JP6453487B2 - 光計測装置及び光計測方法 - Google Patents

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Description

本発明は、コヒーレント・アンチストークス・ラマン散乱を利用する光計測装置及び光計測方法に関する。
光学顕微鏡は自然科学、工学、産業分野において必須の装置として発展してきた。特に近年は再生医療や創薬の分野で細胞観察用途として高機能化のニーズが高まっている。現在の細胞解析では試薬を用いて細胞を染色し、顕微鏡等で観察する方法が一般的である。しかし、この方法は染色による細胞への影響のため、同一の細胞の継続的な解析や検査した細胞を直接医療向けに用いることが困難である。
CARS(Coherent Anti-Stokes Raman Scattering)顕微鏡は、非線形光学効果の応用によってラマン顕微鏡と比較して高速に分子同定が可能であり、非侵襲特性を有することから細胞観察用途に好適である。
CARSは3次の分極による発光であり、CARSを発生させるためには、ポンプ光、ストークス光、プローブ光が必要とされる。一般的には、光源の数を少なくするために、プローブ光はポンプ光で代用される。この場合、誘起される3次の分極は
AS (3)AS)=|χr (3)AS)+χnr (3)|EP 2P)E* SS)
で表される。ここに、χr (3)AS)は3次の電気感受率の分子振動の共鳴項であり、周波数依存性のないχnr (3)は非共鳴項である。また、ポンプ光及びプローブ光の電場をEPで表し、ストークス光の電場はESで表している。上式中でESの肩についたアスタリスクは複素共役を示す。CARS光の強度は以下のように表される。
CARSAS)∝|PAS (3)AS)|2
図2は、CARSにおけるエネルギー準位図である。CARS光が発生する機構を、図2に示した分子のエネルギー準位図を用いて説明する。本図は共鳴項のプロセスを示している。201は分子の基底状態を表し、202は振動励起状態を表す。周波数ωPのポンプ光と周波数ωSのストークス光を同時に照射する。このとき分子は中間状態203を介して、202のある振動励起準位に励起される。この励起状態にある分子に周波数ωPのプローブ光を照射すると、中間状態204を介して周波数ωASのCARS光を発生しながら、分子は基底状態に戻る。このときのCARS光の周波数はωAS=2・ωP−ωSと表される。
上記3次の分極のうち非共鳴項χnr (3)に関係する一つのプロセスを図3に示す。周波数ωPのポンプ光と周波数ω'Sのストークス光の同時照射によって誘起される状態が振動励起状態ではなく、205の中間状態が励起されるプロセスである。周波数ωPのプローブ光を照射することにより、中間状態204を介して周波数ωASの非共鳴のCARS光が発生する。
CARS顕微鏡のうち、図4に示すようにストークス光として広帯域な光源を用い、発生するCARS光を分光検出するものは多色CARS顕微鏡(もしくはマルチプレックスCARS顕微鏡)と呼ばれており、例えば特許文献2に構成等が開示されている。多色CARS顕微鏡は、CARS光の分光スペクトルからラマンスペクトルを推定できるため、特許文献1のように特定のスペクトル成分のみを検出する方式(これを便宜的に単色CARSと呼ぶ)に比べて取得できる情報が多く、測定対象のより詳細な解析に適している。
図5は、従来の多色CARS顕微鏡の構成を示す図である。短パルスレーザ光源501からの出力はビームスプリッタ502で2分岐され、一方がフォトニック結晶ファイバ503などの光ファイバに導入され、内部で広帯域な光(スーパーコンティニューム光と呼ばれる)が発生する。スーパーコンティニューム光はファイバからの出射後に所望の波長成分(励起光よりも波長が長い成分)のみがロングパスフィルタ504により抽出され、これがストークス光として用いられる。もう一方の励起光とストークス光はダイクロイックミラー505等により合波され、サンプル506に集光、照射されてCARS光が発生し、これを分光器507で検出してスペクトルを取得する。
米国特許6108081号明細書 特開2009−222531号公報 特開2015−7612号
CARS顕微鏡によって細胞の分化状態や活性状態を評価するには、生体の組成に対応するピークが多数密集している指紋領域(約800〜1800cm−1)の活用が適している。指紋領域の信号は論文等で主に報告されている約2900cm−1のCH伸縮信号に対して1/10程度であるため、信号のSN比の向上が必要である。しかし、信号強度を上げるため照射するレーザパワーを増加させる場合、細胞へダメージを与える可能性があった。
そこで本発明者らはCARSの非線形光学特性に着目して、信号強度の大幅な低下なくダメージを抑制する計測装置を発明した。CARSは信号強度がポンプ光の2乗、ストークス光の1乗に比例するため、レーザのパワーを低下させた場合その3乗に比例して信号強度が低下する。そこで本発明の一態様の光計測装置は、短パルスレーザ光源と、短パルスレーザ光源から発生されるレーザ光のパルス数を1/2以下にする変調器と、短パルスレーザ光源から変調器を介した出射光を第一の光束と第二の光束とに分岐する分岐部と、第一の光束からスーパーコンティニューム光を生成させる光ファイバと、スーパーコンティニューム光のうちの長波長成分をストークス光とし第二の光束をポンプ光として両者を合波する合波部と、合波部で合波された光をサンプルに集光する集光光学系と、サンプルより生じた光を検出する分光器を有することを特徴とする光計測装置とした。
本発明によれば、CARSの信号強度を大幅に低下させず細胞へのダメージを抑制することができる。
本発明に従う基本的な構成例を示す模式図。 CARSにおけるエネルギー準位図。 非共鳴項χnr (3)に関係する一つのプロセス。 多色CARS顕微鏡のエネルギー順位図。 従来の多色CARS顕微鏡の構成を示す図。 反射型CARSの構成例を示す図。 ガラスボトムディッシュのサンプルの例。 本発明に従う装置がパルス周波数を学習し、決定する動作を示したフローチャートの例。 パルス周波数と所定時間照射後の温度上昇の関係。 細胞サンプルへレーザ照射を継続した場合の、照射時間とレーザ集光点近傍の温度上昇を示した図。 レーザの発光条件を示す図。 ダメージと信号強度の関係を示した模式図。 短パルスレーザ光源の波長が1064nmの場合の、ラマンシフトに対応するポンプ光、ストークス光、CARS光の波長、および水の吸収スペクトルを示した図。 本実施例に従う基本的な構成例を示す模式図。 本発明に従う装置がストークス光の帯域を調整後、パルス周波数を学習し決定する動作を示したフローチャートの例。 本発明に従う装置がパルス周波数を決定後、ストークス光の帯域を調整する動作を示したフローチャートの例。 2種類の広帯域ストークス光のスペクトルと水の吸収スペクトルを示した図。 細胞サンプルへ2種類のストークス光照射を継続した場合の、照射時間とレーザ集光点近傍の温度上昇を示した図。 本実施例に従う基本的な構成例を示す模式図。 本発明に従う装置がストークス光の帯域を調整する動作を示したフローチャートの例。
本実施例では、レーザのパルスを変調することによりダメージを低減する装置や動作の例を説明する。
(装置構成)
図1は、本発明に従う基本的な構成例を示す模式図である。本装置の特徴はコントローラ100によって制御されるパルス変調器120及び温度センサ121を備えていることである。以下、各構成要素について詳細に説明する。
コントローラ100は、調整機構を含む装置全体の制御を行うとともに、ユーザからの測定指示の受け付けや測定結果の表示を行うインターフェースを備える。短パルスレーザ光源101は、コントローラ100の指示に基づいて短パルスレーザ光を出射する。短パルスレーザ光源101はチタンサファイアレーザやファイバレーザ、マイクロチップレーザなどであり、パルス幅はナノ秒以下である。また、ピークパワーは非線形光学効果を誘起可能なキロワットオーダ以上が望ましい。波長については測定対象の吸収帯域や用いる光学部品の対応波長から選定すればよいが、800nmや1064nmなどとすることができる。
パルス変調器120はコントローラ100からレーザ光のパルスタイミング信号を受け取り、短パルスレーザ光源から入射されたレーザ光のパルス数を半分や1/3などに間引くことによってパルス繰り返し周波数を制御する。本パルス変調器はポッケルスセルと1/2波長板によって構成してもよいし、高速シャッタやND(Neutral Density)フィルタを用いてもよい。また、パルス変調機能として短パルスレーザ光源101に内蔵されていてもよい。なお、このような内蔵型の場合も、本願明細書では、パルス変調器と称するものとする。
パルス変調器にて変調されたレーザ光は1/2波長板102及び偏光ビームスプリッタ103に入射し、偏光ビームスプリッタ103にて偏光方向に基づいたパワー比で透過成分と反射成分とに分岐する。偏光ビームスプリッタ103を透過したレーザ光は、集光レンズ104によってフォトニック結晶ファイバ105の端面に集光される。フォトニック結晶ファイバはコアの周囲に蜂の巣状の中空のクラッドが形成された光ファイバであり、入射光をコアに強く閉じ込める。短パルスレーザ光を入射することによって自己位相変調等の非線形光学現象が誘起され、幅広いスペクトルを有するスーパーコンティニューム光が生成される。生成されたスーパーコンティニューム光は、コリメートレンズ106によって平行光となり、ロングパスフィルタ107によって短波長成分がカットされたのち、ポンプ光波長を反射しそれ以外の波長の光を透過するダイクロイックミラー108を透過してストークス光として対物レンズ113に入射する。
一方、偏光ビームスプリッタ103を反射したレーザ光は、ミラー109、ミラー112、及びダイクロイックミラー108によって反射され、ポンプ光として対物レンズ113に入射する。対物レンズ113は、ダイクロイックミラー108によって同軸上に合波された広帯域ストークス光とポンプ光とをサンプル114に集光する。CARS光生成効率及び空間分解能の向上のため、対物レンズ113の開口数は例えば0.8以上など高いほうが望ましい。
サンプル114では前述のCARS過程が誘起され、サンプル114の分子種に対応する波長のCARS光が生成される。また、温度センサ121によってストークス光とポンプ光の集光点近傍の温度が測定される。この温度センサには放射温度計を用いてもよいし、細胞サンプルの場合には水が主成分であるため、温度上昇により集光点近傍で発生する気泡を観察するカメラや蒸発した水分をモニタする湿度計を用いて温度に換算してもよい。また、温度センサの代わりに細胞のダメージによる形状変化を直接モニタするカメラを用いてもよい。
サンプル114には後述するパルス周波数条件の学習用の領域が設けられている。例えば図7に示すようにガラスボトムディッシュをサンプルとする場合には、ガラス部の右下10x10umの領域701を細胞の存在しない培地のみの学習用とすればよい。なお、学習動作を行わない場合には本領域は無くてもよい。
生成されたCARS光はコリメートレンズ115にて平行光となり、ノッチフィルタ117及びショートパスフィルタ118によってポンプ光及びストークス光の透過成分がカットされ、分光器119に入射する。分光器119はCARSスペクトルを検出し、コントローラ100にスペクトル情報を受け渡す。
なお、パルス変調器はサンプルへの集光前であればいずれの場所に設置しても良く、例えばダイクロイックミラー108と対物レンズ113の間に設置しても良いが、この場合には広帯域の光に対応した変調器を用いる必要がある。また、図1ではポンプ光及びストークス光の入射方向と同方向に伝播するCARS光を検出する透過型CARSシステムを示したが、図6に示すように反射CARS光を検出してもよい。この場合には、ポンプ光波長より短波長の光を反射し、長波長の光を透過するダイクロイックミラー122を用いて反射CARS光を分光器119に導入すればよい。このような構成は入射レーザに対して不透明なサンプルや厚みのあるサンプルを測定する際に有用である。また、ミラー109とミラー112の間のポンプ光の光路は集光レンズ104からコリメートレンズ106までと同様に一般的なシングルモードファイバ等を用いたファイバ光学系としてもよい。装置の小型化が可能となるからである。
(装置動作)
図11はパルスの変調方法の模式図である。(a)は変調を行わない場合のレーザの出射波形であり、所定のピークパワーとパルス幅を有するレーザパルスが特定の繰り返し周波数で出射されている。平均パワーはこれらパルスを時間平均した値となる。(b)は従来の装置によってパワーを調整した例である。パルスの繰り返し周波数を変化させることなくピークパワーを1/2とすることで平均パワーも1/2となる。このような制御はNDフィルタなどを用いることで容易に実現可能である。一方、(c)(d)は本発明に従うパルス変調方法を示した図である。(c)はピークパワーを一定に保ったままパルス変調器120によってパルスを間引き、周波数を1/2とした例である。この場合にも平均パワーは1/2となる。また、(d)は同様に3パルスに1パルスを間引いた例である。
図8は本発明に従う装置がパルス周波数を学習し、決定する動作を示したフローチャートの例である。S801にてコントローラ100が学習動作の開始を指示する。S802にて例えば図9に示すパルス周波数と所定時間照射後の温度上昇の関係を取得する。なお、パルスの間引きを行わないパルス周波数の高い領域から測定を行うことによって照射時間を短縮し、学習全体に要する時間を短縮することが可能である。また本動作では測定サンプルにダメージを与えることを避けるため、図7の学習用領域にて培地の温度上昇を測定してもよい。S803にて細胞ダメージに対応する温度上昇量の仕様からパルス繰り返し周波数を決定し、S804にて測定を開始する。このような動作は最初に実施した結果をコントローラ100内蔵のメモリなどに格納しておき、以降は学習を行わず初回に決定したパルス周波数にて測定を行ってもよいが、測定毎に学習動作を行ってもよい。特に信号強度の低い細胞を測定する場合には、測定毎の周波数の最適化が有効である。
(発明の効果)
図10は細胞サンプルへレーザ照射を継続した場合の、照射時間とレーザ集光点近傍の温度上昇を示した図である。図11の(a)に示した基準条件と、図11(b)のようにピークパワーを1/2とした場合、図11(c)のようにパルス数を1/2とした場合の3条件の比較を示した。なお、前述のようにパルス数を1/2とした場合とピークパワーを1/2とした場合の平均パワーは、ともに基準条件に対して1/2となる。
基準条件に対してパルス数を1/2とした場合には温度上昇率が抑制されており、ピークパワーを1/2とした場合と同様に5分程度まではレーザ照射による影響が小さいことを示している。一般的にCARSでは空間点1点当たりの測定時間が数msから数十msであるため、この場合にはサンプルに与えるダメージをほぼ無視できると考えられる。一方、信号強度はピークパワーの3乗に比例するため、ピークパワーを1/2とした場合は1/8となるのに対し、パルス数を1/2とした場合には1/2に留まる。このように、所定のパルスを照射しないように変調することで、より具体的には、パルス数を1/2以下にすることによって、所定時間照射してもサンプルに与えるダメージを劇的に低減することが可能となる。なお、パルスのパワーを1/2以下としても、信号強度は低くなるがサンプルダメージを劇的に低減させる効果がある。
図12は前述のダメージと信号強度の関係を示した模式図である。ピークパワーを変化させた場合には、平均パワーの低下に伴って信号強度が3乗で低下する。一方、パルス数を変化させた場合には平均パワーの低下に対して線形な低下に留まる。ここで、レーザの平均パワーが温度上昇によるダメージに対応するとして、ダメージ仕様を0.8以下、信号強度仕様を0.6以上と仮定するとパルス数を変化させる場合のみ条件を満足する。
本実施例のようにパルスを変調することによって、ピークパワーを低下させる場合と比較して信号強度の大幅な低下なくサンプルへのダメージを抑制することが可能である。
本実施例では、実施例1で述べたパルス変調に加えて広帯域ストークス光のスペクトル帯域の制御によるダメージ抑制について述べる。
生体に光を照射した際、700nm以下の光はヘモグロビンに吸収され、1400nm以上の光は細胞の主成分である水に吸収される。その間の波長帯域はダメージを抑制しながら内部を観察することが可能な生体の窓として近年注目されている。多色CARSにおいては、短パルスレーザ光源の波長によっては広帯域ストークス光のスペクトル帯域が水の吸収帯域に含まれる場合がある。図13はポンプ光となる短パルスレーザ光源の波長が1064nmの場合の、ラマンシフトに対応するポンプ光、ストークス光、CARS光の波長、および水の吸収スペクトルを示した図である。水の吸収は1400nm以上で急速に増加しており、3000cm−1までCARS光を取得する場合にはストークス光の長波長領域が吸収帯域に含まれる。一方、指紋領域のみ取得する場合にはいずれの波長も水への吸収は少ない。すなわち水を主成分とする細胞サンプルへのダメージを抑制可能である。発明者らは、多色CARSにおける広帯域ストーク光の波長と水の吸収スペクトルの関係に着目し、細胞へのダメージを抑制し信号強度を確保する装置や動作を新規に考案した。
(装置構成)
図14は本実施例に従う基本的な構成例を示す模式図である。なお、実施例1と同様な要素については説明を省略する。ストークス光の帯域を制御する手段としては、(1)フォトニック結晶ファイバ(以下PCFと略記する)への入射パワー制御、(2)PCFの長さ調整、(3)波長フィルタが挙げられる。1/2波長板102は可動式のホルダによってコントローラ100の指示に従って回転され、入射したレーザ光の偏光を任意の方向に変化させる。偏光ビームスプリッタ103はレーザ光の偏光方向に基づいて反射光と透過光のパワー分岐比を変化させるため、PCFの入射パワーが変化する。PCF105は生成するストークス光が所望のスペクトル帯域となるようにその長さが調整されている。一般に、PCFへの入射パワーが同一であれば、PCFの長さの増加に伴いスペクトルが広がる傾向にある。ストークス光の帯域を1400nm以下に制御する場合には、例えば長さを30cm以上1m以下とすればよい。生成されたストークス光はカットオフ波長可変のショートパスフィルタ1401へ入射し、所望の波長成分のみが透過してポンプ光と合波する。なお、ここではPCFへの入射パワー調整機構、所定の長さを有するPCF、波長フィルタの全てを備える例を示したが、いずれか1つまたは2つのみでもよい。
その他の構成は実施例1と同様であるので説明を省略する。
(装置動作)
図15は本発明に従う装置がストークス光の帯域を調整後、パルス周波数を学習し決定する動作を示したフローチャートの例である。なお、実施例1と同様な動作については説明を省略する。S1501にて所望の分子種に応じてストークス光の帯域を制御する。例えば約2900cm−1のCH伸縮信号が必要な場合にはポンプ光波長である1064nmから約1600nmまで、指紋領域のみが必要な場合には約1300nmまでに制御する。帯域の制御には前述したPCFへの入射パワー調整または波長フィルタを用いればよい。前者の場合には予めパワーと帯域の関係を分光器を用いて取得しておけばよい。また、PCFへの入射パワーを変化させてCARS光や非共鳴光のスペクトルを取得し、それらのスペクトルが所望の波数まで広がる条件を直接探索してもよい。この場合には図7の学習用領域にてPCFへの入射パワー条件を探索すればよい。以降の動作は実施例1と同様であるので説明を省略する。
図16は本発明に従う装置がパルス周波数を決定後、ストークス光の帯域を調整する動作を示したフローチャートの例である。図12に示したように、パルス周波数を低下させた場合線形な変化ではあるが信号強度が低下する。図16の動作はダメージ抑制のため必要な信号強度が確保不能な場合に有効である。S1601にて決定したパルス周波数にて必要な信号強度が確保されているかを確認する。信号強度は図7の学習用領域にて培地の非共鳴光から判定してもよいし、実際のサンプルを測定してCARS信号強度から判断してもよい。信号が所望の強度以上であればS804にて測定を開始する。所定の強度を下回っている場合にはS1602にて必要な信号強度までパルス周波数を増加させる。S1603にてストークス光の帯域を制限することによってサンプルへのダメージを抑制し、S804にて測定を開始する。なお、その他の動作については実施例1と同様であるため説明を省略する。また学習のタイミングについても実施例1と同様に、初回のみ実施しても良いし、測定毎に実施しても良い。
(発明の効果)
ストークス光のスペクトルとサンプルへのダメージの関係について説明する。図17は2種類の広帯域ストークス光のスペクトルと水の吸収スペクトルを示した図である。ストークス光の長波長領域が水の吸収帯域内に含まれており、特にスペクトル帯域が広い(i)の場合には温度上昇による細胞ダメージの可能性がある。図18は細胞サンプルへ前述の2種類のストークス光照射をそれぞれ継続した場合の、照射時間とレーザ集光点近傍の温度上昇を示した図である。ストークス(i)に対して(ii)は温度上昇率が低く、サンプルへのダメージが抑制されている。
本実施例のようにパルス周波数の制御に加えて、ストークス光の帯域制限を行うことでよりサンプルへのダメージを抑制することができる。特に図14の構成によってPCFへの入射パワーを制限し、剰余パワーをポンプ光へ配分することによって信号強度の増加を見込むことができる。
なお、特開2015−7612号に、「波数設定手段により設定された計測波数を実現する第1と第2の波長の組み合わせに、第1と第2の波長が共に700nm以上1400nm以下になる組み合わせがある場合、その組み合わせが光源調整手段によって選択される」技術について記載されているが、ポンプ光とストークス光に単一波長の光を用いるいわゆる単色CARSにおいて波長の選択方法を示したものであり、本願で課題としている多色CARSの広帯域光の制御については述べられていない。
本実施例では、広帯域ストークス光のスペクトル帯域の制御によるダメージ抑制について述べる。
図19は本実施例に従う基本的な構成例を示す模式図である。実施例2の図14に対してパルス変調器120を備えないことにより、より簡素な構成としている。このような構成は、例えば細胞培養装置へ組み込む場合など小型化が要求される場合に有効である。その他の要素は実施例2と同様であるので説明を省略する。
図20は本発明に従う装置がストークス光の帯域を調整する動作を示したフローチャートの例である。S1501にて例えば指紋領域に寄与する帯域にストークス光のスペクトルを制限した後、S2001にてサンプルへのダメージを確認する。ダメージの確認は図7の学習用領域にて培地の温度上昇をモニタすればよく、S1501にて決定した1条件のみであるので加速試験を行わなくてもよい。ダメージが所定量以下であれば細胞の測定を開始する。一方、所定量以上であれば測定を中止する。
本実施例によれば、広帯域ストークス光のスペクトルのうち不要な成分を除去するのみであるので、必要な信号帯域の強度を低下させることなくサンプルへのダメージを抑制することが可能である。
100 コントローラ
101 短パルスレーザ光源
102 1/2波長板
103 偏光ビームスプリッタ
104 集光レンズ
105 フォトニック結晶ファイバ
106 コリメートレンズ
107 ロングパスフィルタ
108 ダイクロイックミラー
109 ミラー
112 ミラー
113 対物レンズ
114 サンプル
115 対物レンズ
117 ノッチフィルタ
118 ショートパスフィルタ
119 分光器
120 パルス変調器
121 温度センサ
122 ダイクロイックミラー
201 分子の基底状態
202 振動励起状態
203 中間状態
204 中間状態
205 中間状態
501 短パルスレーザ光源
502 ビームスプリッタ
503 フォトニック結晶ファイバ
504 ロングパスフィルタ
505 ダイクロイックミラー
506 サンプル
507 分光器
701 学習用領域
1401 ショートパスフィルタ

Claims (11)

  1. 短パルスレーザ光源と、
    前記短パルスレーザ光源とサンプルとの間の光路中に設けられた、前記短パルスレーザ光源から発生されるレーザ光のパルス数を1/2以下にする変調器と、
    前記短パルスレーザ光源からの出射光を第一の光束と第二の光束とに分岐する分岐部と、
    前記第一の光束からスーパーコンティニューム光を生成させる光ファイバと、
    前記スーパーコンティニューム光のうちの長波長成分をストークス光とし前記第二の光束をポンプ光として両者を合波する合波部と、
    前記合波部で合波された光をサンプルに集光する集光光学系と、
    前記サンプルより生じた光を検出する分光器と、
    を有することを特徴とする光計測装置。
  2. 前記変調器は、前記短パルスレーザ光源に内蔵されていることを特徴とする請求項1記載の光計測装置。
  3. 前記変調器は、前記短パルスレーザ光源と前記分岐部との間に設けられていることを特徴とする請求項1記載の光計測装置。
  4. さらに、水の吸収帯域における強度を低減するように前記スーパーコンティニューム光のスペクトルを調整するスペクトル調整手段が設けられていることを特徴とする請求項1記載の光計測装置。
  5. 前記水の吸収帯域は1400nmから10000nmであることを特徴とする請求項記載の光計測装置。
  6. 前記スペクトル調整手段は、前記分岐部における前記第一の光束と前記第二の光束の光量比を調整する光量比調整手段であることを特徴とする請求項記載の光計測装置。
  7. 前記スペクトル調整手段は、前記第一の光束の光路中に設けられた波長フィルタであることを特徴とする請求項記載の光計測装置。
  8. 前記スペクトル調整手段は、前記光ファイバの長さが30cm以上1m以下であることを特徴とする請求項記載の光計測装置。
  9. 前記スペクトル調整手段は、前記光ファイバに入射するパワーを制御するパワー制御手段であることを特徴とする請求項記載の光計測装置。
  10. サンプルの所定領域に、短パルスレーザ光源からの出射光を、第1の周波数で照射し、第1の温度上昇量を取得するステップと、
    前記短パルスレーザ光源からの出射光を、前記第1の周波数とは異なる第2の周波数で照射し、第2の温度上昇量を取得するステップと、
    少なくとも前記第1の温度上昇量と前記第2の温度上昇量から、前記サンプルに照射する前記出射光の周波数を決定するステップと、
    前記決定された周波数の出射光を、前記サンプルに照射し、前記サンプルの光計測を行うステップと
    を有することを特徴とする光計測方法。
  11. 前記出射光の周波数を決定するステップは、さらに、
    所定の信号強度が確保されている否かを判断するステップと、
    前記信号強度が確保されていない場合に、前記所定の信号強度が確保されるように、前記周波数を増加させるステップと
    を有することを特徴とする請求項10記載の光計測方法。
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