JP6433860B2 - 記憶装置 - Google Patents
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Description
本発明の別の実施形態によれば、第1電極と、第2電極と、第1層と、第2層と、を備えた記憶装置が提供される。前記第1電極は、第1元素を含む。前記第1層は、絶縁体及び第1半導体の少なくともいずれかを含み、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられる。前記第2層は、前記第1層と前記第2電極との間に設けられる。前記第2層は、第1領域と、第2領域と、を含む。前記第2領域は、前記第1領域と前記第2電極との間に設けられる。前記第2領域は、第2元素を含む。前記第2元素の標準電極電位は、前記第1元素の標準電極電位よりも低い。前記第1領域における窒素の濃度は、前記第2領域における窒素の濃度よりも高い。前記第1元素は、銀、銅、ニッケル、コバルト、アルミニウム、チタン及びタンタルからなる群から選択された少なくともいずれかを含む。
本発明の別の実施形態によれば、第1電極と、第2電極と、第1層と、第2層と、を備えた記憶装置が提供される。前記第1電極は、第1元素を含む。前記第1層は、絶縁体及び第1半導体の少なくともいずれかを含み、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられる。前記第2層は、前記第1層と前記第2電極との間に設けられる。前記第2層は、第1領域と、第2領域と、を含む。前記第2領域は、前記第1領域と前記第2電極との間に設けられる。前記第2領域は、第2元素を含む。前記第2元素の標準電極電位は、前記第1元素の標準電極電位よりも低い。前記第1領域における窒素の濃度は、前記第2領域における窒素の濃度よりも高い。前記絶縁体は、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び金属酸化物の少なくともいずれかを含む。
本発明の別の実施形態によれば、第1電極と、第2電極と、第1層と、第2層と、を備えた記憶装置が提供される。前記第1電極は、第1元素を含む。前記第1層は、絶縁体及び第1半導体の少なくともいずれかを含み、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられる。前記第2層は、前記第1層と前記第2電極との間に設けられる。前記第2層は、第1領域と、第2領域と、を含む。前記第2領域は、前記第1領域と前記第2電極との間に設けられる。前記第2領域は、第2元素を含む。前記第2元素の標準電極電位は、前記第1元素の標準電極電位よりも低い。前記第1領域における窒素の濃度は、前記第2領域における窒素の濃度よりも高い。前記第1領域は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン及びシリコン窒化タンタルの少なくともいずれかを含む。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係る記憶装置を例示する模式的断面図である。
図1に表すように、実施形態に係る記憶装置110は、積層体10を含む。積層体10は、第1電極11と、第2電極12と、第1層21と、第2層22と、を含む。記憶装置110は、例えば不揮発性記憶装置である。
図2(a)は、記憶装置を例示する模式的断面図である。
図2(b)は、データ保持特性を例示するグラフ図である。
図2(c)は、セット電圧特性を例示するグラフ図である。
図3(a)は、記憶装置を例示する模式的断面図である。
図3(b)は、データ保持特性を例示するグラフ図である。
図3(c)は、セット電圧特性を例示するグラフ図である。
図4(a)に表すように、記憶装置110は、第1電極11に正電圧が印加されると、第1層21中にフィラメント21fが形成され、低抵抗状態(セット状態)となる。次に、図4(b)に表すように、記憶装置110は、電圧が除去された後、第2領域22bから第1領域22aを介してフィラメント21fに電子を供給し続ける。これにより、フィラメント21fの経時劣化が抑制される。次に、図4(c)に表すように、記憶装置110は、第1電極11に負電圧が印加されると、第1層21中のフィラメント21fが分解され、高抵抗状態(リセット状態)へ遷移する。
図5(a)は、参考例に係る記憶装置のフィラメントの遷移状態を示す模式図である。
図5(b)は、第1の実施形態に係る記憶装置のフィラメントの遷移状態を例示する模式図である。
図6は、第2の実施形態に係る記憶装置を例示する模式的断面図である。
図6に表すように、実施形態に係る記憶装置111においては、記憶装置110の積層構造に対して、上下が逆にされている。すなわち、記憶装置111においては、上から順に、第2電極12、第2領域22b、第1領域22a、第1層21及び第1電極11が積層されている。記憶装置111は、例えば、不揮発性記憶装置である。
図7(a)〜図7(c)は、第3の実施形態に係るクロスポイント型メモリ装置を例示する模式図である。
図7(a)は、クロスポイント型メモリ装置を例示する模式的平面図である。クロスポイント型メモリ装置は、例えば、不揮発性記憶装置である。
図7(b)は、第1の実施形態に係る記憶装置110を配置したときのX部断面の拡大図である。
図7(c)は、第2の実施形態に係る記憶装置111を配置したときのX部断面の拡大図である。
図8(a)は、図7(a)のA1-A2断面を例示する模式図である。
図8(b)は、図7(a)のB1-B2断面を例示する模式図である。
図9(a)及び図9(b)は、第4の実施形態に係るクロスポイント型メモリ装置を例示する模式的断面図である。
図9(a)は、図7(a)のA1-A2断面を例示する模式図である。
図9(b)は、図7(a)のB1-B2断面を例示する模式図である。
Claims (7)
- 第1元素を含む第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ絶縁体及び第1半導体の少なくともいずれかを含む第1層と、
前記第1層と前記第2電極との間に設けられた第2層であって、第1領域と、前記第1領域と前記第2電極との間に設けられた第2領域と、を含む第2層と、
を備え、
前記第2領域は、第2元素を含み、
前記第2元素の標準電極電位は、前記第1元素の標準電極電位よりも低く、
前記第1領域における窒素の濃度は、前記第2領域における窒素の濃度よりも高く、
前記第2電極は、第2半導体を含む、記憶装置。 - 前記第2半導体は、アモルファスシリコン及びポリシリコンの少なくともいずれかを含む、請求項1記載の記憶装置。
- 第1元素を含む第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ絶縁体及び第1半導体の少なくともいずれかを含む第1層と、
前記第1層と前記第2電極との間に設けられた第2層であって、第1領域と、前記第1領域と前記第2電極との間に設けられた第2領域と、を含む第2層と、
を備え、
前記第2領域は、第2元素を含み、
前記第2元素の標準電極電位は、前記第1元素の標準電極電位よりも低く、
前記第1領域における窒素の濃度は、前記第2領域における窒素の濃度よりも高く、
前記第1元素は、銀、銅、ニッケル、コバルト、アルミニウム、チタン及びタンタルからなる群から選択された少なくともいずれかを含む、記憶装置。 - 前記絶縁体は、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び金属酸化物の少なくともいずれかを含む、請求項1〜3のいずれか1つに記載の記憶装置。
- 第1元素を含む第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ絶縁体及び第1半導体の少なくともいずれかを含む第1層と、
前記第1層と前記第2電極との間に設けられた第2層であって、第1領域と、前記第1領域と前記第2電極との間に設けられた第2領域と、を含む第2層と、
を備え、
前記第2領域は、第2元素を含み、
前記第2元素の標準電極電位は、前記第1元素の標準電極電位よりも低く、
前記第1領域における窒素の濃度は、前記第2領域における窒素の濃度よりも高く、
前記絶縁体は、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び金属酸化物の少なくともいずれかを含む、記憶装置。 - 第1元素を含む第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ絶縁体及び第1半導体の少なくともいずれかを含む第1層と、
前記第1層と前記第2電極との間に設けられた第2層であって、第1領域と、前記第1領域と前記第2電極との間に設けられた第2領域と、を含む第2層と、
を備え、
前記第2領域は、第2元素を含み、
前記第2元素の標準電極電位は、前記第1元素の標準電極電位よりも低く、
前記第1領域における窒素の濃度は、前記第2領域における窒素の濃度よりも高く、
前記第1領域は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン及びシリコン窒化タンタルの少なくともいずれかを含む、記憶装置。 - 前記第2元素は、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル及び鉄からなる群から選択された少なくともいずれかを含む、請求項1〜6のいずれか1つに記載の記憶装置。
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