JP6455176B2

JP6455176B2 - 光書き込み装置、画像形成装置及び光書き込み装置の製造方法

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Publication number: JP6455176B2
Application number: JP2015011121A
Authority: JP
Inventors: 昂紀植村; 長坂　泰志; 泰志長坂; 壯矢野; 隆宏松尾; 彰谷山; 成幸飯島
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2015-01-23
Filing date: 2015-01-23
Publication date: 2019-01-23
Anticipated expiration: 2035-01-23
Also published as: JP2016135555A

Description

本発明は、光書き込み装置、画像形成装置及び光書き込み装置の製造方法に関し、ＯＬＥＤの劣化に起因する発光量のバラツキを抑制する技術に関する。

近年、発光素子として注目されているＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子とも呼ばれ、有機発光層に通電することにより発光する。
ＯＬＥＤは、積算発光時間が長くなると有機発光層が劣化して発光効率が低下する。従って、劣化に依らず一定の光量を得るためには、通電量を増加させなければならない。

このようなＯＬＥＤを画像形成装置に搭載された光書込み装置に適用しようとすると、形成すべき画像に応じてＯＥＬＤ毎に積算発光時間が異なり得るので、ＯＬＥＤ毎に劣化度が異なってしまう。このため、光書込み装置に実装されたすべてのＯＬＥＤの通電量を一律に増加させると、ＯＬＥＤの発光量にバラつきが生じてしまう。
具体的には、劣化が進んでいないＯＬＥＤは発光量が多くなり、劣化の進んだＯＬＥＤは発光量が少なくなるので、露光ムラが発生して画質が低下してしまう。

このような問題に対して、例えば、ＯＬＥＤ毎の積算発光時間に応じて通電量を加減する技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。このような技術によれば、積算発光時間が短いＯＬＥＤは通電量を少なくし、積算発光時間が長いＯＬＥＤは通電量を多くすることによって、劣化による発光量のバラツキを抑制することができる。

特許第３９０４９９６号公報

しかしながら、ＯＬＥＤを実装したＯＬＥＤパネルは、マザーガラス上に有機発光層や電極層などを順次積層することによって複数個がまとめて製造されるところ（図１６）、近年、製造コストの削減を目的として、従来よりも大型のマザーガラスを用いて、より多くのＯＬＥＤパネルをまとめて製造するようになると、上記の従来技術では劣化による発光量のバラツキを十分に抑制することができなくなってきている（図１７）。

本発明は、上述のような問題に鑑みて為されたものであって、大型のマザーガラスを用いた場合であっても、ＯＬＥＤの劣化に起因する発光量のバラツキを精度よく補正することができる光書込み装置、画像形成装置及び光書き込み装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る光書込み装置は、マザーガラスから切り出されたＯＬＥＤパネルに形成された複数のＯＬＥＤを発光させることによって光書込みを行う光書込み装置であって、前記マザーガラスから前記ＯＬＥＤパネルを切り出す以前における、当該マザーガラス上でのＯＬＥＤの位置を示す位置情報を記憶する位置情報記憶手段と、ＯＬＥＤ毎の積算発光時間を記憶する積算発光時間記憶手段と、ＯＬＥＤ毎の駆動電流量を、前記位置情報と当該ＯＬＥＤの積算発光時間とに応じて補正する駆動電流量補正手段と、備えることを特徴とする。

このようにすれば、大型のマザーガラスを用いた場合であっても、マザーガラス上でのＯＬＥＤの位置に応じて駆動電流量を補正するので、ＯＬＥＤの劣化に起因する発光量のバラツキを精度よく補正することができる。

本発明の実施の形態に係る画像形成装置の主要な構成を示す図である。光書込み装置１００による光書込み動作を説明する断面図である。ＯＬＥＤパネル部２００の概略平面図であり、併せてＡ−Ａ´線における断面図とＣ−Ｃ´線における断面図も示されている。化学気相成長法（蒸着法）を説明する図である。ＯＬＥＤ２０１の層構成を示す断面図である。（ａ）マーキングを蒸着するためのマスク４０３と、（ｂ）マーキングを蒸着されたマザーガラス４００とを例示する平面図である。ドライバーＩＣ３０２の主要な機能構成を示すブロック図である。設定光量記憶部７０１が記憶する設定光量Ｌを例示するテーブルである。設定電流量記憶部７０２が記憶する設定光量Ｌを例示するテーブルである。位置情報ＰとＯＬＥＤ２０１毎の膜厚Ｒとを記憶する膜厚テーブルを例示する。ＯＬＥＤ番号ｎのＯＬＥＤ２０１の積算発光時間Ｈを記憶する積算発光時間テーブルを例示する。膜厚が範囲Ｒ１内にあるＯＬＥＤ２０１の劣化係数δを発光時の素子温度の範囲と駆動電流量の範囲との組み合わせ毎に記憶する劣化係数テーブルを例示する。ＯＬＥＤ２０１の劣化特性を例示するグラフであって、（ａ）はＯＬＥＤ２０１の素子温度、（ｂ）はＯＬＥＤ２０１の駆動電流量、また、（ｃ）は有機発光層の膜厚との関係を示す。補正係数テーブルを例示する。劣化時の発光量を補正する処理を示すフローチャートである。マザーガラスからＯＬＥＤパネルを切り出す説明図である。ＯＬＥＤの劣化特性のバラツキを例示するグラフである。

以下、本発明に係る、画像形成装置及び光書き込み装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［１］画像形成装置の構成
図１は、本実施の形態に係る画像形成装置の主要な構成を示す図である。図１に示されるように、画像形成装置１は、所謂タンデム型のカラープリンターである。画像形成装置１が備える作像部１０１Ｙ〜１０１Ｋは、制御部１０２の制御の下、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）、Ｋ（ブラック）各色のトナー像を形成する。

例えば、作像部１０１Ｙにおいて、帯電装置１１１は感光体ドラム１１０の外周面を一様に帯電させる。光書込み装置１００は、後述のように、主走査方向にライン状に配列された発光素子（ＯＬＥＤ）を備えており、制御部１０２が生成したデジタル輝度信号に従って各ＯＬＥＤを発光させる。これによって、感光体ドラム１１０の外周面に光書込みが行われ、静電潜像が形成される。

現像装置１１２は、感光体ドラム１１０の外周面にトナーを供給して、静電潜像を現像（顕像化）する。１次転写ローラー１１３は、感光体ドラム１１０から中間転写ベルト１０３へトナー像を静電転写（１次転写）する。
この様にして、作像部１０１Ｙ〜１０１Ｋが形成したＹＭＣＫ各色のトナー像が互いに重なり合うように中間転写ベルト１０３上に１次転写されカラートナー像となる。中間転写ベルト１０３がカラートナー像を２次転写ローラー対１０４まで搬送するのに合わせて、給紙カセット１０５から供給された記録シートＳも２次転写ローラー対１０４まで搬送される。

２次転写ローラー対１０４は、中間転写ベルト１０３上のトナー像を記録シートＳ上に静電転写（２次転写）する。トナー像を転写された記録シートＳは、定着装置１０６でトナー像を熱定着された後、機外に排出される。
［２］光書込み装置１００の構成
次に、光書込み装置１００の構成について説明する。

図２に示されるように、光書込み装置１００は、ＯＬＥＤパネル２００とロッドレンズアレイ（SLA: Selfoc Lens Array。Selfocは日本板硝子株式会社の登録商標。）２０２をホルダー２０３に収容したものであって、ＯＬＥＤパネル２００にはＯＬＥＤ２０１が実装されている。ＯＬＥＤ２０１が出射した光ビームＢは、ロッドレンズアレイ２０２によって感光体ドラム１１０の外周面上に集光される。

図３は、ＯＬＥＤパネル２００の概略平面図であり、併せてＡ−Ａ´線における断面図とＣ−Ｃ´線における断面図も示されている。また、概略平面図部分は後述する封止板３０１を取り外した状態を示している。
図３に示されるように、ＯＬＥＤパネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板３００、封止板３０１及びドライバーＩＣ（Integrated Circuit）３０２等を備えている。ＴＦＴ基板３００には、多数のＯＬＥＤ２０１が主走査方向に沿ってライン状に配列されている。これらのＯＬＥＤ２０１は、一列に配列されていても良いし、千鳥配置にされていても良い。

また、ＴＦＴ基板３００のＯＬＥＤ２０１が配設された基板面は封止領域となっており、スペーサー枠体３０３を挟んで封止板３０１が取着されている。これによって、封止領域が、外気に触れないように乾燥窒素等を封入した状態で、封止される。なお、吸湿のため、封止領域内に吸湿剤を併せて封入しても良い。また、封止板３０１は、例えば、封止ガラスであっても良いし、ガラス以外の材料からなっていても良い。

ＴＦＴ基板３００の封止領域外にはドライバーＩＣ３０２が実装されている。制御部１０２はフレキシブルワイヤー３１０を介してドライバーＩＣ３０２にデジタル輝度信号を入力する。制御部１０２は、デジタル輝度信号を生成するために専用のＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）を内蔵しても良い。
ドライバーＩＣ３０２はデジタル輝度信号をアナログ輝度信号（以下、単に「輝度信号」という。）に変換してＯＬＥＤ２０１毎の駆動回路に入力する。駆動回路は輝度信号に応じてＯＬＥＤ２０１の駆動電流を生成する。輝度信号は、電流信号であってもよいし電圧信号であってもよい。また、ドライバーＩＣ３０２には、ＯＬＥＤ２０１の環境温度を検出する温度センサー３２０と不揮発性メモリ３２１も内蔵されている。

［３］光書き込み装置１００の製造方法
次に、光書き込み装置１００の製造方法について説明する。
光書き込み装置１００を構成するＯＬＥＤパネル２００は、マザーガラスを用いて製造される。マザーガラスは、マザーガラス基板とも呼ばれ、生産性向上のため、マザーガラス上に複数のＴＦＴ基板３００が製膜された後、個別に切り出され、ＯＬＥＤパネル２００となる。マザーガラスとしては、高温処理に耐える石英ガラスや無アクリルガラスを用いることができる。

ＯＬＥＤ２０１を含むＴＦＴ基板３００は、複数の薄膜を積層することによって製造される。薄膜は化学気相成長法（CVD: Chemical Vapor Deposition）や物理気相成長法（PVD: Physical Vapor Deposition）を用いて製膜される。
例えば、化学気相成長法の一つである蒸着法では、図４に示されるように、製膜物質４０１を熱源４０２上に載置し、熱源４０２の上方にマザーガラス４００を配置する。このとき、マザーガラス４００は、成膜面４００ａを下方に向けるように設置される。マザーガラス４００と熱源４０２との間にはマスク４０３と呼ばれる金属板が配置される。マスク４０３は製膜パターンに合わせて切り抜かれている。

熱源４０２を用いて製膜物質４０１を加熱すると、製膜物質４０１が蒸発して原料ガスが拡散する。原料ガスの一部は、マスク４０３を通過してマザーガラス４００上に付着して、製膜される。このような製膜を繰り返すことによって、ＯＬＥＤ２０１を構成する薄膜層４０４が積層される。
マザーガラス表面における原料ガスの濃度は、熱源４０２から近い位置ほど濃く、熱源４０２から遠ざかるにつれて薄くなる。また、熱源４０２からの距離に関係なく蒸着時間はマザーガラス４００全体で一定であるので、製膜される膜厚は熱源４０２に近いほど厚く、熱源４０２から遠ざかるにつれて薄くなる。

図５に示されるように、ＯＬＥＤ２０１は、マザーガラス４００上に陽極層５０１、有機発光層５０２及び陰極層５０３等を順次積層させて形成される。陽極層５０１は、酸化インジウム（ITO: Indium Titan Oxide）等からなる透明電極である。有機発光層５０２は、少なくとも１層からなっており、層厚が厚いほど劣化し難い。陰極層５０３はアルミニウム等の金属からなる。この陽極層５０１と陰極層５０２との間に電流を流すと有機発光層５０２が発光し、陽極層５０３とガラス基板（マザーガラス４００）とを通して光が取り出される。

本実施の形態においては、金属層（例えば、陰極５０３）を製膜するためのマスク４０３に、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤパネル２００の位置を示す位置表示（マーキング）を製膜により記録するためのパターンが切り抜かれている。これによって、マザーガラス４００上に金属材料（陰極材料）でマーキングが蒸着される。
図６に、マーキングを蒸着するためのマスク４０３と（図６（ａ））、マーキングを蒸着されたマザーガラス４００と（図６（ｂ））を例示した。図６に示されるように、マスク４０３にはパターン６０１が設けられており、マーキング６００がＯＬＥＤパネル２００に１対１に対応するように蒸着される。

マザーガラス４００上での製膜プロセスが完了すると、当該マザーガラス４００から各ＯＬＥＤパネル２００が切り出される。この場合において、ＯＬＥＤパネル２００毎にマーキング６００が１つずつ残るように切り出しが行われるので、切り出し後のＯＬＥＤパネル２００はマーキング６００を参照することによって、マザーガラス４００上のどの位置から切り出されたかが識別される。

切り出されたＯＬＥＤパネル２００は、それぞれＦＰＣ（Flexible Print Circuit）やドライバーＩＣ３０２等が実装された後、ロッドレンズアレイ２０２と共にホルダー２０３に取着される。このようにして、光書き込み装置１００が組み立てられる。
その後、ＯＬＥＤパネル２００上のマーキング６００をカメラ又は目視により読み取って、マザーガラス４００上での当該ＯＬＥＤパネル２００の位置情報Ｐを抽出し、不揮発性メモリ３２１に記憶させる。また、感光体ドラム１１０上での露光量がＯＬＥＤ２０１間で等しくなるように、ＯＬＥＤ２０１毎の設定光量が特定され、不揮発性メモリ３２１に記憶される。その後、光書き込み装置１００は画像形成装置１に取り付けられる。

［４］ドライバーＩＣ３０２の構成
次に、ドライバーＩＣ３０２の構成について説明する。
上述のように、ドライバーＩＣ３０２の不揮発性メモリ３２１には、マザーガラス４００上での当該ＯＬＥＤパネル２００の位置が記録されている。また、ＯＬＥＤパネル２００上でのＯＬＥＤ２０１の位置もまた分かっている。従って、これらの情報から、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤ２０１の位置を知ることができる。

製膜時におけるマザーガラス４００と熱源４０２との位置関係は通常一定であるので、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤ２０１の位置が分かれば、有機発光層５０２を製膜したときの熱源４０２からＯＬＥＤ２０１までの距離を知ることができる。また、ＯＬＥＤ２０１は、熱源４０２からの距離に応じて有機発光層５０２の層厚が変化し、有機発光層５０２の層厚に応じて劣化特性が変化する。

従って、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤパネル２００の位置、ＯＬＥＤパネル２００上でのＯＬＥＤ２０１及び当該ＯＬＥＤ２０１の積算発光時間から当該ＯＬＥＤ２０１の劣化度を推定して駆動電流を増加させれば、ＯＬＥＤ２０１の経時劣化による発光量の低下を精度良く補正することができる。このため、ドライバーＩＣ３０２は以下のような構成を備えている。

図７は、ドライバーＩＣ３０２の主要な機能構成を示すブロック図である。ドライバーＩＣ３０２が備える設定光量記憶部７０１は、ＯＬＥＤ２０１毎の設定光量Ｌを識別する識別子（以下、「設定光量識別子」という。）を記憶する。図８は、設定光量記憶部７０１が記憶する設定光量Ｌを例示するテーブルである。
上述のように、光書込み装置１００においては、ロッドレンズアレイ２０２を用いてＯＬＥＤ２０１の出射光を感光体ドラム１１０の外周面上に集光する。このロッドレンズアレイ２０２は、円柱状のロッドレンズを集積した構造を有している。ロッドレンズアレイ２０２を構成する円柱状のロッドレンズと個々のＯＬＥＤ２０１との位置関係はさまざまであり、ＯＬＥＤ２０１の出射光の主光線は必ずしも円柱状のロッドレンズの光軸に一致せず、ロッドレンズアレイ２０２の結像効率がＯＬＥＤ２０１毎に変動する。

このため、すべてのＯＬＥＤ２０１に同一の駆動電流を供給すると露光量にバラつきが生じる。すべてのＯＬＥＤ２０１で露光量を揃えるためには、ＯＬＥＤ２０１毎に発光量を調整する必要がある。初期状態においてＯＬＥＤ２０１間で露光量が揃うように設定されたＯＬＥＤ２０１毎の発光量が設定光量Ｌである。ロッドレンズアレイ２０２の結像効率が低いＯＬＥＤ２０１ほど設定光量Ｌが多くなる。

図８の例では、ＯＬＥＤ番号１のＯＬＥＤ２０１については設定光量識別子Ｌ１が記憶され、ＯＬＥＤ番号２のＯＬＥＤ２０１については設定光量識別子Ｌ２が記憶されている。
設定電流量記憶部７０２は、経時劣化前の初期状態かつ所定の環境温度（例えば、日本工業規格ＪＩＳＺ８７０３で定める標準状態の温度２０℃、２３℃又は２５℃の何れか。）においてＯＬＥＤ２０１を設定光量Ｌで発光させるための駆動電流量（以下、「設定電流量」という。）を設定光量識別子毎に記憶する。図９は、設定電流量記憶部７０２が記憶する設定光量Ｌを例示するテーブルである。図９の例では、設定光量識別子Ｌ１、Ｌ２にそれぞれ対応する駆動電流量Ｉ１、Ｉ２が記憶されている。

位置情報記憶部７０３は、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤパネル２００の位置を表す位置情報Ｐを不揮発性メモリ３２１上で記憶すると共に、ＯＬＥＤ２０１の位置毎に膜厚範囲Ｒを記憶する。上述のように、当該位置情報ＰはＯＬＥＤパネル２００の製造時に不揮発性メモリ３２１に書き込まれる。また、膜厚範囲Ｒは、例えば、１００ナノメートル以上２００ナノメートル未満や、２００ナノメートル以上３００ナノメートル未満のように定められる。

図１０は、位置情報ＰとＯＬＥＤ２０１毎の膜厚Ｒとを記憶する膜厚テーブルを例示する。図１０では、位置情報Ｐが記憶されると共に、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤパネル２００の位置とＯＬＥＤ番号（ＯＬＥＤパネル２００上でのＯＬＥＤ２０１の位置）とに対応する膜厚Ｒが記憶される。後述のように、劣化度算出部７０７は位置情報Ｐを参照してパネル位置を特定し、更にＯＬＥＤ番号から当該ＯＬＥＤ２０１の膜厚が含まれる膜厚範囲Ｒを特定する。

積算発光時間記憶部７０４は、ＯＬＥＤ２０１毎に、発光時の素子温度の温度範囲ＲＴと駆動電流量の範囲ＲＩとの組み合わせ毎の積算発光時間Ｈを記憶する。図１１は、ＯＬＥＤ番号ｎのＯＬＥＤ２０１の積算発光時間Ｈを記憶する積算発光時間テーブルを例示している。例えば、ＯＬＥＤ番号ｎのＯＬＥＤ２０１の素子温度が温度範囲ＲＴ３内であって、かつ、駆動電流量が範囲ＲＩ３内であったときの積算発光時間が１１２時間になっている。

劣化係数テーブル７０５は、ＯＬＥＤ２０１の有機発光層５０２の膜厚の範囲毎に、発光時の素子温度の範囲と駆動電流量の範囲との組み合わせ毎の劣化係数（劣化速度）δを記憶する。図１２は、膜厚が範囲Ｒ１内にあるＯＬＥＤ２０１の劣化係数δを発光時の素子温度の範囲と駆動電流量の範囲との組み合わせ毎に記憶する劣化係数テーブルを例示している。例えば、膜厚が範囲Ｒ１内にあるＯＬＥＤ２０１の素子温度が温度範囲ＲＴ２内であって、かつ、駆動電流量が範囲ＲＩ２内であるときの劣化係数δが１．０６になっている。

図１３は、ＯＬＥＤ２０１の劣化特性を例示するグラフである。図１３（ａ）に示されるように、ＯＬＥＤ２０１は、素子温度が高いほど速く劣化して、発光量が減少する。また、図１３（ｂ）に示されるように、ＯＬＥＤ２０１は、駆動電流量が多いほど速く劣化し、図１３（ｃ）に示されるように、有機発光層５０２の膜厚が薄いほど速く劣化する。劣化係数テーブル７０５が記憶する劣化係数δは以上のような特性を反映している。

劣化度算出部７０７は、ＯＬＥＤ２０１毎に、劣化係数δと積算発光時間Ｈとを用いて劣化度Ｄを算出する。具体的には、発光時の素子温度の範囲と駆動電流量の範囲との組み合わせ毎に積算発光時間Ｈと劣化係数δと乗算し、その総和を求めることによって、劣化度Ｄが算出される。
補正係数テーブル７０６は、ＯＬＥＤ２０１の劣化度Ｄの範囲ＲＤ毎に、素子温度の温度範囲ＲＴと設定光量Ｌの組み合わせ毎の補正係数γを記憶する。図１４は、補正係数テーブルを例示する。図１４においては、例えば、素子温度が温度範囲ＲＴ１内にあって、かつ、設定光量識別子がＬ１であるときの補正係数γは１．０１１である。

駆動電流量算出部７０８は、ＯＬＥＤ２０１毎の設定電流量に補正係数γを乗算することによって駆動電流量を算出する。
温度センサー３２０は、ＯＬＥＤ２０１の素子温度を指標する情報として、ドライバーＩＣ３０２の素子温度を検出する。ＯＬＥＤ２０１とドライバーＩＣ３０２とは同じＴＦＴ基板３００上に実装されているので、ＴＦＴ基板３００を介した熱伝導によって互いに素子温度が近くなっていると考えられる。

［５］劣化時の発光量補正
次に、ＯＬＥＤ２０１の劣化時の発光量補正について説明する。
ドライバーＩＣ３０２は、ＯＬＥＤ２０１を発光させるのに先立って、図１５に示されるように、温度センサー３２０を参照して、自らの素子温度をＯＬＥＤ２０１の素子温度として取得する（Ｓ１５０１）。その後、ＯＬＥＤ２０１毎にステップＳ１５０２からＳ１５１０までの処理を繰り返す。

まず、劣化度算出部７０７にて、積算発光時間記憶部７０４を参照して、発光時の素子温度の温度範囲ＲＴと駆動電流量の範囲ＲＩとの組み合わせ毎の積算発光時間Ｈを取得する（Ｓ１５０２）。次に、位置情報記憶部７０３を参照して、当該ＯＬＥＤ２０１の膜厚が属する膜厚範囲Ｒを特定する（Ｓ１５０３）。更に、劣化係数テーブル７０５を参照して、発光時の素子温度の温度範囲ＲＴと駆動電流量の範囲ＲＩとの組み合わせ毎の劣化係数δを取得する（Ｓ１５０４）。

そして、積算発光時間Ｈと劣化係数δとから劣化度Ｄを算出する（Ｓ１５０５）。発光時の素子温度のｉ番目の温度範囲ＲＴｉと、駆動電流量のｊ番目の範囲ＲＩｊとにそれぞれ対応する積算発光時間Ｈ_ijと劣化係数δ_ijを用いて、劣化度Ｄが次式により算出される。

次に、駆動電流量算出部７０８は、設定光量記憶部７０１を参照して、当該ＯＬＥＤ２０１の設定光量Ｌを特定する（Ｓ１５０６）。更に、ステップＳ１５０５で算出した劣化度Ｄに対応する補正係数テーブル７０６を参照して、設定光量Ｌと現在の素子温度Ｔとに対応する補正係数γを取得する（Ｓ１５０７）。更に、当該ＯＬＥＤ２０１の設定光量Ｌに対応する設定電流量Ｉｎを取得する（Ｓ１５０８）。

駆動電流量算出部７０８は、補正係数γと設定電流量Ｉｎとを次式のように乗算することによって駆動電流量Ｉを算出する（Ｓ１５０９）。

最後に、駆動電流量算出部７０８は、当該ＯＬＥＤ２０１を当該駆動電流量Ｉで発光させた時間を、積算発光時間記憶部７０４が記憶する積算発光時間Ｈのうち、当該駆動電流量Ｉを含む範囲ＲＩと、ステップＳ１５０１で取得した素子温度Ｔを含む温度範囲ＲＴとに対応する積算発光時間Ｈに加算する（Ｓ１５１０）。

その後、ドライバーＩＣ３０２は、次のＯＬＥＤ２０１について上記と同様に駆動電流量Ｉを算出し、すべてのＯＬＥＤ２０１について駆動電流量Ｉを算出したら、ＯＬＥＤ２０１を発光させる。
このようにすれば、ＯＬＥＤ２０１毎の膜厚に応じた劣化係数δを用いて駆動電流量Ｉを算出するので、マザーガラス４００上での位置の違いから生じる劣化特性の違いに起因する発光量のムラを補正することができる。

［６］変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
（１）上記実施の形態においては、ＯＬＥＤ２０１の位置毎に有機発光層５０２の膜厚の範囲を記憶して、劣化係数δに反映させる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。

すなわち、同じＯＬＥＤパネル２００に実装されたＯＬＥＤ２０１どうしで膜厚の差が小さく、従って劣化特性の差が無視できる程度である場合には、位置情報記憶部７０３は、ＯＬＥＤパネル２００の位置情報ごとに膜厚範囲Ｒを記憶してもよい。この場合においては、ＯＬＥＤ２０１の膜厚が属する膜厚範囲Ｒを特定するステップＳ１５０３は、ＯＬＥＤ２０１毎のループ処理よりも前に実行しても良い。

このようにしても、本発明の効果を得ることができる。また、位置情報記憶部７０３が必要とする記憶容量を削減することができる。
（２）上記実施の形態においては、ＯＬＥＤ２０１の有機発光層５０２の膜厚以外に、ＯＬＥＤ２０１の素子温度や駆動電流量を勘案して劣化度Ｄを算出する場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、発光時の素子温度や駆動電流量の一方または双方が劣化度Ｄに与える影響が無視できる程度である場合には、当該因子を除外して劣化度Ｄを算出してもよい。

例えば、発光時の素子温度と駆動電流量の双方が無視できる場合には、図１０のテーブルで膜厚の範囲を記憶するのに代えて、劣化係数δを記憶させてもよい。また、何れか一方のみを採用する場合には、図１１や図１２のテーブルが採用する方の因子のみを用いたテーブルになる。
何れの場合にも、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤパネル２００やＯＬＥＤ２０１の位置を考慮した劣化係数δが用いられるので、本発明の効果を得ることができる。

（３）上記実施の形態において説明したように、本発明に係る光書込み装置１００は、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤパネル２００の位置を考慮して発光量の劣化補正を行うために、光書込み装置１００の製造過程において当該位置を表す位置情報を当該光書込み装置１００に記憶させることを特徴とする。
すなわち、マザーガラス４００上にＯＬＥＤ２０１を形成する際に、個々のＯＬＥＤパネル２００に対応する領域毎に、当該ＯＬＥＤパネル２００のマザーガラス４００上での位置を示すマーキング６００を記録しておき、マザーガラス４００から切り出されたＯＬＥＤパネル２００からマーキング６００を読み取って位置情報Ｐを生成する。そして、生成された位置情報Ｐを、当該ＯＬＥＤパネル２００を搭載した光書込み装置１００の位置情報記憶部７０３に記憶させる。

このような製造方法によって、光書込み装置１００を製造すれば、上述のような効果を得ることができる。
（４）上記実施の形態においては、図６に示されるように、マーキング６００としてアルファベット文字が用いる場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、撮像若しくは目視によって識別することができるパターンであれば、バーコード等、アルファベット文字以外のパターンをマーキング６００として用いてもよい
また、マザーガラス４００上でのＯＬＥＤパネル２００の位置を識別するための回路を、各ＯＬＥＤパネル２００のＴＦＴ基板３００上に実装してもよい。例えば、ＯＬＥＤパネル２００の位置毎に導通する経路が異なる回路を用いれば、当該経路の導通の有無によってＯＬＥＤパネル位置を識別することができる。

（５）上記実施の形態においては、画像形成装置１がタンデム型のカラープリンターである場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、タンデム型以外のカラープリンターに本発明を適用してもよいし、モノクロプリンターに適用してもよい。また、スキャナーを備えた複写装置や、更に通信機能を備えたファクシミリ装置、或いはこれらの機能を兼ね備えた複合機（MFP: Multi-Function Peripheral）に本発明を適用しても同様の効果を得ることができる。

本発明に係る光書き込み装置、画像形成装置及び光書き込み装置の製造方法は、ＯＬＥＤの劣化に起因する発光量のバラツキを抑制する技術として有用である。

１………画像形成装置
１００…光書込み装置
２００…ＯＬＥＤパネル
２０１…ＯＬＥＤ
３０２…ドライバーＩＣ
４００…マザーガラス
５０２…有機発光層
６００…マーキング
３２１…不揮発性メモリ
７０３…位置情報記憶部
７０５…劣化係数テーブル
７０６…補正係数テーブル
７０７…劣化度算出部
７０８…駆動電流量算出部

Claims

マザーガラスから切り出されたＯＬＥＤパネルに形成された複数のＯＬＥＤを発光させることによって光書込みを行う光書込み装置であって、
前記マザーガラスから前記ＯＬＥＤパネルを切り出す以前における、当該マザーガラス上でのＯＬＥＤの位置を示す位置情報を記憶する位置情報記憶手段と、
ＯＬＥＤ毎の積算発光時間を記憶する積算発光時間記憶手段と、
ＯＬＥＤ毎の駆動電流量を、前記位置情報と当該ＯＬＥＤの積算発光時間とに応じて補正する駆動電流量補正手段と、備える
ことを特徴とする光書込み装置。
前記位置情報記憶手段は、前記ＯＬＥＤの位置を示す位置情報として、前記マザーガラスから前記ＯＬＥＤパネルを切り出す以前における、当該マザーガラス上での当該ＯＬＥＤが形成されている前記ＯＬＥＤパネルの位置を記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の光書込み装置。
前記位置情報記憶手段は、前記ＯＬＥＤの位置を示す位置情報として、前記マザーガラスから前記ＯＬＥＤパネルを切り出す以前における、当該マザーガラス上での各ＯＬＥＤの位置を記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の光書込み装置。
ＯＬＥＤの素子温度を指標する温度情報を取得する温度情報取得手段と、
ＯＬＥＤ毎に、当該ＯＬＥＤを発光させたときに検出された温度情報を記憶する温度情報記憶手段と、を備え、
前記駆動電流量補正手段は、前記位置情報に加えて、更に、当該ＯＬＥＤに関して記憶されている温度情報も用いて前記駆動電流量を算出する
ことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の光書込み装置。
初期状態のＯＬＥＤを、光書込み対象への露光ムラなく発光させるための設定光量を記憶する設定光量記憶手段を備え、
前記駆動電流量補正手段は、更に、ＯＬＥＤ毎の設定光量も用いて前記駆動電流量を算出する
ことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の光書込み装置。
請求項１から５の何れかに記載の光書込み装置を備える
ことを特徴とする画像形成装置。
マザーガラス上でのＯＬＥＤパネルの位置を示す位置情報を記憶する位置情報記憶手段を有する光書込み装置の製造方法であって、
マザーガラス上に複数のＯＬＥＤを形成するＯＬＥＤ形成ステップと、
個々のＯＬＥＤパネルに対応する領域毎に、当該ＯＬＥＤパネルのマザーガラス上での位置を示す位置表示を記録する位置記録ステップと、
マザーガラスから切り出されたＯＬＥＤパネルから位置表示を読み取って位置情報を生成する位置情報生成ステップと、
生成された位置情報を、当該ＯＬＥＤパネルを搭載した光書込み装置の前記位置情報記憶手段に記憶させる位置情報記憶ステップと、を含む
ことを特徴とする光書込み装置の製造方法。
前記位置記録ステップにおいては、当該ＯＬＥＤの電極を形成する際に当該電極の材料を用いて位置表示を記録する
ことを特徴とする請求項７に記載の光書込み装置の製造方法。