JPH09129970A - レーザダイオード素子 - Google Patents
レーザダイオード素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上、伝送距離数十Ｋ
ｍ以上の長距離高速光通信システム用の光源としてレー
ザダイオード素子を構成する場合、広い温度範囲（−４
０〜＋８５℃）で良好な光出力特性ならびに変調特性を
得ることが困難になる。 【解決手段】 １．３μｍ帯λ／４シフト分布帰還型の
レーザダイオードにおいて、ＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子
井戸からなる活性層を有し、共振器長３００〜６００μ
ｍ、かつ、室温での離調量−１５〜＋１５ｎｍで、量子
井戸数８〜１５層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係
数が３〜１０％となるように素子を構成する。
ｍ以上の長距離高速光通信システム用の光源としてレー
ザダイオード素子を構成する場合、広い温度範囲（−４
０〜＋８５℃）で良好な光出力特性ならびに変調特性を
得ることが困難になる。 【解決手段】 １．３μｍ帯λ／４シフト分布帰還型の
レーザダイオードにおいて、ＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子
井戸からなる活性層を有し、共振器長３００〜６００μ
ｍ、かつ、室温での離調量−１５〜＋１５ｎｍで、量子
井戸数８〜１５層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係
数が３〜１０％となるように素子を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信システムの光
源として用いられる半導体素子に関し、特に広い温度範
囲で良好な光出力特性ならびに変調特性を有するレーザ
ダイオード素子に関する。
源として用いられる半導体素子に関し、特に広い温度範
囲で良好な光出力特性ならびに変調特性を有するレーザ
ダイオード素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの発展に伴い、より広い
温度で安定した出力特性を有する半導体光装置が求めら
れている。光通信用の光源としては、比較的短距離の通
信用には発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられるが、通
常はレーザダイオード（ＬＤ）が用いられている。しか
しながら、ＬＤ素子そのものの出力特性は周囲の温度に
よる変化が大きく、図１２に示すように高温ほど閾値電
流Ｉthが増加し、微分効率ηが低下する。ＬＤを光通信
用の発光源として使用する場合には、通常閾値電流に近
いバイアス電流を印加し、さらにパルス電流を重畳する
ことにより信号となる光パルスを発生させているが、受
信素子のダイナミックレンジ等の問題から光パルスの波
高値は出来るだけ一定にする必要がある。
温度で安定した出力特性を有する半導体光装置が求めら
れている。光通信用の光源としては、比較的短距離の通
信用には発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられるが、通
常はレーザダイオード（ＬＤ）が用いられている。しか
しながら、ＬＤ素子そのものの出力特性は周囲の温度に
よる変化が大きく、図１２に示すように高温ほど閾値電
流Ｉthが増加し、微分効率ηが低下する。ＬＤを光通信
用の発光源として使用する場合には、通常閾値電流に近
いバイアス電流を印加し、さらにパルス電流を重畳する
ことにより信号となる光パルスを発生させているが、受
信素子のダイナミックレンジ等の問題から光パルスの波
高値は出来るだけ一定にする必要がある。
【０００３】しかしながらＬＤにおいては上述のごと
く、その出力特性に温度依存性があるため、一般にはＬ
Ｄを一定の温度に保つための温度制御装置が利用される
が、この温度制御装置は高価なだけでなく、半導体光装
置の大きさ及び消費電力を大きくしてしまう。また、こ
のような温度制御装置を用いない場合は、温度上昇に伴
い微分効率ηが大きく低下するため、直流バイアス電流
を制御すると共に、これに重畳するパルス電流の大きさ
にも補正を加えることにより光パルス出力の波高値を一
定にしなければならないが、ＬＤの光出力特性の温度依
存性が大きいほど、変調回路の構成と制御が複雑とな
る。
く、その出力特性に温度依存性があるため、一般にはＬ
Ｄを一定の温度に保つための温度制御装置が利用される
が、この温度制御装置は高価なだけでなく、半導体光装
置の大きさ及び消費電力を大きくしてしまう。また、こ
のような温度制御装置を用いない場合は、温度上昇に伴
い微分効率ηが大きく低下するため、直流バイアス電流
を制御すると共に、これに重畳するパルス電流の大きさ
にも補正を加えることにより光パルス出力の波高値を一
定にしなければならないが、ＬＤの光出力特性の温度依
存性が大きいほど、変調回路の構成と制御が複雑とな
る。
【０００４】このように半導体光装置はＬＤの温度を一
定に保つ装置や、光出力を一定に保つための複雑な入力
信号制御回路を必要とし、小型化及び低価格化の点から
半導体光装置そのものの温度特性の改善が求められてい
る。光通信システム用のＬＤに対しては、例えば「Reli
ability assurance practices for optoelectronic dev
ices in loop applications:Bellcore,TA-TSY-00983,Is
sue 1,January 1990」等にも記述されているように、一
般に−４０〜＋８５℃の温度で動作することが求められ
ており、高温光出力特性の具体値としては８５℃での閾
電流値５０ｍＡ以下、５ｍＷ出力時の駆動電流８０ｍＡ
以下、２５℃から８５℃の温度上昇に対する微分効率の
低下率３ｄＢ（５０％）以下であることが要求されてい
る。近年、伝送速度１５５Ｍｂ／ｓ以下の比較的伝送速
度の低い数十ｋｍ以上の長距離伝送、あるいは、伝送速
度１Ｇｂ／ｓ等の高い伝送速度ではあるが伝送距離が１
ｋｍ未満の比較的短距離伝送等の用途に使用されるＦａ
ｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ共振器型のＬＤ（以下、ＦＰ−Ｌ
Ｄ）においては、この−４０〜＋８５℃の温度範囲で動
作保証された素子が、多重量子井戸（Multiple Quantum
Well;以下ＭＱＷ）活性層構造あるいは歪ＭＱＷ活性層
構造の導入や、電流狭窄構造の改善により実現されてい
る。
定に保つ装置や、光出力を一定に保つための複雑な入力
信号制御回路を必要とし、小型化及び低価格化の点から
半導体光装置そのものの温度特性の改善が求められてい
る。光通信システム用のＬＤに対しては、例えば「Reli
ability assurance practices for optoelectronic dev
ices in loop applications:Bellcore,TA-TSY-00983,Is
sue 1,January 1990」等にも記述されているように、一
般に−４０〜＋８５℃の温度で動作することが求められ
ており、高温光出力特性の具体値としては８５℃での閾
電流値５０ｍＡ以下、５ｍＷ出力時の駆動電流８０ｍＡ
以下、２５℃から８５℃の温度上昇に対する微分効率の
低下率３ｄＢ（５０％）以下であることが要求されてい
る。近年、伝送速度１５５Ｍｂ／ｓ以下の比較的伝送速
度の低い数十ｋｍ以上の長距離伝送、あるいは、伝送速
度１Ｇｂ／ｓ等の高い伝送速度ではあるが伝送距離が１
ｋｍ未満の比較的短距離伝送等の用途に使用されるＦａ
ｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ共振器型のＬＤ（以下、ＦＰ−Ｌ
Ｄ）においては、この−４０〜＋８５℃の温度範囲で動
作保証された素子が、多重量子井戸（Multiple Quantum
Well;以下ＭＱＷ）活性層構造あるいは歪ＭＱＷ活性層
構造の導入や、電流狭窄構造の改善により実現されてい
る。
【０００５】しかしながら、図１３（ａ）の如く多重縦
モード発振しているＦＰ−ＬＤはその発振波長スペクト
ルの広がりから長距離伝送中に信号波形が劣化し、数百
Ｍｂ／ｓ以上の高速長距離伝送用途には使用することが
できない。このため、一般には図１３（ｂ）の如く素子
中に形成された回折格子によって決定される波長におい
て単一軸モード発振する分布帰還型ＬＤ（Distributed-
FeedBack Laser Diode; 以下、ＤＦＢ−ＬＤ）が用いら
れるが、ＤＦＢ−ＬＤにおいては以下に示す離調量の温
度変化のために−４０〜＋８５℃広い温度範囲において
安定した光出力特性ならびに単一軸モード発振特性を実
現するのは困難であった。ＤＦＢ−ＬＤは素子中に形成
された回折格子の周期Λ，及びＬＤ素子を導波するレー
ザ光に対する光導波層の実効屈折率ｎeff によって決定
されるブラッグ波長λBragg ＝２ｎeff Λにおいて単一
軸モード発振が行われるが、この発振波長λBragg は活
性層温度の上昇に対して約０．０９ｎｍ／℃の割合で長
波長化する。
モード発振しているＦＰ−ＬＤはその発振波長スペクト
ルの広がりから長距離伝送中に信号波形が劣化し、数百
Ｍｂ／ｓ以上の高速長距離伝送用途には使用することが
できない。このため、一般には図１３（ｂ）の如く素子
中に形成された回折格子によって決定される波長におい
て単一軸モード発振する分布帰還型ＬＤ（Distributed-
FeedBack Laser Diode; 以下、ＤＦＢ−ＬＤ）が用いら
れるが、ＤＦＢ−ＬＤにおいては以下に示す離調量の温
度変化のために−４０〜＋８５℃広い温度範囲において
安定した光出力特性ならびに単一軸モード発振特性を実
現するのは困難であった。ＤＦＢ−ＬＤは素子中に形成
された回折格子の周期Λ，及びＬＤ素子を導波するレー
ザ光に対する光導波層の実効屈折率ｎeff によって決定
されるブラッグ波長λBragg ＝２ｎeff Λにおいて単一
軸モード発振が行われるが、この発振波長λBragg は活
性層温度の上昇に対して約０．０９ｎｍ／℃の割合で長
波長化する。
【０００６】一方、ＬＤ活性層のバンド構造の温度変化
のために、光学利得が最大となる波長、即ち最大利得
（Ｇａｉｎ Ｐｅａｋ）波長λGPにも温度依存性が存在
し、活性層温度の上昇に対して３〜６ｎｍ／℃の割合で
長波長化する。なお、最大利得波長λGPは素子に注入さ
れる電流の大きさによっても変化するため、本件におけ
る最大利得波長λGPは発振閾値電流Ｉthの０．９倍の電
流注入時の最大利得波長を以て定義する。
のために、光学利得が最大となる波長、即ち最大利得
（Ｇａｉｎ Ｐｅａｋ）波長λGPにも温度依存性が存在
し、活性層温度の上昇に対して３〜６ｎｍ／℃の割合で
長波長化する。なお、最大利得波長λGPは素子に注入さ
れる電流の大きさによっても変化するため、本件におけ
る最大利得波長λGPは発振閾値電流Ｉthの０．９倍の電
流注入時の最大利得波長を以て定義する。
【０００７】ブラッグ波長λBragg と最大利得波長λGP
の差、即ち離調量Δλ＝λBragg −λGPはＤＦＢ−ＬＤ
の光出力特性ならびに高速変調特性を大きく左右し、あ
る一定の温度で動作させるＤＦＢ−ＬＤを設計する際に
おいても、極めて重要なパラメータの一つであるが、上
述の如き温度変化に対するλBragg とλGPのシフト量の
違いから、離調量Δλに温度依存性が生じ、ＤＦＢ−Ｌ
Ｄの広温度範囲動作を極めて困難なものとしている。
の差、即ち離調量Δλ＝λBragg −λGPはＤＦＢ−ＬＤ
の光出力特性ならびに高速変調特性を大きく左右し、あ
る一定の温度で動作させるＤＦＢ−ＬＤを設計する際に
おいても、極めて重要なパラメータの一つであるが、上
述の如き温度変化に対するλBragg とλGPのシフト量の
違いから、離調量Δλに温度依存性が生じ、ＤＦＢ−Ｌ
Ｄの広温度範囲動作を極めて困難なものとしている。
【０００８】図１４は２５℃（以下、単に室温とも言
う）における離調量が＋１０ｎｍのＤＦＢ−ＬＤに発振
閾値電流Ｉthの０．９倍の電流を印加した際の発振閾値
前スペクトルの温度変化を示した図であるが、８５℃で
は離調量Δλが−８ｎｍと２０ｎｍ近く負にシフトして
いる。また低温での離調量Δλは−２０℃では＋１８ｎ
ｍ、−４０℃では＋３０ｎｍにも達しており、このよう
な離調量の絶対値｜Δλ｜の増大は後述のようにＤＦＢ
−ＬＤがブラッグ波長において単一軸モード発振するた
めには大きな障害となる。
う）における離調量が＋１０ｎｍのＤＦＢ−ＬＤに発振
閾値電流Ｉthの０．９倍の電流を印加した際の発振閾値
前スペクトルの温度変化を示した図であるが、８５℃で
は離調量Δλが−８ｎｍと２０ｎｍ近く負にシフトして
いる。また低温での離調量Δλは−２０℃では＋１８ｎ
ｍ、−４０℃では＋３０ｎｍにも達しており、このよう
な離調量の絶対値｜Δλ｜の増大は後述のようにＤＦＢ
−ＬＤがブラッグ波長において単一軸モード発振するた
めには大きな障害となる。
【０００９】現在実用に供されているＤＦＢ−ＬＤは、
回折格子に位相シフトを設けていない素子と位相シフト
を設けた素子に大別することができるが、前者（以下、
均一回折格子ＤＦＢ−ＬＤと言う）では通常、素子の前
方端面反射率を１％以下に、後方端面反射率を７０〜９
０％以上にすることにより前方から射出される光量すな
わち前方の微分効率を大きくしている。しかしながら、
後方端面の比較的高い端面反射率のために離調量が大き
くなるとＦａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔモード（以下、ＦＰモ
ード）発振を十分に抑圧することができないという問題
が生じる。比較的狭い温度範囲においてのみ動作させる
場合には、このＦＰモード抑圧特性はほとんど問題にな
らないが、前述のように離調量Δλには強い温度依存性
が存在するため、広い温度範囲で十分なＦＰモード抑圧
比（Fabri-Perot Mode Suppression Ration;ＦＭＳＲ）
を確保することは極めて困難なものとなる。
回折格子に位相シフトを設けていない素子と位相シフト
を設けた素子に大別することができるが、前者（以下、
均一回折格子ＤＦＢ−ＬＤと言う）では通常、素子の前
方端面反射率を１％以下に、後方端面反射率を７０〜９
０％以上にすることにより前方から射出される光量すな
わち前方の微分効率を大きくしている。しかしながら、
後方端面の比較的高い端面反射率のために離調量が大き
くなるとＦａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔモード（以下、ＦＰモ
ード）発振を十分に抑圧することができないという問題
が生じる。比較的狭い温度範囲においてのみ動作させる
場合には、このＦＰモード抑圧特性はほとんど問題にな
らないが、前述のように離調量Δλには強い温度依存性
が存在するため、広い温度範囲で十分なＦＰモード抑圧
比（Fabri-Perot Mode Suppression Ration;ＦＭＳＲ）
を確保することは極めて困難なものとなる。
【００１０】例えば、前方反射率１％以下，後方反射率
７５％の均一回折格子ＤＦＢ−ＬＤの場合、図１５に示
すように低温での離調量の増大により、−２０℃（Δλ
＝＋１８ｎｍ）におけるＦＭＳＲは室温における３５ｄ
Ｂから２０ｄＢまで低下し、さらに−４０℃（Δλ＝＋
３０ｎｍ）では図１５（ｃ）のようにＦＰモード発振が
ＤＦＢモードよりも支配的になってしまう。このような
ＦＭＳＲの低下は伝送特性の劣化、すなわち受信感度の
劣化や、符号誤り率の増大を引き起こし、更に、ＦＰモ
ード発振がＤＦＢモードよりも支配的な状況において
は、もはやＤＦＢ−ＬＤとしての動作はなされておら
ず、伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上、伝送距離数数十ｋｍ以
上という長距離高速光通信システムの光源としては使用
することができない。
７５％の均一回折格子ＤＦＢ−ＬＤの場合、図１５に示
すように低温での離調量の増大により、−２０℃（Δλ
＝＋１８ｎｍ）におけるＦＭＳＲは室温における３５ｄ
Ｂから２０ｄＢまで低下し、さらに−４０℃（Δλ＝＋
３０ｎｍ）では図１５（ｃ）のようにＦＰモード発振が
ＤＦＢモードよりも支配的になってしまう。このような
ＦＭＳＲの低下は伝送特性の劣化、すなわち受信感度の
劣化や、符号誤り率の増大を引き起こし、更に、ＦＰモ
ード発振がＤＦＢモードよりも支配的な状況において
は、もはやＤＦＢ−ＬＤとしての動作はなされておら
ず、伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上、伝送距離数数十ｋｍ以
上という長距離高速光通信システムの光源としては使用
することができない。
【００１１】一方、後者、即ち回折格子に位相シフト部
を有するタイプの素子では、図１６（ａ）に示した概念
図の如く回折格子軸方向中央部付近に位相シフト量１／
４の位相シフト部を設けた素子（以下λ／４シフトＤＦ
Ｂ−ＬＤと言う）が実用化されている。λ／４シフトＤ
ＦＢ−ＬＤにおいては素子の両端面は反射率１％以下の
無反射コーティングを施すことによって図１６（ｂ）に
示すような回折格子によるストップバンド中央付近のブ
ラッグ波長で安定した単一軸モード発振を得ることがで
きる。また、両端面が無反射コーティングされているこ
とからＦＰモードが発振しにくく、室温離調量が前述の
均一回折格子ＤＦＢ−ＬＤと同じ素子においても、−２
０℃（Δλ＝＋１８ｎｍ）におけるＦＭＳＲは５０ｄＢ
以上と室温と比べてもほとんど劣化せず、さらに−４０
℃（Δλ＝＋３０ｎｍ）においても３０ｄＢ以上のＦＭ
ＳＲを維持することができる。
を有するタイプの素子では、図１６（ａ）に示した概念
図の如く回折格子軸方向中央部付近に位相シフト量１／
４の位相シフト部を設けた素子（以下λ／４シフトＤＦ
Ｂ−ＬＤと言う）が実用化されている。λ／４シフトＤ
ＦＢ−ＬＤにおいては素子の両端面は反射率１％以下の
無反射コーティングを施すことによって図１６（ｂ）に
示すような回折格子によるストップバンド中央付近のブ
ラッグ波長で安定した単一軸モード発振を得ることがで
きる。また、両端面が無反射コーティングされているこ
とからＦＰモードが発振しにくく、室温離調量が前述の
均一回折格子ＤＦＢ−ＬＤと同じ素子においても、−２
０℃（Δλ＝＋１８ｎｍ）におけるＦＭＳＲは５０ｄＢ
以上と室温と比べてもほとんど劣化せず、さらに−４０
℃（Δλ＝＋３０ｎｍ）においても３０ｄＢ以上のＦＭ
ＳＲを維持することができる。
【００１２】しかしながら、前後方端面の反射率を変え
ることによって前後方出力比を大きくすることができな
いため、高出力動作は特に高温において困難であり、こ
れまでに例えば８５℃等の高温でλ／４シフトＤＦＢ−
ＬＤの安定動作を実現したという報告はなされていな
い。例えば活性層にＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子井戸を導
入することにより高温特性を改善した共振器長３００μ
ｍ，室温での離調量−１０ｎｍ，量子井戸数７（量子井
戸層への光閉じ込め係数２．５％）の素子においても、
電流−光出力特性の温度依存性は図１６（ｃ）に示すよ
うなものであり、室温から８５℃の温度上昇による微分
効率の低下率が３．５ｄＢと大きい等、ＬＤの無温調動
作ならびに駆動回路の簡略化により半導体光装置の低価
格化、小型化、低消費電力化を実現するには不十分であ
った。
ることによって前後方出力比を大きくすることができな
いため、高出力動作は特に高温において困難であり、こ
れまでに例えば８５℃等の高温でλ／４シフトＤＦＢ−
ＬＤの安定動作を実現したという報告はなされていな
い。例えば活性層にＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子井戸を導
入することにより高温特性を改善した共振器長３００μ
ｍ，室温での離調量−１０ｎｍ，量子井戸数７（量子井
戸層への光閉じ込め係数２．５％）の素子においても、
電流−光出力特性の温度依存性は図１６（ｃ）に示すよ
うなものであり、室温から８５℃の温度上昇による微分
効率の低下率が３．５ｄＢと大きい等、ＬＤの無温調動
作ならびに駆動回路の簡略化により半導体光装置の低価
格化、小型化、低消費電力化を実現するには不十分であ
った。
【００１３】上述のように、ＤＦＢ−ＬＤにおいてはＦ
Ｐ−ＬＤ同様の現象である高温での利得の低下のみなら
ず、離調量Δλの変化による発振波長利得の増減やＦＰ
モード抑圧比の変化が顕著となるため、広い温度範囲で
安定した光出力特性ならびに高速変調特性を確保するの
は極めて困難であり、これまでは山本らの「高温動作型
全ＭＯＣＶＤ成長１．３μｍ帯歪ＭＱＷ−ＣＢＰＢＨ−
ＤＦＢ−ＬＤ（１９９４年電子情報通信学会秋季大会予
稿集，Ｃ−３０２）」にあるように均一回折格子ＤＦＢ
−ＬＤを用いた−２０〜８５℃における６２２．０８Ｍ
ｂ／ｓ動作の報告がなされているにすぎなかった。
Ｐ−ＬＤ同様の現象である高温での利得の低下のみなら
ず、離調量Δλの変化による発振波長利得の増減やＦＰ
モード抑圧比の変化が顕著となるため、広い温度範囲で
安定した光出力特性ならびに高速変調特性を確保するの
は極めて困難であり、これまでは山本らの「高温動作型
全ＭＯＣＶＤ成長１．３μｍ帯歪ＭＱＷ−ＣＢＰＢＨ−
ＤＦＢ−ＬＤ（１９９４年電子情報通信学会秋季大会予
稿集，Ｃ−３０２）」にあるように均一回折格子ＤＦＢ
−ＬＤを用いた−２０〜８５℃における６２２．０８Ｍ
ｂ／ｓ動作の報告がなされているにすぎなかった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ＬＤにおいては、伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２
２．０８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、
伝送距離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ以上）という長距
離高速光通信システムの光源として用いるＤＦＢ−ＬＤ
には温度を一定に保つための温度制御装置が必要であ
り、この温度制御装置のために、半導体光装置の低価格
化、小型化、低消費電力化が大幅に制限されるという問
題が生じている。その理由は、上述のごとき長距離高速
光通信システムに用いられるＤＦＢ−ＬＤは光出力特
性、発振スペクトル特性、高速変調特性に極めて強い温
度依存性が存在し、通信システムの運用上必要とされる
−４０〜＋８５℃の温度範囲での安定した単一軸モード
発振、ならびに、高温での良好な光出力特性、具体的に
は８５℃での閾電流値５０ｍＡ以下、５ｍＷ出力時の駆
動電流８０ｍＡ以下、２５℃から８５℃の温度上昇に対
する微分効率の低下率３ｄＢ以下を実現するのが極めて
困難であるからである。
ＬＤにおいては、伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２
２．０８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、
伝送距離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ以上）という長距
離高速光通信システムの光源として用いるＤＦＢ−ＬＤ
には温度を一定に保つための温度制御装置が必要であ
り、この温度制御装置のために、半導体光装置の低価格
化、小型化、低消費電力化が大幅に制限されるという問
題が生じている。その理由は、上述のごとき長距離高速
光通信システムに用いられるＤＦＢ−ＬＤは光出力特
性、発振スペクトル特性、高速変調特性に極めて強い温
度依存性が存在し、通信システムの運用上必要とされる
−４０〜＋８５℃の温度範囲での安定した単一軸モード
発振、ならびに、高温での良好な光出力特性、具体的に
は８５℃での閾電流値５０ｍＡ以下、５ｍＷ出力時の駆
動電流８０ｍＡ以下、２５℃から８５℃の温度上昇に対
する微分効率の低下率３ｄＢ以下を実現するのが極めて
困難であるからである。
【００１５】本発明の目的は、広い温度範囲で良好な光
出力特性ならびに変調特性を有し、伝送速度数百Ｍｂ／
ｓ以上（通常６２２．０８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８
３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ
以上）の長距離高速光通信システムの光源として使用可
能なレーザダイオード素子を提供することである。
出力特性ならびに変調特性を有し、伝送速度数百Ｍｂ／
ｓ以上（通常６２２．０８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８
３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ
以上）の長距離高速光通信システムの光源として使用可
能なレーザダイオード素子を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザダイオー
ド素子は、ＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子井戸からなる活性
層を有し、共振器長３００〜６００μｍ、かつ、室温で
の離調量−１５〜＋１５ｎｍで、量子井戸数８〜１５層
もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が３〜１０％で
あることを特徴とする。この場合、高い歩留りで素子を
製造するためには、共振器長４００〜５００μｍ、か
つ、室温での離調量−１０〜＋１０ｎｍで、量子井戸数
１０〜１２層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が
５〜８％であることが好ましい。
ド素子は、ＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子井戸からなる活性
層を有し、共振器長３００〜６００μｍ、かつ、室温で
の離調量−１５〜＋１５ｎｍで、量子井戸数８〜１５層
もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が３〜１０％で
あることを特徴とする。この場合、高い歩留りで素子を
製造するためには、共振器長４００〜５００μｍ、か
つ、室温での離調量−１０〜＋１０ｎｍで、量子井戸数
１０〜１２層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が
５〜８％であることが好ましい。
【００１７】また本発明のレーザダイオード素子は、Ａ
ｌＧａＩｎＡｓ歪多重量子井戸からなる活性層を有し、
共振器長２５０〜６００μｍ、かつ、室温での離調量−
２０〜＋１５ｎｍで、量子井戸数５〜１５層もしくは量
子井戸層への光閉じ込め係数が２〜１０％であることを
特徴とする。この場合、高い歩留りで素子を製造するた
めには、共振器長３００〜５００μｍ、且つ、室温での
離調量−１５〜＋１０ｎｍで、量子井戸数６〜１２層も
しくは量子井戸層への光閉じ込め係数が２．５〜８％で
あることが好ましい。
ｌＧａＩｎＡｓ歪多重量子井戸からなる活性層を有し、
共振器長２５０〜６００μｍ、かつ、室温での離調量−
２０〜＋１５ｎｍで、量子井戸数５〜１５層もしくは量
子井戸層への光閉じ込め係数が２〜１０％であることを
特徴とする。この場合、高い歩留りで素子を製造するた
めには、共振器長３００〜５００μｍ、且つ、室温での
離調量−１５〜＋１０ｎｍで、量子井戸数６〜１２層も
しくは量子井戸層への光閉じ込め係数が２．５〜８％で
あることが好ましい。
【００１８】なお、本発明においては量子井戸数Ｎw に
対して必要とされる条件と量子井戸層への光閉じ込め係
数Γw に対して必要とされる条件を併記しているが、こ
れは両者が独立したパラメータではなくお互いに相関の
ある値であり、かつ素子特性に与える影響は直感的な認
識が容易なＮw よりもむしろＮw と共に変化するΓwの
方が支配的であるという認識に基づいたものである。例
えば量子井戸幅６０ÅでＮw ＝７，Γw ＝６％の素子の
特性は量子井戸幅が４０Åの素子の場合、Ｎw＝７，Γw
＝４％の素子よりもむしろＮw ＝１０，Γw ＝６％の
素子の特性に近いものとなるが、これはＬＤの諸特性を
大きく左右する光学利得の大きさがΓwに比例するため
である。
対して必要とされる条件と量子井戸層への光閉じ込め係
数Γw に対して必要とされる条件を併記しているが、こ
れは両者が独立したパラメータではなくお互いに相関の
ある値であり、かつ素子特性に与える影響は直感的な認
識が容易なＮw よりもむしろＮw と共に変化するΓwの
方が支配的であるという認識に基づいたものである。例
えば量子井戸幅６０ÅでＮw ＝７，Γw ＝６％の素子の
特性は量子井戸幅が４０Åの素子の場合、Ｎw＝７，Γw
＝４％の素子よりもむしろＮw ＝１０，Γw ＝６％の
素子の特性に近いものとなるが、これはＬＤの諸特性を
大きく左右する光学利得の大きさがΓwに比例するため
である。
【００１９】また本発明にかかる素子の製造方法、λ／
４シフト回折格子の位置、活性層の層構造、量子井戸層
の歪量、電流狭窄構造はどのような方法、構造、位置あ
るいは値であっても構わず、ＤＦＢ−ＬＤにおいて単一
モード歩留まりや電流光出力特性の直線等に大きな影響
を及ぼす（回折格子の結合係数）×（共振器長）の値
は、λ／４シフトＤＦＢ−ＬＤの単一モード歩留まりを
著しく悪化させない値、約２〜３の範囲内であれば良
い。
４シフト回折格子の位置、活性層の層構造、量子井戸層
の歪量、電流狭窄構造はどのような方法、構造、位置あ
るいは値であっても構わず、ＤＦＢ−ＬＤにおいて単一
モード歩留まりや電流光出力特性の直線等に大きな影響
を及ぼす（回折格子の結合係数）×（共振器長）の値
は、λ／４シフトＤＦＢ−ＬＤの単一モード歩留まりを
著しく悪化させない値、約２〜３の範囲内であれば良
い。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。まず、本発明の第１の実施形態とし
て、電流狭窄構造としてＤＣ−ＰＢＨ構造、活性層にＩ
ｎＧａＡｓＰの歪ＭＱＷ（圧縮歪量０．５％，量子井戸
幅約４０Å）を用いたλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤにおい
て、共振器長Ｌ，２５℃での離調量Δλ25℃，量子井戸
数Ｎwをパラメータとし、その高温光出力特性、ＦＰモ
ード抑圧比（ＦＭＳＲ）、ならびに高速変調特性との相
関について述べる。図１は本実施形態の素子構造の斜視
図であり、同図において、ｎ型ＩｎＰ基板１１に歪量子
井戸層１２、バリア層１３からなる活性層が形成され、
ＤＣ−ＰＢＨ電流狭窄構造１４とλ／４シフト回折格子
１５が形成される。また、裏面にはｎ側電極１６が、表
面に無反射コーティング１７とｐ側パッド電極１８が形
成される。また、Ｌは共振器長を示す。
参照して説明する。まず、本発明の第１の実施形態とし
て、電流狭窄構造としてＤＣ−ＰＢＨ構造、活性層にＩ
ｎＧａＡｓＰの歪ＭＱＷ（圧縮歪量０．５％，量子井戸
幅約４０Å）を用いたλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤにおい
て、共振器長Ｌ，２５℃での離調量Δλ25℃，量子井戸
数Ｎwをパラメータとし、その高温光出力特性、ＦＰモ
ード抑圧比（ＦＭＳＲ）、ならびに高速変調特性との相
関について述べる。図１は本実施形態の素子構造の斜視
図であり、同図において、ｎ型ＩｎＰ基板１１に歪量子
井戸層１２、バリア層１３からなる活性層が形成され、
ＤＣ−ＰＢＨ電流狭窄構造１４とλ／４シフト回折格子
１５が形成される。また、裏面にはｎ側電極１６が、表
面に無反射コーティング１７とｐ側パッド電極１８が形
成される。また、Ｌは共振器長を示す。
【００２１】図２（ａ）はＬ＝４５０μｍの素子におい
て、Δλ25℃とＮw をパラメータとして、２５℃から８
５℃の温度上昇に対する微分効率の低下率Δη25℃を示
した図である。図中のプロット点及び誤差棒はそれぞれ
素子の平均値及び分散を示したものであり、以下素子特
性を示す図には同様の表示を行う。Ｎw が一定の場合、
Δλ25℃が大きい程、即ち室温でのブラッグ波長が最大
利得波長よりも長波長側にあるほどΔη25℃が小さくな
るが、これは温度上昇によってΔλが負にシフトした場
合にも、Δλ25℃が大きいほど高温でのΔλの絶対値が
小さく、ブラッグ波長において十分な光学利得を得るこ
とができるためである。また、Δλ25℃が一定の場合、
Ｎw が大きいほどΔη25℃が小さくなるが、これはＮw
が大きいほど量子井戸層への光閉じ込め係数Γw が大き
くなり、高温でも十分な光学利得が得られることと、Ｎ
w が大きいほど同一注入電流においても量子井戸一層あ
たりの注入キャリア密度が小さく、高温で顕著となるキ
ャリアオーバーフローによる光学利得の減少を小さくす
ることができるためである。
て、Δλ25℃とＮw をパラメータとして、２５℃から８
５℃の温度上昇に対する微分効率の低下率Δη25℃を示
した図である。図中のプロット点及び誤差棒はそれぞれ
素子の平均値及び分散を示したものであり、以下素子特
性を示す図には同様の表示を行う。Ｎw が一定の場合、
Δλ25℃が大きい程、即ち室温でのブラッグ波長が最大
利得波長よりも長波長側にあるほどΔη25℃が小さくな
るが、これは温度上昇によってΔλが負にシフトした場
合にも、Δλ25℃が大きいほど高温でのΔλの絶対値が
小さく、ブラッグ波長において十分な光学利得を得るこ
とができるためである。また、Δλ25℃が一定の場合、
Ｎw が大きいほどΔη25℃が小さくなるが、これはＮw
が大きいほど量子井戸層への光閉じ込め係数Γw が大き
くなり、高温でも十分な光学利得が得られることと、Ｎ
w が大きいほど同一注入電流においても量子井戸一層あ
たりの注入キャリア密度が小さく、高温で顕著となるキ
ャリアオーバーフローによる光学利得の減少を小さくす
ることができるためである。
【００２２】後述するように、−４０〜＋８５℃の温度
範囲において長距離高速伝送に十分なＦＭＳＲを確保す
るためには室温離調量Δλ25℃は＋１５ｎｍ以下である
ことが必要となり、この点を考慮するとΔη85℃≦３ｄ
Ｂという条件に対して十分な歩留まり、例えば５０％以
上の歩留まりを確保するにはＮw が８以上、あるいはΓ
w が３％以上であることが必要となる。Ｎw あるいはΓ
w を増加することにより、高温特性のうちΔη85℃の改
善は可能であるが、Ｎw あるいはΓw がある程度よりも
大きくなると素子における光導波損失が増大し、閾値電
流Ｉthの上昇、微分効率ηの低下、ならびに一定光出力
時の駆動電流Ｉopの増加が問題となる。
範囲において長距離高速伝送に十分なＦＭＳＲを確保す
るためには室温離調量Δλ25℃は＋１５ｎｍ以下である
ことが必要となり、この点を考慮するとΔη85℃≦３ｄ
Ｂという条件に対して十分な歩留まり、例えば５０％以
上の歩留まりを確保するにはＮw が８以上、あるいはΓ
w が３％以上であることが必要となる。Ｎw あるいはΓ
w を増加することにより、高温特性のうちΔη85℃の改
善は可能であるが、Ｎw あるいはΓw がある程度よりも
大きくなると素子における光導波損失が増大し、閾値電
流Ｉthの上昇、微分効率ηの低下、ならびに一定光出力
時の駆動電流Ｉopの増加が問題となる。
【００２３】図２（ｂ）はＬ＝４５０μｍ，Δλ25℃＝
０ｎｍの素子の８５℃における閾値電流Ｉth85℃及び５
ｍＷ出力時の駆動電流Ｉop85℃Ｎw 依存性を示したもの
であるが、Ｉth85℃, Ｉop85℃ともにＮw ＝１０以上で
の増加が顕著となり、Ｉth85℃≦５０ｍＡ，Ｉop85℃≦
８０ｍＡという条件に対して十分な歩留まり、例えば５
０％以上の歩留まり確保するためにはＮw が１５以下、
あるいはΓw が１０％以下であることが必要となる。
０ｎｍの素子の８５℃における閾値電流Ｉth85℃及び５
ｍＷ出力時の駆動電流Ｉop85℃Ｎw 依存性を示したもの
であるが、Ｉth85℃, Ｉop85℃ともにＮw ＝１０以上で
の増加が顕著となり、Ｉth85℃≦５０ｍＡ，Ｉop85℃≦
８０ｍＡという条件に対して十分な歩留まり、例えば５
０％以上の歩留まり確保するためにはＮw が１５以下、
あるいはΓw が１０％以下であることが必要となる。
【００２４】以上のように高温での微分効率の低下率Δ
ηを小さく抑え、且つ、高温での閾値電流ならびに駆動
電流の増加を抑え、Δη85℃≦３ｄＢ，Ｉth85℃≦５０
ｍＡ，Ｉop85℃≦８０ｍＡという条件に対して十分な歩
留まりとして５０％以上の歩留まり確保するためには、
Ｎw が８以上１５以下、あるいはΓw が３％以上１０％
以下であることが必要であり、好ましくはＮw ＝１０〜
１２，Γw ＝５〜８％の範囲内であることが望ましい。
ηを小さく抑え、且つ、高温での閾値電流ならびに駆動
電流の増加を抑え、Δη85℃≦３ｄＢ，Ｉth85℃≦５０
ｍＡ，Ｉop85℃≦８０ｍＡという条件に対して十分な歩
留まりとして５０％以上の歩留まり確保するためには、
Ｎw が８以上１５以下、あるいはΓw が３％以上１０％
以下であることが必要であり、好ましくはＮw ＝１０〜
１２，Γw ＝５〜８％の範囲内であることが望ましい。
【００２５】次にＮw ＝１０，Δλ25℃＝０ｎｍの素子
を例に、高温光出力特性の共振器長Ｌ依存性に関して述
べる。図３（ａ）はＮw ＝１０，Δλ25℃＝０ｎｍの素
子におけるΔη85℃のＬ依存性を示したものであるが、
Ｌが大きい、即ち共振器長が長いほどΔη85℃が改善さ
れる傾向にあり、Δη85℃≦３ｄＢという条件に対して
５０％以上の歩留まりを確保するためには３００μｍ以
上の共振器長が必要となる。これは共振器長が長いほど
電流密度の低減により、高温での電流狭窄部分における
リーク電流の低減や活性層におけるキャリアオーパーフ
ローが低減され、また最大光出力も増加することを反映
したものである。しかしながら、共振器長を長くすると
光導波損失の増加と注入電流密度の増加により、やはり
閾値電流の上昇と微分効率の低下、及び一定光出力時の
駆動電流の増加が問題となる。図３（ｂ）に示すように
Ｌの増加に伴うＩth85℃及びＩop85℃の増加は著しく、
Ｉth85℃≦５０ｍＡ，Ｉop85℃≦８０ｍＡという条件に
対して十分な歩留まりを確保するためには共振器長は６
００μｍ以下であることが望ましく、５００μｍ以下で
あることが好ましい。
を例に、高温光出力特性の共振器長Ｌ依存性に関して述
べる。図３（ａ）はＮw ＝１０，Δλ25℃＝０ｎｍの素
子におけるΔη85℃のＬ依存性を示したものであるが、
Ｌが大きい、即ち共振器長が長いほどΔη85℃が改善さ
れる傾向にあり、Δη85℃≦３ｄＢという条件に対して
５０％以上の歩留まりを確保するためには３００μｍ以
上の共振器長が必要となる。これは共振器長が長いほど
電流密度の低減により、高温での電流狭窄部分における
リーク電流の低減や活性層におけるキャリアオーパーフ
ローが低減され、また最大光出力も増加することを反映
したものである。しかしながら、共振器長を長くすると
光導波損失の増加と注入電流密度の増加により、やはり
閾値電流の上昇と微分効率の低下、及び一定光出力時の
駆動電流の増加が問題となる。図３（ｂ）に示すように
Ｌの増加に伴うＩth85℃及びＩop85℃の増加は著しく、
Ｉth85℃≦５０ｍＡ，Ｉop85℃≦８０ｍＡという条件に
対して十分な歩留まりを確保するためには共振器長は６
００μｍ以下であることが望ましく、５００μｍ以下で
あることが好ましい。
【００２６】以上のように高温での微分効率の低下率を
小さく抑え、且つ、高温での閾値電流ならびに駆動電流
の増加を抑えるためには、共振器長Ｌは３００μｍ以上
６００μｍ以下であることが必要であり、好ましくは４
００〜５００μｍの範囲以内であることが望ましい。
小さく抑え、且つ、高温での閾値電流ならびに駆動電流
の増加を抑えるためには、共振器長Ｌは３００μｍ以上
６００μｍ以下であることが必要であり、好ましくは４
００〜５００μｍの範囲以内であることが望ましい。
【００２７】以上、高温光出力特性を確保するために必
要とされる素子の設計パラメータについて述べたが、次
に−４０〜＋８５℃にも及ぶ広い温度範囲において安定
した単一軸モード発振を可能とするために必要となる素
子パラメータについて説明する。
要とされる素子の設計パラメータについて述べたが、次
に−４０〜＋８５℃にも及ぶ広い温度範囲において安定
した単一軸モード発振を可能とするために必要となる素
子パラメータについて説明する。
【００２８】図４（ａ）はＬ＝４５０μｍ，Ｎw ＝１０
（Γw ＝６％）の素子においてΔλ25℃をパラメータに
ＦＰモード抑圧比ＦＭＳＲの温度依存性を示したもので
あるが、Δλ25℃＝＋１０ｎｍの素子は低温で、Δλ25
℃＝−１５ｎｍの素子は高温で、それぞれ離調量の絶対
値の増加によりＦＭＳＲが劣化している。図４（ｂ）は
−４０℃ならびに＋８５℃におけるＦＭＳＲのΔλ25℃
依存性を示したものであるが、−４０〜＋８５℃の温度
範囲で長距離高速伝送を可能とするのに十分なＦＭＳ
Ｒ、例えば６２２Ｍｂ／ｓ−５０ｋｍ伝送では３０ｄＢ
以上のＦＭＳＲを確保するには、室温でのΔλ25℃は＋
１０〜−１５ｎｍの範囲内であることが必要であること
がわかる。
（Γw ＝６％）の素子においてΔλ25℃をパラメータに
ＦＰモード抑圧比ＦＭＳＲの温度依存性を示したもので
あるが、Δλ25℃＝＋１０ｎｍの素子は低温で、Δλ25
℃＝−１５ｎｍの素子は高温で、それぞれ離調量の絶対
値の増加によりＦＭＳＲが劣化している。図４（ｂ）は
−４０℃ならびに＋８５℃におけるＦＭＳＲのΔλ25℃
依存性を示したものであるが、−４０〜＋８５℃の温度
範囲で長距離高速伝送を可能とするのに十分なＦＭＳ
Ｒ、例えば６２２Ｍｂ／ｓ−５０ｋｍ伝送では３０ｄＢ
以上のＦＭＳＲを確保するには、室温でのΔλ25℃は＋
１０〜−１５ｎｍの範囲内であることが必要であること
がわかる。
【００２９】なお、離調量の絶対値の増大に伴うＦＭＳ
Ｒの劣化は量子井戸層数Ｎw あるいはΓw が多いほど顕
著となり、同様のＦＭＳＲを−４０〜＋８５℃の温度範
囲で確保するためのΔλ25℃の許容範囲はＮw ＝８の素
子で＋１５〜−１８ｎｍ、Ｎw ＝１２の素子で＋８〜−
１２ｎｍ、Ｎw ＝１５の素子では＋６〜−１０ｎｍの範
囲に制限される。このように、広い温度範囲及びΔλ25
℃に対して十分なＦＭＳＲを確保するという観点におい
て、Ｎw は１５以下であることが望ましい。
Ｒの劣化は量子井戸層数Ｎw あるいはΓw が多いほど顕
著となり、同様のＦＭＳＲを−４０〜＋８５℃の温度範
囲で確保するためのΔλ25℃の許容範囲はＮw ＝８の素
子で＋１５〜−１８ｎｍ、Ｎw ＝１２の素子で＋８〜−
１２ｎｍ、Ｎw ＝１５の素子では＋６〜−１０ｎｍの範
囲に制限される。このように、広い温度範囲及びΔλ25
℃に対して十分なＦＭＳＲを確保するという観点におい
て、Ｎw は１５以下であることが望ましい。
【００３０】以上の結果から、−４０〜＋８５℃という
広い温度範囲において伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常
６２２．０８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８３２Ｇｂ／
ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ以上）とい
う長距離高速光通信システムの光源として用いることが
できる１．３μｍ帯ＩｎＧａＡｓＰ系λ／４シフト歪Ｍ
ＱＷ−ＬＤを実現し、高い歩留まりで安価に生産供給す
るためには「共振器長３００〜６００μｍ、且つ、室温
での離調量−１５〜＋１５ｎｍで、量子井戸数８〜１５
層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が３〜１０％
であること」が必要となる。
広い温度範囲において伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常
６２２．０８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８３２Ｇｂ／
ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ以上）とい
う長距離高速光通信システムの光源として用いることが
できる１．３μｍ帯ＩｎＧａＡｓＰ系λ／４シフト歪Ｍ
ＱＷ−ＬＤを実現し、高い歩留まりで安価に生産供給す
るためには「共振器長３００〜６００μｍ、且つ、室温
での離調量−１５〜＋１５ｎｍで、量子井戸数８〜１５
層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が３〜１０％
であること」が必要となる。
【００３１】図５は上述の設計パラメータ範囲内におい
て作製した素子の一例として、「Ｌ＝４５０μｍ，Δλ
25℃＝０ｎｍ，Ｎw ＝１０（Γw ＝６％）」のλ／４シ
フト歪ＭＱＷ−ＬＤの電流−高出力特性の温度特性、な
らびに−４０℃，＋２５℃，＋８５℃における６２２Ｍ
ｂ／ｓ−５０ｋｍ伝送特性の典型例を示したものである
が、８５℃においても「閾値電流３７ｍＡ，５ｍＷ出力
時の駆動電流６７ｍＡ，２５℃からの微分効率低下率
２．３ｄＢ」という優れた高温光出力特性と、−４０〜
＋８５℃という広い温度範囲において符号誤り率１０
-11 以下までエラーフロアの無い良好な伝送特性を実現
している。
て作製した素子の一例として、「Ｌ＝４５０μｍ，Δλ
25℃＝０ｎｍ，Ｎw ＝１０（Γw ＝６％）」のλ／４シ
フト歪ＭＱＷ−ＬＤの電流−高出力特性の温度特性、な
らびに−４０℃，＋２５℃，＋８５℃における６２２Ｍ
ｂ／ｓ−５０ｋｍ伝送特性の典型例を示したものである
が、８５℃においても「閾値電流３７ｍＡ，５ｍＷ出力
時の駆動電流６７ｍＡ，２５℃からの微分効率低下率
２．３ｄＢ」という優れた高温光出力特性と、−４０〜
＋８５℃という広い温度範囲において符号誤り率１０
-11 以下までエラーフロアの無い良好な伝送特性を実現
している。
【００３２】λ／４シフトＤＦＢ−ＬＤは数Ｇｂ／ｓ以
上の伝送速度、例えば２．４８８３２Ｇｂ／ｓという高
速伝送においても、ストップバンド幅中央付近のブラッ
グ波長で安定した単一軸モード発振が得られるという点
において有利である。しかしながら、このような高速伝
送に適用する素子には十分な高速応答特性が必要であ
り、ここでも共振器長Ｌ、量子井戸数Ｎw もしくは量子
井戸層への光閉じ込め係数Γw 、ならびに離調量Δλが
各々素子の高速応答特性に大きな影響を及ぼし、−４０
〜８５℃の温度範囲で実用的に十分な光出力特性と伝送
速度数Ｇｂ／ｓ以上の長距離伝送を実現するための値は
更に限定されたものとなる。
上の伝送速度、例えば２．４８８３２Ｇｂ／ｓという高
速伝送においても、ストップバンド幅中央付近のブラッ
グ波長で安定した単一軸モード発振が得られるという点
において有利である。しかしながら、このような高速伝
送に適用する素子には十分な高速応答特性が必要であ
り、ここでも共振器長Ｌ、量子井戸数Ｎw もしくは量子
井戸層への光閉じ込め係数Γw 、ならびに離調量Δλが
各々素子の高速応答特性に大きな影響を及ぼし、−４０
〜８５℃の温度範囲で実用的に十分な光出力特性と伝送
速度数Ｇｂ／ｓ以上の長距離伝送を実現するための値は
更に限定されたものとなる。
【００３３】図６は素子の高速応答特性の目安として２
５℃において光出力５ｍＷ時の緩和振動周波数ｆr の共
振器長Ｌ、量子井戸数Ｎw 、ならびに２５℃における離
調量Δλ25℃依存性を示したものであるが、Ｌが小さ
く、Ｎw あるいはΓw が大きく、Δλ25℃が小さいほど
高速応答特性が向上する。また、図７は光出力５ｍＷ時
の緩和振動周波数ｆr の温度依存性を示したものである
が、低温領域では離調量Δλが正にシフトするために高
速応答特性が低下する。この点を考慮すると、素子の高
速応答特性に与える影響が極めて大きいΔλ25℃は０以
下であることが望ましい。以上の結果から、−４０〜＋
８５℃という広い温度範囲で伝送速度数Ｇｂ／ｓ以上
（通常２．４８８３２Ｇｂ／ｓ），伝送距離数十ｋｍ以
上（通常４０ｋｍ）の長距離高速伝送の光源として適用
することができる１．３μｍ帯ＩｎＧａＡｓＰ系λ／４
シフト歪ＭＱＷ−ＬＤを実現し、高い歩留まりで安価に
生産供給するためには「共振器長３００〜５００μｍ、
且つ、室温での離調量−１５〜０ｎｍで、量子井戸数１
０〜１５あるいは量子井戸層への光閉じ込め係数Γw が
５〜１０％」であることが必要となる。
５℃において光出力５ｍＷ時の緩和振動周波数ｆr の共
振器長Ｌ、量子井戸数Ｎw 、ならびに２５℃における離
調量Δλ25℃依存性を示したものであるが、Ｌが小さ
く、Ｎw あるいはΓw が大きく、Δλ25℃が小さいほど
高速応答特性が向上する。また、図７は光出力５ｍＷ時
の緩和振動周波数ｆr の温度依存性を示したものである
が、低温領域では離調量Δλが正にシフトするために高
速応答特性が低下する。この点を考慮すると、素子の高
速応答特性に与える影響が極めて大きいΔλ25℃は０以
下であることが望ましい。以上の結果から、−４０〜＋
８５℃という広い温度範囲で伝送速度数Ｇｂ／ｓ以上
（通常２．４８８３２Ｇｂ／ｓ），伝送距離数十ｋｍ以
上（通常４０ｋｍ）の長距離高速伝送の光源として適用
することができる１．３μｍ帯ＩｎＧａＡｓＰ系λ／４
シフト歪ＭＱＷ−ＬＤを実現し、高い歩留まりで安価に
生産供給するためには「共振器長３００〜５００μｍ、
且つ、室温での離調量−１５〜０ｎｍで、量子井戸数１
０〜１５あるいは量子井戸層への光閉じ込め係数Γw が
５〜１０％」であることが必要となる。
【００３４】図８は上述の設計パラメータ範囲内におい
て作製した素子の一例として、「Ｌ＝４５０μｍ，Δλ
25℃＝─８ｎｍ，Ｎw ＝１２（Γw ＝６．６％）」のλ
／４シフト歪ＭＱＷ−ＬＤの電流−光出力特性の温度特
性、ならびに−４０℃，＋８５℃における２．４８８３
２Ｇｂ／ｓ−４０ｋｍ伝送特性の典型例を示したもので
あるが、８５℃においても「閾値電流４２ｍＡ，５ｍＷ
出力時の駆動電流７２ｍＡ，２５℃からの微分効率の低
下率２．５ｄＢ」という優れた高温光出力特性と、−４
０〜＋８５℃における符号誤り率１０-11 以下までエラ
ーフロアの無い良好な伝送特性を実現している。
て作製した素子の一例として、「Ｌ＝４５０μｍ，Δλ
25℃＝─８ｎｍ，Ｎw ＝１２（Γw ＝６．６％）」のλ
／４シフト歪ＭＱＷ−ＬＤの電流−光出力特性の温度特
性、ならびに−４０℃，＋８５℃における２．４８８３
２Ｇｂ／ｓ−４０ｋｍ伝送特性の典型例を示したもので
あるが、８５℃においても「閾値電流４２ｍＡ，５ｍＷ
出力時の駆動電流７２ｍＡ，２５℃からの微分効率の低
下率２．５ｄＢ」という優れた高温光出力特性と、−４
０〜＋８５℃における符号誤り率１０-11 以下までエラ
ーフロアの無い良好な伝送特性を実現している。
【００３５】次に、本発明の第２の実施形態として、ｐ
−ＩｎＰ基板上の活性層に第１の実施形態と同じくＩｎ
ＧａＡｓＰの歪ＭＱＷ構造を用い、電流狭窄構造として
有機金属化合物気相成長法（以下ＭＯＶＰＥ法）により
埋め込み成長したＰＢＨ構造を用いた場合について述べ
る。図９は本実施例にかかる「Ｌ＝４５０μｍ，Δλ25
℃＝０ｎｍ，Ｎw ＝１０（Γw ＝６％）」のλ／４シフ
ト歪ＭＱＷ−ＬＤの電流−光出力特性の温度特性を示し
たものである。ＭＯＶＰＥ法を用いる事により、第一の
実施例の如く液相成長法（以下、ＬＰＥ法）でＤＣ−Ｐ
ＢＨ構造を形成した場合よりも、電流狭窄構造作製上の
制御性ならびに再現性を向上することが可能であり、ま
た同図において確認できるように、室温付近あるいはそ
れ以下の温度における閾電流値の低減効果が顕著であ
る。しかしながら８５℃における閾電流値、あるいはス
ロープ効率の低下率、５ｍＷ光出力時の駆動電流値は第
１の実施形態において示したＤＣ−ＰＢＨ構造の素子と
同程度である。また、電流狭窄構造あるいはその成長方
法の違いによってＦＭＳＲならびに高速変調特性が大き
く変化することはなく、共振器長、室温離調量、ならび
に量子井戸数（あるいは光閉じ込め係数）が素子特性に
与える影響が最も支配的である。
−ＩｎＰ基板上の活性層に第１の実施形態と同じくＩｎ
ＧａＡｓＰの歪ＭＱＷ構造を用い、電流狭窄構造として
有機金属化合物気相成長法（以下ＭＯＶＰＥ法）により
埋め込み成長したＰＢＨ構造を用いた場合について述べ
る。図９は本実施例にかかる「Ｌ＝４５０μｍ，Δλ25
℃＝０ｎｍ，Ｎw ＝１０（Γw ＝６％）」のλ／４シフ
ト歪ＭＱＷ−ＬＤの電流−光出力特性の温度特性を示し
たものである。ＭＯＶＰＥ法を用いる事により、第一の
実施例の如く液相成長法（以下、ＬＰＥ法）でＤＣ−Ｐ
ＢＨ構造を形成した場合よりも、電流狭窄構造作製上の
制御性ならびに再現性を向上することが可能であり、ま
た同図において確認できるように、室温付近あるいはそ
れ以下の温度における閾電流値の低減効果が顕著であ
る。しかしながら８５℃における閾電流値、あるいはス
ロープ効率の低下率、５ｍＷ光出力時の駆動電流値は第
１の実施形態において示したＤＣ−ＰＢＨ構造の素子と
同程度である。また、電流狭窄構造あるいはその成長方
法の違いによってＦＭＳＲならびに高速変調特性が大き
く変化することはなく、共振器長、室温離調量、ならび
に量子井戸数（あるいは光閉じ込め係数）が素子特性に
与える影響が最も支配的である。
【００３６】以上の理由から電流狭窄構造としてＭＯＶ
ＰＥ法により埋め込み成長したＰＢＨ構造、あるいは他
の電流狭窄構造やリッジ導波路型のＬＤにおいても、活
性層にＩｎＧａＡｓＰからなる歪ＭＱＷを用いた場合に
は、−４０〜＋８５℃という広い温度範囲において伝送
速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２２．０８Ｍｂ／ｓある
いは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上
（通常４０ｋｍ以上）という長距離高速光通信システム
の光源として用いることができる１．３μｍ帯ＩｎＧａ
ＡｓＰ系Δλシフト歪ＭＱＷ−ＬＤを実現し、高い歩留
まりで安価に生産供給するためには「共振器長３００〜
６００μｍ、且つ、室温での離調量−１５〜＋１５ｎｍ
で、量子井戸数８〜１５層もしくは量子井戸層への光閉
じ込め係数が３〜１０％であること」が必要となる。
ＰＥ法により埋め込み成長したＰＢＨ構造、あるいは他
の電流狭窄構造やリッジ導波路型のＬＤにおいても、活
性層にＩｎＧａＡｓＰからなる歪ＭＱＷを用いた場合に
は、−４０〜＋８５℃という広い温度範囲において伝送
速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２２．０８Ｍｂ／ｓある
いは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上
（通常４０ｋｍ以上）という長距離高速光通信システム
の光源として用いることができる１．３μｍ帯ＩｎＧａ
ＡｓＰ系Δλシフト歪ＭＱＷ−ＬＤを実現し、高い歩留
まりで安価に生産供給するためには「共振器長３００〜
６００μｍ、且つ、室温での離調量−１５〜＋１５ｎｍ
で、量子井戸数８〜１５層もしくは量子井戸層への光閉
じ込め係数が３〜１０％であること」が必要となる。
【００３７】次に本発明の第３の実施形態として、活性
層にＡｌＧａＩｎＡｓの歪ＭＱＷを用いたリッジ導波路
型λ／４シフトＤＦＢ−ＬＤの場合について述べる。本
実施例において採用したＡｌＧａＩｎＡｓ活性層は、図
１０に歪み量子井戸層１２、バリア層１４における量子
井戸層の伝導帯ポテンシャルＰ１，Ｐ２、バリア層の伝
導帯ポテンシャルＰ３，Ｐ４、伝導帯のバンド不連続量
ΔＥｃ、価電子帯のバンド不連続量ΔＥｖを示すよう
に、ヘテロ接合界面における伝導帯のバンド不連続量Δ
Ｅc が同じバンドギャップ差のＩｎＧａＡｓＰのヘテロ
界面よりも大きくなるため、正孔に比べて有効質量の小
さな電子の量子井戸層への閉じ込めが強く、高温でのキ
ャリアオーバーフローが小さい。この結果、ＩｎＧａＡ
ｓＰ系のＬＤよりも高温での光出力特性の劣化が少ない
ＬＤを得ることができる。
層にＡｌＧａＩｎＡｓの歪ＭＱＷを用いたリッジ導波路
型λ／４シフトＤＦＢ−ＬＤの場合について述べる。本
実施例において採用したＡｌＧａＩｎＡｓ活性層は、図
１０に歪み量子井戸層１２、バリア層１４における量子
井戸層の伝導帯ポテンシャルＰ１，Ｐ２、バリア層の伝
導帯ポテンシャルＰ３，Ｐ４、伝導帯のバンド不連続量
ΔＥｃ、価電子帯のバンド不連続量ΔＥｖを示すよう
に、ヘテロ接合界面における伝導帯のバンド不連続量Δ
Ｅc が同じバンドギャップ差のＩｎＧａＡｓＰのヘテロ
界面よりも大きくなるため、正孔に比べて有効質量の小
さな電子の量子井戸層への閉じ込めが強く、高温でのキ
ャリアオーバーフローが小さい。この結果、ＩｎＧａＡ
ｓＰ系のＬＤよりも高温での光出力特性の劣化が少ない
ＬＤを得ることができる。
【００３８】したがって、本発明の第１の実施形態及び
第２の実施形態で述べた、活性層にＩｎＧａＡｓＰの歪
ＭＱＷを用いたλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤよりも所要の
高温光出力特性を実現するための共振器長Ｌ、離調量Δ
λ、量子井戸層数Ｎw あるいは光閉じ込め係数Γw に必
要とされる制限は緩和され、−４０〜＋８５℃において
伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２２．０８Ｍｂ／ｓ
あるいは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ
以上（通常４０ｋｍ以上）という長距離高速光通信シス
テムの光源として用いることが可能な半導体レーザ装置
を得るための値は「共振器長２５０〜６００μｍ、且
つ、室温での離調量−２０〜＋１５ｎｍで、量子井戸数
４〜１５層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が２
〜１０％」となり、伝送速度数Ｇｂ／ｓ以上の（通常
２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上（通
常４０ｋｍ以上）という長距離高速光通信システムの光
源として用いることができる半導体レーザ装置を高い歩
留まりで安価に生産供給するための値は「共振器長２５
０〜５００μｍ、且つ、室温での離調量−２０〜＋０ｎ
ｍで、量子井戸数５〜１５層もしくは量子井戸層への光
閉じ込め係数が３〜１０％」となる。
第２の実施形態で述べた、活性層にＩｎＧａＡｓＰの歪
ＭＱＷを用いたλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤよりも所要の
高温光出力特性を実現するための共振器長Ｌ、離調量Δ
λ、量子井戸層数Ｎw あるいは光閉じ込め係数Γw に必
要とされる制限は緩和され、−４０〜＋８５℃において
伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２２．０８Ｍｂ／ｓ
あるいは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ
以上（通常４０ｋｍ以上）という長距離高速光通信シス
テムの光源として用いることが可能な半導体レーザ装置
を得るための値は「共振器長２５０〜６００μｍ、且
つ、室温での離調量−２０〜＋１５ｎｍで、量子井戸数
４〜１５層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が２
〜１０％」となり、伝送速度数Ｇｂ／ｓ以上の（通常
２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距離数十ｋｍ以上（通
常４０ｋｍ以上）という長距離高速光通信システムの光
源として用いることができる半導体レーザ装置を高い歩
留まりで安価に生産供給するための値は「共振器長２５
０〜５００μｍ、且つ、室温での離調量−２０〜＋０ｎ
ｍで、量子井戸数５〜１５層もしくは量子井戸層への光
閉じ込め係数が３〜１０％」となる。
【００３９】図１１は活性層にＡｌＧａＩｎＡｓ歪ＭＱ
Ｗを用いた「Ｌ＝３００μｍ，Δλ25℃＝−６ｎｍ，Ｎ
w ＝１０（Γw ＝５％）」のλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤ
の電流−光出力特性の温度特性の典型例を示したもので
あるが、８５℃においても「閾値電流３５ｍＡ，５ｍＷ
出力時の駆動電流６０ｍＡ，２５℃からの微分率低下率
１．２ｄＢ」という優れた高温光出力特性が得られてお
り、−４０〜＋８５℃という広い温度範囲において符号
誤り率１０-11 以下までエラーフロアの無い良好な２．
４８８３２Ｇｂ／ｓ−４０ｋｍ伝送を実現している。
Ｗを用いた「Ｌ＝３００μｍ，Δλ25℃＝−６ｎｍ，Ｎ
w ＝１０（Γw ＝５％）」のλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤ
の電流−光出力特性の温度特性の典型例を示したもので
あるが、８５℃においても「閾値電流３５ｍＡ，５ｍＷ
出力時の駆動電流６０ｍＡ，２５℃からの微分率低下率
１．２ｄＢ」という優れた高温光出力特性が得られてお
り、−４０〜＋８５℃という広い温度範囲において符号
誤り率１０-11 以下までエラーフロアの無い良好な２．
４８８３２Ｇｂ／ｓ−４０ｋｍ伝送を実現している。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、優れた高
温動作特性と広温度範囲での優れたスペクトル特性、具
体的には８５℃での閾電流値５０ｍＡ以下，２５℃から
８５℃の温度上昇に帯する微分効率の低下率３ｄＢ以
下，８５℃における５ｍＷ出力時の駆動電流８０ｍＡ以
下、−４０〜＋８５℃の温度範囲における３０ｄＢ以上
のＦＰモード抑圧比を有するλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤ
を高い歩留まりで作製することができるということであ
る。これにより、−４０〜＋８５℃という広い温度範囲
において、伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２２．０
８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距
離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ以上）という長距離高速
光通信システムの光源として使用することができる光半
導体装置を安価に大量に供給することができる。その理
由は、素子パラメータが本発明において見出した範囲内
にあるときにのみ、上述の如く広い温度範囲で良好な特
性を有するＬＤを高い歩留まりで作製する事が可能であ
り、これにより、光半導体装置においてＬＤを一定の温
度に保つための温度制御装置を不要とし、半導体光装置
の大きさ、消費電力、ならびに製造コストを低減するこ
とができるからである。
温動作特性と広温度範囲での優れたスペクトル特性、具
体的には８５℃での閾電流値５０ｍＡ以下，２５℃から
８５℃の温度上昇に帯する微分効率の低下率３ｄＢ以
下，８５℃における５ｍＷ出力時の駆動電流８０ｍＡ以
下、−４０〜＋８５℃の温度範囲における３０ｄＢ以上
のＦＰモード抑圧比を有するλ／４シフトＤＦＢ−ＬＤ
を高い歩留まりで作製することができるということであ
る。これにより、−４０〜＋８５℃という広い温度範囲
において、伝送速度数百Ｍｂ／ｓ以上（通常６２２．０
８Ｍｂ／ｓあるいは２．４８８３２Ｇｂ／ｓ）、伝送距
離数十ｋｍ以上（通常４０ｋｍ以上）という長距離高速
光通信システムの光源として使用することができる光半
導体装置を安価に大量に供給することができる。その理
由は、素子パラメータが本発明において見出した範囲内
にあるときにのみ、上述の如く広い温度範囲で良好な特
性を有するＬＤを高い歩留まりで作製する事が可能であ
り、これにより、光半導体装置においてＬＤを一定の温
度に保つための温度制御装置を不要とし、半導体光装置
の大きさ、消費電力、ならびに製造コストを低減するこ
とができるからである。
【図１】本発明の第１の実施形態のレーザダイオード素
子の斜視図である。
子の斜視図である。
【図２】第１の実施形態におけるスロープ効率の低下率
及び室温離調量と、閾電流値及び光出力時駆動電流のそ
れぞれ量子井戸数依存性を示す図である。
及び室温離調量と、閾電流値及び光出力時駆動電流のそ
れぞれ量子井戸数依存性を示す図である。
【図３】第１の実施形態におけるスロープ効率の低下率
と、閾電流値及び光出力時駆動電流のそれぞれ共振器長
依存性を示す図である。
と、閾電流値及び光出力時駆動電流のそれぞれ共振器長
依存性を示す図である。
【図４】第１の実施形態におけるＦＰモード抑圧比の温
度特性と、ＦＭＳＲの室温離調量依存性を示す図であ
る。
度特性と、ＦＭＳＲの室温離調量依存性を示す図であ
る。
【図５】第１の実施形態における電流−光出力特性の温
度特性及び伝送特性の典型例を示す図である。
度特性及び伝送特性の典型例を示す図である。
【図６】第１の実施形態における緩和振動周波数の共振
器長、量子井戸数、室温離調量依存性を示す図である。
器長、量子井戸数、室温離調量依存性を示す図である。
【図７】第１の実施形態における緩和振動周波数の温度
依存性を示す図である。
依存性を示す図である。
【図８】第１の実施形態における電流−光出力特性の温
度特性、伝送特性の典型例を示す図である。
度特性、伝送特性の典型例を示す図である。
【図９】第２の実施形態における電流−光出力特性の温
度特性の典型例を示す図である。
度特性の典型例を示す図である。
【図１０】ＩｎＧａＡｓＰ系量子井戸とＡｌＧａＩｎＡ
ｓ系量子井戸におけるバンド端不連続量の違いを示す図
である。
ｓ系量子井戸におけるバンド端不連続量の違いを示す図
である。
【図１１】第３の実施形態における電流−光出力特性の
温度特性の典型例を示す図である。
温度特性の典型例を示す図である。
【図１２】レーザダイオードの電流−光出力特性の温度
依存性を示す図である。
依存性を示す図である。
【図１３】ＦＰ−ＬＤの縦多モード発振と、ＤＦＢ−Ｌ
Ｄの単一縦モード発振を示す図である。
Ｄの単一縦モード発振を示す図である。
【図１４】ＤＦＢ−ＬＤの発振閾値前スペクトルの温度
変化を示す図である。
変化を示す図である。
【図１５】均一回折格子ＤＦＢ−ＬＤにおける低温での
ＦＰモード抑圧特性の劣化を示す図である。
ＦＰモード抑圧特性の劣化を示す図である。
【図１６】λ／４シフト回折格子と、λ／４シフトＤＦ
Ｂ−ＬＤにおけるストップバンド中央付近での安定した
単一軸モード発振の例と、典型的なλ／４シフトＤＦＢ
−ＬＤの電流−光出力特性の温度依存性を示す図であ
る。
Ｂ−ＬＤにおけるストップバンド中央付近での安定した
単一軸モード発振の例と、典型的なλ／４シフトＤＦＢ
−ＬＤの電流−光出力特性の温度依存性を示す図であ
る。
１１ ｎ型ＩｎＰ基板 １２ 歪み量子井戸層 １３ バリア層 １４ ＤＣ−ＰＢＨ電流狭窄構造 １５ λ／４シフト回折格子 １６ ｎ側電極 １７ 無反射コーティング膜 １８ ｐ側パッド電極
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子井戸からなる
活性層を有し、共振器長３００〜６００μｍ、かつ、室
温での離調量−１５〜＋１５ｎｍで、量子井戸数８〜１
５層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が３〜１０
％であることを特徴とする１．３μｍ帯λ／４シフト分
布帰還型のレーザダイオード素子。 - 【請求項２】 ＩｎＧａＡｓＰ歪多重量子井戸からなる
活性層を有し、共振器長４００〜５００μｍ、かつ、室
温での離調量−１０〜＋１０ｎｍで、量子井戸数１０〜
１２層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が５〜８
％であることを特徴とする１．３μｍ帯λ／４シフト分
布帰還型のレーザダイオード素子。 - 【請求項３】 ＡｌＧａＩｎＡｓ歪多重量子井戸からな
る活性層を有し、共振器長２５０〜６００μｍ、かつ、
室温での離調量−２０〜＋１５ｎｍで、量子井戸数５〜
１５層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が２〜１
０％であることを特徴とする１．３μｍ帯λ／４シフト
分布帰還型のレーザダイオード素子。 - 【請求項４】 ＡｌＧａＩｎＡｓ歪多重量子井戸からな
る活性層を有し、共振器長３００〜５００μｍ、且つ、
室温での離調量−１５〜＋１０ｎｍで、量子井戸数６〜
１２層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が２．５
〜８％であることを特徴とする１．３μｍ帯λ／４シフ
ト分布帰還型のレーザダイオード素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308357A JPH09129970A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | レーザダイオード素子 |
| EP96117523A EP0772267A1 (en) | 1995-10-31 | 1996-10-31 | Laser diode device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308357A JPH09129970A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | レーザダイオード素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129970A true JPH09129970A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17980096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7308357A Pending JPH09129970A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | レーザダイオード素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0772267A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09129970A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303495A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
| JPH11233877A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Nec Corp | アレイ型レーザダイオード |
| JP2003060285A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積デバイス |
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