの少なくとも1つを用いることができる。
このような密着付与剤を用いることにより、透光性樹脂8に硬化促進剤が含まれているにもかかわらず、リードフレーム2、4と透光性樹脂8とを確実に密着させることができる。
本実施形態では、上記の密着付与材をリードフレームに設ける以外の手段でも、被覆領域において、凹部を除くリードフレームに透光性樹脂を密着させることができる。
例えば、第1及び第2のリードフレームを透光性樹脂で被覆する前に、発光素子が収納されている第1のリードフレームの凹部内にのみ、発光素子を被覆するプリコートを充填させる(プリコート工程)。尚、透光性樹脂には硬化促進剤を添加せず、プリコートにのみ、硬化促進剤を添加する。これにより、リードフレームとプリコートとの間に、発光素子からの光または波長変換部材からの光の主波長主波長より大きい隙間を形成する。一方、透光性樹脂とリードフレームを密着させると共に、透光性樹脂とプリコートを密着させることができる。
上述のプリコート工程を含む製造方法で製造した本発明の発光装置の実施形態を、図4に示す。図4(a)及び第1のリードフレーム10の凹部12の領域を拡大した図4(b)において、網掛けで示す部分が、硬化促進剤を添加した透光性樹脂からなるプリコート9である。上述のプリコート工程により、製造終了時において、予め第1のリードフレーム2の凹部12の内側面12bとプリコート9とが、発光素子6から出力する光の主波長より大きく離間している。これにより、図1に示す発光装置と同様な効果が得られる。なお、その他の部分については、図1に示す発光装置と同様なので、更なる説明は省略する。
(本発明の発光装置のその他の実施形態の説明)
本発明の発光装置のその他の実施形態として、図5に表面実装型の発光装置を示す。図5(a)に発光装置30の全体を表わす斜視図を示し、図5(b)に、図5(a)に示す発光装置30の凹部の領域の模式図を示す。なお、図5(a)では、透光性樹脂8に覆われた領域の内部が透けて見えるように示されている。
本実施形態においても、第1のリードフレーム2と、第2のリードフレーム4と、第1のリードフレームに形成された凹部12の底面12aに載置された発光素子6と、第1及び第2のリードフレーム2、4の一部の領域を覆う透光性樹脂8を備え、リードフレームは、透光性樹脂8に覆われた被覆領域10と透光性樹脂から露出した露出領域11を有する。図1に示す砲弾型の発光装置20では、露出領域11において、リードフレーム2、4が、凹部12の底面12aに対して鉛直方向に真直である。一方、図5に示す表面実装型の発光装置30では、露出領域11においてリードフレーム2、4が折り曲げられて、実装面(図5(a)参照)を有するようになっている。つまり、本実施形態においては、透光性樹脂8から露出した露出領域11において、リードフレーム2、4が折り曲げられていることにより、実装面を形成している。これに限られず、実装面を有する構造であれば、実装基板(回路基板)上に発光装置を表面実装することができる。また、表面実装型LEDは、チップマウンタ−とハンダリフローにて実装が可能でき、小型化可能であると共に比較的高密度に信頼性よく実装することができる。
図5(b)に示すように、本実施形態においても、凹部の内側面において、リードフレーム2と透光性樹脂8との間に発光素子6からの光または波長変換部材からの光の主波長より大きい隙間を有し、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4の被覆領域内であって露出領域11との境界またはその近傍に位置する被覆領域10の端部で、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4と透光性樹脂8とが密着している。
なお、本実施形態では、第1リードフレーム2及び第2のリードフレーム4のそれぞれの両端において、透光性樹脂8から露出している。つまり、1つのリードフレームについて、少なくとも、透光性樹脂8から露出する近傍の2箇所の領域で密着付与剤が設けられている。本実施形態においても、被覆領域10の端部でのみ、リードフレーム2、4と透光性樹脂8とが密着している場合も、リードフレーム2、4の被覆領域10において、凹部12を除くリードフレーム2、4が、透光性樹脂8と密着している場合もあり得る。
上述のように、本実施形態に係る密着付与材は何れの密着付与材を使用することができ、中でも、水溶性の密着付与材が好ましい。これにより、容易にリードフレーム2、4の凹部12を除く、その他の領域に密着付与材を選択的に設けることができる。
(本発明の発光装置の製造方法の説明)
本発明の発光装置の製造方法の一例を、下記に説明する。本製造方法では、
(1)発光素子6が載置された凹部12を有し、凹部12の内側面以外の少なくとも一部に密着付与剤が設けられたリードフレーム2、4を準備する工程と、
(2)リードフレーム2、4の一部及び発光素子6を、硬化促進剤を含有する透光性樹脂8で覆うことにより、密着付与剤が設けられたリードフレーム2、4の表面と透光性樹脂とを密着させるとともに、凹部12の内側面12bと透光性樹脂8との間に発光素子6からの光の主波長より大きい隙間を形成する工程と、
を有する。
上記(1)のリードフレーム2、4を準備する工程を更に詳細に述べれば、リードフレーム2、4の形状が形成された基礎フレームを製造する工程と、この基礎フレームに銀メッキを施す工程と、その後、所定の領域に密着付与剤を設ける工程と、を含む。
ここで、「凹部12の内側面以外のリードフレーム2、4の少なくとも一部に密着付与剤を設けること」については、後の工程においてリードフレーム2、4が被覆領域10の端部に、密着付与剤が設けられるようにすることが好ましい。これにより、リードフレーム2、4と透光性樹脂8との間の隙間から、水やフラックスが内部に侵入することを確実に防ぐことができる。
この場合、リードフレーム2、4を準備する工程において、被覆領域10の端部にのみ密着付与剤を設けることもできるし、被覆領域10の凹部12を除くリードフレーム2、4に、密着付与剤を設けることもできる。後者の場合には、製造後の被覆領域10において、凹部12を除くリードフレーム2、4が透光性樹脂8と密着した状態になる。
上記(2)の工程を更に詳細に述べれば、リードフレーム2、4を透光性樹脂8で覆う前に、接着剤を用いたダイボンディングで、発光素子6をリードフレーム2の凹部12の底面12aに固定する。これにより、リードフレーム2、4に透光性樹脂8で被覆する際、凹部12の底面12aに密着付与材を設けていない場合においても、底面12aと透光性樹脂8が接合される。次に、ワイヤボンディングで、必要な配線を行なう工程を実施する。
本製造方法では、硬化促進剤を含有する透光性樹脂8を用いることにより、確実に、凹部12の内側面12bと透光性樹脂8との間に発光素子6からの光の主波長より大きい隙間を形成することができる。なお、第1のリードフレーム2と透光性樹脂8の隙間は、凹部の内側面の全周にわたって形成されることが好ましい。また、透光性樹脂8に、発光素子6の光の主波長よりも長い発光波長を有する(発光素子6からの出力光をそれよりも長い波長に変換する)波長変換物質が含まれている場合には、凹部12の内側面12bと透光性樹脂8との間に、波長変換物質からの光の主波長より大きい隙間を形成することが好ましい。
更に詳細な本発明の発光装置の製造方法では、
(1)第1の工程
(1−1)リードフレーム2、4の形状が形成された基礎フレームを製造する工程と、
(1−2)この基礎フレームに銀メッキを施す工程と、
(1−3)その後、少なくともリードフレーム2、4が透光性樹脂8から露出する近傍の領域に密着付与剤を設ける工程と、
を含むリードフレーム2、4を準備する第1の工程、及び
(2)第2の工程
(2−1)接着剤を用いて、発光素子6を(第1の)リードフレーム2の凹部12の底面12aに固定し、必要な配線を行なう工程と、
(2−2)リードフレーム2、4の一部及び発光素子6を、硬化促進剤を含有する透光性樹脂8で覆うことにより、密着付与剤が設けられたリードフレーム2、4の表面と透光性樹脂とを密着させるとともに、(第1の)リードフレーム2の凹部12の内側面12bと透光性樹脂8との間に、発光素子6からの光または波長変換物質からの光の主波長より大きい隙間を形成する工程と、
(2−3)その後、リードフレーム2、4を基礎フレームから切り出す工程と、
を含む第2の工程、を含む。
以上のような製造方法においては、上述の任意の透光性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、添加剤、または密着付与剤を用いることができる。
これにより、基板への実装時または点灯時における発熱または光により、製造完了時には接触していた第1のリードフレーム2の凹部12の内側面12bと透光性樹脂8の一部が剥離して、経時的劣化による配光バラツキが生じることを抑制するとともに、更なる封止用部剤を有することなく、第1のリードフレーム2及び第2のリードフレーム4と透光性樹脂8との間の隙間から、水やフラックスが内部に侵入して、発光素子6やリードフレーム2、4が腐食することを防ぐことができる発光装置20、30を製造することができる。
(その他の実施形態)
本発明 に係る発光装置及びその製造方法は、上述の実施形態には限られず、その他様々な実施形態が本発明に含まれる。
2 第1のリードフレーム
4 第2のリードフレーム
6 発光素子
8 透光性樹脂
9 プリコート
10 被覆領域
11 露出領域
12 凹部
12a 凹部の底面
12b 凹部の内側面
14 隙間
20 発光装置
30 発光装置
102 リードフレーム
106 発光素子
108 透光性樹脂
112 凹部
112a 凹部の底面
112b 凹部の内側面

Claims (15)

  1. 凹部を有する第1のリードフレームと、
    第2のリードフレームと、
    前記第1のリードフレームに形成された前記凹部の底面に載置された発光素子と、
    前記発光素子並びに前記凹部及びその周囲領域を含む前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームの一部を被覆する透光性樹脂と、
    を備え、
    前記第1のリードフレームは、前記透光性樹脂に覆われた被覆領域と、前記透光性樹脂から露出した露出領域と、を有し、
    前記透光性樹脂にエポキシ樹脂及び硬化促進剤が含まれ、
    前記凹部の内側面において、前記第1のリードフレームと前記透光性樹脂との間に前記発光素子からの光の主波長より大きい大気から密封された隙間を有し、
    前記被覆領域内であって前記露出領域との境界またはその近傍に位置する前記被覆領域の端部を少なくとも含み前記凹部の内側面を除く前記被覆領域に密着付与剤が設けられて、前記第1のリードフレームと前記透光性樹脂とが密着していることを特徴とする、発光装置。
  2. 前記凹部の底面において、前記発光素子を固定する接着剤により、前記第1のリードフレームと前記透光性樹脂とが接合されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記凹部の内側面を除く全ての前記被覆領域において、前記第1のリードフレームが前記透光性樹脂と密着していることを特徴とする、請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記露出領域は、端子として機能する端子部を含み、少なくとも前記端子部に前記密着付与剤が設けられていることを特徴とする、請求項1から3の何れか1項に記載の発光装置。
  5. 前記密着付与剤として、アルキルチオール類、アルコシシシランアルキルチオール類、メルカプトベンゾチアゾール類、メルカプトベンゾチアゾールモノナトリウム塩類、トリアジンチオール類、トリアジンジチオール類、トリアジントリチオール類、トリアジンチオールモノナトリウム塩類、トリアジンジチオールモノナトリウム塩類、トリアジンジチオールジナトリウム塩類、トリアジントリチオールモノナトリウム塩類、トリアジントリチオールジナトリウム塩類、トリアジントリチオールトリナトリウム塩類、及びイソニトリル化合物のうちの少なくとも1つが用いられることを特徴とする、請求項1から4の何れか1項に記載の発光装置。
  6. 前記硬化促進剤として、リン系ハロゲン化物及び金属石鹸のうちの少なくとも1つが用いられる請求項1から5の何れか1項に記載の発光装置。
  7. 前記硬化促進剤として、金属石鹸及び4級ホスホニウム塩が用いられる請求項1から6の何れか1項に記載の発光装置。
  8. 前記金属石鹸が、C4以上の脂肪酸のNa及びK以外の金属塩のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項6または7に記載の発光装置。
  9. 前記硬化促進剤として、更に、3級ホスフィン類、3級アミン類、イミダゾール類、及び4級アンモニウム塩のうちの少なくとも1つが用いられることを特徴とする、請求項6から8の何れか1項に記載の発光装置。
  10. 前記透光性樹脂の組成として添加剤が含まれ、
    前記添加剤として、ポリオール、界面活性剤、着色剤、及び拡散剤のうちの少なくとも1つが用いられることを特徴とする、請求項1から9の何れか1項に記載の発光装置。
  11. 前記露出領域において、前記第1のリードフレームが折り曲げられることにより、実装面を有することを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の発光装置。
  12. 前記露出領域において、前記第1のリードフレームが前記凹部の底面に対して直交方向に延びていることを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の発光装置。
  13. 更に前記発光素子の周辺に、前記発光素子からの光の主波長よりも長い発光波長を有する波長変換部材が設けられ、
    前記凹部の内側面において、前記隙間は前記波長変換部材からの光の主波長より大きいことを特徴とする、請求項1から12の何れか1項に記載の発光装置。
  14. 前記隙間は、前記内側面の全周にわたって形成される請求項1から13の何れか1項に記載の発光装置。
  15. 発光素子が載置された凹部を有し、前記凹部の内側面以外の少なくとも一部に密着付与剤が設けられた第1のリードフレーム、及び、第2のリードフレームを準備する工程と、
    前記凹部及びその周囲領域を含む前記第1のリードフレームの一部及び前記発光素子を、エポキシ樹脂及び硬化促進剤を含有する透光性樹脂で覆うことにより、前記密着付与剤が設けられた前記第1のリードフレームと前記透光性樹脂とを密着させるとともに、前記凹部の内側面において、前記第1のリードフレームと前記透光性樹脂との間に前記発光素子からの光の主波長より大きい大気から密封された隙間を形成する工程と、を有し、
    前記第1のリードフレームを準備する工程において、
    前記透光性樹脂に覆われる被覆領域のうち、前記透光性樹脂から露出する露出領域との境界またはその近傍に位置する前記被覆領域の端部を少なくとも含み、前記凹部の内側面を除く前記第1のリードフレームに、前記密着付与剤を設けることを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2014025813A 2014-02-13 2014-02-13 発光装置及びその製造方法 Active JP6472596B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014025813A JP6472596B2 (ja) 2014-02-13 2014-02-13 発光装置及びその製造方法
US14/620,309 US10109766B2 (en) 2014-02-13 2015-02-12 Light emitting device and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014025813A JP6472596B2 (ja) 2014-02-13 2014-02-13 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015153882A JP2015153882A (ja) 2015-08-24
JP6472596B2 true JP6472596B2 (ja) 2019-02-20

Family

ID=53775713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014025813A Active JP6472596B2 (ja) 2014-02-13 2014-02-13 発光装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10109766B2 (ja)
JP (1) JP6472596B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637470B (zh) * 2016-04-19 2018-10-01 東芝股份有限公司 半導體封裝及其之製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2828373B2 (ja) * 1992-10-15 1998-11-25 シャープ株式会社 発光ダイオード素子の製造方法
JPH06302862A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Matsushita Electron Corp 発光ダイオード
JP3792268B2 (ja) * 1995-05-23 2006-07-05 ローム株式会社 チップタイプ発光装置の製造方法
JPH11103097A (ja) 1997-07-30 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
JP2002261333A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003327669A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び接着剤
JP2002353518A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Nitto Denko Corp 光半導体装置
JP2004087889A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレーム
JP2004088002A (ja) 2002-08-29 2004-03-18 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
DE10345515A1 (de) * 2003-09-30 2005-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung aussendendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN1677702A (zh) * 2004-03-29 2005-10-05 斯坦雷电气株式会社 发光二极管
JP2007070407A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、エポキシ樹脂及びそれらを含む樹脂組成物を用いた光学電子部材
EP1950239B1 (en) * 2005-10-28 2017-01-04 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Transparent inorganic-oxide dispersion, resin composition containing inorganic oxide particles, composition for encapsulating luminescent element, luminescent element, hard coat, optical functional film, optical part, and process for producing resin composition containing inorganic oxide particles
JP5313166B2 (ja) * 2007-01-19 2013-10-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 少なくとも1つの埋め込み反射器を持つ光学素子
EP2322691B1 (en) * 2008-06-24 2018-07-25 Advanced Technologies, Inc. Iron alloy article, iron alloy member, and method for producing the iron alloy article
JP2011066302A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Showa Denko Kk 半導体発光装置およびその製造方法
JP5378134B2 (ja) * 2009-09-29 2013-12-25 豊田合成株式会社 電池蓋部材
US8963165B2 (en) * 2010-12-29 2015-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor light emitting element, nitride semiconductor transistor element, method of manufacturing nitride semiconductor structure, and method of manufacturing nitride semiconductor element
JP4962635B1 (ja) 2011-03-15 2012-06-27 オムロン株式会社 光半導体パッケージおよび光半導体モジュールならびにこれらの製造方法
WO2012132970A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 富士フイルム株式会社 プリント配線基板およびその製造方法、並びに、金属表面処理液
JP5849691B2 (ja) * 2011-12-28 2016-02-03 日亜化学工業株式会社 発光素子の実装方法
JP2012207228A (ja) 2012-07-09 2012-10-25 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
US20140312371A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-23 Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd . Hybrid reflector cup

Also Published As

Publication number Publication date
US10109766B2 (en) 2018-10-23
JP2015153882A (ja) 2015-08-24
US20150228875A1 (en) 2015-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6156542B2 (ja) 発光装置
JP5766976B2 (ja) 発光装置の製造方法
US9166132B2 (en) Light-emitting element mounting package having heat radiation route, manufacturing method of the same, and light-emitting element package
JP7164586B2 (ja) Ledパッケージおよびその製造方法
US7659531B2 (en) Optical coupler package
TW201735402A (zh) 成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置
JP2012517709A (ja) 半導体構造および半導体構造の製造方法
JP6622032B2 (ja) 発光装置
JP2017501578A (ja) Led蛍光体パッケージ用の反射性はんだマスク層
JP6065586B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
EP2704541A2 (en) Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board
JP2007287751A (ja) 発光装置
JP2010212691A (ja) 発光素子パッケージ
US9728697B2 (en) Light emitting device including a metal substrate for high heat dissipation and increased light efficiency
JP2013153032A (ja) Ledパッケージの製造方法
JP2018032655A (ja) 発光装置及びその製造方法
US9161458B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5900586B2 (ja) 発光装置
JP6472596B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2013239730A (ja) 光半導体装置
JP2008235764A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2015070170A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2010073724A (ja) 発光モジュール
JP6701711B2 (ja) 発光装置
JP6557970B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160201

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160907

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20161019

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20161024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170704

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171206

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20171213

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20180119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190123

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6472596

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250