JP6454656B2 - Usb装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
Universal Serial Bus:USB)が知られている。USB規格の一
つであるUSB3.0では、USB2.0との互換性を保ちながら、USB2.0の10
倍以上の転送速度を有する高速転送を行うことが可能である。USB3.0のUSBコネ
クタでは、USB2.0のUSBコネクタに設けられた4つの接続端子に加え、5つの接
続端子が必要になる。これら接続端子は、絶縁部材に固定された状態で回路基板に接続さ
れる。
より安定させたUSB装置及びその製造方法を提供することである。
B装置であって、第1の面と前記第1の面の反対側に位置し接続パッドを有する第2の面
とを含む配線基板と前記第1の面に搭載された半導体部品とを含む回路基板と、前記接続
パッドと電気的に接続される接続部位を有する接続端子と前記回路基板の外側にあって前
記回路基板の厚さ方向に沿って突出した壁部とを有する絶縁部材とを含み前記第2の面上
に載置される端子部と、前記接続パッドと前記接続部位との間に位置するはんだと、を備
え、前記壁部は前記回路基板と接し、前記接続パッドは前記接続端子の延伸方向において
対向する、前記接続端子側の第1端部と前記第1端部と反対側の第2端部とを有し、前記
接続部位と前記はんだとの境界と前記第1端部との最短距離は、前記接続部位と前記はん
だとの境界と前記第2端部との最短距離よりも短いまたは同じであることを特徴とする。
第1の実施形態について、図1乃至図4を参照して説明する。なお、図面は模式的なも
のであり、例えば厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率等は現実のものとは異なる
場合がある。また、実施形態において、実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し説
明を省略する。
可能なUSB装置を示す図である。なお、同様の信号を用いる規格であれば、他のUSB
規格によるデータ転送が可能なUSB装置として用いても良い。
の一部を除いたUSB装置10上面から見た平面模式図である。図1および図2では、一
例としてSiP(System in a Package:SiP)である回路基板2
を具備するUSB装置を図示している。なお、図1のX軸方向に対して、端子部3側を「
前方」、筐体1側を「後方」とし、以降も同様に扱う。
する。筐体1は、非貫通穴である開口部11を備える。筐体1は、絶縁性を有する、例え
ばポリ塩化ビニル等の合成樹脂等により形成されてもよいし、導電性を有する金属から形
成されていてもよい。また、合成樹脂を用いて成形された溝部を有する一対の筐体部材を
、溝部が向かい合うように貼り合わせることにより開口部11を有する筐体1を形成して
もよい。なお、筐体1の形状は、図1に示す形状に限定されない。例えば、回路基板2の
全てに重なるように筐体1を設けてもよい。また、回路基板2において筐体1から突出す
る部分を保護するシェルとしての機能を有する筐体を筐体1と別に設けてもよい。
得る。なお、回路基板2は、第1の面21aと、第1の面21aに対して反対側の第2の
面21bとを有する配線基板21と、配線基板21の第1の面21aに搭載されたメモリ
チップ22及びコントローラチップ23等の半導体部品と、半導体部品を封止する樹脂層
24と、を備える。第1の面21a及び第2の面21bに対して略垂直な回路基板2のX
軸方向に対向する2つの側面のうち、前方の側面を第3の面2aとする。なお、メモリチ
ップ22及びコントローラチップ23に限定されず、他の半導体部品を用いてもよい。ま
た、メモリチップ22とコントローラチップ23との位置は逆でもよい。
ircuit Board Assembly:PCBA)を有する回路基板等でもよい
。
面21bは、図1における配線基板21の上面に相当する。配線基板21は、第1の面2
1aに設けられた接続パッド211を少なくとも含む複数の接続パッドと、第2の面21
bに設けられた接続パッド212を少なくとも含む複数の接続パッドとを有する。第1の
面21aの接続パッドは、例えば配線基板21を貫通するビアを介して第2の面21bの
接続パッド212に電気的に接続される。配線基板21としては、例えば表面に設けられ
た接続パッドを備える配線層を有する、ガラスエポキシ等の樹脂基板等を用いることがで
きる。
パッドである。接続パッド212は、端子部3と配線基板21との間を電気的に接続する
ための接続パッドである。接続パッド211及び接続パッド212は例えば矩形状をして
いる。
例えば複数の半導体チップの積層体を有し、複数の半導体チップは、接着層を挟んで一部
が重なるように互いに接着される。複数の半導体チップは、ワイヤボンディング等により
それぞれの半導体チップに設けられた電極パッド同士を接続することにより、互いに電気
的に接続される。半導体チップとしては、例えばNANDフラッシュメモリ等の記憶素子
を有するメモリチップ等を用いることができる。このとき、半導体チップは、メモリセル
に加え、デコーダ等を備えていてもよい。
接続される。コントローラチップ23は、半導体チップにより構成され、メモリチップ2
2に対するデータの書き込みおよびデータの読み出し等の動作を制御する。メモリチップ
22及びコントローラチップ23は、例えばワイヤボンディング等により半導体チップに
設けられた電極パッドと配線基板21に設けられた接続パッドとを接続することにより配
線基板21に電気的に接続される。
、ワイヤボンディングに限定されず、フリップチップボンディングやテープオートメーテ
ッドボンディング等のワイヤレスボンディングを用いてもよい。また、配線基板21の第
1の面21aにメモリチップ22とコントローラチップ23とを積層させたTSV(Th
rough Silicon Via:TSV)方式等の3次元実装構造を用いてもよい
。
られる。樹脂層24は、例えば無機充填材(例えばSiO2)を含有する。樹脂層24は
、例えば上記無機充填材を有機樹脂等と混合した封止樹脂を用いてトランスファモールド
法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等のモールド法により形
成される。
に接続される。端子部3は、例えば筐体1により保持される。
図2において、5つの第1端子31と4つの第2端子33を図示しているが、第1端子3
1及び第2端子33の数は、特に限定されない。また、第1端子31及び第2端子33の
形状はこれに限定されない。
ての機能を有する。接続端子としては、例えば、グランド端子(GND)、差動信号であ
る高速転送用の送信データ信号のための信号端子(SSTX+、SSTX−)、差動信号
である高速転送用の受信データ信号のための信号端子(SSRX+、SSRX−)等のU
SB2.0または3.0による高速転送に用いる接続端子等が挙げられる。
続部31aと、他端が後方に位置し回路基板2に突出したテール部31bとを有し、レセ
プタクル接続部31aとテール部31bとの間の中間部は絶縁部材32に覆われる。
手方向と直交する幅方向が広げられた形状を有し、複数の接続パッドの少なくとも一つ(
ここでは接続パッド212)に電気的に接続される。テール部31bは、第1端子31の
接続パッド212との接続部位として機能する。テール部31bは、例えばはんだ付け等
によりはんだ4を介して接続パッド212に接合されるが、接合方法はこれに限定されな
い。
。ただし、上記の接続パッドは接続パッド212でも良いし、接続パッド212とは別の
接続パッドを端子部3の下部に設けても良い。
銅、コバルト銅)やニッケル合金(例えばベリリウムニッケル)等のばね性を付与するこ
とが可能な材料を用いることができる。なお、第1端子31と第2端子33の材料は同じ
でも良いし、異なっていても良い。
の位置によって、第1端子31及び第2端子33と接続パッドとの位置合わせをすること
が可能となる。
方向に対して第1の面21a側(下方向)に突出した壁部32aを有する。つまり、壁部
32aは回路基板2の厚さ方向に沿って突出する。この壁部32aは回路基板2の第3の
面2aと対向する第4の面32bを有する。本実施形態において、絶縁部材32の第4の
面32bと回路基板2の第3の面2aとは互いに接している。
レセプタクルに挿入した際に壁部32aがレセプタクルと衝突し押されることで、絶縁部
材32が変形し、第1端子31と接続パッド212との接続部に亀裂等のダメージが入る
ことで、第1端子31と接続パッド212位置がずれ、接続不良が生じる虞がある。本実
施形態では絶縁部材32の第4の面32bと回路基板2の第3の面2aとは互いに接して
いるためこれらの虞が低減される。
式図である。図3(a)に示すように、半導体部品が搭載され、接続パッド212を含む
複数の接続パッドを有する回路基板2を準備する。
んだ4は接続パッドの例えば中央部に塗布される。
部31bが、接続パッド212の前方側に偏った位置で、かつ、テール部31bの少なく
とも一部がはんだ4に接するように、端子部3を回路基板2上に載置する。なお、この時
第3の面2aと第4の面32bとの間には隙間を有する。
ってテール部31bと接続パッド212とを固定する。この時、はんだ4は表面張力によ
ってテール部31bをはんだ4側へ引き寄せる。よって、はんだ4の前方に載置されたテ
ール部31bは後方に引き寄せられ、それに伴い端子部3全体も後方に動く。つまり、テ
ール部31bは接続パッド212の前方の位置から、例えば中央の位置にまで動く。この
移動はセルフアライメント効果と呼ばれる。すなわち、図4(b)において第1端子31
の延伸方向に対向する接続パッド212の前方の端部を第1端部212a、後方の端部を
第2端部212bとした時、テール部31bとはんだ4との境界と第1端部212aとの
最短距離は、テール部31bとはんだ4との境界と第2端部212bとの最短距離よりも
短いまたは同じになる。なお、境界とははんだ4とテール部31bとが接する部分のこと
を指す。セルフアライメント効果による移動は、壁部32aが回路基板2の第3の面2a
と接することで止まる。したがって、第3の面2aと第4の面32bとの隙間の距離の分
だけ、端子部3が後方に移動する。
装置10が完成する。
ント効果と絶縁部材32の壁部32aによって、回路基板2上の接続パッド212の中央
部または中央部よりも前方側の位置に第1端子31のテール部31bの中央部を接着する
ことができ、接続パッド212とテール部31bとの位置関係が不均一になる虞を低減で
きる。そのため、回路基板2と端子部3との接続をより安定させることが可能となる。
フロープロセスを行った場合、セルフアライメント効果によってテール部31bは回路基
板2に対してX軸方向及びY軸方向のいずれにも動き得る。本実施形態ではあらかじめテ
ール部31bを接続パッド212の前方に載置することで、テール部31bがセルフアラ
イメント効果によって後方のみに移動し、接続パッド212上の所望の位置(ここでは中
央部または中央部よりも前方側の位置)に位置させることが可能となる。なお、テール部
31bの中央部が接続パッドの中央部よりも後方側に位置する場合は、接続パッド212
上でテール部31bの移動距離が大きくなり位置ズレが生じる可能性があるため、テール
部31bは接続パッド212の中央部または中央よりも前方側に位置することが望ましい
。
挿入した際に壁部32aがレセプタクルと衝突し押されることで、絶縁部材32が変形し
、さらには第1端子31と接続パッド212との接続部に亀裂等のダメージが入ることで
、第1端子31と接続パッド212との位置がずれ、接続不良が生じる虞が低減される。
されることを示したが、接続パッド212との接続部位はテール部31bに限定されず、
例えば図5に示すような形状の第1端子31の場合には、レセプタクル接続部31aとテ
ール部31bとの間を接続部位としても良い。なお、図5において第1端子31以外の端
子部3は便宜上省略している。
次に、第2の実施形態について図6及び図7を用いて説明する。
構成や製造方法は第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と異なる部
分のみを説明し、同様な部分は省略する。
を示す平面模式図である。図6(b)に接続パッド212の平面拡大図を示す。
状をとる。図5の場合、長方形の組み合わせであり、面積が小さい長方形を回路基板2の
前方、面積が大きい長方形を回路基板2の後方に設けている。接続パッド212をこのよ
うな形状にすることで、セルフアライメント効果による移動の際に、端子部3(テール部
31b)の移動可能な距離が大きくなる。
と、面積が小さい四角形よりも面積が大きい四角形のほうが、塗布されるはんだ4の相対
量が多くなる。ここでテール部31bを接続パッドのうち面積が小さい四角形上に載置す
る。リフロープロセスの際の表面張力ははんだ4量が多いほど大きくなるため、テール部
31bは接続パッドのうち面積の大きい四角形側のはんだ4により強く引き寄せられる。
そのためセルフアライメント効果による移動可能な距離が大きくなる。
な形状にすることも可能である。図7(a)に示すように、大小2つの四角形は台形と長
方形である。台形を回路基板2の前方、長方形を回路基板2の後方に設ける。変形例の場
合、図5の接続パッド212よりも大小の四角形の接合部がなだらかになっているため、
セルフアライメント効果による移動度のばらつきがより低減される。
板2の後方の接続パッド212の面積が前方の接続パッドの面積よりも大きいならば、例
えば図7(b)のように、三角形やその他の形状でも適用可能である。
を帯びている場合も含まれる。
回路基板2の前方よりも後方を大きくすることによってセルフアライメント効果による移
動度を大きくすることが可能となる。そのため、端子部3の第4の面32bと回路基板2
の第3の面2aとの隙間が大きい場合に適用できる。
であり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他
の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省
略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要
旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
2 回路基板
2a 第3の面
3 端子部
10 USB装置
11 開口部
21 配線基板
21a 第1の面
21b 第2の面、
22 メモリチップ
23 コントローラチップ
24 樹脂層
31 第1端子
31a レセプタクル接続部
31b テール部
32 絶縁部材
32a 壁部
32b 第4の面
33 第2端子
211、212 接続パッド
Claims (5)
- レセプタクルと接続することによりデータ転送が可能なUSB装置であって、
第1の面と前記第1の面の反対側に位置し接続パッドを有する第2の面とを含む配線基
板と前記第1の面に搭載された半導体部品とを含む回路基板と、
前記接続パッドと電気的に接続される接続部位を有する接続端子と前記回路基板の外側
にあって前記回路基板の厚さ方向に沿って突出した壁部とを有する絶縁部材とを含み前記
第2の面上に載置される端子部と、
前記接続パッドと前記接続部位との間に位置するはんだと、
を備え、
前記壁部は前記回路基板と接し、
前記接続パッドは前記接続端子の延伸方向において対向する、前記接続端子側の第1端
部と前記第1端部と反対側の第2端部とを有し、
前記接続部位と前記はんだとの境界と前記第1端部との最短距離は、前記接続部位と前
記はんだとの境界と前記第2端部との最短距離よりも短いまたは同じであることを特徴と
するUSB装置。 - 前記接続パッドの形状は、2つの四角形が隣接し、かつ、前記端子部に近い四角形のほ
うが前記端子部から遠い四角形と比較して面積が小さいことを特徴とする請求項1に記載
のUSB装置。 - 1対の対向する第1側面及び第2側面を有する回路基板の上面の接続パッドにはんだを
塗布し、
前記はんだ上に接続端子を載置し、載置後リフローによって前記接続パッドに前記接続
端子を接着させるUSB装置の製造方法であって、
前記接続端子は、前記回路基板の外側にあって前記第1側面に沿って設けられた壁部を
有する絶縁部材に固定され、
前記接続端子の前記接続パッドとの接続部位は、前記はんだ上で前記第1側面側に偏っ
た位置に載置され、
前記リフロー後、前記壁部と前記回路基板とが接することを特徴とするUSB装置の製
造方法。 - 前記接続端子の前記接続パッドとの接続部位は、前記リフローによって前記第2側面側
に移動することを特徴とする請求項3に記載のUSB装置の製造方法。 - 前記接続パッドは、前記第1側面側から前記第2側面側にかけて面積が大きくなること
を特徴とする請求項3または4に記載のUSB装置の製造方法。
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