JP6465170B2 - 電子部品搭載用放熱基板 - Google Patents

電子部品搭載用放熱基板 Download PDF

Info

Publication number
JP6465170B2
JP6465170B2 JP2017140854A JP2017140854A JP6465170B2 JP 6465170 B2 JP6465170 B2 JP 6465170B2 JP 2017140854 A JP2017140854 A JP 2017140854A JP 2017140854 A JP2017140854 A JP 2017140854A JP 6465170 B2 JP6465170 B2 JP 6465170B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
lead frame
heat dissipation
substrate
insulating material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2017140854A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017216468A (ja
Inventor
嶋川　茂
茂 嶋川
崇 須永
崇 須永
孝明 関根
孝明 関根
光義 小暮
光義 小暮
鈴木　良一
良一 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NSK Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NSK Ltd filed Critical NSK Ltd
Publication of JP2017216468A publication Critical patent/JP2017216468A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6465170B2 publication Critical patent/JP6465170B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/10—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
    • B62D—MOTOR VEHICLES; TRAILERS
    • B62D5/00—Power-assisted or power-driven steering
    • B62D5/04—Power-assisted or power-driven steering electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear
    • B62D5/0403—Power-assisted or power-driven steering electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear characterised by constructional features, e.g. common housing for motor and gear box
    • B62D5/0406—Power-assisted or power-driven steering electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear characterised by constructional features, e.g. common housing for motor and gear box including housing for electronic control unit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K11/00—Structural association of dynamo-electric machines with electric components or with devices for shielding, monitoring or protection
    • H02K11/30—Structural association with control circuits or drive circuits
    • H02K11/33—Drive circuits, e.g. power electronics
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/20—Modifications of basic electric elements for use in electric measuring instruments; Structural combinations of such elements with such instruments
    • G01R1/203—Resistors used for electric measuring, e.g. decade resistors standards, resistors for comparators, series resistors, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H02M1/327—Means for protecting converters other than automatic disconnection against abnormal temperatures

Description

本発明は、配線抵抗を低減すると共に放熱性を改善させた、電子部品を実装乃至搭載するための基板に関するものであり、更に詳細には、打ち抜きなどにより、上記電子部品を実装するための回路パターン形状のリードフレームに形成した導体板の当該リードフレーム間に絶縁体を充填し、全体としては平面形状に形成した電子部品搭載用放熱基板に関するものである。
近年、例えば、車両に用いられる電動パワーステアリング装置などの電子機器では、いわゆるパワー半導体等を使用した電源回路やインバータ回路などのような大電力を扱う電子回路は、上記電子回路を備える電子機器等の小型化の要請に伴って、これらのパワー半導体等をひとまとめにしたパワー基板として形成し、上記大電力を扱う電子回路と小電力を扱う電子回路とを別の基板とする、専用基板化が進んでいる。
そして、こうしたパワー半導体を用いた回路の専用基板化を達成するためには、高密度に実装された上記パワー半導体等の損失による発熱を、効率良く放熱することが重要な課題となっている。
従来こうした専用基板（パワー基板）には、例えば、アルミニウムなどの材料により構成される金属支持板の表面に薄い絶縁体層を介して導体箔（銅製）を張り合わせ、この導体箔をエッチングすることにより配線パターンを形成する基板が用いられ、これにパワー半導体および各種電子部品を搭載して回路を形成している。
しかしながら上記の構成では、配線パターンの形成をエッチングにより行うため、導体箔には７０μｍ程度の薄いものが用いられ、大電流が流れるような上記パワー半導体等を用いた回路に使用する際には、その配線抵抗が問題となっていた。また上記の様な構成では、放熱特性が熱伝達係数の低い上記の絶縁体層により制限されてしまうことから、十分な性能が得られないという課題があった。
さらに、上記配線パターン上に上記パワー半導体等の電子部品をひとまとめに実装する際には、上記配線パターンによるインピーダンスやインダクタンスの特性等の配線パターン相互間の相互作用等を考慮する必要もあった。
そのため、上記従来の課題を解決するために、例えば、特許第３８５５３０６号（特許文献１）や、特開２０１４−７２３１６号公報（特許文献２）、及び、特開２０１３−１２５８４８号公報（特許文献３）、並びに、国際公開第２００９／１１０３７６号（特許文献４）等に記載された技術が開示されている。
上記特許文献１に記載された技術は、電子部品搭載用放熱基板に関するものであり、上記電子部品搭載用放熱基板は、所定の配線パターン状に打ち抜かれた金属板と、この金属板と一体成型された高熱伝導性の複合絶縁材料とを備え、前記複合絶縁材料から、少なくとも前記金属板における部品搭載部分を露出させるとともに、この部品搭載部分における発熱部品配置部には、段差加工部を設けた構造を有している。そして、上記電子部品搭載用放熱基板においては、上記段差加工部によって上記発熱部品配置部の下部に形成される前記複合絶縁材料が薄くなり、その結果として、金属板によって熱拡散した後、高熱伝導性の絶縁材料によって放熱されるため、放熱性が良好になる旨が記載されている。
また、上記特許文献２に記載された発明は、電動モータを駆動するためのパワーモジュールを形成する際に、上側と下側とからなるスイッチング素子対をパワーモジュール内部に電源ブロックとグランドブロックに隣接して配置し、電源に接続される電源端子及びグランドに接続されるグランド端子と、前記スイッチング素子対のそれぞれの制御端子とは互いに離間して配置する構成としている。そして、上記特許文献２に記載された発明では、上記のように、制御用端子と電源端子およびグランド端子とを離間させたことで、損失やノイズを低減可能なパワーモジュールを実現できる旨が記載されている。
また、上記特許文献３に記載された発明は、シリコンカーバイドデバイス等を用いたパワーデバイスのパッケージケースを小型化する際に、上記パワーモジュールのサイズを小型化すると、端子間距離が狭くなり、端子間で放電現象が生じる可能性が高くなる等の問題の解決を目的としたものである。そして、その解決のために、上記特許文献３には、「基板と、前記基板の第１の辺に配置された低圧側ゲート端子電極と、前記第１の辺に配置され、かつ前記低圧側ゲート端子電極に隣接して配置された低圧側ソース端子電極と、前記第１の辺に配置され、かつ前記低圧側ゲート端子電極および前記低圧側ソース端子電極と離隔して配置された高圧側ゲート端子電極と、前記第１の辺に配置され、かつ前記高圧側ゲート端子電極に隣接して配置された高圧側ソース端子電極と、前記基板の第１の辺と別の第２の辺に配置された出力端子電極と、前記第１の辺および前記第２の辺と異なる前記基板の第３の辺に配置された電源電圧供給端子電極と、前記第３の辺に配置され、かつ前記電源電圧供給端子電極と離隔して配置された接地電位電極とを備える」パワーモジュール半導体装置が記載されており、上記パワーモジュール半導体装置の端子電極をモールドパッケージの３方向から出して絶縁距離をとることができる旨が記載されている。
また、上記特許文献４に記載された技術は、リードフレーム基板等に関するものであり、電子部品を保持するための互いに独立した複数のパターンと、隣接するパターン間の間隙部に充填され該隣接するパターン相互を接続する樹脂接合材とを備えてなることを特徴としており、上記樹脂接合材は、上記パターンの表面位置より厚さ方向に突出させ、上記基板の裏面には、熱伝導樹脂シートを介して、金属ベース板や金属冷却フィンが設けられることが記載されている。
特許第３８５５３０６号公報 特開２０１４−７２３１６号公報 特開２０１３−１２５８４８号公報 国際公開第２００９／１１０３７６号
しかし、上記特許文献１に記載された技術では、所定の配線パターン状に打ち抜かれた金属板と、この金属板と一体成型された高熱伝導性の複合絶縁材料とを備えているものの、上記金属板部分は上記複合絶縁材料に覆われており、上記複合絶縁材料から、上記金属板における部品搭載部分のみを露出させる構造を採用している。そのため、上記構造によっては、上記金属板部分を含む基板全体から外部環境への放熱が十分に果たされず、前記複合絶縁材料内に熱が蓄積しやすいという課題があった。
また、上記特許文献２及び上記特許文献３に記載された技術は、スイッチング素子等を備えた回路やパワーデバイス素子自体をリードフレーム上にマウント又は作成して、配線と半田接合または、バスバー等にワイヤボンディング等で接続する方式を採用している。
しかし、上記特許文献２の回路が実装される基板は、上記特許文献１に記載されたものと同様に、配線パターンが形成された下側の層に絶縁層を設けた一般的なものであり、上記特許文献１の場合と同様に熱の蓄積という課題を生ずるものである。また、上記特許文献３に記載された技術は、上記パワーモジュールを構成する素子をトランスファーモールドのパッケージにより形成しているため、上記特許文献１及び上記特許文献２の場合と同様に熱の蓄積という課題を生ずるものであった。
また、上記特許文献４に記載された技術では、電子部品を保持するための互いに独立した複数のパターンと、隣接するパターン間の間隙部に充填され該隣接するパターン相互を接続する樹脂接合材とを備えてなるものの、上記樹脂接合材は、上記パターンの表面位置より厚さ方向に突出しているため部品配置の自由度が制限されている。また、上記リードフレームは、厚みが同一であることから、一般的にはプレス等により所定パターンに加工する際に、上記リードフレーム間に上記厚みに応じた一定の距離（隙間）を設ける必要があることから、リードフレームの配線密度を向上させるには制限があった。また更に、上記特許文献４に記載された発明では、基板に部品を実装した後に別工程であるワイヤボンディングにより部品間の配線を行う必要があった。
そこで、本発明は、上記課題の解決を目的とするものであり、大電流が流れるようなパワー半導体等を用いた回路であっても、大電力動作による配線抵抗の低減と放熱性の向上とを図ることが可能な電子部品搭載用放熱基板を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために本発明は、電子部品を実装するための配線パターン形状のリードフレームに形成した導体板と、前記導体板の前記配線パターン形状のリードフレーム間に設けられた絶縁材とにより構成され、前記導体板の電子部品配置面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の板面とを同一面上に形成し、前記導体板の前記電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の裏面の板面とを同一面上に形成した電子部品搭載用放熱基板であって、前記配線パターン形状のリードフレームは、少なくとも２種類以上の相互に異なる厚さを有し、前記配線パターン形状のリードフレームの前記電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の裏面の板面とは、前記リードフレームのうち最も厚みを有する前記リードフレームの前記電子部品配置面の裏面の板面に合わせて、同一面上に形成し、前記相互に異なる厚さを有するリードフレームは、相互に交差や重なり合いを生ずることなく配線パターンを形成すると共に、前記電子部品が実装されることにより、前記相互に異なる厚みを有するリードフレームが電子回路を形成するように構成され、厚みの薄いリードフレームの配線幅は厚みの厚いリードフレームの配線幅よりも狭く形成されると共に、前記電子部品配置面を上面から見た場合に前記厚みの厚いリードフレームと前記厚みの薄いリードフレームとは、混在して配置され、前記リードフレームの両側面は、前記電子部品配置面の板面の表面から裏面にかけて前記板面に垂直な平面に形成され、前記配線パターン形状のリードフレームと前記絶縁材との間で、前記リードフレームの側面から前記絶縁材側にかけて係止部を設け、前記係止部は、前記リードフレームの板面の側面から内側寄りに形成された，前記リードフレームの表面から裏面迄を貫通する絶縁材封止形状であり、前記絶縁材封止形状から前記リードフレームの側面側は、前記リードフレームの厚みが薄く構成され前記絶縁材により前記リードフレームの側面の表面側と裏面側とが封止されているものであること特徴とする電子部品搭載用放熱基板を提供する。
また、上記課題の解決は、電子部品を実装するための配線パターン形状のリードフレームに形成した導体板と、前記導体板の前記配線パターン形状のリードフレーム間に設けられた絶縁材とにより構成され、前記導体板の電子部品配置面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の板面とを同一面上に形成し、前記導体板の前記電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の裏面の板面とを同一面上に形成した電子部品搭載用放熱基板であって、前記配線パターン形状のリードフレームは、少なくとも２種類以上の相互に異なる厚さを有し、厚みの厚い前記リードフレームは大電流信号用とし、厚みの薄い前記リードフレームは小電流信号用として用い、前記配線パターン形状のリードフレームの前記電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の裏面の板面とは、前記リードフレームのうち最も厚みを有する前記リードフレームの前記電子部品配置面の裏面の板面に合わせて、同一面上に形成し、前記相互に異なる厚さを有するリードフレームは、異なる厚さ毎に相互に異なる配線パターンを、相互に交差や重なり合いを生ずることなく形成すると共に、前記電子部品が実装されることにより、前記相互に異なる厚みを有するリードフレームが電子回路を形成するように構成され、前記厚みの薄いリードフレームの配線幅は前記厚みの厚いリードフレームの配線幅よりも狭く形成されると共に、前記電子部品配置面を上面から見た場合に厚みの厚いリードフレームの間に厚みの薄いリードフレームが配置され、前記リードフレームの両側面は、前記電子部品配置面の板面の表面から裏面にかけて前記板面に垂直な平面に形成されることによっても達成される。
また、上記課題の解決は、機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群、若しくは、多相交流電流により駆動される電動モータの各相の制御を行うパワーデバイス又はパワーデバイス群を、前記電子部品搭載用放熱基板上に、相互に最大の間隔を設けるように分散配置し、前記発熱性電子部品群への入口から前記発熱性電子部品群の出口までの電流経路の長さが相互に略同一となるように、若しくは、前記パワーデバイス又はパワーデバイス群から前記電動モータの接続部までの電流経路の長さが、前記各相とも相互に略同一となるように配置することにより、更に効果的に達成される。
また、上記課題の解決は、前記電子部品搭載用放熱基板は円形に構成され、前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部の周りに円環状のリードフレームを配し、前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部には、前記電子部品搭載用放熱基板を貫通する孔が形成されており、機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群、若しくは、多相交流電流により駆動される電動モータの各相の制御を行うパワーデバイス又はパワーデバイス群を前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部の廻りの前記円環状のリードフレームを介して相互に最大の間隔を設けるように分散配置し、前記発熱性電子部品群への入口から前記発熱性電子部品群の出口までの電流経路の長さが相互に略同一となるように、若しくは、前記パワーデバイス又はパワーデバイス群から前記電動モータの接続部までの電流経路の長さが、前記各相とも相互に略同一となるように配置することにより、或いは、前記分散配置された前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群からの出力方向は、前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群からのリード線の引出し方向として、前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部から放射状に構成されていることにより更に効果的に達成される。
また、上記課題の解決は、前記機能的なまとまりを有する前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは複数の発熱性電子部品群を前記電子部品搭載用放熱基板の表面側及び裏面側に分散配置する場合に、前記表面側に分散配置される前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは発熱性電子部品群に対して、前記裏面側に分散配置される前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは発熱性電子部品群が、前記電子部品搭載用放熱基板の表面側と裏面側とで前記電子部品搭載用放熱基板の板面を透視して見た時に重ならないように行うことにより、更に効果的に達成される。
また、上記課題の解決は、前記リードフレームの電子部品配置面の板面のうち、前記電子部品を配置しない部分には前記電子部品配置面の板面に表面側凹部を設けて前記絶縁材により被覆し、前記表面側凹部を被覆する前記絶縁材の表面は、前記リードフレームの前記電子部品配置面の板面と前記絶縁材の前記電子部品配置面側の板面とを同一面上に形成し、及び／又は、前記リードフレームの電子部品配置面の裏面の板面であって、前記電子部品配置面のうち前記電子部品を配置しない部分の裏面に当たる部分に、前記裏面の板面に裏面側凹部を設けて前記絶縁材により被覆し、前記裏面側凹部を被覆する前記絶縁材の表面は、前記リードフレームの電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の前記電子部品配置面側の裏面の板面とを同一面上に形成したことにより、更に効果的に達成される。
上記課題の解決は、前記電子部品搭載用放熱基板の外縁には前記絶縁材により形成された縁取り部を設け、前記縁取り部の内側は前記電子部品搭載用放熱基板に実装された電子部品と共に樹脂でモールドされていることにより、或いは、前記配線パターン形状のリードフレームと前記絶縁材との間で、前記リードフレームの側面から前記絶縁材側にかけて係止部を設け、前記係止部は、前記リードフレームの側面の表面側と裏面側に前記絶縁材との間に段差を形成したものであることにより、或いは、前記導体板に形成した配線パターン形状のリードフレームの一部は、前記絶縁材の周縁より内側又は外側で、その一部を前記導体板の板面に対して上方又は下方に屈曲した形状を有することにより、或いは、前記電子部品搭載用放熱基板２枚を介挿シートを介して１枚の電子部品搭載用放熱基板として構成し、前記１枚の電子部品搭載用放熱基板を構成する前記介挿シートを挟んだ一方の電子部品搭載用放熱基板の前記介挿シートに面していない面を前記１枚の電子部品搭載用放熱基板の表面側として用い、前記１枚の電子部品搭載用放熱基板を構成する前記介挿シートを挟んだ他の一方の電子部品搭載用放熱基板の前記介挿シートに面していない面を前記１枚の電子部品搭載用放熱基板の裏面側として用いることにより、更に効果的に達成される。
また、上記課題の解決は、前記電子部品搭載用放熱基板を用いる電動パワーステアリング装置のパワーモジュールであって、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレームは前記パワーモジュールの大電流信号用とし、厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームは前記パワーモジュールの小電流信号用として用いる電動パワーステアリング装置のパワーモジュールにより、効果的に達成される。
また、上記課題の解決は、前記電子部品搭載用放熱基板又は前記のパワーモジュールに用いるシャント抵抗の接続構造であって、前記電子部品搭載用放熱基板は、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレーム上に、前記シャント抵抗の２つの端子を接続する２つの接続部を有し、前記２つの接続部のそれぞれの近傍に厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端を配設するか、若しくは、厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端を、前記２つの接続部の一部にそれぞれ設けられた切り欠き部に配置し、前記シャント抵抗の２つの端子は、それぞれ、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレームの接続部に接続する部分と厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端とに接続する部分とが、前記２つの端子のそれぞれの単一の平面上で区別されることなく接続されるようになっており、前記シャント抵抗の２つの端子の、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレームの接続部及び厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端との接続は、前記２つの接続部の上に前記シャント抵抗の２つの端子をそれぞれに載置して同時に半田結合することにより行われた、シャント抵抗の接続構造により、効果的に達成される。
また、上記課題の解決は、前記電子部品搭載用放熱基板を用いた電動パワーステアリング装置により、或いは、前記シャント抵抗の接続構造を有する電動パワーステアリング装置により、更に効果的に達成される。
本発明による上記電子部品搭載用放熱基板によれば、アルミニウムや銅などの金属を用いた導体板をプレス加工などにより打ち抜いたり、レーザ加工の方法などにより、電子部品を実装するための回路の配線パターン形状のリードフレームを形成している。そして、上記リードフレーム間の隙間は熱伝導性樹脂等で固め全体を固定しているため、発熱性の電子部品等の実装乃至搭載部には特別段差加工部を設ける必要性を有しない構成となっている。
そのため、本発明の電子部品搭載用放熱基板では、上記導体板により構成される配線パターン形状のリードフレーム上にパワー半導体等の電子部品を直接半田接合して回路を構成する事が可能であり、上記リードフレームを形成する導体板の板厚も大きくとることが可能であることから、大電流が流れる回路に用いた場合であっても、回路配線抵抗の低減により発熱量の抑制を効果的に図ることが可能であり、加えて、例えば、電動パワーステアリング装置において、急な操舵に対応するためにパワーデバイスに高電流が流れることにより生ずる急な発熱などの、過渡現象による温度上昇を抑えることも可能である。
すなわち、例えば、図２１（Ａ）に示すように、従来型のアルミ基板２１００は、アルミニウム層の上面に絶縁層が形成され、当該絶縁層の上面に形成された銅箔層などによるパターン配線にＦＥＴやコンデンサなどの電子部品ＥＣが実装されており、上記アルミニウム層の下面は、後述するようなＴＩＭを介してケースに配置されている。それに対して、図２１（Ｂ）に示すような本発明による基板２２００は、リードフレーム１１０と絶縁材１３０とから構成されており、上記各電子部品ＥＣは直接上記リードフレーム１１０上にＳＭＴ実装が可能であり、従来のリフロー装置での製造が可能である。そして、上記のような構造を採用する結果、本発明の基板では、上記従来型のアルミ基板とは異なり、絶縁層はＴＩＭのみであり、加えて、上記リードフレームがヒートスプレッダとなるため、過渡熱特性が向上する。また、このような本発明による基板を用いた場合には、他の制御基板などと接続する場合に、カスタム部品（ターミナル端子）などの廃止が可能となるため、コストの削減が可能である。また、更に本発明と従来型のトランスファモジュールなどとの比較を行なえば、大容量の電解コンデンサなどを本発明の基板に実装可能であるため、電気的特性が改善し、且つ大容量電解コンデンサ用に別途基板を設ける必要が無くなるという利点もある。
さらに、上記本発明による基板に実装された電子部品の発熱は、上記基板を構成する導体板、及び、絶縁材により、熱拡散された後に、必要に応じて、上記基板を収納した制御装置の筐体に備えられる高熱伝導性の熱伝導材料（ＴＩＭ、（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ））を用いた複合絶縁材料を通して外部熱マスへ放熱する事が可能であり、このように、上記基板が収納される制御装置の筐体との相乗作用により、更に放熱性の向上を図ることが可能である。
また、本発明の上記絶縁材は高熱伝導性の複合絶縁材料等で構成して、上記回路パターン形状のリードフレーム間に形成される絶縁層も厚く構成する事が可能であるため、絶縁性が向上し、パターン間の静電容量等の分布容量も低減が可能となるという効果も有している。
また、本発明のように基板を円形に構成した上で、上記基板の中心を取り囲む円環状のリードフレームを配し、例えば３相ブラシレスモータの各相に相当する、機能的なまとまりを有する３つの発熱性電子部品群を、前記基板の中心部の廻りに上記円環状のリードフレームを介して分散配置し場合には、前記各３相からの発熱が分散される効果も有する。また、前記各相の出力方向を前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部から上記円環状のリードフレームを介して放射状にするなどして、前記各相への電源供給部から前記電動モータへの電流経路を略同一の長さとした場合には、インピーダンス特性を容易に一致させることが可能となり、前記電動モータのトルクや速度等のリップル精度を向上させることが可能である。
そのため、上記本発明の電子部品搭載用放熱基板を上記電動パワーステアリング装置を例として用いた場合には、ブラシレスモータを低速度で回転させて操舵アシストした場合に、滑らかな操舵感を実現することが可能である。
電動パワーステアリング装置の一般的な構成を示した構成図である。 本発明の電子部品搭載用放熱基板の例を図示したものであり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は側面図である。 （Ａ）は同一の厚さを有するリードフレームにより構成される本発明による基板のリードフレームの延伸方向から見た断面図を示したものであり、（Ｂ）は異なる厚さを有するリードフレームにより構成される本発明による基板の上記リードフレームの延伸方向から見た断面図であり、（Ｃ）は異なる厚さを有するリードフレームにより構成される本発明の基板の上下面を部品配置面とした例を上記リードフレームの延伸方向から見た断面図である。 （Ａ）は単一種類の厚みを有するリードフレームを用いて、本発明による基板に回路を構成した上面図であり、（Ｂ）は異なる厚みと幅を有するリードフレームを２種類を用いて、本発明による基板に同様の回路を構成した例を示す上面図である。 （Ａ）は異なる種類の厚みを有するリードフレームを用いて本発明による基板に回路を構成した上面図であり、（Ｂ）はその側面図であり、（Ｃ）は異なる種類の厚みを有するリードフレームを用いた本発明の基板の上下面を部品配置面とした例を示す側面図である。 （Ａ）はリードフレームに凹部を設けた場合の構成例を示す斜視図であり、（Ｂ）は上記（Ａ）のＸ―Ｘ線を通る断面を同図中の矢印の方向から見た断面図である。 （Ａ）は本発明による電子部品搭載用放熱基板の上面側に電子部品ＥＣ等を実装した例を図示したものであり、（Ｂ）、（Ｃ）はその側面図である。 リードフレームに凹部を設けて本発明による基板の板面を形成した例を示した斜視図であり、（Ａ）は絶縁材の充填前のリードフレームの状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は絶縁材の充填後の基板の状態を示す斜視図である。 本発明による基板の外縁に縁取り部を設けた例を示したものであり、（Ａ）はその上面図であり、（Ｂ）は上記基板に同一の厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図であり、（Ｃ）は上記基板に相互に異なる厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図である。 （Ａ）は図９に示した基板に部品を実装した場合の上面図であり、（Ｂ）は上記基板に同一の厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図であり、（Ｃ）は上記基板に相互に異なる厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図である。 （Ａ）は本発明による電子部品搭載用放熱基板を制御装置の筐体に収納した場合を図示した側断面図であり、（Ｂ）は、従来型の基板を上記制御装置に収納した場合の例を示す側断面図である。 （Ａ）は本発明による配線パターン形状のリードフレームの一部を、絶縁体の内周側や外周側で板面に対して上方又は下方の任意の方向に屈曲させて形成した例を示す斜視図であり、（Ｂ），（Ｃ）は係止部の例を図示した側断面図である。 （Ａ）はリードフレームの両側面縁の中心部に直線で構成された突出し部の係止部を形成した例を示す断面図であり、（Ｂ）から（Ｈ）は係止部の他の例を示す断面図であり、（Ｉ）は係止部の他の例を示す上面図であり、（Ｊ）と（Ｋ）はリードフレームの側面から内側寄りに樹脂封止形状を設けた例を示す上面図である。 円形に構成した本発明による電子部品搭載用放熱基板の中心部に円環状のリードフレームを配した例を示す上面図である。 ３相ブラシレスモータのインバータ回路と各相電流経路の概略を示す回路図である。 （Ａ）は制御装置の筐体と電動モータとを組み合わせた状態を示す側面図、（Ｂ）は本発明による円形の基板の上面図、（Ｃ１）は電動モータの３相巻線の配線取出し状態の概念を示す側面図であり、（Ｃ２）は電動モータのステータ部分を構成するコイルＣｏの斜視図、（Ｃ３）は、上記コイルが組合わせて構成されるステータの斜視図である。 （Ａ）は図１４に記載したような発熱性電子部品群の分散配置を円形の基板の表面側に行った例を示す概念図であり、（Ｂ）は、上記と同じ基板の裏面側に上記発熱性電子部品群の分散配置を行った例を示す概念図であり、（Ｃ）は上記基板の板面の表側から裏面側を見た場合の透視図である。 介挿シートを用いて２枚の本発明による電子部品搭載用放熱基板を１枚の電子部品搭載用放熱基板として構成し、その両面に電子部品ＥＣを実装した例を図示した側断面図であり、（Ａ）は上記介挿シートを上記基板板面が有する平面上の形態と同様に形成したものの例を示す側断面図であり、（Ｂ）は、上記介挿シートの周縁部を、上記基板板面が有する平面上の形態よりも拡大して形成したものの例を示す側断面図である。 本発明によるシャント抵抗の接続構造を図示した斜視図であり、（Ａ）は本発明に係る電子部品搭載用放熱基板へ、シャント抵抗を接続する前の構成を示した斜視図であり、（Ｂ）は上記基板へシャント抵抗を接続した後の構成を示した斜視図である。 本発明によるシャント抵抗の接続構造の他の構成例を図示した斜視図であり、（Ａ）は本発明に係る電子部品搭載用放熱基板へ、シャント抵抗を接続する前の構成を示した斜視図であり、（Ｂ）は上記基板へシャント抵抗を接続した後の構成を示した斜視図である。 （Ａ）は従来型のアルミ基板の例を示す断面図であり、（Ｂ）は本発明の基板の例を示す断面図である。 （Ａ）は厚みの厚いリードフレームを形成した後にキャリアを上記フレームの両末端側に残した場合を示す上面図であり、（Ｂ）は、同様に厚みの薄いリードフレームを形成した後にキャリアを上記フレームの両末端側に残した場合を示す上面図であり、（Ｃ）は上記（Ａ）と（Ｂ）に記載した２種類のリードフレームを上記キャリアを介して組み合わせた場合の上面図である。 （Ａ）は図２２（Ｃ）のように組み合わせた２種類のリードフレームを金型に組み込んで、樹脂材などの絶縁材と相互に組み合わせる例を図示した側断面図であり、（Ｂ）は上記金型による成形後の側断面図であり、（Ｃ）は上記組合せ後に上記キャリアを外した後の上面図である。 一つの基板の両面に、厚みの厚いリードフレームと厚みの薄いリードフレームが配置され、そこにＦＥＴなどの電子部品が実装される場合の上面図について下面側を透視した状態で示した図である。 厚みの薄いリードフレームと厚みの薄いリードフレームとを組み合わせた本発明による基板（多重リードフレーム基板）を形成する場合のフローチャートを示したものである。
以下に、本発明の実施形態を、車両に搭載される電動パワーステアリング装置の制御装置に用いた場合を例として説明する。
ここで、上記電動パワーステアリング装置は、車両のステアリング機構に電動モータの回転力で操舵補助力（アシスト力）を付与するものであり、モータの駆動力を減速機構を介してギア又はベルト等の伝達機構により、ステアリングシャフト或いはラック軸に操舵補助力を付与するようになっている。そして、このような電動パワーステアリング装置（ＥＰＳ）は、操舵補助力のトルクを正確に発生させるため、モータ電流のフィードバック制御を行っている。
かかるフィードバック制御は、操舵補助指令値（電流指令値）と電動モータ電流検出値との差が小さくなるように電動モータ印加電圧を調整するものであり、電動モータ印加電圧の調整は、一般的にＰＷＭ（パルス幅変調）制御のデューティ（Ｄｕｔｙ）の調整で行っている。
上記の電動パワーステアリング装置の一般的な構成を図１に示して説明すると、ハンドル１のコラム軸（ステアリングシャフト、ハンドル軸）２は減速機構３の減速ギア、ユニバーサルジョイント４ａ及び４ｂ、ピニオンラック機構５、タイロッド６ａ，６ｂを経て、更にハブユニット７ａ，７ｂを介して操向車輪８Ｌ，８Ｒに連結されている。また、コラム軸２には、ハンドル１の操舵トルクを検出するトルクセンサ１０及び操舵角θを検出する舵角センサ１４が設けられており、ハンドル１の操舵力を補助するモータ２０が減速機構３の減速ギア（ギア比ｎ）を介してコラム軸２に連結されている。
そして、上記の電動パワーステアリング装置を制御する制御装置３０であるコントロールユニット（ＥＣＵ）は、マイクロコントロールユニット（ＭＣＵ）を基幹部品として構成され、バッテリ１３から電力が供給されると共に、イグニションキー１１を経てイグニションキー信号が入力される。
このように構成される制御装置３０では、トルクセンサ１０で検出された操舵トルクＴｈと車速センサ１２で検出された車速Ｖｅｌとに基づいてアシスト（操舵補助）指令の電流指令値の演算を行い、電流指令値に補償等を施した電圧制御指令値Ｖｒｅｆによって電動モータ２０に供給する電流を制御する。なお、舵角センサ１４は必須のものではなく、配設されていなくても良く、電動モータに連結されたレゾルバ等の回転位置センサから操舵角を取得することも可能である。
また、上記制御装置３０には、車両の各種情報を授受するＣＡＮ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）５０が接続されており、車速ＶｅｌはＣＡＮ５０から受信することも可能である。また、制御装置３０には、ＣＡＮ５０以外の通信、アナログ／ディジタル信号、電波等を授受する非ＣＡＮ５１も接続されている。
そして、上記のように構成される電動パワーステアリング装置において、上記制御装置３０の内部に設けられる、本発明の電子部品搭載用放熱基板は、次のように構成されている。なお、以下の説明では、同一の構成要素については、他の形態を採り得るものについても同一の記号を用い、重複する説明や構成については、一部省略する場合がある。また、図面に示す各構成要素の大きさや比率などは説明の便宜のため実際のものと異なる場合が有る。
図２は、本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ)の例を図示したものであり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は側面図である。なお、本発明の基板は後述するように、円形に構成されるが、ここでは、長方形状のものを例として説明する。本発明の上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ）は、例えば、上記図２で示したように、基本的には配線パターン形状に打ち抜き等の手段により形成されたリードフレーム１１０と、このリードフレーム１１０の間に一体成型された絶縁材１３０とにより構成されている。なお、上記図２において白い閉曲線で囲まれた部分がリードフレーム１１０を表しており、図２（Ａ）の灰色の網掛け部分乃至図２（Ｂ）の斜線部分が絶縁材１３０を表している。
上記本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ）のうち、リードフレーム１１０は、導体板により形成されるため、全体としては平板状に形成されており、上面側から見て、電子部品が実装される回路の配線パターン形状に形成されている。そして、上記導体板の配線パターン形状のリードフレーム１１０への成形手段は、特に限定を設けるものではないが、例えば、プレス加工や打ち抜き加工、又はレーザで加工切断された金属製（例えば、アルミニウム製や銅製）等の板材等のようなものを採用することが可能である。
また、上記成形をエッチングによって行うことも可能ではあるが、本発明では、上記導体板の板厚を厚くすることで、当該導体により形成されるリードフレーム１１０の厚さを増加させ、配線抵抗の減少を図っている。そのため、上記エッチングにより加工を行う場合であっても、材質が銅である場合には、少なくとも７０μｍ程度の厚さ以上に形成することによって、従来のエッチングにより回路パターンを形成した基板よりも放熱特性が改善される。また更に、上記エッチングにより加工を行わず、プレス加工や打ち抜き加工等により上記配線パターン形状のリードフレーム１１０を形成する場合には、上記導体板の板厚としては、例えば、銅を使用した場合には、少なくとも３００μｍ以上であることが更に望ましい。
また、本発明では、上記導体板の板厚は任意に設定することが可能であるため、上記導体板により形成されるリードフレームの信号線を、小電流を流すものと大電流を流すものとで厚さの異なるものを混在させて用いることが可能であり、その場合には、上記プレス加工等における送りさん幅を板厚により変更して加工することも可能である。
そのため、上記のように高電流を使用する電子部品に対しては、基板表面上の面積の大小（例えば、リードフレーム１１０の線幅の大小）などの調整により、線幅の狭い小電流用のリードフレーム１１０（ｌ）や線幅の広い大電流用のリードフレーム１１０（ｈ）として対応することも可能ではあるが、これに限らず、上記板厚を増加させることによる体積の増加によって、配線抵抗を減少させると共に放熱性をも改善させる対応が可能であり、その結果として、部品の実装密度を一層向上させることが可能である。
そして更に、本発明では、上記導体板として、少なくとも２種類以上の相互に異なる厚さのものを用いるなどして、少なくとも２種類以上の相互に異なる厚さを有する配線パターン形状のリードフレーム１１０を形成することも可能である。そしてその場合には、これら相互に異なる厚さを有するリードフレームは、相互に混在して配置することも可能である。
したがって、上記のように板厚の異なるリードフレームを混在させて用いる構成を採用した場合には、実装される電子部品に通電される電流量に応じたリードフレームを高密度に配置することが可能であり、使用材料や寸法の縮小等を通じて関連コストの削減を図ることも可能である。
すなわち、リードフレームを上述のように、例えば、抜き加工で行う場合には、ブランキングと呼ばれる、プレス加工でリードフレーム配線部の輪郭形状を作る作業を行う。そして上記ブランキングの際には材料は最終成形品よりも大きくしたものが用いられ、その大きくした部分は，さん（ｂｒｉｄｇｅ）と呼ばれ、上記さんには「送りさん幅」と「縁さん幅」とが有る。そして、一般的に上記さん幅の必要最小幅は、板厚をｔ（ｍｍ）とした場合には、「送りさん幅」は１.０ｔ〜１.５ｔｍｍ程度であり、「縁さん幅」は１.５×「送りさん幅」となっており、上記さん幅を小さくし過ぎると正常な抜きが出来なくなり、パンチ、ダイの摩耗が早まりバリ発生の原因になるといわれている。
そこで本発明では、大電流用と小電流（小信号）用のリードフレームとして同じ板厚のものを用いることに代えて、図３に示したように、上記各電流に対応する複数のリードフレームを用いてこれを混在させることも可能である。なおここで、上記図３（Ａ）は同一の厚さを有するリードフレームにより構成される本発明の基板の上記リードフレームの延伸方向から見た断面図を示したものであり、図３（Ｂ）は異なる厚さを有するリードフレームにより構成される本発明の基板の上記リードフレームの延伸方向から見た断面図を示したものである。
図３（Ａ）で示したように、２つの大電流用のライン１１０Ｈ（幅はそれぞれ、Ｗ４、Ｗ６）と小信号用のライン１１０Ｌ（幅Ｗ５）とに、同一の厚さを有するリードフレーム１１０を用いた場合には、上記リードフレーム間の間隔は、上記リードフレーム１１０の厚みｔ（ここではｔ＝Ａ）に応じた送りさん幅γが必要とされる。そのため、例えば、図３（Ａ）に示した例では、上記複数のリードフレーム１１０の幅と上記送りさん幅（充填剤が充填される部分）の配列の合計は概ねα（α≒２γ+Ｗ４+Ｗ５+Ｗ６）となる。
その一方、図３（Ｂ）で示したように、２つの大電流用のライン１１０Ｈ（幅はそれぞれ、Ｗ１、Ｗ３）と小信号用のライン１１０Ｌ（幅Ｗ２）とに、異なる厚さ（大電流用のラインの厚さｔ＝Ａ、小電流用のラインの厚さｔ＝Ｂ）を有するリードフレーム１１０を用いた場合には、上記複数のリードフレーム間の相互間隔は、上記大電流ライン１１０Ｈの間に小電流ライン１１０Ｌを配置することができる為に、上記複数のリードフレーム１１０の幅と上記送りさん幅（充填剤が充填される部分）の配列の合計は概ねβ（β≒γ+Ｗ１+Ｗ３）となる。
そのため、上記のように構成する結果、上記複数のリードフレーム１１０と前縁材とにより形成される幅を比較すると、α＞βとなり、上記小信号用のライン１１０Ｌの厚みを大電流用のライン１１０Ｈよりも薄くすることにより、配線密度を高くすることが可能であり、上記小電流ラインのためのリードフレーム１１０Ｌは、より板厚の薄い導体板を使用することができる為、使用材料等の節約によるコストの削減等も図ることが可能である。
そのため、例えば、リードフレームを作成するための導体板として、板厚ｔがｔ＝Ａ（但し、Ａ＝１.０ｍｍ）とｔ＝Ｂ（但し、Ｂ＝０．２５ｍｍ）を用いた場合に、大電流用のライン１１０Ｈを上記板厚がＡのもので加工し、小信号用のライン１１０Ｌを上記板厚がＢのもので加工して、これらを組み合わせて本発明の基板に用いることにより、上記基板の小型化を図ることが可能である。
したがって、これを更に具体的な例により説明すると、例えば、図４及び次に示すように、上記基板に実装される回路を緻密化して、単一の厚さのリードフレームを用いた基板よりも小型化を図ることが可能である。
ここで、図４（Ａ）は単一種類の厚みを有するリードフレーム１１０を用いて、本発明の電子部品搭載用放熱基板３００に回路を構成した上面図であり、図４（Ｂ）は上述したような異なる厚みと幅を有するリードフレーム１１０Ｈと１１０Ｌとの２種類を用いて、本発明の電子部品搭載用放熱基板３５０に同様の回路を構成した例を示す上面図である。
なお、上記図４では、上記基板に電子部品ＥＣ等を実装した状態を示しており、上記回路は、上述した電動パワーステアリング装置に用いられる３相ブラシレスモータのインバータ回路の例を示している。
上記図４（Ａ）で示したように、上記回路において使用されるＦＥＴ等の比較的大電流が流れる配線系と、これらの制御の信号に用いられる比較的小電流が流れる配線系とを単一種類の厚み（例えば、１ｍｍ）を有するリードフレーム１１０を用いて、構成した場合には、例えば上記のようにＦＥＴを１０個搭載した例では、基板表面積は概ね４８００ｍｍ２程度になる。
その一方、上記図４（Ｂ）で示したように、異なるリードフレーム１１０を用いて、上記回路において使用されるＦＥＴ等の比較的大電流が流れる配線系に厚みの厚い（例えば、１ｍｍ程度）大電力用のリードフレーム１１０Ｈを用い、これらの制御の信号に用いられる比較的小電流が流れる配線系に厚みの薄い（例えば、０．２５ｍｍ程度）小電力用のリードフレーム１１０Ｌを用いた場合には、上記リードフレームの厚みに応じたリードフレームの幅の縮小も可能となるため、上記と同様の回路の基板表面積を概ね４０３２ｍｍ２程度に小型化することが可能である。
そのため、上記のように異なる厚みのリードフレームを用いることにより、上記基板３５０では、上記基板３００よりも１５パーセント程度の表面積の削減が可能である。
なお、上記リードフレームを形成する導体板の素材は、上記の様な銅やアルミニウム等の比較的安価な金属の良導体などで形成されコストの低減等を図ることが可能であるが、上記導体板はリードフレーム１１０を形成し、電子部品をはんだ付け等で実装するものであるから、熱伝導性が高いと同時に上記電子部品の実装に当たり適合性の良いものであることが望ましい。
図２に戻って説明を続けると、上記本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ）のうち、絶縁材１３０は、上記導体板により形成される配線パターン形状のリードフレーム１１０間の隙間の空間を埋めるように構成されており、上記リードフレーム間の隙間に充填することで上記リードフレームを相互に接着し、全体の構造を基本的には平板上に安定的に保持するようになっている。
そして、上記図２に示した実施形態１００（ｓ）のように、上記導体板から形成される上記リードフレーム１１０の板厚が相互に同じ場合には、上記リードフレーム１１０の電子部品を実装する側を上記図２（Ａ）の紙面に垂直な手前の方向（図２（Ｂ）の場合には上記図の上側方向）を上面側とした場合には、上記リードフレーム１１０の上面側の板面と上記絶縁材１３０の上面側の板面（表面）とは、同一の平面を構成するように形成されており、また、上記リードフレーム１１０が構成する板面の裏面と上記絶縁材１３０の裏面も同様に同一平面を構成するように形成されている。なお、上記の電子部品を実装する側は任意に選択することが可能であり、例えば、図３（Ｃ）や図５（Ｃ）に例示したように、上記電子部品搭載用放熱基板１００の両面に上記電子部品を実装する構成とする事も可能である。
また、図５に示した実施形態１００（ｄ）のように、上記導体板から形成される上記リードフレーム１１０の板厚が相互に異なる場合には、上記図２の実施形態１００（ｓ）の場合と同様に、上記リードフレーム１１０の電子部品を実装する側を上記図５（Ａ）の紙面に垂直な手前の方向（図５（Ｂ）の場合には上記図の上側方向）を上面側とした場合には、上記リードフレーム１１０の上面側の板面と上記絶縁材１３０の上面側の板面とは、同一の平面を構成するように形成されている。
その一方、上記リードフレーム１１０の電子部品を実装する側とは裏面側の板面については、上記のようにリードフレーム１１０の厚さが異なることから、上記リードフレーム１１０により構成される裏面相互間では同一の平面を構成できない。そこで、前記導体板により形成されるリードフレーム１１０の前記部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材１３０の部品配置面側の裏面側の板面（表面）とについては、前記リードフレームのうち最も厚みを有するリードフレームの前記部品配置面の裏面の板面に合わせて、前記絶縁材の充填を行い、上記板厚の最も厚いリードフレームの裏面側の板面と前記絶縁体により形成される裏面側の板面（表面）とが同一面上に形成されるようになっている。その結果、上記複数の厚みを有するリードフレームを用いた場合の上記基板の裏面は、上記最も厚みの厚いリードフレームの部品配置面の裏面と上記絶縁材とにより同一の平面を構成するように形成されることになる。なお、上記の電子部品を実装する側は任意に選択することが可能であり、上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ）若しくは１００（ｄ）（以下これらを総称して１００（ｓ、ｄ）若しくは１００という）の両面に上記電子部品を実装する構成とする事も可能である。
また、上記絶縁材１３０とリードフレーム１１０との構成は、上記のようにリードフレーム１１０間に絶縁材１３０を設ける構成に限られず、図６及び次に示すような、上記リードフレーム１１０の部品配置面側の部品実装箇所以外に凹部１１３を設けて、上記凹部１１３をも上記絶縁体１３０により被覆する構成を採用することも可能である。なおここで、上記図６（Ａ）はリードフレーム１１０に凹部１１３を設けた場合の構成例を示す斜視図であり、図６（Ｂ）は上記（Ａ）のＸ―Ｘ線を通る断面を同図中の矢印の方向から見た断面図である。また、上記図６では、基板全体を示さず、リードフレーム１１０と絶縁材１３０との一部の例についてのみ示しており、基板全体に関しては、後述する図８において、その構成例４００を示している。
上記図６に記載する構成例では、リードフレーム１１０の電子部品ＥＣを実装する部品配置面の板面（上記図６（Ａ）の斜視図に示す上側の面）のうち、上記電子部品ＥＣを配置しない部分には、上記図６（Ｂ）に示したように、上記部品配置面の板面に表面側凹部１１３（ｕ）を設けて、上記表面側凹部１１３（ｕ）に絶縁材１３０を充填することにより、上記表面側凹部１１３（ｕ）を上記絶縁材１３０により被覆する構成を採用している。
そして、上記表面側凹部１１３（ｕ）を被覆する上記絶縁材１３０の表面は、上記リードフレーム１１０の部品配置面の板面と上記絶縁材１３０の上記部品配置面側の表面とで連続した一つの面を形成するように構成されている。
また、同様に、上記図６に記載する構成例では、上記リードフレーム１１０の電子部品ＥＣを実装する部品配置面の裏面の板面（上記図６（Ａ）の斜視図に示す下側の面）であって、上記部品配置面のうち上記電子部品ＥＣを配置しない部分の裏面に当たる部分には、上記図６（Ｂ）に示したように、上記部品配置面の裏面の板面に裏面側凹部１１３（ｄ）を設けて上記絶縁材１３０により被覆し、併せて、上記裏面側凹部１１３（ｄ）を被覆する上記絶縁材１３０の表面は、上記リードフレーム１１０の部品配置面の裏面の板面と上記絶縁材１３０の上記部品配置面側の裏面側の表面とで連続した一つの面を形成するように構成されている。なお、ここで、上記のような凹部１１３の形成方法については特に限定を設けるものではないが、上記リードフレーム１１０を成形する際に、プレス等の手段により同時に成形することが可能である。
そのため、上記図６に記載する構成例では、上記絶縁材１３０は上記リードフレーム１１０間の側面に充填されてこれと接合されるのみならず、上記リードフレーム１１０の軸方向（例えば上記図６（Ａ）に記載のＸ−Ｘ線に沿った方向）に垂直な方向で、上記リードフレーム１１０の両側面から上記絶縁材１３０を連通させることが可能なため、上記リードフレーム１１０の上面乃至下面側においても上記リードフレームと接触して接合されることが可能となっている。そして上記絶縁材１３０は、上記凹部１１３に充填されるものを含めて、上記のようにリードフレーム１１０の部品配置面の板面とその裏面側とで同一の平面を構成するように形成されている。
したがって、本発明に係る上記図６に示したような構成例では、上記のようにリードフレーム１１０と絶縁材１３０との接触面が拡大される結果として、上記リードフレーム１１０と絶縁材１３０との接合強度の向上を図ることが可能である。
また更に、本発明に係る上記図６に示したような構成例では、上記のようにリードフレーム１１０の部品配置面の板面と上記絶縁材１３０の表面とが上記凹部１１３に充填されるものを含めて同一の平面を構成するように形成されていることから、上記各種の電子部品ＥＣを実装するに当たり、ディップ（Ｄｉｐ）式半田供給ではなく、メタルマスクによる半田供給が可能となり半田付け範囲の制御を容易に行うことが可能となる。
なお、上記凹部１１３の構成例はその一例を示したものであるため、上記基板により形成する電子回路に応じて、適切な配置を行うこと可能である。そのため、上記凹部１１３の形態や配置は上記電子回路に応じて、上記図６に示したような構成例に限らず、一部の電子部品近傍に配したり、表面側凹部１１３（ｕ）又は裏面側凹部１１３（ｄ）のみを配したり、或いは、上記凹部１１３の輪郭等の構成も曲線等により形成されるものであっても構わない。また、上記凹部の凹面の深さは上記リードフレーム１１０との接着性や放熱性等を考慮して定めることが可能である。
図２に戻って説明を続けると、上記絶縁材１３０の構成要素は、放熱性のポリカーボネートやエンジニアリングプラスチック等の複合絶縁樹脂材等で成形されるが、これらに限られるものではなく、絶縁性や放熱性、さらに、リードフレーム１１０を構成する導体板の素材との適合性等を考慮して選択することが可能である。
また、本発明では、上記絶縁材１３０を上述のように、上記導体板による配線パターン形状のリードフレーム１１０間の空間及びその周囲に充填する構造となっている。そのため、上記絶縁材１３０により、上記電子部品搭載用放熱基板１００全体の剛性を向上させることが可能であり、上記リードフレーム１１０と共に、上記のように実装される電子部品からの熱を効果的に放熱することが可能である。
そして、本発明の上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）では、上記配線パターン状に形成されたリードフレーム１１０と上記絶縁材１３０とを例えばインサート成形等の手法により一体化して形成し、上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）を構成する事が可能である。そしてその際、上記のように厚さの異なるリードフレームを用いる場合には、上記のように相互に厚さの異なるリードフレームを相互に混在して上記基板１００（ｄ）を構成することも可能である。したがって、厚さの厚い上記リードフレームと厚さの薄い上記リードフレームとを交互に配置したり、或いは、厚さの厚い上記リードフレームの間に厚さの薄い上記リードフレームを複数配置したりするなど、回路構成等や発熱領域の分散等を考慮した配置が可能である。
そのため、本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）では、上記電子回路の配線パターン形状のリードフレーム１１０をプレス成型等により形成することができるためタクト削減によるコスト削減が図ることが可能である。また、同様の理由によりターミナル等の実装が不要となるため、部品削減によるコストダウン等も図ることが可能である。また、本実施形態では、トランスファ成形は用いられないが、本発明では上記トランスファ成形によるものと比較して、高温対策が必要な電解コンデサやチョークコイルを同列に配置可能である点や、ワイヤボンディングの工程が不要となる他、急な発熱による基板のソリの発生などを効果的に防止できるため、トランスファモジュールなどに使用されるような、高価なセラミック基板が不要となるという利点がある。
次に、図７（Ａ）は上記のようにして形成された本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）の上面側に電子部品ＥＣ等を実装した例を図示したものであり、図７（Ｂ）、（Ｃ）はその側面図である。なお、ここで、上記図７（Ａ）は、上記のようなリードフレーム１１０の厚さが相互に同じもの１００（ｓ）を用いた場合であっても、或いは、相互に異なるもの１００（ｄ）を用いた場合であっても同様に構成することが可能である。また、上記図７（Ｂ）については上記のようなリードフレーム１１０の厚さが相互に同じ基板１００（ｓ）の場合を例示し、上記図７（Ｃ）については上記のようなリードフレーム１１０の厚さが相互に異なる基板１００（ｄ）の場合を例示している。
ここで上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）の上面側に実装される上記電子部品ＥＣ等には、電流制御用の半導体スイッチング素子や、制御電流検出用のシャント抵抗や、リップル吸収用の大容量コンデンサ等の発熱性の部品が含まれており、その他に、必要に応じて、上記リードフレーム間等を接続する、銅やアルミニウム等の金属板などからなるバスバーｂｂや、ジャンパーピン等も含まれる。また、上記電子部品ＥＣはパッケージされたものに限らず、ベアチップ実装により実装されるものであっても良い。
そして、上記図７に示したように、本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）では、上記電子回路の配線パターン形状に形成したリードフレーム１１０に直接上記電子部品ＥＣを配置して、実装することが可能である。
また、上記図７では図示しないが、搭載電子部品ＥＣのミラー配置等も可能であるため、特に電動パワーステアリング装置の制御装置に用いた場合には、右ハンドルや左ハンドル等の仕様に容易に対応が可能である。さらに、本発明の上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）によれば、上記導体板により形成されるリードフレーム１１０の上面及び下面の双方に電子部品ＥＣを実装することも可能である。そのため、立体的な基板の配置が可能になるという利点も存する。
また、図８は、上述した図６に関して説明したように、リードフレーム１１０に凹部１１３を設けて、上記リードフレーム１１０の間のみならず上記凹部１１３にも上記絶縁材１３０を充填して基板４００の板面を形成した例を示した斜視図であり、上記図８（Ａ）は上記絶縁材１３０の充填前のリードフレーム１１０の状態を示す斜視図であり、上記図８（Ｂ）は上記絶縁材１３０の充填後の基板４００の状態を示す斜視図である。なお、ここで上記凹部１１３については、表面側凹部１１３（ｕ）のみが表示されているが、裏面側凹部１１３（ｄ）を設けることも可能である。また、上記リードフレーム１１０は、後述する図１２の例と同様に、基板外縁で上方に屈曲させている。
本発明では、上記図８（Ａ）に記載したように、上記基板４００を構成するリードフレーム１１０のうち上記絶縁材１３０で補強したい部分に予め凹部１１３を設ける一方、上記リードフレーム１１０のうち電子部品ＥＣを実装する半田コントロール部分はそのままにすることにより、上記リードフレーム材１１０の厚みを部分的に変更することが可能である。
そして、図８（Ｂ）に示すように、上記リードフレーム１１０の間及び上記凹部１１３に上記絶縁材１３０を充填した後は、上記リードフレーム１１０と上記絶縁材１３０とが同一の平面を構成することで、上記電子部品ＥＣを実装する部分のみが基板４００上に露出し、Ｄｉｐ式半田供給ではなく、メタルマスクによる半田供給が可能となり且つ、半田付範囲のコントロールを容易に行うことが可能となる。
また、図９は本発明の基板の外縁に、次に示す縁取り部を設けた電子部品搭載用放熱基板２００（ｓ、ｄ）の例を示したものであり、図９（Ａ）はその上面図であり、図９（Ｂ）は上記基板２００（ｓ）として同一の厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図であり、（Ｃ）は上記基板２００（ｄ）として相互に異なる厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図である。なお、上記基板２００（ｄ）では、上記リードフレームとして大電流用の厚みを有するもの１１０Ｈと、小信号用の厚みを有するもの１１０Ｌと、これらの中間程度の電流が通電する中電流用の厚みを有するもの１１０Ｍの３種類を含んだものを表示している。
上記図９に記載した電子部品搭載用放熱基板２００（ｓ、ｄ）は、上記本発明を構成する絶縁材１３０の周縁部分に、前記絶縁体１３０により上記電子部品搭載用放熱基板２００の部品配置面側に閉曲線状に構成された縁取り部１５０を形成したものである。なお、ここでは上記閉曲線状の縁取り部１５０は、上記絶縁体１３０の外縁の輪郭に合わせて長方形状に形成しているが、後述するように円形の基板を構成した場合には、その外縁を取り巻くように円形に構成することも可能である。
本発明の上記構成では、上記のように縁取り部１５０を構成して設けることにより、上記リードフレーム１１０と絶縁材１３０との接合部分の剥離を一層生じないようにすると共に、上記電子部品搭載用放熱基板２００（ｓ、ｄ）の剛性を一層向上させることが可能である。
また、上記図９に記載した電子部品搭載用放熱基板２００（ｓ、ｄ）に、図１０に記載するように樹脂をモールドすることも可能である。ここで、上記図１０（Ａ）は上記図９に示した基板に部品を実装した場合の上面図であり、（Ｂ）は上記基板に同一の厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図であり、（Ｃ）は上記基板に相互に異なる厚さを有するリードフレームを用いた場合の側面図である。
上記図１０に記載した例は、上記電子部品搭載用放熱基板２００（ｓ、ｄ）に図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すように電子部品ＥＣを実装した後に、上記のように形成された縁取り部１５０の内側（図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）の点線で示した部分の下側）に上記ＴＩＭによる放熱材等をモールドして上記電子部品に直接接触させる構成としたものである。
そのため、本発明では、上記のような構成を採用することにより、更に上記電子部品からの放熱性の向上を図ることも可能である。なお、上記実施形態では、上記縁取り部１５０を上記電子部品搭載用放熱基板２００（ｓ、ｄ）の上面側にのみ設けているが、上面側のみならず下面側に設けることも可能であり、或いは、下面側のみに設けることも可能である。
また、本発明の電子部品搭載用放熱基板は、上記の様な電動パワーステアリング装置等の制御装置の筐体に収納するなどして用いることが可能であるが、本発明の基本思想に基づけば、上記制御装置の筐体の一部を良熱伝導体により構成し、上記電子部品搭載用放熱基板の上記電子部品配置側の裏面と上記制御装置の筐体の上記良熱伝導体からなる部分とを、良熱伝導体からなるＴＩＭ等の絶縁膜を介して相互に面接触するように配置するような制御装置の放熱構造を採用することも可能である。
そのため、そうした構造を採用した場合には、上記制御装置の放熱構造との相乗効果により、本発明の電子部品搭載用放熱基板による放熱性を更に改善することが可能である。
そして、図１１（Ａ）は上記の様な本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ）を上記の様な制御装置１０００の筐体に収納した場合を例示した側断面図であり、図１１（Ｂ）は、従来型の基板５０００を上記制御装置２０００に収納した場合の例を示す側断面図である。
上記図１１（Ｂ）に示すような従来型の基板５０００を収納した制御装置２０００の場合には、基本的な積層構造は、上側から、１．電子部品（ＦＥＴ等）の放熱面、２．半田層、３．銅箔パターン層、４．絶縁層、５．アルミ・ベース基板、６．ＴＩＭ層１１００、７．制御装置１０００のケースと放熱器を兼ねるアルミダイカスト１３００となっている。それに対して、上記図１１（Ａ）に示すような本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ）を収納した制御装置１０００の場合には、基本的な積層構造は、１．電子部品（ＦＥＴ等）の放熱面、２．半田層、３．配線パターン（板厚０．３ｍｍ程度の銅）、４．ＴＩＭ層１１０、５．制御装置１０００のケースと放熱器を兼ねるアルミダイカスト１３００となっている。
そのため、本発明の電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ）によれば、従来型の基板５０００と比べて、積層構造を単純化すると同時に導体板から形成される配線パターン形状のリードフレーム１１０の板厚を増加させることが可能であり、発熱性のある電子部品ＥＣからの放熱を一層効果的に行うことが可能である。なお、上記の例では電子部品搭載用放熱基板として、リードフレーム１１０の厚さが相互に同じものを使用した基板１００（ｓ）の例を用いたが、リードフレーム１１０の厚さが相互に異なるものを使用した基板１００（ｄ）の場合も同様である。
また、本発明では、例えば、図１２（Ａ）に斜視図で示したように、上記の導体板により形成される配線パターン形状のリードフレーム１１０の一部を、上記絶縁体の内周側や外周側で、前記導体板の板面に対して上方又は下方の任意の方向に屈曲させて形成することも可能である。そのため、このように形成した場合には、上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｓ、ｄ）の外部に存在する接続端子や他の基板等との接続を容易化することが可能である。
また、図１２（Ｂ）、（Ｃ）に断面図を示したように、上記配線パターン形状のリードフレーム１１０の前記絶縁材１３０側の側面に上記絶縁材１３０と係合する係止部１１５を設ける構成とする事も可能である。上記係止部１１５は、上記リードフレーム１１０の側面側から上記絶縁材側１３０にかけて構成され、上記係止部１１５の上記絶縁材１３０側では上記係止部１１５の上記リードフレーム１１０の側面側よりも上記リードフレーム１１０の側面側から見た面積が大きくなるように構成されている。そのため、上記係止部１１５により、上記リードフレーム１１０と上記絶縁材１３０の接合部分の接合を強化して、上記リードフレーム１１０と上記絶縁材１３０との熱膨張率の違いなどに基づく剥離等が容易に生じない構成とすることが可能である。
また、上記図１２（Ｃ）に示したように、リードフレーム１１０の表面側又は裏面側のいずれか一方又はその双方に係止部１１５を設ける構成とした場合には、リードフレーム１１０の伝熱面積が更に拡大され、これにより放熱性を更に向上させることも可能である。
また、更に図１３（Ａ）に断面図を示したように、上記配線パターン形状のリードフレーム１１０の前記絶縁材１３０側の側面に上記絶縁材１３０と係合する係止部１１５を設ける構成として、上記配線パターン形状のリードフレーム１１０をプレス加工で量産することを前提とした形状とする事も可能である。
ここで、上記リードフレーム１１０の係止部１１５の外形形状は全て直線を組み合わせる事を特徴して、側面縁部の全域にわたりテーパー形状から始まり中心部の突出し部まで直線形状で終わることを特徴としている。これにより上記配線パターン形状のリードフレーム１１０の表面積を増加させられるので、伝熱および放熱面の拡大が可能であり、上記絶縁材１３０との係止面積も増加が可能で、結合がより密になる効果がある。これにより結合強度と放熱性をさらに向上させることも可能である。
また、上記係止部１１５については、更に上記図１３（Ｂ）から（Ｉ）及び次に記載するような形態を採ることも可能である。なお、上記図１３（Ｂ）から（Ｄ）は上記リードフレームの係止部１１５を上記リードフレームの板面の両側の側面が見えるように断面図で表したものであり、上記図１３（Ｅ）から（Ｈ）は同じく、上記リードフレームの板面の片側の側面が見えるように断面図で表したものであり、上記図１３（Ｉ）は上記リードフレームの板面の側面側を上面図で表したものである。
上記のうち図１３（Ｂ）及び図１３（Ｃ）に記載した例は、上記リードフレームの側面の表面側と裏面側から前記側面の中央部側にかけて上記絶縁材側に突出して形成される斜面により形成され、上記斜面は断面が三角形状であるものであって、上記斜面の結合部に断面が円形状や楕円形状等の係止形状を前記斜面から滑らかに形成したものである。すなわち、例えば、上記のうち図１３（Ｂ）に記載した例は、上記配線パターン形状のリードフレーム１１０の前記絶縁材１３０側の側面に上記絶縁材１３０と係合する係止部１１５を設ける構成として、上記配線パターン形状のリードフレーム１１０をプレス加工で量産することを前提とした形状としたものである。そして、上記リードフレーム１１０の係止部外形形状はヘチマ形状をしており複数の曲線を組み合わせた事を特徴しており、側面縁部の全域にわたりヘチマ形状の曲面形状により、係止部１１５の周辺に絶縁材１３０がスムーズに行き渡ることにより絶縁材１３０と係止部の結合がより強固になる事を特徴としている。また、上記のうち図１３（Ｃ）に記載した例では、リードフレーム１１０の係止部外形形状はダルマ形状をしており複数の曲線を組み合わせた事を特徴しており、上記の場合と同様に、側面縁部の全域にわたりダルマ形状の曲面形状により、係止部１１５の周辺に絶縁材１３０がスムーズに行き渡ることにより絶縁材１３０と係止部の結合がより強固になる事を特徴としている。そのため、上記図１３（Ｂ）や図１３（Ｃ）に記載した例では、上記のようにヘチマ形状やダルマ形状を採用することにより、配線パターン形状のリードフレーム１１０の表面積を増加させられるので、伝熱および放熱面の拡大が可能であり、上記絶縁材１３０との係止面積の増加とヘチマ形状の中心部の窪み部がリードフレーム１１０と絶縁材１３０の結合を密になるように働いている。
また、上記のうち図１３（Ｄ）に記載した例は、前記リードフレームの一方の板面から他の一方の板面にかけて形成された斜面と他の一方の板面と平行に形成された係止片（階段状の段差で形成された突き出だし部）とから上記係止部を形成したものである。すなわち、上記の例も上述のもの等と同様に、配線パターン形状のリードフレーム１１０をプレス加工で量産することを前提とした形状としたものであり、リードフレームの係止部外形形状は全て直線を組み合わせる事を特徴として、側面縁部のほぼ中央からのびた階段状の段差で構成された突き出し部まで直線形状で終わることを特徴としている。
また、上記のうち図１３（Ｅ）と（Ｆ）に記載した例は、前記リードフレームの側面の表面側と裏面側に前記絶縁材との間に段差を設けることにより係止部を形成したものである。上記係止部の段差の深さ（すなわち、前記リードフレームの側面部から前記段差の形状により前記リードフレームの板面の中央方向まで絶縁材が延伸して形成される長さ）は、前記リードフレームの側面の表面側と裏面側とで異なるものとしても良く、例えば、前記係止部の段差の深さは、図１３（Ｆ）に示したように、前記リードフレームの側面の裏面側が大きいものであるように構成するものであっても良い。
また、上記のうち図１３（Ｇ）と（Ｈ）に記載した例は、前記係止部を、前記リードフレームの側面の表面側と裏面側から前記側面の中央部側にかけて前記絶縁材側に突出して形成される斜面により形成したものであり、上記図１３（Ｇ）では、前記斜面の断面が三角形状であるものを表示し、上記図１３（Ｈ）では、前記斜面の表面側と裏面側からの基点部を上記表面側と裏面側とで上記リードフレームの板面の垂直線上の位置からずらして形成したものである。
以上のように、上記図１３（Ａ）から（Ｈ）までに記載したような係止部は、上記のようにプレス加工などによる成形が容易であり、係止面積の増加による放熱性や機械的な結合強度の増加が図れると共に、上記のようなリードフレームと絶縁材の境界面にダルマ状の形状やヘチマ状の形状又は上記階段状の段差部などを形成することにより、基板に生ずる結露などによる湿気進入の抑制効果なども持たせることが可能である。
また、上記のうち図１３（Ｉ）に記載した例は、前記係止部を、前記リードフレームの側面に、前記リードフレームの板面に沿って凹部を形成することによって設けたものであり、上記図１３（Ｉ）に示した例では、前記凹部は、前記凹部の解放端側よりも奥側（すなわち前記リードフレームの板面の中心方向）で広く形成されている。そのため、このように係止部をいわば鍵穴状に形成した場合、上記係止部が上記リードフレームの板面を上面から見た場合に板面の側面に沿って形成されているため、プレス加工などによる成形が容易であり、上記のように係止面積の増加による放熱性や機械的な結合強度の増加を図ることが可能である。
なお、上記記載のものは係止部の一例を示したものであり、上記記載の係止部のパラメータ（例えば、上記段差の深さ等）を適宜変更することにより、上記リードフレームにより構成しようとする回路の特性などに合わせて調整することが可能である。
また、本発明では、図１３（Ｊ）や図１３（Ｋ）に記載したように、上記リードフレームの板面の側面から内側寄りに形成された、前記リードフレームの表面と裏面とを貫通する樹脂封止形状Ｒｓを設けることも可能である。ここで、上記図１３（Ｊ）の上側の図は上記リードフレームの板面の上面図であり、上記図１３（Ｊ）の下側の図は、上記上面図のＸ−Ｘ線部分での断面図を示し、上記図１３（Ｋ）の上側の図は上記リードフレームの板面の上面図であり、上記図１３（Ｋ）の下側の図は、上記上面図のＹ−Ｙ線部分での断面図を示している。上記樹脂封止形状Ｒｓは、上述のようにリードフレームの表面と裏面とを貫通するように形成された穴であり、上記図１３（Ｊ）、（Ｋ）のように長方形状のものであっても或いは円形状のもの等であって良く、特に大きさや形状に限定を設けるものではない。本発明では、上記のような樹脂封止形状Ｒｓを設けることにより、上記リードフレームと上記絶縁材を構成する樹脂等との接合強度を向上させることが可能であるが、特に本発明により上記リードフレームに構成される凹部や上記係止部と組み合わせる事により更に効果的に用いることが可能である。すなわち、例えば、図１３（Ｋ）の例は、上述の図１３（Ｅ）や（Ｆ）の例で示した段差状の係止部の内側に上記樹脂封止形状Ｒｓを形成した例であるが、上記のような構成を併用することにより、更に効果的に上記リードフレームと上記絶縁材との機械的結合強度を向上させることが可能である。
また、更に、本発明では、機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群を、上記本発明による電子部品搭載用放熱基板の板上で相互に採り得る最大の距離を採り、かつ、上記発熱性電子部品群への入口から上記発熱性電子部品群の出口までの電流経路の長さが相互に略同一となるように配置することで、上記発熱性電子部品群を分散配置することによる放熱性の向上を図りつつ、電流経路におけるモータ等を含めた配線経路を略同一とする事で、インピーダンス特性を容易に一致させることが可能であり、リップルの発生が抑制され、電動パワーステアリング装置などに用いた場合には、滑らかな操舵感を実現することが可能である。
すなわち、これを図１４を参照して説明すると、上記図１４は、円形に構成した本発明の電子部品搭載用放熱基板８００の中心部に円環状のリードフレーム１１０Ｃを配した例を示す上面図である。
上記図１４では、上記円形に構成した本発明の電子部品搭載用放熱基板８００の中心部に円環状のリードフレーム１１０Ｃを配して、これに外部からの電源などの入出力線等を接続するなどして、３相ブラシレスモータ等の電動モータの各相を制御するための発熱性電子部品群（ＦＥＴ等のパワーデバイス又はこれらが機能的に集まったもの（パワーデバイス群））を適宜銅製コネクタ等と共に上記円形を構成する基板の中心部の廻りに等間隔（ここでは例えば１２０度間隔）に分散配置し、上記各３相の出力端を上記円形の中心から放射状に配置している。
そして、上記図１４において、太字の矢印で示すＬ０ａ、Ｌ０ｂ、Ｌ０ｃの各線は電源から上記各相の手前の電解コンデンサ９１１までの電流経路（Ｖ相についてはＬ０ｃ、Ｕ相についてはＬ０ｂ、Ｗ相についてはＬ０ａ）を示し、太字の矢印で示すＬ１ｂからＬ２ｂを経由してＬ３ｂまで延びるように接続した線は、上記電解コンデンサ９１１から、上記３相ブラシレスモータの端子までの上記Ｕ相の電流経路を示し、同様に、太字の矢印で示すＬ１ｃからＬ２ｃを経由してＬ３ｃまで延びるように接続した線は、上記Ｖ相の電流経路を示し、太字の矢印で示すＬ１ａからＬ２ａを経由してＬ３ａまで延びるように接続した線は、上記Ｗ相の電流経路を示している。
また、上記図１４に記載した、鎖線で示した四角枠で示す領域のうち、ＵＰは、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相からなる上記３相ブラシレスモータのインバータ回路のうち、Ｕ相の駆動を行う領域であり、同様に、ＶＰはＶ相、ＷＰはＷ相の駆動を行う領域を示している。
ここで、例えば、上記Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相からなる３相ブラシレスモータの各相のインバータ回路を構成する部品群のように、機能的に単一のまとまりを有しＦＥＴ等の発熱性電子部品を含む複数の電子部品から構成される電子部品の集合体（発熱性電子部品群）を上記発熱性電子部品群（ここでは、上記のようにＵ、Ｖ、Ｗの３つ（複数）の部品群）ごとに、上記図１４で示した円形を構成する基板の中心部の廻りに、上記円環状のリードフレーム１１０Ｃを介して、例えば等間隔に配置するなどして、上記基板上に相互に最大の距離を採るように分散して配置する構成を採用することにより、上記基板に生じる発熱箇所を分散して、上記基板への熱伝導を効率良く行うことが可能となる。
また、上記のように、円環状のリードフレーム１１０Ｃ乃至、これと同様に形成した銅製コネクタなどによるバスバーｂｂなどを配置した場合、上記円環状のリードフレーム１１０Ｃ等を電流の供給ラインなどに用いて、これに上記Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相からなる上記発熱性電子部品群を容易に接続することが可能である。
そして、そのように構成した場合には、部品配置におけるレイアウトの自由度が拡大し、上記円環状のリードフレーム１１０Ｃ等を中心に（上記円環の上に必ずしも等間隔に配置しなくても）、上記円形の基板の外側へ放射状に回路を形成すること等により、上記発熱性電子部品群への電流の入口から上記発熱性電子部品群からの電流の出口までの電流経路の長さが相互に略同一となるように配置することが極めて容易に可能となる。
すなわち、上記のように円環状のリードフレーム１１０Ｃ、乃至、これと同様に形成したバスバーｂｂなどを配置した場合には、上記円環状のリードフレーム１１０Ｃ等の円環状の任意の位置に上記Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相からなる上記発熱性電子部品群を接続することが可能であり、上記円環状のリードフレーム１１０Ｃ上に、等間隔に限らず任意の間隔を置いて上記発熱性電子部品群を接続しても、上記円環状のリードフレーム１１０Ｃ等を中心に、上記円形の基板の外側へ放射状に回路を形成すること等により、上記リードフレーム１１０Ｃから上記放射状に形成された回路の末端までの電流経路を容易に略同一となるように配置することが可能である。
そのため、上記インバータ回路から上記３相ブラシレスモータまでの電流経路のインピーダンス特性を容易に一致させることが可能であり、これを通じて、上記３相ブラシレスモータのトルクや速度等のリップル精度を向上させることが可能である。そして、上記のようにレイアウトの自由度が拡大する結果、設計におけるモジュール配置の自由度を更に向上させることも可能である。
これをさらに詳細に説明すれば、図１５に示したように、例えば、上記３相ブラシレスモータなどに使用される上記インバータ回路９１０は、モータリレー部９３０を介してモータ９５０に接続されている。
なお、ここで、上記図１５は、上記３相ブラシレスモータのインバータ回路と各相電流経路を示す図であり、図中の鎖線で示すＬ１からＬ２を経由してＬ３まで延びる連続した線は、上記図１４の場合と同様に上記電動モータ９５０への入力側の電流経路（ここではＵ相）Ｕｉを表したものであり、一点鎖線で示すＷｉも同様にＷ相の入力側の電流経路を示したものである。
また、上記図１５では、上記電動モータ９５０の各相からグランド側への電流経路（ここではＷ相）ＷｏをＬ４からＬ５を経由してＬ６まで延びる連続した線として現しており、Ｕ相によるグランド側への電流経路も同様にＵｏとして現している。
そして、上記インバータ回路９１０は、ここでは図示しないゲート駆動部において電流指令値等に基づいて形成されたゲート駆動信号が入力されて、モータ駆動を行うモータ駆動部を構成する回路である。
上記インバータ回路９１０は、Ｕ相の上段ＦＥＴ１及び下段ＦＥＴ４で成る上下アームと、Ｖ相の上段ＦＥＴ２及び下段ＦＥＴ５で成る上下アームと、Ｗ相の上段ＦＥＴ３及び下段ＦＥＴ６で成る上下アームとで成る３相ブリッジで構成されており、電源側からは各相とも電解コンデンサ９１１を介して接続されており、グランド側に対しては、各相ともシャント抵抗９１３を介して接続されている。また、上記上下アームによる各相の出力は、上記モータリレー部９３０を構成する各相のＦＥＴ（Ｕ相について９３５、Ｖ相について９３７、Ｕ相について９３９）を介して、上記電動モータ９５０の各相の入力端子（Ｍｔｕ、Ｍｔｖ、Ｍｔｗ）に接続されている。
このように接続される上記インバータ回路９１０とモータリレー部９３０とモータ９５０とでは、本発明においては、上記Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各電流経路の経路長がほぼ等しくなるように構成されている。
すなわち、上記図１４及び図１５に示すように、例えば、Ｕ相の電流経路は、上記電解コンデンサ９１１からＦＥＴ１までの経路（Ｌ１ｂ）と、上記ＦＥＴ１から上記モータリレーのＦＥＴ９３５までの経路（Ｌ２ｂ）と、上記モータリレーのＦＥＴ９３５から上記モータ９５０のＵ相入力端子Ｍｔｕまで（Ｌ１ｂ+Ｌ２ｂ+Ｌ３ｂ）となっており、上記同様に、Ｖ相の電流経路は（Ｌ１ｃ+Ｌ２ｃ+Ｌ３ｃ）、Ｗ相の電流経路は（Ｌ１ａ+Ｌ２ａ+Ｌ３ａ）となっている。そして、上記各相の電流経路の経路長は、相互に略等しくなるように構成されている。
また、上記グランド側への電流経路も図１５に示したように、上記モータ９５０から上記モータリレー部９３０のデバイスまでの距離Ｌ４と、上記モータリレー部９３０のデバイスから上記インバータ回路９１０の下側ＦＥＴまでの距離Ｌ５と、上記インバータ回路９１０の下側ＦＥＴからシャント抵抗９１３までの距離Ｌ６とを合わせた電流の経路長が上記電流側と同様に、相互に略等しくなるように構成されている。
なお、ここで、このような電流経路の経路長の調整は、上記本発明によるリードフレーム１１０の形態や部品配置等を工夫すること、並びに、上記のような円環状のリードフレーム１１０Ｃなどを用いて適宜調整が可能であり、上記のように円環状のリードフレーム１１０Ｃなどを用いた場合には、部品配置などのレイアウトや設計の自由度等を一層向上させることが可能である。
そして、上記のように本発明では、上記各相の上記電流経路の経路長が各相間でほぼ等しくなるように構成することにより、上記インバータ回路９１０から上記モータ９５０までのインピーダンス特性を容易に一致させることが可能であり、これを通じて、上記モータ９５０のトルクや速度等のリップル精度を向上させることが可能である。
また、上記分散配置と電流経路長を各相間で略同一と調整することに合わせて、本実施形態８００では、上記各相からの出力線を上記円形に構成した基板の中心から上記基板の外側へ向けて放射状に配置することにより、上記各相の出力の干渉等を防止して、更に精度や安定度の向上した上記モータの制御を行うことが可能である。
また、本発明の上記基板８００のように円形に構成している場合には、上記のような電流経路の経路長を各相間で略同様に構成すること及び放熱性の向上に加えて、電動モータと組み合わせる際のコンパクト化等の効果を達成することも可能である。したがって、上記円形の基板の形状に合わせて制御装置を円筒形状に構成したり、高さ方向に制限が有る場合などでは、三角錐状や三角柱状に形成しコンパクト化を図ることが可能である。
すなわち、例えば、図１６で示したように、電動モータ９５０の出力側とは反対側の面に、上記電動モータの制御装置ＥＣＵを設け、上記制御装置ＥＣＵの内部に上記円形の基板８００を収納することにより、上記基板８００からモータ端子（Ｍｔｕ、Ｍｔｖ、Ｍｔｗ）へ直接配線が可能となり、上記効果を達成することが可能である。したがって、本発明によれば、上記のような発熱性電子部品を含むパワー基板を、上記のような電動モータに直接実装することが可能である。
ここで、上記図１６は、本発明による円形の基板８００を、例えば、円筒形に構成した制御装置（コントロールユニット）の筐体ＥＣＵの内部に収納して、電動モータ９５０の駆動軸ＭＳ方向に沿って、上記制御装置ＥＣＵを上記電動モータ９５０の出力側とは反対方向の面に隣接して配置した場合の構成例を図示したものである。そして、図１６（Ａ）は上記制御装置ＥＣＵの筐体と上記電動モータ９５０とを組み合わせた状態を示す側面図、図１６（Ｂ）は上記円形の基板８００の上面図、図１６（Ｃ１）は上記電動モータ９５０の３相巻線の配線取出し状態の概念を示す側面図であり、図１６（Ｃ２）は上記電動モータ９５０のステータ部分を構成するコイルＣｏの斜視図、図１６（Ｃ３）は、上記コイルＣｏが組合わされて構成されるステータＳＴの斜視図である。
上記の例では、図１６（Ａ）に示すように、上記電動モータ９５０の駆動軸ＭＳに沿った方向に隣接して上記制御装置ＥＣＵを配置できるように、上記電動モータ９５０を形成する円筒形の外径に合わせるように上記制御装置ＥＣＵを構成する円筒形の外径を合わせて形成している。また、上記電動モータ９５０を構成するステータＳＴ（固定子）は、上記ステータＳＴを構成するコイルＣｏが集まって構成され、上記コイルＣｏへの接続端子（すなわちモータへの入力端子：Ｍｔｕ、Ｍｔｖ、Ｍｔｗ）が上記図１６（Ｃ１）に示したように、上記電動モータ９５０の上方（上記電動モータ９５０の出力側とは反対方向）へ、突出して形成されている。
そのため、本発明による円形の基板８００を上記制御装置ＥＣＵの筐体を構成する円筒形の内部に、その底面側を構成するように収納し、上記電動モータ９５０との接続端子（Ｍｔｕ、Ｍｔｖ、Ｍｔｗ）が設けられている側に隣接して配置した場合には、上記基板８００と上記接続端子（Ｍｔｕ、Ｍｔｖ、Ｍｔｗ）との直接配線が可能となり、上記のように、上記基板８００を上記電動モータ９５０に直接実装することが可能となる。
そのため、本発明では、これにより、上記電流経路の短縮化と、各相における電流経路の均等化とを達成することが可能である。
また、上記のように本発明による上記円形の基板８００では、更に上記円板形状の中心部には、前記電子部品搭載用放熱基板を貫通する孔Ｈが形成されている。そのため、上記電動モータ９５０の出力側とは反対方向の面に隣接して、上記電動モータ９５０の駆動軸周りにレゾルバ等が配置されている場合であっても、相互に干渉することなく上記基板８００を上記電動モータ９５０に直接実装して配設することが可能である。
そのため、本発明の上記構成によれば、上記ＦＥＴ等のパワーデバイスを含む発熱性電子部品群を電子部品搭載用放熱基板の基板上に分散配置することで、上記分散配置と電子部品搭載用放熱基板との相乗作用による放熱性の向上を図りつつ、上記電動モータに隣接して配置が可能であることから、コンパクト化に伴う電流経路の短縮化等も図れ、上記電動モータの駆動性能をさらに向上させることが可能である。
なお、上記構成では、発熱性電子部品群として、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相からなる３相ブラシレスモータの各相のインバータ回路を構成する電子部品群を記載したが、本発明はこれに限らず、機能的に単一のまとまりを有しＦＥＴ等の発熱性電子部品を含む複数の電子部品から構成される電子部品の集合体であれば、上記のように本発明の電子部品搭載用放熱基板の基板上に分散配置することで、上記同様の効果を発揮することが可能である。
また、更に本発明では、上記のような機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群を、本発明の上記電子部品搭載用放熱基板の上面側（表面側）のみならず下面側（裏面側）にも分散配置することも可能である。
そして、その場合には、例えば、次に図１７を参照して説明するように、上記本発明の電子部品搭載用放熱基板の表面側に分散配置される発熱性電子部品群に対して、裏面側に分散配置される発熱性電子部品群が、上記基板の表面側と裏面側とで、上記電子部品搭載用放熱基板の板面に対して対照の位置にならないように、言い換えれば、上記基板の板面を通して相互に重ならないように分散配置する構成とし、発熱領域の分散と熱伝導性の向上とを図ることが可能である。
すなわち、本発明では、上記図１７（Ａ）又は上述した図１４において示すように、本発明の電子部品搭載用放熱基板を円形に構成し、その表面側の板面上に複数の発熱性電子部品群を分散して配置する構成とすることが可能である。そして、上記本発明の電子部品搭載用放熱基板では、上記表面側のみならず裏面側にも上記発熱性電子部品群を含む電子部品を実装することが可能である。
そこで、本発明では、例えば、上記図１７（Ａ）に示すように、上記電子部品搭載用放熱基板の表面側に、上記発熱性電子部品を分散配置した上で、上記図１７（Ｂ）に示すように、上記電子部品搭載用放熱基板の裏面側に、上記発熱性電子部品を分散配置する構成としても良い。
これを更に詳細に説明すると、上記図１７は、上記本発明の電子部品搭載用放熱基板８１０を例にして上記基板８１０の表面側と裏面側の発熱性電子部品群の配置の差異を示す概念図であり、図１７（Ａ）は上記基板８１０の表面側の板面上に、上記図１４で示したような複数の発熱性電子部品群（ＵＰ、ＶＰ、ＷＰ）を分散配置した場合を示しており、図１７（Ｂ）は、同様に、上記基板８１０の裏面側の板面に複数の発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）を分散配置した場合を示したものであり、図１７（Ｃ）は、上記基板８１０の板面の表面側から裏面側を透視して見た場合の透視図である。
ここで、上記図１７（Ａ）は、上述のように、図１４で例示したような３相駆動される電気モータのインバータ回路部分を、その構成要素であるＵ相、Ｖ相、Ｗ相を構成する３つの発熱性電子部品群（ＵＰ、ＶＰ、ＷＰ）に分けて、上記基板８１０の表面上に、上記基板の中心部の廻りに等間隔（略１２０度間隔）で分散配置した例を示している。なお、上記図１７では、上記電子部品搭載用放熱基板８１０に形成される回路パターンや搭載される電子部品及び上記基板から外部へ向けて形成される端子等は省略して表現しており、上記複数の発熱性電子部品群の構成についても、簡略化して表現している。
そして、上記図１７（Ｂ）は、上記基板８１０の裏面上に、上記表面側と同様に発熱性電子部品群を上記基板の中心部の廻りに等間隔（略１２０度間隔）で分散配置したものであり、その配置方法は、図１７（Ｃ）に示したように、上記基板８１０の上面から透視して見た場合に、上記基板８１０の上面側に配置された発熱性部品群の位置と裏面側に配置された発熱性部品群の位置とは、上記基板の中心部に周りに略６０度の等間隔でずれるように配置したものとなっている。
そのため、本発明では、上記のように上記基板８１０の表面側と裏面側に発熱性部品群を分散配置する際に、上記のように表面側に配置した発熱性電子部品群（ＵＰ、ＶＰ、ＷＰ）の板面上の真裏の部分に上記裏面側に配置した発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）が配置されないようにして構成している。したがって、図１７（Ｃ）に示したように、上記電子部品搭載用放熱基板８１０の板面を上面から透しして見た場合には、上記基板８１０の表面と裏面とを通して、上記発熱性電子部品群が分散配置されるように形成されている。
したがって、上記のような分散配置を行うことにより、本発明の電子部品搭載用放熱基板において、基板の表面と裏面とを通じて、熱源の偏在を防止し、発生した熱の速やかな伝導と放熱を行うことが可能である。
また、上記のように、本発明の上記電子部品搭載用放熱基板の上面側（表面側）のみならず下面側（裏面側）にも電子部品を実装する場合には、図１８に示すように、２枚の上記電子部品搭載用放熱基板（９００Ｕと９００Ｄ）の間に介挿シート（１８００又は１９００）を設けて１枚の基板９００として構成し、上記基板９００の上記介挿シート（１８００又は１９００）を挟んだ一方の基板（９００Ｕ）の上面を上記基板９００の上面側（表面側）として用い、他の一方の基板（９００Ｄ）の下面を上記基板９００の下面側（裏面側）として用いることも可能である。
ここで図１８は上記のように構成される介挿シート（１８００及び１９００）を用いて２枚の電子部品搭載用放熱基板（９００Ｕと９００Ｄ）を１枚の電子部品搭載用放熱基板９００として構成し、その両面に電子部品ＥＣを実装した例を図示したものであり、図１８（Ａ）は上記介挿シート１８００を上記基板９００の板面が有する平面上の形態と同様に形成したものの例を示し、図１８（Ｂ）は、上記介挿シート１９００を上記基板９００の板面が有する平面上の形態よりも周縁部分を拡大して形成したものの例を示したものである。
上記介挿シートは、図１８で示したように本発明の２枚の電子部品搭載用放熱基板を接合すると同時に、上記２枚の基板間で電気的な絶縁を行う機能を有するものである。そのため、上記介挿シートの素材は、上記２枚の基板を保持できるだけの粘着性があり、絶縁性を備えた素材であることが望ましい。但し、上記介挿シートは必ずしも単一の層から構成されたものに限らないため、上記介挿シートを、粘着性のある絶縁層等を含む多層構造により形成して、上記機能を実現するものであっても構わない。
また、上記介挿シートは、必要に応じて熱伝導性の高い素材又は熱伝導性の低い素材（断熱性素材）のいずれか一方又は双方を選択して構成する事が可能である。
そのため、上記表面側を構成する電子部品搭載用放熱基板と裏面側を構成する電子部品搭載用放熱基板との間で、上記基板に実装されている電子部品の発熱量や熱環境等を考慮して、積極的に熱交換を行いたい場合には、例えば、熱フィラーを絶縁性樹脂に混練して形成した熱伝導性の高い材料を用いて構成する事が可能である。
また、その一方、後述する予備用回路を実装する場合のように、上記電子部品搭載用放熱基板の表裏面間で、一方の面の基板で発生した熱が他方の面の基板に伝導されることが望ましくない場合には、上記介挿シートに熱伝導性の低い素材（断熱性素材）を用いることが可能であり、こうした構成を用いることにより、例えば後述の例では、表面側に実装された通常用回路等の駆動による発熱の影響により、裏面側に実装された上記予備用回路に劣化等が生じないようにすることも可能である。
また、上記介挿シート１９００を熱伝導性の高い素材を用いて形成し、上記図１８（Ｂ）に示したように、上記表面側と裏面側の基板９００の板面が有する平面上の形態よりも周縁部分を拡大して形成した場合には、上記介挿シート１９００の周縁部分１９００Ｅを利用して、上記基板９００から伝導した熱の放熱が可能である。そのため、上記周縁部分１９００Ｅを利用して、上記基板９００の固定に活用したり、ヒートシンクに接続したりすることで放熱に利用することも可能である。
また、ここで、上記裏面側に分散配置される上記発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）は、１又は複数の回路を構成する複数の電子部品ＥＣに含まれるものであっても良く、上記３相ブラシレスモータの冗長系や予備の回路などを構成する回路の一部として形成されているものを用いる事も可能である。そのため、上記のような冗長系の回路等を採用することで、上記３相ブラシレスモータを用いた制御を行う場合の信頼性の向上などを図ることが可能である。
したがって、例えば、上記電動モータの制御系統を通常用と予備用の２系統としている場合には、上記表面側と裏面側とに形成された回路をそれぞれ通常用と予備用などに振り分け、通常用に故障が検出された場合には、予備用を駆動するような制御回路に用いたりすることが可能であり、この場合には、通常用回路の駆動による発熱で予備用回路に劣化等が生じないように分散配置しておくことも可能である。
また、例えば、上記電動モータを、２重系統の巻線によって構成し、それぞれの系統で上記モータ駆動のための電流を２分の１ずつ担当するようなパラレル駆動とした場合には、上記２重系統のそれぞれの系統の回路を上記基板の表面側と裏面側とに形成した構成とし、放熱量と放熱領域とを分散することも可能である。
そして、上記のように基板の表面側と裏面側とに回路を形成した場合には、上記発熱性電子部品群のそれぞれの駆動タイミングを考慮して、上記基板の表面側と裏面側との空間的な発熱領域の分散配置の他に、或いはこれと併せて、時間的な発熱の分散を考慮した構成とする事も可能である。
すなわち、上記発熱性電子部品群を実装乃至分散配置して実装する際に、これらの発熱性電子部品群を比較的近接した領域に配置せざるを得ない場合であっても、上記発熱性電子部品群の作動タイミングを考慮して、上記近接した発熱性電子部品群相互間で、作動タイミングが同時にならないように配置乃至駆動させることで、発熱が同時に生じないようにして、時間的な発熱の分散を図り、これによって、基板の熱分布の均一化乃至放熱性等を向上させることが可能である。
また、上記のように上記基板８１０の裏面に発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）を分散配置する場合にも、上記分散配置と併せて、上記発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）への電流の入口から、上記発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）からの電流の出口までの電流経路の長さが相互に略同一となるように配置する事が可能である。そのため、そうした配置をすることで、上記に例示したような冗長系のインバータ回路等から上記３相ブラシレスモータまでの電流経路のインピーダンス特性を容易に一致させることが可能であり、これを通じて、上記３相ブラシレスモータのトルクや速度等のリップル精度の信頼性などを向上させることが可能である。
また、上記のように上記基板８１０の裏面に上記発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）を分散配置する場合にも、上記円形に構成した基板８１０の中心から上記基板の外側へ向けて放射状の方向に、上記発熱性電子部品群（ＵＰ`、ＶＰ`、ＷＰ`）からの出力線（リード線）（ＵＩ`、ＶＩ`、ＷＩ`）を延伸させて配置することも可能である。したがってその場合には、上記出力線（ＵＩ`、ＶＩ`、ＷＩ`）相互間、及び、上記基板８１０の表面側に配置した上記発熱性電子部品群（ＵＰ、ＶＰ、ＷＰ）からの出力線（ＵＩ、ＶＩ、ＷＩ）相互間に対しても適当な距離を確保する事が可能であり、上記各相の出力線の相互の干渉等を防止して、更に精度や安定度の向上した上記モータの制御を行うことが可能である。
なお、上記裏面側に分散配置する例として、上記説明では、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相からなる３相ブラシレスモータの例を示し、上記発熱性電子部品群として、同様に３相ブラシレスモータの各相のインバータ回路を構成する電子部品群を記載したが、本発明はこれに限らず、機能的に単一のまとまりを有しＦＥＴ等の発熱性電子部品を含む複数の電子部品から構成される電子部品の集合体であれば、上記のように本発明の電子部品搭載用放熱基板の基板上に分散配置することで、上記同様の効果を発揮することが可能である。
また、上記の例では、上記発熱性部品により構成される予備回路を上記基板８１０の裏面に形成しているが、上記予備回路自体を、必ずしも裏面に構成せず、上面側に形成する構成とする事も可能である。
そして、そのように、上記予備回路を上面側に構成する場合には、例えば、上記のように円形に構成した基板８００の上面に、上記３相電動モータの予備回路を設けることを例とすれば、例えば、既に等間隔（１２０度）で分散配置されているＵ、Ｖ、Ｗ、相を構成する上記発熱性部品群の間に、上記予備回路を構成する発熱性部品群（Ｕ`、Ｖ`，Ｗ`）を等間隔で配置することが可能である。そのため、上記予備回路をこのように配置した場合であっても、本発明により、発熱の時間的分散と空間的分散とを図ることが可能である。
したがって、本発明では、こうした構成により、上記本発明の電子部品搭載用放熱基板の表面側に配置される発熱性電子部品群からの発熱を分散できるのみならず、上記電子部品搭載用放熱基板の裏面側に配置される発熱性電子部品群からの発熱も同様に分散することが可能であり、しかも、上記のように上記基板の板面の表面側と裏面側とで、発熱領域を異なる配置としたため、上記基板の表面側と裏面側を含めた基板全体で３次元的に発熱領域の分散を図ることが可能である。
そのため、本発明の電子部品搭載用放熱基板において、上記部品配置を行うことにより、なお一層、上記電子部品搭載基板における熱の偏在を防止し、発生した熱の速やかな伝導と放熱が可能である。
また、本発明に係る電子部品搭載用放熱基板を用いれば、次のようなシャント抵抗の接続構造を採用することが可能である。
ここで、シャント抵抗とは、一般的には、負荷にかかる電流を検出するための抵抗器（分流器）のことを言う。上記シャント抵抗は、例えば、上述したような電動パワーステアリング装置の場合には、操舵補助トルクを正確に発生させることを目的としたモータ電流のフィードバック制御のための電動モータ電流値（電動モータ電流検出値）の検出等に用いられており、上記フィードバック制御は、操舵補助指令値（電流指示値）と上記電動モータ電流検出値との差が小さくなるように電動モータ印加電圧を調整して行われる。
そして、上記のような電動パワーステアリング装置の制御装置３０に用いられるような従来の回路基板では、上記シャント抵抗は基板に搭載される際には、上記のように電動モータへ接続する伝送線路に実装されており、上記シャント抵抗を介した電流検出を行う電流検出回路への伝送線路（信号線）に対しては、ワイヤボンディング等により、ワイヤなどの細線により接続されていた。
そのため、上記のような従来の基板では、上記シャント抵抗を上記電流検出回路への信号線に電気的に接続するためのボンディング作業が別途必要となるという課題があり、更に、上記接続に用いられるボンディングワイヤなどの細線の抵抗による測定誤差も生じるという課題もあった。
そこで、本発明に係る電子部品搭載用放熱基板を用いれば、図１９及び次に構成例を示すようなシャント抵抗の接続構造を採用することにより、これらの課題を解決することが可能である。なお、ここで、上記図１９は、本発明によるシャント抵抗ＳＲの接続構造を図示した斜視図であり、（Ａ）は、例えば、本発明に係る電子部品搭載用放熱基板１００（ｄ）へ、シャント抵抗ＳＲを接続する前の構成を示した斜視図であり、（Ｂ）は上記基板１００（ｄ）へシャント抵抗ＳＲを接続した後の構成を示した斜視図である。また、上記図１９においては、上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｄ）については、その一部のみを表示している。
本発明の上記構成例では、上記図１９（Ａ）に示したように、上述した、上記電子部品搭載用放熱基板１００（ｄ）は、相互に異なる厚みを有するリードフレーム１１０を備えており、更に言えば、これらのリードフレーム１１０は、比較的大電流を通電することを想定する厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈと、比較的小電流を通電することを想定する厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌとから構成されている。
そして、上記厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈ上には、上記図１９（Ａ）内に点線で示した枠のように、上記シャント抵抗ＳＲの２つの端子をそれぞれ接続する２つの接続部ＣＰを有している。なお、ここで、上記接続部ＣＰは上記シャント抵抗ＳＲを接続する部分として設定した領域であり、回路配置に応じて適切な位置が決定される。
また、上記リードフレーム１１０Ｈ上に設定した接続部ＣＰの一部であって、相互に対向する位置には、それぞれ切り欠き部ＬＰが設けられており、上記切り欠き部ＬＰには上記厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌの一端が配置されている。そして、上記厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌは信号線として、上記シャント抵抗ＳＲを用いた電流検出回路に接続されている。
そして、上記のように構成される基板１００（ｄ）の上記接続部ＣＰに、図１９（Ｂ）に示すように、シャント抵抗ＳＲを配置する場合には、上記接続部ＣＰにおける切り欠き部ＬＰの上に上記シャント抵抗の２つの端子が上から覆いかぶさるように載置して接続することにより、上記シャント抵抗ＳＲを上記基板１００（ｄ）の上記２種類のリードフレーム１１０Ｌと１１０Ｈとに実装することが可能である。また、上記接続は、上記厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈと厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌとの部品実装面側の上面が同一の平面上にあることから、上記接続部ＣＰ及び切り欠き部ＬＰに半田を印刷することも可能であり、ＳＭＴ（表面実装：（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ））後にリフローすることで半田接続することが可能である。
このため、以上のように構成される本発明に係る電子部品搭載用放熱基板を用いるシャント抵抗の接続構造によれば、上記シャント抵抗ＳＲからダイレクトに電流検出信号を引き出せるため、ＳＭＴ後のリフローのみでワイヤボンディング工程を必要とせず安価に供給することが可能である。また上記のように電流検出にワイヤ等の細線を用いないために、電流検出精度を一層向上させることも可能である。また、更に、本発明では、上記のように半田により基板面に直接実装することで強固な構造を形成することができる為、上記のようなワイヤボンディングや、ワイヤボンディングを行った後に、樹脂で埋めて固定するという方法が不要となり、上記ワイヤボンディング等による接続に比べて格段に耐久性が向上するため、例えば、電動パワーステアリング装置のＥＣＵが備えられる車両などから伝わる、車体や路面からの不規則な振動や温度変化の大きい過酷な環境においても、長期にわたって安定的な構造を維持することが可能である。
なお、上述の電子部品搭載用放熱基板を用いるシャント抵抗の接続構造は、その構成例の一例を示したものであって、本発明の趣旨の範囲で他の構成例を用いることも可能である。そのため、上記のように接続部ＣＰに切り欠き部ＬＰを設けずに、図２０に示したように、上記接続部ＣＰの近傍に、上記厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌの一端を配設する構成としても構わない。なお、ここで上記図２０は、上記他の構成例を上記図１９の場合と同様に示したものである。
そして、この場合でも、上記シャント抵抗ＳＲの２つの端子との接続は、上記リードフレーム１１０Ｈの上面側に設定した２つの接続部の上に上記シャント抵抗の２つの端子をそれぞれ載置することにより行うが、その際には、上記厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌの一端も上記シャント抵抗ＳＲの２つの端子のそれぞれの下部に直接接続するように行うことが望ましい。（これは、上記厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌの一端を上記厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈに接続することで上記シャント抵抗ＳＲを間接的に上記電流検出回路に接続することも可能ではあるが、その場合には配線抵抗が増加して測定誤差を生ずるおそれがあるためである。）
そのため、上記近傍とは、上記シャント抵抗の２つの端子を上記リードフレーム１１０Ｈとの接続部に接続部に配置した場合に、上記シャント抵抗の２つの端子の下方に上記リードフレーム１１０Ｌの一端が配設されるように構成可能な領域であって、上記シャント抵抗と上記リードフレーム１１０Ｌとの直接接続が可能な領域のことを意味している。
したがって、以上のように、本発明に係る電子部品搭載用放熱基板を用いるシャント抵抗の接続構造の他の構成例によっても、上記のようにコストの削減と電流検出精度の向上とを達成することが可能である。
そのため本発明では、以上のような構成を備える事により、大電流が流れるようなパワー半導体等を用いた回路であっても、大電力動作による配線抵抗の低減と放熱性の向上とを図ることが可能であり、本発明の電子部品搭載用放熱基板を上記電動パワーステアリング装置等に用いることにより、これらの装置の更に効果的な運用が可能である。
なお、本発明によるリードフレーム１１０と絶縁材１３０により構成される基板は、図２２から図２５の記載を参照して説明すると、例えば、次のようにして形成することが可能である。
ここで、上記図２２から図２５は上記基板のうちリードフレーム１１０の厚さが異なる場合の基板の作成例を説明する図であり、図２２（Ａ）は厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈを形成した後にキャリア（Ｃａｒ）を上記フレームの両末端側に残した場合を示す上面図であり、（Ｂ）は、同様に厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌを形成した後にキャリア（Ｃａｒ）を上記フレームの両末端側に残した場合を示す上面図であり、（Ｃ）は上記（Ｂ）と（Ｃ）に記載した２種類のリードフレームを上記キャリアを介して組み合わせた場合の上面図である。また、上記図２３（Ａ）は図２２（Ｃ）のように組み合わせた２種類のリードフレームを金型に組み込んで、樹脂材などの絶縁材１３０と相互に組み合わせる例を図示した側断面図であり、（Ｂ）は上記金型による成形後の側断面図であり、（Ｃ）は上記組合せ後に上記キャリアを外した後の上面図である。但し上記図２３（Ｃ）では、絶縁材１３０は省略して表示している。また、図２４は厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈと厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌを基板両面に配置する場合に、絶縁材１３０を充填する場合の手段を示すためのものであり、図２４は、一つの基板の両面に、厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈと厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌが配置され、そこにＦＥＴなどの電子部品が実装される場合の上面図について下面側を透視した状態で示した図である。なお、上記図２４では、上記一つの基板の裏面側のリードフレームとＦＥＴについては点線で表示しており、上記一つの基板の両面に実装されるＦＥＴからの端子はゲート端子のみを表示している。また、上記ＦＥＴは厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈに実装されると同時に、上記ＦＥＴのゲート（Ｇａｔｅ）端子は上記基板上で厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌに接続されるようになっている。また、図２５は、厚みの薄いリードフレームと厚みの薄いリードフレームとを組み合わせた基板（多重リードフレーム基板）を形成する場合のフローチャートを示したものである。
本発明では、上記のように、厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈと厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌとを組み合わせた基板を作成する場合には、図２５に記載したフローチャートに示すように、最初に導体板などにより、リードフレームの形状に加工する（ステップＳ１）。そして、その際には図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に示すように、厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈと厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌとを別個に作成しておき、それぞれのリードフレームの両側端側には、後の加工のためにキャリアＣａｒを形成しておく。上記キャリアＣａｒは、上記に図示するようにリードフレームの両側端側に形成される帯状の部分であり、上記各リードフレーム１１０を絶縁材１３０に結合させる前の形態の維持や後述するリードフレーム相互間の位置合せなどのために形成されている。
そして、上記のようにそれぞれのリードフレームが形成された後には、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に示すような、異なる厚さの上記リードフレームの位置合せが行われる（ステップＳ２）。上記位置合せは、図２２（Ｃ）に示すように、上記異なる厚さのリードフレームを重ね合わせて位置を固定するものであり、例えば、上記図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に示すような２つのリードフレームのキャリアＣａｒに、予め位置決めのための加工をしておき、その加工箇所を利用してキャリアＣａｒ部分をカシメて位置ずれを生じないように固定することで、位置ずれを防止する（ステップＳ３）。
そして、次に、上記のように位置の固定を行ったリードフレームを図２３（Ａ）に示すように、樹脂成型用金型にセットする（ステップＳ４）。上記樹脂成型金型は上側と下側の金型（上型、下型）から構成されており、絶縁材１３０を構成する樹脂などを充填する際に上記リードフレームの形状の保持を図るものである。そのため、上記リードフレームのうち厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌの下側には、上向きのピン（高さ方向位置出しピン（Ｐ２３））が併せて配設され、上記厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌを下側から上側に向かって、押さえることができるように構成されている。
そして、次には、上記のようにリードフレームをセットした金型に絶縁材１３０を構成する樹脂を流し込んで成形が行われ（ステップＳ５）、上記成形が行われた後に上記金型を外して（ステップＳ６）、図２３（Ｂ）や図２３（Ｃ）に示したように、完成した本発明の基板を得ることが可能である。なお、この際、上記ピンＰ２３を配設した部分には絶縁材１３０が形成されないが、本発明による基板を用いる用途や他の構成要素との組み合わせに応じて、上記部分に新たに絶縁材１３０を充填してもよく、あるいは充填しない選択も可能である。また、基板表面（部品実装面）にバリが生じている場合には、必要に応じて、上記バリの除去を行って完成した基板を得る事も可能である（ステップＳ７）。
また、本発明では、上述のようにして、本発明による基板を形成させることが可能であるが、更に、図３（Ｃ）や図５（Ｃ）に示したように、本発明の基板両面に厚さの薄いリードフレームを構成する場合には、例えば、次のように形成することが可能である。
すなわち、上記のステップＳ６に記載するように、金型に上記厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌをセットする際に、図２４に記載するように、上側の基板と下側の基板の、ＦＥＴなどの部品実装面となる板面を、上記基板の板面を通る垂直線上の位置が完全には重ならないように、言い換えれば、上面から裏面を透視して見た場合に相互に完全には重ならないように、予め上記リードフレーム１１０Ｌを多少シフトして形成しておく。
そして、そのシフトした部分、すなわち、前記のようにシフトしたことにより前記電子部品搭載用放熱基板の表面から裏面を透視して見た場合に相互に完全に重ならない部分を利用して、図２４に示すように、下側（裏面側）のリードフレーム１１０Ｌを上記上側の金型から新たに設けた下向きのピンＰ２３´により保持し、同様に、図２４に示すように、上記シフトした部分を利用して、上側（表面側）のリードフレーム１１０Ｌを上記下側の金型に設けた上向きのピンＰ２３により保持するような構造として、上記樹脂などからなる絶縁材１３０を充填することが可能である。
そのため、このような形成方法により、上記下向きのピンＰ２３´と上記上向きのピンＰ２３を用いて、上記基板の表面側と裏面側にそれぞれ厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌを保持する事が可能となり、上記絶縁材１３０を充填することで、本発明の基板両面に厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌが配置された構成を実現する事が可能である。
１ ハンドル
２ コラム軸（ステアリングシャフト、ハンドル軸）
３ 減速機構
４ａ ４ｂ ユニバーサルジョイント
５ ピニオンラック機構
６ａ ６ｂ タイロッド
７ａ ７ｂ ハブユニット
８Ｌ ８Ｒ 操向車輪
１０ トルクセンサ
１１ イグニションキー
１２ 車速センサ
１３ バッテリ
１４ 舵角センサ
２０ 電動モータ
３０ 制御装置（コントロールユニット、ＥＣＵ）
１００（ｓ） ２００（ｓ） ３００ 同一の厚みを有するリードフレーム電子部品搭載用放熱基板
１００（ｄ） ２００（ｄ） ３５０ 異なる厚みを有するリードフレーム電子部品搭載用放熱基板
１００（ｓ、ｄ） ２００（ｓ、ｄ） 電子部品搭載用放熱基板（リードフレームの厚みが相互に同じものと異なるものとの双方を含む）
１１０ リードフレーム
１１０Ｃ 環状リードフレーム
１１０Ｈ リードフレーム（大電流ライン用）
１１０Ｍ リードフレーム（中電流ライン用）
１１０Ｌ リードフレーム（小電流ライン用（信号線用））
ｔ リードフレームの厚さ
１１３ 凹部
１１３（ｕ） 凹部（表面側）
１１３（ｄ） 凹部（裏面側）
１１５ 係止部
１３０ 絶縁材
１５０ 縁取り部
４００ 電子部品搭載用放熱基板（凹部形成例）
８００ 電子部品搭載用放熱基板（円形形状）
９００ 電子部品搭載用放熱基板（介挿シートで合わせたもの）
９１０ インバータ回路
９１１ 電解コンデンサ
９１３ ＳＲ シャント抵抗
９３０ モータリレー部
９３５ モータリレー部のＵ相ＦＥＴ
９３７ モータリレー部のＶ相ＦＥＴ
９３９ モータリレー部のＷ相ＦＥＴ
９５０ 電動モータ
１０００ 制御装置
１１００ 制御装置に設けられるＴＩＭ層
１３００ 制御装置の筐体を構成するアルミダイカスト
１８００ １９００ 介挿シート
１９００Ｅ 介挿シートの周縁部分
５０００ 従来型の基板
ＥＣ 電子部品
ｂｂ バスバー
ＳＲ シャント抵抗
ＣＰ 接続部
ＬＰ 切り欠き部
ｂｂ バスバー
ＥＣ 電子部品
ＵＰ ＵＰ` Ｕ相領域部品群
ＶＰ ＶＰ` Ｖ相領域部品群
ＷＰ ＷＰ` Ｗ相領域部品群
Ｕｉ 電源側Ｕ相ライン
Ｕｏ グランド側Ｕ相ライン
Ｗｉ 電源側Ｗ相ライン
Ｗｏ グランド側Ｗ相ライン
Ｕｌ Ｕｌ` Ｕ相のリード線引出し方向
Ｖｌ Ｖｌ` Ｖ相のリード線引出し方向
Ｗｌ Ｗｌ` Ｗ相のリード線引出し方向
Ｍｔｕ，Ｍｔｖ、Ｍｔｗ モータ端子
Ｃｏ ステータコイル
ＳＴ ステータ
ＭＳ 駆動軸
ＥＣＵ 制御装置
Ｈ 孔

Claims (12)

  1. 電子部品を実装するための配線パターン形状のリードフレームに形成した導体板と、前記導体板の前記配線パターン形状のリードフレーム間に設けられた絶縁材とにより構成され、前記導体板の電子部品配置面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の板面とを同一面上に形成し、
    前記導体板の前記電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の裏面の板面とを同一面上に形成した電子部品搭載用放熱基板であって、
    前記配線パターン形状のリードフレームは、少なくとも２種類以上の相互に異なる厚さを有し、
    前記配線パターン形状のリードフレームの前記電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の電子部品配置面側の裏面の板面とは、前記リードフレームのうち最も厚みを有する前記リードフレームの前記電子部品配置面の裏面の板面に合わせて、同一面上に形成し、
    前記相互に異なる厚さを有するリードフレームは、相互に交差や重なり合いを生ずることなく配線パターンを形成すると共に、前記電子部品が実装されることにより、前記相互に異なる厚みを有するリードフレームが電子回路を形成するように構成され、
    厚みの薄いリードフレームの配線幅は厚みの厚いリードフレームの配線幅よりも狭く形成されると共に、前記電子部品配置面を上面から見た場合に前記厚みの厚いリードフレームと前記厚みの薄いリードフレームとは、混在して配置され、
    前記リードフレームの両側面は、前記電子部品配置面の板面の表面から裏面にかけて前記板面に垂直な平面に形成され、
    前記配線パターン形状のリードフレームと前記絶縁材との間で、前記リードフレームの側面から前記絶縁材側にかけて係止部を設け、
    前記係止部は、前記リードフレームの板面の側面から内側寄りに形成された，前記リードフレームの表面から裏面迄を貫通する絶縁材封止形状であり、前記絶縁材封止形状から前記リードフレームの側面側は、前記リードフレームの厚みが薄く構成され前記絶縁材により前記リードフレームの側面の表面側と裏面側とが封止されているものである
    ことを特徴とする電子部品搭載用放熱基板。
  2. 機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群、若しくは、多相交流電流により駆動される電動モータの各相の制御を行うパワーデバイス又はパワーデバイス群を、前記電子部品搭載用放熱基板上に、相互に最大の間隔を設けるように分散配置し、
    前記発熱性電子部品群への入口から前記発熱性電子部品群の出口までの電流経路の長さが相互に略同一となるように、若しくは、前記パワーデバイス又はパワーデバイス群から前記電動モータの接続部までの電流経路の長さが、前記各相とも相互に略同一となるように配置した請求項１に記載の電子部品搭載用放熱基板。
  3. 前記電子部品搭載用放熱基板は円形に構成され、
    前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部の周りに円環状のリードフレームを配し、
    前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部には、前記電子部品搭載用放熱基板を貫通する孔が形成されており、
    機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群、若しくは、多相交流電流により駆動される電動モータの各相の制御を行うパワーデバイス又はパワーデバイス群を前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部の廻りの前記円環状のリードフレームを介して相互に最大の間隔を設けるように分散配置し、
    前記発熱性電子部品群への入口から前記発熱性電子部品群の出口までの電流経路の長さが相互に略同一となるように、若しくは、前記パワーデバイス又はパワーデバイス群から前記電動モータの接続部までの電流経路の長さが、前記各相とも相互に略同一となるように配置した請求項１に記載の電子部品搭載用放熱基板。
  4. 前記分散配置された前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群からの出力方向は、前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは機能的なまとまりを有する複数の発熱性電子部品群からのリード線の引出し方向として、前記円形に構成された電子部品搭載用放熱基板の中心部から放射状に構成されている請求項３に記載した電子部品搭載用放熱基板。
  5. 前記機能的なまとまりを有する前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは複数の発熱性電子部品群を前記電子部品搭載用放熱基板の表面側及び裏面側に分散配置する場合に、前記表面側に分散配置される前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは発熱性電子部品群に対して、前記裏面側に分散配置される前記パワーデバイス又はパワーデバイス群若しくは発熱性電子部品群が、前記電子部品搭載用放熱基板の表面側と裏面側とで前記電子部品搭載用放熱基板の板面を透視して見た時に重ならないように行う請求項２乃至４のいずれか１項に記載の電子部品搭載用放熱基板。
  6. 前記リードフレームの電子部品配置面の板面のうち、前記電子部品を配置しない部分には前記電子部品配置面の板面に表面側凹部を設けて前記絶縁材により被覆し、
    前記表面側凹部を被覆する前記絶縁材の表面は、前記リードフレームの前記電子部品配置面の板面と前記絶縁材の前記電子部品配置面側の板面とを同一面上に形成し、
    及び／又は、
    前記リードフレームの電子部品配置面の裏面の板面であって、前記電子部品配置面のうち前記電子部品を配置しない部分の裏面に当たる部分に、前記裏面の板面に裏面側凹部を設けて前記絶縁材により被覆し、
    前記裏面側凹部を被覆する前記絶縁材の表面は、前記リードフレームの電子部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の前記電子部品配置面側の裏面の板面とを同一面上に形成した請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品搭載用放熱基板。
  7. 前記電子部品搭載用放熱基板の外縁には前記絶縁材により形成された縁取り部を設け、前記縁取り部の内側は前記電子部品搭載用放熱基板に実装された電子部品と共に樹脂でモールドされている請求項１乃至６のいずれか１項に記載した電子部品搭載用放熱基板。
  8. 前記導体板に形成した配線パターン形状のリードフレームの一部は、前記絶縁材の周縁より内側又は外側で、その一部を前記導体板の板面に対して上方又は下方に屈曲した形状を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品搭載用放熱基板。
  9. 前記電子部品搭載用放熱基板２枚を介挿シートを介して１枚の電子部品搭載用放熱基板として構成し、前記１枚の電子部品搭載用放熱基板を構成する前記介挿シートを挟んだ一方の電子部品搭載用放熱基板の前記介挿シートに面していない面を前記１枚の電子部品搭載用放熱基板の表面側として用い、前記１枚の電子部品搭載用放熱基板を構成する前記介挿シートを挟んだ他の一方の電子部品搭載用放熱基板の前記介挿シートに面していない面を前記１枚の電子部品搭載用放熱基板の裏面側として用いる請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子部品搭載用放熱基板。
  10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品搭載用放熱基板を用いる電動パワーステアリング装置のパワーモジュールであって、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレームは前記パワーモジュールの大電流信号用とし、厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームは前記パワーモジュールの小電流信号用として用いる電動パワーステアリング装置のパワーモジュール。
  11. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品搭載用放熱基板又は請求項１０に記載のパワーモジュールに用いるシャント抵抗の接続構造であって、
    前記電子部品搭載用放熱基板は、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレーム上に、前記シャント抵抗の２つの端子を接続する２つの接続部を有し、
    前記２つの接続部のそれぞれの近傍に厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端を配設するか、若しくは、厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端を、前記２つの接続部の一部にそれぞれ設けられた切り欠き部に配置し、
    前記シャント抵抗の２つの端子は、それぞれ、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレームの接続部に接続する部分と厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端とに接続する部分とが、前記２つの端子のそれぞれの単一の平面上で区別されることなく接続されるようになっており、
    前記シャント抵抗の２つの端子の、厚みが厚く配線幅の広い前記リードフレームの接続部及び厚みが薄く配線幅の狭い前記リードフレームの一端との接続は、前記２つの接続部の上に前記シャント抵抗の２つの端子をそれぞれに載置して同時に半田結合することにより行われた、シャント抵抗の接続構造。
  12. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品搭載用放熱基板又は請求項１１に記載のシャント抵抗の接続構造を電動モータ制御用のパワー基板に用いた電動パワーステアリング装置。
JP2017140854A 2014-11-20 2017-07-20 電子部品搭載用放熱基板 Expired - Fee Related JP6465170B2 (ja)

Applications Claiming Priority (20)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014235691 2014-11-20
JP2014235691 2014-11-20
JP2015140106 2015-07-14
JP2015140106 2015-07-14
JP2015216156 2015-11-02
JP2015216154 2015-11-02
JP2015216153 2015-11-02
JP2015216156 2015-11-02
JP2015216152 2015-11-02
JP2015216154 2015-11-02
JP2015216153 2015-11-02
JP2015216152 2015-11-02
JP2015216396 2015-11-04
JP2015216396 2015-11-04
JP2015222242 2015-11-12
JP2015222243 2015-11-12
JP2015222243 2015-11-12
JP2015222246 2015-11-12
JP2015222246 2015-11-12
JP2015222242 2015-11-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016560299A Division JP6179679B2 (ja) 2014-11-20 2015-11-20 電子部品搭載用放熱基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017216468A JP2017216468A (ja) 2017-12-07
JP6465170B2 true JP6465170B2 (ja) 2019-02-06

Family

ID=56014051

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016560299A Expired - Fee Related JP6179679B2 (ja) 2014-11-20 2015-11-20 電子部品搭載用放熱基板
JP2017140854A Expired - Fee Related JP6465170B2 (ja) 2014-11-20 2017-07-20 電子部品搭載用放熱基板

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016560299A Expired - Fee Related JP6179679B2 (ja) 2014-11-20 2015-11-20 電子部品搭載用放熱基板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10192818B2 (ja)
EP (1) EP3196931A4 (ja)
JP (2) JP6179679B2 (ja)
CN (1) CN107004649B (ja)
WO (1) WO2016080519A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014205957A1 (de) * 2014-03-31 2015-10-01 Lemförder Electronic GmbH Treiberbaugruppe
EP3223308A4 (en) * 2014-11-20 2018-08-29 NSK Ltd. Heat dissipation substrate for mounting electric component
EP3223307A4 (en) * 2014-11-20 2018-08-29 NSK Ltd. Heat dissipation substrate for mounting electric component
CN107004649B (zh) * 2014-11-20 2019-09-03 日本精工株式会社 电子部件搭载用散热基板
EP3545550B1 (en) * 2016-11-23 2021-02-17 ABB Schweiz AG Manufacturing of a power semiconductor module
CN109346449B (zh) * 2018-11-13 2024-04-16 北方电子研究院安徽有限公司 一种大功率高电压ltcc模块散热封装
JP2020088149A (ja) * 2018-11-26 2020-06-04 日本発條株式会社 金属ベース回路基板の製造方法
TWI690134B (zh) * 2018-12-07 2020-04-01 璦司柏電子股份有限公司 內建有檢流電阻和功率電晶體的馬達控制裝置
WO2021059796A1 (ja) * 2019-09-24 2021-04-01 日立Astemo株式会社 電子制御装置
FR3105651B1 (fr) * 2019-12-24 2023-10-06 Safran Distributeur électrique
CN113335441B (zh) * 2021-06-29 2022-11-01 彭显运 一种滑板车控制器及其电路板控制方法
EP4160677A1 (de) * 2021-09-30 2023-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiteranordnung mit mindestens zwei halbleiterelementen
CN115148709B (zh) * 2022-06-28 2023-06-23 爱微(江苏)电力电子有限公司 电池组的电子式初始充电用功率模块及其的制造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310886A (ja) 1993-04-27 1994-11-04 Mitsubishi Electric Corp 電子回路モジュール
US5563447A (en) 1993-09-07 1996-10-08 Delco Electronics Corp. High power semiconductor switch module
JP3855306B2 (ja) 1996-05-30 2006-12-06 松下電器産業株式会社 電子部品搭載用放熱基板及びその製造方法
JPH09331694A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Toshiba Corp インバータモータ
JP4223581B2 (ja) * 1997-04-18 2009-02-12 日立化成工業株式会社 マルチチップ実装法
JPH1127959A (ja) 1997-07-08 1999-01-29 Toshiba Fa Syst Eng Kk インバータ装置
JP2000124400A (ja) 1998-10-12 2000-04-28 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置
JP2003133497A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Toshiba Components Co Ltd 薄型半導体素子
FR2842042A1 (fr) * 2002-07-04 2004-01-09 Valeo Equip Electr Moteur Module de controle et de puissance d'un alterno-demarreur integrale
JP4029049B2 (ja) * 2003-01-10 2008-01-09 三菱電機株式会社 電流検出用抵抗器
JP2004221260A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2006324542A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Cmk Corp プリント配線板とその製造方法
JP2006332449A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Cmk Corp 多層プリント配線板及びその製造方法
JP2007089357A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Sumitomo Electric Ind Ltd パワーモジュール
JP4708951B2 (ja) * 2005-10-21 2011-06-22 ニチコン株式会社 インバータモジュールおよびそれを用いたインバータ一体型交流モータ
JP2007214246A (ja) 2006-02-08 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放熱配線基板とその製造方法
JP4862601B2 (ja) 2006-10-13 2012-01-25 パナソニック株式会社 熱伝導基板とその製造方法及び回路モジュール
JP4403428B2 (ja) 2007-02-09 2010-01-27 オンキヨー株式会社 プリント配線板
JP5096094B2 (ja) 2007-09-26 2012-12-12 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路装置
JP2009194277A (ja) 2008-02-18 2009-08-27 Panasonic Corp 放熱基板とその製造方法
TW200941684A (en) 2008-03-06 2009-10-01 Mitsubishi Electric Corp Leadframe board, semiconductor module, and method for making a leadframe board
JP2010129604A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Fujikura Ltd 回路配線基板及びその製造方法
CN102725946B (zh) * 2010-01-29 2015-06-10 三菱电机株式会社 逆变器一体型驱动模块及其制造方法
JP2011181650A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Panasonic Corp 放熱基板とその製造方法
JP5328706B2 (ja) 2010-03-29 2013-10-30 北芝電機株式会社 電力変換装置
JP2012028744A (ja) 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
FR2962608B1 (fr) * 2010-07-07 2012-08-10 Toulouse Inst Nat Polytech Nouvelles structures de redondance pour convertisseurs statiques
JP2013125848A (ja) 2011-12-14 2013-06-24 Rohm Co Ltd パワーモジュール半導体装置およびその製造方法
JP5888014B2 (ja) * 2012-03-09 2016-03-16 日産自動車株式会社 電力変換装置
JP5586671B2 (ja) 2012-09-28 2014-09-10 三菱電機株式会社 パワーモジュール及びこれを用いた駆動装置
JP2014078658A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Shindo Denshi Kogyo Kk 半導体パッケージ用基板、及びその製造方法
US9397030B2 (en) * 2012-11-05 2016-07-19 Nsk Ltd. Semiconductor module
JP2014165486A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Itabashi Seiki Kk パワーデバイスモジュールとその製造方法
CN107004649B (zh) * 2014-11-20 2019-09-03 日本精工株式会社 电子部件搭载用散热基板
EP3223308A4 (en) * 2014-11-20 2018-08-29 NSK Ltd. Heat dissipation substrate for mounting electric component
EP3223307A4 (en) * 2014-11-20 2018-08-29 NSK Ltd. Heat dissipation substrate for mounting electric component

Also Published As

Publication number Publication date
CN107004649B (zh) 2019-09-03
JP2017216468A (ja) 2017-12-07
CN107004649A (zh) 2017-08-01
US20170294374A1 (en) 2017-10-12
US10192818B2 (en) 2019-01-29
EP3196931A4 (en) 2019-02-20
JP6179679B2 (ja) 2017-08-16
WO2016080519A1 (ja) 2016-05-26
JPWO2016080519A1 (ja) 2017-04-27
EP3196931A1 (en) 2017-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6465170B2 (ja) 電子部品搭載用放熱基板
JP6573014B2 (ja) 電子部品搭載用放熱基板
JP6614322B2 (ja) 電子部品搭載用放熱基板

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180828

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181211

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6465170

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees