JP6431447B2 - 伝送ケーブル - Google Patents

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Description

本発明は、USB(Universal Serial Bus) Type−C規格に準拠した伝送ケーブルに関するものである。
USB Type−C規格に準拠した伝送ケーブルとして、同軸線及び電源線を円周状に配置し、その内側に、信号線、撚り対線、及び、グランド線を配置したものが知られている(例えば、非特許文献1(図3−18)参照)。
"Universal Serial Bus Type-C Cable and Connector Specification Revision 1.1"、[online]、USB Implementers Forum、2015年4月3日、[2015年5月13日検索]、インタネット<URL:http://www.usb.org/developers/docs/>
上記の伝送ケーブルでは、外径が多様な複数の電線が中央に集められている。そのため、繊維などの介在物を同軸線及び電源線の内側に挿入して、ケーブルの外形を円形に整える必要があり、伝送ケーブルのコストが上昇してしまう、という問題がある。
また、上記の伝送ケーブルでは、中央に集められている電線間の距離が近く、当該電線同士の結合が大きくなるため、伝送特性が劣る場合がある、という問題もある。
本発明が解決しようとする課題は、コストの低減及び伝送特性の向上を図ることが可能な伝送ケーブルを提供することである。
[1]本発明に係る伝送ケーブルは、USB Type−C規格に準拠した伝送ケーブルであって、円周状に配置された8本の同軸線と、相互に隣り合う前記同軸線の間に形成された外側の隙間にそれぞれ配置された第1〜第4の信号線と、電源線、2本のグランド線、及び、撚り対線を含み、前記同軸線の内側に配置された集合線と、前記同軸線の内側に配置され、前記集合線を覆う第1のシールド層と、前記同軸線及び前記第1〜第4の信号線を覆う第2のシールド層と、を備えており、前記第1の信号線と前記第2の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、前記第2の信号線と前記第3の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、前記第3の信号線と前記第4の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、前記第4の信号線と前記第1の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在している伝送ケーブルである。
[2]また、本発明に係る伝送ケーブルは、USB Type−C規格に準拠した伝送ケーブルであって、円周状に配置された8本の同軸線と、相互に隣り合う前記同軸線の間に形成された外側の隙間に配置された第1〜第3の信号線と、電源線、2本のグランド線、及び、撚り対線を含み、前記同軸線の内側に配置された集合線と、前記同軸線の内側に配置され、前記集合線を覆う第1のシールド層と、前記同軸線及び前記第1〜第3の信号線を覆う第2のシールド層と、を備えており、前記第1の信号線と前記第2の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、前記第2の信号線と前記第3の信号線の間に、3本の前記同軸線が介在し、前記第3の信号線と前記第1の信号線の間に、3本の前記同軸線が介在している伝送ケーブルである。
本発明によれば、信号線が同軸線同士の間に形成された外側の隙間に配置されているので、介在物を用いなくても伝送ケーブルの外形を円形にすることができ、伝送ケーブルのコスト低減を図ることができる。
また、本発明では、電源線、グランド線、及び、撚り対線が、同軸線の内側に配置され第1のシールド層で覆われており、信号線と集合線との間に第1のシールド層が介在している。これに加えて、信号線同士の間の距離が最も遠くなるように当該信号線が配置されている。このため、本発明では、信号線への結合の影響が低減するので、伝送ケーブルの伝送特性の向上を図ることができる。
図1は、本発明の第1実施形態における伝送ケーブルを示す断面図である。 図2(a)〜図2(e)は、図1に示す伝送ケーブルの同軸線、信号線、電源線、グランド線、及び、撚り対線をそれぞれ示す図である。 図3は、本発明の第2実施形態における伝送ケーブルを示す断面図である。
<<第1実施形態>>
以下、本発明の第1実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本実施形態における伝送ケーブルを示す断面図、図2(a)〜図2(e)は図1に示す伝送ケーブルの同軸線、信号線、電源線、グランド線、及び、撚り対線をそれぞれ示す図である。
本実施形態における伝送ケーブル1は、USB Type−C規格に準拠したケーブルである。この伝送ケーブル1は、図1に示すように、8本の同軸線10a〜10hと、4本の信号線(第1のSBU線、CC線、第2のSBU線、及び、Vconn線)20a〜20dと、1本の電源線40と、2本のグランド線50a,50bと、一対の撚り対線60と、2つのシールド層70,80と、シース90と、を備えている。なお、図1は、伝送ケーブル1の軸方向に対して実質的に直交する方向に沿って、当該伝送ケーブル1を切断した場合の断面図である。
第1〜第8の同軸線10a〜10hは、USB3.1規格に対応するための10Gbps伝送用のSSライン(Super speed line)であり、いわゆる同軸構造を有する電線から構成されている。いずれの同軸線10a〜10hも同様の構成を有しているので、第1の同軸線10aの構成についてのみ説明し、その他の同軸線10b〜10hの構成については説明を省略する。
第1の同軸線10aは、図2(a)に示すように、中心導体11、内側絶縁層12、外側導体13、及び、外側絶縁層14を備えている。中心導体11は、複数の金属素線111を撚り合わせることで構成された撚線であり、第1の同軸線10aの中心に配置されている。なお、中心導体11を1本の金属線で構成してもよい。内側絶縁層12は、例えば樹脂材料から構成されており、中心導体11の外周を全周に亘って覆っている。外側導体13は、金属箔、金属製の編組、又は、横巻きシールドから構成されており、内側絶縁層12の外周を全周に亘って囲っている。外側絶縁層14は、例えば樹脂材料等から構成されており、外側導体13の外周を全周に亘って覆っている。
図1に示すように、本実施形態では、8本の同軸線10a〜10hが円周状(円環状)に並べられている。また、本実施形態では、相互に隣り合う2本の同軸線が差動伝送のペアを形成しており、結果的に8本の同軸線10a〜10hによって4組の差動ペアが形成されている。具体的には、第8の同軸線10hと第1の同軸線10aが第1の差動ペアを形成し、第2の同軸線10bと第3の同軸線10cが第2の差動ペアを形成し、第4の同軸線10dと第5の同軸線10eが第3の差動ペアを形成し、第6の同軸線10fと第7の同軸線10gが第4の差動ペアを形成している。
第1のSBU線20a、CC線20b、第2のSBU線20c、及び、Vconn線20dはいずれも、いわゆる絶縁電線から構成されており、同様の構成を有している。従って、第1のSBU線20aの構成についてのみ説明し、CC線20b、第2のSBU線20c、及び、Vconn線20dの構成については説明を省略する。
なお、本実施形態における第1のSBU線20aが本発明における第1の信号線の一例に相当し、本実施形態におけるCC線20bが本発明における第2の信号線の一例に相当する。また、本実施形態における第2のSBU線20cが本発明における第3の信号線の一例に相当し、本実施形態におけるVconn線20dが本発明における第4の信号線の一例に相当する。以下において、第1のSBU線20a、CC線20b、第2のSBU線20c、及び、Vconn線20dを、「第1〜第4の信号線20d」とも総称する。
第1のSBU線20aは、図2(b)に示すように、中心導体21と、当該中心導体21を覆う絶縁層22と、を備えている。中心導体21は、複数の金属素線211を撚り合わせることで構成された撚線である。なお、中心導体21を1本の金属線で構成してもよい。絶縁層22は、例えば樹脂材料から構成されており、中心導体21の外周を全周に亘って覆っている。
本実施形態では、図1に示すように、8本の同軸線10a〜10hが円形状の外形を有しているため、相互に隣り合う同軸線10a〜10hの間に隙間が形成されている。そして、第1〜第4の信号線20a〜20dは、同軸線10a〜10hよりも小さな外径を有しており、伝送ケーブル1の断面において外側に位置する隙間151〜154に、第1〜第4の信号線20a〜20dがそれぞれ配置されている。
具体的には、第1のSBU線20aは、第8の同軸線10hと第1の同軸線10aの間の外側の隙間151に配置されており、CC線20bは、第2の同軸線10bと第3の同軸線10cの間の外側の隙間152に配置されている。また、第2のSBU線20cは、第4の同軸線10dと第5の同軸線10eの間の外側の隙間153に配置されており、Vconn線20dは、第6の同軸線10fと第7の同軸線10gの間の外側の隙間154に配置されている。
なお、第1〜第4の信号線20a〜20dの間に2本の同軸線10a〜10hがそれぞれ介在していれば、第1〜第4の信号線20a〜20dの配置は上記に特に限定されない。
電源線40、2本のグランド線50a,50b、撚り対線60、及び、第1のシールド層70は、円周状に並べられた8本の同軸線10a〜10hの内側に配置されている。
電源線40は、図2(c)に示すように、中心導体41と、当該中心導体41を覆う絶縁層42と、を備えている。中心導体41は、複数の金属素線411を撚り合わせることで構成された撚線である。なお、中心導体41を1本の金属線で構成してもよい。絶縁層42は、例えば樹脂材料から構成されており、中心導体41の外周を全周に亘って覆っている。
これに対し、第1及び第2のグランド線50a,50bはいずれも、絶縁層を外周に有していない裸電線であり、図2(d)に示すように、複数の金属素線511を撚り合わせることで形成された撚線からそれぞれ構成されている。なお、第1及び第2のグランド線50a,50bをいわゆる絶縁電線で構成してもよい。
撚り対線60は、USB2.0規格に対応するための480Mbps伝送用のHSライン(High speed line)である。この撚り対線60は、シールドを備えていないツイストケーブルペア(UTP:Unshielded Twist Pair)であり、図2(e)に示すように、2本の信号線61,62を撚り合わせることで構成されている。いずれの信号線61,62も、いわゆる絶縁電線から構成されている。一方の信号線61は、中心導体611と、当該中心導体611を覆う絶縁層612と、を備えている。中心導体611は、撚線或いは1本の金属線から構成されている。絶縁層612は、例えば樹脂材料から構成されており、中心導体611の外周を全周に亘って覆っている。他方の信号線62も同様に、中心導体621と、当該中心導体621を覆う絶縁層622と、を備えている。
電源線40、2本のグランド線50a,50b、及び、撚り対線60は相互に撚り合わせられることで集合線30を形成している。第1のシールド層70は、この集合線30の外周を全周に亘って覆っている。この第1のシールド層70は、金属箔、金属製の編組、又は、横巻きシールドから構成されている。
そして、上述の第1〜第8の同軸線10a〜10h及び第1〜第4の信号線20a〜20dは、第1のシールド層70で覆われた集合線30を中心として、相互に撚り合わせられている。第2のシールド層80は、この撚り合わせられた第1〜第8の同軸線10a〜10h及び第1〜第4の信号線20a〜20dの外側に配置されており、第1〜第8の同軸線10a〜10h及び第1〜第4の信号線20a〜20dを覆っている。この第2のシールド層80は、金属箔、金属製の編組、又は、横巻きシールドから構成されている。シース層90は、例えば樹脂材料等から構成されており、第2のシールド層80の外周を全周に亘って覆っている。
以上のように、本実施形態では、第1〜第4の信号線20a〜20dが、第1〜第8の同軸線10a〜10hの間に形成された外側の隙間151〜154に配置されているので、介在物を用いなくても伝送ケーブル1の外形を円形にすることができ、伝送ケーブル1のコスト低減を図ることができる。
また、本実施形態では、電源線40、グランド線50a,50b、及び、撚り対線60が、第1〜第8の同軸線10a〜10hの内側に配置され第1のシールド層70で覆われており、第1〜第4の信号線20a〜20dと集合線30との間に、第1のシールド層70が介在している。
これに加えて、本実施形態では、第1〜第4の信号線20a〜20dの間に、2本の同軸線10a〜10hがそれぞれ介在しており、第1〜第4の信号線20a〜20d同士が最も遠く配置されている。具体的には、図1に示すように、第1のSBU線20aとCC線20bの間に第1及び第2の同軸線10a,10bが介在し、CC線20bと第2のSBU線20cの間に第3及び第4の同軸線10c、10dが介在し、第2のSBU線20cとVconn線20dの間に第5及び第6の同軸線10e,10fが介在し、Vconn線20dと第1のSBU線20aの間に第7及び第8の同軸線10g、10hが介在している。
このため、本実施形態では、第1〜第4の信号線20a〜20dへの結合の影響を低減することができ、伝送ケーブル1の伝送特性の向上を図ることができる。
≪第2実施形態≫
図3は本発明の第2実施形態における伝送ケーブルを示す断面図である。
本実施形態では、Vconn線20dを有しておらず、第2のSBU線20cの配置が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。以下に、第2実施形態における伝送ケーブル1Bについて第1実施形態との相違点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態では、図3に示すように、第1実施形態と同様に、第1のSBU線20aは、第8の同軸線10hと第1の同軸線10aの間の外側の隙間151に配置され、CC線20bは、第2の同軸線10bと第3の同軸線10cの間の外側の隙間152に配置されている。これに対し、第2のSBU線20cは、第5の同軸線10eと第6の同軸線10fの間の外側の隙間155に配置されている点で第1実施形態と相違している。
なお、第1〜第3の信号線20a〜20cの間に2本以上の同軸線10a〜10hがそれぞれ介在していれば、第1〜第3の信号線20a〜20cの配置は上記に特に限定されない。
本実施形態では、第1実施形態と同様に、第1〜第3の信号線20a〜20cが、第1〜第8の同軸線10a〜10hの間に形成された外側の隙間151,152,155に配置されているので、介在物を用いなくても伝送ケーブル1Bの外形を円形にすることができ、伝送ケーブル1Bのコスト低減を図ることができる。
また、本実施形態では、電源線40、グランド線50a,50b、及び、撚り対線60が、第1〜第8の同軸線10a〜10hの内側に配置され第1のシールド層70で覆われており、第1〜第3の信号線20a〜20cと集合線30との間に、第1のシールド層70が介在している。
これに加えて、第1〜第3の信号線20a〜20cの間に、2本以上の同軸線10a〜10hがそれぞれ介在しており、第1〜第3の信号線20a〜20c同士が最も遠く配置されている。具体的には、第1のSBU線20aとCC線20bの間に第1及び第2の同軸線10a,10bが介在し、CC線20bと第2のSBU線20cの間に第3〜第5の同軸線10c〜10eが介在し、第2のSBU線20cと第1のSBU線20aの間に第6〜第8の同軸線10f〜10hが介在している。
このため、本実施形態では、第1〜第3の信号線20a〜20cへの結合の影響を低減することができ、伝送ケーブル1Bの伝送特性の向上を図ることができる。
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
1,1B…伝送ケーブル
10a〜10h…第1〜第8の同軸線
11…中心導体
111…金属素線
12…内側絶縁層
13…外側導体
14…外側絶縁層
15…隙間
20a〜20d…第1〜第4の信号線(第1のSBU線、CC線、第1のSBU線、Vconn線)
21…中心導体
211…金属素線
22…絶縁層
30…集合線
40…電源線
41…中心導体
411…金属素線
42…絶縁層
50a,50b…グランド線
511…金属素線
60…撚り対線
61…信号線
611…中心導体
612…絶縁層
62…信号線
621…中心導体
622…絶縁層
70…第1のシールド層
80…第2のシールド層
90…シース

Claims (2)

  1. USB Type−C規格に準拠した伝送ケーブルであって、
    円周状に配置された8本の同軸線と、
    相互に隣り合う前記同軸線の間に形成された外側の隙間にそれぞれ配置された第1〜第4の信号線と、
    電源線、2本のグランド線、及び、撚り対線を含み、前記同軸線の内側に配置された集合線と、
    前記同軸線の内側に配置され、前記集合線を覆う第1のシールド層と、
    前記同軸線及び前記第1〜第4の信号線を覆う第2のシールド層と、を備えており、
    前記第1の信号線と前記第2の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、
    前記第2の信号線と前記第3の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、
    前記第3の信号線と前記第4の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、
    前記第4の信号線と前記第1の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在している伝送ケーブル。
  2. USB Type−C規格に準拠した伝送ケーブルであって、
    円周状に配置された8本の同軸線と、
    相互に隣り合う前記同軸線の間に形成された外側の隙間に配置された第1〜第3の信号線と、
    電源線、2本のグランド線、及び、撚り対線を含み、前記同軸線の内側に配置された集合線と、
    前記同軸線の内側に配置され、前記集合線を覆う第1のシールド層と、
    前記同軸線及び前記第1〜第3の信号線を覆う第2のシールド層と、を備えており、
    前記第1の信号線と前記第2の信号線の間に、2本の前記同軸線が介在し、
    前記第2の信号線と前記第3の信号線の間に、3本の前記同軸線が介在し、
    前記第3の信号線と前記第1の信号線の間に、3本の前記同軸線が介在している伝送ケーブル。
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