JP6432451B2 - 電子装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態に係る電子装置の構成を示す断面図である。図2は、図1に示した電子装置の平面図である。図1は、図2のA−A´断面図である。電子装置は、基板100(第1基板)、凹部110、接着層200、及び基板300(第2基板)を備える。基板100は、第1面102のMEMS領域120にMEMSを有している。凹部110は、基板100の第1面102のうちMEMS領域120とは異なる領域に形成されている。接着層200は、少なくとも一部が凹部110に埋め込まれている。基板300は、接着層200を介して基板100に接合されている。基板300は、基板100に垂直な方向から見た場合にMEMS領域120とは重ならない。以下、詳細に説明する。
図15は、第2の実施形態に係る電子装置の構成を示す断面図であり、第1の実施形態の図1に対応する。本実施形態に係る電子装置は、以下の点を除いて、第1の実施形態に係る電子装置と同様の構成である。
図19は、第3の実施形態に係る電子装置の構成を示す断面図であり、第1の実施形態の図1に対応する。図20は、図19に示した電子装置の平面図である。図19は、図20のA−A´断面図である。図20では、説明のため、接着層200及び基板300を透過で示している。本実施形態に係る電子装置は、以下の点を除いて、第1の実施形態に係る電子装置と同様の構成である。
102 第1面
110 凹部
112 第1凹部
114 第2凹部
120 MEMS領域
134 絶縁層
140 導電層
200 接着層
300 基板
Claims (8)
- 半導体基板又は半導体層である半導体領域を用いて形成された第1面を有する第1基板と、
前記第1基板の前記第1面に形成されたMEMSと、
前記第1基板の前記第1面のうち前記MEMSとは異なる領域に形成され、前記半導体領域に形成された凹部と、
少なくとも一部が前記凹部に埋め込まれた接着層と、
前記接着層を介して前記第1基板に接合されており、前記第1基板に垂直な方向から見た場合に前記MEMSとは重ならない第2基板と、
を備える電子装置。 - 請求項1に記載の電子装置において、
前記第2基板は、前記凹部を跨って設けられている電子装置。 - 請求項1に記載の電子装置において、
前記第1基板に垂直な方向から見た場合、前記凹部は、前記第2基板を囲んでいる電子装置。 - 請求項1に記載の電子装置において、
前記第1基板に垂直な方向から見た場合、前記第2基板は、前記凹部の内側に含まれており、
前記第1基板の厚さ方向で見た場合、前記第2基板は、少なくとも一部が前記凹部に入り込んでいる電子装置。 - 請求項4に記載の電子装置において、
前記凹部は、
前記第1基板の前記第1面に形成された第1凹部と、
前記第1凹部の底面に形成された第2凹部と、
を有し、
前記第1基板の厚さ方向で見た場合、前記第2基板は、少なくとも一部が前記第2凹部に入り込んでいる電子装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記半導体領域は、前記半導体層である電子装置。 - 請求項6に記載の電子装置において、
前記半導体層は、絶縁層に積層されており、
前記凹部は、下端が前記絶縁層に達している電子装置。 - 半導体基板又は半導体層である半導体領域を用いて形成された第1面を有する第1基板と、
前記第1基板の前記第1面に形成されたMEMSと、
前記第1基板の前記第1面上に形成され、互いに隣り合う領域を含む導電層と、
前記第1基板の前記第1面のうち前記MEMSとは異なる領域に形成され、前記導電層のうちの互いに隣り合う前記領域の間の隙間によって形成されている凹部と、
少なくとも一部が前記凹部に埋め込まれた接着層と、
前記接着層を介して前記第1基板に接合されており、前記第1基板に垂直な方向から見た場合に前記MEMSとは重ならない第2基板と、
を備える電子装置。
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