JP6467166B2 - 波長掃引型半導体レーザ素子及びガス濃度測定装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 66
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 73
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 15
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- OEDMOCYNWLHUDP-UHFFFAOYSA-N bromomethanol Chemical group OCBr OEDMOCYNWLHUDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001285 laser absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
また、波長掃引型半導体レーザ素子は、レーザ光が出力される端面における、前記凸部の幅は、4μm±10%であることを特徴とする。
また、波長掃引型半導体レーザ素子は、単一波長ピークのスペクトルが得られることを特徴とする。
また、レーザ光の出力強度微分値が一定に近くなる(温度が15℃から35℃の範囲内において、レーザ光立ち上がり後の出力強度微分値の変動幅は15℃で0.73W/Aから0.74W/A、35℃で0.62W/Aから0.64W/Aである)ことを特徴とする。
また、波長掃引型半導体レーザ素子は、15.0℃〜40.3℃の温度変化において、波長は758.62nm〜760.14nmに変化することを特徴とする。
・支持基板10:N型GaAs
・バッファ層11:N型GaAs(Siドープ)/1.0μm
・第1クラッド層12:N型AlGaAs(Siドープ)/2.0μm
・第1光ガイド層13:P型AlGaAs(Al組成38%:ノンドープ)/60nm
・第1井戸層14a:P型AlGaAs(Al組成20%:ノンドープ)/9nm
・バリア層14b:P型AlGaAs(Al組成38%:ノンドープ)/9nm
・第2井戸層14c:P型AlGaAs(Al組成20%:ノンドープ)/9nm
・第2光ガイド層15:P型AlGaAs(Al組成38%:ノンドープ)/60nm
・第2クラッド層16:P型AlGaAs(Al組成48%:Znドープ)/70nm
・第1エッチングストップ層17:P型AlGaAs(Al組成70%:Znドープ)/20nm
・第2エッチングストップ層18:P型AlGaAs(Al組成70%から48%になるように上部に向かって傾斜:Znドープ)/50nm
・第3クラッド層19:P型AlGaAs(Al組成48%:Znドープ)/140nm
・回折格子層20:P型AlGaAs(Al組成30%:Znドープ)/50nm
・第4クラッド層21:P型AlGaAs(Al組成48%:Znドープ)/1.2μm
・コンタクト層22:P型GaAs(Znドープ)/0.2μm
・絶縁膜23:SiNxからなるが、他の絶縁材料も用いることができる。
・上部電極層24:AuGeなどを用いることができるが、他の絶縁材料も用いることができる。裏面電極層も同一又はAg等の類似の材料から構成することができる。
Claims (6)
- 駆動電流が与えられる活性層と、
前記活性層を挟むクラッド層と、
前記活性層において発生したレーザ光が入射する回折格子層と、
を備え、
前記活性層に駆動電流を流すためのコンタクト層を含む凸部を備え、
前記駆動電流は、レーザ光の波長掃引を行うよう、直流成分が経時的に変化し、
前記回折格子層の格子幅に基づいて選択されるレーザ光の波長λMと、前記活性層において発生するレーザ光のピーク波長λpとの関係は、15℃から35℃の温度範囲の空気中において、λp−2nm≦λM<λpを満たすことを特徴とする波長掃引型半導体レーザ素子。 - レーザ光が出力される端面における、前記凸部の幅は、4μm±10%である、
ことを特徴とする請求項1に記載の波長掃引型半導体レーザ素子。 - 単一波長ピークのスペクトルが得られることを特徴とする請求項1又は2に記載の波長掃引型半導体レーザ素子。
- 温度が15℃から35℃の範囲内において、レーザ光立ち上がり後の出力強度微分値の変動幅は15℃で0.73W/Aから0.74W/A、35℃で0.62W/Aから0.64W/Aであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の波長掃引型半導体レーザ素子。
- 15.0℃〜40.3℃の温度変化において、レーザ光の波長は758.62nm〜760.14nmに変化することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の波長掃引型半導体レーザ素子。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の波長掃引型半導体レーザ素子と、
前記波長掃引型半導体レーザ素子に、前記駆動電流を供給する駆動回路と、
前記波長掃引型半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を、測定対象のガスを介して、検出する光検出素子と、
前記光検出素子の出力に基づいて、前記ガスの濃度を出力する制御装置と、
を備えることを特徴とするガス濃度測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014166977A JP6467166B2 (ja) | 2014-08-19 | 2014-08-19 | 波長掃引型半導体レーザ素子及びガス濃度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014166977A JP6467166B2 (ja) | 2014-08-19 | 2014-08-19 | 波長掃引型半導体レーザ素子及びガス濃度測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016046276A JP2016046276A (ja) | 2016-04-04 |
JP6467166B2 true JP6467166B2 (ja) | 2019-02-06 |
Family
ID=55636604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014166977A Active JP6467166B2 (ja) | 2014-08-19 | 2014-08-19 | 波長掃引型半導体レーザ素子及びガス濃度測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6467166B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07249829A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | 分布帰還型半導体レーザ |
JPH09129970A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | レーザダイオード素子 |
JPH10303495A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP3729170B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2005-12-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ |
JP2005229011A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Anritsu Corp | 波長可変半導体レーザ及びガス検知装置 |
JP4595711B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2010-12-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ |
JP5333370B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2013-11-06 | 株式会社島津製作所 | ガス濃度測定装置 |
JP2013127414A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Fuji Electric Co Ltd | 多成分用レーザ式ガス分析計 |
US8891085B2 (en) * | 2012-11-02 | 2014-11-18 | Shimadzu Corporation | Gas analyzer |
-
2014
- 2014-08-19 JP JP2014166977A patent/JP6467166B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016046276A (ja) | 2016-04-04 |
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