JP6471631B2 - シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 187
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 187
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 187
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 title claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 62
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 4
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 5
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiO 2 (hereinafter Chemical compound 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical group C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
本発明は、シリコン単結晶引上げ装置内に設けられた表面にＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンが付着した部材からＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンを除去して部材を再生する方法に関する。
従来、チョクラルスキー法でシリコン単結晶を引上げる装置内では、シリコン融液表面からＳｉＯ、ＳｉＯ２等のＳｉＯｘ及び／又は金属シリコン（以下、単に「シリコン等」という。）が蒸発し、このシリコン等は引上げ装置内に設けられた熱遮蔽部材、整流筒等の各種部材表面に付着し、徐々に固化していく。こうして付着し固化したシリコン等は、引上げ装置内を流れる不活性ガス流速の変化や、シリコン等が付着した部材の熱膨張の変化などによって部材表面から剥離し、シリコン融液に落下する場合があった。落下したシリコン等はシリコン融液の不純物となり、引上げられるシリコン単結晶の結晶化を阻害する要因になっていた。引上げ装置内に設けられた整流筒が石英製である場合、整流筒の石英表面にシリコン等が付着し、徐々に茶色に変色していった。石英製の整流筒を通して炉内の観察を行っている場合には、シリコン等の付着により、炉内観察ができなくなる不具合を生じていた。
この問題を解決するため、ブラシにより熱遮蔽部材、整流筒等の部材を清掃して、部材表面に付着したシリコン等を除去をしていたが、シリコン等を完全に除去することができなかった。そのため、シリコン等が付着した黒鉛部材である熱遮蔽部材をシリコン単結晶引上げ装置の外部で化学洗浄により除去し、再生利用し、この再生を適切な周期で行うことによりシリコン単結晶棒の品質のばらつきを抑える、単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材の再生方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この再生方法では、引上げ中にシリコン等が付着した熱遮蔽部材をシリコン単結晶引上げ装置の外部へ取出し、フッ酸と硝酸の混酸を貯えた薬液槽、純水を貯えたリンス槽内でＳｉＯｘの付着物を洗浄除去して熱遮蔽部材を再生している。
一方、表面に被覆されているＳｉＣを均一に除去でき、半導体製造工程における単結晶引き上げ用部材や、Ｓｉウェハーのエピタキシャル成長用サセプター等に用いられ、ライフエンドとなったＳｉＣ被覆黒鉛部材の再生方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。この再生方法では、ＳｉＣ被覆黒鉛部材の基材表面に被覆されたＳｉＣを、１７００℃以上で、１．３３ｋＰａ以下の圧力下、又は、不活性ガス雰囲気下、又は、１．３３ｋＰａ以下の圧力下の不活性ガス雰囲気下で熱処理して昇華させて除去した後、この基材に、ＣＶＤ法によりＳｉＣを被覆してＳｉＣ被覆黒鉛部材として再利用している。そして、この特許文献２には、半導体製造工程に使用されたエピタキシャル成長用サセプターのＳｉＣの表面に金属シリコンが付着した場合には、上記熱処理時に、金属シリコンをＳｉＣとともに除去するか、上記熱処理前に、金属シリコンはフッ硝酸溶液で溶解させるか、或いは、研削砥石で機械的に除去してもよいことが記載されている。
しかしながら、特許文献１の化学洗浄によるエッチング処理方法で黒鉛部材である熱遮蔽部材を再生する場合、薬液洗浄に４〜５日、純水洗浄に４〜５日、乾燥に４〜５日かかり、再生処理が完了するまで２週間程度を必要とし、シリコン等が付着した熱遮蔽部材を効率良く再生することができなかった。またこのエッチング再生方法では、完全にシリコン等を取除くことが困難であるうえ、７０回程度再生すると、熱遮蔽部材としての再利用ができなかった。また特許文献１の化学洗浄によるエッチング処理方法で石英部材である整流筒を再生する場合、薬液洗浄し、純水洗浄し、乾燥した後、焼き上げるまでのサイクルタイムが最短でも２〜３日を必要とし、シリコン等が付着した整流筒を効率良く再生することができなかった。また整流筒をエッチングして再生する場合、エッチングにより整流筒の肉厚が減少するため、１００回程度再生すると、減肉により整流筒が所定の厚さを満たさなくなり、ライフエンドを迎えていた。
また熱遮蔽部材が黒鉛基材の表面にＳｉＣが被覆されている部材である場合、このエッチング再生方法では、黒鉛基材とＳｉＣ被覆の間に薬液が染み込んでＳｉＣ被覆が剥がれる問題点があった。更に黒鉛部材が炭素繊維を編んだ炭素繊維強化炭素複合材料（以下、「ＣＣコンポジット材」という。）である場合、薬液洗浄時に薬液が炭素繊維間に吸収され、乾燥に時間を要しかつ薬液が炭素繊維間に残留するおそれがあった。
特許文献２のＳｉＣ被覆黒鉛部材の再生方法では、ＳｉＣの表面に金属シリコンが付着した場合で、熱処理時に、金属シリコンをＳｉＣとともに除去するときには、ＳｉＣを基材表面に再度被覆する必要があり、再生に多くの時間を要した。また熱処理前に金属シリコンをフッ硝酸溶液で溶解させるときには、特許文献１の再生方法と同様の問題点があった。また金属シリコンを研削砥石で機械的に除去するときには、ＳｉＣ被覆黒鉛部材の肉厚が薄くなるか、部材表面を疵付けるおそれがあった。
本発明の第１の目的は、上記課題を解決するもので、シリコン単結晶引上げ装置内のシリコン等が付着する全ての部材に適用でき、再生に要する時間を短くして、部材の肉厚を薄くせず、部材表面を劣化又は疵付けるおそれがなく、シリコン等を完全に昇華し除去して、シリコン単結晶引上げ装置内の部材を再生する方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、シリコン単結晶引上げ装置内の部材の使用可能期間を大幅に伸ばし、引上げるシリコン単結晶の単結晶化率を向上させ、この単結晶のライフタイムの品質を維持又は改善するシリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法を提供することにある。
本発明の第１の観点は、シリコン単結晶引上げ装置内に設けられる部材の表面に付着したＳｉＯｘ及び／又は金属シリコン（シリコン等）を除去して前記部材を再生する方法において、前記シリコン等が表面に付着した部材を不活性ガス雰囲気下、２．６７ｋＰａ以下の圧力下、前記部材の表面温度が表面に付着した前記ＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンの昇華を開始する温度以上でかつ前記部材が熱変形及び／又は熱変質を開始する温度未満の温度で少なくとも２時間熱処理して前記部材の表面に付着したＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンを昇華し除去し、前記熱処理した後に、前記熱処理温度から３〜１５℃／分の速度で室温まで冷却することを特徴とする。
本発明の第２の観点は、第１の観点の発明であって、前記部材が黒鉛部材であって、前記熱処理温度が少なくとも１７００℃であることを特徴とする。
本発明の第３の観点は、第２の観点の発明であって、前記黒鉛部材がＳｉＣ被覆処理された黒鉛部材であって、前記熱処理温度が１７００℃以上２５００℃以下であることを特徴とする。
本発明の第４の観点は、第２の観点の発明であって、前記黒鉛部材が炭素膜により被覆処理された黒鉛部材であって、前記熱処理温度が１７００℃以上２５００℃以下であることを特徴とする。
本発明の第５の観点は、第２ないし第４の観点のうち、いずれか１つの観点に基づく発明であって、前記黒鉛部材が熱遮蔽部材であることを特徴とする。
本発明の第６の観点は、第１の観点の発明であって、前記部材が石英部材であって、前記熱処理温度が１４００℃以上１７００℃以下であることを特徴とする。
本発明の第７の観点は、第６の観点の発明であって、前記石英部材が整流筒であることを特徴とする。
本発明の第８の観点は、第１ないし第７の観点のうち、いずれか１つの観点の方法で再生された部材を用いて、シリコン単結晶を製造する方法である。
本発明の第１の観点の再生方法では、特許文献１の再生方法と異なり、薬液を用いず、熱処理でシリコン等を完全に昇華し除去するため、シリコン単結晶引上げ装置内のシリコン等が付着する全ての部材に適用できる。また特許文献１及び２の再生方法と異なり、薬液の使用や再度のＣＶＤによるＳｉＣの被覆を行わないため、再生に要する時間を短くすることができる。また特許文献１又は２の再生方法のように、薬液の使用により、或いは研削砥石によりシリコン等を除去しないため、部材の肉厚を薄くせず、部材表面を劣化又は疵付けるおそれがない。またシリコン単結晶引上げ装置内の部材の使用可能期間を大幅に伸ばし、引上げるシリコン単結晶の単結晶化率を向上させ、この単結晶のライフタイムの品質を維持又は改善することができる。
また本発明の第１の観点の再生方法では、前記熱処理した後に、熱処理温度から３〜１５℃／分の速度で室温まで急冷することにより、部材の熱膨張率とシリコン等の熱膨張率の差を利用して、シリコン等を部材から容易に剥離させ除去することができる。
本発明の第２の観点の再生方法では、部材が黒鉛部材であるときには、再生熱処理温度を少なくとも１７００℃にすることにより、黒鉛部材を再生することができる。
本発明の第３の観点の再生方法では、黒鉛部材がＳｉＣ被覆処理された黒鉛部材であるときには、再生熱処理温度の上限値を２５００℃にすることにより、黒鉛部材を被覆しているＳｉＣを昇華させずに黒鉛部材を再生することができる。
本発明の第４の観点の再生方法では、黒鉛部材が炭素膜により被覆処理された黒鉛部材であるときには、再生熱処理温度の上限値を２５００℃にすることにより、黒鉛部材を被覆している炭素膜を昇華させずに黒鉛部材を再生することができる。
本発明の第５の観点の再生方法では、黒鉛部材がシリコン融液から蒸発物が比較的多く付着する熱遮蔽部材であるため、再生による経済的効果が高い。
本発明の第６の観点の再生方法では、部材が石英部材であるときには、再生熱処理温度の上限値を１７００℃にすることにより、石英部材の熱変形及び／又は熱変質を生じさせずに石英部材を再生することができる。
本発明の第７の観点の再生方法では、石英部材がシリコン融液から蒸発物が比較的多く付着する整流筒であるため、再生による経済的効果が高い。
本発明の第８の観点の再生された部材を用いてシリコン単結晶を製造する方法は、引上げるシリコン単結晶の単結晶化率を向上させ、この単結晶のライフタイムの品質を維持又は改善することができる。
次に本発明を実施するための形態を図面を参照して説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るシリコン単結晶引上げ装置内の部材である熱遮蔽部材を再生する装置の構成図である。この再生装置は、チョクラルスキー法でシリコン単結晶を引上げる装置を利用している。この実施の形態では、再生装置１０は、チャンバ１１と、ヒータ１２と、断熱体１３と、黒鉛坩堝１４、坩堝受け１５を備える。この再生装置１０では、シリコン単結晶引上げ時に使用する石英坩堝１６及び引上げワイヤ１７は外してあるため、石英坩堝１６、引上げワイヤ１７及び石英坩堝１６内に貯えるシリコン融液１８はそれぞれ破線で示している。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るシリコン単結晶引上げ装置内の部材である熱遮蔽部材を再生する装置の構成図である。この再生装置は、チョクラルスキー法でシリコン単結晶を引上げる装置を利用している。この実施の形態では、再生装置１０は、チャンバ１１と、ヒータ１２と、断熱体１３と、黒鉛坩堝１４、坩堝受け１５を備える。この再生装置１０では、シリコン単結晶引上げ時に使用する石英坩堝１６及び引上げワイヤ１７は外してあるため、石英坩堝１６、引上げワイヤ１７及び石英坩堝１６内に貯えるシリコン融液１８はそれぞれ破線で示している。
チャンバ１１は、上部は径が小さく下部は径が大きな外部雰囲気から密閉された容器であり、径の大きな下部には、ヒータ１２、断熱体１３、黒鉛坩堝１４、坩堝受け１５等が収容されている。チャンバ１１の上部には、チャンバ内部に不活性ガスを導入する図示しない不活性ガス導入部が設けられる。また、チャンバ１１の下部には不活性ガスの排出口１９が設けられ、図示しない排気管路を介して真空ポンプに接続される。また、チャンバ１１の径の小さい上部と径の大きい下部との間に位置する肩部には、覗き窓２０が設けられる。この覗き窓２０は、シリコン単結晶引上げ時には、シリコン単結晶の絞り工程におけるシリコンの径を測定するため使用されるが、この実施の形態では、再生熱処理時の熱遮蔽部材２１の表面を観察するのに使用される。
この実施の形態では、再生を必要とする部材は黒鉛部材である熱遮蔽部材２１である。この熱遮蔽部材２１はチャンバ１１内の断熱材１３の上部に設けられた支持部材２２に取付けられる。この熱遮蔽部材２１としては、基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた部材、基材が黒鉛製でその表面に炭素（Ｃ）膜が被覆された部材又は基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣも炭素膜も被覆されていない部材が例示される。熱遮蔽部材２１は、シリコン単結晶を引上げる際に、単結晶が石英坩堝１６内のシリコン融液１８から受ける輻射熱を抑制するために設けられ、下方に向けて径が狭まるテーパー形状を有し、その下端部は、シリコン単結晶の引上げ時において、シリコン融液表面の近傍に延びる。このため、熱遮蔽部材２１はシリコン融液１８からの蒸発物であるシリコン等が比較的多く付着する。
次に、この再生装置１０を用いて、シリコン等が付着し固化した熱遮蔽部材２１を再生する方法を説明する。まず上述したように、支持部材２２にシリコン等が付着し固化した熱遮蔽部材２１を取付ける。次いで、図示しない不活性ガス導入部から不活性ガスをチャンバ１１内に導入するとともに、図示しない真空ポンプを作動してチャンバ１１内の圧力を低くする。この不活性ガスの導入とチャンバ内の減圧と同時にヒータ１２により熱遮蔽部材２１を加熱する。
この熱遮蔽部材２１の熱処理は、不活性ガス雰囲気下、２．６７ｋＰａ（２０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行われ、熱遮蔽部材の表面温度が１７００℃以上でかつ熱遮蔽部材が熱変形及び／又は熱変質を開始する温度未満の温度で少なくとも２時間行われる。熱遮蔽部材２１の基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた部材又は基材が黒鉛製でその表面に炭素（Ｃ）膜が被覆された部材である場合には、ＳｉＣ又は炭素膜の昇華を未然に防ぐために、熱遮蔽部材２１の表面温度の上限値を２５００℃以下の温度にする。熱遮蔽部材２１の表面温度が１０００℃以上になると、シリコン等の昇華が始まるが、この温度を１７００℃以上にすることにより、シリコン等の融点以上にしてシリコン等を完全に除去させることができる。熱エネルギー消費量を節約する観点から好ましい温度は１７００〜１８００℃である。
熱遮蔽部材の表面温度が１７００℃未満の場合には、不活性ガス雰囲気下であっても熱遮蔽部材の表面に付着したシリコン等の昇華が促進されにくく、完全にシリコン等を除去することができない。また熱遮蔽部材がＳｉＣ被覆されている場合又は炭素（Ｃ）膜により被覆されている場合、２５００℃を超えて再生処理を行うと、ＳｉＣ被膜又は炭素膜が昇華反応によりその膜厚が薄くなり、ＳｉＣ被膜又は炭素膜が剥がれてしまう不具合を生じる。
またチャンバ１１内の圧力を２．６７ｋＰａ以下の減圧にするのは、熱遮蔽部材２１の表面に付着したシリコン等の昇華をより早め、シリコン等をより均一に除去するためである。好ましい圧力は１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下である。２．６７ｋＰａを超える圧力では、熱遮蔽部材表面に付着したシリコン等の昇華が促進されにくく、完全にシリコン等を除去することができない。熱遮蔽部材２１の表面温度が上記温度に達してからその温度に保持する時間は少なくとも２時間である。２時間未満では、シリコン等を熱遮蔽部材２１から完全に除去させることが困難となる。熱エネルギー消費量を節約する観点から好ましい保持時間は３〜６時間である。熱遮蔽部材２１の熱処理中及び冷却中、不活性ガス導入部から導入した不活性ガスの流れに随伴して、昇華したシリコン等は不活性ガスの排出口１９から再生装置１０の外部に排出される。
熱処理した後、熱遮蔽部材２１の熱膨張率とシリコン等の熱膨張率の差を大きくして、シリコン等を熱遮蔽部材２１から剥離しやすくするため、熱遮蔽部材２１を熱処理温度から３〜１５℃／分の速度で室温まで冷却することが好ましい。３℃／分未満では熱遮蔽部材２１の熱膨張率とシリコン等の熱膨張率の差が大きくなく、シリコン等が熱遮蔽部材２１から剥離しにくい。また２０℃／分を超えると、熱遮蔽部材にクラックが入るおそれがある。熱遮蔽部材２１を冷却後、再生装置１０から熱遮蔽部材２１を取り出せば、シリコン等を完全に除去した再生された熱遮蔽部材が得られる。再生した熱遮蔽部材の品質をより高めるために、熱遮蔽部材の表面にブロアで空気を吹き付けるか、或いは熱遮蔽部材の表面をブラシや布で清掃することが好ましい。
＜第２の実施形態＞
図２は、本発明の第２の実施形態に係るシリコン単結晶引上げ装置内の部材である整流筒を再生する装置の構成図である。この再生装置は、第１の実施形態と同様に、チョクラルスキー法でシリコン単結晶を引上げる装置を利用している。図２において、図１と同一符号は同一要素を示している。この実施の形態では、再生を必要とする部材は整流筒２５である。この整流筒２５としては、石英製、黒鉛製又は基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ又は炭素膜が被覆された部材が例示される。この整流筒２５は、再生装置内では平坦な坩堝受け１５の上に載置される。
図２は、本発明の第２の実施形態に係るシリコン単結晶引上げ装置内の部材である整流筒を再生する装置の構成図である。この再生装置は、第１の実施形態と同様に、チョクラルスキー法でシリコン単結晶を引上げる装置を利用している。図２において、図１と同一符号は同一要素を示している。この実施の形態では、再生を必要とする部材は整流筒２５である。この整流筒２５としては、石英製、黒鉛製又は基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ又は炭素膜が被覆された部材が例示される。この整流筒２５は、再生装置内では平坦な坩堝受け１５の上に載置される。
整流筒２５は円筒形の部材であり、単結晶引き上げ時には、図示しないが、チャンバ１１の径の小さい上部からシリコン融液の表面近傍まで延びていて、引上げられる単結晶がこの整流筒２５内部を通るように配置される。また、上述の不活性ガス導入部から流入された不活性ガスは、この整流筒２５の内部を通過して、シリコン融液１８の表面に導かれる。このため、整流筒２５にもシリコン融液からの蒸発物であるシリコン等が比較的多く付着する。
次に、この再生装置１０を用いて、シリコン等が付着し固化した整流筒２５を再生する方法を説明する。まずシリコン等が付着し固化した整流筒２５を平坦な坩堝受け１５の上に載置する。次いで、図示しない不活性ガス導入部から不活性ガスをチャンバ１１内に導入するとともに、図示しない真空ポンプを作動してチャンバ１１内の圧力を低くする。この不活性ガスの導入とチャンバ内の減圧と同時にヒータ１２により整流筒２５を加熱する。
この整流筒２５の熱処理は、不活性ガス雰囲気下、２．６７ｋＰａ（２０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で１４００℃以上２５００℃以下の温度で行われる。整流筒２５が石英ガラス材料から形成されている場合には、整流筒２５の熱変形を未然に防ぐために、整流筒２５の表面温度の上限値を１７００℃以下の温度にする。また整流筒２５が黒鉛製である場合には、表面被膜を保護するために、整流筒２５の表面温度の上限値を２５００℃以下の温度にする。整流筒２５の表面温度が１０００℃以上になると、シリコン等の昇華が始まるが、この温度を１４００℃以上にすることにより、シリコン等の融点以上にしてシリコン等を完全に除去させることができる。熱エネルギー消費量を節約する観点から好ましい温度は１７００〜１８００℃である。またチャンバ１１内の圧力を２．６７ｋＰａ以下の減圧にするのは、整流筒２５の表面に付着したシリコン等の昇華をより早め、シリコン等をより均一に除去するためである。好ましい圧力は１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下である。整流筒２５の表面温度が上記温度に達してからその温度に保持する時間は少なくとも２時間である。２時間未満では、シリコン等を整流筒２５から完全に除去させることが困難となる。熱エネルギー消費量を節約する観点から好ましい保持時間は３〜６時間である。整流筒２５の熱処理中及び冷却中、不活性ガス導入部から導入した不活性ガスの流れに随伴して、昇華したシリコン等は不活性ガスの排出口１９から再生装置１０の外部に排出される。
熱処理した後、整流筒２５を熱処理温度から３〜１５℃／分の速度で室温まで冷却することが好ましい。３℃／分未満では整流筒２５の熱膨張率とシリコン等の熱膨張率の差が大きくなく、シリコン等が整流筒２５から剥離しにくい。また２０℃／分を超えると、整流筒にクラックが入るおそれがある。整流筒２５を冷却後、再生装置１０から整流筒２５を取り出せば、シリコン等を完全に除去した再生された整流筒が得られる。再生した整流筒の品質をより高めるために、整流筒の表面にブロアで空気を吹き付けるか、或いは整流筒の表面をブラシや布で清掃することが好ましい。
なお、再生する部材として、第１の実施の形態では熱遮蔽部材を、第２の実施の形態では整流筒を挙げたが、本発明の方法で再生可能な部材はこれらの部材に限らず、例えば、図１に示した支持部材２２、黒鉛製シードチャック、黒鉛製排気管、又は熱遮蔽部材を支持する部位に用いられるＣＣコンポジット材でもよい。ＣＣコンポジット材の場合、熱処理し冷却した後、その表面を掃除機のようなもので吸引して炭素繊維間に残存するシリコン等を除去することが好ましい。
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
特定の引上げ装置に基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは６１０μｍであった。図１に示す再生装置１０の支持部材２２にシリコン等が付着した上記熱遮蔽部材２１を取付け、不活性ガス導入部からアルゴンガスを導入し、チャンバ１１内をアルゴン雰囲気下にした。また真空ポンプを作動してチャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａにした。この状態で熱遮蔽部材２１の表面温度が１７００℃になるまでヒータ１２を通電した。１７００℃で６時間維持した後、ヒータ１２を切電して室温まで、冷却した。冷却速度は４．０℃／分であった。
特定の引上げ装置に基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは６１０μｍであった。図１に示す再生装置１０の支持部材２２にシリコン等が付着した上記熱遮蔽部材２１を取付け、不活性ガス導入部からアルゴンガスを導入し、チャンバ１１内をアルゴン雰囲気下にした。また真空ポンプを作動してチャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａにした。この状態で熱遮蔽部材２１の表面温度が１７００℃になるまでヒータ１２を通電した。１７００℃で６時間維持した後、ヒータ１２を切電して室温まで、冷却した。冷却速度は４．０℃／分であった。
＜実施例２＞
シリコン単結晶の１０回の引上げにより平均付着厚さが５３０μｍであった熱遮蔽部材の表面温度を２５００℃になるまでヒータを通電した。２５００℃で５時間維持した後、冷却速度を５．９℃／分にした。それ以外は、実施例１と同じ装置で実施例１と同じＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を実施例１と同様に熱処理した。
シリコン単結晶の１０回の引上げにより平均付着厚さが５３０μｍであった熱遮蔽部材の表面温度を２５００℃になるまでヒータを通電した。２５００℃で５時間維持した後、冷却速度を５．９℃／分にした。それ以外は、実施例１と同じ装置で実施例１と同じＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を実施例１と同様に熱処理した。
＜実施例３＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に炭素膜が被覆された黒鉛製の熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５４５μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。熱遮蔽部材の表面温度を１７５０℃になるまでヒータを通電した。１７５０℃で６時間維持した。それ以外は、実施例１と同様にして、炭素膜が被覆された熱遮蔽部材を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に炭素膜が被覆された黒鉛製の熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５４５μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。熱遮蔽部材の表面温度を１７５０℃になるまでヒータを通電した。１７５０℃で６時間維持した。それ以外は、実施例１と同様にして、炭素膜が被覆された熱遮蔽部材を熱処理した。
＜実施例４＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置にＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５８０μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１７００℃に、保持時間を６時間に、チャンバ１１内の圧力を２．６７ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を４．０℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置にＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５８０μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１７００℃に、保持時間を６時間に、チャンバ１１内の圧力を２．６７ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を４．０℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を熱処理した。
＜実施例５＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に石英ガラス材料からなる整流筒を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この整流筒の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは１２３μｍであった。この整流筒を図２に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１４００℃に、保持時間を３時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を３．１℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、石英ガラス材料からなる整流筒を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に石英ガラス材料からなる整流筒を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この整流筒の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは１２３μｍであった。この整流筒を図２に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１４００℃に、保持時間を３時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を３．１℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、石英ガラス材料からなる整流筒を熱処理した。
＜実施例６＞
シリコン単結晶の１０回の引上げにより平均付着厚さが１３５μｍであった整流筒の表面温度を１７００℃になるまでヒータを通電した。１７００℃で２時間維持した後、冷却速度を３．８℃／分にした。それ以外は、図２に示す再生装置１０を用いて、実施例５と同じ石英ガラス材料からなる整流筒を実施例１と同様に熱処理した。
シリコン単結晶の１０回の引上げにより平均付着厚さが１３５μｍであった整流筒の表面温度を１７００℃になるまでヒータを通電した。１７００℃で２時間維持した後、冷却速度を３．８℃／分にした。それ以外は、図２に示す再生装置１０を用いて、実施例５と同じ石英ガラス材料からなる整流筒を実施例１と同様に熱処理した。
＜実施例７＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に黒鉛製のＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない整流筒を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この整流筒の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは１４１μｍであった。この整流筒を図２に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１７００℃に、保持時間を４時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を３．８℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、黒鉛製のＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない整流筒を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に黒鉛製のＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない整流筒を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この整流筒の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは１４１μｍであった。この整流筒を図２に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１７００℃に、保持時間を４時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を３．８℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、黒鉛製のＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない整流筒を熱処理した。
＜比較例１＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５２７μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１６５０℃に、保持時間を４時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を３．７℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５２７μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１６５０℃に、保持時間を４時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を３．７℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を熱処理した。
＜比較例２＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５８２μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を２５５０℃に、保持時間を５時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を６．０℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５８２μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を２５５０℃に、保持時間を５時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を６．０℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を熱処理した。
＜比較例３＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５６０μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１７５０℃に、保持時間を１．８時間にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５６０μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１７５０℃に、保持時間を１．８時間にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を熱処理した。
＜比較例４＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例４と同一のＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５０９μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１６５０℃に、保持時間を６時間に、チャンバ１１内の圧力を４．０ｋＰａにそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例４と同一のＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５０９μｍであった。この熱遮蔽部材を図１に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１６５０℃に、保持時間を６時間に、チャンバ１１内の圧力を４．０ｋＰａにそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない熱遮蔽部材を熱処理した。
＜比較例５＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例５と同じ石英ガラス材料からなる整流筒を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この整流筒の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは１１５μｍであった。この整流筒を図２に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１３５０℃に、保持時間を２時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を２．９℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、石英ガラス材料からなる整流筒を熱処理した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例５と同じ石英ガラス材料からなる整流筒を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この整流筒の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは１１５μｍであった。この整流筒を図２に示す再生装置１０を用いて熱処理した。再生する熱処理保持温度を１３５０℃に、保持時間を２時間に、チャンバ１１内の圧力を１．３３ｋＰａに、熱処理後の冷却速度を２．９℃／分にそれぞれ設定した。それ以外は、実施例１と同様にして、石英ガラス材料からなる整流筒を熱処理した。
＜比較例６＞
シリコン単結晶の１０回の引上げにより平均付着厚さが１２９μｍであった整流筒の表面温度を１７５０℃になるまでヒータを通電した。１７５０℃で３時間維持して熱処理した。それ以外は、実施例１と同じ装置で実施例５と同じ石英ガラス材料からなる整流筒を実施例１と同様に熱処理した。
シリコン単結晶の１０回の引上げにより平均付着厚さが１２９μｍであった整流筒の表面温度を１７５０℃になるまでヒータを通電した。１７５０℃で３時間維持して熱処理した。それ以外は、実施例１と同じ装置で実施例５と同じ石英ガラス材料からなる整流筒を実施例１と同様に熱処理した。
＜比較例７＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５３２μｍであった。この熱遮蔽部材を特許文献１に示す方法に準じたエッチング処理方法で再生した。先ず薬液槽内に薬液であるフッ酸と硝酸の混酸を貯え、次いでシリコン等が付着した熱遮蔽部材を薬液に浸漬し、超音波洗浄した。シリコン等が洗浄除去された熱遮蔽部材を薬液槽から純水を貯えるリンス槽に移して浸漬した。このリンス層で薬液槽と同様に熱遮蔽部材を超音波洗浄した後、熱遮蔽部材をリンス槽から引上げ、乾燥して、再生した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５３２μｍであった。この熱遮蔽部材を特許文献１に示す方法に準じたエッチング処理方法で再生した。先ず薬液槽内に薬液であるフッ酸と硝酸の混酸を貯え、次いでシリコン等が付着した熱遮蔽部材を薬液に浸漬し、超音波洗浄した。シリコン等が洗浄除去された熱遮蔽部材を薬液槽から純水を貯えるリンス槽に移して浸漬した。このリンス層で薬液槽と同様に熱遮蔽部材を超音波洗浄した後、熱遮蔽部材をリンス槽から引上げ、乾燥して、再生した。
＜比較例８＞
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５９０μｍであった。この熱遮蔽部材の表面を特許文献２に記載の研削砥石（粒度１０００番）を用いて研磨し、熱遮蔽部材の表面に付着していたシリコン等を機械的に除去した。
実施例１で用いた引上げ装置と同一機種の引上げ装置に実施例１と同一の黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた熱遮蔽部材を取付け、シリコン単結晶を１０回引上げ、この熱遮蔽部材の表面にシリコン等を付着させた。付着量が比較的多い１０箇所の平均付着厚さは５９０μｍであった。この熱遮蔽部材の表面を特許文献２に記載の研削砥石（粒度１０００番）を用いて研磨し、熱遮蔽部材の表面に付着していたシリコン等を機械的に除去した。
＜比較試験その１と評価＞
実施例１〜７及び比較例１〜８で用いた熱遮蔽部材又は整流筒の部材について、再生後におけるシリコン等の付着状況、再生前後における部材肉厚の変化状況、再生後における部材表面の劣化又は疵の有無及び再生に要した時間を調べた。部材の肉厚はノギスで１０箇所測定し、再生前を１としたときの再生後の肉厚の平均値を割合（肉厚平均変化率）で示す。再生後におけるシリコン等の付着状況及び部材表面の劣化又は疵の有無は目視により判定した。これらの結果を表１に示す。
実施例１〜７及び比較例１〜８で用いた熱遮蔽部材又は整流筒の部材について、再生後におけるシリコン等の付着状況、再生前後における部材肉厚の変化状況、再生後における部材表面の劣化又は疵の有無及び再生に要した時間を調べた。部材の肉厚はノギスで１０箇所測定し、再生前を１としたときの再生後の肉厚の平均値を割合（肉厚平均変化率）で示す。再生後におけるシリコン等の付着状況及び部材表面の劣化又は疵の有無は目視により判定した。これらの結果を表１に示す。
表１から明らかなように、１６５０℃で熱処理した比較例１のＳｉＣ被覆がなされた黒鉛製の熱遮蔽部材では、再生処理後にシリコン等が付着していた。また２５５０℃で熱処理した比較例２のＳｉＣ被覆がなされた黒鉛製の熱遮蔽部材では、再生処理後に熱遮蔽部材の表面のＳｉＣ被膜が剥離していた。また１７５０℃、１．３３ｋＰａの圧力下で１．８時間熱処理した比較例３のＳｉＣ被覆がなされた黒鉛製の熱遮蔽部材では、再生処理後にシリコン等が付着していた。また１６５０℃、４．０ｋＰａの圧力下で熱処理した比較例４のＳｉＣも炭素膜も被覆がなされていない黒鉛製の熱遮蔽部材では、再生処理後にシリコン等が付着していた。また１３５０℃で熱処理した比較例５の石英ガラス材料からなる整流筒では、再生処理後にシリコン等が付着していた。また１７５０℃で熱処理した比較例６の石英ガラス材料からなる整流筒では、再生処理後に整流筒が熱変形し、肉厚平均変化率０．９６となって示された。また化学洗浄によるエッチング処理方法で再生した比較例７のＳｉＣ被覆がなされた黒鉛製の熱遮蔽部材では、再生に３２６時間を要した。更に表面を研削砥石で研磨して表面に付着していたシリコン等を機械的に除去した比較例８のＳｉＣ被覆がなされた黒鉛製の熱遮蔽部材では、再生処理後にシリコン等が付着しており、かつ表面に研削疵が多数存在していた。
これに対して、実施例１〜７で再生した熱遮蔽部材及び整流筒は、再生処理後にシリコン等が全く付着しておらず、部材の肉厚平均変化率はいずれも１であって肉厚変化や熱変形は全くなく、被膜剥離や部材表面の疵は全く生じなかった。その上、再生に要した時間は９．５〜１３．５時間と比較的短く、速やかに再生することができた。
＜比較試験その２と評価＞
同一機種のシリコン単結晶引上げ装置を２台選び、２台の引上げ装置に、同一の製造ロットから選ばれた基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた２つの熱遮蔽部材を各別に取付け、かつ同一のシリコン原料をそれぞれの坩堝に入れ、これをシリコン融液にした後、２台とも同一の引上げ条件でシリコン単結晶を引上げた。２台の引上げ装置の坩堝を交換し、それぞれ同一の引上げ条件でシリコン単結晶を１０回繰り返し引上げたところ、２つの熱遮蔽部材の各表面にシリコン等が付着した。１つの熱遮蔽部材を実施例１による方法により、他の１つの熱遮蔽部材を比較例７による方法により、それぞれ再生した。再生後、再び２つの熱遮蔽部材を同一の引上げ装置に取付け、同様に２つの熱遮蔽部材の各表面にシリコン等を付着させた。２つの熱遮蔽部材の再生とシリコン等の付着を繰り返し行い、双方の熱遮蔽部材のＳｉＣ被覆が剥がれるまでの回数を測定した。その結果、比較例７による方法では、７０回でＳｉＣ被覆が剥がれ始めたのに対して、実施例１による方法では、２２０回でＳｉＣ被覆が剥がれ始めた。これにより、実施例１により再生した熱遮蔽部材は、比較例７により再生した熱遮蔽部材よりも、３倍以上長く使用することができ、熱遮蔽部材のライフエンドを大幅に伸ばすことができた。
同一機種のシリコン単結晶引上げ装置を２台選び、２台の引上げ装置に、同一の製造ロットから選ばれた基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた２つの熱遮蔽部材を各別に取付け、かつ同一のシリコン原料をそれぞれの坩堝に入れ、これをシリコン融液にした後、２台とも同一の引上げ条件でシリコン単結晶を引上げた。２台の引上げ装置の坩堝を交換し、それぞれ同一の引上げ条件でシリコン単結晶を１０回繰り返し引上げたところ、２つの熱遮蔽部材の各表面にシリコン等が付着した。１つの熱遮蔽部材を実施例１による方法により、他の１つの熱遮蔽部材を比較例７による方法により、それぞれ再生した。再生後、再び２つの熱遮蔽部材を同一の引上げ装置に取付け、同様に２つの熱遮蔽部材の各表面にシリコン等を付着させた。２つの熱遮蔽部材の再生とシリコン等の付着を繰り返し行い、双方の熱遮蔽部材のＳｉＣ被覆が剥がれるまでの回数を測定した。その結果、比較例７による方法では、７０回でＳｉＣ被覆が剥がれ始めたのに対して、実施例１による方法では、２２０回でＳｉＣ被覆が剥がれ始めた。これにより、実施例１により再生した熱遮蔽部材は、比較例７により再生した熱遮蔽部材よりも、３倍以上長く使用することができ、熱遮蔽部材のライフエンドを大幅に伸ばすことができた。
＜比較試験その３と評価＞
同一機種のシリコン単結晶引上げ装置を３台選び、３台の引上げ装置に、同一の製造ロットから選ばれた基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた３つの熱遮蔽部材を各別に取付け、かつ同一のシリコン原料をそれぞれの坩堝に入れ、これをシリコン融液にした後、３台とも同一の引上げ条件でシリコン単結晶を引上げた。それぞれ同一の引上げ条件でシリコン単結晶を１０回繰り返し引上げたところ、３つの熱遮蔽部材の各表面にシリコン等が付着した。１つの熱遮蔽部材は実施例１の方法により再生した。もう１つの熱遮蔽部材は比較例１の方法により再生した。残りの１つの熱遮蔽部材は再生しなかった。これら３つの熱遮蔽部材を同一の引上げ装置に取付けて、更に続けて同一の引上げ条件でそれぞれ１０本シリコン単結晶を引上げた。３台の引上げ装置で引上げたそれぞれ１０本のシリコン単結晶の単結晶化率（Disloction Free Ratio）を測定した。その結果、再生しなかった熱遮蔽部材を用いて引上げたシリコン単結晶の単結晶化率を１００としたときに、比較例１の方法により再生した熱遮蔽部材を用いて引上げたシリコン単結晶の単結晶化率が１００．４であったのに対して、実施例１の方法により再生した熱遮蔽部材を用いて引上げたシリコン単結晶の単結晶化率は、平均１０２．２であり、単結晶化率が約２％向上した。単結晶化率が向上したのは、熱遮蔽部材からシリコン等がシリコン融液に落下して混入する量が他の２例よりも少なかったためと推察された。
同一機種のシリコン単結晶引上げ装置を３台選び、３台の引上げ装置に、同一の製造ロットから選ばれた基材が黒鉛製でその表面にＳｉＣ被覆がなされた３つの熱遮蔽部材を各別に取付け、かつ同一のシリコン原料をそれぞれの坩堝に入れ、これをシリコン融液にした後、３台とも同一の引上げ条件でシリコン単結晶を引上げた。それぞれ同一の引上げ条件でシリコン単結晶を１０回繰り返し引上げたところ、３つの熱遮蔽部材の各表面にシリコン等が付着した。１つの熱遮蔽部材は実施例１の方法により再生した。もう１つの熱遮蔽部材は比較例１の方法により再生した。残りの１つの熱遮蔽部材は再生しなかった。これら３つの熱遮蔽部材を同一の引上げ装置に取付けて、更に続けて同一の引上げ条件でそれぞれ１０本シリコン単結晶を引上げた。３台の引上げ装置で引上げたそれぞれ１０本のシリコン単結晶の単結晶化率（Disloction Free Ratio）を測定した。その結果、再生しなかった熱遮蔽部材を用いて引上げたシリコン単結晶の単結晶化率を１００としたときに、比較例１の方法により再生した熱遮蔽部材を用いて引上げたシリコン単結晶の単結晶化率が１００．４であったのに対して、実施例１の方法により再生した熱遮蔽部材を用いて引上げたシリコン単結晶の単結晶化率は、平均１０２．２であり、単結晶化率が約２％向上した。単結晶化率が向上したのは、熱遮蔽部材からシリコン等がシリコン融液に落下して混入する量が他の２例よりも少なかったためと推察された。
＜比較試験その４と評価＞
比較例７のエッチング処理方法により再生した熱遮蔽部材を有する引上げ装置で直径２００ｍｍのｐ型で結晶方位が＜１００＞であるシリコン単結晶を２９５本引上げた。これらの単結晶からそれぞれ切り出したシリコンウェーハの抵抗率を四端子法にて測定した。抵抗率が５Ω・ｃｍ以上のシリコンウェーハのライフタイムを１０Ω・ｃｍに換算し、これらのライフタイムの平均値を１として各ライフタイムを相対値で求めた。一方、実施例１の方法で再生した熱遮蔽部材以外は上記と同じ引上げ装置で同一原料を用いて同一引上げ方法により直径２００ｍｍのｐ型で結晶方位が＜１００＞であるシリコン単結晶を１０本引上げた。これらの単結晶からそれぞれ切り出したシリコンウェーハの各抵抗率を上記と同じ方法で測定し、得られた抵抗率をそれぞれ上記と同様に１０Ω・ｃｍに換算した。換算して得られたライフタイムの各相対値を、比較例７の抵抗率のライフタイムの平均値と比較したところ、実施例１の方法で再生した熱遮蔽部材を有する引上げ装置から製造されたシリコンウェーハのライフタイムは、比較例７の方法で再生した熱遮蔽部材を有する引上げ装置から製造されたシリコンウェーハのライフタイムよりも平均で約１８％向上し、かつばらつきも小さかった。この結果、比較例７の方法で熱遮蔽部材を再生処理するよりも、実施例１の方法で熱遮蔽部材を再生処理する方が、清浄化の度合いが高いことが確認された。
比較例７のエッチング処理方法により再生した熱遮蔽部材を有する引上げ装置で直径２００ｍｍのｐ型で結晶方位が＜１００＞であるシリコン単結晶を２９５本引上げた。これらの単結晶からそれぞれ切り出したシリコンウェーハの抵抗率を四端子法にて測定した。抵抗率が５Ω・ｃｍ以上のシリコンウェーハのライフタイムを１０Ω・ｃｍに換算し、これらのライフタイムの平均値を１として各ライフタイムを相対値で求めた。一方、実施例１の方法で再生した熱遮蔽部材以外は上記と同じ引上げ装置で同一原料を用いて同一引上げ方法により直径２００ｍｍのｐ型で結晶方位が＜１００＞であるシリコン単結晶を１０本引上げた。これらの単結晶からそれぞれ切り出したシリコンウェーハの各抵抗率を上記と同じ方法で測定し、得られた抵抗率をそれぞれ上記と同様に１０Ω・ｃｍに換算した。換算して得られたライフタイムの各相対値を、比較例７の抵抗率のライフタイムの平均値と比較したところ、実施例１の方法で再生した熱遮蔽部材を有する引上げ装置から製造されたシリコンウェーハのライフタイムは、比較例７の方法で再生した熱遮蔽部材を有する引上げ装置から製造されたシリコンウェーハのライフタイムよりも平均で約１８％向上し、かつばらつきも小さかった。この結果、比較例７の方法で熱遮蔽部材を再生処理するよりも、実施例１の方法で熱遮蔽部材を再生処理する方が、清浄化の度合いが高いことが確認された。
本発明の再生方法は、シリコン単結晶引上げ装置内のシリコン等が付着する部材からシリコン等を昇華除去して再生するのに用いられる。
Claims (8)
- シリコン単結晶引上げ装置内に設けられる部材の表面に付着したＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンを除去して前記部材を再生する方法において、
前記ＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンが表面に付着した部材を不活性ガス雰囲気下、２．６７ｋＰａ以下の圧力下、前記部材の表面温度が表面に付着した前記ＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンの昇華を開始する温度以上でかつ前記部材が熱変形及び／又は熱変質を開始する温度未満の温度で少なくとも２時間熱処理して前記部材の表面に付着したＳｉＯｘ及び／又は金属シリコンを昇華し除去し、
前記熱処理した後に、前記熱処理温度から３〜１５℃／分の速度で室温まで冷却することを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法。 - 前記部材が黒鉛部材であって、前記熱処理温度が少なくとも１７００℃である請求項１記載の再生方法。
- 前記黒鉛部材がＳｉＣ被覆処理された黒鉛部材であって、前記熱処理温度が１７００℃以上２５００℃以下である請求項２記載の再生方法。
- 前記黒鉛部材が炭素膜により被覆処理された黒鉛部材であって、前記熱処理温度が１７００℃以上２５００℃以下である請求項２記載の再生方法。
- 前記黒鉛部材が熱遮蔽部材である請求項２ないし４のいずれか１項に記載の再生方法。
- 前記部材が石英部材であって、前記熱処理温度が１４００℃以上１７００℃以下である請求項１記載の再生方法。
- 前記石英部材が整流筒である請求項６記載の再生方法。
- 請求項１ないし７のうちいずれか１項に記載された方法で再生された部材を用いて、シリコン単結晶を製造する方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015133184A JP6471631B2 (ja) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法 |
| TW105113403A TWI602957B (zh) | 2015-07-02 | 2016-04-29 | 單晶矽拉起裝置內的構件的再生方法 |
| PCT/JP2016/063972 WO2017002457A1 (ja) | 2015-07-02 | 2016-05-11 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法 |
| CN201680039209.6A CN107923068B (zh) | 2015-07-02 | 2016-05-11 | 单晶硅提拉装置内的部件的再生方法 |
| US15/570,533 US20180148857A1 (en) | 2015-07-02 | 2016-05-11 | Method for regenerating member within silicon single crystal pulling apparatus |
| KR1020177030099A KR101983751B1 (ko) | 2015-07-02 | 2016-05-11 | 실리콘 단결정 인상 장치 내의 부재의 재생 방법 |
| DE112016003008.8T DE112016003008T5 (de) | 2015-07-02 | 2016-05-11 | Verfahren zur Regenerierung eines Elements in einer Silizium-Einzelkristallziehvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015133184A JP6471631B2 (ja) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017014072A JP2017014072A (ja) | 2017-01-19 |
| JP6471631B2 true JP6471631B2 (ja) | 2019-02-20 |
Family
ID=57608240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015133184A Active JP6471631B2 (ja) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180148857A1 (ja) |
| JP (1) | JP6471631B2 (ja) |
| KR (1) | KR101983751B1 (ja) |
| CN (1) | CN107923068B (ja) |
| DE (1) | DE112016003008T5 (ja) |
| TW (1) | TWI602957B (ja) |
| WO (1) | WO2017002457A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7298406B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2023-06-27 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法 |
| CN115074819B (zh) * | 2021-03-11 | 2023-08-01 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种热场部件返修判断方法、处理方法、装置以及系统 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3508999A1 (de) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren und vorrichtung zur regenerierung von formkoerpern aus kohlenstoff |
| JP4217844B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2009-02-04 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 複合ルツボとその製造方法および再生方法 |
| JP2000319080A (ja) | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素被覆黒鉛部材 |
| JP3728982B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2005-12-21 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材の再生方法 |
| JP4447131B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-04-07 | 東洋炭素株式会社 | 炭化ケイ素被覆黒鉛部材の再生方法及びそれによる炭化ケイ素被覆黒鉛部材 |
| JP2003267795A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
| EP1717355B1 (en) * | 2004-02-02 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Production apparatus and process for producing silicon single crystal and silicon wafer |
| JP4345597B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2009-10-14 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
| CN100415944C (zh) * | 2005-12-26 | 2008-09-03 | 北京有色金属研究总院 | 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置 |
| CN101570888B (zh) * | 2009-06-11 | 2011-07-20 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法 |
-
2015
- 2015-07-02 JP JP2015133184A patent/JP6471631B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-29 TW TW105113403A patent/TWI602957B/zh active
- 2016-05-11 US US15/570,533 patent/US20180148857A1/en not_active Abandoned
- 2016-05-11 WO PCT/JP2016/063972 patent/WO2017002457A1/ja active Application Filing
- 2016-05-11 KR KR1020177030099A patent/KR101983751B1/ko active IP Right Grant
- 2016-05-11 DE DE112016003008.8T patent/DE112016003008T5/de active Pending
- 2016-05-11 CN CN201680039209.6A patent/CN107923068B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017002457A1 (ja) | 2017-01-05 |
| TWI602957B (zh) | 2017-10-21 |
| JP2017014072A (ja) | 2017-01-19 |
| KR101983751B1 (ko) | 2019-05-29 |
| KR20170129246A (ko) | 2017-11-24 |
| CN107923068A (zh) | 2018-04-17 |
| US20180148857A1 (en) | 2018-05-31 |
| DE112016003008T5 (de) | 2018-03-15 |
| CN107923068B (zh) | 2021-08-17 |
| TW201708629A (zh) | 2017-03-01 |
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|
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