JP6444435B2 - 電源装置 - Google Patents

電源装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6444435B2
JP6444435B2 JP2016573271A JP2016573271A JP6444435B2 JP 6444435 B2 JP6444435 B2 JP 6444435B2 JP 2016573271 A JP2016573271 A JP 2016573271A JP 2016573271 A JP2016573271 A JP 2016573271A JP 6444435 B2 JP6444435 B2 JP 6444435B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mosfet
storage device
terminal
positive electrode
power storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016573271A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016125589A1 (ja
Inventor
陽平 丹
陽平 丹
達也 北村
達也 北村
孝彦 山室
孝彦 山室
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPWO2016125589A1 publication Critical patent/JPWO2016125589A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6444435B2 publication Critical patent/JP6444435B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
    • H01M10/44—Methods for charging or discharging
    • H01M10/441—Methods for charging or discharging for several batteries or cells simultaneously or sequentially
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/42—Grouping of primary cells into batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J1/00—Circuit arrangements for dc mains or dc distribution networks
    • H02J1/10—Parallel operation of dc sources
    • H02J1/102—Parallel operation of dc sources being switching converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/0013—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries acting upon several batteries simultaneously or sequentially
    • H02J7/0014—Circuits for equalisation of charge between batteries
    • H02J7/0016—Circuits for equalisation of charge between batteries using shunting, discharge or bypass circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/0013—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries acting upon several batteries simultaneously or sequentially
    • H02J7/0024—Parallel/serial switching of connection of batteries to charge or load circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M2200/00—Safety devices for primary or secondary batteries
    • H01M2200/30—Preventing polarity reversal
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)

Description

この発明は、複数の蓄電デバイスの接続をスイッチにて切り替え制御して、複数の蓄電デバイスから複数の直流電圧を出力する電源装置に関するものである。
従来の複数の蓄電デバイスを直列接続した電源装置において、両端の蓄電デバイスとともに途中の蓄電デバイスにもタップを接続することで、複数の直流電圧を取り出すことができる（例えば特許文献１）。
特開２００７−６５６７号公報（第１図）
前記特許文献１では、複数の蓄電デバイスを直列に接続する一方、両端の蓄電デバイスとともに途中の蓄電デバイスにもタップを接続して、複数の直流電圧を取り出していた。しかしながら、グランドに接続される蓄電デバイスは固定であるため、途中の蓄電デバイスから直流電圧を取り出そうとすると、前記蓄電デバイスよりグランドに近い蓄電デバイスの正極と負極が短絡して、回路の破損や発火が発生するという課題があった。
この発明は、前記のような課題を解決するためになされたもので、回路の破損が発生しにくい電源装置を得るものである。
この発明に係る電源装置は、正極端と負極端を有する複数の蓄電デバイス、複数のスイッチを有する第１スイッチ回路、第１端子正極と第１端子負極、複数のスイッチを有する第２スイッチ回路、第２端子正極と第２端子負極、前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路の複数のスイッチのそれぞれの開閉を制御する制御回路を備え、前記蓄電デバイスの１つ又は複数の電力を前記第１端子正極と前記第１端子負極間に出力すると共に、前記蓄電デバイスの１つ又は複数の電力を前記第２端子正極と前記第２端子負極間に出力する電源装置であって、前記第１端子負極と前記第２端子負極は互いに接続され同じ電位であり、前記第１スイッチ回路の複数のスイッチは、複数の前記蓄電デバイスにそれぞれ対応する複数の第１スイッチ組を含み、各第１スイッチ組は、対応する蓄電デバイスの負極端に一端が接続される負極端接続用スイッチと、対応する蓄電デバイスの正極端に一端が接続される第１正極端接続用スイッチと、前記負極端接続用スイッチの他端と前記第１正極端接続用スイッチの他端間に接続されるバイパス用スイッチとを含み、前記第１端子正極と前記第１端子負極間には、複数の前記第１スイッチ組の複数の前記バイパス用スイッチが直列に接続され、前記第２スイッチ回路の複数のスイッチは、複数の前記蓄電デバイスにそれぞれ対応する複数の第２スイッチ組を含み、各第２スイッチ組は、対応する蓄電デバイスの正極端を前記第２端子正極に接続する第２正極端接続用スイッチと、対応する蓄電デバイスの負極端を他の蓄電デバイスの正極端に接続する接続用スイッチとを含み、複数の前記蓄電デバイスと複数の前記接続用スイッチは、前記蓄電デバイスと前記接続用スイッチが交互に接続されるようにしたものである。
この発明による電源装置によれば、第１と第２スイッチ回路にて端子負極に接続する蓄電デバイスを選択することができるので、蓄電デバイスを短絡させることが少なく、途中の蓄電デバイスから直流電圧を取り出すことができる。
この発明の前記以外の目的、特徴、観点及び効果は、図面を参照する以下のこの発明の詳細な説明から、さらに明らかになるであろう。
この発明の実施の形態１による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態２による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態２による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態３による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態３による電源装置の他の構成を示す回路図である。 実施の形態４による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態４による電源装置の他の構成を示す回路図である。 実施の形態５による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態５による電源装置の他の構成を示す回路図である。 実施の形態６による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態６による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態６による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態６による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態７による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態７による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態７による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態８による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態８による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態８による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態９による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態９による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態９による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１０による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態１０による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１０による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１１による電源装置の構成を示す回路図である。 実施の形態１１による電源装置の回路動作を示す図である。 実施の形態１１による電源装置の回路動作を示す図である。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による電源装置の構成を示す回路図を示す。図１において、蓄電デバイスとしては、例えばニッケル水素バッテリや、リチウムイオンバッテリが用いられる。
第１のスイッチ回路９（第１スイッチ回路）は、以下から構成される。蓄電デバイス３の正極端にＭＯＳＦＥＴ９ａ（第１正極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ａ（第１正極端接続用スイッチ）のソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｄ（バイパス用スイッチ）のドレイン端子が接続され、その接続点と第１取出し口１の正極１ａ（第１端子正極）が接続される。蓄電デバイス３の負極端にＭＯＳＦＥＴ９ｇ（負極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子がＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子に接続される。蓄電デバイス４の正極端にＭＯＳＦＥＴ９ｂ（第１正極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｅ（バイパス用スイッチ）のドレイン端子が接続され、その接続点とＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子が接続される。
蓄電デバイス４の負極端とＭＯＳＦＥＴ９ｈ（負極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子が接続される。蓄電デバイス５の正極端とＭＯＳＦＥＴ９ｃ（第１正極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｆ（バイパス用スイッチ）のドレイン端子が接続され、その接続点とＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子が接続される。蓄電デバイス５の負極端とＭＯＳＦＥＴ９ｉ（負極端接続用スイッチ）のドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子が接続され、その接続点とグランド７が接続される。グランド７は第１取出し口１の負極１ｂ（端子負極）と接続される。
第２のスイッチ回路１０（第２スイッチ回路）は、以下から構成される。蓄電デバイス３の負極端はＭＯＳＦＥＴ１０ａ（接続用スイッチ）のソース端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｂ（第２正極端接続用スイッチ）のソース端子が接続され、その接続点と蓄電デバイス４の正極端が接続される。蓄電デバイス４の負極端とＭＯＳＦＥＴ１０ｃ（接続用スイッチ）のソース端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｄ（第２正極端接続用スイッチ）のソース端子が接続され、その接続点と蓄電デバイス５の正極端が接続される。蓄電デバイス５の負極端はＭＯＳＦＥＴ１０ｅ（接続用スイッチ）のソース端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｆ（第２正極端接続用スイッチ）のソース端子が接続され、その接続点と蓄電デバイス３の正極端が接続される。ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子が接続され、その接続点と第２取出し口２の正極２ａ（第２端子正極）が接続される。グランド８と第２取出し口２の負極２ｂ（端子負極）が接続される。グランド７とグランド８は同基準電位点である。
制御回路６は第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を構成する各ＭＯＳＦＥＴのオン／オフの制御を行う。制御回路６は例えば処理回路により実現され、処理回路はメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵを有している。
次に蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に直流電圧を取り出す動作について説明する。
図２に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極1ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
このとき、第２のスイッチ回路１０で、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５のみの直流電圧を取り出すことができる。また、第２のスイッチ回路１０で、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｂをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出すことができる。
また、図３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４の負極端に接続され、第１取出し口１の正極1ａに蓄電デバイス４の直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
また、図４に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス３の負極端に接続され、第１取出し口１の正極1ａに蓄電デバイス３の直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
また、図５に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
また、図６に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
また、図７に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
第１端子正極１ａと端子負極１ｂ間に設けられる第１蓄電デバイス接続用回路には、ＭＯＳＦＥＴ９ａ〜９ｉのいずれかがオンするときはそのオンしたＭＯＳＦＥＴ、及び蓄電デバイス３〜５のいずれかが生かされるときはその蓄電デバイスにより、第１蓄電デバイス接続用回路が構成されるが、第１蓄電デバイス接続用回路に常に存在する電流通路は次に示す１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆである。なお電流通路１ｃは正極１ａからＭＯＳＦＥＴ９ａ、９ｄの接続点までであり、電流通路１ｄはＭＯＳＦＥＴ９ｄ、９ｇの接続点からＭＯＳＦＥＴ９ｂ、９ｅの接続点までであり、電流通路１ｅはＭＯＳＦＥＴ９ｅ、９ｈの接続点からＭＯＳＦＥＴ９ｃ、９ｆの接続点までであり、電流通路１ｆはＭＯＳＦＥＴ９ｆ、９ｉの接続点から負極１ｂまでである。
なお、図７の第１スイッチ回路９において、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出すことができる。つまり、バイパス用スイッチＭＯＳＦＥＴ９ｅをオンさせることにより、蓄電デバイス４をバイパスさせ、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の直列接続された直流電圧を取り出すことができる。
第２端子正極２ａと端子負極２ｂ間に設けられる第２蓄電デバイス接続用回路には、ＭＯＳＦＥＴ１０ａ〜１０ｆのいずれかがオンするときはそのオンしたＭＯＳＦＥＴ、及び蓄電デバイス３〜５のいずれかが生かされるときはその蓄電デバイスにより、第２蓄電デバイス接続用回路が構成されるが、第２蓄電デバイス接続用回路に常に存在する電流通路は次に示す２ｃ、２ｄである。なお電流通路２ｃは正極２ａからＭＯＳＦＥＴ１０ｂ、１０ｄ、１０ｆの接続点までであり、電流通路２ｄは負極２ｂからグランド８までである。
その結果、第１のスイッチ回路にてグランドに接続される蓄電デバイスを選択することができるので、蓄電デバイスを短絡させることなく途中の蓄電デバイスから直流電圧を取り出すことができる。なお、この発明の実施の形態１において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。
実施の形態２．
この発明の実施の形態２による電源装置の回路図を、図８に示す。実施の形態１と異なる点は平滑リアクトル１１と平滑コンデンサ１２を追加した点である。具体的には、平滑リアクトル１１はＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子の接続点と第１取出し口１の正極１ａとの間に接続され、平滑コンデンサ１２は第１取出し口１の正極１ａと負極１ｂの間に接続される。なお、平滑リアクトル１１は、負極１ｂと接続された所望の蓄電デバイスと第１取出し口１の正極１ａの電流通路に設けてもよい。
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図９に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。以下、平滑リアクトル１１が励磁されている状態を励磁状態とする。
第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
図９の動作後に、図１０に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、エネルギーを第１取出し口１に供給し続けるために平滑リアクトル１１は蓄積されたエネルギーで還流させようとする。以下、平滑リアクトル１１が蓄積されたエネルギーで還流させようとする状態を還流状態とする。励磁状態になり、励磁状態から還流状態になり、還流状態から再度励磁状態になるまでの時間を１周期とする。図１０で、第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
制御回路６は図９の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）を繰り返すように第１のスイッチ回路９のＭＯＳＦＥＴをスイッチングさせる。このとき１周期における図９の動作（励磁状態）を占める割合を増やしていくことで、０Ｖから蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
また、図１１に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
図１１の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
また、図１２に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続した直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
図１２の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続した直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
また、図１３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、平滑リアクトル１１、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｆをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
図１３の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス５の直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
また、図１４に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、平滑リアクトル１１、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ａとＭＯＳＦＥＴ１０ｄとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
図１４の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス４の直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
また、図１５に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第１取出し口１にエネルギーが供給される。この時、平滑リアクトル１１は励磁され、エネルギーが平滑リアクトル１１に蓄積される。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、平滑リアクトル１１、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第２のスイッチ回路１０では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂとＭＯＳＦＥＴ１０ｃとＭＯＳＦＥＴ１０ｅをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｅのソース端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
図１５の動作（励磁状態）と図１０の動作（還流状態）からなる１周期について上述と同様な動作をさせることで、０Ｖから蓄電デバイス３の直流電圧まで変化するランプ状電圧を第１取出し口１に取り出すことができる。
その結果、第１のスイッチ回路９を構成するＭＯＳＦＥＴをスイッチングさせることで、第１取出し口１にはランプ状電圧を取り出すことができるので、第１取出し口１への突入電流を抑制することができる。なお、この発明の実施の形態２において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。
実施の形態３．
この発明の実施の形態３による電源装置の回路図を、図１６と図１７に示す。この発明の実施の形態３における第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０の動作は、実施の形態１で示したものと同様であるため、説明は省略する。異なる点は直流出力電圧を調整可能に構成した可変電圧電源装置である充電装置１３を追加した点である。具体的には充電装置１３の正極と第１取出し口１の正極１ａが接続され、充電装置１３の負極と第１取出し口１の負極１ｂが接続される。
充電装置１３は第１取出し口１に取り出した直流電圧より大きくなるように直流電圧を出力する。その結果、充電装置１３から蓄電デバイス３、４、５に電力を供給することができるので、蓄電デバイスを充電することができる。具体的には、例えば、図２、図３、図４、図５、図６、図７、図９、図１１、図１２、図１３、図１４、又は図１５の接続状態で、第１取出し口１に取り出した直流電圧より大きくなるような直流電圧を充電装置１３から出力することにより、接続された１又は複数の蓄電デバイス３、４、５に蓄電できる。
実施の形態４．
この発明の実施の形態４による電源装置の回路図を、図１８と図１９に示す。この発明の実施の形態４における第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０の動作は、実施の形態１〜２で示したものと同様であるため、説明は省略する。異なる点は、電動発電機１４と電動発電機１４を駆動するインバータ１５から構成される第１の負荷１６と、インバータ１５の直流母線と低圧蓄電デバイス１８を接続するＤＣ／ＤＣコンバータ１７と、低圧蓄電デバイス１８に接続する低圧電装品１９から構成される第２の負荷２０と、電気負荷から構成される第３の負荷２１を追加した点である。
図１８の各構成要素間の接続状況を説明する。第１取出し口１の正極１ａと、インバータ１５の直流母線側正極と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の直流母線側正極が接続され、第１取出し口１の負極１ｂと、インバータ１５の直流母線側負極と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の直流母線側負極が接続される。インバータ１５を構成するＭＯＳＦＥＴ１５ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｂのドレイン端子の接続点と、ＭＯＳＦＥＴ１５ｃのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｄのドレイン端子の接続点と、ＭＯＳＦＥＴ１５ｅのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｆのドレイン端子の接続点が、電動発電機１４に接続される。低圧蓄電デバイス１８と低圧電装品１９は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７を構成する平滑コンデンサ１７ｅに並列に接続される。第２取出し口２の正極２ａと第３の負荷２１の正極と接続され、第２取出し口２の負極２ｂと第３の負荷２１の負極が接続される。インバータ１５、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７は各々制御する機能を保有しているが、各構成要素に動作状態を指令するために制御回路６と接続される。
次に、各構成要素の回路構成を説明する。インバータ１５内は、ＭＯＳＦＥＴ１５ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｂのドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｃのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｄのドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｅのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｆのドレイン端子が各々接続される。ＭＯＳＦＥＴ１５ａのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｃのドレイン端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｅのドレイン端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｂのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｄのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１５ｆのソース端子が接続される。ＭＯＳＦＥＴ１５ａのドレイン端子と平滑コンデンサ１５ｇの一方の端子が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１５ｂのソース端子と平滑コンデンサ１５ｇの他方の端子が接続される。
ＤＣ／ＤＣコンバータ１７内は、ＭＯＳＦＥＴ１７ｂのソース端子とＭＯＳＦＥＴ１７ｃのドレイン端子が接続され、その接続点と平滑リアクトル１７ｄの一方の端子が接続される。平滑リアクトル１７ｄの他方の端子が平滑コンデンサ１７ｅの一方の端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１７ｃのソース端子は平滑コンデンサ１７ｅの他方の端子と接続される。ＭＯＳＦＥＴ１７ｂのドレイン端子は平滑コンデンサ１７ａの一方の端子と接続され、ＭＯＳＦＥＴ１７ｃのソース端子は平滑コンデンサ１７ａの他方の端子に接続される。この様な回路構成にすることで、制御回路６は各構成要素の動作状態を監視しながら各構成要素を制御する。
例えば、電動発電機１４を始動させる時に第１取出し口１に取り出される直流電圧が低くなるように、第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を動作させる。その結果、電動発電機１４及びインバータ１５に過大な電流が流れることを防止することができ、電動発電機１４及びインバータ１５の破損を回避することができる。また、第１取出し口１に取り出される直流電圧が低くなることで、インバータ１５を構成するＭＯＳＦＥＴの発生損失を低減させることができ、インバータ１５の冷却器を簡素化することが可能となり、インバータ１５の小型化を実現することができる。
また例えば、低圧電装品１９が重負荷の時に上述と同様に第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を動作させる。その結果、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の入力電圧が低くなり、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の発生損失を低減させることができ、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の冷却器を簡素化することが可能となり、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の小型化を実現することができる。
また例えば、電動発電機１４が発電する時に第１取出し口１に取り出される直流電圧が大きくなるように、第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０を動作させる。その結果、直流母線電圧が高くなり、電動発電機１４の発電エネルギーを積極的に蓄電デバイス３、４、５に回収し、充電することが可能となる。
なお、この発明の実施の形態４において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。また、実施の形態４において、ＤＣ／ＤＣコンバータ１７の回路構成として、非絶縁型の降圧チョッパ回路で説明を行ったが、降圧することができればよく、非絶縁型、絶縁型の回路方式は特に問わない。
実施の形態５．
実施の形態５による電源装置の回路図を、図２０と図２１に示す。実施の形態５における第１のスイッチ回路９及び第２のスイッチ回路１０の動作は、実施の形態１〜２で示したものと同様であるため、説明は省略する。異なる点は第３の負荷２１が低圧蓄電デバイス１８より高い入力電圧を要する高圧電装品２２で構成される点である。その結果、高圧電装品２２の入力電圧は蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５を直列接続した電圧になり、ＤＣ／ＤＣコンバータを追加することなく高圧電装品２２を使用することができる。
実施の形態６．
この発明の実施の形態６による電源装置の回路図を図２２に示す。実施の形態１と異なる点は第３のスイッチ回路２３（第３スイッチ回路）を追加するとともに、第２のスイッチ回路２４に短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｇを追加した点である。具体的には、第３のスイッチ回路は逆直列接続されたＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂで構成され、ＭＯＳＦＥＴ２３ａはドレイン端子が蓄電デバイス３の正極端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子は蓄電デバイス５の正極端に接続される。また、第２のスイッチ回路２４のＭＯＳＦＥＴ１０ｇはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ｅのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス３の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子に接続される。
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図２３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂとＭＯＳＦＥＴ１０ｃをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｃのソース端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
なお、図２４に示すように第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出すこともできる。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。また、第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出すこともできる。
第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９eのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９aのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
ここで、図２５に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。なお、図２２の電源装置の第１取出し口１に、図１６の電源装置に示す充電装置１３を接続して、蓄電デバイス３、４、５を充電することができる。具体的には、充電装置１３の正極と第１取出し口１の正極１ａが接続され、充電装置１３の負極と第１取出し口１の負極１ｂが接続される。
ここで、前記特許文献１では、複数の蓄電デバイスは直列に接続されるため、負荷に供給できる電流は１つの蓄電デバイスの許容電流に制限される。従って、低電圧でも大電流が必要となる負荷状態が生じる場合には、蓄電デバイスを並列に増設して許容電流を増加させる必要があり、蓄電デバイスの増加による装置の大型化、高コスト化を招くという課題があった。しかし、実施の形態６では、複数の蓄電デバイス（具体的には蓄電デバイス３，５）が並列接続された直流電圧が取り出され、複数の蓄電デバイス（具体的には蓄電デバイス３，５）の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。そのため小型、低コストで必要に応じて許容出力電流の拡大が可能な電源装置を得ることができる。この効果は以下の実施の形態７〜１１においても、同様に発揮される。
実施の形態７．
この発明の実施の形態７による電源装置の回路図を図２６に示す。実施の形態６と異なる点は第３のスイッチ回路２３が蓄電デバイス３と蓄電デバイス４に接続された点である。具体的には、逆直列接続されたＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂにおいて、ＭＯＳＦＥＴ２３ａはドレイン端子が蓄電デバイス３の正極端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂはドレイン端子が蓄電デバイス４の正極端に接続される。
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図２７に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。なお、ＭＯＳＦＥＴ１０ｇは短絡防止のために追加されたものである。例えば、図２７において、ＭＯＳＦＥＴ１０ｇが無いとすると、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのドレイン端子に蓄電デバイス５の電圧が印加され、ＭＯＳＦＥＴ１０ｆのソース端子に蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された電圧が印加される。これによって、短絡が発生する。これをＭＯＳＦＥＴ１０ｇで防止している。後述の短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｈについても同様である。
ここで、図２８に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の正極端が接続される。
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。また、第２取出し口２の正極２ａからは、蓄電デバイス５の直流電圧が取り出される。
第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
なお、図２６の電源装置の第１取出し口１に、図１６の電源装置に示す充電装置１３を接続して、蓄電デバイス３、４、５を充電することができる。具体的には、充電装置１３の正極と第１取出し口１の正極１ａが接続され、充電装置１３の負極と第１取出し口１の負極１ｂが接続される。
実施の形態８．
この発明の実施の形態８による電源装置の回路図を図２９に示す。実施の形態６と異なる点は第３のスイッチ回路２３が蓄電デバイス４と蓄電デバイス５に接続された点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ２３ａはドレイン端子が蓄電デバイス４の正極端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子は蓄電デバイス５の正極端に接続される。
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３０に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
ここで、図３１に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
実施の形態９．
この発明の実施の形態９による電源装置の回路図を図３２に示す。実施の形態６と異なる点は第２のスイッチ回路２４に短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｈを追加した点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ１０ｈはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス４の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子に接続される。
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３３に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
ここで、図３４に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
実施の形態１０．
この発明の実施の形態１０による電源装置の回路図を図３５に示す。実施の形態７と異なる点は第２のスイッチ回路２４にＭＯＳＦＥＴ１０ｈを追加した点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ１０ｈはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス４の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子に接続される。
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３６に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
ここで、図３７に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ａとＭＯＳＦＥＴ９ｅとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｇとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス３と蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の正極端が接続される。
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス３と蓄電デバイス４が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス３と蓄電デバイス４の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｅのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｇのドレイン端子、蓄電デバイス３の負極、蓄電デバイス３の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
また、第２取出し口２の正極２ａからは、蓄電デバイス５の直流電圧が取り出される。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
実施の形態１１．
この発明の実施の形態１１による電源装置の回路図を図３８に示す。実施の形態８と異なる点は第２のスイッチ回路２４に短絡防止用のＭＯＳＦＥＴ１０ｈを追加した点である。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ１０ｈはドレイン端子がＭＯＳＦＥＴ１０ａのドレイン端子に接続され、蓄電デバイス４の正極端に接続され、ソース端子はＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子に接続される。
次に、蓄電デバイス３、４、５から第１取出し口１及び第２取出し口２に電圧を取り出す動作について説明する。図３９に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｃとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３では、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオフさせることで、グランド７は蓄電デバイス５の負極端に接続され、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が直列接続された直流電圧を取り出す。第１の電流２５は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｉのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｃのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極１ａへ流れる。
このとき、第２のスイッチ回路２４では、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせることで、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス５の直流電圧を取り出す。第２の電流２６は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
ここで、図４０に示すように第１のスイッチ回路９では、ＭＯＳＦＥＴ９ｂとＭＯＳＦＥＴ９ｄとＭＯＳＦＥＴ９ｆとＭＯＳＦＥＴ９ｈとＭＯＳＦＥＴ９ｉをオンさせ、それ以外のＭＯＳＦＥＴをオフさせるとともに、第３のスイッチ回路２３で、ＭＯＳＦＥＴ２３ａとＭＯＳＦＥＴ２３ｂをオンさせることで、グランド７は蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の負極端に接続されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の正極端が接続される。
その結果、第１取出し口１の正極１ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧を取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第１の電流２５の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。第１の電流２５の他方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３aのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子、第１取出し口１の正極1ａへ流れる。
また、第２取出し口２の正極２ａに蓄電デバイス４と蓄電デバイス５が並列接続された直流電圧が取り出されるとともに、蓄電デバイス４と蓄電デバイス５の並列に応じた許容電流の拡大が可能となる。第２の電流２６の一方は、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９iのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９iのドレイン端子、蓄電デバイス５の負極、蓄電デバイス５の正極、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。第２の電流２６の他方は、電流通路が明示されていないが、グランド７から、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｆのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ９ｈのドレイン端子、蓄電デバイス４の負極、蓄電デバイス４の正極、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ａのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ２３ｂのドレイン端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのソース端子、ＭＯＳＦＥＴ１０ｄのドレイン端子、第２取出し口２の正極２ａへ流れる。
なお、この発明の実施の形態６から実施の形態１１において、スイッチとしてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を用いて説明を行ったが、バイポーラトランジスタ、又は絶縁型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、又はシリコンカーバイドトランジスタ、又はシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを用いても同様の効果が得られる。また、第２のスイッチ回路や第３のスイッチ回路には逆直列接続したＭＯＳＦＥＴを用いて説明したが、その他の双方向性スイッチを用いることができることは言うまでもない。
また、図８に示す平滑リアクトル１１と平滑コンデンサ１２を、図２２、図２６、図２９、図３２、図３５、又は図３８に追加することが可能である。具体的には、平滑リアクトル１１はＭＯＳＦＥＴ９ａのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｄのドレイン端子の接続点と第１取出し口１の正極１ａとの間に接続され、平滑コンデンサ１２は第１取出し口１の正極１ａと負極１ｂの間に接続される。なお、平滑リアクトル１１は、負極１ｂと接続された所望の蓄電デバイスと第１取出し口１の正極１ａの電流通路に設けてもよい。
また、この発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
１：第１取出し口、 １ａ：正極、 １ｂ：負極
２：第２取出し口、 ２ａ：正極、 ２ｂ：負極
３、４、５：蓄電デバイス
６：制御回路、 ７：グランド、 ８：グランド
９：第１のスイッチ回路
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、９ｇ、９ｈ、９ｉ：ＭＯＳＦＥＴ
１０、２４：第２のスイッチ回路
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ：ＭＯＳＦＥＴ
１１：平滑リアクトル、 １２：平滑コンデンサ、 １３：充電装置
１４：電動発電機、 １５：インバータ
１５ｇ：平滑コンデンサ
１６：第１の負荷
１７：ＤＣ／ＤＣコンバータ
１７ａ、１７ｅ：平滑コンデンサ
１７ｄ：平滑リアクトル
１８：低圧蓄電デバイス、 １９：低圧電装品
２０：第２の負荷、 ２１：第３の負荷、 ２２：高圧電装品
２３：第３のスイッチ回路
２３ａ、２３ｂ：ＭＯＳＦＥＴ
２５：第１の電流
２６；第２の電流

Claims (10)

  1. 正極端と負極端を有する複数の蓄電デバイス、
    複数のスイッチを有する第１スイッチ回路、
    第１端子正極と第１端子負極、
    複数のスイッチを有する第２スイッチ回路、
    第２端子正極と第２端子負極、
    前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路の複数のスイッチのそれぞれの開閉を制御する制御回路を備え、
    前記蓄電デバイスの１つ又は複数の電力を前記第１端子正極と前記第１端子負極間に出力すると共に、
    前記蓄電デバイスの１つ又は複数の電力を前記第２端子正極と前記第２端子負極間に出力する電源装置であって、
    前記第１端子負極と前記第２端子負極は互いに接続され同じ電位であり、
    前記第１スイッチ回路の複数のスイッチは、複数の前記蓄電デバイスにそれぞれ対応する複数の第１スイッチ組を含み、各第１スイッチ組は、対応する蓄電デバイスの負極端に一端が接続される負極端接続用スイッチと、対応する蓄電デバイスの正極端に一端が接続される第１正極端接続用スイッチと、前記負極端接続用スイッチの他端と前記第１正極端接続用スイッチの他端間に接続されるバイパス用スイッチとを含み、
    前記第１端子正極と前記第１端子負極間には、複数の前記第１スイッチ組の複数の前記バイパス用スイッチが直列に接続され、
    前記第２スイッチ回路の複数のスイッチは、複数の前記蓄電デバイスにそれぞれ対応する複数の第２スイッチ組を含み、各第２スイッチ組は、対応する蓄電デバイスの正極端を前記第２端子正極に接続する第２正極端接続用スイッチと、対応する蓄電デバイスの負極端を他の蓄電デバイスの正極端に接続する接続用スイッチとを含み、
    複数の前記蓄電デバイスと、複数の前記第２スイッチ組の複数の前記接続用スイッチは、前記蓄電デバイスと前記接続用スイッチが交互に接続される電源装置。
  2. 前記第１端子正極と前記第１端子負極間に平滑コンデンサが接続され、前記第１端子正極と前記第１端子負極間の電流経路に平滑リアクトルが設けられたことを特徴とする請求項１記載の電源装置。
  3. 前記第１端子正極と前記第１端子負極間に、直流電圧を可変しうる可変電源装置である充電装置を接続したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電源装置。
  4. 複数の前記蓄電デバイスのうちの一の蓄電デバイスの正極端と他の蓄電デバイスの正極端との間に設けられ、前記一の蓄電デバイスの正極端と前記他の蓄電デバイスの正極端とを接続する接続用スイッチを有する第３スイッチ回路を備え、
    前記制御回路は、前記第３スイッチ回路の前記接続用スイッチの開閉を制御して、前記第１端子正極と前記第１端子負極間に複数個の蓄電デバイスを並列接続するようにした請求項１記載の電源装置。
  5. 前記第３スイッチ回路の前記接続用スイッチの開閉を前記制御回路で制御して、前記第１端子正極と前記第１端子負極間及び前記第２端子正極と前記第２端子負極間に複数個の蓄電デバイスを並列接続するようにした請求項４記載の電源装置。
  6. 前記第１端子正極と前記第１端子負極間に平滑コンデンサが接続され、前記第１端子正極と前記第１端子負極間の電流経路に平滑リアクトルが設けられたことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の電源装置。
  7. 前記第１端子正極と前記第１端子負極間に、直流電圧を可変しうる可変電源装置である充電装置を接続したことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の電源装置。
  8. 前記制御回路は、
    前記第１端子正極と前記第１端子負極間に接続される蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記第１正極端接続用スイッチをオンに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記バイパス用スイッチをオフに制御し、
    前記第１端子正極と前記第１端子負極間に接続されない蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記第１正極端接続用スイッチをオフに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記バイパス用スイッチをオンに制御するようにしたことを特徴とする請求項１記載の電源装置。
  9. 前記制御回路は、
    前記第２端子正極と前記第２端子負極間に接続される蓄電デバイスであって、
    前記第２スイッチ回路を介して正極端が前記第２端子正極に接続される前記蓄電デバイスに対しては、前記第２スイッチ回路の対応する前記第２正極端接続用スイッチ及び前記接続用スイッチをオンに制御し、
    負極端が前記第１端子負極に接続される前記蓄電デバイスに対しては、前記第２スイッチ回路の対応する前記第２正極端接続用スイッチ及び前記接続用スイッチをオフに制御し、
    その他の前記蓄電デバイスに対しては、前記第２スイッチ回路の対応する前記第２正極端接続用スイッチをオフに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記接続用スイッチをオンに制御するようにしたことを特徴とする請求項８記載の電源装置。
  10. 前記制御回路は、
    前記第１端子正極と前記第１端子負極間に並列接続される蓄電デバイスのうち、
    一の前記蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記第１正極端接続用スイッチをオンに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記バイパス用スイッチをオフに制御し、
    他の前記蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記負極端接続用スイッチ及び前記バイパス用スイッチをオンに制御すると共に、当該蓄電デバイスに対応する前記第１スイッチ回路の前記第１正極端接続用スイッチをオフに制御し、
    前記第３スイッチ回路の前記接続用スイッチをオンに制御するようにしたことを特徴とする請求項４記載の電源装置。
JP2016573271A 2015-02-04 2016-01-21 電源装置 Active JP6444435B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015019909 2015-02-04
JP2015019909 2015-02-04
PCT/JP2016/051662 WO2016125589A1 (ja) 2015-02-04 2016-01-21 電源装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016125589A1 JPWO2016125589A1 (ja) 2017-04-27
JP6444435B2 true JP6444435B2 (ja) 2018-12-26

Family

ID=56563940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016573271A Active JP6444435B2 (ja) 2015-02-04 2016-01-21 電源装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10038224B2 (ja)
JP (1) JP6444435B2 (ja)
CN (1) CN107005047B (ja)
DE (1) DE112016000602T5 (ja)
WO (1) WO2016125589A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108215513B (zh) * 2018-02-05 2019-06-21 杭州旗捷科技有限公司 可变阈值的反馈电路、耗材芯片、耗材

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5712553A (en) * 1996-01-11 1998-01-27 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Battery transposition system and method
JP2000184607A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Sony Corp バッテリー装置及びこれを用いた電子機器
JP2007006567A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Chugoku Electric Power Co Inc:The 複電圧電源装置
JP4353222B2 (ja) 2006-09-05 2009-10-28 日産自動車株式会社 電力供給装置及びその制御方法
JP2010081703A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Mitsubishi Electric Corp 車両用電源制御システム
DE102011077708A1 (de) * 2011-06-17 2012-12-20 Robert Bosch Gmbh Batteriesystem und Verfahren zum Bereitstellen einer Zwischenspannung
CN103493332A (zh) * 2011-06-30 2014-01-01 古河电气工业株式会社 电源装置以及电力供给方法
JP6223171B2 (ja) * 2012-12-28 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置の制御システム、蓄電システム、及び電気機器
JP2014193016A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Nec Corp 蓄電装置、電池制御装置、及び電池制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107005047A (zh) 2017-08-01
CN107005047B (zh) 2019-11-26
US10038224B2 (en) 2018-07-31
JPWO2016125589A1 (ja) 2017-04-27
DE112016000602T5 (de) 2017-10-19
WO2016125589A1 (ja) 2016-08-11
US20170373353A1 (en) 2017-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9831778B2 (en) Power-converting device and power conditioner using the same
JP5774919B2 (ja) 機械設備を駆動する電動装置、及びそれに関連する方法
US9806618B2 (en) Power converting device and power conditioner using the same
JP6349265B2 (ja) 双方向ｄｃ−ｄｃコンバータ、パワーコンディショナ及び分散型電源システム
WO2012014281A1 (ja) 蓄電装置の充電制御方法および放電制御方法
RU2543442C2 (ru) Система электропривода транспортного средства
CN107636949B (zh) 逆变器控制装置
CN107000600B (zh) 用于通过逆变器给电池单元充电并且运行负载单元的装置
JP2016201990A (ja) 車両電源管理装置
JP2018067459A (ja) 燃料電池車の電源システム
JP6444435B2 (ja) 電源装置
JP6502088B2 (ja) 電源システム、車両及び電圧制御方法
JP2008061491A (ja) 半導体スイッチング素子駆動用電源回路
JP6481199B2 (ja) 電力制御装置、電力制御方法及び電力制御システム
JP4351008B2 (ja) 無停電電源装置
JP2008035573A (ja) 電気二重層コンデンサを用いた蓄電装置
JP6444204B2 (ja) 電力変換装置
JP2011061920A (ja) キャパシタセルの電圧均等化用回路
JP6214452B2 (ja) 無停電電源システムおよび無停電電源装置
JP6292972B2 (ja) 電源装置及びｌｅｄ照明装置
JP5765075B2 (ja) 電力変換装置及び充電装置
JP2010259229A (ja) 電源装置システム
JP7020593B2 (ja) 蓄電池モジュール
JP6915286B2 (ja) 蓄電装置
JP2017042003A (ja) 蓄電装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170116

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180508

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181030

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181127

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6444435

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250