JP2005229011A - 波長可変半導体レーザ及びガス検知装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型半導体基板11と、n型半導体基板の上方に配置され光を生成する活性層17と、この活性層の上方に配置されたp型クラッド層22と、活性層によって生成される光のなかから特定の波長のみを選択的に発振させる回折格子(15)を備えた波長可変型半導体レーザ27において、
活性層における生成された光の伝搬方向の長さを示す素子長Lを200μm乃至500μmに設定する。さらに、p型クラッド層22は、活性層側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度クラッド層19と高不純物濃度を有する高濃度クラッド層20を含む。
【選択図】 図1
Description
発明者の実験結果によると、図4に示すように、前記素子長Lは200μm乃至500μmが最適であることが実証された。なお、図4に示した実験結果は活性層幅が2.2μmの素子を用いて得られた。
発明者の実験結果によると、図5に示すように、前記活性層幅Wは1μm乃至2μmが最適であることが実証された。なお、図5に示した実験結果は素子長が600μmの素子を用いて得られた。
図1は本発明の第1実施形態に係わる波長可変型半導体レーザを光の伝搬方向に沿って切断した断面図である。図2は図1の波長可変型半導体レーザをA―A’線で切断した場合の断面図である。この第1実施形態の波長可変型半導体レーザ27は、分布帰還型(Distributed Feedback DFB)半導体レーザで形成されている。
なお、この波長可変型半導体レーザ27の光の伝搬方向の素子長Lは300μmである。
なお、この波長可変型半導体レーザ27の光の伝搬方向と直交する方向の活性層17の活性層幅Wは1.5μmに設定されている。
第1実施形態の波長可変型半導体レーザ27と同一構造で、素子長Lのみが異なる複数種類の半導体レーザを作成して、各半導体レーザにおける前述した周波数変調効率ηを測定した。図4は、素子長Lと周波数変調効率ηとの関係を示す特性図である。この波長可変型半導体レーザ27をガス分析装置のレーザ光源に用いた場合に、消費電力等やレーザ光の変調歪み等から必要な周波数変調効率ηとしては、0.1GHz/mA以上である。また、200μm未満の素子長Lの半導体レーザを安定的に製造することは現在の製造技術水準では非常に煩雑で困難であるうえ、出力が低下してくる。したがって、波長可変型半導体レーザ27の素子長Lは200μm〜500μmが最適範囲である。
図7は本発明の第2実施形態に係わるガス検知装置の概略構成を示す模式図である。図9に示す従来のガス検知装置と同一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説明を省略する。このガス検知装置には、第1実施形態の波長可変型半導体レーザ27が組込まれている。
Claims (4)
- n型半導体基板(11)と、このn型半導体基板の上方に配置され光を生成する活性層(17)と、この活性層の上方に配置されたp型クラッド層(22)と、前記活性層によって生成される光のなかから特定の波長のみを選択的に発振させる回折格子(15)を備え、前記活性層に電流を注入することによって前記特定の波長で発振すると共に、前記電流の大きさを変化させることによって前記特定の波長を変化させることのできる波長可変型半導体レーザ(27)において、
前記活性層における前記生成された光の伝搬方向の長さを示す素子長(L)は200μm乃至500μmであり、
前記p型クラッド層(22)は、前記活性層側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度クラッド層(19)と高不純物濃度を有する高濃度クラッド層(20)を有する
ことを特徴とする波長可変型半導体レーザ。 - n型半導体基板(11)と、このn型半導体基板の上方に配置され光を生成する活性層(17)と、この活性層の上方に配置されたp型クラッド層(22)と、前記活性層によって生成される光のなかから特定の波長のみを選択的に発振させる回折格子(15)を備え、前記活性層に電流を注入することによって前記特定の波長で発振すると共に、前記電流の大きさを変化させることによって前記特定の波長を変化させることのできる波長可変型半導体レーザ(27)において、
前記活性層における前記生成された光の伝搬方向と直交し、かつ基板に平行な方向の長さを示す活性層幅(W)は1μm乃至2μmであり、
前記p型クラッド層(22)は、前記活性層側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度クラッド層(19)と高不純物濃度を有する高濃度クラッド層(20)を有する
ことを特徴とする波長可変型半導体レーザ。 - n型半導体基板(11)と、このn型半導体基板の上方に配置され光を生成する活性層(17)と、この活性層の上方に配置されたp型クラッド層(22)と、前記活性層によって生成される光のなかから特定の波長のみを選択的に発振させる回折格子(15)を備え、前記活性層に電流を注入することによって前記特定の波長で発振すると共に、前記電流の大きさを変化させることによって前記特定の波長を変化させることのできる波長可変型半導体レーザ(27)において、
前記活性層における前記生成された光の伝搬方向の長さを示す素子長(L)は200μm乃至500μmであり、
前記活性層における前記生成された光の伝搬方向と直交し、かつ基板に平行な方向の長さを示す活性層幅(W)は1μm乃至2μmであり、
前記p型クラッド層(22)は、前記活性層側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度クラッド層(19)と高不純物濃度を有する高濃度クラッド層(20)を有する
ことを特徴とする波長可変型半導体レーザ。 - 所定周波数で波長が変調されたレーザ光を出射する半導体レーザが組込まれた半導体レーザモジュール(1a)と、この半導体レーザモジュールから出射されて被測定ガス(3)を透過したレーザ光を受光して電気信号に変換する受光器(4)と、この受光器から出力された電気信号に基づいて前記被測定ガスを検知するガス検知部(5)とを備えたガス検知装置において、
前記半導体レーザモジュールに組込まれた半導体レーザは、請求項1から3のいずれか1項記載の波長可変型半導体レーザ(27)である
ことを特徴とするガス検知装置。
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