JP2011204785A - 不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】抵抗変化層RWを有する不揮発性記憶装置において、抵抗変化層RWは、金属酸化膜に、25at%以下の濃度で、金属酸化膜を構成する金属元素に比して電気陰性度の大きな元素が含まれる膜によって構成される。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施の形態による不揮発性記憶装置のメモリセルアレイ構成の一例を示す図である。この図において、紙面の左右方向をX方向とし、紙面内のX方向に垂直な方向をY方向とする。X方向(行方向)に延在する複数のワード線WLと、ワード線WLとは異なる高さにY方向(列方向)に延在する複数のビット線BLとが、互いに交差して配設され、これらの各交差部に抵抗変化素子VRと整流素子Dとが直列に接続された抵抗変化型メモリセル(以下、単にメモリセルともいう)MCが配置される。この例では、抵抗変化素子VRは一端がビット線BLに接続され、他端が整流素子Dを介してワード線WLに接続されている。また、第1の実施の形態では、ユニポーラ型の不揮発性記憶装置を例に挙げて説明する。
E=V+RI ・・・(1)
I=(E−V)/R ・・・(2)
第1の実施の形態では、抵抗変化層は、金属酸化膜に、金属酸化膜を構成する金属元素よりも電気陰性度の大きな元素が均一に混合した状態の膜である場合を説明した。第2の実施の形態では、抵抗変化層は、金属酸化膜を構成する金属元素よりも電気陰性度の大きな元素が濃度勾配をもって金属酸化膜中に存在する状態の膜である場合について説明する。
Claims (8)
- 不揮発性記憶層を有する不揮発性記憶装置において、
前記不揮発性記憶層は、金属酸化膜に、25at%以下の濃度で、前記金属酸化膜を構成する金属元素に比して電気陰性度の大きな元素が含まれる膜によって構成されることを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 前記電気陰性度の大きな元素は、前記金属酸化膜に、3at%以上5at%以下の濃度で含まれることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記電気陰性度の大きな元素は、前記金属酸化膜に均一に含まれることを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記電気陰性度の大きな元素は、前記不揮発性記憶層に流れる電流の方向に沿って濃度勾配を有するように、前記金属酸化膜内に含まれることを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記不揮発性記憶層に直列に接続される整流層をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
- 前記不揮発性記憶層に直列に接続される整流層をさらに備え、
前記不揮発性記憶層は、前記整流層によって規定される電流の方向の上流側から下流側に向かって、前記電気陰性度の大きな元素の濃度が高くなるように配置されることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記金属酸化膜は、Hf,Zr,Co,Al,Mn、Ti,Taからなる群から選択される少なくとも1つの金属元素を含む酸化膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
- 前記電気陰性度の大きな元素は、SiおよびAlのうちの少なくとも一方であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013149759A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Osaka Univ | 不揮発性メモリセル、これを備える不揮発性メモリ装置および遷移金属酸化物の選定方法。 |
JP2013197561A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | National Institute For Materials Science | アルミニウム酸化物層を抵抗変化層に用いた抵抗変化型メモリ素子 |
JP2015502031A (ja) * | 2011-11-14 | 2015-01-19 | フェデラル ステート バジェタリー インスティテューション “フェデラル エージェンシー フォー リーガル プロテクション オブ ミリタリー、 スペシャル アンド デュアル ユーズ インテレクチュアル アクティビティー リザルツ” (エフエスビーアイ “ファルピアール”) | 混合金属酸化物をベースとするメモリスタ |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8802492B2 (en) | 2011-08-29 | 2014-08-12 | Intermolecular, Inc. | Method for forming resistive switching memory elements |
EP2769413B1 (en) * | 2011-10-21 | 2016-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memristive element based on hetero-junction oxide |
JP2014103326A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
JP6433860B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2018-12-05 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置 |
US9824733B2 (en) * | 2015-10-21 | 2017-11-21 | Winbond Electronics Corp. | Resistive memory and operating method for performing a forming operation thereof |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008140979A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Intermolecular, Inc. | Resistive-switching nonvolatile memory elements |
JP2008541452A (ja) * | 2005-05-09 | 2008-11-20 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | ダイオードおよび抵抗率切り換え材料を備える不揮発性メモリセル |
WO2008149605A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nec Corporation | 抵抗変化素子およびこれを備えた半導体装置 |
JP2009037703A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Toshiba Corp | 抵抗変化メモリ |
JP2009049183A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化素子、抵抗変化メモリおよびそれらの作製方法 |
JP2009517864A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 添加金属を有する可逆性抵抗率切換金属酸化物または窒化物層 |
WO2011071009A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | 日本電気株式会社 | 電気化学反応を利用した抵抗変化素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7834338B2 (en) * | 2005-11-23 | 2010-11-16 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising nickel-cobalt oxide switching element |
-
2010
- 2010-03-24 JP JP2010068599A patent/JP2011204785A/ja active Pending
-
2011
- 2011-03-21 US US13/052,179 patent/US20110233509A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008541452A (ja) * | 2005-05-09 | 2008-11-20 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | ダイオードおよび抵抗率切り換え材料を備える不揮発性メモリセル |
JP2009517864A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 添加金属を有する可逆性抵抗率切換金属酸化物または窒化物層 |
WO2008140979A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Intermolecular, Inc. | Resistive-switching nonvolatile memory elements |
JP2010527151A (ja) * | 2007-05-09 | 2010-08-05 | インターモレキュラー, インコーポレイテッド | 抵抗性スイッチング不揮発性メモリ要素 |
WO2008149605A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nec Corporation | 抵抗変化素子およびこれを備えた半導体装置 |
JP2009037703A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Toshiba Corp | 抵抗変化メモリ |
JP2009049183A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化素子、抵抗変化メモリおよびそれらの作製方法 |
WO2011071009A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | 日本電気株式会社 | 電気化学反応を利用した抵抗変化素子及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015502031A (ja) * | 2011-11-14 | 2015-01-19 | フェデラル ステート バジェタリー インスティテューション “フェデラル エージェンシー フォー リーガル プロテクション オブ ミリタリー、 スペシャル アンド デュアル ユーズ インテレクチュアル アクティビティー リザルツ” (エフエスビーアイ “ファルピアール”) | 混合金属酸化物をベースとするメモリスタ |
JP2013149759A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Osaka Univ | 不揮発性メモリセル、これを備える不揮発性メモリ装置および遷移金属酸化物の選定方法。 |
JP2013197561A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | National Institute For Materials Science | アルミニウム酸化物層を抵抗変化層に用いた抵抗変化型メモリ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110233509A1 (en) | 2011-09-29 |
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