JP6443355B2 - 方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、変圧器の鉄心材料に好適な方向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
方向性電磁鋼板は、主に変圧器や発電機等の電気機器の鉄心材料として用いられる軟磁気特性材料であって、鉄の磁化容易軸である<001>方位が鋼板の圧延方向に高度に揃った結晶組織を有する。このような集合組織は、方向性電磁鋼板の製造工程のうち、二次再結晶焼鈍の際に、いわゆるゴス（Goss）方位と称される(110)[001]方位の結晶粒を優先的に巨大成長させる、二次再結晶を通じて形成される。
この方向性電磁鋼板については、インヒビターと呼ばれる析出物を使用して、仕上焼鈍中にGoss方位を有する粒を二次再結晶させることが一般的な技術として使用されている。例えば、特許文献１には、AlＮ、MnＳを使用する方法が開示され、特許文献２には、MnＳ、MnSeを使用する方法が開示され、工業的に実用化されている。これらのインヒビターを用いる方法は、1300℃超と高温でのスラブ加熱を必要とするが、安定して二次再結晶粒を発達させるのに極めて有用な方法であった。さらには、これらのインヒビターの働きを強化するために、特許文献３には、Pb、Sb、Nb、Teを利用する方法が開示されており、特許文献４には、Zr、Ti、Ｂ、Nb、Ta、Ｖ、Cr、Moを利用する方法が開示されている。
また、特許文献５には、酸可溶性Al（sol.Al）を0.010〜0.060％含有させ、スラブ加熱を低温に抑え、脱炭焼鈍工程で適正な窒化雰囲気下で窒化を行うことにより、二次再結晶時に(Al,Si)Ｎを析出させて、インヒビターとして用いる方法が提案されている。(Al,Si)Ｎは、鋼中に微細分散して有効なインヒビターとして機能するが、Alの含有量によってインヒビターの強度が決まるため、製鋼でのAl量の的中精度が十分ではない場合は、十分な粒成長抑制力が得られないことがあった。
スラブ加熱を低温に抑える方法としては、特許文献６に、インヒビター成分を含有しない素材を用いて、ゴス方位結晶粒を優位に二次再結晶させる技術が開示されている。この方法では、インヒビターの鋼中における微細分散が必要ではないため、高温にすることが必須であったスラブ加熱を低温に抑えることができ、コスト面でもメンテナンス面でも大きなメリットを供する方法である。
しかしながら、インヒビターレス素材では、一次再結晶焼鈍時に粒成長を抑制し、一定の粒径にそろえる機能を有するインヒビターが存在しないため、工程条件や素材成分が若干変わっただけで一次再結晶後の鋼板の結晶粒径の変動が大きかったり、不均一な粒径分布になることが多かった。このため、これまで提案されてきたインヒビターレス法を用いた方向性電磁鋼板の製造方法では、良好な磁気特性を安定的に実現することは必ずしも容易ではなかった。
本発明は、上記の課題に鑑み、高温スラブ加熱をすることなく、安定して良好な磁束密度を有する方向性電磁鋼板を製造する方法を提供することを目的とする。
発明者らは、上記の課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた。
その結果、酸可溶性Alを0.01％未満に抑制した成分組成にＳおよび／またはＳｅを微量に添加し、かつ、Ｓｎおよび／またはＳｂを所定の範囲の量で添加し、高温スラブ加熱を回避しつつ、冷間圧延後の表面粗度を小さく維持しながら必要分の最大谷深さを保持することによって、良好な磁束密度を有しつつ、磁束密度のばらつきを低減できることを新規に知見するに至った。
その結果、酸可溶性Alを0.01％未満に抑制した成分組成にＳおよび／またはＳｅを微量に添加し、かつ、Ｓｎおよび／またはＳｂを所定の範囲の量で添加し、高温スラブ加熱を回避しつつ、冷間圧延後の表面粗度を小さく維持しながら必要分の最大谷深さを保持することによって、良好な磁束密度を有しつつ、磁束密度のばらつきを低減できることを新規に知見するに至った。
以下、本発明を導くに至った実験結果について説明する。
（実験１）
質量％で、Ｃ：0.04％、Si：3.0％、酸可溶性Al：0.005％、Ｎ：0.003％、Mn：0.08％を含有し（１）SとSeの合計量（[S]＋[Se]）が0.005％以下に抑制された鋼Ａと、（２）[S]＋[Se]を0.005％超0.01％以下含有した鋼Ｂにおいて、含有するSnとSbの合計量（[Sn]＋[Sb]）を0.001〜1.2％の間で変更した残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼を溶製し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.0mmの熱延板とし、1020℃×1分で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行い最終板厚0.22mmの冷延板とした。次いで、55vol％Ｈ2-45vol％Ｎ2の湿潤雰囲気下で850℃×100秒の脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施した。
（実験１）
質量％で、Ｃ：0.04％、Si：3.0％、酸可溶性Al：0.005％、Ｎ：0.003％、Mn：0.08％を含有し（１）SとSeの合計量（[S]＋[Se]）が0.005％以下に抑制された鋼Ａと、（２）[S]＋[Se]を0.005％超0.01％以下含有した鋼Ｂにおいて、含有するSnとSbの合計量（[Sn]＋[Sb]）を0.001〜1.2％の間で変更した残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼を溶製し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.0mmの熱延板とし、1020℃×1分で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行い最終板厚0.22mmの冷延板とした。次いで、55vol％Ｈ2-45vol％Ｎ2の湿潤雰囲気下で850℃×100秒の脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施した。
その後、MgＯを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布し、乾燥した後、水素雰囲気下で1200℃×5時間の純化処理と二次再結晶とを含む仕上げ焼鈍を施した。上記のようにして得た鋼板から、幅100mmの試験片を10枚ずつ採取して、各々JIS C2556に記載の方法で磁束密度Ｂ8を測定し、平均の磁束密度Ｂ8を求めた。
以上の実験で得られた磁束密度Ｂ8の結果を図1に示す。
図１に示される結果から、Ｓおよび／またはSeを合計で0.005％超0.01％以下、かつ、Snおよび／またはSbを合計で0.005％以上1.0％以下の範囲で、良好な磁束密度が得られることが分かった。
しかしながらこの条件で得られた磁束密度Ｂ８は平均値が良好であっても、試験片によっては値が比較的不良な部位が存在した。そこで、磁束密度Ｂ８のバラつきを低減させるために、さらなる検討を行った。
図１に示される結果から、Ｓおよび／またはSeを合計で0.005％超0.01％以下、かつ、Snおよび／またはSbを合計で0.005％以上1.0％以下の範囲で、良好な磁束密度が得られることが分かった。
しかしながらこの条件で得られた磁束密度Ｂ８は平均値が良好であっても、試験片によっては値が比較的不良な部位が存在した。そこで、磁束密度Ｂ８のバラつきを低減させるために、さらなる検討を行った。
（実験２）
質量％で、Ｃ：0.03％、Si：3.5％、酸可溶性Al：0.008％、Ｎ：0.004％、Mn：0.06％、Sn：0.1％、Sb：0.1％を含有し、かつＳとSeを合計0.005％超0.01％以下の範囲で含有し、残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼を溶鋼し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.2mmの熱延板とし、1050℃×60秒で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行い最終板厚0.22mmの冷延板とした。
質量％で、Ｃ：0.03％、Si：3.5％、酸可溶性Al：0.008％、Ｎ：0.004％、Mn：0.06％、Sn：0.1％、Sb：0.1％を含有し、かつＳとSeを合計0.005％超0.01％以下の範囲で含有し、残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼を溶鋼し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.2mmの熱延板とし、1050℃×60秒で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行い最終板厚0.22mmの冷延板とした。
このとき、板厚を減少させる前半の段階の圧延ロールの表面粗度を変更することで冷延板表面最大谷深さRvを調整し、最終段階の圧延ロールの表面粗度や潤滑用のクーラント量で冷延板表面の算術表面粗さRaを調整した。JIS B0601:2001/ISO 04287:1997に記載の方法で、圧延方向に垂直な方向の鋼板表面の算術平均粗さRaと粗さ曲線の最大谷深さRvを測定した。触針は触針先端形状がθが60°、rtipが2μmのものを使用し、測定の基準長さlrを0.8mm、評価長さlnを4mmとした。これにより、算術平均粗さRaは0.3〜0.5μmであることを確認した。
次いで、55vol％Ｈ2-45vol％Ｎ2の湿潤雰囲気下で850℃×100秒の脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施した。その後、MgＯを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布し、乾燥した後、水素雰囲気下で1200℃×5時間の純化処理と二次再結晶とを含む仕上げ焼鈍を施した。上記のようにして得た鋼板から、幅100mmの試験片を10枚ずつ採取して、各々JIS C2556に記載の方法で磁束密度Ｂ8を測定し、磁束密度Ｂ8のバラつきを示す指標として標準偏差σを求めた（図２）。
以上の実験から、鋼の成分組成にＳおよび/またはSeを微量に添加し、Snおよび／またはSbを所定量添加することによって磁束密度が向上し、また算術平均粗さRa値を小さく維持しつつ、所定の最大谷深さを保持することで、安定して良好な磁束密度が得られることが分かった。
具体的には、最終冷間圧延後の、圧延方向に垂直な方向の鋼板表面における粗さ曲線の最大谷深さRv（μm）と算術平均粗さRa（μm）が、下記（１）式を満足することで、安定して良好な磁束密度を得られることがわかった。
Rv≧Ra×｛1＋100×(［Ｓ］＋［Se］)｝ … （１）
ここで、［Ｓ］はＳの含有量（質量％）であり、［Se］はSeの含有量（質量％）である。
Rv≧Ra×｛1＋100×(［Ｓ］＋［Se］)｝ … （１）
ここで、［Ｓ］はＳの含有量（質量％）であり、［Se］はSeの含有量（質量％）である。
Ｓおよび/またはSe量を高めることで、磁束密度が向上する理由については必ずしも明らかでないが、本発明者らは次のように考えている。すなわち、添加したＳ、Seは、MnＳ、MnSeあるいはCu2Ｓ、Cu2Seといった析出物と固溶Ｓ分、固溶Se分による粒界偏析効果の併用により、一次再結晶粒径を狭幅で均一化し、二次再結晶の発現を安定化する効果が発揮される。熱延板焼鈍温度が高まった場合、オストワルド成長による析出物粗大化と、固溶Ｓ量、固溶Se量の増加による粒界偏析の増大とが同時に起こるため、影響が相殺されて粒成長抑制力はほぼ一定に保たれるためとも考えられる。
本技術は、繊細(Subtle)抑制力(Inhibition)制御（Control）（SIC法）というべき方法である。SIC法は、低温スラブ加熱とコイル内での鉄損変動の抑制を同時に達成することができるため、従来のインヒビターを使用する技術やインヒビターレス技術よりも優れた方法である。また、SnとSbを添加することにより、粒界偏析効果が補強され、一次再結晶粒径の均一化が進むと考えられる。
しかしながら、それだけではコイル内での磁性のバラつきは改善されなかった。そのため、再度検討をしたところ、冷間圧延板の鋼板表面の算術平均粗さRaを小さく維持しつつ、最大谷深さRvがある程度の大きさをもつことが重要であることが分かった。この理由については明らかではないが、表面粗度が粗い場合には、一次再結晶焼鈍における酸化物被膜形成の際に、酸化物が過度に形成されたり、膜が薄くなるなど、酸化被膜が不均一になるために、二次再結晶後の磁性が安定しなかったと考えられる。
しかしながら、単純に表面粗度を小さくすると、表面偏析元素であるＳやSeが表面偏析することで、酸化物被膜が剥離しやすくなるため、ある程度の谷深さが必要であると考えられた。ある程度の大きさの谷が存在することで、酸化物被膜と地鉄とが噛み合う部分となり、密着性が向上したと考えられた。
すなわち、本発明は、上記した実験結果に基づいて完成されたものであり、その要旨構成は、以下のとおりである。
１．質量％で、
Ｃ：0.002％以上0.08％以下、
Si：2.0％以上5.0％以下
Mn：0.02％以上1.0％以下
Ｓおよび／またはSeを合計で0.005％超0.01％以下並びに
Snおよび／またはSbを合計で0.005％以上1.0％以下
含有し、Ｎを0.005％未満および酸可溶性Alを0.01％未満に抑制し、残部はFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼スラブを1300℃以下で加熱し、
該鋼スラブに熱間圧延を施して熱延鋼板とし、
該熱延鋼板に、１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を施して最終板厚を有する冷延鋼板とし、
該冷延鋼板に一次再結晶焼鈍を施し、
該一次再結晶焼鈍後の前記冷延鋼板の表面に焼鈍分離剤を塗布してから二次再結晶焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法であって、
前記冷延鋼板の表面における、圧延方向に垂直な方向の粗さ曲線の最大谷深さRv（μm）と、算術平均粗さRa（μm）とが、下記（１）式を満足する、方向性電磁鋼板の製造方法。
記
Rv≧Ra×｛1＋100×(［Ｓ］＋［Se］)｝ … （１）
ここで、
［Ｓ］は、質量％でのＳの含有量であり、
［Se］は、質量％でのSeの含有量である。
Ｃ：0.002％以上0.08％以下、
Si：2.0％以上5.0％以下
Mn：0.02％以上1.0％以下
Ｓおよび／またはSeを合計で0.005％超0.01％以下並びに
Snおよび／またはSbを合計で0.005％以上1.0％以下
含有し、Ｎを0.005％未満および酸可溶性Alを0.01％未満に抑制し、残部はFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼スラブを1300℃以下で加熱し、
該鋼スラブに熱間圧延を施して熱延鋼板とし、
該熱延鋼板に、１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を施して最終板厚を有する冷延鋼板とし、
該冷延鋼板に一次再結晶焼鈍を施し、
該一次再結晶焼鈍後の前記冷延鋼板の表面に焼鈍分離剤を塗布してから二次再結晶焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法であって、
前記冷延鋼板の表面における、圧延方向に垂直な方向の粗さ曲線の最大谷深さRv（μm）と、算術平均粗さRa（μm）とが、下記（１）式を満足する、方向性電磁鋼板の製造方法。
記
Rv≧Ra×｛1＋100×(［Ｓ］＋［Se］)｝ … （１）
ここで、
［Ｓ］は、質量％でのＳの含有量であり、
［Se］は、質量％でのSeの含有量である。
２．前記Snおよび／またはSbの合計量が、質量％で、0.02％以上0.3％以下である、上記１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
３．前記算術平均粗さRaが0.5μm以下である、上記１または２に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
４．前記成分組成は、さらに、
質量％で、
Ni：0.005％以上1.5％以下、
Cu：0.005％以上1.5％以下、
Cr：0.005％以上0.1％以下、
Ｐ：0.005％以上0.5％以下、
Mo：0.005％以上0.5％以下、
Ti：0.0005％以上0.01％以下、
Nb：0.0005％以上0.1％以下、
Ｖ：0.0005％以上0.1％以下、
Ｂ：0.0002％以上0.0025％以下、
Bi：0.0001％以上0.1％以下、
Te：0.0005％以上0.01％以下および
Ta：0.0005％以上0.01％以下
のうちから選ばれる１種または２種以上を含有する、上記１から３のいずれかに記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
質量％で、
Ni：0.005％以上1.5％以下、
Cu：0.005％以上1.5％以下、
Cr：0.005％以上0.1％以下、
Ｐ：0.005％以上0.5％以下、
Mo：0.005％以上0.5％以下、
Ti：0.0005％以上0.01％以下、
Nb：0.0005％以上0.1％以下、
Ｖ：0.0005％以上0.1％以下、
Ｂ：0.0002％以上0.0025％以下、
Bi：0.0001％以上0.1％以下、
Te：0.0005％以上0.01％以下および
Ta：0.0005％以上0.01％以下
のうちから選ばれる１種または２種以上を含有する、上記１から３のいずれかに記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
５．前記冷延鋼板に磁区細分化処理を施す、上記１から４のいずれかに記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
６．前記磁区細分化処理が、前記二次再結晶焼鈍後の冷延鋼板への電子ビーム照射によるものである、上記５に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
７．前記磁区細分化処理が、前記二次再結晶焼鈍後の冷延鋼板へのレーザー照射によるものである、上記５に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
８．前記一次再結晶焼鈍における、500℃から700℃までの昇温速度を、30℃/s以上400℃/s以下とする、上記１から７のいずれかに記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
本発明によれば、酸可溶性Alを0.01％未満に抑制した成分組成にＳおよび／もしくはＳｅを微量添加し、かつ、Snおよび／またはSbを所定量添加し、冷間圧延後の表面粗度を小さく維持することで、高温スラブ加熱をすることなく、安定して良好な磁束密度を有する方向性電磁鋼板の製造が可能となる。
以下、本発明の一実施形態による方向性電磁鋼板の製造方法について説明する。まず、鋼の成分組成の限定理由について述べる。なお、本明細書において、各成分元素の含有量を表す「％」は、特に断らない限り「質量％」を意味する。
Ｃ：0.002％以上0.08％以下
Ｃは、0.002％に満たないと、炭化物そのものが減少し、炭化物制御による効果が表れにくくなる。一方、0.08％を超えると、脱炭焼鈍で、磁気時効の起こらない0.005％以下に低減することが困難となる。よって、Ｃは0.002％以上0.08％の範囲とする。好ましくは0.008％以上0.05％以下の範囲とする。
Ｃは、0.002％に満たないと、炭化物そのものが減少し、炭化物制御による効果が表れにくくなる。一方、0.08％を超えると、脱炭焼鈍で、磁気時効の起こらない0.005％以下に低減することが困難となる。よって、Ｃは0.002％以上0.08％の範囲とする。好ましくは0.008％以上0.05％以下の範囲とする。
Si：2.0％以上5.0％以下
Siは、鋼の比抵抗を高め、鉄損を低減するのに必要な元素である。上記効果は、2.0％未満では十分ではなく、一方、5.0％を超えると、加工性が低下し、圧延して製造することが困難となる。よって、Siは2.0％以上5.0％以下の範囲とする。好ましくは2.5％以上4.5％以下の範囲とする。
Siは、鋼の比抵抗を高め、鉄損を低減するのに必要な元素である。上記効果は、2.0％未満では十分ではなく、一方、5.0％を超えると、加工性が低下し、圧延して製造することが困難となる。よって、Siは2.0％以上5.0％以下の範囲とする。好ましくは2.5％以上4.5％以下の範囲とする。
Mn：0.02％以上1.0％以下
Mnは、鋼の熱間加工性を改善するために必要な元素である。上記効果は、0.02％未満では十分ではなく、一方、1.0％を超えると、製品板の磁束密度が低下するようになる。よって、Mnは0.02％以上1.0％以下の範囲とする。好ましくは0.02％以上0.15％以下の範囲とする。
Mnは、鋼の熱間加工性を改善するために必要な元素である。上記効果は、0.02％未満では十分ではなく、一方、1.0％を超えると、製品板の磁束密度が低下するようになる。よって、Mnは0.02％以上1.0％以下の範囲とする。好ましくは0.02％以上0.15％以下の範囲とする。
Ｎ：0.005％未満
Ｎはスラブ加熱時フクレなどの欠陥の原因となることもあるため、0.005％未満に抑制する必要がある。
Ｎはスラブ加熱時フクレなどの欠陥の原因となることもあるため、0.005％未満に抑制する必要がある。
酸可溶性Al：0.01％未満
Alは表面に緻密な酸化膜を形成し、脱炭を阻害することがあるため、Alは酸可溶性Al量で0.01％未満に抑制し、好ましくは0.008％以下に抑制する。
Alは表面に緻密な酸化膜を形成し、脱炭を阻害することがあるため、Alは酸可溶性Al量で0.01％未満に抑制し、好ましくは0.008％以下に抑制する。
Ｓおよび／またはSeを合計で0.005％超0.01％以下
ＳおよびSeは、一次再結晶焼鈍後の結晶粒径の粗大化を防止するためには、低温スラブ加熱で固溶する範囲の合計0.005％超0.01％以下を添加する。好ましくはＳおよび／またはSeを合計で0.005％超0.008％以下の範囲とする。
ＳおよびSeは、一次再結晶焼鈍後の結晶粒径の粗大化を防止するためには、低温スラブ加熱で固溶する範囲の合計0.005％超0.01％以下を添加する。好ましくはＳおよび／またはSeを合計で0.005％超0.008％以下の範囲とする。
Snおよび／またはSbを合計で0.005％以上1.0％以下
Sn、Sbは偏析元素であり、一次再結晶焼鈍後の結晶粒径の粗大化を防止することができるため、合計で0.005％以上添加する。しかし、添加しすぎると圧延時に割れ等が発生するため、合計1.0％までとする。好ましくはSnおよび／またはSbを合計で0.02％以上0.3％以下の範囲とする。
Sn、Sbは偏析元素であり、一次再結晶焼鈍後の結晶粒径の粗大化を防止することができるため、合計で0.005％以上添加する。しかし、添加しすぎると圧延時に割れ等が発生するため、合計1.0％までとする。好ましくはSnおよび／またはSbを合計で0.02％以上0.3％以下の範囲とする。
以上、本発明の基本成分について説明した。上記成分以外の残部はFeおよび不可避的不純物であるが、その他にも必要に応じて、磁気特性の改善を目的として、Ni：0.005％以上1.5％以下、Cu：0.005％以上1.5％以下、Cr：0.005％以上0.1％以下、Ｐ：0.005％以上0.5％以下、Mo：0.005％以上0.5％以下、Ti：0.0005％以上0.01％以下、Nb：0.0005％以上0.1％以下、Ｖ：0.0005％以上0.1％以下、Ｂ：0.0002％以上0.0025％以下、Bi：0.0001％以上0.1％以下、Te：0.0005％以上0.01％以下、Ta：0.0005％以上0.01％以下のうちから選んだ１種または２種以上を適宜含有させることができる。
次に、本発明に係る方向性電磁鋼板の製造条件について説明する。
前述した成分組成を有する鋼を常法の精錬プロセスで溶製した後、公知の造塊−分塊圧延法または連続鋳造法で鋼素材（スラブ）を製造してもよいし、あるいは、直接鋳造法で100mm以下の厚さの薄鋳片を製造してもよい。上記スラブは、常法に従い、1300℃以下の温度に加熱した後、熱間圧延に供する。なお、鋳造後、加熱することなく直ちに熱間圧延してもよい。また、薄鋳片の場合には、熱間圧延してもよいし、熱間圧延を省略して次の工程に進めてもよい。
前述した成分組成を有する鋼を常法の精錬プロセスで溶製した後、公知の造塊−分塊圧延法または連続鋳造法で鋼素材（スラブ）を製造してもよいし、あるいは、直接鋳造法で100mm以下の厚さの薄鋳片を製造してもよい。上記スラブは、常法に従い、1300℃以下の温度に加熱した後、熱間圧延に供する。なお、鋳造後、加熱することなく直ちに熱間圧延してもよい。また、薄鋳片の場合には、熱間圧延してもよいし、熱間圧延を省略して次の工程に進めてもよい。
その後、熱間圧延して得た熱延板は、必要に応じて熱延板焼鈍を施す。この熱延板焼鈍の焼鈍温度は、良好な磁気特性を得るために、800〜1150℃の範囲とするのが好ましい。800℃未満では、熱間圧延で形成されたバンド組織が残留し、整粒の一次再結晶組織を得ることが難しくなり、二次再結晶の発達が阻害されるからである。一方、1150℃を超えると、熱延板焼鈍後の粒径が粗大化し過ぎて、やはり、整粒の一次再結晶組織を得ることが難しくなる。
熱間圧延後あるいは熱延板焼鈍後の熱延板は、1回の冷間圧延または中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延をして最終板厚の冷延板とする。上記中間焼鈍の焼鈍温度は、900〜1200℃の範囲とするのが好ましい。900℃未満では、中間焼鈍後の再結晶粒が細かくなり、さらに、一次再結晶組織におけるGoss核が減少して製品板の磁気特性が低下する傾向がある。一方、1200℃を超えると、熱延板焼鈍のときと同様に、結晶粒が粗大化し過ぎて、整粒の一次再結晶組織を得ることが難しくなる。
また、最終板厚とする冷間圧延（最終冷間圧延）では、＜111＞//ND方位を十分発達させるため、圧下率を80〜95％とすることが好ましい。
ここで、最終冷間圧延後の圧延方向に垂直な方向の鋼板表面の算術平均粗さRa（μm）が0.5μm以下に維持されることが好ましい。Raが0.5μmよりも大きいと被膜不良により磁性不良が発生する場合がある。コイル内の磁性のばらつきを抑えるためには、0.3μm未満であることがさらに好ましい。
ここで、最終冷間圧延後の圧延方向に垂直な方向の鋼板表面の算術平均粗さRa（μm）が0.5μm以下に維持されることが好ましい。Raが0.5μmよりも大きいと被膜不良により磁性不良が発生する場合がある。コイル内の磁性のばらつきを抑えるためには、0.3μm未満であることがさらに好ましい。
最大谷深さRv（μm）は、Ra×｛1＋100×（Ｓ含有量[質量％]＋Se含有量[質量％])）以上とする。
上記のように鋼板表面の粗さを制御するためには、最終冷間圧延において、例えば、板厚を減少させる初期の段階の圧延ロールを粗度を意図して粗くすることで最大谷深さRvを確保し、板厚を減少させる終盤の段階では圧延ロール粗度を低粗度にすることで算術平均粗さRaを小さくする必要がある。具体的には、タンデム圧延の場合には、前半スタンドの圧延ロールの表面粗度を0.5μm以上、後半スタンドの圧延ロールの表面粗度を0.5μm以下と変更することで、最終冷延板表面の最大谷深さRvをある程度確保しつつ、算術平均粗さRaを小さくすることができる。
上記のように鋼板表面の粗さを制御するためには、最終冷間圧延において、例えば、板厚を減少させる初期の段階の圧延ロールを粗度を意図して粗くすることで最大谷深さRvを確保し、板厚を減少させる終盤の段階では圧延ロール粗度を低粗度にすることで算術平均粗さRaを小さくする必要がある。具体的には、タンデム圧延の場合には、前半スタンドの圧延ロールの表面粗度を0.5μm以上、後半スタンドの圧延ロールの表面粗度を0.5μm以下と変更することで、最終冷延板表面の最大谷深さRvをある程度確保しつつ、算術平均粗さRaを小さくすることができる。
これにより、特に表面偏析元素のＳ、Seによって剥離しやすくなっている酸化物被膜が、剥離しにくくなる。好ましくは、最大谷深さRv（μm）は、Ra×｛1＋120×（Ｓ含有量[質量％]+Se含有量[質量％])）以上である。上記のように鋼板表面の粗さを制御するためには、最終冷間圧延の板厚を減少させる初期段階の圧延ロールの表面粗度を0.8μm以上にする必要がある。またその時、低粘度潤滑剤を用いることも有効である。実際には最終圧延の出側でオンラインで粗度を測定し、その結果をフィードバックして潤滑剤の粘度等を変更する方法が望ましい。
最終板厚とした冷延板は、その後、脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施す。この一次再結晶焼鈍は、脱炭性の観点からは、焼鈍温度は800〜900℃の範囲とするのが好ましく、また、雰囲気は湿潤雰囲気とするのが好ましい。また、一次再結晶焼鈍の昇温過程の500〜700℃の区間を30℃／ｓ以上で急速加熱することによって、Goss方位粒の再結晶核が増加し、低鉄損化できる。これにより、本発明においては高磁束密度と低鉄損を兼ね備えた方向性電磁鋼板の製造が可能となる。ただし、400℃／sを超えると、過度な集合組織のランダム化が発生し磁性劣化が起こるため、30℃／s以上400℃／s以下とする。好ましくは50℃／s以上300℃／s以下である。
一次再結晶焼鈍を施した鋼板は、MgＯを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布、乾燥した後、仕上焼鈍を施し、Goss方位に高度に集積させた二次再結晶組織を発達させるとともに、フォルステライト被膜を形成させる。仕上焼鈍の焼鈍温度は、二次再結晶を発現のためには800℃以上で行うことが好ましく、また、二次再結晶を完了させるためには800℃以上の温度で20時間以上保持することが好ましい。さらに、良好なフォルステライト被膜を形成させるためには1200℃程度の温度まで昇温し、1時間以上保定するのが好ましい。
仕上焼鈍後の鋼板は、その後、鋼板表面に付着した未反応の焼鈍分離剤を除去するための水洗やブラッシング、酸洗等を行った後、平坦化焼鈍を施して形状矯正することが、鉄損の低減には有効である。これは、仕上焼鈍は一般的にコイル状態で行うため、コイルの巻き癖が付き、それが原因で鉄損測定時に特性が劣化する場合があるためである。
さらに、鋼板を積層して使用する場合には、上記平坦化焼鈍の前もしくは後で、鋼板表面に絶縁被膜を被成することが有効であり、特に、鉄損の低減を図るためには、絶縁被膜として、鋼板に張力を付与することができる張力付与被膜を適用するのが好ましい。なお、張力付与被膜の形成には、バインダーを介して張力被膜を塗布する方法や、物理蒸着法や化学蒸着法により無機物を鋼板表層に蒸着させる方法を採用すると、被膜密着性に優れかつ著しく鉄損低減効果が大きい絶縁被膜を形成することができる。
さらに、鉄損をより低減するため、磁区細分化処理を施すことができる。処理方法としては、一般的に実施されているような、最終製品板に溝を形成したり、電子ビーム照射、レーザー照射、プラズマ照射等により、線状または点列状に熱歪や衝撃歪を導入する方法、最終板厚に冷間圧延した鋼板等、中間工程の鋼板表面にエッチング加工を施して溝を形成したりする方法等を用いることができる。
その他の製造条件は、方向性電磁鋼板の一般的な製造方法に従えばよい。
その他の製造条件は、方向性電磁鋼板の一般的な製造方法に従えばよい。
（実施例１）
質量％で、Ｃ：0.040％、Si：3.6％、酸可溶性Al：0.007％、Ｎ：0.004％、Mn：0.06％、Se：0.005％、Ｓ：0.002％、Sn：0.07％、およびSb：0.01％、残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼スラブを連続鋳造法で4個製造し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.5mmの熱延板とし、1000℃で60秒の熱延板焼鈍し、冷間圧延を行い中間板厚1.8mmとし、1070℃×30秒で中間焼鈍をし、最終冷間圧延を行い、最終板厚0.23mmの冷延板とした。このとき圧延ロール粗度と、潤滑剤の粘度、量を調整することで最終冷間圧延板表面粗度を変化させた。
質量％で、Ｃ：0.040％、Si：3.6％、酸可溶性Al：0.007％、Ｎ：0.004％、Mn：0.06％、Se：0.005％、Ｓ：0.002％、Sn：0.07％、およびSb：0.01％、残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼スラブを連続鋳造法で4個製造し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.5mmの熱延板とし、1000℃で60秒の熱延板焼鈍し、冷間圧延を行い中間板厚1.8mmとし、1070℃×30秒で中間焼鈍をし、最終冷間圧延を行い、最終板厚0.23mmの冷延板とした。このとき圧延ロール粗度と、潤滑剤の粘度、量を調整することで最終冷間圧延板表面粗度を変化させた。
次いで、冷間圧延後のコイルを2分割し、元のコイルの長さ方向の両端部2箇所と分割部分1箇所の合計3箇所からコイル幅中央部で試験片を採取し、JIS B0601:2001/ISO 04287:1997に記載の方法で圧延方向に垂直な方向の鋼板表面の算術平均粗さRaと粗さ曲線の最大谷深さRvを測定した。触針は触針先端形状がθが60°、rtipが2μmのものを使用し、測定の基準長さlrを0.8mm、評価長さlnを4mmとした。
次に、55vol％Ｈ2-45vol％Ｎ2の湿潤雰囲気下で820℃×100秒の脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍をした。その後、MgＯを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布し、乾燥した後、水素雰囲気下で1200℃×5時間の純化処理と二次再結晶とを含む仕上げ焼鈍を施した。元のコイルの両端部2箇所と分割点1箇所の合計3箇所から幅100mmの試験片を10枚ずつ採取して、各々JIS C2556に記載の方法で磁束密度Ｂ8を測定し、試験片採取箇所毎の磁束密度Ｂ8の平均値と標準偏差σを求めた。その結果を表１に記した。同表から、本発明を適用することで、コイル内の磁性のばらつきが小さく、優れた磁束密度の方向性電磁鋼板が得られることがわかる。
（実施例２）
表２に記載の成分と残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼を溶製し、1280℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.2mmの熱延板とし、1050℃×40秒で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行って、最終板厚0.23mmの冷延板とした。このとき圧延ロール粗度を制御して最終冷間圧延板表面粗度を表２に記載の通り制御した。
表２に記載の成分と残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼を溶製し、1280℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.2mmの熱延板とし、1050℃×40秒で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行って、最終板厚0.23mmの冷延板とした。このとき圧延ロール粗度を制御して最終冷間圧延板表面粗度を表２に記載の通り制御した。
次に、冷間圧延後のコイルを2分割し、元のコイルの長さ方向の両端部2箇所と分割部分1箇所の合計3箇所からコイル幅中央部で試験片を採取し、JIS B0601:2001/ISO 04287:1997に記載の方法で圧延方向に垂直な方向の鋼板表面の算術平均粗さRaと粗さ曲線の最大谷深さRvを測定した。触針は触針先端形状がθが60°、rtipが2μmのものを使用し、測定の基準長さlrを0.8mm、評価長さlnを4mmとした。3箇所の平均値を求め表２に併記した。
次に、55vol％Ｈ2-45vol％Ｎ2の湿潤雰囲気下で820℃×100秒の脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍をした。その後、MgＯを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布し、乾燥した後、水素雰囲気下で1200℃×5時間の純化処理と二次再結晶とを含む仕上げ焼鈍を施した。
上記のようにして得た鋼板から、元のコイルの両端部2箇所と分割点1箇所の合計3箇所から幅100mmの試験片を10枚ずつ採取して、各々JIS C2556に記載の方法で磁束密度Ｂ8を測定し、3箇所の平均磁束密度Ｂ8を求めた。また、3箇所で採取した全部で30枚の試験片の磁束密度Ｂ8の標準偏差σを求め、その結果を表２に併記した。同表から、本発明を適用することでコイル内の磁性のばらつきが小さく、優れた磁束密度の方向性電磁鋼板が得られることがわかる。
（実施例３）
質量％で、Ｃ：0.028％、Si：2.8％、酸可溶性Al：0.008％、N：0.003％、Mn：0.08％、Se：0.006％、Sb：0.05％、Ni：0.01％、およびCu：0.03％と残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼スラブを連続鋳造法で製造し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.3mmの熱延板とし、1030℃×100秒で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行い、最終板厚0.23mmの冷延板とした。この冷間圧延はタンデム圧延とし、前半スタンドと後半スタンドの圧延ロール粗度を調整することで、最終冷間圧延板表面粗度を表３に記載の表面粗度に制御した。
質量％で、Ｃ：0.028％、Si：2.8％、酸可溶性Al：0.008％、N：0.003％、Mn：0.08％、Se：0.006％、Sb：0.05％、Ni：0.01％、およびCu：0.03％と残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼スラブを連続鋳造法で製造し、1250℃に加熱し、熱間圧延して板厚2.3mmの熱延板とし、1030℃×100秒で熱延板焼鈍し、1回の冷間圧延を行い、最終板厚0.23mmの冷延板とした。この冷間圧延はタンデム圧延とし、前半スタンドと後半スタンドの圧延ロール粗度を調整することで、最終冷間圧延板表面粗度を表３に記載の表面粗度に制御した。
次いで、冷間圧延後のコイルを2分割し、元のコイルの長さ方向の両端部2箇所と分割部分1箇所の合計3箇所からコイル幅中央部で試験片を採取し、JIS B0601:2001/ISO 04287:1997に記載の方法で圧延方向に垂直な方向の鋼板表面の算術平均粗さRaと粗さ曲線の最大谷深さRvを測定した。
触針は触針先端形状がθが60°、rtipが2μmのものを使用し、測定の基準長さlrを0.8mm、評価長さlnを4mmとした。算術平均粗さRaおよび粗さ曲線の最大谷深さRvのそれぞれの3箇所の平均値を求め、表３に併記した。次いで、55vol％Ｈ2-45vol％Ｎ2の湿潤雰囲気下で820℃×100秒の脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍をした。ここで一次再結晶焼鈍の昇温速度は表３に記載したものとした。
その後、MgＯを主体とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布し、乾燥した後、水素雰囲気下で1200℃×5時間の純化処理と二次再結晶とを含む仕上げ焼鈍を施した。さらに、表３に記載の一部の鋼板にはレーザーもしくは電子ビームを用いた磁区細分化処理を施した。磁区細分化処理は、鋼板の圧延方向に垂直な方向に、10mm間隔でレーザーは線状に処理し、電子ビームは点列状に処理した。
上記のようにして得た鋼板から、元のコイルの両端部2箇所と分割点1箇所の合計3箇所から幅100mmの試験片を10枚ずつ採取して、各々JIS C2556に記載の方法で磁束密度Ｂ8を測定し、3箇所の平均磁束密度Ｂ8と平均鉄損Ｗ17/50を求めた。また、3箇所で採取した全部で30枚の試験片の磁束密度Ｂ8の標準偏差σを求め、その結果を表３に併記した。同表から、本発明を適用することで優れた磁性を有する方向性電磁鋼板が得られることがわかる。
Claims (6)
- 質量％で、
Ｃ：0.002％以上0.08％以下、
Si：2.0％以上5.0％以下
Mn：0.02％以上1.0％以下
Ｓおよび／またはSeを合計で0.005％超0.01％以下並びに
Snおよび／またはSbを合計で0.005％以上1.0％以下
含有し、Ｎを0.005％未満および酸可溶性Alを0.01％未満に抑制し、残部はFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼スラブを1300℃以下で加熱し、
該鋼スラブに熱間圧延を施して熱延鋼板とし、
該熱延鋼板に、１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を施して最終板厚を有する冷延鋼板とし、
該冷延鋼板に一次再結晶焼鈍を施し、
該一次再結晶焼鈍後の前記冷延鋼板の表面に焼鈍分離剤を塗布してから二次再結晶焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法であって、
前記一次再結晶焼鈍における、500℃から700℃までの昇温速度を、30℃/s以上400℃/s以下とし、
前記冷延鋼板の表面における、圧延方向に垂直な方向の粗さ曲線の最大谷深さRv（μm）と、算術平均粗さRa（μm）とが、下記（１）式を満足し、
前記算術平均粗さRaが0.5μm以下である、方向性電磁鋼板の製造方法。
記
Rv≧Ra×(1＋100×（［Ｓ］＋［Se］）) … （１）
ここで、
［Ｓ］は、質量％でのＳの含有量であり、
［Se］は、質量％でのSeの含有量である。 - 前記Snおよび／またはSbの合計量が、質量％で、0.02％以上0.3％以下である、請求項１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 前記成分組成は、さらに、
質量％で、
Ni：0.005％以上1.5％以下、
Cu：0.005％以上1.5％以下、
Cr：0.005％以上0.1％以下、
Ｐ：0.005％以上0.5％以下、
Mo：0.005％以上0.5％以下、
Ti：0.0005％以上0.01％以下、
Nb：0.0005％以上0.1％以下、
Ｖ：0.0005％以上0.1％以下、
Ｂ：0.0002％以上0.0025％以下、
Bi：0.0001％以上0.1％以下、
Te：0.0005％以上0.01％以下および
Ta：0.0005％以上0.01％以下
のうちから選ばれる１種または２種以上を含有する、請求項１または２に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。 - 前記冷延鋼板に磁区細分化処理を施す、請求項１から３のいずれかに記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 前記磁区細分化処理が、前記二次再結晶焼鈍後の冷延鋼板への電子ビーム照射によるものである、請求項４に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 前記磁区細分化処理が、前記二次再結晶焼鈍後の冷延鋼板へのレーザー照射によるものである、請求項４に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
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