JP6426597B2 - コンデンサおよびモジュール - Google Patents

Description

本発明は、コンデンサおよびモジュールに関する。

特許文献１、２には、コンデンサがショートしたときに流れる過電流を抑制するためヒューズ機能を備えたコンデンサモジュールが記載されている。ヒューズの可溶部をメッシュとすることが知られている（特許文献３）。ヒューズに複数の溶断路を設けることが知られている（特許文献４）。

特開２００５−１１６６４２号公報 特開２００５−１２３５１６号公報 特開２０１１−８６５１２号公報 特開平９−２８３０００号公報

コンデンサ素子がショート故障した場合に備えてコンデンサ素子に直列にヒューズを設けることがある。ヒューズ素子の溶断領域は細くするが、これによって電流が集中するので溶断領域における寄生インダクタンスが大きくなってしまう。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、寄生インダクタンスを抑制することを目的とする。

本発明は、コンデンサ素子と、前記コンデンサ素子に一端が接続され、前記一端から他端に至る経路が１つの経路である第１領域および第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ、前記経路が複数の経路に並列に分割された第３領域と、を各々備える複数の接続端子と、を具備し、前記複数の接続端子の前記第３領域は互いに並列に接続され、前記複数の接続端子の配列方向からみて、前記複数の接続端子内の前記第３領域は重なり、前記複数の接続端子の前記複数の経路は前記配列方向に配列することを特徴とするコンデンサである。

上記構成において、前記複数の接続端子の前記第３領域の幅は、前記複数の接続端子の前記第１領域および前記第２領域の幅に略等しい構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の経路は略平行である構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の接続端子の前記第１領域間を電気的に接続する第１接続配線と、前記複数の接続端子の前記第２領域間を電気的に接続する第２接続配線と、を具備する構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の接続端子の少なくとも一部の接続端子間を電気的に接続する接続配線を具備する構成とすることができる。

上記構成において、前記第３領域はヒューズを含む構成とすることができる。

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた請求項１から６のいずれか一項記載のコンデンサと、を具備し、前記複数の接続端子の前記他端は前記基板に電気的に接続されることを特徴とするモジュールである。

上記構成において、複数の前記コンデンサが設けられ、前記基板は、前記複数のコンデンサのそれぞれの一端を共通に電気的に接続する第１バスバーと、前記複数のコンデンサのそれぞれの他端を共通に電気的に接続する第２バスバーと、を含み、前記複数の接続端子は、前記一端と前記第１バスバーとの間と、前記他端と前記第２バスバーとの間と、の少なくとも一方の間に直列に電気的に接続されている構成とすることができる。

本発明によれば、寄生インダクタンスを抑制することができる。

図１（ａ）から図１（ｃ）は、それぞれサンプルＡ、ＢおよびＣの平面図である。 図２は、サンプルＡからＣについて、溶断領域の長さに対する抵抗およびインダククタンスを示す図である。 図３は、サンプルＢの溶断領域の断面における磁場を示す図である。 図４（ａ）は、実施例１に係るモジュールの回路図、図４（ｂ）は、コンデンサの平面図、図４（ｃ）は、コンデンサの側面図、図４（ｄ）は、図４（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１における接続端子の例を示す側面図である。 図６は、実施例１における接続端子の溶断領域の断面における磁場を示す図である。 図７（ａ）は、実施例１の変形例１に係るコンデンサの側面図、図７（ｂ）は、斜視図、図７（ｃ）は、接続端子の側面図である。 図８は、実施例１の変形例２に係るコンデンサの断面図である。 図９は、実施例２に係るモジュールの回路図である。 図１０（ａ）は、実施例２に係るモジュールの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１１は、実施例２における基板に搭載されたコンデンサの平面図である。 図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、それぞれ図１１のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図およびＣ−Ｃ断面図である。

積層セラミックコンデンサは、内部電極に挟まれた誘電体セラミックシートが積層されたコンデンサである。誘電体セラミックシートの欠陥または内部電極の凝集物により、内部電極間の絶縁性が劣化することがある。また、外部からの機械的な衝撃により、または誘電体セラミックシートの圧電性による機械的疲労により、誘電体セラミックシートにクラック等が形成されることがある。さらに、誘電体セラミックシートの絶縁性が劣化すると電流が流れる。このときのジュール熱により加熱された部分が膨張する。加熱された部分とその周囲との熱膨張の差に起因し誘電体セラミックシートにクラックが形成されることがある。このようなことに起因しコンデンサがショートすると、コンデンサに接続されている回路に過電流が流れ回路が故障する。以上、積層セラミックコンデンサを例に説明したが、ショートは一般的なコンデンサ共通の故障であり、積層セラミックコンデンサ以外のコンデンサにおいても問題となる。

そこで、コンデンサに直列にヒューズを設ける。これにより、コンデンサがショートとした場合に、ヒューズが溶断し、回路に過電流が流れることを抑制できる。コンデンサの端子の一部をヒューズとすることで、ヒューズを別途設けなくともよくなる。しかしながら、端子の一部をヒューズとするために、幅の狭い溶断領域を設けると、寄生インダクタンスが大きくなる。

そこで、ヒューズのインダクタンスについて測定した。ヒューズはサンプルＡからＣのタイプを準備した。図１（ａ）から図１（ｃ）は、それぞれサンプルＡ、ＢおよびＣの平面図である。図１（ａ）に示すように、サンプルＡは幅の広い幅広領域２３ａおよび２３ｃと溶断領域２３ｂとを備えている。溶断領域２３ｂは幅広領域２３ａおよび２３ｃの間に設けられており、幅広領域２３ａおよび２３ｃより幅が狭い。溶断領域２３ｂの長さを長さＬ、幅を幅Ｗとする。サンプルＡでは幅Ｗ＝Ｗ０（一定値）である。サンプルＡに大きな電流が流れると、溶断領域２３ｂの電流密度が高くなり、溶断領域２３ｂにおいて接続端子２２ａは溶断する。

図１（ｂ）に示すように、サンプルＢでは、溶断領域２３ｂにおいて２つの経路２５が設けられている。２つの経路２５のそれぞれの幅はＷ／２である。サンプルＡの幅ＷをＷ０としたとき、２つの経路２５のそれぞれの幅Ｗ／２はＷ０／２である。サンプルＡとＢとでは溶断領域２３ｂのトータルの幅はいずれもＷ＝Ｗ０である。図１（ｃ）に示すように、サンプルＣでは、溶断領域２３ｂの幅ＷがＷ０／２である。

溶断領域２３ｂの長さＬの異なるサンプルＡからＣについて、抵抗およびインダクタンスを測定した。図２は、サンプルＡからＣについて、溶断領域２３ｂの長さに対する抵抗およびインダクタンスを示す図である。各サンプルについて、長さＬ２、Ｌ３およびＬ４は、それぞれ長さＬ１の３倍、５倍および７倍である。三角のドットは測定した抵抗値、丸のドットは測定したインダクタンスである。

断面積の小さい溶断領域２３ｂが存在すると、サンプルＡからＣの抵抗およびインダクタンスに占める溶断領域２３ｂにおける抵抗値およびインダクタンスが大きくなる。図２に示すように、サンプルＡ、ＢおよびＣとも長さＬを変えることで、溶断領域２３ｂにおける抵抗値およびインダクタンスの大きさが変わる。サンプルＡからＣとも、溶断領域２３ｂの長さＬが大きくなると抵抗値が大きくなる。サンプルＡとサンプルＢとでは長さＬに対する抵抗の増加の傾きはほぼ同じである。サンプルＣはサンプルＢの約２倍の傾きとなる。これは、サンプルＡとＢとで溶断領域２３ｂの断面積はほぼ同じであるが、サンプルＣの溶断領域２３ｂの断面積はサンプルＡおよびＢの約半分であるためである。サンプルＡおよびＣでは、長さＬに対するインダクタンスの増加の傾きが大きい。一方、サンプルＢでは、サンプルＡおよびＢに比べ、長さＬに対するインダクタンスの増加の傾きが小さい。このように、サンプルＢはサンプルＡとほぼ同じ抵抗であるが、インダクタンスは小さくなる。

図３は、サンプルＢの溶断領域の断面における磁場を示す図である。図３に示すように、溶断領域２３ｂにおける２つの経路２５ａおよび２５に奥行き側に電流が流れる。アンペールの法則にしたがって経路２５ａおよび２５ｂの回りに右回りに磁場５０ａおよび５０ｂが生成される。経路２５ａと２５ｂとの間では、磁場５０ａと５０ｂとは逆向きである。このため、磁場５０ａと５０ｂとが打ち消しあう。よって、インダクタンスが小さくなる。これにより、図２のように、サンプルＢの溶断領域２３ｂに起因したインダクタンスが抑制される。

以下、上記ヒューズを用いたコンンデンサの実施例について説明する。

図４（ａ）は、実施例１に係るモジュールの回路図、図４（ｂ）は、コンデンサの平面図、図４（ｃ）は、コンデンサの側面図、図４（ｄ）は、図４（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図４（ａ）に示すように、端子１７ａと１７ｂとの間にコンデンサ素子２０とヒューズ２４とが直列に電気的に接続されている。図４（ｂ）から図４（ｄ）に示すように、コンデンサ１００において、コンデンサ素子２０の異なる側面に接続端子２２ａおよび２２ｂが接続されている。接続端子２２ａおよび２２ｂはそれぞれ１本でもよいし、複数本でもよい。接続端子２２ａにはヒューズ２４が設けられている。接続端子２２ａは図４（ａ）におけるコンデンサ素子２０から端子１７ａに至る経路に対応し、接続端子２２ｂはコンデンサ素子２０から端子１７ｂに至る経路に対応する。

図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１における接続端子の例を示す側面図である。図５（ａ）に示すように、接続端子２２ａは幅広領域２３ａ、２３ｃおよび溶断領域２３ｂを備えている。幅広領域２３ａは、コンデンサ素子２０に接続される。幅広領域２３ｃは、外部の端子等に接続される。溶断領域２３ｂは幅広領域２３ａおよび２３ｃの間に設けられている。溶断領域２３ｂの厚さは幅広領域２３ａおよび２３ｃとほぼ同じである。溶断領域２３ｂには２つの経路２５ａおよび２５ｂが設けられている。経路２５ａと２５ｂの間に開孔５４が形成されている。これにより、溶断領域２３ｂの断面積は幅広領域２３ａおよび２３ｃより小さくなる。このため、接続端子２２ａに大きな電流が流れると、溶断領域２３ｂの温度が上昇し溶断領域２３ｂが溶断する。接続端子２２ａを流れる電流の経路は、幅広領域２３ａにおいて１本の経路であるが、溶断領域２３ｂにおいて複数の経路２５ａおよび２５ｂに分割され、幅広領域２３ｃに再び１本の経路となる。このため、図３のように、複数の経路２５ａおよび２５ｂの間において、経路を流れる電流により誘起された磁場が打ち消すため、寄生インダクタンスを抑制できる。

経路２５ａと２５ｂの間隔Ｗｄ（経路の中心の間隔）は、磁場を打ち消す観点から大きいほうが好ましい。しかしながら、溶断領域２３ｂの幅Ｗｂが幅広領域２３ａおよび２３ｃの幅より大きくなると、接続端子２２ａ同士の間隔を小さくできない。そこで、幅広領域２３ａ、溶断領域２３ｂおよび幅広領域２３ｃの幅ＷａからＷｃをほぼ同じとする。これにより、溶断領域２３ｂにおける経路２５ａと２５ｂとの間隔Ｗｄを、溶断領域２３ｂの幅Ｗｂが幅広領域２３ａおよび２３ｃの幅ＷａおよびＷｃより大きくならない範囲で、最も大きくできる。

図５（ｂ）に示すように、接続端子２２ａにおいて、溶断領域２３ｂに複数の開孔５４が形成されている。このため、３つの経路２５ａから２５ｃが形成されている。経路２５ａから２５ｃは経路の途中において互いに電気的に接続されている。並列な複数の経路２５ａから２５ｃの数は任意に設定できる。また、経路の途中で経路２５ａから２５ｃ間が電気的に接続されていてもよい。

図６は、実施例１における接続端子の溶断領域の断面における磁場を示す図である。図６に示すように、経路２５ａおよび２５ｂの周りに磁場５０ａおよび５０ｂが生成される。図３において説明したように、接続端子２２ａ内の経路２５ａおよび２５ｂの間において、磁場５０ａと５０ｂとが打ち消しあう。さらに、隣り合う接続端子２２ａにより、生成される磁場５０ａと５０ｂとが、隣り合う接続端子２２ａの間の領域で打ち消しあう。これにより、寄生インダクタンスをより抑制できる。以上のように、接続端子２２ａおよび２２ｂは各々１つでもよい。しかしながら、接続端子２２ａおよび２２ｂを各々複数とすることで、寄生インダクタンスをより抑制できる。

図７（ａ）は、実施例１の変形例１に係るコンデンサの側面図、図７（ｂ）は、斜視図、図７（ｃ）は、接続端子の側面図である。図７（ａ）から図７（ｃ）に示すように、接続端子２２ａ間を接続する接続配線２７が設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。接続配線２７により、複数の接続端子２２ａの強度を高めることができる。

図８は、実施例１の変形例２に係るコンデンサの断面図である。図８に示すように、ヒューズ２４は、接続端子２２ａおよび２２ｂの両方に設けられている。接続端子２２ａおよび２２ｂにヒューズ２４を含む溶断領域（図５（ａ）および図５（ｂ）参照）が形成されていている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例２のように、実施例１およびその変形例１において、接続端子２２ａおよび２２ｂの両方に溶断領域２３ｂが設けられていてもよい。

コンデンサ素子２０は、例えばチタン酸バリウム等を誘電体とする積層セラミックコンデンサである。コンデンサ素子２０は他のコンデンサでもよい。接続端子２２ａおよび２２ｂは、例えば銅等の金属端子であり、例えば銅板に開孔５２を設け、屈曲させたものである。接続端子２２ａおよび２２ｂの材料としては、銅以外にニッケル、金、銀、アルミニウム等、またはこれらの混合物でもよい。

実施例１およびその変形例において、接続端子２２ａは、幅広領域２３ａ（第１領域）、溶断領域２３ｂ（第３領域）および幅広領域２３ｃ（第２領域）を備えている。幅広領域２３ａおよび２３ｃは、一端から他端に至る経路が１つの経路である。溶断領域２３ｂは、幅広領域２３ａと２３ｂとの間に設けられ、複数の経路２５ａおよび２５ｂに並列に分割されている。これにより、図３のように、経路２５ａと２５ｂとの間における磁場５０ａおよび５０ｂが打ち消しあい、接続端子２２ａの寄生インダクタンスを抑制できる。

図５（ａ）のように、溶断領域２３ｂにおける接続端子２２ａの幅Ｗｂ（接続端子の第３領域の幅）は、幅広領域２３ａおよび２３ｃにおける接続端子２２ａの幅ＷａおよびＷｃ（接続端子の第１領域および第２領域の幅）と略等しい。これにより、接続端子２２ａの間隔を大きくせずに寄生インダクタンスをより抑制できる。なお、幅Ｗｂは幅ＷａおよびＷｃと、接続端子２２ａの間隔を大きくしなくてもよい程度に等しければよい。

また、複数の経路２５ａと２５ｂは略平行である。これにより、寄生インダクタンスをより抑制できる。経路２５ａと２５ｂとは、寄生インダクタンスがより抑制できる範囲で平行であればよい。

図４（ｃ）に示すように、複数の接続端子２２ａの配列方向からみて、複数の接続端子２２ａ内の溶断領域２３ｂの少なくとも一部は重なる。これにより、図６のように、接続端子２２ａ間においても磁場が打ち消しあう。よって、寄生インダクタンスをより抑制できる。また、１本のヒューズ２４が溶断するときの放電エネルギーを小さくできるため、アーク放電の発生を抑制できる。並列に接続するヒューズ２４の数は適宜設定できる。

実施例１の変形例１のように、複数の接続端子２２ａの少なくとも一部の接続端子間を電気的に接続する接続配線２７を備える。これにより、接続端子２２ａの強度を高めることができる。また、溶断領域２３ｂを流れる電流をより平均化できる。

実施例２は、電源間に接続される平滑コンデンサとして用いられるモジュールの例である。図９は、実施例２に係るモジュールの回路図である。図９に示すように、外部端子１８ａおよび１８ｂの間に並列に複数のコンデンサ素子２０が接続されている。各コンデンサ素子２０と外部端子１８ａとの間に並列に複数のヒューズ２４が接続されている。外部端子１８ａおよび１８ｂの間には、例えば直流電圧が印加される。外部端子１８ａおよび１８ｂは、例えばそれぞれ正側および負側の端子である。

図１０（ａ）は、実施例２に係るモジュールの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１０（ａ）は、上面の筐体を透過して図示している。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、モジュール１０４において、基板１０は、絶縁層１４とバスバー１２ａおよび１２ｂを備える。バスバー１２ａおよび１２ｂは、平板状であり絶縁層１４の上下にそれぞれ設けられている。基板１０の上下にコンデンサ素子２０が接着剤２６を介し搭載されている。バスバー１２ａおよび絶縁層１４を貫通する孔１６ａとバスバー１２ｂおよび絶縁層１４とを貫通する孔１６ｂとが設けられている。接続端子２２ａはコンデンサ素子２０とバスバー１２ａとを電気的に接続する、接続端子２２ｂはコンデンサ素子２０とバスバー１２ｂとを電気的に接続する。基板１０の上側では、接続端子２２ｂは孔１６ａを介しバスバー１２ｂに接続される。基板１０の下側では、接続端子２２ａは孔１６ｂを介しバスバー１２ａに接続される。接続端子２２ａの一部にヒューズが設けられている。

基板１０、コンデンサ素子２０およびヒューズ２４を囲むように箱状の筐体３０が設けられている。外部端子１８ａおよび１８ｂが筐体３０の一面に設けられている。外部端子１８ａおよび１８ｂはそれぞれバスバー１２ａおよび１２ｂと電気的に接続されている。外部端子１８ａおよび１８ｂには孔１９が形成されている。孔１９は、外部端子１８ａおよび１８ｂを外部とボルトで接続するための孔である。

図１１は、実施例２における基板に搭載されたコンデンサの平面図である。図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、それぞれ図１１のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図およびＣ−Ｃ断面図である。図１１から図１２（ｃ）では、基板１０の上側のコンデンサ素子２０を図示し、基板１０の下側のコンデンサ素子２０の図示を省略している。図１１から図１２（ｃ）に示すように、コンデンサ素子２０の一面に形成された外部電極２９ａに６本の接続端子２２ａが接続され、他面に形成された外部電極２９ｂに６本の接続端子２２ｂが接続されている。外部電極２９ａおよび２９ｂは銅膜またはニッケル膜等の金属膜である。接続端子２２ａはバスバー１２ａに半田等を用い接続されている。接続端子２２ｂは３本ずつ孔１６ａを介しバスバー１２ｂに半田等を用い接続されている。接続端子２２ａには溶断部が形成されている。溶断部がヒューズ２４として機能する。コンデンサ素子２０は、積層セラミックコンデンサである。複数の接続端子２２ａ同士は接続配線で接続されていてもよい。複数の接続端子２２ｂ同士は接続配線で接続されていてもよい。

図９（ａ）および図１２（ｃ）のように、外部端子１８ａは、バスバー１２ａおよび接続端子２２ａを介し複数のコンデンサ素子２０の一端に電気的に接続される。外部端子１８ｂは、バスバー１２ｂおよび接続端子２２ｂを介し複数のコンデンサ素子２０の一端に電気的に接続される。これにより、外部端子１８ａおよび１８ｂの間に複数のコンデンサ素子２０が並列に接続される。バスバー１２ａおよび１２ｂは複数の接続端子２２ａおよび２２ｂを共通に接続する。バスバー１２ａおよび１２ｂにより、外部端子１８ａおよび１８ｂと複数のコンデンサ素子２０との間に寄生インダクタンスを抑制できる。さらに、１つのコンデンサ素子２０に複数の接続端子２２ａおよび複数の接続端子２２ｂが接続されている。これにより、バスバー１２ａおよび１２ｂを流れる電流が分散し、寄生インダクタンスを抑制できる。１つのコンデンサ素子２０に対し複数の孔１６ａまたは複数の孔１６ｂを設ける。これにより、バスバー１２ａおよび１２ｂを流れる電流の経路を確保できる。１つのコンデンサ素子２０に対し１つの孔１６ａまたは１つの孔１６ｂを設け、接続端子２２ａまたは２２ｂの数を増やしてもよい。これにより、バスバー１２ａまたは１２ｂとコンデンサ素子２０との間の寄生インダクタンスを抑制できる。

実施例２のモジュールは、例えば電気自動車の駆動用モータを用いるインバータの一次側平滑コンデンサに用いる。モジュールの仕様は、例えば動作電圧が２００Ｖ、定格電圧が４００Ｖ、静電容量が２４０μＦ、最大リップル電流が３００Ａおよび短絡故障時電流が１２００Ａである。動作電圧を例えば４８Ｖ以上かつ７２０Ｖ以下、静電容量を例えば４７μＦ以上かつ６３０μＦとすることができる。このように、実施例２およびその変形例のモジュールは、インバータまたはコンバータ等の電源回路の一次側平滑コンデンサに用いることができる。

絶縁層１４としては、例えばエポキシ樹脂またはポリミド樹脂等の耐熱性の高い絶縁樹脂を用いることができる。バスバー１２ａおよび１２ｂとして、例えば銅板等の金属板を用いることができる。接続端子２２ａおよび２２ｂとして、例えば銅板等の金属板を用いることができる。１本の接続端子２２ａおよび２２ｂの抵抗は例えば１ｍΩ程度である。筐体３０は、難燃性樹脂、セラミックスまたは絶縁塗装した金属などの絶縁性である。筐体３０と、バスバー１２ａ、１２ｂおよび外部端子１８ａ，１８ｂと、の間にはシリコーン樹脂等の耐熱性の高い絶縁層を設けてもよい。

実施例２では、接続端子２２ａがヒューズ２４を含む例を説明したが、接続端子２２ｂがヒューズ２４を含んでもよい。接続端子２２ａおよび２２ｂの両方がヒューズ２４を含んでもよい。また、ヒューズ２４を覆うように消弧剤が設けられていてもよい。消弧剤は、ヒューズ２４が溶断するときのアーク放電等を抑制する。

実施例２によれば、コンデンサ素子２０が基板１０上に設けられている。接続端子２２ａおよび２２ｂは基板１０に電気的に接続される。このように、実施例１およびその変形例のコンデンサを基板に搭載し、モジュールとすることができる。

バスバー１２ａは、複数のコンデンサ素子２０のそれぞれの一端を共通に電気的に接続する。バスバー１２ｂは、複数のコンデンサ素子２０のそれぞれの他端を共通に電気的に接続する。このように、大電流が流れるモジュールにおいては、コンデンサ素子２０のショートによる過電流が問題となる。そこで、ヒューズ２４をコンデンサ素子２０の一端とバスバー１２ａとの間と、コンデンサ素子２０の他端とバスバー１２ｂとの間と、の少なくとも一方の間に直列に電気的に接続する。これにより、モジュールを大型化せずに、過電流を抑制できる。

しかしながら、ヒューズ２４を設けると、寄生インダクタンスが大きくなる。そこで、接続端子２２ａおよび２２ｂの少なくとも一方にヒューズを設けた実施例１およびその変形例に係るコンデンサを用いる。これにより、寄生インダクタンスを抑制できる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 基板
１２ａ、１２ｂ バスバー
２０ コンデンサ素子
２２ａ，２２ｂ 接続端子
２３ａ、２３ｃ 幅広領域
２３ｂ 溶断領域
２４ ヒューズ
２５ａ−２５ｃ 経路
２７ 接続配線

Claims (8)

1. コンデンサ素子と、
   前記コンデンサ素子に一端が接続され、前記一端から他端に至る経路が１つの経路である第１領域および第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ、前記経路が複数の経路に並列に分割された第３領域と、を各々備える複数の接続端子と、
   を具備し、
   前記複数の接続端子の前記第３領域は互いに並列に接続され、
   前記複数の接続端子の配列方向からみて、前記複数の接続端子内の前記第３領域は重なり、
   前記複数の接続端子の前記複数の経路は前記配列方向に配列することを特徴とするコンデンサ。
2. 前記複数の接続端子の前記第３領域の幅は、前記複数の接続端子の前記第１領域および前記第２領域の幅に略等しいことを特徴とする請求項１記載のコンデンサ。
3. 前記複数の経路は略平行であることを特徴とする請求項１または２記載のコンデンサ。
4. 前記複数の接続端子の少なくとも一部の接続端子間を電気的に接続する接続配線を具備することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のコンデンサ。
5. 前記複数の接続端子の前記第１領域間を電気的に接続する第１接続配線と、
   前記複数の接続端子の前記第２領域間を電気的に接続する第２接続配線と、
   を具備することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のコンデンサ。
6. 前記第３領域はヒューズを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載のコンデンサ。
7. 基板と、
   前記基板上に設けられた請求項１から６のいずれか一項記載のコンデンサと、
   を具備し、
   前記複数の接続端子の前記他端は前記基板に電気的に接続されることを特徴とするモジュール。
8. 複数の前記コンデンサが設けられ、
   前記基板は、前記複数のコンデンサのそれぞれの一端を共通に電気的に接続する第１バスバーと、前記複数のコンデンサのそれぞれの他端を共通に電気的に接続する第２バスバーと、を含み、
   前記複数の接続端子は、前記一端と前記第１バスバーとの間と、前記他端と前記第２バスバーとの間と、の少なくとも一方の間に直列に電気的に接続されていることを特徴とする請求項７記載のモジュール。

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